FR2331378A1 - Procede pour fabriquer des monocristaux de silicium dopes au phosphore avec un appauvrissement ou un enrichissement marginal en substance dopante, desire suivant une direction radiale. - Google Patents
Procede pour fabriquer des monocristaux de silicium dopes au phosphore avec un appauvrissement ou un enrichissement marginal en substance dopante, desire suivant une direction radiale.Info
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DE2234512C3 (de) * | 1972-07-13 | 1979-04-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von (Umorientierten Halbleitereinkristallstäben mit zur Stabmitte abtauendem spezifischem Widerstand |
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Cited By (1)
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