FR1485529A - Procédé de réalisation de shunts ohmiques d'émetteur sur un ensemble semiconducteur - Google Patents

Procédé de réalisation de shunts ohmiques d'émetteur sur un ensemble semiconducteur

Info

Publication number
FR1485529A
FR1485529A FR36129A FR36129A FR1485529A FR 1485529 A FR1485529 A FR 1485529A FR 36129 A FR36129 A FR 36129A FR 36129 A FR36129 A FR 36129A FR 1485529 A FR1485529 A FR 1485529A
Authority
FR
France
Prior art keywords
semiconductor assembly
ohmic emitter
producing ohmic
emitter shunts
shunts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR36129A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Pierre Giraud
Jacques Toulemonde
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent SAS
Original Assignee
Compagnie Generale dElectricite SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Compagnie Generale dElectricite SA filed Critical Compagnie Generale dElectricite SA
Priority to FR36129A priority Critical patent/FR1485529A/fr
Priority to FR36453A priority patent/FR1473005A/fr
Priority to BE688353D priority patent/BE688353A/xx
Priority to CH1514566A priority patent/CH449783A/fr
Priority to LU52199D priority patent/LU52199A1/xx
Priority to NL6615089A priority patent/NL6615089A/xx
Application granted granted Critical
Publication of FR1485529A publication Critical patent/FR1485529A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/17Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00Thyristors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/645Combinations of only lateral BJTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
FR36129A 1965-10-25 1965-10-25 Procédé de réalisation de shunts ohmiques d'émetteur sur un ensemble semiconducteur Expired FR1485529A (fr)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR36129A FR1485529A (fr) 1965-10-25 1965-10-25 Procédé de réalisation de shunts ohmiques d'émetteur sur un ensemble semiconducteur
FR36453A FR1473005A (fr) 1965-10-25 1965-10-28 Procédé de réalisation de dispositifs semiconducteurs à shunts ohmiques d'émetteur
BE688353D BE688353A (enrdf_load_stackoverflow) 1965-10-25 1966-10-17
CH1514566A CH449783A (fr) 1965-10-25 1966-10-18 Procédé de réalisation de shunts ohmiques d'émetteur sur un composant semi-conducteur
LU52199D LU52199A1 (enrdf_load_stackoverflow) 1965-10-25 1966-10-19
NL6615089A NL6615089A (enrdf_load_stackoverflow) 1965-10-25 1966-10-25

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR36129A FR1485529A (fr) 1965-10-25 1965-10-25 Procédé de réalisation de shunts ohmiques d'émetteur sur un ensemble semiconducteur
FR36453A FR1473005A (fr) 1965-10-25 1965-10-28 Procédé de réalisation de dispositifs semiconducteurs à shunts ohmiques d'émetteur

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1485529A true FR1485529A (fr) 1967-06-23

Family

ID=26166994

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR36129A Expired FR1485529A (fr) 1965-10-25 1965-10-25 Procédé de réalisation de shunts ohmiques d'émetteur sur un ensemble semiconducteur
FR36453A Expired FR1473005A (fr) 1965-10-25 1965-10-28 Procédé de réalisation de dispositifs semiconducteurs à shunts ohmiques d'émetteur

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR36453A Expired FR1473005A (fr) 1965-10-25 1965-10-28 Procédé de réalisation de dispositifs semiconducteurs à shunts ohmiques d'émetteur

Country Status (5)

Country Link
BE (1) BE688353A (enrdf_load_stackoverflow)
CH (1) CH449783A (enrdf_load_stackoverflow)
FR (2) FR1485529A (enrdf_load_stackoverflow)
LU (1) LU52199A1 (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL6615089A (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3979767A (en) * 1971-06-24 1976-09-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Multilayer P-N junction semiconductor switching device having a low resistance path across said P-N junction

Also Published As

Publication number Publication date
NL6615089A (enrdf_load_stackoverflow) 1967-04-26
FR1473005A (fr) 1967-03-17
LU52199A1 (enrdf_load_stackoverflow) 1968-05-08
BE688353A (enrdf_load_stackoverflow) 1967-04-17
CH449783A (fr) 1968-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH477924A (fr) Procédé de dépôt d'un liquide sur une surface
FR1445508A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur par diffusion
FR1473984A (fr) Procédé et dispositif destinés à la fabrication de composés binaires monocristallins
CH431655A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif de connexion
FR1451676A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur
FR1519197A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé
CH505387A (fr) Procédé d'obtention d'un réactif immunologique
FR1513645A (fr) Procédé de fabrication d'un transistor
FR1485529A (fr) Procédé de réalisation de shunts ohmiques d'émetteur sur un ensemble semiconducteur
CH461189A (fr) Procédé de fabrication d'une poulie dentée, et poulie dentée, fabriquée par ce procédé
CH452603A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif transducteur magnétique
FR1509527A (fr) Procédé de fabrication d'un support de dispositif semi-conducteur
FR1522733A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur
FR1512290A (fr) Procédé pour stabiliser la résistance d'un ensemble semi-conducteur
FR1531852A (fr) Procédé de masquage de la surface d'un support
FR1478042A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
FR1519634A (fr) Diode à avalanche pour la production d'oscillations
FR1495989A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé
FR1485207A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur
FR1498302A (fr) Procédé de fabrication d'un redresseur perfectionné au sélénium
FR1497685A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
FR1445264A (fr) Procédé de montage d'un mât
FR1547901A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
CH462325A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
CH462331A (fr) Procédé de fabrication d'un igniteur d'ignitron et igniteur obtenu par ce procédé