FR2517884A1 - Dispositif semi-conducteur a faible capacite parasite muni de connexions externes prises au moyen de poutres et procede de fabrication d'un tel dispositif - Google Patents

Dispositif semi-conducteur a faible capacite parasite muni de connexions externes prises au moyen de poutres et procede de fabrication d'un tel dispositif Download PDF

Info

Publication number
FR2517884A1
FR2517884A1 FR8123027A FR8123027A FR2517884A1 FR 2517884 A1 FR2517884 A1 FR 2517884A1 FR 8123027 A FR8123027 A FR 8123027A FR 8123027 A FR8123027 A FR 8123027A FR 2517884 A1 FR2517884 A1 FR 2517884A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
substrate
semiconductor device
semiconductor
groove
beams
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8123027A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
FR2517884B1 (enExample
Inventor
Raymond Henry
Jean-Victor Bouvet
Jean Lacombe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Priority to FR8123027A priority Critical patent/FR2517884A1/fr
Priority to EP82402182A priority patent/EP0081423B1/fr
Priority to DE8282402182T priority patent/DE3267184D1/de
Priority to JP57213440A priority patent/JPS58106848A/ja
Publication of FR2517884A1 publication Critical patent/FR2517884A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2517884B1 publication Critical patent/FR2517884B1/fr
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/50—PIN diodes 
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes)
    • H01L23/4822—Beam leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/60—Schottky-barrier diodes 
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
FR8123027A 1981-12-09 1981-12-09 Dispositif semi-conducteur a faible capacite parasite muni de connexions externes prises au moyen de poutres et procede de fabrication d'un tel dispositif Granted FR2517884A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8123027A FR2517884A1 (fr) 1981-12-09 1981-12-09 Dispositif semi-conducteur a faible capacite parasite muni de connexions externes prises au moyen de poutres et procede de fabrication d'un tel dispositif
EP82402182A EP0081423B1 (fr) 1981-12-09 1982-11-30 Dispositif semi-conducteur à faible capacité muni de connexions externes prises au moyen de poutres, et procédé de fabrication d'un tel dispositif
DE8282402182T DE3267184D1 (en) 1981-12-09 1982-11-30 Semi-conductor device with a low parasitic capacitance having beam-lead type external connectors, and process for the production of that device
JP57213440A JPS58106848A (ja) 1981-12-09 1982-12-07 低寄生容量半導体装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8123027A FR2517884A1 (fr) 1981-12-09 1981-12-09 Dispositif semi-conducteur a faible capacite parasite muni de connexions externes prises au moyen de poutres et procede de fabrication d'un tel dispositif

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2517884A1 true FR2517884A1 (fr) 1983-06-10
FR2517884B1 FR2517884B1 (enExample) 1985-05-17

Family

ID=9264839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8123027A Granted FR2517884A1 (fr) 1981-12-09 1981-12-09 Dispositif semi-conducteur a faible capacite parasite muni de connexions externes prises au moyen de poutres et procede de fabrication d'un tel dispositif

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0081423B1 (enExample)
JP (1) JPS58106848A (enExample)
DE (1) DE3267184D1 (enExample)
FR (1) FR2517884A1 (enExample)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2536211B1 (fr) * 1982-11-16 1986-02-07 Thomson Csf Structure de diode hyperfrequences dont les connexions exterieures sont prises par deux poutres metalliques
GB2137412B (en) * 1983-03-15 1987-03-04 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor device
FR2561444B1 (fr) * 1984-03-16 1986-09-19 Thomson Csf Dispositif semi-conducteur hyperfrequence a connexions externes prises au moyen de poutres
US4809052A (en) * 1985-05-10 1989-02-28 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4180422A (en) * 1969-02-03 1979-12-25 Raytheon Company Method of making semiconductor diodes
GB2067354A (en) * 1980-01-09 1981-07-22 Aei Semiconductors Ltd Mounting for a s.c. device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4180422A (en) * 1969-02-03 1979-12-25 Raytheon Company Method of making semiconductor diodes
GB2067354A (en) * 1980-01-09 1981-07-22 Aei Semiconductors Ltd Mounting for a s.c. device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
EXBK/76 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP0081423B1 (fr) 1985-10-30
FR2517884B1 (enExample) 1985-05-17
JPS58106848A (ja) 1983-06-25
EP0081423A1 (fr) 1983-06-15
DE3267184D1 (en) 1985-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0081414B1 (fr) Dispositif semi-conducteur à faible capacité parasite muni de connexions externes prises au moyen de poutres
EP0461967A2 (fr) Composant semiconducteur à jonction Schottky pour amplification hyperfréquence et circuits logiques rapides, et procédé de réalisation d'un tel composant
FR3059467A1 (fr) Transistor a heterojonction a structure verticale
EP0305253B1 (fr) Transistor hyperfréquence à double hétérojonction
EP4318597A1 (fr) Transistor à effet de champ ayant un comportement de type p-fet
EP0149390B1 (fr) Transistor à effet de champ, de structure verticale submicronique, et son procédé de réalisation
FR2655774A1 (fr) Perfectionnement aux transistors de puissance en materiaux iii-v sur substrat silicium et procede de fabrication.
EP0145567B1 (fr) Transistor à effet de champ à structure verticale
EP0081423B1 (fr) Dispositif semi-conducteur à faible capacité muni de connexions externes prises au moyen de poutres, et procédé de fabrication d'un tel dispositif
FR2879024A1 (fr) Peripherie de composant unipolaire vertical
EP0158550B1 (fr) Dispositif semiconducteur hyperfréquence à connexions externes prises au moyen de poutres
EP0109887B1 (fr) Structure de diode hyperfréquence dont les connexions extérieures sont prises par deux poutres métalliques
EP0209419B1 (fr) Procédé de réalisation d'au moins deux métallisations d'un composant semi-conducteur, recouvertes d'une couche de diélectrique, et composant obtenu par ce diélectrique
FR3102610A1 (fr) Composant électronique à hétérojonction et double contact ohmique
EP3394882B1 (fr) Circuit electronique comprenant des tranchees d'isolation electrique
EP0152126B1 (fr) Transistor à effet de champ de type MESTEC pour applications hyperfréquences et procédé de réalisation permettant d'obtenir un tel transistor
FR3097682A1 (fr) Composant monolithique comportant un transistor de puissance au nitrure de gallium
EP0204387A1 (fr) Dispositif semiconducteur pour la réalisation des capacités de découplage placées entre l'alimentation et la masse des circuits intégrés
EP0197838A1 (fr) Procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ à métallisation de grille autoalignée
FR2780813A1 (fr) Dispositif a semiconducteur avec isolation inter-element amelioree
EP0145566B1 (fr) Transistor de puissance à effet de champ, et procédé de réalisation de ce transistor
FR2789803A1 (fr) Procede de realisation d'une connexion metallique verticale dans un circuit integre
EP3973579B1 (fr) Dispositif optoelectronique avec diodes electroluminescentes dont une zone dopee integre une portion externe a base d'aluminium et de nitrure de galium
FR2540290A1 (fr) Diode hyperfrequence a faible capacite parasite, et procede de realisation d'une telle diode
EP4415037A1 (fr) Formation d'un composant electronique de puissance

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse