FR2568060A1 - Element detecteur d'image de grande dimension, photodetecteurs utilises dans cet element detecteur et procede de fabrication des photodetecteurs - Google Patents
Element detecteur d'image de grande dimension, photodetecteurs utilises dans cet element detecteur et procede de fabrication des photodetecteurs Download PDFInfo
- Publication number
- FR2568060A1 FR2568060A1 FR8511018A FR8511018A FR2568060A1 FR 2568060 A1 FR2568060 A1 FR 2568060A1 FR 8511018 A FR8511018 A FR 8511018A FR 8511018 A FR8511018 A FR 8511018A FR 2568060 A1 FR2568060 A1 FR 2568060A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- photodetectors
- image sensing
- sensing element
- element according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 21
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN ELEMENT DETECTEUR D'IMAGE DE GRANDE DIMENSION ET DES PHOTODETECTEURS UTILISES DANS CET ELEMENT DETECTEUR ET UN PROCEDE DE FABRICATION DES PHOTODETECTEURS. L'ELEMENT DETECTEUR D'IMAGE DE GRANDE DIMENSION COMPREND UN RESEAU DE PHOTODETECTEUR CONSISTANT EN PLUSIEURS PHOTODETECTEURS DISPOSES EN RESEAU, CHACUN DES PHOTODETECTEURS COMPRENANT: UNE COUCHE PHOTOCONDUCTRICE CONTENANT DU SILICIUM AMORPHE PREVUE SUR UN SUBSTRAT 1, CETTE COUCHE PHOTOCONDUCTRICE CONSISTANT EN FILMS MINCES DE DEUX OU PLUSIEURS COUCHES 2, 3 AYANT DES INDICES DE REFRACTION DIFFERENTS ET L'INDICE DE REFRACTION DE LA COUCHE INFERIEURE 2 N'ETANT PAS SUPERIEUR A 3,2 POUR DE LA LUMIERE D'UNE LONGUEUR D'ONDE DE 632,8NM, UNE PAIRE D'ELECTRODES 5, 6 PREVUES EN CONTACT ELECTRIQUE AVEC LA COUCHE PHOTOCONDUCTRICE, ET UNE PARTIE DE PHOTODETECTION; ET UNE SOURCE LUMINEUSE POUR ECLAIRER UN ORIGINAL.
Description
La présente invention concerne un élément détecteur d'image de grande
dimension, des photodétecteurs utilisés- dans cet élément détecteur et un procédé de fabrication des photodétecteurs. Jusqu'à présent, dans un appareil de conversion
photoélectrique qui est utilisé en tant que partie d'entrée opti-
que d'un appareil de traitement d'informations d'image tel qu'un dispositif de fac-similé, une machine à reproduire numérique, un appareil de lecture de caractères, etc.,il est généralement bien
connu d'utiliser un photodétecteur en tant qu'élément de conver-
sion photoélectrique. En particulier, ces dernières années, on a adopté un agencement tel que des photodétecteurs sont disposes unidimensionnellement pour former un détecteur de ligne de grande dimension et qu'un appareil de traitement d'image de haute sensibilité est constitué en utilisant ce détecteur de ligne. A titre d'exemple de photodétecteurs constituant un tel détecteur de ligne de grande dimension, on peut mentionner un photodétecteur du type photoconducteur, du type plan, muni d'une paire d'électrodes, constituées de métal en film mince ou analogue, disposées sur
une couche photoconductrice comprenant du silicium amorphe (ci-
après désigné par a-Si (H,X)) ou analogue contenant des atomes d'hydrogène et des atomes d'halogènes tels que des atomes de fluor ou analoguesen tant que matériau photoconducteur de sorte que ces
électrodes se font face en formant entre elles un intervalle ser-
vant de partie de photodétection.
Comme procédé pour fabriquer du a-Si (H,X) qui constitue un tel photodétecteur, il existe un procédé de dépôt chimique en phase vapeur(CVD) assisté par plasma, un procédé de pulvérisation
réactive, un procédé de dépôt ionique, etc. Dans tous ces procé-
dés, la réaction est facilitée par une décharge luminescente.
Cependant, dans certains cas, il est nécessaire de former le film en présence d'une puissance de décharge relativement faible pour obtenir un film de a-Si (H,X) de haute qualité ayant une photoconductivité élevée. Cependant, la couche photoconductrice obtenue par formation d'un film mince en utilisant une telle énergie de décharge faible présente des difficultés en ce que les propriétés d'adhérence à un substrat constitue de verre, de céramique ou analogue sont insuffisantes et que cette couche est susceptible de se décoller du support quand on met en oeuvre les processus de photolithographie ultérieurs ou analogues pour former
les électrodes.
En conséquence, de façon classique, pour empêcher le décollement du film, un procédé par lequel du a-Si (H,X) est déposé après que la surface du substrat a été rendue rugueuse est utilise. En pratique, la surface du substrat est tout d'abord attaquée chimiquement, par exemple au moyen d'acide fluorhydrique,
ou analogue ou est physiquement frottée par une brosse ou analo-
gue. Cependant, un tel procédé présente les inconvénients suivants. (1) Dans le cas o on utilise un produit chimique tel que de l'acide fluorhydrique ou analogue, l'appareil dans la chatne de nettoyage devient complexe et coeteux; (2) Il est difficile de contrôler le degré de rugosité de la surface du substrat; (3) Des micro-défauts sont couramment provoqués quand la surface du substrat est rendue rugueuse et une variation des caractéristiques est susceptible de prendre place car les caractéristiques de la couche de a-Si (H,X) qui est déposée sur
ces micro-défauts diffèrent.
En conséquence, dans le cas o l'on constitue le'
détecteur d'image de grande dimension en utilisant des photo-
détecteurs tels que mentionnés ci-dessus, il se produit une grande variation entre les signaux de bits respectifs de sorte qu'il est nécessaire de prévoir en outre un circuit de correction pour
corriger ces variations et il en résulte à nouveau une augmen-
tation des coûts.
Un objet de la présente invention, est de fournir un élément détecteur d'image de grande dimension qui peut résoudre
les inconvénients classiques sus-mentionnés.
Un autre objet de la présente invention est de prévoir un détecteur d'image de grande dimension d'un faible coGt dans lequel l'uniformité des caractéristiques des photodétecteurs
respectifs dans le réseau de détecteurs d'image de grande dimen-
sion est améliorée,réduisant ainsi la variation du signal entre bits, d'o il résulte qu'il n'est pas nécessaire d'utiliser de
circuit de correction.
Un autre objet de la présente invention est de fournir un élément détecteur d'image de grande dimension dans lequel l'uniformité des caractéristiques des photodétecteurs respectifs dans le réseau de photodétecteurs est améliorée, permettant ainsi, dans un appareil de lecture d'image, de réaliser de façon simple
et précise une commande matricielle.
Un autre objet de la présente invention est de prévoir un appareil de lecture d'image dans lequel l'uniformité des caractéristiques des photodétecteurs respectifs dans le réseau de photodétecteurs est améliorée et dans lequel une lecture a
vitesse élevée peut être obtenue.
Un autre objet de la présente invention est de fournir
des photodétecteurs ayant des performances uniformes et satis-
faisantes qui puissent être fabriqués à faible coat et dans lesquels le décollement du film de la couche photoconductrice survient
difficilement par rapport au cas de la technologie classique sus-
mentionnée. Un autre objet de la présente invention est de fabriquer
uniformément les photodétecteurs precédents a faible coût.
Un autre objet de la présente invention est de prévoir un élément détecteur d'image de grande dimension comprenant: un réseau de photodétecteurs consistant en plusieurs photodétecteurs disposes en réseau, chacun des photodétecteurs comprenant: une couche photoconductrice contenant du silicium
amorphe prévue sur un substrat, cette couche photoconductrice con-
sistant en films minces de deux ou plusieurs couches ayant des indices de réfraction différents et l'indice de réfraction de la couche inférieure n'étant pas supérieur à 3,2 pour de la lumière d'une longueur d'onde de 632,8 nm, une paire d'électrodes prévues en contact électrique avec la couche photoconductrice, et une partie de photodétection; et une source lumineuse pour éclairer un original. Un autre objet de la présente invention est de fournir un photodétecteur comprenant: une couche photoconductrice contenant du silicium
amorphe prévue sur un substrat, cette couche photoconductrice con-
sistant en films minces de deux-ou plusieurs couches ayant des indices de réfraction différents et l'indice de réfraction de la couche inférieure des films minces n'étant pas supérieur a 3,2 pour de la lumière d'une longueur d'onde de 632,8 nm; une paire d'électrodes prévues en contact électrique avec la couche photoconductrice; et
une partie de photodétection.
Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail
dans la description suivante de modes de réalisation particuliers
faite en relation avec les figures annexées sur lesquelles: la figure 1 représente schématiquement l'agencement d'un appareil utilisé dans un procédé de fabrication selon la présente invention;
la figure 2 est une vue partielle en plan d'un photo-
détecteur selon la présente invention; La figure 3 est une vue en coupe selon la ligne X-Y de la figure 2 les figures 4 et 5 sont des graphiques indiquant les caractéristiques d'une sous-couche; la figure 6 est une vue en coupe partielle d'un autre photodétecteur selon la présente invention; la figure 7 est une vue en plan partielle d'un réseau de photodétecteurs selon la présente invention; les figures 8 et 9 sont des graphiques indiquant les caractéristiques du photocourant et du courant d'obscurité du réseau de phodétecteurs de la figure 7; la figure 10 est une vue en plan partielle de la partie de connexion matricielle la figure 11 est une vue en coupe selon la ligne X-Y de la figure 10 la figure 12 représente schématiquement un circuit de commande matriciel; la figure 13 montre des graphiques représentant le photocourant de sortie du circuit de la figure 12; la figure 14 est une vue en perspective d'un élément détecteur d'image de grande dimension selon la présente invention dont une partie est arrachée;
la figure 15 est une vue en coupe selon la ligne XIII-
XIII de la figure 14;
les figures 16 et 17 sont des schémas représentant cha-
cun un exemple de circuit de l'élément détecteur d'image de grande dimension selon la présente invention;
les figures 18A a 18I représentent des tableaux tem-
porels ou diagrammes des temps; la figure 19 représente schématiquement une forme modifiée partielle de la figure 17; la figure 20 est une vue en perspective partielle d'un autre réseau de photodétecteurs de l'appareil selon la présente invention; la figure 21 est une vue en coupe selon la ligne II-II de la figure 20; les figures 22 et 25 sont des schémas de circuits de commande matriciels, respectivement; les figures 23 et 24 sont des graphiques indiquant les
caractéristiques du photocourant dans le réseau de photo-
détecteurs; la figure 26 est une vue en plan partielle d'un autre
réseau de photodétecteurs de l'appareil selon la présente inven-
tion; la figure 27 est une vue en coupe selon la ligne XXV-XXV de la figure 26; et la figure 28 est une vue en coupe d'un autre réseau de
photodétecteurs selon la présente invention.
Des modes de réalisation pratiques de la présente inven-
tion vont être décrits ci-après.
Dans cette description, la couche inférieure d'une
couche photoconductrice constituant un photodétecteur peut également être appelée sous-couche de a-Si (H,X) tandis qu'une ou plusieurs des couches au-dessus de cette sous-couche peuvent
également être appelées couches de a-Si (H,X).
La figure 2 est une vue en perspective partielle d'un photodétecteur dans un mode de réalisation d'un élément détecteur d'image de grande dimension selon la présente invention. La figure 3 est une vue en coupe selon la ligne X-Y de la figure 2. Dans ces figures, la référence 1 désigne un substrat; la référence 2 une sous-couche de a-Si (H,X); et la référence 3 une couche de
a-Si (H,X); et ces couches constituent la couche photocon-
ductrice. La référence 4 désigne une couche N+ consistant en a-Si (H,X) qui sert de couche de contact ohmique; la référence 5 désigne une électrode commune; et la référence 6 une électrode individuelle.
Comme substrat approprié à être utilisé dans le photo-
détecteur selon la présente invention, il est possible d'utiliser les produits tels que N 7059 ou 7740 fabriqués par Corning Glass Works Co., Ltd, SCG fabriqué par Tokyo Applied Chemistry Co, Ltd, un verre tel qu'un verre de quartz ou analogue, ou une céramique telle qu'une céramique partiellement émaillée ou analogue, etc. La couche photoconductrice du photodétecteur selon la présente invention consiste en plusieurs films minces et la couche la plus basse, à savoir la couche adjacente au substrat a un indice de réfraction non supérieur à 3,2. Cette couche est formée en choisissant convenablement les conditions de fabrication quand la décharge luminescente est réalisée au moyen d'un procédé tel qu'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, un procédé de pulvérisation réactive, un procédé de
revêtement ionique, ou analogue.
Selon la présente invention, il est souhaitable qu'une couche ayant une forte photoconductivité soit incluse dans la
couche de a-Si (H,X).
Dans le procédé de fabrication des photodétecteurs selon la présente invention, quand la couche de a-Si (H,X) est
formée après la sous-couche de a-Si (H,X), la source d'alimen-
tation est interrompue une première fois pour arrêter la décharge luminescente et ensuite la source d'alimentation est remise en route, et alors la décharge luminescente peut etre réalisée avec une puissance de décharge souhaitée. Toutefois, il est préferable de réaliser continûment la décharge luminescente en commutant simplement la valeur choisie de la puissance de décharge sans
couper la source d'alimentation.
L'indice de réfraction de la couche 3 de a-Si (H,X) est
supérieur à 3,2, de préférence environ 3,4. La couche photocon-
ductrice est formée par le procédé CVD assisté par plasma, le
procédé de pulvérisation réactive, le procédé de revêtement ioni-
que, ou analogue. En particulier, elle peut être formée par le procédé CVD assisté par plasma. Dans la couche photoconductrice formée de cette façon, une contrainte est générée en raison de la présence d'atomes d'hydrogène et/ou d'atomes d'halogènes qui sont inclus dans la couche lors de sa formation. Si ces contraintes sont trop importantes, les propriétés d'adhésion au substrat se
détériorent de sorte qu'un décollement du film est suscep-
tible de survenir. L'amplitude des contraintes de la couche photo-
conductrice peut atre commandée en choisissant de façon appropriée les conditions de formation de la couche, par exemple la puissance de décharge de la décharge luminescente, la température du substrat, la composition des matériaux gazeux, et la pression des matériaux gazeux. Comme sous-couche 2 de a-Si (H,X) adjacente au substrat 1, par-exemple, une couche ayant une faible contrainte est formée en réalisant la décharge luminescente par utilisation d'une énergie de décharge relativement élevée, rendant ainsi
possible de maintenir de bonnes propriétés d'adhérence au substrat 1.
D'autre part, il est connu de façon générale qu'il existe une corrélation importante entre les contraintes de la couche photoconductrice et l'indice de réfraction de cette couche et que l'indice de réfraction est faible quand les contraintes sont faibles. En outre, il est également connu qu'il est nécessaire de réaliser la décharge luminescente par une énergie de décharge relativement faible pour obtenir une excellente
photoconductivité de la couche photoconductrice.
En conséquence, il est souhaitable que la sous-couche 2 de a-Si (H,X) ayant un indice de réfraction relativement faible, par exemple non supérieur à 3,2, soit d'abord formée sur le substrat 1 en réalisant la décharge luminescente avec une énergie de décharge relativement importante et, ensuite, la couche 3 de a-Si (H,X) ayant un indice de réfraction relativement élevé,-par exemple d'environ 3,4, et une photoconductivité élevée, est formée en réalisant une décharge luminescente avec une énergie de décharge
relativement faible.
L'électrode commune 5 et l'électrode individuelle 6 con-
sistent en des films conducteurs, par exemple en aluminium ou analogue. La figure 20 est une vue en perspective partielle d'un réseau de photodétecteurs dans un mode de réalisation approprié d'un appareil de lecture d'image selon la présente invention. La figure 21 est une vue en coupe prise selon la ligne II-II de la figure 20. Dans les schémas, la référence numérique 2001 désigne un substrat. La référence 2002 désigne une sous-couche de a-Si (H,X) et la référence 2003 une couche de a-Si (H, X), et ces couches constituent une couche photoconductrice. La réference 2004 désigne une couche N+ consistant en a-Si (H,X) qui sert de contact ohmique; la référence 2005 désigne une électrode de bloc commune; la référence 2006 désigne une électrode individuelle; la référence 2007 une couche d'isolement; la référence 2008 un trou de passage; et la référence 2009 une électrode supérieure
d'un câblage matriciel.
La couche d'isolement 2007 est un film consistant en un matériau mineral isolant tel que SiN:H ou analogue ou un film
consistant en divers types de matériaux de résines organiques iso-
lantes.
L'électrode supérieure 2009 consiste en un film con-
ducteur tel que de l'aluminium ou analogue, de façon similaire
à l'électrode commune 2005 et a l'électrode individuelle 2006.
Le reste de la structure de ce-mode de réalisation est sensiblement identique à celui du photodétecteur représenté aux
figures 2 et 3.
La figure 26 est une vue en plan partielle d'un réseau de photodétecteurs dans un autre mode de réalisation approprié de l'appareil de lecture d'image selon l'invention. La figure 27 est une vue en coupe effectuée selon la ligne XXVII-XXVII de la figure 26. Dans les schémas, la référence numérique 2601 désigne un substrat. La référence 2602 désigne une sous-couche de a-Si (H,X) et la référence 2603 désigne une couche de a-Si (H,X), et ces couches constituent une couche photoconductrice. La référence 2604 désigne une couche N+, consistant en a-Si (H,X) qui sert de couche
de contact ohmique; la référence 2605 désigne une électrode com-
mune; 2606 une électrode individuelle; 2607 et 2608 des couches
conductrices; 2609 une couche isolante; 2610 une couche semicon-
ductrice; 2611 une couche de type N+ consistant en a-Si (H,X) qui sert de couche de contact ohmique; et 2612 une ligne de prise de signal. Dans ce réseau sont prévues une partie de condensateur 2613 pour accumuler des charges et une partie de transistor de commutation 2614 pour extraire les charges stockées dans la partie
de condensateur 2613. La référence 2615 désigne une partie de con-
version photoélectrique.
Chacune des couches conductrices 2607 et 2608 consistent en un film conducteur tel que du chrome,Cr,ou analogue. La couche isolante 2609 est une couche de matériau minéral isolant tel que
SiN:H ou analogue ou divers types de films de résines organiques isolantes.
La ligne d'extraction de signal 2612 consiste en un film conduc-
teur tel que, par exemple, de l'aluminium,Al,et analogue. Le reste de la structure est sensiblement similaire au photodétecteur
représenté en figures 2 et 3.
La ptt#tUe invention va maintenant etre expliquée en
détail ci-après à l'aide d'exemples.
EXEMPLE 1'
Le processus de nettoyage classique a été réalisé en utilisant un détergent neutre ou un détergent du type alcali organique pour le substrat de verre (appellation 7059 fabriqué par Corning Glass Works Co., Ltd.) dont les deux faces ont auparavant été polies. Ensuite, le substrat de verre 1 a été placé dans un appareil de décomposition à décharge luminescente du type à
couplage capacitif tel que représenté en figure 1 et a été main-
tenu a 230 'C sous un vide de 133,3.10-6 Pa.Puis, un gaz SiH épitaxial de qualité pure (Komatsu Electronics Co., Ltd) a été autorisé à circuler dans l'appareil à une vitesse de 10 cm3 /min, et la pression gazeuse a été établie à 9,33 Pa Ensuite, la décharge luminescente a été réalisée en utilisant une source d'alimentation haute fréquence à 13s56 MHz pendant deux minutes à
une tension de 2,0 kV en utilisant une puissance de décharge radio-
fréquence (RF) de 120 W, et la sous-couche de silicium amorphe (ci-après désignée par a-Si:H) contenant des atomes d'hydrogène
ayant une épaisseur d'environ 40 nm a été formée. La tension d'en-
trée a ensuite été immédiatement réduite à 0,3 kV et la décharge luminescente a été mise en oeuvre pendant 4,5 heures en utilisant une puissance de décharge de 8 W pour former la couche de a-Si:H
d'une épaisseur d'environ 0,8 micromètre.
Ensuite, la couche N+ (ayant une épaisseur d'environ 0,15 micromètre) servant de couche de contact ohmique a été déposée au moyen d'une puissance de décharge de 30 W en utilisant les gaz mélangés à titre de matériaux bruts, dans lesquels du SiH4 dilué A % dans H2 et du PH3 dilué A 100 ppm dans H2 ont été mélangés dans une proportion de 1 A 10. Ensuite, de l'aluminium a été déposé selon une épaisseur de 0,3 micromètre au moyen d'un procédé d'évaporation par faisceau électronique pour former la couche conductrice. Ensuite, un motif de produit photorésistant de forme désirée a été formé en utilisant un produit photorésistant de type positif (AZ-1370 fabrique par Shiplay Co., Ltd). Ensuite, la couche conductrice dans la partie exposée a été enlevée par un liquide dans lequel étaient mélangés de l'acide phosphorique (solution aqueuse A 85 % en volume), de l'acide nitrique (solution
aqueuse à '0% en volume), de l'acide acétique pur cris-
tallisable, et de l'eau selon un rapport volumétrique de 16/1/2/1 (ciaprès, ce -liquide- mélangé. est appelé "liquide d'attaque 1") Ensuite, la couche N+dans la partie exposée a été enlevée en réalisant un processus d'attaque à sec utilisant une puissance de décharge RF de 120 W et une pression gazeuse de 9,33 Pa par du CF4 gazeux par un procédé d'attaque par plasma utilisant un appareil du type à plaques parallèles planes. Ensuite, le produit photorésistant a été décollé. Les figures 2 et 3 représentent un photodétecteur ayant un agencement similaire à un photodétecteur de type plan obtenu de
cette façon.
D'autre part, dans un but de comparaison, ce photo-
détecteur de type plan (ci-après ce détecteur est appelé "photo-
détecteur de comparaison A") a été fabriqué de façon similaire au processus sus-mentionné sauf que la surface du même substrat de verre que le précédent a été traitée pendant trente secondes en
utilisant un liquide dans lequel de l'acide fluorhydrique (solu-
tion aqueuse à 49 % en volume), de l'acide nitrique (solution aqueuse à 60 % en volume) et de l'acide acétique ont été mélangés selon une proportion volumétrique de 1/5/40 et que la sous-couche
de a-Si:H n'est pas formée.
En ce qui concerne les deux types sus-mentionnés de photodétecteurs, les valeurs des photocourants qui ont été obtenues en permettant à de la lumière de longueur d'onde maximale de
565 nm d'entrer du côté du substrat de verre 1 dans les mêmes con-
ditions ont été comparées, de sorte que sensiblement les mêmes valeurs ont été obtenues dans les deux cas. On a trouvé à partir de ce résultat que la caractéristique du photocourant n'était pas dégradée par l'existence de la sous-couche 2 de a-Si:H dans le
photodétecteur selon la présente invention.
Ensuite, des tests de durabilité au moyen d'un cycle thermique ont été réalisés dans les mêmes conditions avec les deux types de photodétecteurs précédents. Il s'est alors avéré que le décollement du film n'est pas susceptible de survenir et qu'une
propriété d'adhérence suffisante s'est présentee.
EXEMPLE 2
Dans les procédés de fabrication de photodétecteurs de l'exemple 2, des procédés similaires à ceux de l'exemple 1 ont été mis en oeuvre sauf que la décharge luminescente a été réalisée 12. dans des conditions basées sur les combinaisons indiquées dans le tableau I ci-après, en ce qui concerne la puissance de décharge et
la durée de décharge pour la formation de la sous-couche 2 de a-
Si:H.
- TABLEAU I
Puissance de décharge (W) j 80 I 50 30 8 | 4 (minutes) l l l l l Durée de décharge 1 3 1 41 61 18 1 40 (minutes) I I I I
Ainsi les photodétecteurs concernés pourraient être obte-
nus sans provoquer de décollement du film quand la puissance de décharge est de 80 W et de 50 W. Toutefois, dans les cas o la puissance de décharge est de 30W, 8W et 4W, le décollement du film survient pendant le processus de photolithographie (comprenant le nettoyage par un appareil de nettoyage à ultrasons) en utilisant le produit photorésistant AZ-1370, de sorte que les bons
photodétecteurs recherchés ne peuvent être obtenus.
EXEMPLE 3
De même que dans les exemples 1 et 2, le substrat 1 est prélevé après formation de la sous-couche 2 de a-Si:H. Ensuite les indices de réfraction de la sous-couche 2 de a-Si:H formée sur le substrat 1 ont été mesurés. La figure 4 indique la relation entre la puissance de décharge de la décharge luminescente et l'indice
de réfraction de la sous-couche 2 de a-Si:H.
La propriété d'adhérence du substrat et de la couche
photoconductrice dépend de la puissance de la décharge lumi-
nescente lors de la formation du film. On considère que le décollement est provoque par la contrainte synthétisée totale de
la contrainte intrinsèque qui est induite en fonction de la struc-
ture interne de la couche mince et de la contrainte interne qui dépend de la différence de coefficients de dilatation entre la couche photoconductrice et le substrat. En conséquence, la contrainte totale de la sous-couche 2 de a-Si:H formée sur le substrat 1 a été mesurée. La figure 5 indique la relation entre la puissance de décharge de la décharge luminescente et la contrainte totale de la sous-couche 2 de a- Si:H. La contrainte apparatt comme une contrainte de compression et présente une valeur maximale quand la puissance de décharge est proche de 10 W. Mais la contrainte devient faible quand la puissance de décharge augmente. On considère que la raison principale de la diminution de la contrainte quand la puissance de décharge augmente est que les lacunes qui augmentent dans le film produisent des contraintes de
tension et déplacent les contraintes de compression.
Comme on l'a décrit ci-dessus la photoconductivité de la couche photoconductrice est liée à la puissance de décharge lors de la formation du film et il est nécessaire de réaliser le depOt avec une puissance de décharge relativement faible pour obtenir la caractéristique de photoconductivité souhaitée. En conséquence, la couche 3 de a-Si (H,X) dans les exemples 1 et 2 précedents a été
déposée à une puissance de décharge relativement faible.
On notera a partir de ce qui précède que la sous-
couche 2 de a-Si:H du photodétecteur selon la présente invention a une fonction de couche de relaxation de contraintes et a pour effet d'améliorer la propriété d'adhérence entre le substrat et la couche photoconductrice. En outre, dans le photodétecteur selon la
présente invention, il est souhaitable que l'épaisseur de la sous-
couche 2 de a-Si:H ne soit pas trop grande pour fournir la bonne caractéristique de photoconductivité dans le cas o l'on utilise la souscouche 2 de a-Si:H par illumination du cotg du substrat 1, par exemple il est préférable que l'épaisseur ne soit pas choisie
à plus de 100 nm.
Au contraire, dans le cas o la lumière entre du cOté opposé au substrat 1, il n'est pas nécessaire de considérer l'influence de la caractéristique de conversion photoélectrique due à l'absorption lumineuse dans la sous-couche 2 de a-Si:H; en
conséquence, la sous-couche 2 de a-Si:H peut être très épaisse.
EXEMPLE 4
Dans les processus de fabrication de photodétecteurs de l'exemple 4, des processus similaires à ceux de l'exemple 1 ont été mis en oeuvre, sauf que la décharge luminescente a été appliquée pendant 25 minutes en élevant la puissance de décharge à W après formation de la couche 3 de a- Si (H,X) et en outre la
couche de a-Si:H a été formée.
La figure 6 est une vue en coupe partielle du photodétecteur de type plan obtenu de cette façon et représente une partie similaire à celle de la figure 3. A la figure 6, les parties et las composants similaires à ceux de la figure 3 sont désignés par les mêmes références numériques, et la référence 3A désigne la couche de a-Si:H. L'épaisseur de la couche 3A de a-
Si:H est de 0,3 micromètre et la vitesse de formation par unité d'épaisseur de la couche 3A est remarquablement plus élevée que celle de la couche 3 de a-Si (H,X) car la puissance de décharge a augmenté. Dans le photodétecteur obtenu selon cet exemple, la
couche photoconductrice est constituée de la sous-couche 2 de a-
Si:H, de la couche 3 de a-Si (H,X) et de la couche 3A de a-Si:H.
Avec le photodétecteur de cet exemple, le photocourant obtenu était supérieur à celui de l'exemple 1 grace à l'augmentation
d'épaisseur de la couche de a-Si:H.
EXEMPLE 5
Dans les processus de fabrication de photodétecteur de l'exemple 5, un processus similaire à celui de l'exemple 1 a été mis en oeuvre sauf que la température du substrat était maintenue à 70 C lors de la formation de la sous-couche 2 de a-Si:H et que la décharge luminescente a été réalisée pendant 15 minutes avec une puissance de décharge de 8 W.
Le substrat 1 a été prélevé quand la sous-couche 2 de a-
Si:H a été formée dans les memes conditions et l'indice de réfraction de la sous-couche 2 de a-Si:H a été mesuré:il était
de 3,10.
Le photodétecteur obtenu dans cet exemple était aussi bon
que celui de l'exemple 1.
EXEMPLE 6
Dans les processus de- fabrication de photodétecteur de l'exemple 6, un processus similaire à celui de l'exemple 1 a été mis en oeuvre sauf que du SiH4 dilué à 5 % dans H2 a été utilisé comme gaz de départ lors de la formation de la sous-couche 2 de a- Si:H et que la décharge luminescente a été réalisée pendant 10 minutes avec une puissance de décharge de 30 W.
Le substrat 1 a été prélevé quand la sous-couche 2 de a-
Si:H a été formée dans les mêmes conditions et l'indice de réfraction de la sous-couche 2 de a-Si:H a été mesuré: il était
de 3,02.
Le photodétecteur obtenu dans cet exemple était aussi bon
que celui de l'exemple 1.
EXEMPLE 7
Dans les processus de fabrication de photodétecteur de l'exemple 7, un processus similaire à celui de l'exemple 1 a été mis en oeuvre sauf que la pression gazeuse a 4té établie à 40 Pa lors de la formation de la souscouche 2 de a-Si:H et que la décharge luminescente a été réalisée pendant 5 minutes avec une puissance de décharge de 50 W.
Le substrat 1 a été prélevé quand la sous-couche 2 de a-
Si:H a été formée dans les mêmes conditions et l'indice de réfraction de la sous-couche 2 de a-Si:H a et4 mesuré: il 4tait
de 3,12.
Le photod4tecteur obtenu dans cet exemple était aussi bon
que celui de l'exemple 1.
EXEMPLE 8
De façon similaire à celle de l'exemple 1, un réseau de photodétecteurs a été fabrique en disposant 864 photodétecteurs sous forme de réseau sur le même substrat. Ce réseau peut etre facilement fabriqué en choisissant de façon appropriée des masques dans un processus de photolithographie. La figure 7 représente une
vue en plan partielle du réseau de photodétecteurs de grande di-
mension obtenu de cette façon. En figure 7, la référence 11 dési-
gne une électrode individuelle et la référence 12 une électrode commune. La densité de surface de photodétection de ce réseau de photodétecteurs de grande de dimension est de 8 bits/mm et a une
longueur égale à la largeur du format A6.
Les défauts d'uniformité du photocourant et du courant d'obscurité entre les bits de ce réseau de photodétecteurs obtenus selon cet exemple ont tté mesurés. Les résultats sont indiqués en
figure 8.
D'autre part, à titre de comparaison et en utilisant le procédé dans lequel un processus de traitement acide du substrat a été effectué mais
o aucune sus-couche n'existe,comme pour le photodétecteur de com-
paraison A décrit dans l'exemple 1, les non-uniformités du photo-
courant et du courant d'obscurité entre les bits du réseau de photodétecteurs de grande dimension fabriqué en disposant 864
photodétecteurs en réseau sur le même substrat ont été mesurées.
Le résultat est indiqué à la figure 9.
A partir d'une comparaison entre les figures 8 et 9,
dans le photodétecteur de l'invention, on notera qu'aucun micro-
défaut n'existe sur le substrat et que la sous-couche de a-Si:H agit comme une couche de relaxation de contrainte, de sorte que l'uniformité de la caractéristique de la photoconduction est
extremement bonne.
EXEMPLE 9
On a essayé de diviser le réseau de photodétecteurs de grande dimension de 864 bits tel qu'obtenu dans l'exemple 8 en 27
blocs contenant chacun 32 bits et de les commander matriciellement.
En pratique, le réseau de photodétecteurs de grande dimension a été fabrique au moyen de processus similaires à ceux de l'exemple 8 et ensuite une résine de polyimide (PIQ fabriquée par Hitachi Chemical Co, Ltd) a été déposée sur toute la surface de ce réseau et a 4té recuite. Ensuite, un motif de forme souhaitée a été formé en utilisant un produit photorésistant de type négatif (OMR-83 fabriqué par Tokyo Applied Chemical Co, Ltd) et, ensuite, le PIQ dans les endroits non nécessaires a été enlevé en utilisant un liquide d'attaque de résine de polyimide (PIQ Etchant fabriqué par Hitachi Chemical Co, Ltd) et le OMR-83 a été enlevé. Ensuite, ce réseau a été cuit à 300 C pendant une heure sous une atmosphère d'azote, formant ainsi une couche d'isolement puis des trous de
de passage pour le cablage matriciel. Ensuite, une couche d'alumi-
nium d'une épaisseur de 2 micromètres a été déposée par évaporation par faisceau électronique et les électrodes supérieures du câblage matriciel ont été formées en utilisant un produit photorésistant de type positif AZ1370 et le liquide d'attaque 1. La figure 10 représente une vue en plan partielle
schématique de la partie de câblage matriciel du réseau de photo-
détecteurs de grande dimension obtenu comme cela a été mentionné cidessus. La figure 11 représente une vue en coupe prise selon la ligne X-Y de la figure 10. En figures 10 et 11, la référence 21 désigne un substrat; la référence 22 une sous-couche de Si:H; la référence 23 une couche de aSi (H-X); la référence 24 une couche N+; la référence 25 une électrode commune; la référence 26 une électrode individuelle; la référence 27 une couche isolante; la référence 28 un trou de passage; et la référence 29 une électrode
supérieure de c&blage matriciel.
La figure 12 représente un schéma de circuit de commande pour commander le réseau de photodétecteurs de grande dimension ayant un pas de 8 bits/mm et la largeur d'un format A6 qui a été obtenue de cette façon. En figure 12, la référence 31 désigne une couche photoconductrice du photodétecteur; la référence 32 un commutateur de sélection de bloc; la référence -33 un commutateur
commun; et la référence 34 un amplificateur.
Apres achèvement de la commande matricielle du réseau de grande dimension de la façon exposée précédemment, l'uniformité du
photocourant de sortie entre les bits a été mesurée 100 microseeon-
des après application de la tension. Le résultat en est repré-
sente en figure 13. On notera à partir de la figure 13 que le photocou-
rant de sortie de chaque bit présente une extrêmement bonne uniformité et que le signal peut 4tre suffisamment lu par la commande matricielle. La figure 14 représente une vue en perspective de l'élément détecteur d'image utilisé dans cet exemple avec une partie arrachée. La figure 15 est une vue en coupe selon la ligne XIII-XIII de la figure 14. Dans ces figures, la référence 41 désigne le substrat du réseau de photodétecteurs. Un réseau de
256B060
fibres optiques 42 est prévu sous le substrat 41 et des réseaux de diodes photoémettrices (LED) 43 sont disposés des deux cdtés du réseau 42. Un circuit intégré de commande 44 est électriquement connecté à la partie de cablage matriciel sur le substrat 41 au moyen d'un matériau conducteur flexible 45. La référence 46
désigne un original à lire; la référence 47 des rouleaux d'ali-
mentation pour fournir cet original; la référence 48 une ailette de radiateur; la référence 49 une plaque de radiateur. Le circuit intégré de commande 44 est thermiquement connecté à la plaque de radiateur 49. Le réseau de photodétecteurs, le réseau de fibres optiques 42 et le réseau de LED 43 sont disposés parallèlement les
uns aux autres.
EXEMPLE 10
L'élément détecteur d'images de grande dimension a été constitué en utilisant le réseau de photodétecteurs décrit à l'exemple 9. La figure 16 représente schématiquement le circuit
de cet élément.
En figure 16, chaque ensemble de trois photodétecteurs E1 à E9 constitue un bloc et trois blocs constituent le réseau de photodétecteurs. Ceci s'applique aux condensateurs C1 à C9, et aux
transistors de commutation T1 à T9, respectivement, correspon-
*dant aux photodétecteurs E1 à E9.
Une première électrode (électrode commune) de chacun des photodétecteurs E1 à E9 est connectée à une source d'alimentation 101 et l'autre électrode (électrode individuelle) est mise à la
masse par l'intermédiaire de chacun des condensateurs C1 à C9.
Les électrodes individuelles ayant le même ordre dans chaque bloc de photodétecteurs E1 à E9 sont connectées à l'une des lignes communes 102 à 104 par l'intermédiaire des transistors de
commutation respectifs T1 à T9.
De façon détaillée, les premiers-transistors de com-
mutation T1, T4 et T7 de chaque bloc sont connectés à la ligne commune 102; les seconds transistors de commutation T2, T5 et T8 de chaque bloc sont connectés à la ligne commune 103; et les troisièmes transistors de commutation T3, T6 et T9 de chaque bloc
sont connectés à la ligne commune 104, respectivement.
Les lignes communes 102 à 104 sont connectées à un amplificateur 105 par l'intermédiaire de transistors de
commutation To10 à T12, respectivement.
Les électrodes de grilles des transistors de com-
mutation T1 à T9 sont connectées en commun par blocs et sont con-
nectées à des bornes de sorties parallèles d'un registre l décalage 106, respectivement. Des signaux à niveau haut sont séquentiellement fournis à des instants prédéterminés à partir des bornes de sortie parallèles du registre à décalage 106, de sorte que les transistors de commutation T1 à T9 sont s4quentiellement
mis en conduction par blocs.
En outre, les électrodes de grilles respectives des tran-
sistors de commutation To10 à T12 sont connectées aux bornes de sortie parallèles d'un registre à décalage 107. Des signaux à
niveau haut sont séquentiellement fournis à des instants pré-
déterminés à partir de ces bornes de sortie parallèles, de sorte que les transistors de commutation To10 à T12 sont sequentiellement
mis en conduction.
En outre, les bornes connectées en commun des transistors de commutation T10 T12 sont mises à la masse par l'intermédiaire d'un transistor de commutation T13 pour une décharge. L'électrode de grille du transistor de commutation T13 est connectée à une
borne 108.
Le fonctionnement d'un appareil de lecture d'image classique disposé de cette façon va maintenant être décrit
simplement.
Quand de la lumière entre dans les photodetecteurs E1 à
E9, des charges s'accumulent dans les condensateurs C1 C9 l par-
tir de la source d'alimentation 101 en fonction de l'intensité lumineuse. Ensuite, des signaux à niveau haut sont séquentiellement
fournis l partir des registres à décalage 106 et 107 à des ins-
tants respectifs. On suppose maintenant que les signaux à niveau haut sont fournis à partir des premières bornes de sortie en
parallèle de ces deux registres à décalage.
Dans ce cas, les transistors de commutation T1 à T3 dans le premier bloc et le transistor de commutation To10 connecté à la ligne commune 102 sont mis en conduction de sorte que les charges
stockées dans le condensateur C1 sont introduites dans l'amplifi-
cateur 105 par l'intermédiaire du transistor de commutation T1, de la ligne commune 102 et du transistor de commutation TO10. Ces charges sont fournies en tant qu'informations d'image. Quand les charges stockées dans le condensateur C1 sont lues, un signal à niveau haut est fourni 1 la borne 108 de sorte
que le transistor de commutation T13 est mis en conduction.
Puis, les charges résiduelles dans le condensateur C1 sont
complètement déchargées par l'intermédiaire du transistor de com-
mutation T1, de la ligne commune 102, du transistor de commutation
T10o et du transistor de commutation T13.
Ensuite, le registre à décalage 107 est décalé séquentiellement, les premières sorties parallèles du registre à décalage 106 étant maintenues à un niveau haut, permettant ainsi aux
transistors de commutation Tll et T12 d' tre séquentiellement ren-
dus conducteurs. De cette façon, les opérations de lecture et de décharge sus-mentionnées sont réalisées en ce qui concerne les
condensateurs C2 et C3, lisant ainsi séquentiellement les infor-
mations mémorisées dans ces condensateurs.
Après achèvement de la lecture des informations dans le premier bloc, le registre à décalage 106 est séquentiellement décalé et les informations dans les second et troisième blocs sont
lues de façon similaire à ce qui précède.
Comme cela a été décrit ci-dessus, les informations
accumulées dans les condensateurs C1 à C9 sont lues en série et four-
nies en tant qu'informations d'image à partir de l'amplifi-
cateur 105.
L'appareil de lecture d'image représenté en figure 15 comprend les condensateurs pour mémoriser les charges, de sorte
que le signal de sortie peut etre amplifié.
D'une part, si les photodétecteurs E1 à E9, les conden-
sateurs C1 à C9, et les transistors de commutation T1 à T9 sont formés sur le même substrat au moyen d'un semiconducteur en film mince, il se présente l'avantage que le nombre de points de
connexion aux circuits externes peut être réduit, ou analogue.
EXEMPLE 11
Un appareil de lecture d'image a été constitué en utili-
sant les photodétecteurs selon l'invention décrits dans l'exemple 9. La figure 17 représente le schéma de circuit d'un tel appareil.
Toutefois, dans cet exemple, l'agencement des photo-
détecteurs E1 à E9, des condensateurs C1 à C9, des transistors de commutation T1 a T12, et des registres à décalage 106 et 107, etc, est sensiblement identique à celui représenté en figure 16; en
conséquence, sa description est omise.
En figure 17, les électrodes individuelles des photo-
détecteurs E1 a E9 sont mises à la masse par des transistors de commutation ST1 à ST9, respectivement. Ainsi, les transistors de commutation ST1 à ST9 sont respectivement connectés en parallèle aux
condensateurs C1 à C9.
Les électrodes de grille des transistors-de commutation ST1 à ST9 sont connectées en commun par bloc, de même que les électrodes de grille des transistors de commutation T1 à T9 et sont connectées à des bornes de sortie parallèles du registre à
décalage 201 par bloc.
En conséquence, les transistors de commutation T1 à T9 sont rendus conducteurs par bloc aux instants de décalage du
registre à décalage 201.
Le fonctionnement de cet exemple ayant un tel agencement va maintenant être expliqué en utilisant les tableaux temporels
représentés en figures 18A à 18I pour les transistors de com-
mutation T1 à T12 et ST1 à ST9 représentés en figure 17.
D'abord, quand de la lumière entre dans les photo-
détecteurs E1 à E9, les charges sont accumulées dans les conden-
sateurs C1 A C9 à partir de la source d'alimentation 101 en
fonction de l'amplitude de la lumière.
Les signaux à niveau haut sont d'abord fournis à partir des premières bornes de sortie parallèles du registre à décalage
106, de sorte que les transistors de commutation T1 à T3 sont ren-
dus conducteurs (état EN) (figure 18A).
Pendant cet intervalle, le registre à décalage 107 est
décalé et les transistors de commutation TlO à T12 sont séquen-
tiellement rendus conducteurs (figures 18D à 18F). En d'autres
termes, les informations optiques mémorisées dans les conden-
sateurs C1 à C3 du premier bloc sont lues séquentiellement. Après achèvement de la lecture des informations dans le dernier condensateur C3 dans le premier bloc, le registre à décalage 106 est décalé et des signaux à niveau haut sont fournis à partir des secondes bornes de sortie parallèles, de sorte que les transistors de commutation T4 à T6 sont rendus conducteurs
(figure 18B).
Simultanément, les signaux à niveau haut sont fournis à partir des premières bornes de sortie parallèles du registre à décalage 201, permettant ainsi aux transistors de commutation
ST1 à ST3 d'être rendus conducteurs. Ainsi, les charges rési-
duelles dans les condensateurs C1 à C3 sont complètement déchar-
gées (figure 18G).
En parallèle avec cette opération de décharge, les tran-
sistors de commutation To10 à T12 sont sequentiellement rendus con-
ducteurs par suite du décalage du registre à décalage 107, tandis
que les transistors de commutation T4 à T6 sont dans l'état con-
ducteur (EN), de sorte que les informations optiques mémorisées
dans les condensateurs C4 à C6 du second bloc sont lues séquen-
tiellement (figures 18D à 18F).
Ensuite, en parallèle avec l'opération de lecture de l'information lumineuse dans le troisième bloc (figure 18C), les
charges dans les condensateurs C4 à C6 du second bloc sont déchar-
gées (figure 18H). L'op4ration ci-dessus est répétee par blocs.
Comme cela a été décrit ci-dessus, en parallèle avec la lecture du bloc suivant, les condensateurs dans le bloc dont la lecture des informations optiques est achevée sont autorisés a se décharger, permettant ainsi de réduire la durée d'opération dans
son ensemble.
La figure 19 représente un autre exemple de la présente
invention, dans lequel seule la partie A de la figure 17 change.
Ainsi, des amplificateurs 202 à 204 sont connectés aux lignes communes 102 à 104, respectivement, et les sorties respectives des amplificateurs 202 à 204 sont connectées aux bornes d'entrée parallèles d'un registre à décalage 205. Les informations d'image sont fournies en série à partir des bornes de sortie série du registre à décalage 205. En conséquence, dans cet agencement, les informations dans un bloc sont simultanément introduites dans le registre à décalage 205, et, ensuite, les informations d'image série sont
fournies en raison du décalage du registre 1 décalage 205.
Dans cet exemple également, quand les informations dans un bloc sont fournies à partir du registre à décalage 205, la décharge des condensateurs de ce bloc et la lecture du bloc
suivant peuvent être réalisées en parallèle.
D'autre part, comme transistors de commutation ST1 à ST9, des transistors à film mince peuvent être utilisés de même que les transistors à commutation T1 à T9. Dans ce cas, ils peuvent être formés sur le même substrat en même temps que les
autres éléments du circuit.
L'utilisation de transistors à film mince comme tran-
sistors de commutation ST1 à ST9 permet aussi de réaliser simultanément la décharge des condensateurs dans un certain bloc et la lecture à partir du bloc suivant. En conséquence, la durée de lecture totale est réduite en comparaison du cas de l'appareil
de l'exemple 10.
EXEMPLE 12
La figure 22 représente un schéma de circuit de commande dans le cas ou un réseau de photodétecteurs de grande dimension (représenté en figures 20 et 21), fabriqué sensiblement de la même façon que dans le cas de l'exemple 9, est divisé en une matrice de 32 bits X 27 blocs et est commandé matriciellement. En figure 22, la référence 2211 désigne une couche photoconductrice du réseau de photodétecteurs; la référence 2212 un registre à décalage; la référence 2213 un amplificateur de courant; la référence 2214 un moyen d'échantillonnage-maintien; et la référence 2215 un réseau
de commutateurs.
La figure 23 indique les valeurs des photocourants pour des intensités lumineuses de 100 lx et 10 lx incidentes du côté du substrat 2001 quand le réseau de photodétecteurs sus-mentionné a été commandé matriciellement par le circuit de la figure 22. On notera à partir de ce schéma que la variation du photocourant d'un bit à l'autre est faible. D'autre part, dans un but de comparaison, un réseau de photodétecteurs de type plan (ciaprès ce réseau est appelé "réseau de photodétecteurs de comparaison B") a été fabriqué de façon similaire aux processus precédents sauf que la surface du
même substrat de verre que celle sus-mentionnée a été traitée pen-
dant 30 secondes par un liquide mélangé dans lequel de l'acide fluorhydrique (solution aqueuse à 49 % en volume), de l'acide nitrique (solution aqueuse & 60 % en volume) et de I'acide acétique ont été mélangés selon un rapport volumétrique de 1/5/40,
et la sous-couche de a-Si:H n'a pas été formée.
La figure 24 représente les valeurs des photocourants pour des lumières incidentes de 100 lx et 10 lx du côté du
substrat 2001 dans le cas o le réseau de photodétecteurs de comparai-
son B a été commandé matriciellement par le circuit de la figure 22. On notera à partir de ce schema qu'il existe une grande
variation de photocourant de bit à bit.
Comme on le notera en comparant les figures 23 et 24, les valeurs des photocourants obtenus sont presque égales dans les
deux cas. A partir de ce résultat, on notera que la caractéris-
tique de photocourant n'est pas détériorée par l'existence de la souscouche 2 de a-Si:H dans le réseau de photodétecteurs de
l'appareil selon l'invention.
Ensuite, des tests de durabilité thermique ont été réalisés dans les mêmes conditions en ce qui concerne les deux types de réseaux photodétecteurs, de sorte que l'on a trouvé de facon similaire que le décollement du film ne survenait pas et
qu'une propriété d'adhérence suffisante existait.
EXEMPLE 13
Un nettoyage ordinaire a été effectué en utilisant un détergent neutre ou un détergent organique alcalin appliqué au substrat de verre (appellation 7059 fabriquée par Corning Glass Works Co, Ltd) dont les deux côtés ont déjà été polis. Ensuite du chrome, Cr, a été déposé à une épaisseur de 0, 15 micromètre par le
procédé d'évaporation par faisceau électronique et un motif photo-
résistant de forme souhaitée a été formé en utilisant un produit photoresistant de type positif (marque AZ-1370 fabriqué par Shiplay Co., Ltd.). Ensuite, la partie non nécessaire de Cr a été enlevée en utilisant une solution aqueuse mixte formée de nitrate
double de cérium et d'ammonium et d'acide perchlo-
rique, de sorte que l'électrode de couche inférieure 2607 et
l'électrode de grille 2608 du condensateur ont été formées.
Ensuite, le substrat de verre 2601 a été recouvert d'un masque de configuration désirée et a été placé dans un appareil de décomposition à décharge luminescente du type à couplage capacitif (représenté en figure 1) et a été maintenu à 230 C sous un vide de 133,3.10-6Pa. Ensuite, du gaz SiH4 épitaxial de qualité pure
(fabriqué par Komatsu Electronics Co. Ltd) a été autorisé a cir-
culer dans l'appareil a une vitesse de 10 cm3 /min et la pression
gazeuse a été établie à 9,33 Pa. Ensuite, la décharge lumi-
nescente a été établie pendant deux minutes à une tension d'entrée
de 2,0 kV en utilisant une puissance de décharge RF (radio-
fréquence) de 120 W, en utilisant une source d'alimentation haute fréquence à 13,56 MHz, formant ainsi la sous-couche de a-Si:H 2602 ayant une épaisseur d'environ 40 nm. Puis, la tension d'entrée a immédiatement été réduite à 0,3 kV et la décharge luminescente a été mise en oeuvre pendant 4,5 heures en utilisant une puissance de décharge de 8 W, de sorte que la couche 2603 de a-Si (H,X)
d'une épaisseur d'environ 0,8 micromètre a été formée.
Ensuite, la couche N+ 2604 (d'une épaisseur d'environ 0,15 micromètre) servant de couche de contact ohmique a été déposée sous une puissance de décharge de 30 W en utilisant comme matériau de départ un mélange de gaz dans lequel du SiH4 dilué a 10 % dans H2 et du PH3 dilué à 100 ppm dans H2 ont été mélangés avec un taux
de mélange de 1/10.
Ensuite du SiH4 dilué à 10 % dans H2 a été amené à cir-
culer à une vitesse de 5 cm3/min et de NH3 a été amené à circuler à une vitesse de 20 cm3/min.Puis la décharge luminescente a été établie pendant deux heures en utilisant une puissance de décharge de 15 W, de sorte que la couche isolante 2609 constituée de nitrure
de silicium a été formée selon une épaisseur de 0,3 micromètre.
Ensuite, de façon similaire au cas de la formation de la couche 2603 de aSi (H,X) dans la partie de conversion photo- électrique précédente, du SiH4 dilué à 10 % dans H2 a été amené à circuler à une vitesse de 20 cm3/min et la décharge luminescente a été établie pendant une heure et demie en utilisant une puissance de décharge de 20 W de sorte que la couche semiconductrice 2610 de a-Si:H d'une épaisseur de 0,20 micromètre a été formée. D'une part, la couche N+ 2611 d'une épaisseur de O,1 micromètre a été formée comme dans le cas de la couche N+ 2604 dans la section de conversion photoélectrique. Ensuite, un motif souhaité a été formé et une attaque chimique par du CF4 gazeux a été effectuée en utilisant une puissance de décharge RF de 100 W et une pression gazeuse de 40 Pa par le procédé d'attaque par plasma, enlevant ainsi la couche N+ 2611 et la couche semiconductrice 2610 dans les parties non nécessaires.
Alors, le masque dans la section de conversion photo-
électrique a été enlevé et de l'aluminium a été déposé par le
procédé d'évaporation par faisceau électronique pour obtenir une épais-
seur de 0,5 micromètre et la couche conductrice a été formée.
Ensuite, un motif photorésistant de forme souhaitée a été formé en utilisant un produit photorésistant de type positif (AZ-1370 fabriqué par Shiplay Co., Ltd.). Après cela, la couche conductrice dans la partie exposée a été enlevée par un liquide d'attaque dans lequel de l'acide phosphorique (solution aqueuse à 85 % en volume), de l'acide nitrique (solution aqueuse à 60 % en volume), de l'acide acétique pur, et de l'eau ont été mélangés dans une proportion de 16/1/2/1, de sorte que l'électrode commune 2605, l'électrode individuelle 2606 et la ligne de sortie de signal 2612 ont été formées. Alors, l'attaque à sec a été réalisée par du CF4 gazeux en utilisant une puissance de décharge RF de 120 W et une pression
gazeuse de 9,33 Pa par le procédé d'attaque par plasma, en uti-
lisant un appareil du type à plaques planes parallèles, enlevant ainsi la couche N+ dans les parties exposées. Ainsi, les couches N+ 2604 et 2611 ont été formées. Alors, le produit photorésistant
a été enlevé. De cette façon, un réseau de photodétecteurs ayant 864 photodétecteurs,
tel que représenté en figures 26 et 27 a été obtenu. D'autre part,dans un but de comparaison, un réseau de photodétecteurs de type plan (ci-après ce réseau est appelé "réseau de photodétecteurs de comparaison C") a été fabriqué de façon similaire aux processus précedents sauf que la surface du
même substrat de verre que celle sus-mentionnée a été traitée pen-
dant 30 secondes par un mélange liquide dans lequel de 1 'acide fluorhydrique (solution aqueuse à 49 % en volume), de l'acide nitrique (solution aqueuse à 60 % en volume) et de l'acide acétique ont été mélangés selon un rapport volumétrique de 1/5/40,
et la sous-couche de a-Si:H n'a pas été formée.
En ce qui concerne les deux types sus-mentionnés de réseaux de photodétecteurs, les valeurs des photocourants qui
auraient été obtenues en permettant a de la lumière de longueur d'on-
de maximale de 565 nm d'entrer du cOté du substrat de verre 1
dans les mêmes conditions ont été comparées, de sorte que sen-
siblement les mêmes valeurs ont été obtenues dans les deux cas.
On a trouvé à partir de ce résultat que la caractéristique du pho-
tocourant n'était pas dégradée par l'existence de la sous-couche 2602 de a-Si:H dans le réseau de photodétecteurs de l'appareil
selon la présente invention.
Ensuite, des tests de durabilité au moyen d'un cycle thermique ont Lté réalisés dans les mêmes conditions avec les deux types de réseaux de photodétecteurs précédents. Il s'est
avéré que le décollement du film n'était pas susceptible de sur-
venir et qu'une propriété d'adhérence suffisante était présente.
Claims (18)
1. Elément détecteur d'image de grande dimension caractérisé en ce qu'il comprend: un réseau de photodétecteurs consistant en plusieurs photodétecteurs disposés en réseau, chacun des photodétecteurs comprenant: une couche photoconductrice contenant du silicium amorphe prévue sur un substrat(l), cette couche photoconductrice consistant en films minces de deux ou plusieurs couches (2, 3) ayant des indices de réfraction différents et l'indice de réfraction de la couche inférieure (2) n'étant pas supérieur à 3,2 pour de la lumière d'une longueur d'onde de 632,8 nm, une paire d'électrodes (5, 6) prévues en contact électrique avec la couche photoconductrice, et une partie de photodétection; et
une source lumineuse pour éclairer un original.
2. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la source lumineuse est une source lumineuse
LED en réseau.
3. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la source lumineuse est une lampe fluorescente.
4. Elgment détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un réseau de formation d'image optique du type convergent est disposé dans le chemin optique entre
l'original et le réseau de photodétecteurs.
5. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche inférieure (2) de
la couche photoconductrice n'est pas supérieure à 100 nm.
6. Elément détecteur d'image selon la revendication 1,
caractérisé en ce que la paire d'électrodes est disposée en main-
tenant une distance prédéterminée du côté de la même surface de la
couche photoconductrice.
7. Elément détecteur d'image selon la revendication 1,-
caractérise en ce que le silicium amorphe est du silicium amorphe
hydrogéné.
8. Elément détecteur d'image selon la revendication l, caractérisé en ce que des atomes d'hydrogène sont contenus dans la
couche photoconductrice.
9. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la paire d'électrodes a une configuration du
type en peigne.
10. Element détecteur d'image selon la revendication 1,
caractérisé en ce que l'une des deux électrodes (5) est électri-
quement commune dans chacun des photodétecteurs.
11. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen de rayonnement
de chaleur (48, 49).
12. Elément détecteur d'image selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source lumineuse comprend une pluralité
de sources lumineuses LED.
13. Appareil de lecture d'image caractérisé en ce qu'il
comprend un élément détecteur d'image selon la revendication 1.
14. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen de circuit de
commande matricielle commandant chacun des photodétecteurs.
15. Element détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que le réseau de photodétecteurs est divisé en une pluralité de blocs parmi lesquels chaque bloc est constitué d'un ensemble d'un nombre prédéterminé de photodétecteurs à partir
de l'extrémité du réseau de photodétecteurs.
16. Elément détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: des moyens d'accumulation correspondant à chaque photodétecteur pour accumuler chaque signal de sortie des photodétecteurs; et des moyens de commutation pour extraire séquentiellement
les signaux accumulés dans les moyens d'accumulation.
17. Photodétecteur caractérisé en ce qu'il comprend: une couche photoconductrice contenant du silicium amorphe prévue sur un substrat, cette couche photoconductrice consistant en films superposes de deux ou plusieurs couches ayant des indices de réfraction différents et l'indice de réfraction de la couche inférieure des films minces n'étant pas supérieur à 3,2 pour de la lumière d'une longueur d'onde de 632,8 nm; une paire d'électrodes prévues en contact électrique avec la couche photoconductrice; et
une partie de photodétection.
18. Procédé de fabrication du photodétecteur selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant, lors du dépôt de la couche photoconductrice par un procédé de décomposition à décharge luminescente, à: réaliser d'abord le dépôt en utilisant une puissance de décharge relativement élevée pour réaliser la couche inférieure d'indice de réfraction non supérieur à 3,2; et réduire ensuite la puissance de décharge et déposer une ou plusieurs couches, formant ainsi la couche photoconductrice
consistant en une superposition de deux ou plusieurs couches.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14864884A JPS6129170A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | フオトセンサ及びその製造法 |
| JP15865884A JPS6139572A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 画像読取装置 |
| JP15865784A JPS6139571A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 画像読取装置 |
| JP15865684A JPS6139570A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 長尺イメ−ジセンサユニツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2568060A1 true FR2568060A1 (fr) | 1986-01-24 |
| FR2568060B1 FR2568060B1 (fr) | 1989-01-13 |
Family
ID=27472881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8511018A Expired FR2568060B1 (fr) | 1984-07-19 | 1985-07-18 | Element detecteur d'image de grande dimension, photodetecteurs utilises dans cet element detecteur et procede de fabrication des photodetecteurs |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4763010A (fr) |
| DE (1) | DE3525881A1 (fr) |
| FR (1) | FR2568060B1 (fr) |
| GB (1) | GB2163289B (fr) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0239955A2 (fr) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Capteur d'image à l'état solide comprenant une matrice de cellules d'éléments semi-conducteurs amorphes de conversion photo-électriques |
| EP0177044A3 (en) * | 1984-10-04 | 1988-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Image line sensor unit, photosensors for use in the sensor unit and method of making the photosensors |
| EP0594195A1 (fr) * | 1992-10-23 | 1994-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capteur d'image du type contact direct, unité capteur d'image et méthodes pour leur fabrication |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4602158A (en) * | 1984-10-26 | 1986-07-22 | Itek Corporation | PbS-PbSe IR detector arrays |
| DE3626504C2 (de) * | 1985-08-07 | 1996-06-27 | Sharp Kk | Verfahren zur Herstellung eines linearen Bildsensors |
| DE3751242T2 (de) * | 1986-01-24 | 1995-09-14 | Canon Kk | Photoelektrischer Wandler. |
| US4916326A (en) * | 1986-01-24 | 1990-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Long array photoelectric converting apparatus with reduced crosstalk |
| US5306648A (en) * | 1986-01-24 | 1994-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making photoelectric conversion device |
| JP2569053B2 (ja) * | 1987-06-26 | 1997-01-08 | キヤノン株式会社 | イメ−ジセンサ |
| US5027226A (en) * | 1987-09-18 | 1991-06-25 | Ricoh Company, Ltd. | Contact type image sensor |
| US4889983A (en) * | 1987-11-24 | 1989-12-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Image sensor and production method thereof |
| DE68915307T2 (de) * | 1988-02-27 | 1994-09-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Vorrichtung zum Lesen des Strichcodes eines photographischen Filmes. |
| EP0331048B1 (fr) * | 1988-02-27 | 1994-06-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Procédé et appareil pour lire le code barre d'un film photographique et procéde de détermination de l'orientation d'un film photographique |
| US5268563A (en) * | 1988-04-28 | 1993-12-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Device for reading bar codes on photographic film |
| JPH0833578B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1996-03-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 写真フイルムの位置情報読取方法 |
| US5130775A (en) * | 1988-11-16 | 1992-07-14 | Yamatake-Honeywell Co., Ltd. | Amorphous photo-detecting element with spatial filter |
| US4873118A (en) * | 1988-11-18 | 1989-10-10 | Atlantic Richfield Company | Oxygen glow treating of ZnO electrode for thin film silicon solar cell |
| JPH0734467B2 (ja) * | 1989-11-16 | 1995-04-12 | 富士ゼロックス株式会社 | イメージセンサ製造方法 |
| US5134680A (en) * | 1991-05-10 | 1992-07-28 | Photometrics, Ltd. | Solid state imaging apparatus with fiber optic bundle |
| EP0573984B1 (fr) * | 1992-06-11 | 1999-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Capteur d'image du type contact, méthode pour sa fabrication et dispositif de traitement d'information |
| US5912746A (en) * | 1996-03-14 | 1999-06-15 | Intergraph Corporation | Contact image sensor for large format scanner |
| US6661942B1 (en) | 1998-07-20 | 2003-12-09 | Trans Photonics, Llc | Multi-functional optical switch (optical wavelength division multiplexer/demultiplexer, add-drop multiplexer and inter-connect device) and its methods of manufacture |
| AU2002213362A1 (en) | 2000-10-19 | 2002-04-29 | Trans Photonics, L.L.C. | Novel substituted-polyaryl chromophoric compounds |
| US20060019502A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Park Beom S | Method of controlling the film properties of a CVD-deposited silicon nitride film |
| US7988875B2 (en) * | 2007-02-08 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Differential etch rate control of layers deposited by chemical vapor deposition |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0053946A2 (fr) * | 1980-12-10 | 1982-06-16 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Matrice linéaire de lecture en film mince |
| GB2102028A (en) * | 1977-12-22 | 1983-01-26 | Canon Kk | Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof |
| US4390791A (en) * | 1980-03-31 | 1983-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state photoelectric transducer |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55127074A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Canon Inc | Photoelectric transfer element with high molecular film as substrate |
| US4345021A (en) * | 1979-09-25 | 1982-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image pickup element and process for fabricating the same |
| US4405857A (en) * | 1980-03-31 | 1983-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state photoelectric converter |
| JPS5772370A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-06 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| US4560634A (en) * | 1981-05-29 | 1985-12-24 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member using microcrystalline silicon |
| US4528418A (en) * | 1984-02-24 | 1985-07-09 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photoresponsive semiconductor device having a double layer anti-reflective coating |
| US4724323A (en) * | 1984-10-04 | 1988-02-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image line sensor unit, photosensors for use in the sensor unit and method of making the photosensors |
| US4581099A (en) * | 1985-01-30 | 1986-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for preparation of a photosensor |
| JPH0624238B2 (ja) * | 1985-04-16 | 1994-03-30 | キヤノン株式会社 | フォトセンサアレイの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-18 FR FR8511018A patent/FR2568060B1/fr not_active Expired
- 1985-07-18 GB GB08518195A patent/GB2163289B/en not_active Expired
- 1985-07-19 DE DE19853525881 patent/DE3525881A1/de active Granted
-
1987
- 1987-03-11 US US07/024,701 patent/US4763010A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-10 US US07/169,467 patent/US4792670A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2102028A (en) * | 1977-12-22 | 1983-01-26 | Canon Kk | Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof |
| US4390791A (en) * | 1980-03-31 | 1983-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state photoelectric transducer |
| EP0053946A2 (fr) * | 1980-12-10 | 1982-06-16 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Matrice linéaire de lecture en film mince |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, Washington, D.C., 7-9 décembre 1981, pages 309-312, IEEE; K. KOMIYA et al.: "A 2048-element contact type linear image sensor for facsimile" * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0177044A3 (en) * | 1984-10-04 | 1988-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Image line sensor unit, photosensors for use in the sensor unit and method of making the photosensors |
| EP0239955A2 (fr) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Capteur d'image à l'état solide comprenant une matrice de cellules d'éléments semi-conducteurs amorphes de conversion photo-électriques |
| EP0239955A3 (fr) * | 1986-03-31 | 1991-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Capteur d'image à l'état solide comprenant une matrice de cellules d'éléments semi-conducteurs amorphes de conversion photo-électriques |
| EP0594195A1 (fr) * | 1992-10-23 | 1994-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capteur d'image du type contact direct, unité capteur d'image et méthodes pour leur fabrication |
| US5477047A (en) * | 1992-10-23 | 1995-12-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same |
| US5556809A (en) * | 1992-10-23 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2163289A (en) | 1986-02-19 |
| US4763010A (en) | 1988-08-09 |
| GB2163289B (en) | 1988-06-22 |
| FR2568060B1 (fr) | 1989-01-13 |
| DE3525881C2 (fr) | 1991-03-14 |
| GB8518195D0 (en) | 1985-08-21 |
| US4792670A (en) | 1988-12-20 |
| DE3525881A1 (de) | 1986-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2568060A1 (fr) | Element detecteur d'image de grande dimension, photodetecteurs utilises dans cet element detecteur et procede de fabrication des photodetecteurs | |
| EP0511096B1 (fr) | Procédé de passivation locale d'un substrat par une couche de carbone amorphe hydrogène et procédé de fabrication de transistors en couches minces sur ce substrat passive | |
| EP0222668B1 (fr) | Procédé de fabrication par gravure en escalier d'un transistor en couches minces à grille auto-alignée par rapport au drain et à la source de celui-ci et transistor obtenu par ce procédé | |
| JP3542118B2 (ja) | 非反射物質層の形成及びこれを利用した半導体製造方法、及びトランジスタゲートスタックの形成方法 | |
| JP2002083948A (ja) | マイクロレンズ、固体撮像装置及びそれらの製造方法 | |
| FR2861853A1 (fr) | Substrat avec adaptation d'indice | |
| JPH11503840A (ja) | シリカ系光デバイス及び光電子デバイスの製造方法 | |
| EP1516368A2 (fr) | Imageur | |
| CA1167951A (fr) | Methode de fabrication de transducteurs photoelectriques | |
| US4724323A (en) | Image line sensor unit, photosensors for use in the sensor unit and method of making the photosensors | |
| FR2737806A1 (fr) | Dispositif et procede de traitement de surface par laser | |
| EP2232597A1 (fr) | Procede de fabrication de capteurs a couche de co-polymere p(vdf-trfe) et capteur correspondant | |
| EP0851464B1 (fr) | Traitement anti-reflet de surfaces réflectives | |
| FR2673725A1 (fr) | Procede de detection de la presence d'impuretes sur des surfaces. | |
| EP0571268A1 (fr) | Système de conversion d'une image infrarouge en image visible ou proche infrarouge | |
| EP0354853B1 (fr) | Photodiode en silicium amorphe et procédé pour sa fabrication | |
| EP0336461A1 (fr) | Procédé pour aplanir la surface d'un dispositif semiconducteur | |
| FR2532117A1 (fr) | Photodetecteur | |
| JPS6129170A (ja) | フオトセンサ及びその製造法 | |
| JPS6139570A (ja) | 長尺イメ−ジセンサユニツト | |
| EP0142891A1 (fr) | Dispositif à couplage de charges sensible au rayonnement infrarouge et procédé de réalisation d'un tel dispositif | |
| EP4341984A1 (fr) | Procédé de préparation d'un composant microélectronique comprenant une couche à base d'un matériau iii-v | |
| JPH051634B2 (fr) | ||
| EP0905495A1 (fr) | Couche de protection de circuits intégrés, et son procédé de fabrication | |
| JPS6185859A (ja) | 光電変換素子 |