FI87029C - Bredbandig aktiv rf-krets - Google Patents

Bredbandig aktiv rf-krets Download PDF

Info

Publication number
FI87029C
FI87029C FI902063A FI902063A FI87029C FI 87029 C FI87029 C FI 87029C FI 902063 A FI902063 A FI 902063A FI 902063 A FI902063 A FI 902063A FI 87029 C FI87029 C FI 87029C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
circuit
voltage
transistor
broadband
active
Prior art date
Application number
FI902063A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI87029B (fi
FI902063A0 (fi
FI902063A (fi
Inventor
Juha Nikkanen
Original Assignee
Teleste Antenni Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Teleste Antenni Oy filed Critical Teleste Antenni Oy
Priority to FI902063A priority Critical patent/FI87029C/fi
Publication of FI902063A0 publication Critical patent/FI902063A0/fi
Priority to PCT/FI1991/000117 priority patent/WO1991016761A1/en
Publication of FI902063A publication Critical patent/FI902063A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI87029B publication Critical patent/FI87029B/fi
Publication of FI87029C publication Critical patent/FI87029C/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/083Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191Tuned amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

87029
LAAJAKAISTAINEN AKTIIVINEN RF-PIIRI
Keksintö koskee laajakaistaista, aktiivista radiotaajuista piiriä, jonka vahvistus on ohjattavissa.
Kaapelitelevisioverkoissa vahvistimina käytetään usein yksinkertaista transistoriastetta. Vahvistimen on tällöin 5 oltava laajakaistainen, eli se toimii taajuuden useamman oktaavin alueella. Useamman MHz taajuudella toimivassa verkossa on vaatimuksena mahdollisimman lyhyet ja häiriöt-tämät signaalitiet.
Verkoissa tarvitaan myös eri suuria vahvistuksia, jolloin 10 totunnaisesti kytketään peräkkäin useampia transistori-asteita ja/tai vaimentamia. Tekniikan tason mukaisesti ratkaistaan vahvistuksen muuttaminen kytkemällä esim. transistoriasteet ohittavia piirejä, jolloin signaalitielle asetetut mekaaniset kytkimet kuitenkin ovat epäluotettavia 15 ja saattavat aiheuttaa häiriöitä. Releiden käyttäminen ei ole toivottavaa, koska ne suurtaajuuksilla ovat vähemmän luotettavia niiden sisältämien mekaanisten osien vuoksi, ja koska niiden sovittaminen elektronisiin ratkaisuihin tuottaa ongelmia. Vaihtoehtoisesti voidaan vahvistusta muuttaa 20 kytkemällä piiriin säädettäviä vahvistimia, mutta tällaisella transistoriasteella on ongelmana muuttuva impedanssi-taso, jota on kompensoitava järjestämällä sovituspiirit transistoriasteen tulo- ja lähtöpuolelle.
Keksinnön tehtävänä on siten aikaansaada yksinkertainen ja 25 luotettava piiri, jota edullisesti voidaan käyttää kaapelitelevisioverkossa. Tämä tehtävä ratkaistaan keksinnön mukaisesti siten, että piirin käyttöjännite syötetään kyt-kinelimien kautta, joilla haluttaessa vaihdetaan piirin käyttöjännitteen napaisuus, jonka mukaisesti piirin aktii-30 vinen elin toimii joko vahvistimena tai jänniteseuraajana RF-signaalin tulo- tai lähtönapojen muuttumatta.
Keksinnön mukaisesti radiotaajuisen eli RF-signaalin tuloja lähtönavat eivät muutu, kun aktiivisen piirin toiminta- 2 87029 tapa muutetaan. Kytkinelimillä vaikutetaan vain tasavirtapiireihin, jolloin elimet eivät häiritse laajakaistaista RF-signaalia.
Keksinnön mukainen piiri on rakenteeltaan yksinkertainen ja 5 luotettava, kun edullisesti käytetään vain yhtä transistoriastetta, joka voidaan ohjata joko vahvistimeksi tai jänniteseuraajaksi. Tämän ratkaisun ansiosta ei tarvita vahvistimen ohittavia erillisiä piirejä tai sarjaan kytkettäviä vaimentimia.
10 Keksintöä selitetään seuraavassa yksityiskohtaisemmin erään suoritusesimerkin avulla oheiseen piirustukseen viitaten, jonka kuviossa esitetään keksinnön mukainen kytkettävä transistoriaste.
Kuviossa olevaa transistoriastetta Tl käytetään kak-15 sitoimisena asteena, toisaalta laajakaistaisena vahvis-tinasteena ja toisaalta jänniteseuraajana. Toimintatapa valitaan kytkimen samanaikaisesti toimivilla koskettimilla SI - S4, joilla vaihdetaan piirin käyttöjännitteen napaisuus. Kytkimet voidaan toteuttaa alan ammattilaisen tun-20 temilla muillakin tavoilla, esim. puolijohdekytkimin. Kummallakin toimintatavalla RF-signaalin laatuun vaikuttavat tekijät, kuten säröominaisuudet ja kohinaluku sekä impe-danssitaso pysyvät oleellisesti samana. Jänniteseuraajatoi-minnassa on läpimenovaimennus mahdollisimman pieni.
25 Vahvistintoirainnassa kytkinelimen koskettimet SI - S4 ovat asennossa 1. Tällöin NPN-transistoriaste toimii tavallisena takaisinkytkettynä yhteisemitteriasteena. Vahvistus määrätään takaisinkytkentäelimillä LC ja RC, kun PIN-diodipari D1-D2 ohjataan johtavaksi myötäsuuntaisella tasavirralla 30 +12 V koskettimelta S4. Piirin kapasitansseilla ja induk tansseilla on alan käytännön mukaisesti RF-signaalitie tulosta RF IN lähtöön RF OUT erotettu transistorin tasavirtapiireistä.
3 87029 Jänniteseuraajatoiminnassa, jolloin kytkimen koskettimet ovat asennossa 2, transistorin Tl kollektorivirran suunta muutetaan vastakkaiseksi eli emitteriltä kollektorille. Kollektorivirran arvo rajoitetaan koskettimen S3 kautta 5 kytketyn resistanssin 1,5 kohm avulla n. 20 mA. Emitte-ripiirissä olevat PIN-diodit ovat nyt estotilassa ja piirissä ei kulje tasavirtaa, jolloin ne aiheuttavat riittävän suuren impedanssin emitteriltä maahan. Tämä jänniteseuraa-ja toimii toisin kuin totuttu ratkaisu, jolloin tässä 10 kollektorijännite RF OUT seuraa kantajännitettä RF IN.
Suoritusesimerkin kuviossa esitettyjä muita piirielimiä tässä ei selitetä lähemmin, koska niiden toiminta on sinänsä tunnettua ja alan ammattilaiselle ilmeistä.
Keksinnön mukaista piiriä voidaan edullisesti käyttää 15 kaapelitelevisioverkossa. Suoritetuissa kokeissa piiri on osoittanut toimivansa asetettujen tavoitteiden mukaisesti.

Claims (6)

1. Laajakastäinen aktiivinen RF-piiri# jonka vahvistus on ohjattavissa, tunnettu siitä, että piirin käyttö-jännite syötetään kytkinelimien (SI - S4) kautta, joilla haluttaessa vaihdetaan piirin käyttöjännitteen napaisuus, 5 jonka mukaisesti piirin aktiivinen elin (Tl) toimii joko vahvistimena tai jänniteseuraajana RF-signaalin tulo- tai lähtönapojen (RF IN, RF OUT) muuttumatta.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen piiri, tunnettu siitä, että aktiivinen elin (Tl) on laajakaistainen.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen piiri, tunnet- t u siitä, että aktiivinen elin (Tl) on transistori.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen piiri, tunnettu siitä, että jänniteseuraajana transistorin (Tl) kollek-torijännite seuraa kantajännitettä.
5. Jonkin patenttivaatimuksista 1-4 mukainen piiri, tun nettu siitä, että piirin tulo- ja lähtöimpedanssitaso on sama molemmissa toimintatiloissa.
6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukaisen piirin käyttö kaapelitelevisioverkon kytkettävänä vahvistimena. 5 87029
FI902063A 1990-04-25 1990-04-25 Bredbandig aktiv rf-krets FI87029C (fi)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI902063A FI87029C (fi) 1990-04-25 1990-04-25 Bredbandig aktiv rf-krets
PCT/FI1991/000117 WO1991016761A1 (en) 1990-04-25 1991-04-18 A wide-band active rf-circuit

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI902063 1990-04-25
FI902063A FI87029C (fi) 1990-04-25 1990-04-25 Bredbandig aktiv rf-krets

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI902063A0 FI902063A0 (fi) 1990-04-25
FI902063A FI902063A (fi) 1991-10-26
FI87029B FI87029B (fi) 1992-07-31
FI87029C true FI87029C (fi) 1992-11-10

Family

ID=8530330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI902063A FI87029C (fi) 1990-04-25 1990-04-25 Bredbandig aktiv rf-krets

Country Status (2)

Country Link
FI (1) FI87029C (fi)
WO (1) WO1991016761A1 (fi)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5241284A (en) * 1990-02-16 1993-08-31 Nokia Mobile Phones Ltd. Circuit arrangement for connecting RF amplifier and supply voltage filter
WO1993021703A1 (en) * 1992-04-15 1993-10-28 Coachline Video Express Pty Ltd Signal distribution system

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1229860B (it) * 1988-11-09 1991-09-13 Sgs Thomson Microelectronics Amplificatore audio integrato con regolazione unificata delle funzioni di "mute" e "stand by" e dei transitori di commutazione.

Also Published As

Publication number Publication date
FI87029B (fi) 1992-07-31
FI902063A0 (fi) 1990-04-25
WO1991016761A1 (en) 1991-10-31
FI902063A (fi) 1991-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6211737B1 (en) Variable gain amplifier with improved linearity
US6724259B2 (en) Variable gain amplifier
US7057457B2 (en) Low-noise amplifying circuit
US6683511B2 (en) Controllable attenuator
US6373337B1 (en) Differential amplifier
KR100665404B1 (ko) 저 잡음 증폭기
US8823458B2 (en) Circuit and power amplifier
US7560990B2 (en) Low noise amplifier and low noise amplifying method
JP2004534470A5 (fi)
US6472935B2 (en) Combining networks for switchable path power amplifiers
CA1165829A (en) Integrated amplifier arrangement
FI87029C (fi) Bredbandig aktiv rf-krets
US5896062A (en) Amplifier with switched DC bias voltage feedback
US5760641A (en) Controllable filter arrangement
US5459433A (en) Low-noise amplifier with reversible amplification in a cascode circuit
GB2289810A (en) An r.f. switch using transistors as switch and gain elements
EP0938186B1 (en) Switching of a capacitor on a mutually exclusive selected one of a plurality of integrated amplifiers
JP2000078046A (ja) ダイオ―ドによる増幅器バイパス回路
US5705953A (en) Device bias based supplemental amplification
KR20020093616A (ko) 텔레비전튜너
US6184751B1 (en) Amplifier circuit
JPH08162857A (ja) インピーダンス整合回路
JPH10126215A (ja) 可変減衰装置
US9407220B1 (en) Digitally controlled variable transductance stage for microwave mixers and amplifiers
US6965278B2 (en) Amplifier circuit with active gain step circuit

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed
MM Patent lapsed

Owner name: TELESTE ANTENNI OY