FR2482780A1 - Dispositif a profiler un faisceau electronique - Google Patents

Dispositif a profiler un faisceau electronique Download PDF

Info

Publication number
FR2482780A1
FR2482780A1 FR8109840A FR8109840A FR2482780A1 FR 2482780 A1 FR2482780 A1 FR 2482780A1 FR 8109840 A FR8109840 A FR 8109840A FR 8109840 A FR8109840 A FR 8109840A FR 2482780 A1 FR2482780 A1 FR 2482780A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
opening
electron beam
deflection
openings
double
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8109840A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2482780B1 (fr
Inventor
Wolfgang Knauer
Walter E Perkins
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raytheon Co
Original Assignee
Hughes Aircraft Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hughes Aircraft Co filed Critical Hughes Aircraft Co
Publication of FR2482780A1 publication Critical patent/FR2482780A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2482780B1 publication Critical patent/FR2482780B1/fr
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002Details
    • H01J37/3007Electron or ion-optical systems

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF A PROFILER UN FAISCEAU ELECTRONIQUE. CE DISPOSITIF COMPREND UNE PREMIERE OUVERTURE 28 ET UNE SECONDE OUVERTURE 30 DANS LESQUELLES UN FAISCEAU ELECTRONIQUE 20 EST FOCALISE PAR UNE PREMIERE LENTILLE ASSUMANT LA FONCTION D'UN CONDENSEUR. DES ELEMENTS, PRODUISANT UNE DOUBLE DEVIATION DU FAISCEAU ET POUVANT COMPRENDRE DES NOYAUX ELECTROMAGNETIQUES 38, 40, 42, 44 OU DES PLAQUES DE DEVIATION ELECTROSTATIQUE, SONT PLACES ENTRE LES PLAQUES 32, 34 A OUVERTURE AFIN QUE L'IMAGE DES DEUX OUVERTURES PUISSE ETRE FOCALISEE SUR LA CIBLE. DOMAINE D'APPLICATION: TRAITEMENT PHOTOLITHOGRAPHIQUE DE GALETTES A SEMI-CONDUCTEURS.

Description

L'invention concerne un dispositif destiné à profiler un faisceau
électronique, et plus particulièrement à profiler la section droite d'un faisceau électronique focalisé pour une exposition lithographique et autre. Le dispositif selon'!inen i permet une sélection de dimensions et de formes du faisceau électronique sur la cible. Des faisceaaux a!ecîtzroniques sont:'::ilisés pour ezposer une r-serve ph tolthographique.ensib apbliquée sur une galette a semi-conducteur de tanière que Jette dernirre puisse Ctre dopâh génralemIaent par implantation ioniqçue, apres l!iminati n des parties non masquantes de la réserve. rn amc!iorant la dîf inition, il est possible de tracser des fignes plus fi.neàs e3t pl-us rapprochées0 mais ces petits spots demandent un temps considérable pour l'exposition de grandee surfaces. La vitesse décriture des
dis-iositifs c assiques de lithographie r. faisceau électro-
iquet dans lesquels limagje réduite d'une source thermo-
ionique d'électrons sert de spot dIécriture0 ne convient pas 0 à la fabrication de circuits de dimensions inférieures au micromètre. On estime qcue la cadence de production dun tel dispositif de l'art antérieur est limitée à 0,1-0,2 niveau de galette par heure dans le cas de galettes de Â0 cm de diamètre avec une dimension caractéristique minimale de 0,5 micromètre et avec une sensibilité de la réserve de coulomb/cm2. Cette limitation, dérive de la luminosité finie des émetteurs thermo-ioniques, de la forme circulaire et diffuse des spots gaussiens et des accroissements des spots par suite des aberrations de sphéricité de la lentille
finale.
Plusieurs autres configurations de colonnes offrent de plus grandes possibilités de travail à des dimensions inférieures au micromètre. Cependant0 chacune de ces configurations comporte également un problème. L'un des
procédés essayés est basé sur la luminosité exceptionnelle-
ment élevée des émetteurs de champ, comme souligné dans les articles suivants: D. Kern, D. Kurz, et R. Speidel, Optik 52, 61 (1978); L. Venerklasen et J. Wiesner "8th International Conf. on Electron and Ion Beam Science and Technology", Seattle (1978); H. P. Kuo et B. Siegel, "8th International Conf. on Electron and Ion Beam Science and Technology", Seattle (1978); et J. E. Wolfe, "15th Symposium on Electron, Ion and Photon Beam Technology", Boston (1979). Ces configurations permettent d'obtenir un spot de densité de courant très élevée par formation de l'image de la source virtuelle d'un émetteur de champ sur le plan de la cible. Le concept de ce procédé est très séduisant, car il ne demande qu'une ou deux lentilles. Cependant, plusieurs contraintes physiques et technologiques rendent difficile l'atteinte des buts recherchés. En premier lieu, la densité de courant du spot doit atteindre des valeurs de plusieurs milliers d'ampères par cm2 pour que des cadences de fabrication de plusieurs niveaux de galettes par heure <dans les conditions indiquées précédemment pour les galettes)
soient obtenues. A de telles densités de courant, l'élargis-
sement de l'énergie, ainsi que les aberrations chromatiques
des lentilles, réduisent la distance de travail à environ 3-
5 cm. En conséquence, la dimension du champ de balayage est très limitée de sorte qu'elle ne peut être utilisée sur une galette de 10 cm. En deuxième lieu, la stabilité de position de la pointe de l'émetteur doit être à peu près égale au diamètre de la source virtuelle qui varie de un à plusieurs dizaines de nanomètres. Dans le cas contraire, le spot d'écriture se déplace sur des distances dépassant son propre diamètre. Il est très difficile de maintenir une pointe d'émetteur dans des tolérances aussi étroites pendant la durée d'une période d'écriture sur une galette (de l'ordre de plusieurs dizaines de minutes). En troisième lieu, l'exposition *d'une réserve avec une sensibilité de
-5 2
coulomb/cm, à des densités de courant de plusieurs milliers d'ampères par cm 2, conduit à des temps de séjour du spot de l'ordre de la nanoseconde. Par conséquent, le dispositif de déviation doit pouvoir produire des fréquences de progression pas à pas de presque 1 GHz. Il est extrêmement difficile d'atteindre de telles vitesses avec la haute
précision demandée.
r 4I2 8 O
Un second procédé de lithographie sub-
micrométrique à grande vitesse par faisceau électronique consiste à utiliser des spots profilés. Plusieurs chercheurs ont montré que des spots de profil variable, ayant une bonne définition de leurs bords, permettent d'accroître notablement la vitesse d'écriture possible, comme souligné dans les articles suivants: M. G. R. Thomson, R. J. Collier et D. R. Herriott, "Journal of Vacuum Science Technology 15", 891, (1978); et H. C. Pfeiffer, "Journal of Vacuum Science Technology 15", 887 (1978). En fait, pour des dimensions caractéristiques minimales de 1 à 2 micromètres, ce procédé s'est avéré utilisable en production réelle (voir: G. J. Giuffre, J. F. Marquis, H. C. Pfeiffer, W. Stickel, "15th Symposium on Electron, Ion and Photon Beam Technology",
Boston, (1979>).
L'extension de la technique de profilage du spot aux échelles submicrométriques doit s'accompagner d'une réduction de l'ouverture du faisceau afin d'empêcher des aberrations chromatiques et de sphéricité rendant flou le
bord du spot. Pour une dimension caractéristique minimale de.
0,5 micromètre, on pense que cette contrainte limite les cadences de production à moins de 10 niveaux de galettes par heure (dans les conditions indiquées précédemment pour les galettes) avec des sources de luminosité correspondant à
environ 3x105 ampères par cm2.
Un inconvénient du procédé de profilage du spot réside dans la complexité de son optique électronique. Comme décrit par M. G. R. Thomson et collaborateurs et H. C. Pfeiffer (voir plus haut), les colonnes de profilage du spot comprennent 5 ou 6 lentilles et 2 à 4 groupes de bobines d'alignement du faisceau. Deux des lentilles produisent une image d'ouverture variable, alors que les autres lentilles servent à réduire et projeter le spot profilé sur le plan de la cible. Des bobines d'alignement sont nécessaires, car tout défaut d'alignement entraîne une perte du faisceau, par rapport aux dispositifs gaussiens dans lesquels un défaut d'alignement du faisceau n'entraîne qu'un déplacement du spot.
248278O
Il existe donc un besoin en un dispositif à faisceau électronique réalisant une exposition à ouverture profilée d'une réserve, ce dispositif devant être de configuration simple afin de pouvoir être mécanisé et commandé aisément et à bon marché. L'invention concerne, d'une manière générale, un dispositif à profiler un faisceau électronique comportant un émetteur à filament chaud et une première lentille qui assume la fonction d'un condenseur et qui éclaire des première et seconde ouvertures montées en série. La distance focale du condenseur est telle qu'une image agrandie de la source virtuelle est projetée sur le plan de l'ouverture de la lentille finale. Le faisceau sortant de- la première ouverture est dévié deux fois par un élément double de déviation placé entre les ouvertures afin qu'un profil
d'image choisi puisse être projeté sur la cible.
L'invention a donc pour objet un dispositif à profiler un faisceau électronique, qui utilise une source à filament chaud et qui, par une optique électronique simple, peut projeter un spot de dimension et de profil choisis sur une cible. L'invention concerne également un dispositif à profiler un faisceau électronique capable de profiler un spot
avec seulement trois lentilles.
L'invention a également pour objet un dispositif dans lequel le profil d'un spot est modifié par une double déviation au passage dans deux ouvertures réalisées de, manière à se chevaucher optiquement le long du chemin optique. Les deux ouvertures sont rapprochées de manière que la première ouverture masque la seconde et qu'un système compact de déviation du faisceau soit monté entre ces
ouvertures pour commander le profil du spot.
L'invention a également pour objet un dispositif à profiler un faisceau électronique, destiné à accroître la vitesse d'écriture des systèmes d'exposition d'une réserve à un faisceau électronique par l'écriture de petits éléments de motif à l'aide de petits spots et de grands éléments de motif à l'aide de spots plus importants. Le faisceau est dévié latéralement entre deux ouvertures rapprochées et disposées de manière que la première ouverture masque directement la
seconde ouverture.
L'invention concerne également une colonne à faisceau électronique et spot de profil variable, de comlei% notalniemet duite et ctOnCl poulr permettre une grande vitesse d eapositiroFe Dans ce dispostif les ouvertures sont si Zproches que, en labsence dJune lentile platce er elles, il est poissf;!e de former des !mages de ces deus uvert-ures avec une nettet suffisante sur ! le plan de la clb!e Las 3!lcments de déviation du faisceaU sont" 7lcs es te-!es ouverturei et a r uisent une double yvia6onafin eue! ang!e dTc iraJg e e.a seconde ouertu puisse eter constant pendant c que le faisceau est déi de anire jue!-a densité -e tcourant sur la cible ne 77arfe pas lorsque la dimension eu spot varie. LinventSion sera décrite plus en détail en regard des dessins annenés à titre d"ememples nullement limitatifs et sur lesquels: la figure i est une coupe longitudinalie et à peu
'près centrale d'une colonne dlerposition à faisceau électro-
nique comportant le dispositif - profiler le faisceau selon l invention e la figure 2 est une vue en perspective à échelle agrandie des ouver.tures et des bobines de déviation du dispositif montré sur la figure 1 e la figure 3 est une coupe axiale partielle et à échelle agrandie montrant en détail le faisceau passant par les ouvertures; la figure 4 est un schéma montrant le cheminement des rayons dans l'optique électronique du dispositif selon l'invention; les figures 5A à 5D montrent certains des profils de spot pouvant être obtenus avec des ouvertures carrées la figure 6 est une coupe longitudinale partielle à échelle agrandie, analogue à celle de la figure 3, d'une autre forme préférée de réalisation du dispositif selon l'invention; et
2 24827-0
la figure 7 est une vue en perspective éclatée d'une autre forme préférée de réalisation du dispositif à profiler un faisceau électronique selon l'invention, la
déviation double du faisceau étant obtenue électrostatique-
ment dans ce dispositif et ce dernier pouvant produire un spot de profil pouvant être choisi parmi plusieurs
configurations non rectangulaires.
Le dispositif à faisceau électronique selon
l'invention est représenté globalement en 10 sur la figure 1.
Ce dispositif comprend un corps 12 à l'intérieur duquel un vide suffisant est fait pour permettre la commande d'unr faisceau. Une source 14 d'électrons à filament chaud comprend un filament de tungstène en forme d'épingle à cheveux qui est polarisé à une tension de 20 kV par rapport à une galette 16 placée sur un support 18 de cible afin que la source constituée par le filament de tungstène produise un faisceau ayant une luminosité correspondant à environ 105 ampères par cm2 stéradian, le diamètre de la source virtuelle au point intermédiaire étant d'environ 50 micromètres. Le faisceau électronique est indiqué en 20 sur les figures 3 et 4. Des bobines magnétiques 22 d'alignement du faisceau sont placées sur le trajet de ce dernier qui descend centralement suivant l'axe de la figure 1 pour arriver à la première lentille 24. Cette première lentille 24 est une lentille magnétique présentant un entrefer magnétique 26. Elle assume la fonction d'un condenseur qui éclaire les deux ouvertures carrées 28 et 30 ménagées, respectivement, dans des plaques 32 et 34. La distance entre la source et les ouvertures et la dimension de ces ouvertures sont choisies de manière que seule l'âme uniformément lumineuse du faisceau à environ 3 rd puisse passer dans les deux ouvertures. La distance focale de la lentille 24 formant le condenseur est réglée pour qu'une image agrandie de la source virtuelle soit projetée sur le plan d'ouverture 36. Une ouverture circulaire 36 de lentille finale sert à limiter les aberrations nettement au-dessous de 0, 1 micromètre et à sélectionner des rayons formant un spot à partir d'une région centrale bien définie du passage par le plan d'ouverture. De cette manière,
7 ?4 ú'-3 0
de faibles changements d'alignement n'affectent pas
l'uniformité de l'éclairage du spot.
Le faisceau carré sortant de la première ouverture carrée 28 est dévié par un élément double de déviation à noyaux de ferrite, montré sur les figures 2 et 3. Les noyaux 38 et 40 de ferrite servent à dévier le faisceau latéralement dans le plan du dessin de la figure 3, le premier noyau 38 produisant une déviation latérale du faisceau et le second noyau 40 ramenant le trajet du faisceau dans une direction sensiblement parallèle à l'axe central. De la même manière, des noyaux 42 et 44 de ferrite constituent un élément double de déviation du faisceau électronique,
destiné à dévier le faisceau dans une direction perpendi-
culaire au dessin de la figure 3, le faisceau résultant étant essentiellement parallèle au trajet du faisceau initial, mais décalé latéralement de ce trajet. Selon le degré de la -déviation, une partie plus ou moins grande du faisceau carré sortant de la première ouverture passe dans la seconde ouverture. Le faisceau de. profil variable ainsi obtenu est réduit par des deuxième et troisième lentilles 46 et 48 et il forme une image sur le plan de la cible 16. Etant donné que les deux ouvertures 28 et 30 de profilage sont placées à des distances différentes du plan de la cible, des images nettes
de ces deux ouvertures ne peuvent être formées simultanément.
Un plan intermédiaire de focalisation doit être choisi, ce qui provoque un certain flou des bords. Les bords des ouvertures forment des images analogues à des lignes diffuses d'environ 2 micromètres de largeur. Dans le plan de la cible, o des images réduites de 100:1 sont formées, le flou des bords atteint environ 10 nanomètres. Cette valeur est nettement inférieure à la définition des bords souhaitée dans la plupart des applications. Les aberrations de déviation, résultant de la double déviation, sont encore plus faibles, car l'ouverture du faisceau et les angles de déviation du
faisceau sont faibles.
La figure 5A représente un spot 50 obtenu uniquement par une déviation latérale à l'aide des noyaux 38 et 40, alors que la figure 5D montre un spot 52 dont la
8 2482730
configuration peut être obtenue par double déviation au moyen
des noyaux 42 et 44. Les spots 50 et 52 sont rectangulaires.
Les spots 54 et 56 montrés sur les figures 5B et 5C sont des carrés de dimensions différentes, pouvant être obtenus par des déviations d'amplitudes différentes au moyen des deux groupes de noyaux de ferrite. Il est évidemment possible de sélectionner un spot carré de dimensions complètes, pouvant être obtenu sans déviation. De petits rectangles peuvent
également être formés par des déviations sélectives.
La figure 6 représente une structure analogue à celle de la première forme de réalisation montrée sur les figures 1 à 5D. Dans le dispositif à faisceau électronique de la figure 6, les deux ouvertures 28' et 30' sont placées entre les bobines de déviation. Ceci permet un rapprochement du foyer, mais le plus grand angle de déviation entraîne d'autres aberrations qui empêchent une amélioration de la définition de l'image. Les éléments de la figure 6 analogues à ceux de la figure 3 portent les mêmes références numériques
suivies du signe prime.
La figure 7 représente une autre forme préférée de réalisation des plaques à ouverture et des éléments doubles de déviation, pouvant être substituée directement aux plaques à ouverture et aux noyaux de ferrite de déviation décrits précédemment. Une plaque 58 -présente une ouverture carrée 60, de même que la plaque 32 à ouverture. Une plaque
inférieure 62 présente une ouverture carrée 64, de même que.
la plaque 34 à ouverture, mais elle présente également d'autres ouvertures -de forme particulière, adjacentes à l'ouverture centrale 64. Les autres ouvertures sont des ouvertures 66 et 68 en forme de chevron et une ouverture circulaire 70. Une double déviation du faisceau est réalisée entre les plaques à ouverture au moyen de plaques de déviation électrostatique, placées dans des supports 72 et 74. Chacun des supports des plaques de déviation porte quatre
plaques de déviation électrostatique, disposées orthogonale-
ment de manière que le faisceau soit dévié deux fois dans chacun des groupes de deux plaques orthogonales. Lorsqu'une petite déviation est réalisée, les formes qu'il est possible de donner au spot sont analogues à celles montrées sur les figures 5A à 5D. Lorsqu'une plus grande déviation est utilisée, l'une des ouvertures en chevron ou l'ouverture circulaire constitue l'ouverture inférieure de manière que le spot d'exposition puisse avoir la forme de chevrons entiers ou partiels, ou bien de cordes de L'ouverture circulaire 7O0 dnt onné que tous les éflments dDoptiue électronicue utilisés rour profiler,.- arier la forme du spot sont ejroupq)îs en u seui esr:!,.e ompact cette J0 structnr peret la réa!isation dUun disposetif A..lA ".i
électronique conact, convenanCt à la lith ographie sub-
microscopique a grande vtesseo il va de s i que de nombreuses modifications peuvCen- tr apportées au dispositif décrit et représenté sans sortir du cadre de l'inventiono
2482730

Claims (10)

REVENDICATIONS
1. Dispositif à profiler un faisceau électronique, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens
destinés à produire un faisceau électronique (20) sensible-
ment colimaté et suivant approximativement un axe central, des première et seconde ouvertures (28, 30) espacées axialement le long de l'axe central, et des moyens destinés à produire une-double déviation du faisceau Xt placés entre Lesdites ouvertures, afin de dévier le faisceau pour que ce le dernier, à sa sortie de la seconde ouverture, suive un trajet sensiblement parallèle à celui du faisceau entrant dans la première ouverture et que le faisceau sortant de la seconde ouverture soit profilé par les bords des première et seconde ouvertures.
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens destinés à produire un faisceau électronique comprennent une source (14) d.'électrons
à filament chaud.
3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'une lentille (24), formant un condenseur pour le faisceau électronique, est placée entre le filament
chaud et la première ouverture.
4. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens destinés à produire un faisceau électronique comprennent une lentille (24) formant
un condenseur et placée en amont de la première ouverture.
5.. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que des deuxième et troisième lentilles (46, 48) sont placées en aval de -la seconde ouverture afin de réduire et focaliser sur une cible (16) le faisceau ayant
passé les première et seconde ouvertures.
6. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que deux lentilles (46, 48) sont placées en série en aval de la seconde ouverture afin de réduire et focaliser sur une cible le faisceau ayant passé dans les
première et seconde ouvertures.
7. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens destinés à produire une 1i1 24_30 double déviation constituent le seul élément d'optique
électronique placé entre les première et secondéeouvertures.
8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens de déviation double du faisceau électronique comprennent des noyaux électro-
magnétiques (38, 40, 42, 44) de déviation.
9. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens de double déviation du faisceau électronique comprennent des plaques doubles de déviation électrostatique, destinées à dévier le faisceau
électronique dans des directions orthogonales.
10. Dispositif selon l'une des revendications 1 et
7, caractérisé en ce que plusieurs ouvertures (66, 68, 70) sont situées à proximité de l'une (62) des plaques à ouverture et en ce que les moyens de déviation peuvent être commandés afin que le faisceau passe au moins partiellement
dans l'une, choisie, desdites ouvertures (66, 68, 70).
FR8109840A 1980-05-19 1981-05-18 Dispositif a profiler un faisceau electronique Granted FR2482780A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15103080A 1980-05-19 1980-05-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2482780A1 true FR2482780A1 (fr) 1981-11-20
FR2482780B1 FR2482780B1 (fr) 1985-01-04

Family

ID=22537042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8109840A Granted FR2482780A1 (fr) 1980-05-19 1981-05-18 Dispositif a profiler un faisceau electronique

Country Status (2)

Country Link
FR (1) FR2482780A1 (fr)
GB (1) GB2076589B (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE58907191D1 (de) * 1989-02-09 1994-04-14 Balzers Hochvakuum Verfahren zum Zentrieren eines Elektronenstrahles.

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1281982A (fr) * 1960-11-23 1962-01-19 Csf Modulateur à déflexion pour tubes à rayons cathodiques
FR2007186A1 (fr) * 1968-04-29 1970-01-02 Stromberg Datagraphix In
FR2015886A1 (fr) * 1968-08-19 1970-04-30 Stromberg Datagraphix Inc
FR1596430A (fr) * 1967-12-29 1970-06-15
FR2329069A1 (fr) * 1975-10-23 1977-05-20 Rikagaku Kenkyusho Procede de projection d'un faisceau de particules chargees

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1281982A (fr) * 1960-11-23 1962-01-19 Csf Modulateur à déflexion pour tubes à rayons cathodiques
FR1596430A (fr) * 1967-12-29 1970-06-15
FR2007186A1 (fr) * 1968-04-29 1970-01-02 Stromberg Datagraphix In
FR2015886A1 (fr) * 1968-08-19 1970-04-30 Stromberg Datagraphix Inc
FR2329069A1 (fr) * 1975-10-23 1977-05-20 Rikagaku Kenkyusho Procede de projection d'un faisceau de particules chargees

Also Published As

Publication number Publication date
GB2076589A (en) 1981-12-02
FR2482780B1 (fr) 1985-01-04
GB2076589B (en) 1985-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7390618B2 (en) Manufacturing method of microstructure, manufacturing method and manufacturing device of electronic device
EP0599375B1 (fr) Modulateur de lumière
WO2017162882A1 (fr) Dispositif de formation de motif d&#39;intensité de champ dans la zone proche, à partir d&#39;ondes électromagnétiques incidentes
FR2524198A1 (fr) Appareil d&#39;exposition par faisceau de particules chargees utilisant un balayage par une ligne variable
JPH0972U (ja) 位相板調節式レーザビームによる集積回路接続パスの切断装置
US20020041444A1 (en) Device for converting the intensity distribution of a laser beam and a device and method for generating a laser beam with an intensity which falls constantly along an axis from one side of the beam to the other
FR2620858A1 (fr) Instrument de spectrometrie de masse d&#39;ions secondaires avec formation directe de l&#39;image
US6656373B1 (en) Apodized micro-lenses for Hartmann wavefront sensing and method for fabricating desired profiles
JP4769794B2 (ja) 粒子ビーム射出装置用の補正レンズ系
FR2516669A1 (fr)
DE3536700A1 (de) Geraet zum ermitteln des lokalen abstandes einer pruefflaeche von einer referenzflaeche
US6421180B1 (en) Apparatus for generating a laser pattern on a photomask and associated methods
FR2482780A1 (fr) Dispositif a profiler un faisceau electronique
EP0228735B1 (fr) Dispositif d&#39;insolation pour la génération de masques
EP0244289A2 (fr) Dispositif à faisceau électronique pour projeter l&#39;image d&#39;un objet sur un échantillon
US6653645B1 (en) Deflection lens device for electron beam lithography
EP1245998A2 (fr) Dispositif pour insoler une face d&#39;un panneau de circuit imprimé
EP0925599B1 (fr) Filtre d&#39;energie, microscope electronique a transmission et procede de filtrage d&#39;energie associe
DE10056561A1 (de) Einrichtung zum Fokussieren von Licht auf ein einen photoempfindlichen, vorzugsweise schichtförmigen Bereich aufweisendes Objekt
US6717740B2 (en) Scanning optical system and image recording exposure device
Welsch et al. A beam halo monitor based on adaptive optics
DE4442976A1 (de) Vorrichtung zur berührungslosen optischen Abtastung von Informationen bei der Aufzeichnung auf und/oder Wiedergabe von einem Aufzeichnungsträger mit Aufzeichnungsspuren
FR2538613A1 (fr) Ensemble de lentilles electrostatiques d&#39;acceleration et d&#39;expansion de balayage
JP2843594B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光装置及びその露光方法
EP1614121A1 (fr) Element de rayon x de refraction

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse