FI98036C - Piiri kapasitiivisen kuorman ohjaamiseksi - Google Patents

Piiri kapasitiivisen kuorman ohjaamiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI98036C
FI98036C FI894456A FI894456A FI98036C FI 98036 C FI98036 C FI 98036C FI 894456 A FI894456 A FI 894456A FI 894456 A FI894456 A FI 894456A FI 98036 C FI98036 C FI 98036C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
power source
terminal
coupling element
drive circuit
circuit according
Prior art date
Application number
FI894456A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI98036B (fi
FI894456A0 (fi
FI894456A (fi
Inventor
Mitsuhiko Okutsu
Kenji Abe
Tadaaki Kariya
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Eng Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Eng Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of FI894456A0 publication Critical patent/FI894456A0/fi
Publication of FI894456A publication Critical patent/FI894456A/fi
Publication of FI98036B publication Critical patent/FI98036B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI98036C publication Critical patent/FI98036C/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/735Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/73Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents

Landscapes

  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Description

98036
Piiri kapasitiivisen kuorman ohjaamiseksi
Keksintö kohdistuu ohjauspiiriin ja etenkin ohjauspiiriin, joka soveltuu kapasitiivisen kuorman, esimer-5 kiksi el-näyttölaitteen, ohjaamiseen suurjännitteellä.
Patenttivaatimuksen 1 johdanto-osan mukainen ohjauspiiri tunnetaan julkaisusta DER ELEKTRONIKER nro 7, 1983, sivut 38-40, H.M. SCHAR "Leistungsverstärker mit Power FETs".
10 Kapasitiivista kuormaa, kuten el-paneelia, pietso- sähköistä elementtiä jne. ohjataan yleensä suurella jännitteellä, minkä vuoksi ohjauspiiriä varten tarvitaan suuri vakavoitu jännite. Lisäksi ohjauspiiri kapasitiivista kuormaa varten tarvitsee yleensä lähdepuolisen kytkimen 15 kuorman varaamiseksi ja nielupuolisen kytkimen kuorman purkamiseksi, joka kerran on varattu.
Kapasitiivista matriisikuormaa kuten el-paneelia varten olevassa ohjauspiirissä on toivottua integroida joitakin lähtökanavia, jolloin integroinnin olennainen on-20 gelma on vähentää virrankulutusta ohjauspiirissä. Esimerkkinä ohjauspiiristä, jossa käytetään tyristoria tarkoituksena vähentää virrankulutusta ja lisätä kuormitusvirran ohjaustehoa. Tätä kuvataan kuviossa 6.
Kuvio 6 käsittää tyristorin 8, jonka anodi on kyt-25 ketty teholähteen liittimeen 201 ja katodi lähtöliittimeen 3, ja diodin 9, jonka katodi on kytketty tyristorin 8 katodi-hilaan ja anodi tyristorin 8 katodiin, ja npn-tran-sistorin 11, jonka kollektori on kytketty tyristorin 8 anodihilaan ja emitteri teholähteen liittimeen 202 vastuk-30 sen 12 kautta muodostaen täten lähtökohtion. Npn-transis-toreiden 10 ja 11 kannat on liitetty PMOS-transistoreiden 71 ja 72 nieluihin puskuripiirin 207 sisällä tämän ohjatessa edellä kuvattua lähtökohtiota ja reagoiden loogiselta piiriltä 206 tuleviin signaaleihin. PMOS-transistorei-35 den 71 ja 72 lähteet on lisäksi liitetty matalajännittei- 2 98036 sen teholähteen liittimeen 204. Looginen piiri 206 ohjaa puskuripiiriä 207 reagoiden tulosignaaliin tuloliittimen 205 kautta, ja se voidaan rakentaa siirtorekisterillä ja lukkopiirillä jne. siinä tapauksessa, että lähtökohtio on 5 suunniteltu integroimalla kanavia. Lähtöliittimeen 3 kytketyn kapasitiivisen kuorman ohjausta selitetään jatkossa.
Seuraavassa oletetaan että teholähteen liitintä 201 on biasoitu positiivisella suurjännitteellä VHP maan potentiaaliin GND nähden. Siinä tapauksessa että kapasi-10 tiivinen kuorma 13 varataan positiivisella suurjännitteel-lä VHP, tyristori 8 voidaan liipaista johtavaan tilaan kääntämällä npn-transistori 10 johtamattomaan tilaan. Tyristorin 8 ohjaus johtavaan tilaan aikaansaadaan vetämällä ulos hilan ohjausvirta tyristorin 8 anodihilan kautta 15 kääntämällä PMOS-transistori 71 puskuripiirin 207 sisällä johtavaan tilaan npn-transistorin 11 avaamiseksi. Tämä hilan ohjausvirta aikaansaadaan teholähteen liittimen 201 välityksellä, jota on biasoitu suurjännitteellä VHP.
Siinä tapauksessa, että kapasitiivinen kuorma 13, 20 joka on kerran varattu suurjännitteellä VHP, purkautuu, tyristori 8 kääntyy johtamattomaan tilaan npn-transistorin 10 avautuessa. Npn-transistori 10 avautuu avaamalla PMOS-transistori 72 puskuripiirin 207 sisällä kantavirran syöttämiseksi matalajännitteisen teholähteen liittimen 204 25 kautta. Koska kuvion esittämässä piirissä purkausvirta kapasitiiviselta kuormalta 13 kulkee diodin 9 kautta npn-transistorille 10, katodihilan ja tyristorin 8 katodin välinen piiri biasoidaan takaisinvaikuttavasti, ja lisäksi tyristorin 8 katodihilaa biasoidaan maan potentiaaliin GND 30 päin npn-transistorin 10 välityksellä. Tällä tavoin on mahdollista estää tyristorin 8 virhetoiminnot.
Seuraavassa selitetään tapausta, jossa kuvion 6 esittämää ohjauspiiriä käytetään el-paneelin pyyhkäisypuo-len elektrodien ohjaukseen.
35 El-paneeliin on asetettu pyyhkäisypuolen elektro- 3 98036 deja, joihin syötetään suurjännite peräkkäin ja selektiivisesti, ja datapuolen elektrodeja, joihin syötetään suhteellisen alhainen jännite tahdistetusti edellisen kanssa, reagoiden valaisevaan ja ei-valaisevaan tietoon, jotka 5 risteävät toistensa kanssa el-kerroksen muodostuessa kahden tyyppisten elektrodien välille. Pyyhkäisypuolen elektrodin ja datapuolen elektrodin väliin jäävä osa muodostaa kuvapisteen, joka vastaa kapasitiivista kuormaa. Valon emittoinnin alkamiseen tarvittava jännite on niinkin kor-10 kea kuin 200 (V) (JP-A-60-97394) . Koska el-paneelilla on polarisaatiovaikutus, voidaan sitä ohjata vaihtosähköjän-nitteellä. Toisin sanoen, kun el-elementti purkautuu valon emittoimiseksi sen jälkeen, kun se on kerran varattu tietyllä jännitepolariteetilla, polarisaatio syntyy suuntaan, 15 jossa aiemmin syntynyt jännitepolarisaatio on peruuntunut. Tämän vuoksi, kun se uudelleen varataan syöttämällä siihen saman polariteetin jännite ja se saadaan emittoimaan valoa, emittoidun valon kirkkaus on vähentynyt. Vastaavasti siinä tapauksessa, että el-elementti, joka on kerran saatu 20 valoa emittoivaksi, tulee uudelleen saattaa valoa emittoivaksi, on välttämätöntä syöttää siihen jännite, jonka po- . lariteetti on vastakkainen edeltäneeseen polariteettiin nähden. Esimerkkejä tämän kaltaisesta menetelmästä el-pa-neelin ohjaamiseksi tunnetaan kirjallisuudesta, esimerkik-25 si "Bidirectional Push-Pull Symmetrical Driving Method For A TF-EL Display (in Japanese)" Sharp Technical Report, no.
38, 1987 jne.
Kuvio 7 esittää esimerkkiä, jossa kuviossa 6 kuvattuja ohjauspiirejä on integroitu ja sovellettu edellä ku-30 vatun el-paneelin pyyhkäisypuolen elektrodien ohjaamiseen.
Kuviossa 7 tyristorit 81, 82, ...,npn-transistorit 101, 102, ..., 111, 112, vastukset 121, 122, ..., jne.
vastaten kuvion 6 tyristoria 8, npn-transistoria 10, 11 ja vastusta 12 on asetettu jokaista kanavaa varten, jolloin 35 teholähteen liittimiä 201 ja 202 käytetään yhteisesti.
4 98036 Lähtöliitin 31, 32, ... kutakin kanavaa varten vastaa yhtä pyyhkäisypuolen elektrodien linjaa. Lisäksi kukin Cl, C2, jne. vastaa yhtä linjaa datapuolen elektrodeja, ja jokainen kahden erilaisen elektrodin väliin kytketty kapasitii-5 vinen kuorma 311, 312, jne. vastaa yhtä kuvapistettä. Tästä lähtien kapasitiivista kuormaa 311, 312, jne. kutsutaan kuvapisteeksi 311, 312, jne.
Koska pyyhkäisypuolen elektrodien ohjauspiiri tuo datapuolen elektrodeille polariteetiltaan sekä positiivi-10 siä että negatiivisia suurjännitesignaaleja, kuten on kuvattu myös edellä mainitussa kirjallisuusesimerkissä, ovat teholähteen johdot, eli teholähteen liittimet 201, 202, 204 jne. kuviossa 7, tästä syystä kelluvia, ja ohjaussignaalit syötetään valoeristimien jne. välityksellä. Lisäksi 15 potentiaalia matalajännitteisessä teholähteen liittimessä 204 pidetään aina suunnilleen 5:ssä (V) suhteessa teholähteen liittimen 202 potentiaaliin.
Ensiksi kuvataan tapausta, jossa kuvapisteen varaus ja valon emittointi aikaansaadaan tuomalla positiivinen 20 suurjännite VHP pyyhkäisypuolen elektrodille 31.
Seuraavassa oletetaan, että teholähteen liitintä 201 biasoidaan positiivisella suurjännitteellä VHP, teholäh-teen liitintä 202 0:11a (V) ja C2:a jännitteellä VD. Kun el-kuvapisteen valon emittoinnin käynnistysjännitettä mer-25 kitään VT:llä, oletetaan että suhteet VHP £ VT ja VHP - VD £ VT ovat voimassa. Tässä tilassa positiivinen suurjännite VHP lähetetään pyyhkäisypuolen elektrodille 31 Hipaisemalla ainoastaan tyristori 81 johtavaan tilaan. Tällä hetkellä jännite kuvapisteen 311 kahden liittimen välillä on VHP.
30 Koska tämä jännite ylittää valon emittoinnin käynnistys-jännitteen VT, kuvapiste 311 säteilee valoa. Toisaalta taas, koska jännite kuvapisteen 312 kahden liittimen välillä on VHP - VD, ja koska tämä jännite ei saavuta valon emittoinnin käynnistysjännitettä VT, kuvapiste ei emittoi 35 valoa. Tällä tavoin on mahdollista päättää kuvapisteiden 5 98036 valon emittoinnista tai emittoimattomuudesta valikoidulla pyyhkäisypuolen elektrodilla (edellä kuvatussa tapauksessa pyyhkäisypuolen elektrodi 31) käyttämällä suhteellisen alhaista datapuolen elektrodille tuotua jännitettä VD.
5 Sen jälkeen kun kuvapisteen varaus ja valon emit- tointi (tai emittoimattomuus) on aikaansaatu positiivisen suurjännitteen VHP avulla, kuvapiste puretaan seuraavaan ohjauksen ajastukseen valmistautumista varten. Tämä kuva-pisteiden purkautuminen pyyhkäisypuolen elektrodille 31 10 voidaan aikaansaada saattamalla npn-transistori 101 johtavaksi. Edellä kuvatussa menettelyssä pyyhkäisypuolen elektrodin 31 ohjaus päättyy ja seuraava pyyhkäisypuolen elektrodi 32 valitaan ja ohjataan. Kun kaikki pyyhkäisypuolen elektrodit on tällä tavoin valittu ja ohjattu, menettely 15 palaa ensimmäisen pyyhkäisypuolen elektrodin 31 valintaan. El-kuvapisteen polarisaatiovaikutuksen takia on kuitenkin välttämätöntä käyttää tällä hetkellä jännitettä, jonka polariteetti on vastakkainen edellisellä kerralla käytettyyn nähden. Tämän vuoksi teholähteen liitintä 202 biasoi-20 daan tällä kertaa negatiivisella suur jännitteellä VHN, ja teholähteen liitintä 201 0:11a (V) siten, että ainoastaan npn-transistori 101 saatetaan johtavaksi negatiivisen suurjännitteen VHN lähettämiseksi pyyhkäisypuolen elektrodille 31. Tässä tapauksessa VHN:n oletetaan vastaavan suh-25 teitä, joita voidaan ilmaista |VHN| ^ VT ja |vHN| + VD £ VT.
Mikäli nyt oletetaan, että datapuolen elektrodi Cl biasoidaan 0:11a (V), ja C2 jännitteellä VD, koska jännite kuvapisteen 311 kahden liittimen välillä on |VHN|, jännite ei saavuta valon emittoinnin käynnistysjännitettä VT, ja 30 sen vuoksi valon emittointia ei tapahdu. Toisaalta taas koska kuvapisteen 312 kahden liittimen välinen jännite on |VHVI + VD, siihen tuotu jännite ylittää valon emittoinnin käynnistysjännitteen VT, ja valoa emittoituu.
6 98036
Sen jälkeen kun kuvapisteen varaus ja valon emit-tointi (tai emittoimattomuus) on aikaansaatu tämän negatiivisen suurjännitteen VHN avulla, tyristori 81 liipaistuu johtavaksi kuvapisteiden purkamiseksi pyyhkäisypuolen 5 elektrodille 31, ja menettely etenee seuraavan pyyhkäisypuolen elektrodin 31 valintaan.
Edellä mainitussa kirjallisuusesimerkissä käytetään menetelmää, jonka avulla käytetyn jännitteen polariteetti käännetään jokaista pyyhkäisevää elektrodia varten. Joka 10 tapauksessa tietyltä pyyhkäisevältä elektrodilta katsottuna jännitteen polariteetti käännetään joka kerta kuva-pisteen valitsemiseksi ja ohjaamiseksi. Tästä syystä teholähteen liittimelle 201 ja 202 tuodut jännitteet ylikytke-tään ulkoisen kytkentäelementin välityksellä.
15 Edullisessa piirissä ohjausvirta johtavaan tilaan tyristoria 8 varten, eli hilaohjausvirta, kulkee teholähteen liittimeltä 201 npn-transistorin 11 kautta teholähteen liittimelle 202. Koska kuitenkin teholähteen liittimen 201 potentiaali on suurempi kuin teholähteen liittimen 20 202 potentiaali, syntyy tästä se ongelma, että hilan oh- jausvirrasta johtuva virrankulutus on suuri. Tämä huomioiden on myös mahdollista pyrkiä tehokkaasti vähentämään virrankulutusta asettamalla monostabiili piiri loogiseen piiriin 206 ja pulssiohjaamalla PMOS-transistori 71 ja 25 npn-transistori 11. Tämä tekee loogisesta piiristä kuitenkin monimutkaisen, mikä taas kasvattaa palan kokoa. Lisäksi pulssiohjausta käytettäessä sen jälkeen kun tyristori 8 on kerran käännetty johtavaan tilaan, kun hilavirtaa ei enää ole, ja kun tyristorin 8 läpi kulkeva virta, eli ku-30 vapisteen varausvirta, alenee tyristorin 8 pitovirran alapuolelle, tyristori 8 tulee johtamattomaksi, mikä synnyttää myös sen ongelman, että kuvapisteen varausjännite alenee. Lisäksi siinä tapauksessa, että joukko kanavia on integroitu kuvion 7 osoittamalla tavalla, ja piiri on ra-35 kennettu edullisella tavalla, suuren potentiaalieron 7 98036 syntyessä teholähteen liittimien 201 ja 202 välille, jos oikosulkuvirta kulkee eri lähtöliittimien välillä ulkopuolella, oikosulkuvirta kulkee reittiä teholähteen liitin 201 - lähdepuolen kytkentäelementti (esimerkiksi tyristori 5 81) - nielupuolen kytkentäelementti (esimerkiksi npn-tran- sistori 102) - teholähteen liitin 202 eri kanavien välillä. Näin voi tapahtua esimerkiksi siinä tapauksessa, että se pyyhkäisypuolen elektrodi 31 on valittu, johon syötetään korkea jännite VHP, ja muut pyyhkäisypuolen elektrodit 10 32, ... ovat 0V:ssä, joten npn-transistorit 102, ... jne.
avautuvat. Edellä mainitun oikosulkuvirran rajoittamiseksi ja integroidun piirin tuhoutumisen estämiseksi, lähdepuolen tai nielupuolen kytkentäelementillä tulisi olla virtaa rajoittava tehtävä. Kuvioiden 6 ja 7 osoitta-15 missä esimerkeissä nielupuolella käytetty npn-transistori toteuttaa tämän tehtävän.
Kuten edellä on selitetty, mainitun tyyppisissä piireissä saattaa joissakin tapauksissa olla tarpeen rajoittaa kuormaa ohjaavan virran tehoa. Tämä aiheuttaa on-20 gelmia syötettäessä virtaa el-näyttölaitteeseen, jossa tarvittava virran ohjausteho kasvaa paneelin koon kasvaessa.
Keksintö kohdistuu ohjauspiiriin, joka ratkaisee edellä kuvatun ongelman ja joka soveltuu kapasitiivisen 25 kuorman ohjaamiseen, ja joka konkreettisemmin ilmaistuna pystyy vähentämään virrankulutusta ilman, että piiristä tulee monimutkainen tai että tyristorin pitovirta eliminoituu sitä käytettäessä.
Mainittu tavoite saavutetaan patenttivaatimuksen 1 30 mukaisella ohjauspiirillä.
Kun positiivinen suurjännite VHP lähetetään lähtö-liittimelle, ensimmäiseen teholähteen liittimeen syntyy positiivinen suurjännite VHP, ja toista teholähteen liitintä pidetään kelluvassa tilassa lähdepuolen kytkentäelemen-35 tin kääntämiseksi johtavaan tilaan. Koska ensimmäisen ja 8 98036 toisen teholähteen liitimen välillä tarvitaan aina n. 5:n (V) potentiaaliero, ottaen huomioon jännitteen alenemisen ohjauskohtiossa, toisen teholähteen liittimen potentiaali on n. 5 (V) alempi kuin positiivinen suurjännite VHP ensim-5 mäisessä teholähteen liittimessä. Ohjausvirta johtavaan tilaan voidaan lähdepuolen kytkentäelementtiä kuten tyristoria varten aikaansaada laittamalla virta kulkemaan ensimmäiseltä teholähteen liittimeltä toiselle teholähteen liittimelle. Tällä tavoin on mahdollista vähentää huomat-10 tavasti virrankulutusta. Tästä syystä virrankulutuksen ongelma voidaan ratkaista käyttämättä mitään välineitä edellä kuvattua pulssin ohjausta jne. varten. Lisäksi on mahdollista poistaa pitovirran ongelma tapauksessa, jolloin tyristoria käytetään, pitämällä yllä ohjausvirtaa 15 johtavaan tilaan tarvittavan ajanjakson ajan.
Kun negatiivinen suurjännite VHN lähetetään lähtö-liittimelle, toiseen teholähteen liittimeen syntyy negatiivinen suurjännite VHN, ja ensimmäistä teholähteen liitintä pidetään kelluvassa tilassa nielupuolen kytkentäele-20 mentin kääntämiseksi johtavaan tilaan. Koska ohjausvirta johtavaan tilaan voidaan nielupuolen kytkentäelementtiä varten syöttää ensimmäiseltä teholähteen liittimeltä edellä kuvatun menetelmän mukaisesti, jää virrankulutus pieneksi .
25 Kuten edellä on selitetty, jompaa kumpaa lähdepuo- len ja nielupuolen kytkentäelementtiä voidaan ohjata mata-lajännitteisellä teholähteellä. Tämän vuoksi siinä tapauksessa, että transistoria käytetään kytkentäelementtinä sen vuoksi, että ohjausvirta eli kantavirta voidaan asettaa 30 suureksi, on mahdollista lisätä kytkentäelementin kuormi-tusvirran ohjaustehoa. Lisäksi koska suurjännite tuodaan joko ensimmäiselle teholähteen liittimelle tai toiselle teholähteen liittimelle toisen ollessa kelluvassa tilassa, koko ohjauspiiriä nostetaan tai lasketaan tuodun 35 suurjännitteen potentiaaliin. Siinä tapauksessa että oh-
;i m i nm l i MH
9 98036 jauspiiri on suunniteltu integroimalla kanavia, vaikkakin eri kanavien lähtöliittimet on oikosuljettu ulkopuolelta, suurjännitteisen teholähteen oikosulkuvirta ei kulje ohjauspiirissä, vaan ainoastaan oikosuljettuihin lähtöliit-5 timiin kytkettyjä kuormia ohjataan samanaikaisesti. Tästä syystä ei lähdepuolen eikä nielupuolen kytkentäelementillä tule olla erityistä virtaa rajoittavaa tehtävää, ja näin ollen on mahdollista helposti lisätä virran ohjaustehoa sekä lähdepuolella että nielupuolella käyttämällä tyris-10 toreja molempia kytkentäelementtejä varten.
Liitteenä olevat kuviot esittävät: kuvio 1 piirikaavio keksinnön mukaisen ohjauspii rin suoritusmuodosta, kuvio 2 piirikaavio kuvion 1 ohjauspiiriä käyttä- 15 västä el-näyttölaitteesta, kuvio 3 piirikaavio keksinnön mukaisen ohjauspii rin toisesta suoritusmuodosta, kuvio 4 piirikaavio keksinnön mukaisen ohjauspii rin vielä toisesta suoritusmuodosta, 20 kuvio 5 piirikaavio keksinnön mukaisen ohjauspii rin erilaisesta suoritusmuodosta, kuvio 6 piirikaavio ohjauspiirin edullisesta suo ritusmuodosta, ja kuvio 7 piirikaavio kuvion 6 ohjauspiirin edullis- 25 ta suoritusmuotoa käyttävästä el-näyttö- laitteesta.
Seuraavassa selitetään keksintöä viittaamalla edullisia suoritusmuotoja esittäviin piirustuksiin.
Kuvio 1 käsittää lähdepuolen kytkentäelementtinä 30 toimivan tyristorin 15, jossa anodi on kytketty teholähteen liittimeen 4 ja katodi on kytketty diodin 16 anodiin, diodin 16 katodin ollessa kytkettynä lähtöliittimeen 3; ja nielupuolen kytkentäelementtinä toimivan tyristorin 14, jossa anodi on kytketty lähtöliittimeen 3 ja katodi on 35 kytketty toiseen teholähteen liittimeen 2 näiden element- 10 98036 tien muodostaessa lähtökohtion. Tyristorin 14 katodihila on kytketty PMOS-transistorin 73 nieluun puskuripiirin 7 sisällä, ja PMOS-transistorin 73 lähde on kytketty teholähteen liittimeen 4. Tyristorin 15 anodihila on kytketty 5 NMOS-transistorin 74 nieluun puskuripiirin 7 sisällä, ja NMOS-transistorin lähde on kytketty teholähteen liittimeen 2. Kuvioon 1 on sijoitettu myös tulosignaaliin tuloliit-timen 5 kautta reagoiva looginen piiri 6 puskuripiirin 7 ja lähtökohtion ohjaamiseksi. Ohjauspiiri käsittää lisäksi 10 diodin 17, jossa anodi on kytketty tuloliittimeen 5, ja katodi on kytketty teholähteen liittimeen 4, ja toisen diodin 18, jossa anodi on kytketty teholähteen liittimeen 2, ja katodi on kytketty tuloliittimeen 5. Kapasitiivinen kuorma 13 on kytketty lähtöliittimeen 3. Matalajännitete-15 holähde VB on kytketty teholähteen liittimien 2 ja 4 väliin. Matalajänniteteholähde VB on kelluva teholähde, joka on eristetty muuntajan jne. välityksellä ja joka pitää lähtöliitintä 4 potentiaalissa, joka on aina n. 5 V korkeampi kuin potentiaali teholähteen liittimessä 2. Teho-20 lähteen liitin 4 on kytketty positiiviseen suurjännitete-holähteeseen VHP ulkoisen kytkentäelementin Sx välityksellä, maan potentiaaliin kytkentäelementin S2 välityksellä sekä negatiiviseen suurjänniteteholähteeseen VHN ulkoisen kytkentäelementin S3 välityksellä. Teholähteen liitin 2 taas 25 on kytketty positiiviseen suurjänniteteholähteeseen VHP ulkoisen kytkentäelementin S4 välityksellä, maan potentiaaliin kytkentäelementin S5 välityksellä ja negatiiviseen suurjänniteteholähteeseen VHN ulkoisen kytkentäelementin S6 välityksellä. Lisäksi tuloliittimen 5 kautta syötetty oh-30 jaussignaali syötetään eristimen kuten valoeristimen kautta. Seuraavaksi selitetään ohjauspiirin toimintaa.
Siinä tapauksessa, että positiivinen suurjännite VHP lähetetään lähtöliittimelle 3 tilassa, jossa ulkoinen kyt-kentäelementti S: on johtavassa tilassa ja muut ulkoiset 35 kytkentäelementit S2, S3, S4, S5 ja S6 on käännetty johta-
•s Ιΐ ί älli: I - MU
11 98036 mattomaan tilaan, tyristori 15 liipaistuu johtavaan tilaan. Tyristori 15 voidaan saattaa johtavaan tilaan kytkemällä NMOS-transistori 74 johtavaan tilaan puskuripiirin 7 sisällä ja ohjaamalla hilaohjauspiiri ulos tämän anodi-5 hilasta. Koska matalajänniteteholähde VB syöttää tämän hilaohjausvirran ja se kulkee teholähteen liittimien 4 ja 2 välillä, sähkötehon kulutus on pientä. Varausvirta kapa-sitiiviselle kuormalle 13 kulkee reittiä teholähteen liitin 4 - tyristori 15 - diodi 16 - kapasitiivinen kuorma 13 10 - maa.
Siinä tapauksessa, että positiivisella suurjännit- teellä VHP varattu kapasitiivinen kuorma 13 puretaan tilassa, jossa ulkoiset kytkentäelementit Sx, S2, S4, S3 ja S6 on käännetty johtamattomaan tilaan ja ulkoinen kytkentäele-15 mentti S5 on käännetty johtavaan tilaa, tyristori 14 liipaistuu johtavaan tilaan. Tyristori 14 voi liipaistua johtavaan tilaan asettamalla PMOS-transistori 73 johtavaan tilaan puskuripiirin 7 sisällä ja syöttämällä hilaohjaus-virta katodihilalle. Koska myös matalajänniteteholähde VB 20 syöttää tätä hilaohjausvirtaa ja se virtaa teholähteen liittimien 4 ja 2 välillä, sähkötehon kulutus on pientä. Purkausvirta kapasitiiviselta kuormalta 13 kulkee tyristorin 14 kautta teholähteen liittimelle 2.
Mikäli negatiivinen suurjännite VHN varaa kapasitii-25 visen kuorman 13, ulkoiset kytkentäelementit Slf S2, S3, S5 ja S4 asettuvat johtamattomaan tilaan, ulkoinen kytkentä-elementti S6 kääntyy johtavaksi, ja teholähteen liittimeen syntyy negatiivinen suurjännite VHN siten että tyristori 14 liipaistuu johtavaan tilaan. Kun tyristori 14 on johtavas-30 sa tilassa, varausvirta kulkee kapasitiiviselta kuormalta 13 teholähteen liittimelle 2, ja negatiivinen suurjännite VHN varaa kapasitiivisen kuorman 13. Tällä hetkellä matala-jänniteteholähde VB syöttää tyristorin 14 hilaohjausvirtaa, joka kulkee teholähteen liittimien 4 ja 2 välillä samoin 35 kuin edellä on kuvattu.
12 98036
Siinä tapauksessa, että negatiivisen suurjännitteen VHN varaama kapasitiivinen kuorma 13 purkautuu, ulkoiset kytkentäelementit S3, S3, S4, S5 ja S6 kääntyvät johtamattomaan tilaan, ulkoinen kytkentäelementti S2 kääntyy joh-5 tavaan tilaan siten, että teholähteen liitin 4 biasoidaan 0:ssa (V), ja tyristori 15 kääntyy johtavaan tilaan. Aivan kuten edellä jo kuvattiin tyristori 15 voidaan saattaa johtavaan tilaan kääntämällä PMOS-transistori 74 johtavaan tilaan siten, että hilaohjausvirta kulkee teholähteen 10 liittimeltä 4 teholähteen liittimelle 2. Tyristorin 15 liipaistuessa johtavaan tilaan kapasitiivisen kuorman 13 purkausvirta kulkee teholähteen liittimeltä 4 kapasitiivi-selle kuormalle 13 tyristorin 15 ja diodin 16 kautta.
Lisäksi tämän suoritusmuodon mukaisesti on mahdol-15 lista varata ja purkaa kapasitiivinen kuorma 13 ainoastaan jomman kumman teholähteen liittimen 2 ja 4 kautta. Esimerkiksi siinä tapauksessa, että kuorma varataan ja puretaan ainoastaan teholähteen liittimen 2 kautta virransyötön tapahtuessa kapasitiiviselle kuormalle 13 eli kun kuormaa 20 varataan positiivisella suurjännitteellä VHP tai sitä puretaan negatiivisella suurjännitteellä tapahtuneen varaamisen jälkeen, virta voi kulkea teholähteen liittimeltä 2 reittiä diodi 18 - diodi 17 - tyristori 15 - diodi 16 -lähtöliitin 3 pitkin. Toisaalta taas siinä tapauksessa, 25 että virta imetään kapasitiiviselta kuormalta 13, kuten edellisen suoritusmuodon yhteydessä selitettiin, tyristori 14 saattaa Hipaistua johtavaan tilaan.
Siinä tapauksessa, että käytetään ainoastaan teholähteen liitintä 4, on mahdollista varata ja purkaa kapa-30 sitiivinen kuorma 13 samalla tavalla käyttämällä diodien 18 ja 17 reittiä.
Kuten edellä kuvattiin voidaan siinä tapauksessa, että liitintä käytetään yhteisesti suurjännitteen tuomiseen, jompi kumpi kuvion 1 ulkoisten kytkentäelementtien 35 ryhmistä Slf S2, S3 ja S„, S5, S6 jättää pois.
•I i| i Ηϋ lii I CT
13 98036
Koska kapasitiivista kuormaa 13 voidaan ohjata sekä positiivisella että negatiivisella suurjännitteellä, ja lisäksi on mahdollista ohjata sekä lähdepuolen kytkentä-elementtiä että nielupuolen kytkentäelementtiä n. 5 V:n 5 matalajännitesysteemin avulla, on tämän suoritusmuodon mukaisesti lisäksi mahdollista vähentää tehonkulutusta huomattavasti ohjattaessa suurjännitekytkentäelementtejä ja saavuttaa ohjauspiiri, joka on edullinen integroinnin kannalta. Vaikka tyristoreja 14 ja 15 käytetään kuviossa 1 10 kytkentäelementteinä kuormitusvirran ohjaustehon lisäämiseksi, samanlainen toiminto voidaan toteuttaa vaikka kyt-kentäelementit koostuisivat pnp-transistoreista tai MOS-transistoreista. Kuitenkin siinä tapauksessa, että pnp-transistoreita käytetään tätä tarkoitusta varten, tar-15 vitaan kantavirta, joka yleensä on suurempi kuin hilaoh-jausvirta tyristoria varten, ja myös kuormitusvirran ohjaustehon kannalta on edullisempaa käyttää tarkoitukseen tyristoreita. Mikäli tässä käytetään tyristoreita, vaikkakin pitovirta aiheuttaa tämän suoritusmuodon mukaan on-20 gelmia sen tähden, että voidaan saavuttaa hilaohjausvirran aiheuttamaa virrankulutusta huomattavasti pienentävä vaikutus, voidaan tämä ongelma ratkaista antamalla hilavirran kulkea tarvittavan ajanjakson ajan. Koska tarvittava hila-virran intensiteetti tyristorin liipaisemiseksi johtavaan 25 tilaan on yleensä n. 100 (μΑ) olettaen että teholähteen liittimien 2 ja 4 välinen potentiaaliero kuviossa 1 on 5 (V), hilaohjausvirran aiheuttama tehonkulutus on suunnilleen 100 (μΑ) x 5 (V) =0.5 (mW) , mikä on äärimmäisen pieni. Tällöin tyristorit 14 ja 15 ja diodi 16 ovat vakavoi-30 tuja jännite-elementtejä, ja tyristorin vakavointi-jännite on suuri molempiin suuntiin, päästö- ja estosuuntaan. Lisäksi silloin kun looginen piiri 6 on rakennettu CMOS-transistoreilla, diodit 18 ja 17 on yleensä asetettu tulo-hilaa suojeleviksi elementeiksi, joita voidaan käyttää 35 sitä varten.
14 98036
Koska kapasitiivista kuormaa on mahdollista ohjata käyttämällä sekä positiivista että negatiivista suurjänni-tettä siten, että jompi kumpi teholähteen liittimistä 2 ja 4 on kelluvassa tilassa, kuten edellä on selitetty, on 5 tämä suoritusmuoto sopivin el-paneelin pyyhkäisypuolen ohjauspiiriä varten, jota ohjataan samanaikaisesti kuin teholähteen juova asetetaan kelluvaan tilaan.
Kuvio 2 kuvaa esimerkkiä, jossa kuviossa 1 keksinnön suoritusmuotona kuvattua ohjauspiiriä sovelletaan el 10 pyyhkäisypuolen elektrodien ohjaamiseen. Kuviosta 2 on poistettu välineet potentiaalien antamiseksi teholähteen liittimille.
Kuvioon 2 on asetettu kuvion 1 osoittama määrä ohjauspiirejä, joka vastaa kanavien lukumäärää, ja kunkin 15 kanavan lähtöliitin 31,32, ..., jne. on kytketty el-näyt-töpaneelin yhteen pyyhkäisypuolen elektrodiin ohjauspiirien ollessa muodostettu samalle puolijohdealustalle 100. Lisäksi Clr C2, . .., jne. esittävät datapuolen elektrodeja, ja piste, jossa eri puolille el-kerrosta sijoitetut pyyh-20 käisypuolen elektrodit ja datapuolen elektrodit yhtyvät, vastaa el-kuvapistettä 311,312. Lisäksi tilanteessa, jossa jompi kumpi teholähteen liittimistä on kelluvassa tilassa, teholähteen liitintä 4 pidetään potentiaalissa, joka on n.
5 (V) korkeampi kuin potentiaali teholähteen liittimessä 25 2.
Koska el-näyttöpaneelilla on polarisaatiovaikutus, kuten edellä on kuvattu, tuodun jännitteen polariteetti kääntyy joka kerta saadakseen kuvapisteen emittoimaan valoa. Kuviossa 2 tapauksessa, jossa pyyhkäisypuolen elek-30 trodi 31 on valittu ja jossa positiivinen suurjännite VHP varaa pyyhkäisypuolen elektrodin jotta kuvapiste saadaan emittoimaan valoa, positiivinen suurjännite VHP tuodaan teholähteen liittimelle 4 teholähteen liittimen 2 ollessa kelluvassa tilassa. Mikäli virtareitti kulkee teholähteen 35 liittimeltä 2 kohti teholähteen liitintä 4, kuten diodien 15 98036 18 ja 17 kautta kuviossa 1, jännite saatetaan tuoda jompaan kumpaan teholähteen liittimistä 2 ja 4. Positiivinen suurjännite VHP lähetetään pyyhkäisypuolen elektrodille 31 Hipaisemalla johtavaan tilaan ainoastaan tyristori 151 5 tilassa, jossa positiivinen suurjännite VHP tuodaan teholähteen liittimelle 4. Tällä hetkellä kuvapisteet 311, 312, ..., jne. pyyhkäisypuolen elektrodilla 31 voidaan saada emittoimaan valoa riippuen mahdollisesta datapuolen elektrodien C^, C2, ..., jne. tilasta.
10 Tapauksessa, jossa kuvapisteet 311, 312, ..., jne.
pyyhkäisypuolen elektrodilla 31 puretaan, teholähteen liitin 4 asettuu kelluvaan tilaan, teholähteen liitin 2 bia-soidaan 0:11a (V), ja tyristori 141 liipaistuu johtavaan tilaan. Purkausvirta kulkee pyyhkäisypuolen elektrodilta 15 31 teholähteen liittimelle 2 tyristorin 141 kautta.
Edellä kuvatussa toimintasarjassa pyyhkäisypuolen elektrodin 31 valinta päättyy ja siinä edetään seuraavan pyyhkäisypuolen elektrodin 32 valintaan. Kun kaikki pyyhkäisypuolen elektrodit on onnistuttu valitsemaan, toimin-20 tasarja palaa uudelleen pyyhkäisypuolen elektrodin 31 valintaan, ja tällä kertaa, kuvapisteille tuodun jännitteen polariteetin vaihtamiseksi, negatiivinen suurjännite VHN tulisi lähettää lähtöliittimeltä. Tässä tapauksessa teholähteen liitin 4 on asetettu kelluvaan tilaan, negatiivi-25 nen suurjännite VHN tuotu teholähteen liittimelle 2, ja ainoastaan tyristori on liipaistunut johtavaan tilaan. Negatiivinen suurjännite VHN lähetetään pyyhkäisypuolen elektrodille 31 Hipaisemalla tyristori 141, ja kuvapisteet 311, 312, ..., jne. voidaan pyyhkäisypuolen elektro- 30 dilla 31 saada emittoimaan valoa riippuen datapuolen elektrodien Clf C2, ..., jne. mahdollisesta tilasta.
Silloin kun kuvapisteet 311,312, ..., jne. purkau tuvat, teholähteen liitin 2 asettuu kelluvaan tilaan, teholähteen liitin 4 biasoidaan 0:11a (V), ja tyristori 151 35 liipaistuu johtavaan tilaan. Purkausvirta kulkee teholäh- 16 98036 teen liittimeltä 4 pyyhkäisypuolen elektrodille 31 tyristorin 151 ja diodin 161 kautta ja voi purkaa kuvapisteet 311,312, ..., jne. pyyhkäisypuolen elektrodilla 31.
Kuten edellä on selitetty, tämän suoritusmuodon 5 mukaisesti on mahdollista ohjata pyyhkäiseviä elektrodeja el-paneelissa. Pyyhkäisevä elektrodi koostuu yleensä useasta sadasta juovasta, ja ohjauspiiriä varten on välttämätöntä integroida joitakin kanavia. Koska tämä keksintö vähentää tehonkulutusta huomattavasti, se on hyvin edul-10 linen integroinnin kannalta. El-paneeleilla on viime aikoina lisäksi ollut taipumus kasvaa ja kasvaa. Koska tällöin myös kuormitusvirta kasvaa, ohjauspiirin virranoh-jausteho aiheuttaa ongelmia. Käyttämällä tässä suoritusmuodossa kuvattuja tyristoreita on mahdollista täyttää 15 edellä mainittu vaatimus kasvattamatta silti tehonkulutusta ja aikaansaada ohjauspiiri, joka soveltuu mitä parhaiten el-paneelin pyyhkäisevän elektrodin ohjaamiseen.
Kuvio 3 esittää keksinnön toista suoritusmuotoa. Kuvion 3 piiri käsittää kuvion 1 suoritusmuodon lisäksi 20 kytkentäelementin 76 tyristorin 15 anodin ja anodihilan välissä, ja toisen kytkentäelementin 75 tyristorin 14 katodin ja katodihilan välissä. Koskien tyristorien 14 ja 15 ohjausta johtavaan tilaan nämä voidaan liipaista johtavaan tilaan PMOS-transistorin 73 tai NMOS-transistorin 74 kaut-25 ta kuvion 1 esittämän suoritusmuodon mukaisesti asettamalla kytkentäelementit 75 ja 76 johtamattomaan tilaan. Tässä suoritusmuodossa välineet potentiaalien antamiseksi teholähteen liittimille 2 ja 4 ovat samanlaisia kuvion 1 esittämän suoritusmuodon välineiden kanssa, minkä vuoksi ne on 30 tästä kuviosta jätetty pois. Seuraavassa selitetään vaikutusta, jonka kytkentäelementtien 75 ja 76 asettaminen saa aikaan.
Tyristorin vakavointijännitettä koskevan luotettavuuden varmistamiseksi asetetaan vastus sen katodihilan ja 35 katodin tai anodihilan ja anodin väliin. Transistoria var- 17 98036 ten asetetaan lisäksi vastus kannan ja emitterin väliin. Tämä vastus pystyy estämään virhetoiminnot paremmin vastuksen pienentyessä, sillä tämän vastuksen läpi kulkeva vuotovirta kasvaa vastaavasti, mikä kasvattaa hilaohjaus-5 virtaa tai kantavirtaa. Tyristorilla on lisäksi ominaisuus syttyä virheellisesti siitä syystä, että tuodun jännitteen nousunopeus, eli dv/dt on suuri. Tämän ilmiön estämiseksi on suoritettu myös toimenpide tyristorien virhetoiminnon estämiseksi ohittamalla liitoksen läpi kulkeva virta 10 dv/dt:n sovelluksessa siten, että käytetään vastusta. Myös tässä tapauksessa on mahdollista ehkäistä virhetoimintoja dv/dt:ä vasten paremmin vastuksen pienentyessä.
Kuvion 3 suoritusmuodossa tyristorien 14 ja 15 virhetoimintoja voidaan estää kytkentäelementtien 75 ja 76 15 avulla kasvattamatta hilaohjausvirtaa. Esimerkiksi silloin, kun teholähteen liittimelle 4 tuodaan positiivinen suurjännite VHP, ja tyristoria 15 pidetään johtamattomassa tilassa, kytkentäelementti 76 kytkeytyy päälle. Koska tyristorin 15 anodi ja anodihila on oikosuljettu, on tällä 20 tavoin mahdollista estää tyristorin 15 virhetoiminnot.
Lisäksi siinä tapauksessa, että teholähteen liittimelle 2 tuodaan negatiivinen suurjännite VHN, ja tyristoria 14 pidetään johtamattomassa tilassa, katodihila ja katodi oikosuljetaan kytkemällä kytkentäelementti 75 päälle, jol-25 loin estetään virhetoiminnot.
Koska molempia kytkentäelementtejä 75 ja 76 voidaan ohjata teholähteen liittimien 4 ja 2 välillä, ei ole välttämätöntä käyttää paljon vakavoituja jännite-elementtejä, ja tämän vuoksi ohjauspiiri voidaan rakentaa käyttämällä 30 esimerkiksi matalajännitteisiä MOS-transistoreita, jne.
Tästä syystä on edullista muodostaa kytkentäelementit integroituun piiriin.
Tämän suoritusmuodon mukaisesti voidaan helposti aikaansaada vaikutus, joka estää ohjauspiirin virhetoimin-35 not sen vaikutuksen lisäksi, joka saavutettiin kuvion 1 18 98036 esittämässä ja edellä selitetyssä suoritusmuodossa.
Myös tässä suoritusmuodossa voi lähtöliitin 3 kuvion 2 mukaisesti olla kytkettynä kunkin el-näyttölaitteen pyyhkäisevän elektrodin kanssa.
5 Kuvio 4 esittää vielä toista keksinnön suoritusmuo toa .
Kuvion 4 piiriin on kuvion 1 esittämän suoritusmuodon lisäksi asetettu kytkentäelementti 19 teholähteen liittimen 4 ja tyristorin 15 anodin väliin, ja diodi 20, 10 jossa katodi on kytketty tyristorin 15 anodiin ja anodi teholähteen liittimeen 2. Tämä suoritusmuoto eroaa kuvion 1 suoritusmuodosta siinä, että tässä on välineet potentiaalien antamiseksi teholähteen liittimille ainoastaan teholähteen liittimen 2 puolella. Seuraavassa selitetään 15 tätä toimintaa.
Siinä tapauksessa, että positiivinen suurjännite VHP lähetetään lähtöliittimelle 3, ulkoinen kytkentäelementti S4 kytkeytyy päälle, positiivinen suurjännite VHP tuodaan teholähteen liittimelle 2, ja tyristori 15 liipaistuu joh-20 tavaan tilaan. Tyristori 15 voi liipaistua johtavaan tilaan sen ansiosta, että hilaohjausvirta kulkee teholähteen liittimeltä 4 teholähteen liittimelle 2 kytkentäelementin 19 ja NMOS-transistorin 74 kautta kytkien päälle kytkentäelementin 19 ja NMOS-transistorin 74. Lisäksi samoin kuin 25 edellä kuvattiin teholähteen liitintä 4 pidetään aina potentiaalissa, joka on n. 5 (V) korkeampi kuin teholähteen liittimen 2 potentiaali, matalajänniteteholähteen VB välityksellä. Kun kapasitiivinen kuorma kytketään lähtöliitti-meen 3, kapasitiivinen kuorma voidaan varata positiivisel-30 la suurjännitteellä VHP teholähteen liittimeltä 2 diodin 20, tyristorin 15 ja diodin 16 kautta. Siinä tapauksessa, että diodia 20 ei ole, ja positiivinen suurjännite VHP tuodaan teholähteen liittimelle 4 samaan aikaan kun teholähteen liitintä 2 pidetään kelluvassa tilassa, tai että 35 reitti (diodireitti) teholähteen liittimeltä 2 kohti teho- 19 98036 lähteen liitintä 4 on olemassa kuvion 1 mukaisesti, kuorman varaaminen voidaan aikaansaada samalla tavalla. Koska varausvirta kulkee kytkentäelementin 19 kautta, tarvitaan tässä tapauksessa kuitenkin virtakapasiteettia kytkentä-5 elementtiä 19 varten. Silloin kun positiivisella suurjän-nitteellä VHP varattu kuorma purkautuu, ulkoinen kytkentä-elementti S5 kytkeytyy päälle, teholähteen liitin 2 biasoi-daan 0:11a (V), ja tyristori 14 liipaistuu johtavaan tilaan. Tyristori 14 liipaistuu johtavaan tilaan PMOS-tran-10 sistorin 73 asettuessa johtavaan tilaan hilaohjausvirran syöttämiseksi teholähteen liittimeltä 4 sille. Tällä hetkellä, mikäli tyristori 15 on yhä johtavassa tilassa, molemmat tyristorit 15 ja 14 ovat johtavassa tilassa, mikä aiheuttaa oikosulun teholähteen liittimien 4 ja 2 välille. 15 Tässä suoritusmuodossa tämä ongelma ratkaistaan kytkentäelementin 19 avulla. Kun siis tyristorin 14 puoli aiotaan Hipaista johtavaan tilaan, virran reitti teholähteen liittimeltä 4 teholähteen liittimelle 2 tyristoreiden 15 ja 14 kautta katkeaa kytkemällä kytkentäelementti 19 20 pois päältä, ja tällä tavoin edellä kuvattu oikosulku voidaan estää. Koska kytkentäelementin 19 tarvitsee saada suunnilleen tyristorin 15 hilan ohjausvirran suuruinen virta kulkemaan tämän lävitse ja koska kytkentäelementti voi koostua matalajännite-elementistä, se voidaan muodos-25 taa PMOS-transistorilla jne. Siinä tapauksessa, että kuvion 4 piiri käsittäen joukon kanavia on muodostettu integroiduksi piiriksi, tyristori 15 jne. saatetaan sijoittaa käyttämällä diodin 20 katodipuolta yhteisenä liittime-nä.
30 Tämän suoritusmuodon mukaisesti voidaan helposti aikaansaada vaikutus, joka estää ohjauspiirin virhetoiminnot sen vaikutuksen lisäksi, joka saavutettiin kuvion 1 esittämässä suoritusmuodossa.
Kuvio 5 esittää keksinnön erilaista suoritusmuotoa. 35 Kuviossa 5 kuvion 4 diodi 20 on jätetty pois, ja 20 98036 teholähteen liitin 21 on sijoitettu kytkentäelementin 19 ja tyristorin 15 väliin. Teholähteen liitin 2 on liitetty maan potentiaaliin ja negatiiviseen suurjänniteteholähtee-seen VHN ulkoisten kytkentäelementtien S5 ja S6 välityksel-5 lä. Toisaalta teholähteen liitin 21 on kytketty positiiviseen suurjänniteteholähteen VHP ja maan potentiaaliin ulkoisten kytkentäelementtien Si ja S2 välityksellä.
Kuviossa 5 siinä tapauksessa, että positiivinen suurjännite VHP lähetetään lähtöliittimelle 3, ulkoinen 10 kytkentäelementti S5 ja S6 kytketään pois päältä, jolloin teholähteen liitin 2 on kelluvassa tilassa, ja ulkoinen kytkentäelementti Sj kytketään päälle, mistä seuraa että positiivinen suurjännite VHP tuodaan teholähteen liittimel-le 21. Tässä tilassa tyristori 15 liipaistuu johtavaan 15 tilaan. Tyristori 15 liipaistuu johtavaan tilaan sen ansiosta, että ohjausvirta kulkee teholähteen liittimeltä 4 teholähteen liittimelle 2 kytkentäelementin 19 ja NMOS-transistorin 74 kautta kytkien sekä kytkentäelementin 19 että NMOS-transistorin 74 päälle samoin kuin edellä on 20 kuvattu.
Siinä tapauksessa, että lähtöliittimeen 3 kytketty ja positiivisella suurjännitteellä VHP varattu kapasitii-vinen kuorma purkautuu, tai että negatiivinen suurjännite V HN varaa kapasitiivisen kuorman, teholähteen liitin 21 25 asettuu kelluvaan tilaan, teholähteen liitintä 2 biasoi-daan 0:1a (V) tai negatiivisella suur jännitteellä VHN, ja tyristorin 14 puoli saattaa liipaistua johtavaan tilaan samoin kuin on kuvattu edellä.
Tämän suoritusmuodon mukaisesti saavutetaan saman-30 lainen vaikutus kuin edellä kuvatun kuvion 4 esittämän suoritusmuodon avulla käyttämällä kytkentäelementtiä 19.
Kuvioiden 4 ja 5 ohjauspiirejä voidaan soveltaa myös kuvion 2 mukaiseen el-näyttölaitteeseen.
Koska molempia ohjausvirtoja toisaalta kuormaa 35 syöttävää lähdepuolen kytkentäelementtiä varten ja toi- 21 98036 saalta virtaa kuormasta imevää nielupuolen kytkentäelemen-ttiä varten voidaan syöttää ja ohjata matalajänniteteho-lähteeltä, on keksinnön mukaisesti mahdollista saavuttaa kapasitiivisen kuorman ohjaamiseksi edullinen piiri, joka 5 pystyy vähentämään huomattavasti tehonkulutusta, ja joka on muodostettu integroiduksi piiriksi. Mikäli tätä ohjaus-piiriä lisäksi sovelletaan el-näyttölaitteen ohjaamiseen, on mahdollista aikaansaada el-näyttölaite, jonka tehonkulutus on pieni, mutta jonka virranohjausteho on suuri.

Claims (17)

98036 22
1. Ohjauspiiri, joka käsittää ensimmäisen teholähdeliittimen (4); 5 toisen teholähdeliittimen (2); lähtöliittimen (3), johon on kytketty kapasitiivi-nen kuorma (13); lähdepuolen kytkentäelementin (15), joka on kytketty ensimmäisen teholähdeliittimen ja lähtöliittimen väliin 10 ja joka syöttää virran mainittuun kuormaan; nielupuolen kytkentäelementin (14), joka on kytketty toisen teholähdeliittimen ja lähtöliittimen väliin ja joka vastaanottaa virran mainitulta kuormalta; ja positiivisen suurjänniteteholähteen (VHP); 15 negatiivisen suurjänniteteholähteen (VHN); matala jännitteisen teholähteen (VB), joka on kytketty ensimmäisen ja toisen teholähdeliittimen (4,2) väliin, matalajännitteisen teholähteen jännitteen ollessa pienempi kuin sekä positiivisen että negatiivisen suurjänniteteho-20 lähteen jännite; ohjausosan (6), joka on kytketty ensimmäisen teholähdeliittimen ja toisen teholähdeliittimen väliin lähde-puolen kytkentäelementin ja nielupuolen kytkentäelementin päälle/pois päältä -kytkemisen ohjaamiseksi; 25 tunnettu siitä, että mainittu ohjausosa saa käyt töjännitteen matalajännitteisestä teholähteestä, ja että kun toinen ensimmäisestä tai toisesta teholähdeliittimestä (4;2) on kytketty positiiviseen suurjänniteteholähteeseen, negatiiviseen suurjänniteteholähteeseen tai maan potenti-30 aaliin, toinen (2;4) ei ole kytketty mihinkään mainituista positiivisesta suurjänniteteholähteestä, negatiivisesta suurjänniteteholähteestä tai maan potentiaalista.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että lähdepuolen kytkentäelementin 35 (15) kanssa on kytketty sarjaan diodi (16), jonka johta- 23 98036 vuussuunta on sama kuin lähdepuolen kytkentäelementin joh-tavuussuunta.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että lähdepuolen kytkentäelementti 5 (15) käsittää ensimmäisen pääliittimen, jolla se on kytketty ensimmäiseen teholähdeliittimeen (4), toisen pääliittimen, jolla se on kytketty lähtö-liittimeen (3) PN-liitoselementin kautta, 10 hilaliittimen, jolla se on kytketty toiseen teho lähdeliittimeen (2 ) ensimmäisen kytkentäelementin (74) kautta; ja että nielupuolen kytkentäelementti (14) käsittää ensimmäisen pääliittimen, jolla se on kytketty läh-15 töliittimeen (3), toisen pääliittimen, jolla se on kytketty toiseen teholähdeliittimeen (2), hilaliittimen, jolla se on kytketty ensimmäiseen teholähdeliittimeen (4) toisen kytkentäelementin (73) kautta.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että lähdepuolen kytkentäelementin (15) hilaliitin on kytketty toiseen teholähdeliittimeen (2) mainitun ensimmäisen kytkentäelementin (74) kautta ja lähdepuolen kytkentäelementin ensimmäiseen pääliittimeen 25 kolmannen kytkentäelementin (76) kautta, ja että nielupuo len kytkentäelementin (14) hilaliitin on kytketty ensimmäiseen teholähdeliittimeen (4) toisen kytkentäelementin (73) kautta ja toiseen teholähdeliittimeen (2) neljännen kytkentäelementin (75) kautta.
5. Patenttivaatimuksen 3 tai 4 mukainen ohjauspii ri, tunnettu siitä, että lähdepuolen kytkentäelementin (15) ensimmäinen pääliitin on kytketty ensimmäiseen teholähdeliittimeen (4) kytkentäelementin (19) kautta ja kolmas teholähdeliitin (21) on järjestetty kytkentäelemen-35 tin (19) ja lähdepuolen kytkentäelementin (15) ensimmäisen pääliittimen väliin. 24 98036
6. Jonkin patenttivaatimuksen 1-5 mukainen ohjauspiiri, tunnettu virran ohitusvälineistä (17, 18; 20) virran johtamiseksi ensimmäiseltä teholähde- liittimeltä (4) lähdepuolen kytkentäelementin ensimmäisel- 5 le pääliittimelle.
7. Jonkin patenttivaatimuksen 1-6 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että lähdepuolen kyt- kentäelementti (15) on tyristori.
8. Jonkin patenttivaatimuksen 1-6 mukainen oh- 10 jauspiiri, tunnettu siitä, että nielupuolen kyt- kentäelementti (14) on tyristori.
9. Jonkin patenttivaatimuksen 1-6 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että lähdepuolen kyt-kentäelementti (15) on pnp-transistori.
10. Jonkin patenttivaatimuksen 1-6 mukainen oh jauspiiri, tunnettu siitä, että lähdepuolen kyt-kentäelementti (15) on MOS-transistori.
11. Jonkin patenttivaatimuksen 1-6 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että nielupuolen kyt- 20 kentäelementti (14) on MOS-transistori.
12. Jonkin patenttivaatimuksen 3-6 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että ensimmäinen kyt-kentäelementti (74) on MOS-transistori.
13. Jonkin patenttivaatimuksen 3-6 mukainen oh-25 jauspiiri, tunnettu siitä, että toinen kytkentä- elementti (73) on MOS-transistori.
14. Jonkin patenttivaatimuksen 4-6 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että ensimmäinen, toinen, kolmas ja neljäs kytkentäelementti (74, 73, 76, 75) 30 ovat MOS-transistoreita.
15. Jonkin patenttivaatimuksen 3-6 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että PN-liitoselement-ti (16) on diodi.
16. Patenttivaatimuksen 6 mukainen ohjauspiiri, 35 tunnettu siitä, että virran ohitusvälineet (17, 18. ovat diodeja. 25 98036
17. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että kapasitiivinen kuorma (13) on el-näyttöpaneeli. 26 98036
FI894456A 1988-09-20 1989-09-20 Piiri kapasitiivisen kuorman ohjaamiseksi FI98036C (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23343388 1988-09-20
JP63233433A JP2664219B2 (ja) 1988-09-20 1988-09-20 駆動回路

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI894456A0 FI894456A0 (fi) 1989-09-20
FI894456A FI894456A (fi) 1990-03-21
FI98036B FI98036B (fi) 1996-12-13
FI98036C true FI98036C (fi) 1997-03-25

Family

ID=16954963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI894456A FI98036C (fi) 1988-09-20 1989-09-20 Piiri kapasitiivisen kuorman ohjaamiseksi

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5148049A (fi)
EP (1) EP0360117B1 (fi)
JP (1) JP2664219B2 (fi)
DE (1) DE68923748T2 (fi)
FI (1) FI98036C (fi)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2953226B2 (ja) * 1992-12-11 1999-09-27 株式会社デンソー 基準電圧発生回路
US5852358A (en) * 1996-12-11 1998-12-22 The Texas A&M University System Capactive power circuit
WO1998026504A1 (en) * 1996-12-11 1998-06-18 The Texas A & M University System Capacitive power circuit
JP3006534B2 (ja) * 1997-03-31 2000-02-07 日本電気株式会社 半導体装置
JP4359959B2 (ja) * 1999-04-13 2009-11-11 株式会社デンソー 容量性負荷の駆動装置
US6376934B1 (en) 1999-08-18 2002-04-23 Sipex Corporation Voltage waveform generator
FR2803140B1 (fr) 1999-12-24 2002-05-31 St Microelectronics Sa Generateur analogique d'impulsions de tension
FR2889345A1 (fr) * 2005-04-04 2007-02-02 Thomson Licensing Sa Dispositif d'entretien pour panneau plasma

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1218316B (it) * 1982-03-17 1990-04-12 Ates Componenti Elettron Circuito di comando in commutazione di carichi induttivi,integrabile monolicamente,comprendente uno stadio finalein push-pull
DE3230741A1 (de) * 1982-08-18 1984-02-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren thyristor
EP0140349B1 (en) * 1983-10-28 1992-01-02 Hitachi, Ltd. Semiconductor switching device
US4581542A (en) * 1983-11-14 1986-04-08 General Electric Company Driver circuits for emitter switch gate turn-off SCR devices
JPS60125015A (ja) * 1983-12-12 1985-07-04 Hitachi Ltd インバ−タ回路
JPS60208119A (ja) * 1984-03-30 1985-10-19 Hitachi Ltd 容量性負荷の駆動回路
US4598213A (en) * 1984-09-24 1986-07-01 Motorola, Inc. Bipolar transient driver
JP2571766B2 (ja) * 1986-04-30 1997-01-16 富士通株式会社 マトリクス表示パネル
JPH0795225B2 (ja) * 1986-09-11 1995-10-11 富士通株式会社 マトリツクス表示パネルの駆動回路
US4926065A (en) * 1987-11-17 1990-05-15 Applied Micro Circuits Corporation Method and apparatus for coupling an ECL output signal using a clamped capacitive bootstrap circuit
US4810903A (en) * 1987-12-14 1989-03-07 Motorola, Inc. BICMOS driver circuit including submicron on chip voltage source
JPH06100889B2 (ja) * 1987-12-21 1994-12-12 株式会社日立製作所 駆動回路
US4877980A (en) * 1988-03-10 1989-10-31 Advanced Micro Devices, Inc. Time variant drive circuit for high speed bus driver to limit oscillations or ringing on a bus
US4874970A (en) * 1988-05-11 1989-10-17 Applied Micro Circuits Corporation ECL output with Darlington or common collector-common emitter drive
FR2635930B1 (fr) * 1988-08-31 1990-11-23 Sgs Thomson Microelectronics Commutateur bidirectionnel monolithique a transistors mos de puissance

Also Published As

Publication number Publication date
FI98036B (fi) 1996-12-13
DE68923748T2 (de) 1996-01-18
EP0360117B1 (en) 1995-08-09
FI894456A0 (fi) 1989-09-20
JP2664219B2 (ja) 1997-10-15
JPH0282293A (ja) 1990-03-22
EP0360117A3 (en) 1991-05-08
EP0360117A2 (en) 1990-03-28
US5148049A (en) 1992-09-15
FI894456A (fi) 1990-03-21
DE68923748D1 (de) 1995-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10170041B2 (en) Pixel circuit and display device
TW533398B (en) Self-luminescence display device
US9013373B2 (en) Image display device
US8754833B2 (en) Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit
US8692746B2 (en) Image display device for reducing the amount of time required to perform plural, consecutive threshold voltage correction operations
US7248255B2 (en) Active drive type light emitting display device and drive control method thereof
US20100123707A1 (en) Electronic Circuit, Method of Driving Electronic Circuit, Electro-Optical Device, Method of Driving Electro-Optical Device, and Electronic Apparatus
KR20040032887A (ko) 픽셀 방식의 전자 디바이스를 위한 정전기 방전 보호 회로
JP2007522492A (ja) アクティブマトリクスによる電界発光表示装置
US8605399B2 (en) Load driving device
FI98036C (fi) Piiri kapasitiivisen kuorman ohjaamiseksi
US7348944B2 (en) Image display device
US7791569B2 (en) Light emitting element circuit and drive method thereof
US20030107536A1 (en) Light emitting circuit for organic electroluminescence element and display device
US7119763B2 (en) Light emitting circuit for organic electroluminescence element and display device
JP2804259B2 (ja) 容量性負荷の駆動装置
JP4080380B2 (ja) 容量性負荷駆動装置
TWI822056B (zh) 電子裝置

Legal Events

Date Code Title Description
BB Publication of examined application
FG Patent granted

Owner name: HITACHI ENGINEERING CO., LTD

Owner name: HITACHI LTD