FR1237641A - Procédé pour fabriquer une jonction pn ou un contact sans couche d'arrêt par alliage entre un métal de dopage et un corps semi-conducteur - Google Patents

Procédé pour fabriquer une jonction pn ou un contact sans couche d'arrêt par alliage entre un métal de dopage et un corps semi-conducteur

Info

Publication number
FR1237641A
FR1237641A FR807709A FR807709A FR1237641A FR 1237641 A FR1237641 A FR 1237641A FR 807709 A FR807709 A FR 807709A FR 807709 A FR807709 A FR 807709A FR 1237641 A FR1237641 A FR 1237641A
Authority
FR
France
Prior art keywords
junction
making
contact
barrier layer
semiconductor body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR807709A
Other languages
English (en)
French (fr)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens and Halske AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens and Halske AG
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens and Halske AG, Siemens Corp filed Critical Siemens and Halske AG
Application granted granted Critical
Publication of FR1237641A publication Critical patent/FR1237641A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P14/47
    • H10P95/00
FR807709A 1958-10-24 1959-10-16 Procédé pour fabriquer une jonction pn ou un contact sans couche d'arrêt par alliage entre un métal de dopage et un corps semi-conducteur Expired FR1237641A (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES60369A DE1132404B (de) 1958-10-24 1958-10-24 Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Koerper aus Halbleitergrundstoff durch Einlegieren einer Pille eines Dotierungsmetalls
DES60606A DE1197178B (de) 1958-10-24 1958-11-14 Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Halbleiterkoerper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1237641A true FR1237641A (fr) 1960-11-25

Family

ID=25995589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR807709A Expired FR1237641A (fr) 1958-10-24 1959-10-16 Procédé pour fabriquer une jonction pn ou un contact sans couche d'arrêt par alliage entre un métal de dopage et un corps semi-conducteur

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH383719A (fa)
DE (2) DE1132404B (fa)
FR (1) FR1237641A (fa)
GB (1) GB916671A (fa)
NL (1) NL244622A (fa)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL244622A (fa) 1958-10-24

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE485103C (de) * 1926-08-20 1931-06-12 Siemens & Halske Akt Ges Verfahren zur Herstellung von UEberzuegen aus Beryllium auf Metallen oder Legierungen
DE1052575B (de) 1954-06-23 1959-03-12 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Kontaktierungen auf Halbleiterkoerpern fuer Halbleiteranordnungen
BE539320A (fa) * 1955-01-11
GB775616A (en) * 1955-04-15 1957-05-29 Sylvania Electric Prod Processing of alloy junction devices
NL244622A (fa) 1958-10-24

Also Published As

Publication number Publication date
CH383719A (de) 1964-10-31
DE1197178B (de) 1965-07-22
GB916671A (en) 1963-01-23
NL244622A (fa)
DE1132404B (de) 1962-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1297899A (fa)
BE579805A (fr) Procédé pour le traitement de surface d'élements semi-conducteurs comportant plusieurs électrodes et au moins une jonction p-n.
IL30464A0 (en) Method of fabricating semiconductor device contact
FR1237641A (fr) Procédé pour fabriquer une jonction pn ou un contact sans couche d'arrêt par alliage entre un métal de dopage et un corps semi-conducteur
FR1221029A (fr) Procédé et liquide de gravure d'une surface métallique, notamment cuivreuse
BR6803425D0 (pt) Transistor protetor de semicondutor de oxido metalico
BE584479A (fr) Procédé et dispositif pour la soudure à l'étain de pièces métalliques et notamment de collecteurs sur des faisceaux de radiateurs.
FR1237614A (fr) Procédé et dispositif pour irriguer l'intervalle d'usinage entre l'électrode et la pièce sur les machines d'érosion par étincelage
FR1209505A (fr) Procédé et dispositif de fabrication de conduits métalliques soudés à l'étain, notamment en zinc
FR1215359A (fr) Pièce d'écartement pour roulement à billes
GB836191A (en) Method of making a non-rectifying contact to germanium
BE618399A (fr) Fabrication d'un sous-vêtement et procédé pour établir celle-ci
BE606757Q (fr) Procédé et dispositif de fabrication de conduits métalliques soudés à l'étain, notamment en zinc.
ES334878A1 (es) Metodo de fabricacion de dispositivos semiconductores.
FR1232135A (fr) Procédé pour doper une zone d'un corps semi-conducteur
AU404390B2 (en) Method of forming lubricating films of molybdenum desulfide on metal bearing surface
FR1301403A (fr) Appareillage universel pour effectuer automatiquement des usinages sur une pièce, en plusieurs points situés entre eux à des distances préalablement déterminées, et ses applications
FR1219737A (fr) Procédé et dispositif pour la fabrication de cylindres sans usinage et cylindres ainsi obtenus
FR1382237A (fr) Perfectionnements apportés aux procédés pour la formation de revètement protecteur sur la surface de métaux, aux électrolytes utilisés à cette fin, et aux procédés pour la préparation de tels électrolytes
AU2308467A (en) Method of forming lubricating films of molybdenum desulfide on metal bearing surface
FR1236414A (fr) Procédé pour l'application de métal anti-friction sur les coussinets
FR1536463A (fr) Procédé de formation localisée de billes métalliques de petites dimensions
FR1307017A (fr) Procédé et dispositif pour la fabrication d'anneaux métalliques
AU413188B2 (en) Method of fabricating semiconductor device contact
BE609404A (fr) Procédé de réalisation d'un contact à alliage, contenant de l'aluminium sur un corps semi-conducteur