FR1233333A - Procédé d'obtention de jonctions p-n dans un corps de base de semi-conducteur, constitué principalement par une matière semi-conductrice monocristalline - Google Patents
Procédé d'obtention de jonctions p-n dans un corps de base de semi-conducteur, constitué principalement par une matière semi-conductrice monocristallineInfo
- Publication number
- FR1233333A FR1233333A FR802977A FR802977A FR1233333A FR 1233333 A FR1233333 A FR 1233333A FR 802977 A FR802977 A FR 802977A FR 802977 A FR802977 A FR 802977A FR 1233333 A FR1233333 A FR 1233333A
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- junctions
- obtaining
- single crystal
- base body
- consisting mainly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES60101A DE1113520B (de) | 1958-09-30 | 1958-09-30 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Starkstromzwecke, mit mehreren verhaeltnismaessig grossflaechigen Schichten unterschiedlichen Leitfaehigkeitstyps |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR1233333A true FR1233333A (fr) | 1960-10-12 |
Family
ID=7493854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR802977A Expired FR1233333A (fr) | 1958-09-30 | 1959-08-17 | Procédé d'obtention de jonctions p-n dans un corps de base de semi-conducteur, constitué principalement par une matière semi-conductrice monocristalline |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE583121A (enrdf_load_stackoverflow) |
CH (1) | CH374773A (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (1) | DE1113520B (enrdf_load_stackoverflow) |
FR (1) | FR1233333A (enrdf_load_stackoverflow) |
GB (1) | GB909335A (enrdf_load_stackoverflow) |
NL (1) | NL242039A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1278016B (de) * | 1963-11-16 | 1968-09-19 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE668063A (enrdf_load_stackoverflow) * | 1963-06-25 | |||
GB1072703A (en) * | 1964-05-12 | 1967-06-21 | Mullard Ltd | Improvements in and relating to methods of manufacturing semiconductor bodies |
DE1216989B (de) * | 1964-06-24 | 1966-05-18 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes mit einem Siliziumkoerper |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2821493A (en) * | 1954-03-18 | 1958-01-28 | Hughes Aircraft Co | Fused junction transistors with regrown base regions |
-
0
- NL NL242039D patent/NL242039A/xx unknown
- BE BE583121D patent/BE583121A/xx unknown
-
1958
- 1958-09-30 DE DES60101A patent/DE1113520B/de active Pending
-
1959
- 1959-08-17 FR FR802977A patent/FR1233333A/fr not_active Expired
- 1959-08-18 GB GB28190/59A patent/GB909335A/en not_active Expired
- 1959-09-22 CH CH7851559A patent/CH374773A/de unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1278016B (de) * | 1963-11-16 | 1968-09-19 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1113520B (de) | 1961-09-07 |
CH374773A (de) | 1964-01-31 |
BE583121A (enrdf_load_stackoverflow) | |
GB909335A (en) | 1962-10-31 |
NL242039A (enrdf_load_stackoverflow) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CH356210A (fr) | Procédé d'obtention d'une jonction p-n dans un corps semi-conducteur | |
BE603573A (fr) | Procédé de formation d'un corps en matière semi-conductrice | |
FR1228852A (fr) | Procédé d'obtention d'un dispositif semi-conducteur comportant au moins une jonction du type p-n | |
FR1235367A (fr) | Procédé d'introduction d'impuretés dans une matière semi-conductrice | |
BE578011A (fr) | Procédé d'étirage pour semi-conducteur | |
FR1233333A (fr) | Procédé d'obtention de jonctions p-n dans un corps de base de semi-conducteur, constitué principalement par une matière semi-conductrice monocristalline | |
FR1297622A (fr) | Procédé et dispositif de fabrication simultanée d'acétylène et d'éthylène | |
FR1218056A (fr) | Procédé d'étirage d'articles en matières artificielles | |
FR1233270A (fr) | Procédé d'exécution de corps semi-conducteurs | |
FR1221143A (fr) | Procédé de polymérisation et de copolymérisation d'alpha-oléfines | |
FR1237345A (fr) | Matière semi-conductrice, corps semi-conducteur, leur procédé de fabrication et leur utilisation dans un dispositif semi-conducteur, en particulier dans un dispositifthermo-électrique | |
FR1239648A (fr) | Procédé de préparation d'une matière destinée à réaliser des électrodes sur des corps semi-conducteurs | |
BE607586A (fr) | Procédé et dispositif pour la fabrication de souliers de dames de forme pointue. | |
FR1265841A (fr) | Procédé d'obtention de semi-conducteurs à jonctions p-n alliées | |
FR1409070A (fr) | Procédé d'obtention d'un corps semi-conducteur et corps semi-conducteur ainsi obtenu | |
FR1282941A (fr) | Procédé d'obtention de jonctions pn alliées | |
FR1198099A (fr) | Procédé d'obtention de jonctions par diffusion solide dans des corps semi-conducteurs | |
FR1345943A (fr) | Procédé de croissance épitaxiale d'une matière semi-conductrice | |
FR1215887A (fr) | Cache-pot irriguant | |
FR1265661A (fr) | Procédé d'isomérisation d'oléfines | |
FR1236935A (fr) | Procédé de préparation d'une matière, dans lequel au moins une impureté significative est répartie dans une matière fondamentale | |
FR1234099A (fr) | Procédé pour l'application d'un contact sur un corps semi-conducteur et corps fabriqué suivant ledit procédé | |
BE577820A (fr) | Procédé d'obtention de jonctions par diffusion solide dans des corps semi-conducteurs | |
FR1245238A (fr) | Procédé d'obtention d'une matière monocristalline pour semi-conducteurs | |
CH438230A (fr) | Procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur constitué par un monocristal de germanium |