FR2499318A1 - Procede de realisation d'une diode optoelectronique au gaalas et diode obtenue par ce procede - Google Patents
Procede de realisation d'une diode optoelectronique au gaalas et diode obtenue par ce procede Download PDFInfo
- Publication number
- FR2499318A1 FR2499318A1 FR8102133A FR8102133A FR2499318A1 FR 2499318 A1 FR2499318 A1 FR 2499318A1 FR 8102133 A FR8102133 A FR 8102133A FR 8102133 A FR8102133 A FR 8102133A FR 2499318 A1 FR2499318 A1 FR 2499318A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- contact structure
- surface layer
- layer
- titanium
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 34
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
PROCEDE DE REALISATION D'UNE DIODE COMPORTANT UNE COUCHE DE SURFACE 12 EN GAALAS SUPPORTANT LOCALEMENT UNE STRUCTURE DE CONTACT 13. PROCEDE CARACTERISE EN CE QUE LA COUCHE 12, AVANT ELABORATION DE LA STRUCTURE 13, EST RECOUVERTE EN TOTALITE D'UNE PELLICULE DE TITANE 15 QUI EST LAISSEE DEFINITIVEMENT EN PLACE. APPLICATION AUX DIODES ELECTROLUMINESCENTES PAR EXEMPLE.
Description
"PROCEDE DE REALISATION D'UNE DIODE OPTOELECTRONIOUE
AU GaAlAs ET DIODE OBTENUE PAR CE PROCEDE"
L'invention concerne un procédé de réalisation d'une diode optoélectronique d'émission, constituée sur un cristal semiconducteur dont au moins une couche de surface est faite d'un composé triple de gallium, d'aluminium et d'arsenic, laquelle couche de surface supporte localement une structure métallique de contact.
AU GaAlAs ET DIODE OBTENUE PAR CE PROCEDE"
L'invention concerne un procédé de réalisation d'une diode optoélectronique d'émission, constituée sur un cristal semiconducteur dont au moins une couche de surface est faite d'un composé triple de gallium, d'aluminium et d'arsenic, laquelle couche de surface supporte localement une structure métallique de contact.
L'invention concerne, en particulier mais non exclusive ment, des diodes électroluminescentes au GalxA.lxAs à forte teneur en aluminium ( x > 0,3 ) capables d'émettre dans le domaine de longueurs d'ondes allant de 630 nm à 660 nm.
On sait les grandes difficultés que présente la réalisation de contacts, à la fois de faible résistance électrique et de bonne tenue mécanique, sur le GaAlAs. La présence inévitable d'une fine pellicule d'oxyde naturel -oxyde complexe d'aluminium et de gallium- en surface du matériau est à l'origine de ces difficultés.
Le problème de la réalisation des contacts est d'autant plus ardu à résoudre que le GaAlAs est très actif vis-à-vis de la plupart des agents chimiques utilisés dans les opérations de photogravure classique et qu'il faut donc veiller tout particulièrement à sa protection.
Les difficultés s 'accroissent, bien sur, avec la teneur en aluminium du matériau. De plus, pour les fortes proportions d'aluminium, il faut prévoir une protection permanente de la surface du GaAlAs en dehors des aires de contact, tant avant qu'après la réalisation des contacts.
Selon la technique mise en oeuvre habituellement pour élaborer lesdits contacts, on évapore successivement à la surface du GaAlAs une première couche d'or dopé soit au silicium soit au germanium pour du GaAlAs de type N, soit au béryllium soit au zinc pour un matériau de type P, puis une deuxième couche de titane et enfin une couche plus épaisse d'or. Non seulement un tel agencement de couches métalliques donne des contacts de médiocre qualité mécanique et électrique, mais le decapage de ces couches en dehors des aires des contacts provoque, lors de l'attaque de la première couche d'or dopé, des dégradations superficielles du matériau semiconducteur.Afin d'éviter d'avoir à procéder à une attaque chimique, on pourrait localiser directement les dépôts métalliques par évaporation à travers des masques ; 'expérience montre que la localisation manque alors de la précision exigée, ceci en raison de la dilatation thermique des masques.
Le procédé de réalisation d'une diode optoélectronique selon l'invention permet de remédier aux inconvénients men tionnés ci-dessus, liés notamment à la réalisation de bons contacts sur du Galas.
Selon l'invention, un procédé de réalisation d'une diode optoélectronique ayant les caractères cités dans le préambule, est notamment remarquabIe en ce que ladite couche de surface, avant élaboration de ladite structure de contact, est recouverte en totalité d'une pellicule de titane qui est laissée définitivement en place, pour une partie au moins de son épaisseur, hors les aires occupées par ladite structure.
L'invention met ainsi à profit les qualités reconnues du titane, notamment comme métal de liaison entre d'autres métaux et le silicium.
L'utilisation du titane est ici étendue au GaAlAs pour lequel il joue simultanément le rôle d'élément d'accrochage sur les aires de contact et d'élément passivant sur les aires découvertes soit les aires d'émission dans le cas de diodes électroluminescentes.
L'expérience montre que les contacts obtenus par la superposition successive, sur le GaAlAs, de titane d'abord puis d'un autre métal au moins -de l'or, plus particulièrement- sont d'excellente qualité, aussi bien mécaniquement qu'électriquement. On peut penser que le titane exerce un effet dissociatif partiel sur l'oxyde complexe d'aluminium et de gallium qui sied inévitablement à la surface du GaAlAs et qui est très résistif, ce qui permet d'obtenir une bonne conductibilité électrique des contacts ; par ailleurs, le titane s'allie en un alliage complexe avec l'or et le dopant que contient éventuellement cet or, alliage qui adhère fortement à la fois au lit d'oxyde complexe et au GaAlAs, d'oh la bonne tenue mécanique du contact.
Par ailleurs, l'expérience montre -dans le cas notamment de diodes électroluminescentes au Galas à forte teneur en
Al émettant dans le rouge- que la présence de titane en surface de l'aire d'émission n'entraine pratiquement aucune absorption lumineuse, dans la mesure où l'épaisseur de la couche de titane est inférieure à une limite définie. Même, cette couche de titane, en plus de son rôle passivant, a l'avantage d'amener un gain sur la puissance lumineuse émise, le titane, dont l'indice de réfraction est intermédiaire entre ceux du GaAlAs sous-jacent et de l'air extérieur, permettant de réaliser une meilleure adaptation entre les deux milieux. Le gain est multiplié par un facteur compris entre 1 et 2 suivant la régularité de la couche de titane.
Al émettant dans le rouge- que la présence de titane en surface de l'aire d'émission n'entraine pratiquement aucune absorption lumineuse, dans la mesure où l'épaisseur de la couche de titane est inférieure à une limite définie. Même, cette couche de titane, en plus de son rôle passivant, a l'avantage d'amener un gain sur la puissance lumineuse émise, le titane, dont l'indice de réfraction est intermédiaire entre ceux du GaAlAs sous-jacent et de l'air extérieur, permettant de réaliser une meilleure adaptation entre les deux milieux. Le gain est multiplié par un facteur compris entre 1 et 2 suivant la régularité de la couche de titane.
Un autre avantage lié à la présence de titane directement en surface du GaAlAs est de faciliter la gravure chimique de la couche métallique déposée en vue de la réalisation des contacts. Le titane forme alors un écran protecteur qui immunise le GaAlAs contre la corrosion des solutions chimiques mises en oeuvre.
Sur le plan de la réalisation d'une diode au GaAlAs, il faut insister sur l'avantage de simplicité qu'offre le procédé selon l'invention pour obtenir à la fois que de bons contacts puissent être pris aux endroits choisis et que les surfaces restées nues du matériau puissent être protégées.
Il est clair que ce procédé est plus simple que celui qui consisterait, à l'exemple de ce qui est fait pour de nombreux dispositifs intégrés au silicium, à élaborer la couche de passivation au stade ultime de réalisation du dispositif, dans une séquence opératoire indépendante.
La mise en oeuvre ne présente aucune difficulté particulière. La couche de titane, d'une épaisseur choisie, est déposée par évaporation à la surface du GaAlAs. Puis, on dépose ensuite le métal ou la succession de métaux entrant dans la structure de contact ; ce/s métal/métaux est/sont alors photogravéis selon la technique de décapage classique afin de créer ladite structure.
Dans le cas où il s'avérerait nécessaire, pour la-solidité des contacts par exemple, de déposer une couche relativement épaisse de titane dont l'importance, dans le cas d'une diode électroluminescente, entralnerait une absorption intolérable du rayonnement émis, il est procédé, après formation de la structure de contact, à une attaque partielle du titane, ladite structure de contact jouant à son tour le rôle de masque. Avantageusement, cette attaque est faite selon la technique de la gravure plasma dans des conditions qu#i seront précisées ultérieurement et qui permettent que le
GaAlAs soit absolument épargné si la couche de titane présentait des discontinuités.
GaAlAs soit absolument épargné si la couche de titane présentait des discontinuités.
La présente invention concerne également les dispositifs au GaAlAs obtenus par la mise en oeuvre du procédé précédemment décrit et caractérisés notamment en ce que leur couche de surface est recouverte en totalité d'une pellicule de titane. Dans ces dispositifs, il convient de citer en particulier les diodes électroluminescentes -notamment celles dans lesquelles la couche de surface par laquelle sort la lumière a une forte teneur en aluminium- et les matrices électroluminescentes comportant une pluralité de telles diodes. L'invention pourrait être appliquée également à la réalisation de diodes lasers.
La description qui va suivre, en regard du dessin annexé, aidera à préciser les caractères de l'invention.
La figure unique représente une diode électroluminescente au GaAlAs, vue en coupe.
Cette figure est schématique et n'a pas été tracée à l'échelle exacte, notamment en ce qui concerne les cotes d'épaisseur des différents éléments, ceci dans un souci de clarté.
La diode électroluminescente de la figure, réalisée se
Ion un processus incluant le procédé de l'invention, repose sur un cristal 10 d'arséniure de gallium GaAs, par exemple de type de conductivité P. Sur le cristal 10 reposent, en succession, une première couche épitaxiale 11 de GaAlAs de type P, puis une deuxième couche épitaxiale 12 de GaAlAs de type N. La jonction motrice J de la diode est située à l'interface de la couche 11 qui est la couche active et de la couche 12 qui est la couche d'injection. La couche 12 est aussi la couche de surface sur laquelle il a été constitué localement une structure de contact 13 située par exemple dans sa partie centrale et qui forme une première électrode de la diode. Une autre structure de contact 14 a été formée au dos du cristal 10, qui forme la seconde électrode de cette diode.
Ion un processus incluant le procédé de l'invention, repose sur un cristal 10 d'arséniure de gallium GaAs, par exemple de type de conductivité P. Sur le cristal 10 reposent, en succession, une première couche épitaxiale 11 de GaAlAs de type P, puis une deuxième couche épitaxiale 12 de GaAlAs de type N. La jonction motrice J de la diode est située à l'interface de la couche 11 qui est la couche active et de la couche 12 qui est la couche d'injection. La couche 12 est aussi la couche de surface sur laquelle il a été constitué localement une structure de contact 13 située par exemple dans sa partie centrale et qui forme une première électrode de la diode. Une autre structure de contact 14 a été formée au dos du cristal 10, qui forme la seconde électrode de cette diode.
Selon l'invention, un procédé de réalisation d'une telle diode "est notamment remarquable en ce que ladite couche de surface 12, avant élaboration de ladite structure de contact 13, a été recouverte en totalité d'une pellicule 15 de titane qui a été laissée définitivement en place, pour une partie au moins de son épaisseur, hors les aires occupées par ladite structure 13".
Sur la figure, la pellicule 15 a été représentée homogène ; en réalité, comme il a été vu précédemment, cette pellicule a une structure complexe liée à sa position intermédiaire entre la couche sous-jacente 12 de GaAlAs et le métal ou l'agencement de métaux 16 qui la surmonte. En fait, la partie 15A de la pellicule 15, qui est située sous la partie métallique 16, fait partie de la structure de contact 13, dont elle forme l'élément de liaison.
Dans le cas choisi en exemple, la partie métallique 16 est formée avantageusement en un alliage d'or-germanium (0,5 à 12% de Ge).
L'épaisseur de la pellicule 15 peut varier en fonction du dispositif concerné. Pour une diode électroluminescente telle que celle décrite, dont la lumière sort par la couche 12, cette épaisseur est nécessairement choisie très petite ; pratiquement et notamment dans le cas-particulierement intéressant de diodes dont la couche de surface a une forte teneur en Al, la pellicule 15 ne doit pas dépasser une épais- seur limite de 0,02 pm(avantageusement : 0,01 à 0,015 #m) en son aire 15B située hors la partie 15A occupée par la structure 13. Pour la partie 15A, l'épaisseur se situe, suivant les cas, entre 0,01 et 0,05 pm.
Pratiquement, il s'est avéré avantageux, dans le cas de la présente diode électroluminescente, de former initialement sur la couche 12 une pellicule 15 de titane d'une épaisseur de l'ordre de 0,04 à 0,05 pm qu'il a faillu, après crés tison de la structure de contact 13, réduire à l'épaisseur finale de 0,01 à 0,02 pm en ce qui concerne son aire 15B.
Par cette méthode on obtient, en effet, un meilleur recouvrement de la couche 12 aux endroits d'éventuelles irrégu larités telles que des microrayures.
On pourrait être amené à procéder de la sorte pour d'autres raisons, par exemple dans le cas de l'emploi d'autres métaux de contact que l'or, qui obligeraient, pour obtenir une bonne liaison électrique, à prévoir initialement une pellicule 15 d'épaisseur relativement importante, épaisseur qu'il faudrait ensuite ramener hors les aires occupées par les contacts, à une épaisseur inférieure. Ou bien encore, dans le cas de la diode prise en exemple, on peut vouloir renforcer la structure de contact 13 préétablie en déposant une autre couche d'or ; on choisit alors de l'or pur, ceci afin d'améliorer les possibilités de soudure. Mais pour éviter que le dopant -en l'occurrence le germanium- puisse migrer de la couche d'or inférieure vers la couche supérieure, on interpose avantageusement une nouvelle couche de titane entre elles.Le dépôt total de titane, hors l'aire de contact, est alors trop épais et il faut absolument le réduire.
Avantageusement, l'attaque du titane exédentaire est faite par la technique dite de "gravure sous plasma". Le mélange gazeux utilisé comprend du tétrafluorure de carbone additionné de 2 à 8% d'oxygène, la pression dans l'enceinte est maintenue entre 0,1 et 1 Torr et la température est comprise entre 50 et 1000 C, la puissance mise en jeu étant de 50 à 200-W. Dans ces conditions, la gravure est effectuée à la vitesse moyenne de 0,01 pm/mn. Le procédé d'attaque du titane, conduit dans les conditions indiquées ci-dessus, a l'avantage d'être très sélectif ; il peut être appliqué en présence de GaAlAs sans aucun risque de dégradation pour ce dernier matériau.
En ce qui concerne la création initiale de la pellicule 15 et celle de la structure de contact 13, celle-ci ne pose aucun problème. Le titane 15, puis l'or-germanium 16, sont déposés successivement par évaporation, Ensuite, il est procédé à la gravure sélective de la couche d'or-germanium à travers les ouvertures d'un masque de laque photosensible, à l'aide, par exemple, d'une solution d'iodure de potassium.
Suit un recuit de consolidation, puis vient la gravure de la pellicule 15. Si la structure de contact a été renforcée par un deuxième dépit d'or précédé d'un deuxième dépôt de titane, ceux-ci ne sont pas recuits ; on grave le deuxième dépôt d'or, puis on attaque finalement le double dépôt de titane comme il a été indiqué ci-dessus.
L'exemple choisi dans la présente description d'une diode électroluminescente à couche de surface 12 de type de conductivité N n'est pas limitatif. L'invention s'appliquerait de même si ladite couche était de type P ; seule serait changée la nature du dopant inclus dans la partie métallique 16.
L'invention s'appliquerait également à des dispositifs plus complexes comportant plus de deux couches disposées sur le cristal 10, par exemple à des dispositifs de type laser.
Claims (4)
1.- procédé de réalisation d'une diode optoélectronique d'émission, constituée sur un cristal semiconducteur 10J dont au moins une couche de surface (12) est faite d'un composé triple de gallium, d'aluminium et d'arsenic, laquelle couche de surface supporte localement une structure métallique de contact (13), caractérisé en ce que ladite couche de surface (12), avant élaboration de ladite structure de contact (13), est recouverte en totalité d'une pellicule de titane (15) qui est laissée définitivement en place, pour une partie au moins de son épaisseur, hors les aires occupées par ladite structure (13).
2.- Procédé selon la revendication 1, suivant lequel la pellicule de titane (15) subit une attaque destinée à en réduire l'épaisseur, caractérisé en ce que cette attaque est conduite par la technique de gravure sous plasma.
3.- Diode optoélectronique d'émission, constituée sur un cristal semiconducteur (10) dont au moins une couche de surface (12) est faite d'un composé triple de gallium, d'aluminium et d'arsenic, laquelle couche de surface supporte localement une structure multicouche de contact (13), caractériséeen ce que ladite couche de surface (12) est recouverte en totalité d'une pellicule de titane (15).
4.- Diode électroluminescente selon la revendication 3, dont la couche de surface (12) en Ga Al As est à forte teneur en aluminium k > 0,3) caractérisée en ce que la pelli- cule de titane (15) a une épaisseur maximum de 0,02 pm hors les aires occupées par la structure de contact (13).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8102133A FR2499318A1 (fr) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Procede de realisation d'une diode optoelectronique au gaalas et diode obtenue par ce procede |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8102133A FR2499318A1 (fr) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Procede de realisation d'une diode optoelectronique au gaalas et diode obtenue par ce procede |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2499318A1 true FR2499318A1 (fr) | 1982-08-06 |
FR2499318B1 FR2499318B1 (fr) | 1984-02-24 |
Family
ID=9254830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR8102133A Granted FR2499318A1 (fr) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Procede de realisation d'une diode optoelectronique au gaalas et diode obtenue par ce procede |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2499318A1 (fr) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0184117A2 (fr) * | 1984-12-03 | 1986-06-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Diode émettrice de rayonnement à semi-conducteur ayant une plage de contact réduite avec une protection de surface s'étendant sur une zone plus large de la surface |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2217804A1 (fr) * | 1973-02-13 | 1974-09-06 | Communications Satellite Corp | |
FR2394894A1 (fr) * | 1977-06-17 | 1979-01-12 | Thomson Csf | Dispositif de prise de contact sur un element semiconducteur |
-
1981
- 1981-02-04 FR FR8102133A patent/FR2499318A1/fr active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2217804A1 (fr) * | 1973-02-13 | 1974-09-06 | Communications Satellite Corp | |
FR2394894A1 (fr) * | 1977-06-17 | 1979-01-12 | Thomson Csf | Dispositif de prise de contact sur un element semiconducteur |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0184117A2 (fr) * | 1984-12-03 | 1986-06-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Diode émettrice de rayonnement à semi-conducteur ayant une plage de contact réduite avec une protection de surface s'étendant sur une zone plus large de la surface |
EP0184117A3 (en) * | 1984-12-03 | 1986-12-03 | Siemens Aktiengesellschaft Berlin Und Munchen | Radiation-emitting semiconductor diode having a small-area contact with a larger area surface protection |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2499318B1 (fr) | 1984-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0351001B1 (fr) | Procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur ayant au moins un niveau de prise de contact à travers des ouvertures de contact de petites dimensions | |
FR2695261A1 (fr) | Laser émetteur en surface et son procédé de fabrication. | |
FR2638898A1 (fr) | Dispositif a semiconducteurs a structure empilee et procede de fabrication | |
EP2912692B1 (fr) | Procede de croissance d'au moins un nanofil a partir d'une couche d'un metal de transition nitrure obtenue en deux etapes | |
EP2107619A2 (fr) | Procédé de traitement d'un substrat semi-conducteur par activation thermique d'éléments légers | |
FR2548219A1 (fr) | Procede de formation d'une couche de matiere a constituants multiples | |
WO2014064264A2 (fr) | Dispositif electronique a nanofil(s) muni d'une couche tampon en metal de transition, procede de croissance d'au moins un nanofil, et procede de fabrication d'un dispositf | |
US7768091B2 (en) | Diamond ultraviolet sensor | |
FR2484709A1 (fr) | Perfectionnement a la realisation d'une cellule solaire en vue de neutraliser les risques de mauvais isolement a l'endroit des bords | |
EP0045678B1 (fr) | Source laser à jonction semiconductrice utilisant des diodes Schottky, et procédé de fabrication | |
TW565933B (en) | Method of forming ohmic electrode | |
EP0875922A1 (fr) | Technologie sans gravure pour intégration de composants | |
EP1856778A1 (fr) | Procede d'oxydation planaire pour realiser un isolant enterre localise | |
FR2643192A1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant une electrode en metal refractaire sur un substrat semi-isolant | |
FR2499318A1 (fr) | Procede de realisation d'une diode optoelectronique au gaalas et diode obtenue par ce procede | |
FR2502399A1 (fr) | Dispositif a semi-conducteurs comportant un contact rapporte a faible resistance | |
FR2649537A1 (fr) | Dispositif optoelectronique integre incluant une diode photoluminescente | |
EP1396882A2 (fr) | Procédé de réalisation d'un composant électronique intégré et dispositif électrique incorporant tel composant | |
EP1306945A1 (fr) | Composant optique semi-conducteur et procédé de fabrication d'un tel composant | |
FR2629638A1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur contenant une etape de gravure et transistors ainsi obtenus | |
FR2463508A1 (fr) | Procede de realisation de contacts ohmiques sur une couche active de silicium amorphe hydrogene | |
US20150091032A1 (en) | Nickel-Titanium and Related Alloys as Silver Diffusion Barriers | |
FR2499316A1 (fr) | Perfectionnement a la realisation d'une cellule solaire en vue, notamment, de modeler l'epaisseur de sa couche active, et cellule ainsi obtenue | |
FR2485809A1 (fr) | Diode de type schottky aluminium-silicium, procede permettant sa fabrication et dispositif semi-conducteur comportant une telle diode | |
EP0169082A1 (fr) | Procédé de fabrication de circuits intégrés à plusieurs niveaux d'interconnexion en tungstène |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
CL | Concession to grant licences | ||
CA | Change of address | ||
CD | Change of name or company name | ||
ST | Notification of lapse |