FR2587839A1 - Boitier pour puces a semi-conducteur - Google Patents

Boitier pour puces a semi-conducteur Download PDF

Info

Publication number
FR2587839A1
FR2587839A1 FR8613326A FR8613326A FR2587839A1 FR 2587839 A1 FR2587839 A1 FR 2587839A1 FR 8613326 A FR8613326 A FR 8613326A FR 8613326 A FR8613326 A FR 8613326A FR 2587839 A1 FR2587839 A1 FR 2587839A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
substrate
bottier
container
chips
bottler
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
FR8613326A
Other languages
English (en)
Inventor
Inder Jit Bahl
Edward Lawrence Griffin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Standard Electric Corp filed Critical International Standard Electric Corp
Publication of FR2587839A1 publication Critical patent/FR2587839A1/fr
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13063Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor [MESFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • H01L2924/141Analog devices
    • H01L2924/1423Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Dry Shavers And Clippers (AREA)

Abstract

BOITIER POUR PUCES A SEMI-CONDUCTEUR, CARACTERISE EN CE QU'IL COMPREND UN SUBSTRAT 2 POURVU D'UN OU PLUSIEURS TROUS 6 DANS LESQUELS PEUVENT ETRE MONTEES DES PUCES A SEMI-CONDUCTEUR ET DES MOYENS RELIES AUDIT SUBSTRAT 2 POUR SCELLER HERMETIQUEMENT LESDITES PUCES.

Description

La présente invention concerne un bottier destiné à encapsu-
ler des puces à semi-conducteur. Il convient particulièrement bien à l'encapsulation des MESFET (transistors à effet de champ à métal et semiconducteur et des MMIC (circuits intégrés monolithiques à micro-ondes) qui sont réalisés en arséniure de gallium et qui sont
utilisés à des fréquences pouvant aller jusqu'à 20 GHz.
Des bottiers disponibles dans le commerce ont été mis au point pour encapsuler des MESFET et des MiIC destinés à différentes
plages de fréquences, mais aucun d'entre eux n'est en mesure de four-
nir une bonne réponse pour les circuits couvrant la totalité de la plage de fréquences comprise entre 1 et 20 GHz. Parmi les problèmes posés par ces bottiers, on citera une plage de fréquences limitée,
des pertes de transmission excessives et une isolation réduite en en-
trée et en sortie.
La présente invention a pour but de fournir un bottier pour puces à semiconducteur, pouvant garantir la réponse en fréquence nécessaire lorsqu'il renferme des puces en arséniure de gallium et
lorsque les fréquences exploitées vont au moins jusqu' à 20 GHz.
La présente invention a également pour but de fournir un
bottier pour puces à semi-conducteur satisfaisant aux exigences re-
latives à l'environnement et aux essais de certaines normes. Le bottier doit donc être soumis à des essais rigoureux concernant l'étanchéité, les chocs thermiques et mécaniques, la résistance à l'humidité et la résistance au milieu salin, aux vibrations et aux
accélérations, et la soudabilité.
La présente invention a également pour but de fournir un
bottier pour puces à semi-conducteur qui possède un trajet de dissi-
pation thermique efficace en permettant l'utilisation à des puissan-
ces élevées.
La présente invention a également pour but de fournir un bottier pour puces à semi-conducteurs possédant des caractéristiques électriques d'impédance parasite faible, de réactance de discontinuité minimales, de pertes de dissipationminimales et d'interaction minimale
entre l'environnement et les entrée et sortie.
La présente invention a également pour but de fournir un -2 - bottier pour puces à semi-conducteurs, dans lequel le taux d'ondes stationnaires (TOS) du bottier est réduit au minimum. A cet effet, il est notamment prévu de réaliser un bottier dans lequel le taux d'ondes stationnaires n'excède pas 1,15/1 pour des fréquences allant jusqu'à la bande Ku (18 Ghz). Ces buts sont atteints au moyen d'un bottier pour puces à semi- conducteurs comprenant un substrat pourvu d'un ou plusieurs
trous dans lesquels peuvent être montées des puces. Le substrat com-
porte une pluralité de bandes conductrices s'étendant chacune de la périphérie du substrat à l'un des trous destinés aux puces, au moins
certaines des bandes conductrices étant munies d'une entaille desti-
née à compenser les réactances inductive et capacitive de la bande proprement dite ainsi que l'impédance d'un récipient d'étanchéité dont les parois s'étendent au-dessus et au-dessous du substrat et dont le fond repose sur une embase faisant office de dissipateur thermique. Un bottier de ce type présente l'avantage de pouvoir être facile à manipuler, facile à monter sur l'élément de circuit extérieur et sur des sous-systèmes, d'être robuste, d'exposer la puce à moins de détériorations électriques (statiques) et mécaniques, de pouvoir être
conservé en toute sécurité dans des conteneurs métalliques et d'of-
frir d'excellentes possibilités de mesure.
Les différents objets et caractéristiques de l'invention se-
ront maintenant détaillés dans la description qui va suivre, faite à
titre d'exemple non limitatif, en se reportant à la figure annexée
qui représente une vue éclatée en perspective des composants du bot-
tier pour puces à semi-conducteur
La figure représente un bottier pour puces à semi-conduc-
teur 1 comprenant un substrat 2 sur lequel reposent des conducteurs d'entrée et de sortie 3. Chacun des conducteurs d'entrée et de sortie s'étend de la périphérie du substrat à une ouverture 6 dans laquelle
peut être montée une puce à semi-conducteur. La largeur des conduc-
teurs 3 est calculée pour obtenir une impédance constante de 50 ohms de la position de la puce jusqu'à la périphérie du substrat pour des fréquences pouvant aller jusqu'à 25 ou 30 GHz. Pour obtenir plus facilement cette impédance constante de 50 ohms, il - 3 - s'est avéré souhaitable de pratiquer une entaille 4 dans chacun des
conducteurs d'entrée et de sortie. Les dimensions de la partie d'en-
taille 4 des bandes 3 sont prévues pour permettre de compenser la ca-
pacité de discontinuité due au chargement de la microbande 3 par le tube diélectrique 7. Le tube diélectrique 7 peut être réalisé en ma- tériau céramique et il forme, avec un couvercle en céramique ou en
métal 8 et avec l'embase 9, uie enceinte hermétiquement close desti-
née à la puce à semi-conducteurs. L'embase 9, sur laquelle est dispo-
sé le substrat 2, peut être réalisée en cuivre ou en tungstène, pos-
sède une bonne conductivité thermique et fait office de dissipateur
thermique pour le bottier.
On notera que les entailles 4 pratiquées dans la microbande 3 ont également pour r8le de compenser l'impédance essentiellement
capacitive apparaissant dans la ligneaux hautes fréquences. Par con-
séquent, elles ont pour r8le de maintenir l'impédance constante sur toute la longueur de la microbande et donc de réduire au maximum les
coefficients de réflexion pour obtenir un faible taux d'ondes sta-
tionnaires.
Les microbandes 5 ne possèdent pas d'entailles dans la mesu-
re o elles sont utilisées avec des entrées et des sorties de courant
continu. Bien entendu, le nombre de conducteurs à microbandes dispo-
sés sur le substrat 2 est fonction de la ou des puces encapsulées. De même, les dimensions optimales des différentes parties du boîtier de la puce à semi-conducteur dépendent du type de puces utilisées et des
fréquences de fonctionnement.
Le procédé de fabrication du bottier consiste à empiler des
plaques de céramique 'verte" pour obtenir la hauteur de substrat dé-
sirée, à y percer des trous destinés aux puces, à recouvrir le dessus
du substrat avec de la pâte au tungstène pour obtenir la configura-
tion de conducteurs souhaitée, à utiliser une pluralité d'anneaux de céramique verte pour former un cylindre recouvrant le substrat et croisant les conducteurs au niveau des entailles, puis à chauffer l'ensemble de l'agencement en céramique pour le transformer en un seul élément ininterrompu qui est fixé à l'embase métallique pour
constituer l'enceinte hermétiquement close d'une puce.
- 4 - Les principes de l'invention ont été décrits ci-dessus en référence à un appareillage spécifique, mais il est bien entendu que
cette description n'est faite qu'à titre d'exemple et qu'elle ne sau-
rait limiter la portée de l'invention telle qu'exposée dans ce qui précède. -5-

Claims (10)

REVENDICATIONS
1. Bottier pour puces à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat (2) pourvu d'un ou plusieurs trous (6) dans lesquels peuvent être montées des puces à semi-conducteur et
des moyens reliés audit substrat (2) pour sceller hermétiquement les-
dites puces.
2. Bottier conforme à la revendication 1, caractérisé en ce
qu'il comprend une pluralité de bandes conductrices (3, 5) dont cha-
cune s'tend de la périphérie dudit substrat (2) à l'un dudit ou
desdits trous (6).
3. Bottier conforme à la revendication 2, caractérisé en ce
qu'au moins plusieurs desdites bandes (3) comportent des zones en-
taillées (4) dans lesquelles la largeur de ladite bande (3) est infé-
rieure à la largeur du reste de la bande (3).
4 Bottier conforme à la revendication 3, caractérisé en ce
que lesdites bandes conductrices (3, 5) possèdent une largeur calcu-
lée pour obtenir une impédance sensiblement constante aux signaux
d'hyperfréquences sur toute leur longueur.
5. Bottier conforme à la revendication 4, caractérisé en ce que ladite impédance est de 50 ohms et lesdites hyperfréquences sont
comprises entre 1 et 30 GHz.
6. Bottier conforme à la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits moyens destinés à sceller hermétiquement lesdites puces
comprennent un récipient s'étendant au-dessus dudit substrat (2).
7. Bottier conforme à la revendication 6, caractérisé en ce
que ledit récipient comprend une ou plusieurs parois qui coupent les-
dites bandes (3) dans les zones entaillées (4).
8. Bottier conforme à la revendication 7, caractérisé en ce
qu'il comprend également une embase (9) dont la surface est supérieu-
re à celle dudit récipient et à laquelle le substrat (2) est fixé.
9. Bottier conforme à la revendication 8, caractérisé en ce que ladite embase (9) est en métal et fait office de dissipateur thermique.
10. Bottier conforme à la revendication 8, caractérisé en ce que ledit récipient est un tube en céramique (7) faisant office de
diélectrique.
FR8613326A 1985-09-26 1986-09-24 Boitier pour puces a semi-conducteur Pending FR2587839A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/780,494 US4701573A (en) 1985-09-26 1985-09-26 Semiconductor chip housing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR2587839A1 true FR2587839A1 (fr) 1987-03-27

Family

ID=25119744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8613326A Pending FR2587839A1 (fr) 1985-09-26 1986-09-24 Boitier pour puces a semi-conducteur

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4701573A (fr)
JP (1) JPS62118547A (fr)
FR (1) FR2587839A1 (fr)
GB (1) GB2181300A (fr)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0812887B2 (ja) * 1985-04-13 1996-02-07 富士通株式会社 高速集積回路パツケ−ジ
JPH088321B2 (ja) * 1987-01-19 1996-01-29 住友電気工業株式会社 集積回路パツケ−ジ
US6172412B1 (en) 1993-10-08 2001-01-09 Stratedge Corporation High frequency microelectronics package
GB2298957A (en) * 1995-03-16 1996-09-18 Oxley Dev Co Ltd Microstrip microwave package

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3665592A (en) * 1970-03-18 1972-05-30 Vernitron Corp Ceramic package for an integrated circuit
US3753054A (en) * 1970-01-02 1973-08-14 Texas Instruments Inc Hermetically sealed electronic package
FR2269793A1 (fr) * 1974-04-30 1975-11-28 Burroughs Corp
EP0089044A2 (fr) * 1982-03-16 1983-09-21 Nec Corporation Dispositif semi-conducteur ayant un boîtier scellé par une soudure à bas point de fusion
JPS58202557A (ja) * 1982-05-21 1983-11-25 Narumi China Corp 積層セラミツクパツケ−ジの製造方法
FR2529385A1 (fr) * 1982-06-29 1983-12-30 Thomson Csf Microboitier d'encapsulation de circuits integres logiques fonctionnant en tres haute frequence

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1130666A (en) * 1966-09-30 1968-10-16 Nippon Electric Co A semiconductor device
US3622419A (en) * 1969-10-08 1971-11-23 Motorola Inc Method of packaging an optoelectrical device
US3710202A (en) * 1970-09-09 1973-01-09 Rca Corp High frequency power transistor support
US3671813A (en) * 1970-12-10 1972-06-20 Texas Instruments Inc Panel board system and components thereof with connector and integrated circuit device
US3683241A (en) * 1971-03-08 1972-08-08 Communications Transistor Corp Radio frequency transistor package
US3715635A (en) * 1971-06-25 1973-02-06 Bendix Corp High frequency matched impedance microcircuit holder
US3697666A (en) * 1971-09-24 1972-10-10 Diacon Enclosure for incapsulating electronic components
CA1001323A (en) * 1973-05-18 1976-12-07 Raytheon Company Microwave transistor package
US3946428A (en) * 1973-09-19 1976-03-23 Nippon Electric Company, Limited Encapsulation package for a semiconductor element
JPS5842622B2 (ja) * 1973-12-03 1983-09-21 レイチエム コ−ポレ−シヨン 密封容器
US3908185A (en) * 1974-03-06 1975-09-23 Rca Corp High frequency semiconductor device having improved metallized patterns
JPS5683050A (en) * 1979-12-12 1981-07-07 Toshiba Corp Semiconductor device
US4400870A (en) * 1980-10-06 1983-08-30 Texas Instruments Incorporated Method of hermetically encapsulating a semiconductor device by laser irradiation
JPS584955A (ja) * 1981-06-30 1983-01-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 金めつきされた電子部品パツケ−ジ
US4477828A (en) * 1982-10-12 1984-10-16 Scherer Jeremy D Microcircuit package and sealing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3753054A (en) * 1970-01-02 1973-08-14 Texas Instruments Inc Hermetically sealed electronic package
US3665592A (en) * 1970-03-18 1972-05-30 Vernitron Corp Ceramic package for an integrated circuit
FR2269793A1 (fr) * 1974-04-30 1975-11-28 Burroughs Corp
EP0089044A2 (fr) * 1982-03-16 1983-09-21 Nec Corporation Dispositif semi-conducteur ayant un boîtier scellé par une soudure à bas point de fusion
JPS58202557A (ja) * 1982-05-21 1983-11-25 Narumi China Corp 積層セラミツクパツケ−ジの製造方法
FR2529385A1 (fr) * 1982-06-29 1983-12-30 Thomson Csf Microboitier d'encapsulation de circuits integres logiques fonctionnant en tres haute frequence

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 8, no. 49 (E-230)[1486], 6 mars 1984; & JP-A-58 202 557 (NARUMI SEITOU K.K.) 25-11-1983 *

Also Published As

Publication number Publication date
GB2181300A (en) 1987-04-15
GB8622404D0 (en) 1986-10-22
JPS62118547A (ja) 1987-05-29
US4701573A (en) 1987-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3946428A (en) Encapsulation package for a semiconductor element
US3651434A (en) Microwave package for holding a microwave device, particularly for strip transmission line use, with reduced input-output coupling
EP0228953B1 (fr) Boîtier d'encapsulation d'un circuit électronique
Thome et al. Highly isolating and broadband single-pole double-throw switches for millimeter-wave applications up to 330 GHz
EP0113273B1 (fr) Boîtier d'encapsulation pour semiconducteur de puissance, à isolement entrée-sortie amélioré
US4953001A (en) Semiconductor device package and packaging method
FR2631166A1 (fr) Boitier de puissance du type a grille de broches pour un circuit integre
FR2587839A1 (fr) Boitier pour puces a semi-conducteur
FR2644631A1 (fr) Boitier pour circuit integre hyperfrequences
EP1657749B1 (fr) Boîtier microélectronique multiplans avec blindage interne
EP0334747A1 (fr) Dispositif d'interconnexion et de protection d'une pastille nue de composant hyperfréquence
Devlin The future of mm-wave packaging
EP0097087B1 (fr) Boîtier à capot plastique pour composants semi-conducteurs
EP0079265A1 (fr) Procédé de réalisation d'un socle pour le montage d'une pastille semiconductrice sur l'embase d'un boîtier d'encapsulation
FR2620275A1 (fr) Boitier pour le montage en surface d'un composant fonctionnant en hyperfrequences
FR2507409A1 (fr) Circuit hyperfrequence, notamment amplificateur a transistor a effet de champ
US3470483A (en) Miniature microwave broadband detector devices
EP0109899A1 (fr) Module préadapté pour diode hyperfréquence à forte dissipation thermique
EP0101335A1 (fr) Microboîtier d'encapsulation de circuits intégrés logiques fonctionnant en très haute fréquence
FR2535110A1 (fr) Procede d'encapsulation d'un composant semi-conducteur dans un circuit electronique realise sur substrat et application aux circuits integres rapides
EP0156708B1 (fr) Oscillateur hyperfréquences à transistor, commandé par capacité variable
JPH05121913A (ja) 高周波素子用パツケージ
FR2758908A1 (fr) Boitier d'encapsulation hyperfrequences bas cout
FR2625373A1 (fr) Ligne de propagation hyperfrequence en microruban
EP0017562B1 (fr) Source microonde à l'état solide