FI87029C - Broadband active RF circuit - Google Patents
Broadband active RF circuit Download PDFInfo
- Publication number
- FI87029C FI87029C FI902063A FI902063A FI87029C FI 87029 C FI87029 C FI 87029C FI 902063 A FI902063 A FI 902063A FI 902063 A FI902063 A FI 902063A FI 87029 C FI87029 C FI 87029C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- transistor
- broadband
- active
- Prior art date
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/191—Tuned amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
8702987029
LAAJAKAISTAINEN AKTIIVINEN RF-PIIRIBROADBAND ACTIVE RF CIRCUIT
Keksintö koskee laajakaistaista, aktiivista radiotaajuista piiriä, jonka vahvistus on ohjattavissa.The invention relates to a broadband, active radio frequency circuit whose gain is controllable.
Kaapelitelevisioverkoissa vahvistimina käytetään usein yksinkertaista transistoriastetta. Vahvistimen on tällöin 5 oltava laajakaistainen, eli se toimii taajuuden useamman oktaavin alueella. Useamman MHz taajuudella toimivassa verkossa on vaatimuksena mahdollisimman lyhyet ja häiriöt-tämät signaalitiet.In cable television networks, a simple transistor stage is often used as amplifiers. The amplifier 5 must then be broadband, i.e. it operates in the range of several octaves of frequency. In a network operating on a frequency of several MHz, the shortest and most interfering signal paths are required.
Verkoissa tarvitaan myös eri suuria vahvistuksia, jolloin 10 totunnaisesti kytketään peräkkäin useampia transistori-asteita ja/tai vaimentamia. Tekniikan tason mukaisesti ratkaistaan vahvistuksen muuttaminen kytkemällä esim. transistoriasteet ohittavia piirejä, jolloin signaalitielle asetetut mekaaniset kytkimet kuitenkin ovat epäluotettavia 15 ja saattavat aiheuttaa häiriöitä. Releiden käyttäminen ei ole toivottavaa, koska ne suurtaajuuksilla ovat vähemmän luotettavia niiden sisältämien mekaanisten osien vuoksi, ja koska niiden sovittaminen elektronisiin ratkaisuihin tuottaa ongelmia. Vaihtoehtoisesti voidaan vahvistusta muuttaa 20 kytkemällä piiriin säädettäviä vahvistimia, mutta tällaisella transistoriasteella on ongelmana muuttuva impedanssi-taso, jota on kompensoitava järjestämällä sovituspiirit transistoriasteen tulo- ja lähtöpuolelle.Networks also require different large gains, in which case several transistor stages and / or attenuators are connected in series. According to the state of the art, it is solved to change the gain by connecting, for example, circuits bypassing transistor stages, in which case, however, the mechanical switches placed on the signal path are unreliable 15 and may cause interference. The use of relays is undesirable because they are less reliable at high frequencies due to the mechanical components they contain and because their adaptation to electronic solutions poses problems. Alternatively, the gain can be changed by connecting adjustable amplifiers to the circuit, but such a transistor stage has the problem of a variable impedance level which must be compensated by arranging matching circuits on the input and output side of the transistor stage.
Keksinnön tehtävänä on siten aikaansaada yksinkertainen ja 25 luotettava piiri, jota edullisesti voidaan käyttää kaapelitelevisioverkossa. Tämä tehtävä ratkaistaan keksinnön mukaisesti siten, että piirin käyttöjännite syötetään kyt-kinelimien kautta, joilla haluttaessa vaihdetaan piirin käyttöjännitteen napaisuus, jonka mukaisesti piirin aktii-30 vinen elin toimii joko vahvistimena tai jänniteseuraajana RF-signaalin tulo- tai lähtönapojen muuttumatta.The object of the invention is thus to provide a simple and reliable circuit which can advantageously be used in a cable television network. According to the invention, this object is solved by supplying the operating voltage of the circuit via switching elements which, if desired, change the polarity of the operating voltage of the circuit, according to which the active member of the circuit acts as either an amplifier or a voltage follower without changing the RF signal input or output terminals.
Keksinnön mukaisesti radiotaajuisen eli RF-signaalin tuloja lähtönavat eivät muutu, kun aktiivisen piirin toiminta- 2 87029 tapa muutetaan. Kytkinelimillä vaikutetaan vain tasavirtapiireihin, jolloin elimet eivät häiritse laajakaistaista RF-signaalia.According to the invention, the inputs of the radio frequency or RF signal do not change when the mode of operation of the active circuit is changed. The switching elements only affect the DC circuits, so that the elements do not interfere with the broadband RF signal.
Keksinnön mukainen piiri on rakenteeltaan yksinkertainen ja 5 luotettava, kun edullisesti käytetään vain yhtä transistoriastetta, joka voidaan ohjata joko vahvistimeksi tai jänniteseuraajaksi. Tämän ratkaisun ansiosta ei tarvita vahvistimen ohittavia erillisiä piirejä tai sarjaan kytkettäviä vaimentimia.The circuit according to the invention is simple in structure and reliable when preferably only one transistor stage is used, which can be controlled as either an amplifier or a voltage follower. Thanks to this solution, there is no need for separate circuits bypassing the amplifier or attenuators connected in series.
10 Keksintöä selitetään seuraavassa yksityiskohtaisemmin erään suoritusesimerkin avulla oheiseen piirustukseen viitaten, jonka kuviossa esitetään keksinnön mukainen kytkettävä transistoriaste.The invention will now be described in more detail, by way of an exemplary embodiment, with reference to the accompanying drawing, in which a figure shows a switchable transistor stage according to the invention.
Kuviossa olevaa transistoriastetta Tl käytetään kak-15 sitoimisena asteena, toisaalta laajakaistaisena vahvis-tinasteena ja toisaalta jänniteseuraajana. Toimintatapa valitaan kytkimen samanaikaisesti toimivilla koskettimilla SI - S4, joilla vaihdetaan piirin käyttöjännitteen napaisuus. Kytkimet voidaan toteuttaa alan ammattilaisen tun-20 temilla muillakin tavoilla, esim. puolijohdekytkimin. Kummallakin toimintatavalla RF-signaalin laatuun vaikuttavat tekijät, kuten säröominaisuudet ja kohinaluku sekä impe-danssitaso pysyvät oleellisesti samana. Jänniteseuraajatoi-minnassa on läpimenovaimennus mahdollisimman pieni.The transistor stage T1 in the figure is used as a two-stage stage, on the one hand as a broadband amplifier stage and on the other hand as a voltage follower. The operating mode is selected by the contacts SI - S4 of the switch operating simultaneously, which change the polarity of the operating voltage of the circuit. The switches can be implemented in other ways known to a person skilled in the art, e.g. semiconductor switches. In both modes, factors affecting the quality of the RF signal, such as distortion characteristics and noise figure, and impedance level, remain essentially the same. In voltage follower operation, the throughput attenuation is as small as possible.
25 Vahvistintoirainnassa kytkinelimen koskettimet SI - S4 ovat asennossa 1. Tällöin NPN-transistoriaste toimii tavallisena takaisinkytkettynä yhteisemitteriasteena. Vahvistus määrätään takaisinkytkentäelimillä LC ja RC, kun PIN-diodipari D1-D2 ohjataan johtavaksi myötäsuuntaisella tasavirralla 30 +12 V koskettimelta S4. Piirin kapasitansseilla ja induk tansseilla on alan käytännön mukaisesti RF-signaalitie tulosta RF IN lähtöön RF OUT erotettu transistorin tasavirtapiireistä.25 In amplifier winding, the contacts SI to S4 of the switching element are in position 1. In this case, the NPN transistor stage acts as a normal feedback common emitter stage. The gain is determined by the feedback elements LC and RC when the PIN diode pair D1-D2 is controlled to conduct at a forward DC current of 30 +12 V from the contact S4. According to the practice of the art, the capacitances and inductances of the circuit have the RF signal path from the input RF IN to the output RF OUT separated from the DC circuits of the transistor.
3 87029 Jänniteseuraajatoiminnassa, jolloin kytkimen koskettimet ovat asennossa 2, transistorin Tl kollektorivirran suunta muutetaan vastakkaiseksi eli emitteriltä kollektorille. Kollektorivirran arvo rajoitetaan koskettimen S3 kautta 5 kytketyn resistanssin 1,5 kohm avulla n. 20 mA. Emitte-ripiirissä olevat PIN-diodit ovat nyt estotilassa ja piirissä ei kulje tasavirtaa, jolloin ne aiheuttavat riittävän suuren impedanssin emitteriltä maahan. Tämä jänniteseuraa-ja toimii toisin kuin totuttu ratkaisu, jolloin tässä 10 kollektorijännite RF OUT seuraa kantajännitettä RF IN.3 87029 In the voltage follower operation, where the switch contacts are in position 2, the direction of the collector current of the transistor T1 is changed to the opposite, i.e. from the emitter to the collector. The value of the collector current is limited by approx. 20 mA by means of a resistance of 1.5 kohm connected via contact S3. The PIN diodes in the emitter circuit are now in the inhibit state and no direct current is flowing in the circuit, causing a sufficiently large impedance from the emitter to ground. This voltage follows and works differently from the usual solution, where here the collector voltage RF OUT follows the carrier voltage RF IN.
Suoritusesimerkin kuviossa esitettyjä muita piirielimiä tässä ei selitetä lähemmin, koska niiden toiminta on sinänsä tunnettua ja alan ammattilaiselle ilmeistä.The other circuit elements shown in the figure of the exemplary embodiment will not be explained in more detail here, since their operation is known per se and will be obvious to a person skilled in the art.
Keksinnön mukaista piiriä voidaan edullisesti käyttää 15 kaapelitelevisioverkossa. Suoritetuissa kokeissa piiri on osoittanut toimivansa asetettujen tavoitteiden mukaisesti.The circuit according to the invention can advantageously be used in a cable television network. In the tests performed, the circuit has shown that it works in accordance with the set goals.
Claims (6)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI902063A FI87029C (en) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | Broadband active RF circuit |
PCT/FI1991/000117 WO1991016761A1 (en) | 1990-04-25 | 1991-04-18 | A wide-band active rf-circuit |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI902063 | 1990-04-25 | ||
FI902063A FI87029C (en) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | Broadband active RF circuit |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI902063A0 FI902063A0 (en) | 1990-04-25 |
FI902063A FI902063A (en) | 1991-10-26 |
FI87029B FI87029B (en) | 1992-07-31 |
FI87029C true FI87029C (en) | 1992-11-10 |
Family
ID=8530330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI902063A FI87029C (en) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | Broadband active RF circuit |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FI (1) | FI87029C (en) |
WO (1) | WO1991016761A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5241284A (en) * | 1990-02-16 | 1993-08-31 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Circuit arrangement for connecting RF amplifier and supply voltage filter |
CN1088035A (en) * | 1992-04-15 | 1994-06-15 | 客运电迅传送有限公司 | Signal distribution system |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1229860B (en) * | 1988-11-09 | 1991-09-13 | Sgs Thomson Microelectronics | INTEGRATED AUDIO AMPLIFIER WITH UNIFIED REGULATION OF "MUTE" AND "STAND BY" FUNCTIONS AND SWITCHING TRANSITORS. |
-
1990
- 1990-04-25 FI FI902063A patent/FI87029C/en not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-04-18 WO PCT/FI1991/000117 patent/WO1991016761A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1991016761A1 (en) | 1991-10-31 |
FI87029B (en) | 1992-07-31 |
FI902063A (en) | 1991-10-26 |
FI902063A0 (en) | 1990-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6211737B1 (en) | Variable gain amplifier with improved linearity | |
US6724259B2 (en) | Variable gain amplifier | |
US7057457B2 (en) | Low-noise amplifying circuit | |
US6683511B2 (en) | Controllable attenuator | |
US6373337B1 (en) | Differential amplifier | |
US8823458B2 (en) | Circuit and power amplifier | |
US7560990B2 (en) | Low noise amplifier and low noise amplifying method | |
JP2004534470A5 (en) | ||
US6472935B2 (en) | Combining networks for switchable path power amplifiers | |
KR20010101903A (en) | Amplifier | |
CA1165829A (en) | Integrated amplifier arrangement | |
FI87029C (en) | Broadband active RF circuit | |
US5896062A (en) | Amplifier with switched DC bias voltage feedback | |
US5760641A (en) | Controllable filter arrangement | |
US5459433A (en) | Low-noise amplifier with reversible amplification in a cascode circuit | |
GB2289810A (en) | An r.f. switch using transistors as switch and gain elements | |
EP0938186B1 (en) | Switching of a capacitor on a mutually exclusive selected one of a plurality of integrated amplifiers | |
US20060094394A1 (en) | High-frequency amplifier having simple circuit structure and television tuner using high-frequency amplifier | |
JP2000078046A (en) | Amplifier bypass circuit with diode | |
US5705953A (en) | Device bias based supplemental amplification | |
KR20020093616A (en) | Television tuner | |
US6184751B1 (en) | Amplifier circuit | |
JPH08162857A (en) | Impedance matching circuit | |
JPH10126215A (en) | Variable attenuator | |
US9407220B1 (en) | Digitally controlled variable transductance stage for microwave mixers and amplifiers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM | Patent lapsed | ||
MM | Patent lapsed |
Owner name: TELESTE ANTENNI OY |