FR2483705A1 - Etage amplificateur symetrique a transistors - Google Patents

Abstract

L'INVENTION PROCURE UN ETAGE AMPLIFICATEUR DE TYPE DE CLASSEB AMELIORE COMPORTANT UN PREMIER T ET UN SECOND T TRANSISTOR DE SORTIE D'UN PREMIER TYPE DE CONDUCTION POURVUS CHACUN D'UNE BOUCLE DE REGLAGE M, R, C, ET T POUR LA COMMANDE EN OPPOSITION DE PHASE DU DEUXIEME TRANSISTOR T EN FONCTION DE L'ETAT DU PREMIER TRANSISTOR T. CETTE BOUCLE DE REGLAGE M, R, C ET T EST CONCUE DE MANIERE TELLE QU'UN REGLAGE DE COURANT DE REPOS STABLE EST OBTENU ET QUE L'INFLUENCE DE PROPRIETES MEDIOCRES EN HAUTES FREQUENCES D'UN TROISIEME TRANSISTOR T NECESSAIREMENT CONNECTE DANS LA BOUCLE DE REGLAGE ET D'UN TYPE DE CONDUCTION OPPOSE A CELUI DU PREMIER PUISSE ETRE ANNULEE, CE QUI PERMET DE REALISER UN GRAND DOMAINE DE FREQUENCES. DES MOYENS SONT EN OUTRE PREVUS DANS L'ETAGE FINAL POUR GARANTIR UNE IMPEDANCE D'ENTREE ELEVEE CONSTANTE. APPLICATION: AMPLIFICATION DE SIGNAUX ANALOGUES.

Description

"Etage amplificateur symétrique à transistors" La présente invention

concerne un étage amplificateur symétrique à transistors presentant une borne d'entrée, une

borne de sortie0 une premiere et une deuxième bornes d'ali-

mentation, lequel étage amplificateur comprenant:

- un premier transistor d'un premier type de conduc-

tion monté en collecteur commun, dont le collecteur est cou-

plé & la première borne d 'alimentation, l'émetteur à la borne de sortie et la base à la borne d'entrée,

- un deuxième transistor du premier type de condue-

i0 tion, montée en emetteur commun0 dont l'émetteur est couplé a la borne d'alimentation0 un troisième transistor d'un second type de conduc= tion opposé au premiere moneté en base communes et

- un premier parcours de signaux qui comporte le tra-

jet émetteur-collecteur du troisième transistor et qui sextà commander le deuxième transistor en fonction de l'état du

premier transistor.

- Une première jonction semi-conductrice comportant

une première et une seconde électrode et située dans le par-

cours de courant principal de collecteur du deuxième transis-

tor, sa première électrode étant couplée à la borne de sortie et à l'émetteur du premier transistorde telle sorte que0 vu a partir de la borne de sortie, le sens direct de la première jonction semi-conductrice est opposé au sens direct de la jonction base-émetteur du premier transistor, et sa seconde électrode étant couplée au collecteur du deuxième transistor, Un étage amplificateur svtrique encore connu sous le nom de push-pull tel que mentionné plus haut est décrit dans: "Electronics Letters", volume 100 n 15 du 25 Juillet 1974, pages 317, 318 et 319o Dans ce montage, pour pouvoir commander le deuxième transistor d'une manière adéquate, une diode est prévue dans le circuit de collecteur du premier transistor, branchée dans le sens passant. La tension sur cette diode, qui est une mesure du courant passant par le premier transistor, est convertie en un courant de commande par l'intermédieire d'un troisième transistor fonctionnant en base commune, et d'un type de conduction opposé à celui des premier et deuxième

transisors. Ce courant de commande est en opposition de pha-

se avec le signal d'entrée, et est amené à la base du deu-

xième transistor. Dès lors, le courant passant par le deu-

xième transistor sera opposé en phase à celui passant par

le premier transistor.

Pour un étage amplificateur symétrique intégré du

type indiqué, on utilise d'une manière générale des transis-

tors npn verticaux comme premier et deuxième transistors,

tandis qu'on est forcé d'utiliser un transistor pnp horizon-

tal comme troisième transistor, celui-ci, comme on le sait,

possédant des propriétés médiocres aux hautes fréquences.

Dans ce circuit, pour pouvoir éliminer quelque peu l'influ-

ence de ces propriétés médiocres en hautes fréquences, il est à conseiller de ponter le trajet émetteur-collecteur du troisième transistor par un montage en série d'une résistance

et d'un condensateur. La tension du signal présent sur l'émet-

teur du troisième transistor est cependant trop faible pour

permettre de commander le deuxième transistor par l'inter-

médiaire du montage en série de la résistance et du conden-

sateur, de sorte que la largeur de bande et le domaine de

commande sont très limités pour les hautes fréquences.

L'asymétrie du circuit de mesure dans le circuit de collecteur du premier transistor et la commande du deuxième transistor par l'intermédiaire d'une résistance parallèle à sa jonction base-émetteur entraînent une dépendance notable

de la température du réglage du courant de repos et une non-

linéarité dans le transfert. De plus, l'impédance d'entrée

3. de ce circuit dépend fortement de la valeur du signal d'entrée.

L'invention vise à procurer un étage amplificateur

symétrique du type mentionné plus haut qui présente une meil-

leure linéarité, une plus grande 'Largeur de bande et un ré-

glage du courant de repos indépendant de la température et

qui offre la possibilité, éventuellement par un développe-

ment limité, de rendre l'impédance d'entreé à peu près indé-

pendante deiavaleur du Lgnal d'entrée.

L'invention est caractérisé en cc que l'étage ampli-

ficateur symétrique comporte, en outre

- un circut de mesure comportant au moins la jonc-

tion base-émetteur d'un quatrième transistor du premier type de conduction, circuit de mesure qui est connecté entre la

base du premier transistor et la seconb électrode de la pre-

mière jonction semi-conductrice pour produireun courant de

commande qui est dérivé de la tension entre la base du pre-

mier transistor et la seconde électrode de la première jonc-

tion semi-conductrice et pour amener ce courant de commande à la base du deuxième transistor, en opposition de phase

avec le signal d'entrée, par l'intermédiaire du premier par-

cours de signaux, - une première impédance dans le premier parcours de

signaux dont une connexion est couplée à l'émetteur du troi-

sième transistor, - des premiers moyens pour permettre le pontage d'une

partie du premier parcours de signaux qui comporte la pre-

mière impédance et le trajet émetteur-collecter du troi-

sième transistor, à l'aide d'une deuxième impédance adéqua-

te laissant passer au moins des signaux à fréquences relat-

tivement élevées, de sorte que, au cas o le troisième tran-

sistor fonctionnerait de façon médiocre à haute fréquence,

on obtient quand même un bon fonctionnement de l'étage ampli-

ficateur aux hautes fréquences.

En plaçant conformément à l'invention, dans le cir-

cuit de collecteur du deuxième transistor, une diode de

mesure qui est connectée en série avec la jonction base-

émetteur du premier transistor et en dérivant le courant de commande pour le deuxième transistor au moyen d'un circuit de mesure qui est connecté aux bornes du montage en série de la diode de mesure et de la jonction base-émetteur du premier transistor, on peut faire en sorte que ce courant de commande dépende tant du courant passant par le premier que

de celui passant par le deuxième transis-

tor. Le courant de commande comporte ainsi un facteur qui par l'intermédiaire du premier parcours de signaux et du deuxième transistor, dépend à nouveau du courant de commande lui-même. Etant donné que le troisième transistor assure

l'inversion du signe de variation dans le courant de comman-

de, il s'agit donc d'une contre-réaction qui, comme telle, a un effet stabilisateur sur le réglage du courant de repos et sur la répartition du courant entre le premier et le deuxième transistor. Ce-dernier phénomène donne un passage

graduel au croisement.

Un autre avantage réside dans le fait que, par le dé-

placement du circuit de mesure vers la sortie du montage,

une différence de potentiel sépare alors le circuit de me-

sure et la première borne d'alimentation, de sorte qu'il

devient possible au moyen de la première impédance (de pré-

férence une résistance) de produire la tension de signal

nécessaire pour commander le deuxième transistor par l'in-

termédiaire de la deuxième impédance (de préférence un con-

densateur). Il est avantageux de réaliser l'étage amplificateur symétrique conforme à l'invention d'une manière telle que le circuit de mesure comporte un montage en série d'une deuxième jonction semi- conductrice ayant une première et une deuxième électrodes, avec la jonction base-émetteur d'un quatrième transistor du premier type de conduction, tous deux connectés en sens passant, le courant de commande

étant prélevé au collecteur du quatrième transistor.

On obtient ainsi un réglage de classe B au moyen des deux jonctions semiconductrices dans le circuit de mesure et le signal de commande du deuxième transistor devient

disponible sous une forte impédance au collecteur du qua-

trième transistor.

Il est également avantageux de réaliser l'étage am-

plificateur conforme à l'invention d'une manière telle que

le collecteur du quatrième transistor soit couplé par l'in-

termédiaire de la première impédance à l'émetteur du troi-

sième transistor et que l'émetteur du troisième transistor

24837O5

soit couplé à la première borne d'alimentation par l'inter-

médiaire d'un premier montage d'impédance, de préférence un

montage de source de courant.

L'inversion de phase du courant de commande nécessai-

re pour le fonctionnement en classe B est ainsi réalisé

d'une manière simple.

Un examen plus détaillé des possibilités de réalisa-

tion montre qu'en ce qui concerne l'agencement des éléments dans le circuit de mesure, deux réalisations sont possibles en première analyse, la première étant caractérisée en ce que la base du quatrième transistor est couplée à la base du premier, la première électrode de la deuxième jonction semi-conductrice est couplée à l'émetteur du quatrième transistor et la deuxième électrode de la deuxième jonction semi- conductrice est couplée à la deuxième électrode de la

première jonction semi-conductrice, et la seconde étant ca-

ractérisée en ce que l'émetteur du quatrième transistor est couplé à la deuxième électrode de la première jonction semi-conductrice, la première électrode de la deuxième jonction semi-conductrice est couplée à la base du premier transistor et la deuxième électrode de la deuxième jonction

semi-conductrice est couplée à la base du quatrième tran-

sistor.

Un autre inconvénient de l'étage amplificateur symé-

trique précité, décrit dans "Electronics Letters" réside dans le fait que l'impédance d'entrée dépend fortement de la valeur du signal d'entrée. Ceci est provoqué par le fait que lorsque le premier transistor fournit le courant de

charge à la borne de sortie, une seule jonction semi-con-

ductrice amplifiant le courant se trouve entre cette borne

et la borne d'entrée, tandis que lorsque le deuxième tran-

sistor fournit le courant de charge, deux Jonctions semi-

conductrices amplifiant le courant sont présentes, à savoir

celles du premier et du deuxième transistors dans le par-

cours de signaux allant du point de connexion d'entrée vers

le point de connexion de sortie, ce qui entraîne que l'im-

pédance d'entrée dans ce dernier cas est multipliée par un facteur de l'ordre-de ? (t.est le facteur d'amplification de courant des transistors du premier type de conduction), par rapport à sa valeur dans le cas o le premier transistor fournit le courant de charge.

L'invention vise d'une manière plus spécifique à pro-

curer un étage amplificateur symétrique présentant une ou

plusieurs des caractéristiques précitées qui a une impédan-

ce d'entrée à peu près indépendante de la valeur du signal d'entrée et qui est à cet effet caractérisé en ce qu'il

comporte un cinquième transistor du premier type de conduc-

tion monté en collecteur commun, qui est placé dans le cir-

cuit de base du premier transistor et est connecté d'une manière telle que, en allant de la borne d'entrée vers la

borne de sortie par l'intermédiaire de la jonction base-

émetteur du cinquième et du premier transistors ou par l'in-

termédiaire du circuit de mesure ou d'une partie de celui-

ci et de la première jonction semi-conductrice, on parcourt effectivement toujours un circuit comportant le même nombre de jonctions semiconductrices actives amplificatrices de

courant ou leurs équivalents.

Une forme d'exécution préférée de l'invention pré-

sentant la caractéristique précitée est en outre caractéri-

sée en ce que cet étage amplificateur symétrique comporte encore: - un sixième transistor du premier type de conduction dont la base est couplée à la borne d'entrée, l'émetteur, par l'intermédiaire d'un premier point de jonction, est couplé à la base du quatrième transistor et le collecteur est couplé à l'émetteur du cinquième transistor et à la base du premier transistor, - un deuxième montage d'impédance, de préférence un montage de source de courant, qui est connecté entre la

base du cinquième transistor et la première borne d'alimen-

tation, - un troisième montage d'impédance, de préférence un montage de source de courant, qui est connecté entre le

premier point de jonction et la seconde borne d'alimenta-

tion, et - une troisième jonction semi-conductrice, qui est

connectée en série avec la deuxième jonction semi-conduc-

trice entre la base du cinquième transistor et le premier point de jonction, la deuxième et la troisième jonction semi-conductrice étant connectées dans le sens passant, alors qu'en outre, - le collecteur du cinquième transistor est couplé à la première borne d'alimentation et l'émetteur du quatrième transistor est couplé à la deuxième électrode de la seconde

jonction semi-conductrice.

De plus, cette forme d'exécution préférée a encore comme avantage que du fait que le collecteur du sixième transistor porte à peu près le même signal que sa base,

l'influence de la capacité de "Miller" est fortement dimi-

nuée, avec pour conséquence de meilleures propriétés aux

hautes fréquences lors de la commande de l'étage amplifica-

teur à partir d'une source de signaux à haute impédance, - et que la source principale du sixième transistor

parcourt également le trajet de courant principal du cin-

quième transistor, ce qui permet d'économiser un montage

de source de courant.

L'invention sera décrite ci-après plus en détail avec référence aux dessins annexés, dans lesquels: - la figure 1 est le schéma d'un étage amplificateur symétrique connu comportant deux transistors de sortie npn; - la figure. 2 est le schéma d'une forme d'exécution

préférée d'un étage amplificateur symétrique conforme à l'in-

vention - la figure 3 illustre une variante du schéma de la figure 2, et la figure 4 illustre une forme d'exécution préférée d'un étage amplificateur symétrique conforme à l'invention comportant une impédance d'entrée à peu près indépendante

de la valeur du signal d'entrée.

Dans les diverses figures, le transistor T et le i I transistor T2 sont les deux transistors de sortie npn d'un étage amplificateur symétrique (encore appelé push-pull),

le transistor T1 étant monté en collecteur commun. Le col-

lecteur du transistor T1 est connecté à la borne d'alimen-

tation positive 5 et sa base est connectée à l'entrée 3.

L'émetteur du transistor T2 est connecté à la borne d'ali-

mentation négative 10.

Le transistor T1 est utilisé comme émetteur suiveur pour le signal d'entrée et le transistor T2 comme source de courant commandée par un courant qui dépend de l'état du transistor T1 et qui est amené par l'intermédiaire du

transistor pnp T3 à la base du transistor T2.

Une technique connue pour dériver le courant de com-

mande est présentée dans l'article précité de "Electronics

Letters" et est représentée sur la figure 1.

Dans le montage en question, le collecteur du tran-

sistor T1 est couplé à la borne d'alimentation positive par l'intermédiaire du transistor pnp T7 qui est monté en diode dans le sens passant. L'émetteur du transistor T3 est connecté à la base et au collecteur du transistor T7,

au collecteur du transistor T1 et à la borne 4. Le collec-

teur du transistor T3 est couplé à la borne d'alimentation négative 10 par l'intermédiaire de la résistance R12 et est en outre connecté à la base du transistor T2 et au point de connexion 7. La base du transistor T3 est connectée à la borne d'alimentation négative 10 par l'intermédiaire de

la résistance Ril ainsi qu'à la borne d'alimentation positi-

ve 5 par l'intermédiaire d'un montage en série des transis-

tors pnp T8 et T9 montés en diodes, de sorte que ces deux transistors sont branchés dans le sens passant. La base du transistor T3 est ainsi maintenue à un potentiel à peu

près constant par rapport à la borne d'alimentation positi-

ve 5. On suppose que la tension à l'entrée 3 diminue, de -sorte que, lors du passage au croisement (cross-over) le courant de collecteur du transistor T1 est donc aussi la 2Ä483?O5 tension aux bornes du transistor T7 diminuent, à la suite de quoi la tension aux bornes de la jonction base-émetteur du transistor T3 augmente, ce qui entraîne un courant de commande croissant pour le transistor T2 qui fournit alors le courant de charge et, en outre, suffisamment de courant à l'émetteur du transistor T1 pour que ce dernier reste

légèrement en conduction, ce qui est détecté par le tran-

sistor T70 La boucle de signaux qui contient les transistors T1,

T7, T3 et T2 doit être considérée comme une boucle de ré-

glage qui assure le maintien en conduction du transistor T1.

A cause du transistor pnp T3 dont la structure horizontale est difficile à éviter, cette boucle de réglage semble avoir des propriétés médiocres en hautezfréquencs, ce qui limite la largeur de bande, et représente un inconvénient difficile à réduire. La présence d'un montage en série d'une résistance R13 et d'un condensateur C1 entre les bornes 4 et 7, comme conseillé dans l'article publié dans

"Electronics Letters", n'apporte pas beaucoup d'améliora-

tions parce que l'émetteur du transistor T3 porte une ten-

sion de signaux trop faible pour pouvoir commander le tran-

sistor T2 aux haites fréquences par l'intermédiaire du dit

montage en série d'une résistance et d'un condensateur.

Pour de basses fréquences, le pilotage du transistor T2 s'effectue par ailleurs simplement par l'intermédiaire du

transistor T1.

A titre d'autres inconvénients, il convient de noter

la non-linéarité du transfert et la dépendance de la tempé-

rature sur la valeur du courant de repos qui résultent de la conception asymétrique du circuit de mesure formé des

transistors T3, T7, T8 et T9 et de la présence de la résis-

tance R12' La figure 2 illustre une forme d'exécution préférée

d'un étage amplificateur symétrique conforme à l'invention.

Dans ce cas, le collecteur du transistor T1 est connecté à la borne d'alimentation positive 5, sa base est connectée

a l'entrée 3 et son émetteur à la sortie 1.

L'émetteur du transistor T2 es. connecté à la borne d'alimentation négative 10. Entre l'émetteur du transistor

T1 et le collecteur du transistor T2 est prévu le transis-

tor npn D1 monté en diode dans le sens passant de telle sorte que la connexion base-collecteur commune du transistor D1 soit connectée à l'émetteur du transistor T1 et que l'émetteur du transistor D1 soit connecté au collecteur du

transistor T2.

Le circuit de mesure M de la figure 2, indiqué par une ligne pointillée, est formé du transistor npn D2 monté en

diode et de la jonction base-émetteur du transistor npn T4.

L'émetteur du transistor D2 est connecté à l'émetteur du transistor T 1'

L'émetteur du transistor T4 est connecté à la conne-

xion de base-collecteur commune du transistor D2et sa base

à la base du transistor T1.

L'émetteur du transistor T3 est couplé par l'inter-

médiaire de la résistance R1 au collecteur du transistor T4 et par l'intermédiaire du montage de source de courant SB1 à la borne d'alimentation positive 5 et sa base est connectée à une tension constante Vref' Le collecteur du transistor T3 est connecté à la base du transistor T2 et, par l'intermédiaire du montage de source de courant SB2, à la borne d'alimentation négative 10. Il est à noter que le montage de source de courant SB1

peut aussi être connecté entre la borne d'alimentation posi-

tive 5 et l'émetteur du transistor T3. La borne 6 est con-

nectée au collecteur du transistor T4 et la borne 7 au col-

lecteur du transistor T3.-

Le montage fonctionne de la manière suivante Le circuit de mesure M, indiqué en pointillés sur la figure 2, formé de la jonction base-émetteur du transistor T4 et du transistor D2 monté en diode, détermine à partir de la tension entre la base du transistor T1 et l'émetteur du transistor D1, le courant de commande Is qui devient

disponible, sous une impédance élevée, à partir du collec-

teur du transistor T4 et qui, moyennant un certain nombre d'opérations qui seront décrites plus loin, est amené, par l'intermédiaire du premier parcours de signaux, à la base du transistor T2. L'inversion de phase du courant de com-

mande 1s est obtenue par soustraction de ce courant de com-

mande au courant I1 fourni par le montage de source de

courant SB1 et par amenée du courant de différence Iv, résul-

tant, à l'émetteur du transistor T3. Ledit courant de diffé-

rence Iv est, moyennant la perte d'une fraction qui, en grandeur, est égale au courant de base IB3 du transistor T3, amené à la base du transistor T2 par l'intermédiaire du

trajet émetteur-collecteur du transistor T3 et après sous-

traction du courant 12 fourni par le montage de source de courant SB2. Le réglage de classe B connu est obtenu par le

fait que, étant donné le fonctionnement de la boucle de ré-

glage formée du circuit de mesure, du premier parcours de signaux et du transistor T2, la somme des tensions passant par la jonction baseémetteur du transistor T' et par le transistor D1 monté en diode, est maintenue à peu près constante, de sorte que le réglage du courant de repos est principalement déterminé par la grandeur des courants I1 ou I2 fournis respectivement par les montages de source de

courant SB1 et SB2.

La suppression de l'influence des propriétés médiocres en hautes fréquences du transistor pnp horizontal T3 peut être assurée avec succès par le montage du condensateur C2 entre les bornes 6 et 7, moyennant quoi, pour les hautes

fréquences, la résistance R1 et le transistor T3 sont pon-

tés. Etant donné que la tension de signal produite sur la résistance R1 par le courant de commande I est suffisante

pour commander le transistor T2 par l'intermédiaire du con-

densateur C2, le montage fonctionne également convenablement

aux hautes fréquences.

La figure 3 illustre une variante du schéma de la fi-

gure 2. Dans cette variante, le circuit de mesure M est à nouveau indiqué par une ligne pointillée. La connexion de base-collecteur commune du transistor D2 est connectée à la

base du transistor T1 et à l'entrée 3. L'émetteur du tran-

sistor D2 est connecté à la base du transistor T4 et l'é-

metteur du transistor T4 est connecté à l'émeteur du tran-

sistor D1. Il est à conseiller, dans cette variante, d'ajou-

ter une source de courant SB4, comme indiqué en traits poin- tillés sur la figure 3, afin de laisser passer suffisamment - de courant de repos dans l'étage final. Par ailleurs, la

conception et le fonctionnement de ce montage sont les mê-

mes que ceux de la figure 3. Les propriétés ne diffèrent qu'en ce qui concerne l'impédance d'entrée qui, pour ce montage, est un peu plus faible que celle du montage de la figure 2. L'apport de l'impédance du transistor D2 connecté comme diode à l'impédance d'entrée de l'étage amplificateur symétrique, est, pour le montage de la figure 2, en effet environ g fois plus important que dans la variante de la

figure 3.

La figure 4 illustre une forme d'exécution préférée d'un étage amplificateur symétrique conforme à l'invention présentant une impédance d'entrée à peu près indépendante

de la valeur du signal d'entrée. Par rapport à l'étage am-

plificateur de la figure 3, le montage comporte en complé-

ment, les transistors npn T5 et T6, le transistor npn con-

necté en diode D3 et les montages de source de courant

SB3 et SB4. La base du transistor T6 est connectée à l'en-

trée 3, l'émetteur est connecté par l'intermédiaire du point de jonction 11 à la base du transistor T4 et le collecteur est connecté à l'émetteur du transistor T5 et

à la base du transistor T1.

* Le collecteur du transistor T5 est connecté à la borne d'alimentation positive 5 et la base est couplée par l'intermédiaire du montage de source de courant SB3 à la

borne d'alimentation positive 5.

Le point de jonction 11 est connecté par l'intermé-

diaire du montage de source de courant SB4 à la borne d'alimentation négative 10 et un montage en série des transistors D2 et D3 connectés comme diodes est connecté entre la base du transistor T5 et le point de jonction Il d'une manière telle qu'ils soient connectés dans le sens passant. Dans cette forme d'exécution préférée d'un étage am- plificateur symétrique conforme à l'invention, un parcours de signaux entre l'entrée 3 et la base du transistor T1 est

formé par.

- la jonction base-émetteur du transistor T6, les transistors connectés en diodes D1 et D et la jonction base-émetteur du transistor T5 Le circuit de mesure M indiqué à la figure 4 par une ligne pointillée, comporte v

la jonction base-émetteur du transistor Ta, les tran-

sistors connectés comme diodes D2 et D3 et la jonction base-émetteur du transistor T50 En dehors des avantages qu'offrent aussi les montages représentés sur les figures 2 et 3, la forme d'exécution préférée ici décrite a comme avantage le plus important, à cause de l'émetteur suiveur d'entrée, le transistor T6, le fait que l'impédance d'entrée est élevée, et à peu près indépendante de la valeur du signal d'entrée. En effet, à partir de l'entrée 3 vers la sortie 1 selon le parcours

de signaux formé par la jonction base-émetteur du transis-

tor T6, la jonction base-émetteur du transistor T4 et le

transistor D1 connecté en diode, deux jonctions semi-

conductrices amplifiant le courant et un de leurs équiva-

lents sont parcourus, tandis que selon le parcours de si-

gnaux formé par la jonction base-émetteur du transistor

T6, les transistors connectés en diodes D2 et D3, la jonc-

tion base-émetteur du transistor T5 et la jonction base-

émetteur du transistor T1, trois jonctions semi-conductri-

ces amplifiant le courant sont parcourues. Il est à noter à ce sujet que le transistor D est parcouru par le courant de signal amplifié par l'intermédiaire du transistor T1 à la suite de quoi le transistor D] se comporte, en ce qui concerne l'impédance, comme une jonction semiconductrice amplifiant le courant et de ce point de vue, il y est donc équivalent. Un autre avantage réside dans le fait que la capacité d'entrée du montage est fortement réduite par compensation de l'influence de la capacité de "Miller" CM du transistor T6, ce qui est avantageux lors de l'attaque sous impédance élevée de l'étage amplificateur, ce qui est réalisé par le

fait que le collecteur du transistor T6 reçoit, par l'in- termédiaire du parcours de signaux formé par les transistors D et D3 et la

jonction base-émetteur du transistor T5, à

peu près le même signal que celui qui est présent sur l'é-

metteur du même transistor T6 et donc aussi sur sa base.

Un-autre avantage vient de ce que le courant princi-

pal du transistor T6 parcourt également le courant principal du transistor T5,oequi permet d'économiser un montage de

source de courant.

Claims (7)

REVENDICATIONS

1. Etage amplificateur symétrique présentant une borne d'entrée, une borne de sortie, une première et une deuxième bornes d'alimentation comprenant:

- un premier transistor d'un premier type de con-

duction monté en collecteur commun dont le collecteur est couplé à la première borne d'alimentation, l'émetteur à la borne de sortie et la base à la borne d'entrée,

- un deuxième transistor du premier type de conduc-

tion monté en émetteur commun, dont l'émetteur est couplé à la seconde borne d'alimentation,

- un troisième transistor d'un second type de conduc-

tion opposé au premier, monté en base commune, et

- un premier parcours de signaux qui comporte le tra-

jet émetteur-collecteur du troisième transistor qui sert à commander le deuxième transistor en fonction de l'état du premier transistor, 1 - une première jonction semi-conductrice comportant

une première et une seconde électrode et placée dans le par-

cours de courant principal de collecteur du deuxième transis-

tor, sa première électrode étant couplée à la borne de sortie et à l'émetteur du premier transistor de telle sorte que, vu à partir de la borne de sortie, le sens direct de la première jonction semi-conductrice est opposé au sens direct de la

jonction base-émetteur du premier transistor et sa seconde é-

lectrode étant couplée au collecteur du deuxième transistor, caractérisé en ce que l'étage amplificateur comprend: - un circuit de mesure comportant au moins la joncticn base-émetteur d'un quatrième transistor du premier type de conduction, - un circuit de mesure qui est connecté entre la base du premier transistor et la seconde électrode de la première jonction semi-conductrice pour produire un courant de commande

qui est dérivé de la tension entre la base du premier transis-

tor et la seconde électrode de la première jonction semi-con-

ductrice et pour amener ce courant de commande à la base du deuxième transistor, en opposition de phase avec le signal d'entrée, par l'intermédiaire du premier parcours de signaux, - une première impédance dans le premier parcours de signaux dont une connexion est couplée à l'émetteur du troisième transistor, - des premiers moyens pour permettre le pontage d'une partie du premier parcours de signaux qui comporte la pre-

mière impédance et le trajet émetteur-collecteur du troi-

sième transistor, à l'aide d'une deuxième impédance adéqua-

te laissant passer au moins des signaux à fréquences rela-

tivement élevées, de sorte que, au cas o le troisième

transistor fonctionnerait de façon médiocre à haute fré-

quence, on obtient quand même un bon fonctionnement de

l'étage amplificateur aux hautes fréquences.

2.- Etage amplificateur symétrique suivant la reven-

dication 1, caractérisé en ce qẻ le circuit de mesure

comporte un montage en série d'une deuxième jonction semi-

conductrice ayant une première et une deuxième électrode avec la jonction base-émetteur d'un quatrième transistor du premier type de conduction, tous deux connectés en

sens passant, le courant de commande étant prélevé au col-

lecteur du quatrième transistor.

3.- Etage amplificateur symétrique suivant la reven-

dication 2, caractérisé en ce que le collecteur du quatriè-

me transistor est couplé par l'intermédiaire de la première

impédance à l'émetteur du troisième transistor et l'é-

metteur du troisième transistor est couplé à la première

borne d'alimentation par l'intermédiaire d'un premier mon-

tage d'impédance, de préférence un montage de source de courant.

4.- Etage amplificateur symétrique suivant l'une des

revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que la base du

quatrième transistor est couplée à la base du premier transistor, la première électrode de la deuxième jonction semi-conductrice est couplée à l'émetteur du quatrième transistor et la deuxième électrode de la deuxième jonction semi-conductrice est couplée à la deuxième électrode de la

première jonction semi-conductrice.

5.- Etage amplificateur symétrique suivant la reven-

dication 2 ou 3, caractérisé en ce que l'émetteur du qua-

trième transistor est couplé à la deuxième électrode de la première jonction semi-conductrice, la première électrode de la deuxième jonction semi-conductrice est couplée à la base du premier transistor et la deuxième électrode de la deuxième jonction semi-conductrice est couplée à la base

du quatrième transistor.

6.- Etage amplificateur symétrique suivant l'une des

revendications 2 ou 3, caractérisé en ce qu'il comporte un

cinquième transistor du premier type de conduction monté en collecteur commun, qui est placé dans le circuit de base du premier transistor et est connecté d'une manière telle que, en allant de la borne d'entrée vers la borne de sortie

par l'intermédiaire de la jonction base-émetteur du cinquiè-

me et du premier transistor ou par l'intermédiaire du cir-

cuit de mesure ou d'une partie de celui-ci et de la premiè-

re jonction semi-conductrice, on parcourt effectivement toujours, un circuit comportant le même nombre de

jonctions semi-conductrices actives amplificatrices de cou-

rant ou leurs équivalents.

7.- Etage amplificateur symétrique suivant la reven-

dication 6, caractérisé en ce qu'il comporte, en outre: - un sixième transistor du premier type de conduction dont la base est couplée à la Lene d'entrée, l'émetteur, par l'intermédiaire d'un premier point de jonction, est couplé à la base du quatrième transistor et le collecteur est couplé à l'émetteur du cinquième transistor et à la base du premier transistor, - un deuxième montage d'impédance, de préférence un montage de source de courant, qui est connecté entre la base

du cinquième transistor et la première borne d'alimenta-

tion, - un troisième montage d'impédance, de préférence un

montage de source de courant, qui est connecté entre le pre-

mier point de jonction et la seconde borne d'alimentation, et - une troisième jonction semi-conductrice qui est

connectée en série avec la deuxième jonction semi-conductri-

ce entre la base du cinquième transistor et le premier point

de jonction, la deuxième et la troisième jonction semi-

conductrice étant connectées dans le sens passant, alors qu'en outre, - le collecteur du cinquième transistor est couplé à

la première borne d'alimentation et l'émetteur du quatriè-

me transistor est couplé à la deuxième électrode de la

seconde jonction semi-conductrice.