FR2493587A1 - Procede pour equilibrer la capacite de condensateurs electriques - Google Patents

Procede pour equilibrer la capacite de condensateurs electriques Download PDF

Info

Publication number
FR2493587A1
FR2493587A1 FR8113893A FR8113893A FR2493587A1 FR 2493587 A1 FR2493587 A1 FR 2493587A1 FR 8113893 A FR8113893 A FR 8113893A FR 8113893 A FR8113893 A FR 8113893A FR 2493587 A1 FR2493587 A1 FR 2493587A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
ceramic
laser
capacitors
balancing
capacity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8113893A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2493587B3 (fr
Inventor
Rolf Geisler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GERA ELEKTRONIK VEB
Original Assignee
GERA ELEKTRONIK VEB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GERA ELEKTRONIK VEB filed Critical GERA ELEKTRONIK VEB
Publication of FR2493587A1 publication Critical patent/FR2493587A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2493587B3 publication Critical patent/FR2493587B3/fr
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/255Means for correcting the capacitance value

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

A.PROCEDE POUR EQUILIBRER LA CAPACITE DE CONDENSATEURS ELECTRIQUES. B.PROCEDE CARACTERISE EN CE QUE, AU MOYEN D'UN RAYONNEMENT LASER 6 DIRIGE SUR LA SURFACE DU CORPS CERAMIQUE, ON PRODUIT UNE COUCHE CERAMIQUE CONDUCTRICE 4 AYANT UNE PROFONDEUR DE PENETRATION D ET UNE SURFACE A. C.L'INVENTION S'APPLIQUE A LA FABRICATION DES CONDENSATEURS ELECTRIQUES.

Description

L'invention concerne un procédé pour équilibrer la capacité de condensateurs électriques, en particulier de condensateurs céramiques, qui sont avantageusement mis en oeuvre dans des appareils de % F g- et de maintien électroniques.
Dans les condensateurs céramiques, il apparaît, par suite des écarts toléres inévitables dans la fabrication, entre autres, des dispersions de la capacité. La cause en est l'épaisseur irrégulière du corps céramique. Pour fabriquer des condensateurs céramiques avec des tolérances étroites, il est nécessaire d'ajuster leur capacité à une valeur de consigne. A ce jour, il est courant d'effectuer cet équilibrage au moyen de décapage au sable. Ainsi, la surface des électrodes du corps céramique est réduite en enlevant une partie de l'électrode et l'on obtient ainsi une réduction de la capacité. Ce procédé présente des inconvénients considérables.
Outre la grande concentration de poussière, qui pollue l'environnement et le personnel, et qui exerce aussi une influence négative sur la durée de vie de l'installation d'équilibrage, un inconvénient décisif consiste en ce que la sécurité et la précision d'équilibrage sont très faibles par suite de l'usure élevée des buses à sable et des pièces actionnées mécaniquement comme les soupaes magnétiques, ce qui entraîne une perte élevée en matériau et une proportion élevée de déchets.
! La mise en oeuvre de la technique des lasers devait éliminer ces inconvénients. Dans le journal "Electronicsn', New York, 45/1972, il est décrit un procédé selon lequel on a essayé de soumettre une zone étroitement délimitée de l'électrode, à des températures extrèmement élevées afin d'éliminer une partie de la surface de l'électrode au moyen de rayons lasers ou d'électrons. Cependant, des effets secondaires empêchent l'emploi du procédé pour tous les matériaux céramiques. Sous l'action des rayons lasers, des matières céramiques déterminées deviennent conductrices, ces zones conductrices traversant tout le corps céramique. Comme la décomposition de la matière céramique est irréversible, les corps céramiques ainsi traités présentent indubitablement des propriétés diélectriques.Ainsi ces procédés ne peuvent Qtre appliqués à des matières qui se décomposent thermiquement. Un enlèvement de l'électrode en vue d'équilibrer le condensateur par laser n'est donc pas possible pour toute masse céramique, de sorte que l'on continue à utiliser les procédés de décapage au sable avec les inconvénients mentionnés plus haut,
L'invention a pour objectif de trouver un procédé qui permette ltéquilibrage de condensateurs céramiques, qui sont constituées de masse céramique se décomposant thermiquement, avec une grande précision et sans poussière au cours du procédé de fabrication;;
L'objet de l'invention est de proposer un procédé d'équilibrage au moyen de laser, selon lequel la couche conductrice dans le corps céramique est maintenue de façon limitée et reproductible, en maintenant la valeur diélec trique requise du condensateur. Le procédé devra Btre également applicable à des couches de céramique extremement minces
A cet effet, on produit, au moyen de rayonnement laser, une couche céramique conductrice à la surface du corps céramique constitué de céramique se décomposant thermi quement, avec une profondeur de pénétration et une surface déterminées.
L'invention sera mieux comprise à l'aide du dessin annexé qui représente un mode de réalisation de 1 2 inventionO
Conformément à la figure 1, on produit sur une partie déterminée de la surface d'un condensateur céra- mique, constitué d'un corps céramique 1, et des électrodes 2 et 3, par un rayonnement directif 6, avec un laser déclenché, avec le choix approprié des paramètres : capacité initiale, diamètre du foyer, fréquence d'impulsions, et vitesse de coupe, une zone d'influence thermique 4, de surface A2 et de profondeur de pénétration d' De ce fait, le matériau dans la zond d'influence thermique 4, se différencie des parties non irradiées du corps céramique 1, par sa conductivité électrique0 Le corps céramique se décompose avantageusement dans la zone deinfluence thermique 4, y devient conducteur, et ainsi une partie de l'électrode 2 peut s'évaporer.La zone d'influence thermique 4 représente une électrode située plus profondément0 La conductivité thermique de l'électrode 2 conduit à ce que le corps céramique 1 se décompose et devient conducteur également dans la zone de bordure 5 de la partie non irradiée I1 se produit ainsi un recouvrement entre ltélectrode 2 et la zone de bordure 5, qui est en liaison électrique avec la zone d'influence thermique 4, et assure la liaison électrique entre l'électrode 2 et la zone d'influence thermique 4. L'action d'équilibrage se produit par le fait que la zone d'influence thermique 4 présente une profondeur de pénétration d-' déterminée à l'intérieur du corps céramique 1 et ainsi l'épaisseur réelle du diélectrique est réduite dans la zone irradiée.La profondeur de pénétration de la zone de bordure 5 dans le corps céramique 1 est, en raison de la conductivité thermique limitée de l'électrode 2 et de lla faible longueur d'impulsion laser, bien inférieure à la profondeur de pénétration d' de la zone d'influence thermique 4, et n'exerce pratiquement pas d'influence sur la capacité du condensateur équilibré.La capacité du condensateur équilibré se calcule à l'aide de la formule suivante
t (A-A') ##O A'
C = . +
d d
A = surface totale du condensateur At = surface de la zone irradiée d = épaisseur totale du condensateur dt = profondeur de pénétration de la zone d'influence
thermique
Le grand avantage de l'invention réside en ce qu'un procédé d'équilibrage jusqu'ici irréalisable au moyen de laser pour des céramiques qui se décomposent thermiquement, est applicable, même pour des couches extrêmement minces.
Ce nouveau procédé peut être réalisé dans le m9me dispositif de laser que celui ayant servi auparavant à l'équilibrage de la capacité de condensateurs céramiques, en céramique ne se décomposant pas ; il suffit de mettre en oeuvre la tête de laser appropriée. Le procédé laser garantit une sécurité et une précision d'équilibrage élevées, en raison de la commande exempte d'inertie des rayons lasers. On atteint ainsi un rendement élevé. Les pertes de matériau et la proportion de déchets sont de ce fait considérablement réduites.
Le dégagement de poussière sur le personnel et l'environnement, qui accompagne le procédé de décapage au sable, est complètement supprimé.

Claims (3)

REVENDICATIONS
1.- Procédé pour l'équilibrage de la capacité de condensateurs électriques, en particulier de condensateurs céramiques, constitués d'une masse céramique se décomposant thermiquement, procédé caractérisé en ce que, au moyen d'un rayonnement laser (6) dirigé sur la surface du corps céramique, on produit une couche céramique conductrice (4) ayant une profondeur de pénétration d' et une surface A'.
2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'irradiation s'effectue au moyen d'un laser déclenché.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche céramique conductrice est obtenu par un faisceau électronique.
FR8113893A 1980-08-14 1981-07-16 Procede pour equilibrer la capacite de condensateurs electriques Granted FR2493587A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD22332680 1980-08-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2493587A1 true FR2493587A1 (fr) 1982-05-07
FR2493587B3 FR2493587B3 (fr) 1984-05-25

Family

ID=5525873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8113893A Granted FR2493587A1 (fr) 1980-08-14 1981-07-16 Procede pour equilibrer la capacite de condensateurs electriques

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE3124740A1 (fr)
FR (1) FR2493587A1 (fr)
PL (1) PL232596A1 (fr)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3300041A1 (de) * 1983-01-03 1984-07-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum abtragen von metallschichten von traegern mit laserstrahlen
DE4031289A1 (de) * 1990-10-04 1992-04-09 Telefunken Electronic Gmbh Oszillator
TWI226125B (en) * 2002-07-08 2005-01-01 Infineon Technologies Ag Set of integrated capacitor arrangements, in particular integrated grid capacitors

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE927962C (de) * 1953-03-03 1955-06-16 Hermann Schladitz Verfahren und Vorrichtung zur fortlaufenden Metallisierung von organischen und anorganischen Folien
DE1268286B (de) * 1958-08-22 1968-05-16 Siemens Ag Atomkernreaktor mit in einem Kuehlmedium dispergierten feinkoernigen Spaltsubstanzen
GB1094323A (en) * 1964-04-27 1967-12-06 United Aircraft Corp Method of fabricating thin film capacitors
DE1268285B (de) * 1965-03-17 1968-05-16 Hermsdorf Keramik Veb Verfahren und Anordnung zur Abtragung duenner ebenflaechiger Schichten mit einem Strahlenbuendel geladener Teilchen und Verwendung zur Herstellung von Bauelementen der Duennschichttechnik
DE1765145C3 (de) * 1968-04-09 1973-11-29 Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen Verfahren zum Bearbeiten dunner Schichten von elektrischen Schalt kreisen mit Laserstrahlen
DE1812188C3 (de) * 1968-12-02 1974-01-10 Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen Verfahren zum Entfernen von Teilen einer auf einem isolierenden Trägerkörper aufgebrachten Widerstandsschicht mittels gebündelter Laserstrahlung
DE1938767B2 (de) * 1969-07-30 1972-11-16 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren zum abgleichen von elektrischenduennschicht-kondensatoren
DE2123283A1 (de) * 1971-05-11 1972-11-23 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren zum Abgleichen von Dünnschichtwiderständen und -kondensatoren
US4015100A (en) * 1974-01-07 1977-03-29 Avco Everett Research Laboratory, Inc. Surface modification
DE2448713A1 (de) * 1974-10-12 1976-04-15 Lasag Sa Laser-schweissverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
FR2493587B3 (fr) 1984-05-25
DE3124740A1 (de) 1982-04-08
PL232596A1 (fr) 1982-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Qian et al. Laser deposition of diamondlike carbon films at high intensities
Ihlemann Excimer laser ablation of fused silica
JPH03504687A (ja) レーザーを用いた素材表面の洗浄方法
KR20030045082A (ko) 레이저 제거 방법을 이용한 박막의 증착
Fradin et al. Comparison of laser‐induced surface and bulk damage
CA2953247C (fr) Procede de texturation aleatoire d'un substrat semi-conducteur
EP0642846A1 (fr) Procédé et dispositif de décontamination autocontrôlé de surfaces par laser
Izawa et al. Ablation and amorphization of crystalline Si by femtosecond and picosecond laser irradiation
EP1827511A1 (fr) Decontamination laser de la surface d'une piece profilee
Okoshi et al. Femtosecond laser ablation of frozen acetone for deposition of diamond-like carbon films
FR2493587A1 (fr) Procede pour equilibrer la capacite de condensateurs electriques
Chen et al. Analysis of laser damage threshold and morphological changes at the surface of a HgCdTe crystal
EP0298817A1 (fr) Procédé et dispositif de production d'électrons utilisant un couplage de champ et l'effet photoélectrique
EP0614215B1 (fr) Procédé de formation d'un contact métallique sur un relief d'un substrat semi-conducteur, incluant une étape de fluage d'une couche de résine photosensible
Ehrhardt et al. Laser patterning of CIGS thin films with 1550 nm nanosecond laser pulses
Adhi et al. Femtosecond Excimer (248 NM) Laser Micro-Machining of Teflon (PTFE)
UA148066U (uk) Спосіб виготовлення розсіюючого оптичного елемента
Gomes et al. Ultrafast laser pulse characterization by THG d-scan using optically enhanced graphene coatings
Yoshioka et al. CW-laser induced modification in glasses by laser backside irradiation (LBI)
FR2761374A1 (fr) Procede de metallisation selective de matieres plastiques intrinseques et carte a circuit(s) integre(s) obtenue selon le procede
Ahmed et al. Effect of laser energy on grain size of cadmium oxide nanoparticles in ethanol by PLD method
Veiko et al. A study of products formed in ablation of single-crystal silicon in aqueous medium under irradiation with nanosecond pulses from fiber-optic ytterbium laser
Wang et al. Investigation on femtosecond pulse laser processing of sapphire
Du et al. Evolution of structured silicon after picosecond laser irradiation
DE102021206956A1 (de) Verfahren zum Bilden von freistehenden Mikrostrukturen an einem Diamant-Kristall und Diamant-Kristall

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse