FR2385226A1 - Thyristor a shunts d'emetteur uniformement ecartes du bord de la region d'emetteur - Google Patents

Thyristor a shunts d'emetteur uniformement ecartes du bord de la region d'emetteur

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FR2385226A1
FR2385226A1 FR7808033A FR7808033A FR2385226A1 FR 2385226 A1 FR2385226 A1 FR 2385226A1 FR 7808033 A FR7808033 A FR 7808033A FR 7808033 A FR7808033 A FR 7808033A FR 2385226 A1 FR2385226 A1 FR 2385226A1
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
    • H01L29/0839—Cathode regions of thyristors

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Abstract

L'invention est relative aux dispositifs semi-conducteurs. Elle réside en ce que des shunts d'émetteur sont répartis uniformément autour du bord intérieur d'une région d'émetteur. Le périmètre du contact de gâchette et le bord intérieur de la région d'émetteur sont en forme de polygone, une rangée de shunts d'émetteur étant disposée à distance uniforme dudit périmètre et dudit bord intérieur. Applicable aux thyristors.
FR7808033A 1977-03-21 1978-03-20 Thyristor a shunts d'emetteur uniformement ecartes du bord de la region d'emetteur Withdrawn FR2385226A1 (fr)

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