Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co IncfiledCriticalWestern Electric Co Inc
Publication of FR2014851A1publicationCriticalpatent/FR2014851A1/fr
Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
Keten voor het in een blokkerende toestand brengen van een in geleidende toestand verkerende stuurbare halfgeleidergelijkrichter met een halfgeleiderlichaam met vier lagen van afwisselend tegengesteld geleidingstype.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
Experimental investigation of semiconductor diodes for operation in pulsed bridge elements(Planar Ge and Si diodes application in pulsed bridge elements, investigating current-voltage and resistance-voltage characteristics)
Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.