FI87029C - Bredbandig aktiv rf-krets - Google Patents
Bredbandig aktiv rf-krets Download PDFInfo
- Publication number
- FI87029C FI87029C FI902063A FI902063A FI87029C FI 87029 C FI87029 C FI 87029C FI 902063 A FI902063 A FI 902063A FI 902063 A FI902063 A FI 902063A FI 87029 C FI87029 C FI 87029C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- transistor
- broadband
- active
- Prior art date
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/191—Tuned amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
87029
LAAJAKAISTAINEN AKTIIVINEN RF-PIIRI
Keksintö koskee laajakaistaista, aktiivista radiotaajuista piiriä, jonka vahvistus on ohjattavissa.
Kaapelitelevisioverkoissa vahvistimina käytetään usein yksinkertaista transistoriastetta. Vahvistimen on tällöin 5 oltava laajakaistainen, eli se toimii taajuuden useamman oktaavin alueella. Useamman MHz taajuudella toimivassa verkossa on vaatimuksena mahdollisimman lyhyet ja häiriöt-tämät signaalitiet.
Verkoissa tarvitaan myös eri suuria vahvistuksia, jolloin 10 totunnaisesti kytketään peräkkäin useampia transistori-asteita ja/tai vaimentamia. Tekniikan tason mukaisesti ratkaistaan vahvistuksen muuttaminen kytkemällä esim. transistoriasteet ohittavia piirejä, jolloin signaalitielle asetetut mekaaniset kytkimet kuitenkin ovat epäluotettavia 15 ja saattavat aiheuttaa häiriöitä. Releiden käyttäminen ei ole toivottavaa, koska ne suurtaajuuksilla ovat vähemmän luotettavia niiden sisältämien mekaanisten osien vuoksi, ja koska niiden sovittaminen elektronisiin ratkaisuihin tuottaa ongelmia. Vaihtoehtoisesti voidaan vahvistusta muuttaa 20 kytkemällä piiriin säädettäviä vahvistimia, mutta tällaisella transistoriasteella on ongelmana muuttuva impedanssi-taso, jota on kompensoitava järjestämällä sovituspiirit transistoriasteen tulo- ja lähtöpuolelle.
Keksinnön tehtävänä on siten aikaansaada yksinkertainen ja 25 luotettava piiri, jota edullisesti voidaan käyttää kaapelitelevisioverkossa. Tämä tehtävä ratkaistaan keksinnön mukaisesti siten, että piirin käyttöjännite syötetään kyt-kinelimien kautta, joilla haluttaessa vaihdetaan piirin käyttöjännitteen napaisuus, jonka mukaisesti piirin aktii-30 vinen elin toimii joko vahvistimena tai jänniteseuraajana RF-signaalin tulo- tai lähtönapojen muuttumatta.
Keksinnön mukaisesti radiotaajuisen eli RF-signaalin tuloja lähtönavat eivät muutu, kun aktiivisen piirin toiminta- 2 87029 tapa muutetaan. Kytkinelimillä vaikutetaan vain tasavirtapiireihin, jolloin elimet eivät häiritse laajakaistaista RF-signaalia.
Keksinnön mukainen piiri on rakenteeltaan yksinkertainen ja 5 luotettava, kun edullisesti käytetään vain yhtä transistoriastetta, joka voidaan ohjata joko vahvistimeksi tai jänniteseuraajaksi. Tämän ratkaisun ansiosta ei tarvita vahvistimen ohittavia erillisiä piirejä tai sarjaan kytkettäviä vaimentimia.
10 Keksintöä selitetään seuraavassa yksityiskohtaisemmin erään suoritusesimerkin avulla oheiseen piirustukseen viitaten, jonka kuviossa esitetään keksinnön mukainen kytkettävä transistoriaste.
Kuviossa olevaa transistoriastetta Tl käytetään kak-15 sitoimisena asteena, toisaalta laajakaistaisena vahvis-tinasteena ja toisaalta jänniteseuraajana. Toimintatapa valitaan kytkimen samanaikaisesti toimivilla koskettimilla SI - S4, joilla vaihdetaan piirin käyttöjännitteen napaisuus. Kytkimet voidaan toteuttaa alan ammattilaisen tun-20 temilla muillakin tavoilla, esim. puolijohdekytkimin. Kummallakin toimintatavalla RF-signaalin laatuun vaikuttavat tekijät, kuten säröominaisuudet ja kohinaluku sekä impe-danssitaso pysyvät oleellisesti samana. Jänniteseuraajatoi-minnassa on läpimenovaimennus mahdollisimman pieni.
25 Vahvistintoirainnassa kytkinelimen koskettimet SI - S4 ovat asennossa 1. Tällöin NPN-transistoriaste toimii tavallisena takaisinkytkettynä yhteisemitteriasteena. Vahvistus määrätään takaisinkytkentäelimillä LC ja RC, kun PIN-diodipari D1-D2 ohjataan johtavaksi myötäsuuntaisella tasavirralla 30 +12 V koskettimelta S4. Piirin kapasitansseilla ja induk tansseilla on alan käytännön mukaisesti RF-signaalitie tulosta RF IN lähtöön RF OUT erotettu transistorin tasavirtapiireistä.
3 87029 Jänniteseuraajatoiminnassa, jolloin kytkimen koskettimet ovat asennossa 2, transistorin Tl kollektorivirran suunta muutetaan vastakkaiseksi eli emitteriltä kollektorille. Kollektorivirran arvo rajoitetaan koskettimen S3 kautta 5 kytketyn resistanssin 1,5 kohm avulla n. 20 mA. Emitte-ripiirissä olevat PIN-diodit ovat nyt estotilassa ja piirissä ei kulje tasavirtaa, jolloin ne aiheuttavat riittävän suuren impedanssin emitteriltä maahan. Tämä jänniteseuraa-ja toimii toisin kuin totuttu ratkaisu, jolloin tässä 10 kollektorijännite RF OUT seuraa kantajännitettä RF IN.
Suoritusesimerkin kuviossa esitettyjä muita piirielimiä tässä ei selitetä lähemmin, koska niiden toiminta on sinänsä tunnettua ja alan ammattilaiselle ilmeistä.
Keksinnön mukaista piiriä voidaan edullisesti käyttää 15 kaapelitelevisioverkossa. Suoritetuissa kokeissa piiri on osoittanut toimivansa asetettujen tavoitteiden mukaisesti.
Claims (6)
1. Laajakastäinen aktiivinen RF-piiri# jonka vahvistus on ohjattavissa, tunnettu siitä, että piirin käyttö-jännite syötetään kytkinelimien (SI - S4) kautta, joilla haluttaessa vaihdetaan piirin käyttöjännitteen napaisuus, 5 jonka mukaisesti piirin aktiivinen elin (Tl) toimii joko vahvistimena tai jänniteseuraajana RF-signaalin tulo- tai lähtönapojen (RF IN, RF OUT) muuttumatta.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen piiri, tunnettu siitä, että aktiivinen elin (Tl) on laajakaistainen.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen piiri, tunnet- t u siitä, että aktiivinen elin (Tl) on transistori.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen piiri, tunnettu siitä, että jänniteseuraajana transistorin (Tl) kollek-torijännite seuraa kantajännitettä.
5. Jonkin patenttivaatimuksista 1-4 mukainen piiri, tun nettu siitä, että piirin tulo- ja lähtöimpedanssitaso on sama molemmissa toimintatiloissa.
6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukaisen piirin käyttö kaapelitelevisioverkon kytkettävänä vahvistimena. 5 87029
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI902063A FI87029C (fi) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | Bredbandig aktiv rf-krets |
PCT/FI1991/000117 WO1991016761A1 (en) | 1990-04-25 | 1991-04-18 | A wide-band active rf-circuit |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI902063 | 1990-04-25 | ||
FI902063A FI87029C (fi) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | Bredbandig aktiv rf-krets |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI902063A0 FI902063A0 (fi) | 1990-04-25 |
FI902063A FI902063A (fi) | 1991-10-26 |
FI87029B FI87029B (fi) | 1992-07-31 |
FI87029C true FI87029C (fi) | 1992-11-10 |
Family
ID=8530330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI902063A FI87029C (fi) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | Bredbandig aktiv rf-krets |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FI (1) | FI87029C (fi) |
WO (1) | WO1991016761A1 (fi) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5241284A (en) * | 1990-02-16 | 1993-08-31 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Circuit arrangement for connecting RF amplifier and supply voltage filter |
WO1993021703A1 (en) * | 1992-04-15 | 1993-10-28 | Coachline Video Express Pty Ltd | Signal distribution system |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1229860B (it) * | 1988-11-09 | 1991-09-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Amplificatore audio integrato con regolazione unificata delle funzioni di "mute" e "stand by" e dei transitori di commutazione. |
-
1990
- 1990-04-25 FI FI902063A patent/FI87029C/fi not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-04-18 WO PCT/FI1991/000117 patent/WO1991016761A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FI87029B (fi) | 1992-07-31 |
FI902063A0 (fi) | 1990-04-25 |
WO1991016761A1 (en) | 1991-10-31 |
FI902063A (fi) | 1991-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6211737B1 (en) | Variable gain amplifier with improved linearity | |
US6724259B2 (en) | Variable gain amplifier | |
US7057457B2 (en) | Low-noise amplifying circuit | |
US6683511B2 (en) | Controllable attenuator | |
US6373337B1 (en) | Differential amplifier | |
KR100665404B1 (ko) | 저 잡음 증폭기 | |
US8823458B2 (en) | Circuit and power amplifier | |
US7560990B2 (en) | Low noise amplifier and low noise amplifying method | |
JP2004534470A5 (fi) | ||
US6472935B2 (en) | Combining networks for switchable path power amplifiers | |
CA1165829A (en) | Integrated amplifier arrangement | |
FI87029C (fi) | Bredbandig aktiv rf-krets | |
US5896062A (en) | Amplifier with switched DC bias voltage feedback | |
US5760641A (en) | Controllable filter arrangement | |
US5459433A (en) | Low-noise amplifier with reversible amplification in a cascode circuit | |
GB2289810A (en) | An r.f. switch using transistors as switch and gain elements | |
EP0938186B1 (en) | Switching of a capacitor on a mutually exclusive selected one of a plurality of integrated amplifiers | |
JP2000078046A (ja) | ダイオ―ドによる増幅器バイパス回路 | |
US5705953A (en) | Device bias based supplemental amplification | |
KR20020093616A (ko) | 텔레비전튜너 | |
US6184751B1 (en) | Amplifier circuit | |
JPH08162857A (ja) | インピーダンス整合回路 | |
JPH10126215A (ja) | 可変減衰装置 | |
US9407220B1 (en) | Digitally controlled variable transductance stage for microwave mixers and amplifiers | |
US6965278B2 (en) | Amplifier circuit with active gain step circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM | Patent lapsed | ||
MM | Patent lapsed |
Owner name: TELESTE ANTENNI OY |