FI68322B - Foerfarande och anordning foer maetning av maengden av siliciumbelaeggning vid papper eller kartong - Google Patents

Claims (5)

1. Förfarande för mätning av mängden av siliciumbeläggning vid papper eller kartong som rör sig som en kontinuerlig ämnesbana (1), i vilket förfarande med en frän en primär-strälningskälla (3) erhällen röntgensträlning den karakte-ristiska röntgensträlningen exciteras hos ett grundämne som har ett ordningstal högre än kisel, utgörande en sekundär strälningskälla (7) som är belägen pä den beläggningna sidan av ämnesbanan, där den karakteristiska strälningen leds i sned vinkel mot ämnesbanan sä, att den exciterar den karakteristiska röntgensträlningen hos siliciumet som f inns i siliciumbeläggningen, vilken leds vidare tili en detektor (9) belägen pä den belagda sidan av ämnesbanan, vilken registrerar strälningen som ett lokalt maximum, ur vilken mängden av siliciumbeläggning kan bestämmas, känne- t e c k n a t därav, att primärsträlningen leds tili den vid ämnesbanans (1) beläggningna sida belägna sekundär-strälningskällan (7) genom ämnesbanan frän primärsträl-ningskällan (3) belägen pä dess motsat.ta sida och att primärsträlningen begränsas före dess gäng genom ämnesbanan med en avskärmare (4,5), som tilläter strälningens gäng tili sekundärsträlningskällan men hindrar dess tillträde tili detektorn (9).

2. Förfarande enligt patentkravet 1, känneteck-n a t därav, att som sekundär strälningskälla (7) används ett ringformigt element, vid vars mitt detektorn (9) är placerad sedd frän primärsträlningens ankomstriktning, och att primärsträlningen begränsas med hjälp av en ringformad springa (4) tili en till sin genomskärning ringformad mantel som träffar den sekundära strälningskällan, varvid avskärmningsstycket (5) som omslutes av den ringformade springan avstänger tillträdet för primärsträlningen tili detektorn. 68322 8

3. Anordning för mätning av mängden av siliciumbeläggning vid papper eller kartong som rör sig som en kontinuerlig ämnesbana (1) enligt ett förfarande enligt patentkravet 1 eller 2, vilken anordning omfattar en röntgensträlning 5 producerande primär strälningskälla (3), en sekundär sträl- ningskälla (7) belägen pä den beläggningna aidan av ämnes-banan och bestäende av ett grundämne som tili sitt ord-ningstal är större än kisel, vars karakteristiska röntgensträlning kan exciteras med hjälp av primärsträlningen och 10 frän vilken strälningen kan ledas i sned vinkel mot ämnes- banan sä, att den exciterar den karakteristiska röntgen-strälningen hos siliciumet som finns i silkonbeläggninget, samt en detektor (9), tili vilken siliciumets karakteristiska strälning kan ledas sd, att detektorn registrerar 15 strälningen som ett lokalt maximum, ur vilken mängden av siliciumbeläggning kan bestämmas, kännetecknad därav, att primärsträlningskällan (3) är i förhällande tili sekundärsträlningskällan (7) belägen pä motsatta sidan av ämnesbanan sä, att primärsrälningen blir ledd genom ämnes-20 banan, och att pä samma sidä av ämnesbanan primärsträl ningskällan har placerats en avskärmare (4,5), som tilläter strälningens gäng tili den sekundära strälningskällan men hindrar dess tilträde tili detektorn (9).

4. Anordning enligt patentkravet 3, känneteck nad därav, att sekundärsträlningskällan (7) utgörs av ett ringformigt element, att detektorn (9) är placerad sedd frän primärsträlningens ankomstriktning i mitten av ifräga-varande ringformiga element och att den nämnda begränsaren 30 bildas av en ringformad springa (4) samt av ett pä insidan av den befintligt avskärmningsstycke (5), varvid primär-strälningen kommer ut frän den ringformade springan tili sekundärsträlningskällan som en till sin genomskärning ringformad mantel medan igen avskärmningsstycket hindrar