FR2504728A1 - Electron multiplier for photomultiplier tube - has electron deflecting grid assembly having elements repeated at same or sub-multiple of dynode structure spacing - Google Patents

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    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • H01J43/18Electrode arrangements using essentially more than one dynode

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Abstract

The device has an electrode (11) held at a given potential formed by a number of spaced electron multiplier elements (13) arranged in a repetitive venetian blind structure extending along a given direction (15). The multiplier also has an electron deflection grid (12) defined by a number of deflection elements (16) which are spaced from one another along a parallel direction (17) to the multiplier elements (13). The spacings between the deflection elements (16) is the same as that of the multiplier elements (13) or a sub-multiple of it. Pref. the grid (12) is held at a lower potential than the electrode potential.

Description

"DISPOSITIF MULIPLICA2EUR D'ELEClRON ET APPLICATION AUX PHOTOMULllPLICAlEURS"
La présente invention concerne un dispositif multiplicateur d'électrons par émission secondaire, comportant notamment une première électrode multiplicatrice constituée par un ensemble d'éléments multiplicateurs d'électrons spatialement répartis, au moins dans une direction, dite direction principale, en une structure répétitive de pas donné, ladite première électrode étant portée à un potentiel électrique donné. Elle concerne également une application du dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention à la réalisation d'un tube photomultiplicateur.
"MULTIPLICATOR DEVICE BY ELEClRON AND APPLICATION TO PHOTOMULllPLICATORS"
The present invention relates to an electron multiplier device by secondary emission, comprising in particular a first multiplier electrode constituted by a set of electron multiplier elements spatially distributed, at least in one direction, called the main direction, in a repetitive structure of steps. given, said first electrode being brought to a given electrical potential. It also relates to an application of the electron multiplier device according to the invention to the production of a photomultiplier tube.

Dans la suite du présent mémoire, on entendra par "élément multiplicateur d'électrons toute zone de la première électrode, revêtue d'un matériau à émission secondaire et dont la très grande majorité des électrons secondaires émis est collectée par une deuxième électrode placée au voisinage de la première électrode. In the remainder of this specification, the term “electron multiplier element” means any zone of the first electrode, coated with a material with secondary emission and the vast majority of the secondary electrons emitted of which is collected by a second electrode placed in the vicinity of the first electrode.

Un dispositif multiplicateur d'électrons conforme au préambule est connu, par exemple, du brevet fran çais n 2 299 722. Ce brevet décrit un multiplicateur d'électrons par émission secondaire constituée par une plaque métallique, dite "plaque à canaux", dans laquelle sont amé nagé s des éléments multiplicateurs formés par des canaux traversant la plaque sur toute son épaisseur, les parois de ces canaux portant une couche d'un matériau à émission secondaire.L'avantage d'une telle structure de multiplicateurs d'électrons est qu'elle permet, sous un encombrement réduit, la multiplication d'électrons incidents se présentant, au niveau de la plaque, sous la forme d'un faisceau large, par exemple un faisceau cylindrique, et ceci sans qu1il soit nXcesssaire d'utiliser une optique électronique de focalisation. D'autre part, une structure répétitive de faible pas se prête bien à la formation d'images intensifiées. An electron multiplier device in accordance with the preamble is known, for example, from French patent n 2 299 722. This patent describes an electron multiplier by secondary emission constituted by a metal plate, called "channel plate", in which Multiplier elements are formed by channels formed through channels across the entire thickness of the plate, the walls of these channels carrying a layer of secondary emission material. The advantage of such an electron multiplier structure is that '' it allows, under a small footprint, the multiplication of incident electrons appearing, at the level of the plate, in the form of a wide beam, for example a cylindrical beam, and this without it being necessary to use an optic focusing electronics. On the other hand, a repetitive structure of low pitch lends itself well to the formation of intensified images.

Toutefois, ce type de multiplicateurs d'électrons présente un inconvénient qui réside dans le fait qu'un certain nombre d'électrons incidents ne donnent pas lieu à émission secondaire, soit qu'ils traversent directement ladite première électrode sans rencontrer d'él6- ments multiplicateurs, soit qu'ils atteignent la première électrode en des endroits d'où les électrons secondaires ne peuvent autre extraits, par exemple entre deux canaux d'une "plaque à canaux". However, this type of electron multiplier has a drawback which resides in the fact that a certain number of incident electrons do not give rise to secondary emission, namely that they pass directly through said first electrode without encountering any elements. multipliers, that is to say they reach the first electrode in places where the secondary electrons can not extract other, for example between two channels of a "channel plate".

Le but de la présente invention est de remédier à cet inconvénient. Elle est basée sur l'idée que l'on pourrait augmenter l'efficacité de collection de la première électrode en modifiant les trajectoires des électrons incidents de sorte qu'ils se concentrent préférentiellement au niveau des éléments multiplicateurs d'électrons. The object of the present invention is to remedy this drawback. It is based on the idea that the collection efficiency of the first electrode could be increased by modifying the trajectories of the incident electrons so that they concentrate preferentially at the level of the electron multiplier elements.

En effet, selon la présente invention, un dispositif multiplicateur d'électrons par émission secondaire, comportant notamment une première électrode multiplicatrice constituée par un ensemble d'éléments multiplicateurs d'électrons spatialement répartis, au moins dans une direction, dite direction principale, en une structure répétitive de pas donné, ladite première électrode étant portée à un potentiel électrique donné, est notamment .remarquable en ce qu'il comporte également au moins une grille déflectrice d'électrons constituée par un ensemble d'éléments déflecteurs spatialement répartis, au moins dans une direction, dite direction principale de grille, en une structure répétitive de pas donné, dit pas de grille, et en ce que la direction principale de grille est sensiblement parallèle à la direction principale de la première électrode, le pas de grille étant égal au pas de la première électrode ou à un sous-multiple de ce pas, et en ce que ladite grille déflectrice est portée à un autre po- tentiel électrique donné,-dit potentiel de grille. Indeed, according to the present invention, an electron multiplier device by secondary emission, comprising in particular a first multiplier electrode constituted by a set of electron multiplier elements spatially distributed, at least in one direction, called main direction, in one repetitive structure of given pitch, said first electrode being brought to a given electrical potential, is notably remarkable in that it also comprises at least one electron deflector grid constituted by a set of spatially distributed deflector elements, at least in a direction, called the main grid direction, in a repetitive structure of given pitch, said grid pitch, and in that the main grid direction is substantially parallel to the main direction of the first electrode, the grid pitch being equal to the pitch of the first electrode or a submultiple of this pitch, and in that said deflecting grid is brought to a other given electrical potential, called grid potential.

Ainsi, avant d'atteindre la première électrode les électrons incidents sont déviés par la grille déflectrice de sorte que le faisceau, initialement sensiblement homogène, formé par ces électrons incidents, est transformé en une pluralité de faisceaux secondaires après passage de la grille. Comme on le verra plus loindans des exemples de réalisation de l'invention, il est possible, en ajutau, d'une part, la position de la grille par rapport à la première électrode et, d'autre part, le potentiel de grille par rapport au potentiel de la première électrode, de faire converger en grande partie les faisceaux secondaires sur les éléments multiplicateurs d'électrons et ainsi d'augmenter de façon très sensible l'efficacité de collection de la première électrode. Thus, before reaching the first electrode, the incident electrons are deflected by the deflecting grid so that the beam, initially substantially homogeneous, formed by these incident electrons, is transformed into a plurality of secondary beams after passage of the grid. As will be seen further on in embodiments of the invention, it is possible, in addition, on the one hand, the position of the grid relative to the first electrode and, on the other hand, the grid potential by compared to the potential of the first electrode, to make the secondary beams converge to a large extent on the electron multiplier elements and thus to increase very significantly the collection efficiency of the first electrode.

Dans une forme de mise en oeuvre préférentielle de l'invention, le potentiel de grille est inférieur au potentiel de la première électrode, afin d'éviter que les électrons incidents ne soient captés par la grille. In a preferred embodiment of the invention, the gate potential is lower than the potential of the first electrode, in order to prevent the incident electrons from being picked up by the gate.

Dans un premier mode de réalisation d'un dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention dont la première électrode multiplicatrice est constituée par un ensemble d'éléments multiplicateurs d'électrons ayant la forme de lamelles métalliques planes, parallèles, se déduisant l'une de l'autre par une première translation dont la direction et le module correspondent respectivement à la direction principale et au pas de la première électrode, il est prévu que ensemble des éléments déflecteurs est constitué par un réseau de lames métalliques, parallèles et perpendiculaires à la direction principale de la première électrode, se déduisant l'unede l'autre par une deuxième translation dont la direction et le module correspondent respectivement à la direction principale de grille et au pas de grille. In a first embodiment of an electron multiplier device according to the invention, the first multiplier electrode of which is constituted by a set of electron multiplier elements having the form of flat, parallel metallic lamellae deducing one on the other by a first translation whose direction and modulus correspond respectively to the main direction and to the pitch of the first electrode, it is provided that all of the deflector elements is constituted by a network of metal blades, parallel and perpendicular to the main direction of the first electrode, deducing from each other by a second translation, the direction and modulus of which correspond respectively to the main grid direction and to the grid pitch.

Dans un deuxième mode de réalisation d'un dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention dont la première électrode multiplicatrice est constituée par un ensemble d'éléments multiplicateurs d'électrons ayant la forme de lamelles métalliques de révolution autour d'un même axe de révolution, la direction principale de la première électrode étant définie par toute direction perpendiculaire à l'axe de révolution et passant par celui-ci, et la distance séparant, dans cette direction, deux lamelles métalliques de révolution consécutives étant définie comme le pas de la première électrode, on envisage que l'ensemble des éléments déflecteurs est constitué, dans un plan perpendiculaire à l'axe de révolution, par des fils métalliques disposés en cercles concentriques dont le centre commun est situé sur ledit axe de révolution, la direction principale de grille étant définie par la direction de tout diamètre commun auxdits cercles concentriques, et la distance entre deux cercles concentriques consécutifs étant égale au pas de grille. In a second embodiment of an electron multiplier device according to the invention, the first multiplier electrode of which is made up of a set of electron multiplier elements in the form of metallic lamellae of revolution around a same axis of revolution, the main direction of the first electrode being defined by any direction perpendicular to and passing through the axis of revolution, and the distance separating, in this direction, two consecutive metallic lamellae of revolution being defined as the pitch of the first electrode, it is envisaged that the set of deflector elements is made up, in a plane perpendicular to the axis of revolution, by metal wires arranged in concentric circles whose common center is located on said axis of revolution, the main direction of grid being defined by the direction of any diameter common to said concentric circles, and the distance between two concentric circles consecutive risks being equal to the grid pitch.

Dans un troisième mode de réalisation d'un dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention dont la première électrode est du type "plaque à canaux", lesdits canaux traversant ladite plaque sur toute son épaisseur en des emplacements formant un réseau bidimensionnel dans lequel ladite direction principale de pas donné est constituée par une première direction et une deuxième direction formant entre elles un angle A, on pré- voit que l'ensemble des éléments déflecteurs est constitué par deux réseaux, dits premier et deuxième réseau, de fils métalliques parallèles et coplanaires, les fils métalliques de chacun des réseaux se déduisant l'un de l'autre par une translation dont la direction et le module correspondent respectivement à ladite direction principale de grille et audit pas de grille, et en ce que la direction principale de grille du premier réseau fait l'angle
A avec ia direction principale de grille du deuxième réseau.
In a third embodiment of an electron multiplier device according to the invention, the first electrode of which is of the "channel plate" type, said channels passing through said plate over its entire thickness at locations forming a two-dimensional network in which said main direction of given pitch is constituted by a first direction and a second direction forming between them an angle A, it is provided that the set of deflector elements is constituted by two networks, called first and second network, of parallel metallic wires and coplanar, the metal wires of each of the networks deducing from each other by a translation whose direction and modulus correspond respectively to said main grid direction and to said grid pitch, and in that the main grid direction of the first network makes the angle
A with the main grid direction of the second network.

Dans un quatrième mode de réalisation d'un dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention dont la première électrode est du type "plaque à canaux, lesdits canaux traversant ladite plaque sur toute son épaisseur en des emplacements formant un réseau bidimensionnel dans lequel ladite-direction principale de pas donné est constituée par une première direction et une deuxième direction faisant entre elles un angle de 600, il est prévu que l'ensemble des éléments déflecteurs est constitué par des fils métalliques formant une pluralité d'hexagones possédant un centre de symétrie situé sur l'axe des canaux, les directions des côtés desdits hexagones étant confondues avec les directions des médiatrices des segments joignant deux centres de symétrie consécutifs, tandis que deux sommets opposés de chaque hexagone sont reliés par un fil métallique, et en ce que lesdits hexagones forment un réseau bidimensionnel dans lequel ladite direction principale de grille de pas donné est constituée par la première direction et la deuxième direction de la première électrode, le pas de grille étant égal au pas de la première électrode. In a fourth embodiment of an electron multiplier device according to the invention, the first electrode of which is of the “channel plate type, said channels passing through said plate over its entire thickness at locations forming a two-dimensional network in which said- main direction of given pitch is constituted by a first direction and a second direction making between them an angle of 600, it is expected that the set of deflector elements is constituted by metallic wires forming a plurality of hexagons having a center of symmetry located on the axis of the channels, the directions of the sides of said hexagons being coincident with the directions of the perpendicular bisectors of the segments joining two consecutive centers of symmetry, while two opposite vertices of each hexagon are connected by a metal wire, and in that said hexagons form a two-dimensional network in which said main direction of given pitch grid is constituted by the first direction and the second direction of the first electrode, the grid pitch being equal to the pitch of the first electrode.

Enfin, le dispo-sitif multiplicateur d'électrons selon l'invention est, d'une façon générale, destiné à équiper tout système d'intensification d'un faisceau électronique, et notamment les tubes photomultiplicateurs. En effet, une application du dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention à la réalisation d'un tube photomultiplicateur est principalement remarquable en ce que, ladite première électrode multiplicatrice constituant la première dynode du tube photomultiplicateur, ladite grille déflectrice est située entre cette première dynode et la photocathode du tube photomultiplicateur. Les dynodes d'ordre supérieur auront, de préférence mais sans que cela soit nécessaire, une structure répétitive analogue à celle de la première dynode.Les tubes photomultiplicateurs ainsi munis du dispositif multiplicateur d'électrons conforme à l'invention présente, au niveau de la première dynode, une efficacité de collection améliorée et une dispersion plus faible du temps de transit entre la première et la deuxième dynodes. Finally, the electron multiplier device according to the invention is, in general, intended to equip any intensification system with an electron beam, and in particular photomultiplier tubes. Indeed, an application of the electron multiplier device according to the invention to the production of a photomultiplier tube is mainly remarkable in that, said first multiplier electrode constituting the first dynode of the photomultiplier tube, said deflector grid is located between this first dynode and photocathode of the photomultiplier tube. The higher order dynodes will preferably, but without this being necessary, have a repetitive structure similar to that of the first dynode. The photomultiplier tubes thus provided with the electron multiplier device according to the present invention, at the level of the first dynode, improved collection efficiency and lower dispersion of the transit time between the first and second dynodes.

La description qui va suivre en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples non limitatifs, permettra de bien comprendre en quoi consiste l'invention et comment elle peut être réalisée. The description which follows with reference to the appended drawings, given by way of nonlimiting examples, will make it possible to understand clearly what the invention consists of and how it can be implemented.

La figure 1 est une vue en perspective d'un premier mode de réalisation du dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention. Figure 1 is a perspective view of a first embodiment of the electron multiplier device according to the invention.

La figure 2 est une vue en coupe suivant la ligne II-II du dispositif multiplicateur d'électrons de la figure 1.  Figure 2 is a sectional view along line II-II of the electron multiplier device of Figure 1.

La figure 3 est une vue de dessus d'un deuxième mode de réalisation du dispositif multiplicateur d'électrons selon l'inventi-on.  Figure 3 is a top view of a second embodiment of the electron multiplier device according to the inventi-on.

La figure 4 est une vue en coupe suivant la ligne III-III du dispositif multiplicateur d'électrons de la figure 3. FIG. 4 is a sectional view along line III-III of the electron multiplier device of FIG. 3.

La figure 5 est une vue de dessus d'un troisième mode de réalisation d'un dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention. Figure 5 is a top view of a third embodiment of an electron multiplier device according to the invention.

La figure 6 est une vue en coupe suivant la ligne IV-IV du dispositif multiplicateur d'électrons de la figure 5. FIG. 6 is a sectional view along line IV-IV of the electron multiplier device of FIG. 5.

La figure 7 est une vue de dessus d'un quatrième mode de réalisation du dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention.  Figure 7 is a top view of a fourth embodiment of the electron multiplier device according to the invention.

La figure 8 est une vue en coupe suivant la ligne V-V du dispositif multiplicateur d'électrons de la figure 7. FIG. 8 is a sectional view along line V-V of the electron multiplier device of FIG. 7.

La figure 9 est une vue en coupe d'un tube photomultiplicateur équipé d'un dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention. Figure 9 is a sectional view of a photomultiplier tube equipped with an electron multiplier device according to the invention.

La figure 1 montre, en perspective, et la figure 2, en coupe suivant la ligne II-II de la figure 1, un premier mode de réalisation d'un dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention. Ce dispositif comporte une première électrode multiplicatrice il constituée par un ensemble d'éléments multiplicateurs d'électrons qui, dans le mode de réalisation représenté aux figures I et 2, sont des lamelles 13 métalliques planes, parallèles et portant sur leur face 14 une couche d'un matériau à émission secondaire.Ces lamelles 13 sont spatialement réparties, dans la direction représentée-par la ligne 15, dite direction principale, en une structure répétitive de pas donné, dans laquelle les lamelles 13 se déduisent l'une de l'autre par une première translation dont la direction et le module correspondent respectivement à la direction principale 15 et au pas 1 de la première électrode Il
Cette première électrode est portée à un potentiel électrique e donné. Le dispositif multiplicateur d'électrons représenté aux figures 1 et 2 comporte en outre une grille déflectrice 12 d'électrons formée par un ensemble d'éléments déflecteurs constitué par un réseau de lames métalliques 16, parallèles et perpendiculaires à la direction principale 15 de la première électrode.Ces lames métalliques 16 sont spatialement répartis, dans la direction 17 de la ligne 11-11, dite direction principale de grille en une structure répétitive de pas Pg1 donné, dit pas de grille, dans laquelle les lames métalliques 1 se déduisent l'une de l'autre par une deuxième translation dont la direction et le module correspondent respectivement à la direction principale 17 de grille et au pas Pg1 de grille, la direction principale 17 de grille étant sensiblement parallèle à la direction principale 15 de la première électrode et le pas Pg1 de grille étant égal au pas de la première électrode.La grille déflectrice 12 est portée à un autre potentiel électrique Vg , dit potentiel de grille, qui, dans un mode de mise en oeuvre préférentiel de l'invention, est inférieur au potentiel Va de la première électrode 11. La figure 2 montre l'effet du potentiel répulsif de la grille sur la trajectoire 18 de ceux des électrons incidents qui, en l'absence de grille, traverseraient directement la première électrode sans multiplication secondaire.
Figure 1 shows, in perspective, and Figure 2, in section along the line II-II of Figure 1, a first embodiment of an electron multiplier device according to the invention. This device comprises a first multiplier electrode 11 constituted by a set of electron multiplier elements which, in the embodiment shown in FIGS. I and 2, are flat, parallel metallic strips 13 and carrying on their face 14 a layer of a secondary emission material. These lamellae 13 are spatially distributed, in the direction represented by line 15, called the main direction, in a repetitive structure of given pitch, in which the lamellae 13 are deduced from each other. by a first translation, the direction and module of which correspond respectively to the main direction 15 and to step 1 of the first electrode II
This first electrode is brought to a given electrical potential e. The electron multiplier device shown in FIGS. 1 and 2 further comprises a deflector grid 12 of electrons formed by a set of deflector elements formed by a network of metal blades 16, parallel and perpendicular to the main direction 15 of the first These metal blades 16 are spatially distributed, in the direction 17 of the line 11-11, called the main grid direction in a repetitive structure of given pitch Pg1, said grid step, in which the metal blades 1 are deduced from the one from the other by a second translation, the direction and modulus of which correspond respectively to the main grid direction 17 and to the grid pitch Pg1, the main grid direction 17 being substantially parallel to the main direction 15 of the first electrode and the grid pitch Pg1 being equal to the pitch of the first electrode. The deflecting grid 12 is brought to another electrical potential Vg, called the potential of g rille, which, in a preferred embodiment of the invention, is less than the potential Va of the first electrode 11. FIG. 2 shows the effect of the repulsive potential of the grid on the trajectory 18 of those of the incident electrons which, in the absence of a grid, would pass directly through the first electrode without secondary multiplication.

A titre d'exemple, la Demanderesse a étudié un dispositif multiplicateur d'électrons conforme à l'invention dans lequel la grille 12 est située à 0,8 mm de la première électrode 11, les potentiels électriques Va et
Vg étant respectivement égaux à 200 V et 50 V.
By way of example, the Applicant has studied an electron multiplier device in accordance with the invention in which the grid 12 is located 0.8 mm from the first electrode 11, the electrical potentials Va and
Vg being respectively equal to 200 V and 50 V.

Dans l'exemple de réalisation montré aux figuras 1 et 2, les lames métalliques 1o de la grille 12 ont été placées à l'aplomb des bords 19 des lamelles 13. In the exemplary embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the metal blades 1o of the grid 12 have been placed directly above the edges 19 of the strips 13.

Il est bien entendu que, compte tenu de la géométrie des lamelles et des potentiels appliqués, la grille 12 pourra être translatée dans son plan de façon à rendre optimale l'efficacité de collection de la première électrode 11.It is understood that, taking into account the geometry of the lamellae and the potentials applied, the grid 12 can be translated in its plane so as to optimize the collection efficiency of the first electrode 11.

Les figures 3 et 4 montrent un deuxième mode de réalisation d'un dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention, comportant une première électrode multiplicatrice 21 constituée par un ensemble d'éléments multiplicateurs d'électrons ayant la forme de lamelles métalliques 23 de révolution autour d'un meme axe 24 de révolution, spatialement réparties, dans toute direction perpendiculaire à l'axe 24 de révolution et passant par celuici, par exemple la direction 25 parallèle à la ligne III-III, dite direction principale de la première électrode, eil une structure répétitive dans laquelle la distance séparant, dans cette direction 25 principale, deux lamelles metalliquas de révolution consécutive est définie comme le pas sBe2 de oe la première électrode 21. Le dispositif multiplicateur d'électrons représenté aux figures 3 et 4 comporte également une grille 22 déflectrice d'électrons formée par un ensemble d'éléments déflecteurs constitué, dans un plan perpendiculaire à l'axe 24 de révolution, par des fils métalliques 26 disposés en cercles concentriques dont le centre commun 27 est situé sur l'axe 24 de révolution.Ces fils métalliques 26 sont spatialement répartis, dans toute direction principale de grille définie par un diamètre commun auxdits cercles concentriques, par exemple la direction 28 parallèle à la ligne III - III, en une structure répétitive dont le pas Pg2 , dit pas de grille, est défini par la distance entre deux cercles concentriques consécutifs, et est sensiblement égal au pas Pe2 de la première électrode. FIGS. 3 and 4 show a second embodiment of an electron multiplier device according to the invention, comprising a first multiplier electrode 21 constituted by a set of electron multiplier elements having the form of metallic strips 23 of revolution around a same axis 24 of revolution, spatially distributed, in any direction perpendicular to the axis 24 of revolution and passing through it, for example the direction 25 parallel to the line III-III, called the main direction of the first electrode, Is there a repetitive structure in which the distance separating, in this main direction, two metallic lamellae of consecutive revolution is defined as the pitch sBe2 of the first electrode 21. The electron multiplier device shown in FIGS. 3 and 4 also includes a electron deflector grid 22 formed by a set of deflector elements constituted, in a plane perpendicular to the axis 24 of revolution, by metallic wires 26 arranged in concentric circles, the common center 27 of which is located on the axis 24 of revolution. These metallic wires 26 are spatially distributed in any main grid direction defined by a diameter common to said concentric circles, by example the direction 28 parallel to the line III - III, in a repetitive structure whose pitch Pg2, called grid pitch, is defined by the distance between two consecutive concentric circles, and is substantially equal to the pitch Pe2 of the first electrode.

Les figures 5 et 6 représentent un troisième mode de réalisation d'un dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention, comportant une première électrode multiplicatrice 31 du type "plaque à canaux", dans laquelle les éléments multiplicateurs sont des canaux 33 traversant une plaque métallique 34 sur toute son épaisseur. Ces canaux portent sur leur paroi 35 une couche d'un matériau à émission secondaire. Dans le mode de réalisation de l'invention montré aux figures 5 et 6, les canaux 33 sont spatialement répartis en des emplacements formant un réseau bidimensionnel défini par deux directions principales, dites première direction 36 et deuxième direction 37, faisant entre elles un angle A qui vaut 900 dans le cas des figures 5 et 6.Les pas de la première électrode dans les directions 36 et 37 sont respectivement Pe3 et P'e3 le pas étant égal au pas P'e3 .Le dispositif multiplicateur d'électrons des figures 5 et 6 comporte en outre deux grilles 52 déflectrices d'électrons, chacune de ces grillas étant constituée par deux réseaux, dits premier 53 et deuxième 54 réseau, de fils métalliques 55, 56 parallèles et coplanaires, spatialement répartis, dans les directions 57, 58, dites directions principales de grille respectivement sensiblement parallèles aux directions 3ç, 37 principales de la première électrode, en deux structures répétitives dont les pas pg4 , plg4 sont égaux à la moitié des pas 3 , e3 correspondant de la première électrode 31. Les fils métalliques 55, 56 de chacun des réseaux 53, 54 se déduisent l'un de l'autre par une translation dont la direction et le module correspondent respectivement à la direction 57, 58 principale de grille et au pas pg4 , plg4 de grilla, les directions 57 et 58 principales de grille faisant entre elles l'angle A, pris égal à 900. Les grilles 52 sont portées à des potentiels électriques Vg et V'g qui peuvent éventuellement etre égaux. FIGS. 5 and 6 represent a third embodiment of an electron multiplier device according to the invention, comprising a first multiplier electrode 31 of the "channel plate" type, in which the multiplier elements are channels 33 passing through a plate metallic 34 over its entire thickness. These channels carry on their wall 35 a layer of a secondary emission material. In the embodiment of the invention shown in Figures 5 and 6, the channels 33 are spatially distributed in locations forming a two-dimensional network defined by two main directions, called first direction 36 and second direction 37, forming an angle A between them which is equal to 900 in the case of FIGS. 5 and 6. The steps of the first electrode in the directions 36 and 37 are respectively Pe3 and P'e3 the step being equal to the step P'e3. The electron multiplier device of Figures 5 and 6 further comprises two grids 52 deflecting electrons, each of these grids being constituted by two networks, called first 53 and second 54 network, of metallic wires 55, 56 parallel and coplanar, spatially distributed, in directions 57, 58 , called main grid directions respectively substantially parallel to the main directions 3c, 37 of the first electrode, in two repeating structures whose steps pg4, plg4 are equal to half d are not 3, e3 corresponding to the first electrode 31. The metal wires 55, 56 of each of the networks 53, 54 are deduced from one another by a translation whose direction and module correspond respectively to direction 57, 58 main grid and at pg4, plg4 of grid, the main directions 57 and 58 of grid making between them the angle A, taken equal to 900. The grids 52 are brought to electric potentials Vg and V'g which can possibly be equal.

La figure 6 montre des trajectoires 59, 60 d'électrons incidents traversant la grille déflectrice avant émission secondaire. FIG. 6 shows trajectories 59, 60 of incident electrons crossing the deflector grid before secondary emission.

Les figuras 7 et 8 montrent un quatrième mode de réalisation d'un dispositif multiplicateur d'électrons selon l'invention comportant également une première électrode multiplicatrice 71 du type "plaque à canaux" dont les canaux 33 sont spatialement répartis en des emplacements formant un réseau bidimensionnel dans lequel la direction principale de pas Pe3 s P'e3 donné est constituée par une première direction 36 et une deuxième direction 37 faisant entre elles un angle de 600.Le dispositif multiplicateur d'électrons représenté aux figures 7 et 8 comporte en outre une grille déflectrice 72 d'électrons dans laquelle les éléments déflecteurs sont constitués par des fils métalliques formant une pluralité d'hexagones 73 possédant un centre de symétrie 74 situé sur l'axe 75 des canaux 33, les directions des cotés desdits hexagones 73 étant confondues avec les directions des médiatrices des segments joignant deux centres de symétrie 74 consécutifs. Figures 7 and 8 show a fourth embodiment of an electron multiplier device according to the invention also comprising a first multiplier electrode 71 of the "channel plate" type whose channels 33 are spatially distributed in locations forming a network two-dimensional in which the main direction of pitch Pe3 s P'e3 given is constituted by a first direction 36 and a second direction 37 making between them an angle of 600. The electron multiplier device shown in FIGS. 7 and 8 further comprises a deflector grid 72 of electrons in which the deflector elements consist of metallic wires forming a plurality of hexagons 73 having a center of symmetry 74 located on the axis 75 of the channels 33, the directions of the sides of said hexagons 73 being coincident with the directions of the perpendicular bisectors of the segments joining two consecutive centers of symmetry 74.

D'autre part, il est prévu que deux sommets opposés 76,77 de chaque hexagone sont reliés par un fil métallique 78 qui, porté au potentiel répulsif Vg de la grilla, est destiné à repousser ceux des électrons incidents dont les traåec- toires traverseraient directement les canaux 33 sans être multipliés. Les hexagones 73 forment un réseau bidimensionnel dans lequel la direction principale de grille de pas pg3 , P'g3 p' donné est constituée par la première direction 36 et la deuxième direction 37 de la première électrode 71, le pas Pg3 ,plg) de grille étant égal au pas de la première électrode.On the other hand, it is expected that two opposite vertices 76,77 of each hexagon are connected by a metallic wire 78 which, brought to the repulsive potential Vg of the grid, is intended to repel those of the incident electrons whose trajectories would cross channels 33 directly without being multiplied. The hexagons 73 form a two-dimensional network in which the main grid direction of pitch pg3, P'g3 p 'given is constituted by the first direction 36 and the second direction 37 of the first electrode 71, the grid pitch Pg3, plg) being equal to the pitch of the first electrode.

La figure 9 représente, en coupa, le schéma d'un tube photomultiplicateur équipé d'un dispositif multiplicateur 61 d'électrons selon l'invention. Dans l'exem- ple d'application de la figure 9, la première électrode 31, du type plaque à canaux", constitue la première dynode du tube photomultiplicateur. Cette première dynode 31 est associée à deux grilles déflectrices 52, analogues à celles précédemment décrites en relation avec les figures 7 et 8, et placées entre la première dynode 31 et la photocathode 62 du tube photomultiplicateur. Ainsi les photoélectrons 63 issus de la photo cathode 62, dont les traJectoires sont sensiblement normales au plan de la première dynode 31, sont déviés par les grilles déflectrices 52 de façon à limiter le nombre des photoélactrons passant directement à travers les canaux 31 ou atteignant la première dynode 31 entre lesdits canaux. Cette disposition permet d'augmenter sensiblement l'efficacité de collection de la première dynode 31, et de limiter les dispersions du temps de transit des électrons entre la première dynode 31 et la seconde dynode 64. Dans l'exemple d'application donné à la figure 9, les dynodes d'ordre supérieur ont la même structure que la première dynoda. Le signal photoélectrique est constitué par l'ensemble des électrons arrivant sur l'anode 65.  FIG. 9 represents, in cross-section, the diagram of a photomultiplier tube equipped with an electron multiplier device 61 according to the invention. In the application example of FIG. 9, the first electrode 31, of the channel plate type ", constitutes the first dynode of the photomultiplier tube. This first dynode 31 is associated with two deflecting grids 52, similar to those previously described in relation to FIGS. 7 and 8, and placed between the first dynode 31 and the photocathode 62 of the photomultiplier tube. Thus the photoelectrons 63 originating from the photo cathode 62, the trajectories of which are substantially normal to the plane of the first dynode 31, are deflected by the deflecting grids 52 so as to limit the number of photoelactrons passing directly through the channels 31 or reaching the first dynode 31 between said channels. This arrangement makes it possible to significantly increase the collection efficiency of the first dynode 31, and to limit the dispersions of the electron transit time between the first dynode 31 and the second dynode 64. In the application example given in FIG. 9, the higher order dynodes have the same structure as the first dynoda. The photoelectric signal consists of all of the electrons arriving on the anode 65.

Claims (9)

REVENDICATIONS 1. Dispositif multiplicateur d'électrons par émission secondaire, comportant notamment une première électrode multiplicatrice constituée par un ensemble d'éléments multiplicateurs d'électrons spatialement répartis, au moins dans une direction, dite direction principale, en une structure répétitive de pas donné, ladite première électrode étant portée à un potentiel électrique donné, caractérisé en ce qu'il comporte également au moins une grille déflectrice d'électrons constituée par un ensemble d'éléments déflecteurs spatialement répartis, au moins dans une direction, dite direction principale de grilla, en une structure répétitive de pas donné, dit pas de grille, et en ce que la direction principale de grille est sensiblement parallèle à la direction principale de la première électrode, le pas de grille étant égal au pas de la première électrode ou à un sous-multiple de ce pas, et en ce que ladite grille déflectrice est portée à un autre -potentiel électrique donné, dit potentiel de grilla.1. Electron multiplier device by secondary emission, comprising in particular a first multiplier electrode constituted by a set of electron multiplier elements spatially distributed, at least in one direction, called main direction, in a repetitive structure of given step, said first electrode being brought to a given electrical potential, characterized in that it also comprises at least one electron deflecting grid constituted by a set of deflecting elements spatially distributed, at least in one direction, called the main grid direction, in a repetitive structure of given pitch, called grid pitch, and in that the main grid direction is substantially parallel to the main direction of the first electrode, the grid pitch being equal to the pitch of the first electrode or to a sub- multiple of this step, and in that said deflecting grid is brought to another given electrical potential, called gr potential illa. 2. Dispositif multiplicateur d'électrons selon la revendication 1, caractérisé en ce que le potentiel de grille est inférieur au potentiel de la première électrode.2. Electron multiplier device according to claim 1, characterized in that the gate potential is lower than the potential of the first electrode. 3. Dispositif multiplicateur d'électrons selon l'une des revendications 1 ou 2, et dont la première électrode multiplicatrice (11) est constituée par un ensemble d'éléments multiplicateurs d'électrons ayant la forme de lamelles métalliques (13) planes, parallèles, se déduisant l'une de l'autre par une première translation dont la direction (15) et le module (pu1) correspondent respectivement à la direction principale et au pas de la première électrode, caractérisé en ce que l'ensemble (12) des éléments déflecteurs est constitué par un réseau de lames métalliques (16), parallèles et perpendiculaires à la direction principale de la première électrode, se déduisant l'unede l'autre par une deuxième translation dont la direction (17) et le module (pg1 ) correspondent respectivement à la direction principale de grille et au pas de grille.3. electron multiplier device according to one of claims 1 or 2, and of which the first multiplier electrode (11) is constituted by a set of electron multiplier elements having the shape of metallic lamellae (13) plane, parallel , deducing from each other by a first translation, the direction (15) and the module (pu1) of which correspond respectively to the main direction and to the pitch of the first electrode, characterized in that the assembly (12) deflector elements is constituted by a network of metal blades (16), parallel and perpendicular to the main direction of the first electrode, deducing from each other by a second translation, the direction (17) and the module (pg1 ) correspond respectively to the main grid direction and the grid pitch. 4. Dispositif multiplicateur d'électrons selon l'une des revendications 1 ou 2, et dont la première électrode multiplicatrice (21) est constituée par un ensemble d'éléments multiplicateurs d'électrons ayant la forme de lamelles métalliques (23) de révolution autour d'un même axe (24) de révolution, la direction principale de la première électrode étant définie par toute direction (25) perpendiculaire à l'axe (24) de révolution et passant par celui-ci, et la distance (pue2) séparant, dans cette direction (25), deux lamelles métalliques de révolution consécutives étant définie comme le pas de la première électrode (21), caractérisé en ce que l'ensemble (22) des écéments déflecteurs est constitué, dans un plan perpendiculaire à l'axe (24) de révolution, par des fils métalliques (26) disposés en cercles concentriques dont le centre commun (27) est situé sur ledit axe (24) de révolution, la direction principale de grille étant définie par la direction (28) de tout diamètre commun auxdits cercles concentriques, et la distance (pu2) entre deux cercles concentriques consécutifs étant égale au pas de grille.4. Electron multiplier device according to one of claims 1 or 2, and of which the first multiplier electrode (21) is constituted by a set of electron multiplier elements having the form of metallic lamellae (23) of revolution around of the same axis (24) of revolution, the main direction of the first electrode being defined by any direction (25) perpendicular to and passing through the axis (24) of revolution, and the distance (pue2) separating , in this direction (25), two consecutive metallic lamellae of revolution being defined as the pitch of the first electrode (21), characterized in that the assembly (22) of the deflecting elements consists, in a plane perpendicular to the axis (24) of revolution, by metallic wires (26) arranged in concentric circles whose common center (27) is located on said axis (24) of revolution, the main grid direction being defined by the direction (28) of any diameter common to said ce concentric circles, and the distance (pu2) between two consecutive concentric circles being equal to the grid pitch. 5. Dispositif multiplicateur d'électrons selon l'une des revendications < ou 2, et dont la première électrode (31) est ou type "plaque à canaux", lesdits canaux (33) traversant ladite plaque (34) sur toute son épaisseur en des emplacements formant un réseau bidimension nel dans lequel ladite direction principale de pas (pue3 e3 P'e3 ) donné est constituée par une première direction (36) et une deuxième direction (37) faisant entre elles un angle A, caractérisé en ce que l'ensemble (52) des écéments déflecteurs est constitué par deux réseaux, dits premier (53) et deuxième (54) réseaux, de fils métalliques (55,56) parallèles et coplanaires, les fils métalliques (55,56) de chacun des réseaux (53,54) se déduisant l'un de l'autre par une translation dont la direction et le module correspondent respectivement à ladite direction principale (57,58) de grille et audit pas (pg4 ,p'g4 ) de grilla, et en ce que la direction pr; cipale (57) de grille du premier réseau (53) fait l'angle A avec la direction principale (58) de grille du deuxième (54) réseau.5. Electron multiplier device according to one of claims <or 2, and the first electrode (31) of which is of the "channel plate" type, said channels (33) passing through said plate (34) over its entire thickness in locations forming a two-dimensional network in which said main direction of pitch (pue3 e3 P'e3) given consists of a first direction (36) and a second direction (37) forming an angle A between them, characterized in that l assembly (52) of deflector elements is constituted by two networks, called first (53) and second (54) networks, of metallic wires (55,56) parallel and coplanar, the metallic wires (55,56) of each of the networks (53,54) deducing from each other by a translation whose direction and modulus correspond respectively to said main direction (57,58) of the grid and to said pitch (pg4, p'g4) of the grid, and in that the direction pr; grid (57) grid of the first network (53) makes the angle A with the main grid direction (58) of the second network (54). 6. Dispositif multiplicateur d'électrons selon la revendication 5, caractérisé en ce que, selon chaque direction principale commune à la grille et à la première électrode, le pas (pg4 ,p'g4 ) de grille est égal à la moitié du pas (P,3 e3 ) correspondant de la première électrode.6. Electron multiplier device according to claim 5, characterized in that, according to each main direction common to the grid and to the first electrode, the grid pitch (pg4, p'g4) is equal to half the pitch ( P, 3 e3) correspondent of the first electrode. 7. Dispositif multiplicateur d'électrons selon l'une des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que l'angle A est sensiblement égal à 900. 7. Electron multiplier device according to one of claims 5 or 6, characterized in that the angle A is substantially equal to 900. e3 a donné est constituée par une première direction (36) et une deuxième direction (37) faisant entre elles un angle de 600, caractérisé en ce que l'ensemble (72) des éléments déflecteurs est constitué par des fils métalliques formant une pluralité d'hexagones (73) possédant un centre de symétrie (74) situé sur l'axe (75) des canaux (33), les directions des cotés desdits hexagones (73) étant confondues avec les directions des médiatrices des segments joignant deux centres de symétrie (74) consécutifs, tandis que deux sommets opposés (7w,77) de chaque hexagone (73) sont reliés par un fil métallique (78), et an ce que lesdits hexagones (73) forment un réseau bidimensionnel dans lequel ladite direction principale de grille de pas (pg3 , p' g3 ) donné est constituée par la première direction (36) et la deuxième direction (37) de la première électrode (71), le pas (pg3, p'g3) de grille étant égal au pas (pe3, p'e3) de la première électrode. e3 a given is constituted by a first direction (36) and a second direction (37) forming an angle of 600 between them, characterized in that the assembly (72) of the deflector elements is constituted by metallic wires forming a plurality of hexagons (73) having a center of symmetry (74) located on the axis (75) of the channels (33), the directions of the sides of said hexagons (73) being coincident with the directions of the perpendicular bisectors of the segments joining two centers of symmetry (74) consecutive, while two opposite vertices (7w, 77) of each hexagon (73) are connected by a metal wire (78), and in that said hexagons (73) form a two-dimensional network in which said main direction of pitch grid (pg3, p 'g3) given is constituted by the first direction (36) and the second direction (37) of the first electrode (71), the grid pitch (pg3, p'g3) being equal to the pitch (pe3, p'e3) of the first electrode. 8. Dispositif multiplicateur d'électrons selon ltune des revendications 1 ou 2, et dont la première électrode (71) est du type plaque à canaux", lesdits canaux (33) traversant ladite plaque (34) sur toute son épaisseur en des emplacements formant un réseau bidimensionnel dans lequel ladite direction principale de pas (pe3, p'e3) 8. Electron multiplier device according to claim 1 or claim 2, the first electrode (71) of which is of the channel plate type, said channels (33) passing through said plate (34) over its entire thickness at locations forming a two-dimensional network in which said main direction of pitch (pe3, p'e3) 9. Application du dispositif multiplicateur d'électrons selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 à la réalisation d'un tube photomultiplicateur, caractérisé en ce que, ladite première électrode multiplicatrice (31) constituant la première dynode du tube photomultiplicateur, ladite grille déflectrice (52) est située entre cette première dynode (31) et la photocathode (62) du tube photomultiplicateur. 9. Application of the electron multiplier device according to any one of claims 1 to 8 to the production of a photomultiplier tube, characterized in that, said first multiplier electrode (31) constituting the first dynode of the photomultiplier tube, said grid deflector (52) is located between this first dynode (31) and the photocathode (62) of the photomultiplier tube.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0151502A1 (en) * 1984-02-08 1985-08-14 Philips Electronics Uk Limited A cathode ray tube and an electron multiplying structure therefor
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