FR2486307A1 - Embase du genre boitier ou support pour microplaquette a semi-conducteurs - Google Patents
Embase du genre boitier ou support pour microplaquette a semi-conducteurs Download PDFInfo
- Publication number
- FR2486307A1 FR2486307A1 FR8112378A FR8112378A FR2486307A1 FR 2486307 A1 FR2486307 A1 FR 2486307A1 FR 8112378 A FR8112378 A FR 8112378A FR 8112378 A FR8112378 A FR 8112378A FR 2486307 A1 FR2486307 A1 FR 2486307A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- base
- bottier
- conductors
- bottier according
- geometry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
BOITIER DE SEMI-CONDUCTEURS. CE BOITIER UTILISE UNE BASE 12 EN MATERIAU CERAMIQUE COMPRIME, PRES DE LA PERIPHERIE DE LAQUELLE EST FORMEE UNE REGION DE PLAGE DE SOUDAGE 22. UN CADRE A CONDUCTEURS 20 COMPORTANT UNE PLURALITE DE CONDUCTEURS 24 EST SOUDE A LA BASE 12 ET SE TERMINE DANS LA REGION DE PLAGE DE SOUDAGE 22. UNE GEOMETRIE DE METALLISATION 18 EST FORMEE SUR LA BASE 12 POUR CONNECTER LES CONDUCTEURS 24, PAR L'INTERMEDIAIRE DE MOYENS DE LIAISON 28, A UNE PASTILLE 16 MONTEE SUR LA BASE 12. APPLICATION A LA REALISATION DE BOITIERS "DUAL-IN-LINE" OU "FLAT-PACKS", OU DE SUPPORTS DE MICROPLAQUETTE AVEC OU SANS CONDUCTEURS DE FAIBLE COUT, SATISFAISANT AUX EXIGENCES D'UN EQUIPEMENT DE LIAISON AUTOMATIQUE DE FILS METALLIQUES.
Description
La Drésente invention concerne un bottier pour
dispositifs semi-conducteurs.
Il existe, dans l'industrie de l'électronique, le besoin d'un bottier de semi-conducteurs de faible coût, capable de supporter de grands rendements d'assemblage. En particulier, il existe un besoin de bottier peu coûteux, satisfaisant aux exigences d'un équipement de liaison de
fils métalliques automatique.
Les bottiers de semi-conducteurs de la techni-
que antérieure, tels que les bottiers stratifiés à souda-
ge latéral ou les bottiers à base en matériau céramique classiques, ne répondent pas à ces besoins. Les bottiers
stratifiés à soudage latéral peuvent satisfaire aux exi-
gences de la liaison automatique de fils métalliques mais sont relativement coûteux à produire. Inversement, les bottiers classiques à base en matériau céramique sont Deu coûteux à produire mais, en revanche, ils ne peuvent satisfaire aux exigences de la liaison automatique de
fils métalliques.
Les bottiers stratifiés à soudage latéral utili-
sent une structure de base comprenant plusieurs couches de
matériau céramique. Généralement, les deux ou trois cou-
ches formant le dessus de la base présentent une ouverture Dratinuée centralement dont la dimension décrott à partir de la couche supérieure. Une cavité interne en gradins
est ainsi formée dans le dessus de la base stratifiée.
Cette cavité sert de réceptacle pour la pastille de se-
mi-conducteur et fournit également des bornes pour le moyen de liaison, Le moyen de liaison, tel que du fil d'or, connecte la nastille à un cadre à conducteurs,
généralement soudé au côt4 de la base.
Comme décrit précédemment, un inconvénient ma-
jeur des bottiers stratifiés est leur coût élevé. En ou-
tre, la forme en gradins de la cavité recevant la pastille gêne la vue de l'opérateur de l'outil pendant qu'il procède à la liaison des fils. Cela ralentit considérablement les opérations de production, en particulier pour des dispositifs, qui utilisent des conducteurs groupés avec une grande densité, dans lesquels les bornes de liaison sont très rapprochées les unes des autres. Les bottiers classiques en matériau céramique
utilisent une base en matériau céramique comprimé à la-
quelle est fixé un cadre à conducteurs Dréformé compre-
nant des doigts de liaison découpés, (par exemple à l'emporte-pièce). Tout en offrant certains avantages dans quelques applications, ce type de bottier présente, par contre, un certain nombre d'inconvénients. Un de ces inconvénients réside en ce que le cadre à conducteurs
découpé exige un outillage coûteux. Un second inconvé-
nient réside en ce que le manque de contrôle de la pro-
cédure de découpage exige l'utilisation d'une cavité à pastille relativement grande. Un autre inconvénient réside en ce que la planéité et la position des doigts de liaison découpés se modifient au cours de la fixation de la pastille en raison du fait que les températures
de réchauffage nécessaires pendant cette fixation provo-
quent un flottement du cadre à conducteurs dans chacune des directions X, Y, Q et Z. En outre, les doigts de liaison découpés n'assurent pas la précision de position
nécessaire pour la liaison automatique des fils.
L'invention élimine les inconvénients ci-
dessus mentionnés en créant un bottier de semi-conduc-
teurs de faible coût, qui peut être conçu de manière à satisfaire aux exigences de la liaison automatique de fils métalliques0 Dans un mode de réalisation particulier, le bottier utilise une base en matériau céramique comprimé, comprenant une région de plage de soudage formée près de sa périnhérie. Un cadre à conducteurs comportant une
pluralité de conducteurs est soudé à la base et se termi-
ne dans la région de plage de soudage. Une géométrie de métallisation est formée sur la base pour connecter les conducteurs à la pastille par l'intermédiaire de moyens de liaison tels que des fils. Dans un mode de réalisation préféré, la géométrie de métallisation est imprimée par sérigraphie sur la base, de telle sorte nue les critères exigés pour la liaison automatique
des fils soient réalisés.
La conception de bottier suivant l'invention s'applique aussi bien à des bottiers "dual-in-line"l
(à deux rangées de pattes) qu'à d'autres formes de bot-
tier telles que les "flatpacksi (bottiers plats) et les
supports de microplaquettes.
Pour les supports de microplaquette sans con-
ducteurs, la structure de bottier comprend simplement une base en matériau céramique comprimé sur laquelle est
formée une géométrie de métallisation imprimée par séri-
graphie. La géométrie de métallisation est connectée à une pastille montée sur la base par l'intermédiaire
de moyens de liaison.
L'invention sera mieux comprise à la lecture
de la description détaillée qui suit et à l'examen du
dessin Joint qui en représente, à titre d'exemple non
limitatif, un mode de réalisation.
Sur ce dessin: la figure 1 est une vue en plan d'un bottier de semiconducteurs suivant l'invention; la figure 2 est une vue en élévation du bottier de semi-conducteurs représenté sur la figure 1; la figure 3 est une vue en coupe transversale du bottier de semi-conducteurs suivant la ligne 3-3 de la figure 1, et la figure 4 est une vue en perspective d'un angle du bottier de semi-conducteurs représenté sur les figures 1-3, vue qui montre un élément d'interconnexion amovible
26 ixterconnectant les conducteurs 24.
Les figures 1-3 représentent un bottier de semi-conducteurs à faible coût 10, qui comprend une base
en matériau céramique comprimé 12. La base 12 est com-
primée isostatiquement en une unique couche en utilisant une poudre de matériau céramique. La poudre de matériau céramique comprend environ 80 à 959% d'oxyde d'aluminium, de préférence de l'alumine à grains fins. L'alumine à grains fins permet une impression à haute définition sur
1e le matériau céramique comprimé.
La base 12 comprend des moyens permettant d'y fixer une pastille de semiconducteur 16. La figure 1 représente une région interne en retrait ou cavité de fixation de pastille 14, de préférence de configuration
rectangulaire, destinée à recevoir la pastille de semi-
conducteur 16. On peut métalliser la cavité de fixation de pastille 14 en utilisant une pellicule de métal précieux
ou noble pour assurer une faible résistance de contact.
Si. la cavité 14 est métallisée, alors elle est de préfé-
rence métallisée avec une pellicule épaisse imprimée ou déposée par points. On utilise une dimension de cavité
minimale pour de grands nombres de conducteurs.
Dans l'exemple représenté sur la figure 1,
une géométrie de métallisation 18 est imprimée par séri-
25. graphie sur la base en matériau céramique 12 en utili-
sant une encre métallique réfractaire. De préférence, la géométrie de métallisation 18 est formée en utilisant une
encre réfractaire-au molybdène.
La géométrie de métallisation 18 convient, aoirès nickelage comme décrit plus loin, pour former, à la fois, une région de plage de soudage 22 à la périphérie de la base 12 permettant de souder le cadre à conducteurs à celle-ci, et une configuration de doigts de liaison contiguë. Un moyen de liaison 28, de préférence du fil d'or ou d'aluminium, connecte la géométrie de métal1isation 18
à lO pastille 16. En conséquence, la géométrie de métal-
lisation 18 connecte les conducteurs 24 du cadre 20 à la
pastille 16 par l'intermédiaire du moyen de liaison 28.
Cette forme de bottier permet d'utiliser une multiplicité de configurations de pastille, chaque nou- velle configuration exigeant seulement le remplacement d'un écran d'impression peu coûteux. Cette simplicité
s'oppose avantageusement au réoutillage complet néces-
saire pour des cadres à conducteurs comportant des
doigts de liaison découpés.
Toutes les régions métalliques, à l'exception de celle qui est présente dans la cavitéde fixation
de pastille 14, sont nickelées et, de préférence, ni-
ckelées de façon non électrolytique. Le bottier 10 n'utilise donc aucun métal précieux ou noble dans les régions de liaison ou du cadre. La liaison des fils
s'effectue avec le nickel.
Le cadre à conducteurs simplifié 20 est pré-
formé et se termine dans la région de plage de soudage 22 à la périphérie de la base 12. Du fait que le cadre à conducteurs 20 ne comprend pas de doigts de liaison comme les dispositifs de la technique antérieure mais est fixé à la pastille 16 par l'intermédiaire de la géométrie de métallisation 18, un outillage très simplifié peut 4tre utilisé pour fabriquer le cadre 20. Un seul modèle de poinçon peut être utilisé pour tous les conducteurs
24. En outre, la conception simplifiée permet l'utilisa-
tion du même poinçon pour tous les nombres de conduc-
teurs. Le cadre à conducteurs 20 est soudé à la base en matériau céramique 12 à une température notablement plus élevée que celle qui est utilisée lors des opérations de
fabrication ultérieures. Cela évite un déplacement du ca-
dre 20 au cours des opérations ultérieures. On obtient une grande densité en espaçant les bornes des conducteurs
d'environ 0,125 mm d'axe en axe.
Comme représenté sur la figure 4, dans certaines
applications, en particulier dans les applications uti-
lisant des bornes de conducteurs à forte densité, l'alignement du cadre et le-positionnement relatif des conducteurs peuvent être assurés au moyen d'un élément d'interconnexion 26, qu'on supprime une fois que les conducteurs 24 du cadre 20 ont été soudés à la base en matériau céramique 12. L'élément d'interconnexion 26 est incisé ou perforé, ou muni d'une autre manière de moyens facilitant son élimination après le soudage
des conducteurs 24 à la base 12.
Dans un mode de réalisation préféré destiné à satisfaire aux exigences de la liaison automatique des
fils, les critères de précision suivants sont respec-
tés: la géométrie de métallisation 18 a une largeur de doigts de liaison minimale de 0,35 mm; l'emplacement des doigts de liaison est situé à moins de + 25 microns d'une position vraie sur les axes X, Y et Q; et la planéité suivant l'axe Z est comprise dans une enveloppe de
microns.
Un joint (non représenté) est appliqué sur la
cavité réceptrice de pastille 14 dans laquelle la pas-
tille de semi-conducteur 16 a été fixée. Ce joint
peut être soit en époxyde, soit en verre fritté capa-
ble d'assurer une étanchéité dans une atmosphère neutre.
Une atmosphère neutre évite une oxydation du nickel.
Si l'on utilise une pellicule d'époxyde, celle-ci est
polymérisée à de basses températures.
Selon une variante, on peut utiliser un joint en
polyamide organique, capable de supporter des températu-
res de plus de 5001C. Le joint en polyamide est non con-
ducteur. Un joint soudé métallique final (non représenté) peut également être utilisé. On applique ce joint final en imprimant tout d'abord Dar sérigraphie une mince
couche d'alumine de 75 à 125 microns sur les traces ex-
posées. Puis, la couche d'alumine est cuite. Une ba-
gue d'étanchéité métallisée est alors imprimée par sé-
rigraphie sur l'alumine cuite. Le joint métallique
est ensuite réalisé sur la bague métallique.
Bien que le mode de réalisation décrit ci-
dessus soit celui d'une configuration "dual-in-line", le concept de l'invention s'applique également bien à
d'autres formes de bottier tels qu'un "flat-pack", un sup-
port de microplaquette à conducteurs ou un support de microplaquettes sans conducteurs. Dans le cas du support de microplaquette à conducteurs, les bornes peuvent être soit préformées, soit formées après coup, de manière à se conformer à une empreinte JEDEC standard. Dans le cas
du support de microplaquette sans conducteurs, la con-
figuration du bottier comprend simplement une base en matériau céramique comprimé sur laquelle et formée
une géométrie de métallisation. La géométrie de métal-
lisation est connectée à une pastille montée sur la ba-
se par l'intermédiaire de moyens de liaison.
Les avantages principaux du bottier de semi-
conducteurs décrit ici sont son coût unitaire compétitif et le fait que sa conception satisfait aux exigences de la liaison automatique de fils. La simplicité du cadre à conducteurs permet une souplesse de modification de construction avec un coût d'outillage minimal. En outre,
sa conception compacte permet une forte densité d'emboita-
ge.
Bien entendu, l'invention n'est nullement limi-
tée au mode de réalisation particulier représenté et dé-
crit; elle est susceptible de nombreuses variantes sans qu'on s'écarte pour cela de l'esprit ni du domaine de l'invention.
Claims (13)
1 - Bottier pour dispositifs semi-conducteurs,
caractérisé en ce qu'il comporte: une base en maté-
riau céramique comprenant des moyens permettant d'y fixer une pastille de semi-conducteur, ladite base présentant une région de plage de soudage formée au voisinage de sa périphérie; un cadre à conducteurs comprenant une pluralité de conducteurs, ceux-ci étant soudés sur ladite base et se terminant dans ladite
région de plage de soudage; et une géométrie de métal-
lisation formée sur ladite base pour connecter lesdits conducteurs à ladite pastille par l'intermédiaire
de moyens de liaison.
2 - Bottier suivant la revendication 1, ca-
ractérisé en ce qu'il constitue un bottier "dual-in-
line" (à deux rangées de pattes).
3 - Bottier suivant la revendication 1, ca-
ractérisé en ce qu'il constitue un suuport de micropla-
quette à conducteurs.
4 - Bottier suivant la revendication 1, ca-
ractérisé en ce que ladite base en matériau céramique est comprimée en une unique couche en utilisant une poudre de matériau céramique comprenant environ 80
à 95%/o d'oxyde d'alumînium.
- Bottier suivant la revendication 4, ca-
ractérisé en ce que ledit oxyde d'aluminium est de l'a-
lumine à grains fins.
6 - Bottier suivant la revendication 1, ca-
ractérisé en ce que ladite géométrie de métallisation
est formée d'une encre métallique réfractaire.
7 - Bottier suivant la revendication 6, ca-
ractérisé en ce que ladite encre métallique réfractaire
est une encre réfractaire au molybdène.
8 - Bottier suivant la revendication 6, carac-
téris4 en ce que ladite encre métallicue réfractaire est
revêtue d'un matériau métallique nouvant se lier.
9 - Bottier suivant la revendication 8, ca-
ractérisé en ce que ledit matériau métallique pouvant se lier est du nickel.
- Bottier suivant la revendication 9, ca-
ractérisé en ce que ledit nickel est du nickel non électrolytique.
11 - Bottier suivant la revendication 1, ca-
ractérisé en ce que le cadre à conducteurs comprend un
élément d'interconnexion amovible disposé entre les-
dits conducteurs pour interconnecter ceux-ci pendant le
soudage dudit cadre à ladite base.
12 - Bottier suivant la revendication 1, ca-
ractérisé en ce que ladite géométrie de métallisation
a une largeur de doigts de liaison minimale de 0,35 mm.
13 - Bottier suivant la revendication 12, caractérisé en ce que l'emplacement des doigts de liaison est situé à moins de + 25 microns d'une position vraie
sur les axes X, Y et e.
14 - Bottier suivant la revendication 13, caractérisé en ce cue l'axe Z desdits doigts de liaison
est contenu dans une envelopDe de 25 microns.
- Bottier suivant la revendication 14, caractérisé en ce que lesdits conducteurs sont esDaces
d'environ 0,125 mm d'axe en axe.
16 - Supoort de microplaquette sans conducteurs, caractérisé en ce au'il comprend: une base en matériau ceramiiue comprenant des movens Dermettant d'y fixer une
pastille de semi-conducteur; et une géom'trie de métal-
lisation formée sur ladite base pour connecter lesdits conducteurs à ladite base per l'intermédiaire de moyens
de liaison.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16545780A | 1980-07-02 | 1980-07-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2486307A1 true FR2486307A1 (fr) | 1982-01-08 |
Family
ID=22598970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8112378A Pending FR2486307A1 (fr) | 1980-07-02 | 1981-06-24 | Embase du genre boitier ou support pour microplaquette a semi-conducteurs |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5745263A (fr) |
| DE (1) | DE3123844A1 (fr) |
| FR (1) | FR2486307A1 (fr) |
| GB (1) | GB2079534A (fr) |
| IT (1) | IT8167917A0 (fr) |
| NL (1) | NL8102871A (fr) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0116117B1 (fr) * | 1982-10-21 | 1989-06-14 | Abbott Laboratories | Procédé pour installer des connexions électriques sur un dispositif semi-conducteur |
| US4547795A (en) * | 1983-03-24 | 1985-10-15 | Bourns, Inc. | Leadless chip carrier with frangible shorting bars |
| JPS6263455A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-20 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPS6422043U (fr) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | ||
| WO1989008324A1 (fr) * | 1988-02-29 | 1989-09-08 | Digital Equipment Corporation | Alignement des fils conducteurs dans des boitiers de circuits integres en ceramique |
| US4987475A (en) * | 1988-02-29 | 1991-01-22 | Digital Equipment Corporation | Alignment of leads for ceramic integrated circuit packages |
| FR2750798B1 (fr) * | 1996-07-02 | 1998-11-06 | Sgs Thomson Microelectronics | Boitier a faible cout pour circuits integres fabriques en petite quantite |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2022698A1 (fr) * | 1968-11-06 | 1970-08-06 | Olivetti & Co Spa | |
| FR2033678A5 (fr) * | 1969-03-03 | 1970-12-04 | North American Rockwell | |
| DE2047458A1 (de) * | 1969-09-29 | 1971-04-08 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Selbstjustierender Kontaktierungs rahmen |
| FR2149350A1 (fr) * | 1971-08-19 | 1973-03-30 | Globe Union Inc |
-
1981
- 1981-04-01 GB GB8110198A patent/GB2079534A/en not_active Withdrawn
- 1981-06-15 NL NL8102871A patent/NL8102871A/nl not_active Application Discontinuation
- 1981-06-16 DE DE19813123844 patent/DE3123844A1/de not_active Withdrawn
- 1981-06-24 FR FR8112378A patent/FR2486307A1/fr active Pending
- 1981-07-01 IT IT8167917A patent/IT8167917A0/it unknown
- 1981-07-02 JP JP56102356A patent/JPS5745263A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2022698A1 (fr) * | 1968-11-06 | 1970-08-06 | Olivetti & Co Spa | |
| FR2033678A5 (fr) * | 1969-03-03 | 1970-12-04 | North American Rockwell | |
| DE2047458A1 (de) * | 1969-09-29 | 1971-04-08 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Selbstjustierender Kontaktierungs rahmen |
| FR2149350A1 (fr) * | 1971-08-19 | 1973-03-30 | Globe Union Inc |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT8167917A0 (it) | 1981-07-01 |
| DE3123844A1 (de) | 1982-04-08 |
| NL8102871A (nl) | 1982-02-01 |
| JPS5745263A (en) | 1982-03-15 |
| GB2079534A (en) | 1982-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW419761B (en) | Chip size package and method of fabricating the same | |
| US5315486A (en) | Hermetically packaged HDI electronic system | |
| US4700276A (en) | Ultra high density pad array chip carrier | |
| US4608592A (en) | Semiconductor device provided with a package for a semiconductor element having a plurality of electrodes to be applied with substantially same voltage | |
| JP3689696B2 (ja) | チップパッケージの製造方法 | |
| JP3011233B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその半導体実装構造 | |
| US5773888A (en) | Semiconductor device having a bump electrode connected to an inner lead | |
| US11152320B2 (en) | Semiconductor package structure and method of the same | |
| EP0226480B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un microboîtier, microboîtier à contacts effleurants, et application aux cartes contenant des composants | |
| CN106688091A (zh) | 布线基板、电子装置以及电子模块 | |
| US6050476A (en) | Reworkable microelectronic multi-chip module | |
| FR2486307A1 (fr) | Embase du genre boitier ou support pour microplaquette a semi-conducteurs | |
| FR2479564A1 (fr) | Boitier d'encapsulation pour module de puissance en circuit hybride | |
| US20060225269A1 (en) | Device and method for manufacturing the same | |
| EP0321326B1 (fr) | Procédé de mise en place sur un support, d'un composant électronique, muni de ses contacts | |
| JPH06501816A (ja) | 合成ハイブリッド半導体ストラクチャ | |
| US4857988A (en) | Leadless ceramic chip carrier | |
| US20080116546A1 (en) | Lead frame unit, semiconductor package having a lead frame unit, stacked semiconductor package having a semiconductor package and methods of manufacturing the same | |
| FR2693031A1 (fr) | Dispositif à semiconducteurs, substrat et cadre de montage pour ce dispositif. | |
| EP1252804B1 (fr) | Module de radiocommunication se presentant sous la forme d'un macro composant electronique, structure d'interposition et procede de report sur une carte-mere correspondants | |
| EP0079265A1 (fr) | Procédé de réalisation d'un socle pour le montage d'une pastille semiconductrice sur l'embase d'un boîtier d'encapsulation | |
| FR2629667A1 (fr) | Dispositif a circuit imprime | |
| JPS5821847A (ja) | 電子部品取付用構成体の製造方法 | |
| JP3210835B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| US5045639A (en) | Pin grid array package |