FR2478907A1 - Inverseur utilisant des transistors a effet de champ a faible tension de seuil et une diode de commutation, realise en circuit integre, et circuit logique comportant un tel inverseur - Google Patents

Inverseur utilisant des transistors a effet de champ a faible tension de seuil et une diode de commutation, realise en circuit integre, et circuit logique comportant un tel inverseur Download PDF

Info

Publication number
FR2478907A1
FR2478907A1 FR8006402A FR8006402A FR2478907A1 FR 2478907 A1 FR2478907 A1 FR 2478907A1 FR 8006402 A FR8006402 A FR 8006402A FR 8006402 A FR8006402 A FR 8006402A FR 2478907 A1 FR2478907 A1 FR 2478907A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
transistor
drain
inverter
source
logic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8006402A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
FR2478907B1 (OSRAM
Inventor
Georges Bert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Priority to FR8006402A priority Critical patent/FR2478907A1/fr
Priority to EP81400271A priority patent/EP0036791B1/fr
Priority to DE8181400271T priority patent/DE3161569D1/de
Priority to US06/244,873 priority patent/US4434379A/en
Priority to JP4157381A priority patent/JPS56147520A/ja
Publication of FR2478907A1 publication Critical patent/FR2478907A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2478907B1 publication Critical patent/FR2478907B1/fr
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0952Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using Schottky type FET MESFET

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
FR8006402A 1980-03-21 1980-03-21 Inverseur utilisant des transistors a effet de champ a faible tension de seuil et une diode de commutation, realise en circuit integre, et circuit logique comportant un tel inverseur Granted FR2478907A1 (fr)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8006402A FR2478907A1 (fr) 1980-03-21 1980-03-21 Inverseur utilisant des transistors a effet de champ a faible tension de seuil et une diode de commutation, realise en circuit integre, et circuit logique comportant un tel inverseur
EP81400271A EP0036791B1 (fr) 1980-03-21 1981-02-20 Inverseur utilisant des transistors à effet de champ à faible tension de seuil et une diode de commutation
DE8181400271T DE3161569D1 (en) 1980-03-21 1981-02-20 Inverter using low threshold field effect transistors and a switching diode
US06/244,873 US4434379A (en) 1980-03-21 1981-03-18 Inverter using low-threshold-voltage field-effect transistors and a switching diode, formed as an integrated circuit
JP4157381A JPS56147520A (en) 1980-03-21 1981-03-20 Field effect transistor with low threshold voltage formed as integrated circuit and inverter using switching diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8006402A FR2478907A1 (fr) 1980-03-21 1980-03-21 Inverseur utilisant des transistors a effet de champ a faible tension de seuil et une diode de commutation, realise en circuit integre, et circuit logique comportant un tel inverseur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2478907A1 true FR2478907A1 (fr) 1981-09-25
FR2478907B1 FR2478907B1 (OSRAM) 1984-04-13

Family

ID=9239969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8006402A Granted FR2478907A1 (fr) 1980-03-21 1980-03-21 Inverseur utilisant des transistors a effet de champ a faible tension de seuil et une diode de commutation, realise en circuit integre, et circuit logique comportant un tel inverseur

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4434379A (OSRAM)
EP (1) EP0036791B1 (OSRAM)
JP (1) JPS56147520A (OSRAM)
DE (1) DE3161569D1 (OSRAM)
FR (1) FR2478907A1 (OSRAM)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4725743A (en) * 1986-04-25 1988-02-16 International Business Machines Corporation Two-stage digital logic circuits including an input switching stage and an output driving stage incorporating gallium arsenide FET devices
CN109920842A (zh) * 2019-02-22 2019-06-21 中国科学院微电子研究所 冷源结构mos晶体管及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2264434A1 (OSRAM) * 1974-03-12 1975-10-10 Thomson Csf
US4177390A (en) * 1977-12-27 1979-12-04 Raytheon Company A field effect transistor logic gate having depletion mode and enhancement mode transistors

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3299291A (en) 1964-02-18 1967-01-17 Motorola Inc Logic elements using field-effect transistors in source follower configuration

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2264434A1 (OSRAM) * 1974-03-12 1975-10-10 Thomson Csf
US4177390A (en) * 1977-12-27 1979-12-04 Raytheon Company A field effect transistor logic gate having depletion mode and enhancement mode transistors

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
EXBK/69 *
EXBK/75 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP0036791B1 (fr) 1983-12-07
FR2478907B1 (OSRAM) 1984-04-13
JPS56147520A (en) 1981-11-16
DE3161569D1 (en) 1984-01-12
US4434379A (en) 1984-02-28
EP0036791A1 (fr) 1981-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0579561B1 (fr) Circuit de protection d'un composant de puissance contre des surtensions directes
EP0357528B1 (fr) Transistor MOS composite et application à une diode roue libre
FR2536607A1 (fr) Circuit d'interface
EP0041415B1 (fr) Opérateur logique rapide, à grande entrance, à fonction logique complexe, utilisant au moins deux transistors à effet de champ à faible tension de seuil
FR2678769A1 (fr) Systeme pour interrompre rapidement, sans formation d'arc, un courant alternatif fourni a une charge.
FR2685817A1 (fr) Protection generale d'un circuit integre contre les surcharges permanentes et decharges electrostatiques.
FR2710191A1 (fr) MOSFET de puissance avec protection de sur-intensité et de surchauffe.
FR2693327A1 (fr) Circuit de commutation de haute tension.
FR2635930A1 (fr) Commutateur bidirectionnel monolithique a transistors mos de puissance
EP0388329A1 (fr) Circuit de commande de transistor MOS de puissance sur charge inductive
EP0021858A1 (fr) Circuit logique inverteur comportant des éléments semiconducteurs utilisant l'effet de saturation
FR2678399A1 (fr) Miroir de courant fonctionnant sous faible tension.
FR2858493A1 (fr) Circuit d'attaque a autoelevation
EP0359680A1 (fr) Diode active intégrable
FR2786629A1 (fr) Circuit de commande d'un interrupteur a composants semiconducteurs fonctionnant en alternatif
EP0865671B1 (fr) Thyristor dual normalement passant
FR2478907A1 (fr) Inverseur utilisant des transistors a effet de champ a faible tension de seuil et une diode de commutation, realise en circuit integre, et circuit logique comportant un tel inverseur
FR2494040A1 (fr) Dispositif a circuits integres a semiconducteurs proteges contre les surtensions accidentelles
FR2478343A1 (fr) Stabilisateur de courant realise a l'aide de transistors a effet de champ fonctionnant selon le mode d'enrichissement
FR2499325A1 (fr) Circuit de protection pour dispositifs a circuits integres
EP0180487A1 (fr) Circuit de puissance et dispositif de déclenchement le comportant
EP0820135B1 (fr) Microdisjoncteur statique autoblocable
EP0187584B1 (fr) Porte logique à coîncidence, et circuits logiques séquentiels mettant en oeuvre cette porte à coîncidence
EP0164770B1 (fr) Relais statique pour courant continu basse tension
FR2511823A1 (fr) Circuit logique a grande entrance utilisant au moins un transistor a effet de champ a faible tension de seuil

Legal Events

Date Code Title Description
CL Concession to grant licences
ST Notification of lapse