FI129591B - Mems-resonaattori korkealla hyvyysluvulla ja sen käyttö - Google Patents
Mems-resonaattori korkealla hyvyysluvulla ja sen käyttö Download PDFInfo
- Publication number
- FI129591B FI129591B FI20206125A FI20206125A FI129591B FI 129591 B FI129591 B FI 129591B FI 20206125 A FI20206125 A FI 20206125A FI 20206125 A FI20206125 A FI 20206125A FI 129591 B FI129591 B FI 129591B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- layer
- mems resonator
- resonator
- thermal diffusivity
- low thermal
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 93
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SisN4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/02433—Means for compensation or elimination of undesired effects
- H03H9/02448—Means for compensation or elimination of undesired effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2447—Beam resonators
- H03H9/2452—Free-free beam resonators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0081—Thermal properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/0072—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
- H03H3/0076—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficients
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/013—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02283—Vibrating means
- H03H2009/02291—Beams
- H03H2009/02322—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H2009/155—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material using MEMS techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
MEMS (mikroelektromekaaninen systeemi) resonaattori (100), joka käsittää materiaalikerroksen (L5) yksikiteistä piitä, vähintään yhden kerroksen (L2, L4), joka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista termoelastisten häviöiden vähentämiseksi MEMS resonaattorissa (100), pietsosähköisen materiaalin kerroksen (L3), ja kerroksen (L1), joka on tehty sähköä johtavasta materiaalista. Mainittu matalan termisen diffusiviteetin kerros (L2, L4) on mainitun yksikiteisen piin kerroksen (L5) ja mainitun pietsosähköisen kerroksen (L3) välissä, tai mainitun pietsosähköisen kerroksen (L3) ja mainitun sähköä johtavan kerroksen (L1) välissä. Matalan termisen diffusiviteetin materiaalikerroksen (L2, L4) käyttö.
Claims (18)
1. MEMS (mikroelektromekaaninen systeemi) resonaattori (100), joka käsittää materiaalipinon (L1-L5), tunnettu siitä, että materiaalipino (L1-L5) käsittää seuraavat kerrokset: materiaalikerroksen (L5) yksikiteistä piitä; vähintään yhden kerroksen (L2, L4), joka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista; pietsosähköisen materiaalin kerroksen (L3); ja kerroksen (L1), joka on tehty sähköä johtavasta materiaalista, missä materiaalipino (L1-L5) on erotettu substraatista (L7) kaviteetilla (102) ja mainittu matalan termisen diffusiviteetin kerros (L2, L4) on mainitun yksikiteisen piin kerroksen (L5) ja mainitun pietsosähköisen kerroksen (L3) välissä tai mainitun pietsosähköisen kerroksen (L3) ja mainitun sähköä johtavan kerroksen (L1) välissä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen MEMS resonaattori, jossa resonaattori (100) käsittää kaksi kerrosta (L2, L4), jotka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista ja yksi näistä kerroksista (L2, L4), jotka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista, on mainitun yksikiteisen piin kerroksen (L5) ja mainitun pietsosähköisen kerroksen (L3) välissä, ja toinen mainituista kerroksista (L2, L4), jotka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista, on mainitun pietsosähköisen kerroksen (L3) ja mainitun sähköä johtavan kerroksen (L1) välissä.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen MEMS resonaattori, jossa mainitun kerroksen (L2, L4), joka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista, ja mainitun pietsosähköisen kerroksen (L 3) välimatka on alle 300 nanometriä. =
4. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa a 25 enemmän kuin 50% resonaattorin massasta koostuu piistä, joka on doupattu vähintään 2 keskimääräiseen epäpuhtauskonsentraatioon 2*10'? cm”. S
5. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa E mainittu kerros (L2, L4), joka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista, ja 10 mainittu pietsosähköinen kerros (L3) ovat kontaktissa toisiinsa. S 30
6 Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa N MEMS resonaattorin kerrosrakenne on toteutettu ilman, että yksikiteisen piin kerros on molemmilla puolilla pietsosähköistä kerrosta (L3).
7. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, joka käsittää yläelektrodin, joka on muodostettu mainitun sähköä johtavan kerroksen (L1) kuvioinnilla.
8. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa MEMS resonaattorin (100) resonanssimoodi on pituuslaajeneva muoto.
9. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa mainittu kerros (L2, L4), joka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista, on tehty piidioksidista, Al2O3, tai muusta oksidista, kuten TiO. tai HfO;, SisN4 tai muusta nitridistä, kuten Ti, Cr, tai W -nitridistä lukuisissa stoikiometrioissa, amorfisesta SiC, amorfisesta Si, amorfisesta AIN, tai muusta amorfisesta materiaalista, tai tällaisten materiaalien yhdistelmästä.
10. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa mainitun kerroksen (L2, L 4), joka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista, paksuus on välillä 20 nm — 1000 nm.
11.Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa mainitun kerroksen (L2, L 4), joka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista, paksuus on suurempi kuin 0,4 um x (f/MHz)'!?.
12. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa mainitun kerroksen (L2, L 4), joka on tehty matalan termisen diffusiviteetin materiaalista, terminen diffusiviteetti on alle 20x10* m?/s.
13. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa mainittu pietsosähköinen kerros (L3) on AIN, Sc-doupattu AIN (Al1xScxN), ZnO, LiNbO3, tai LiTaOs kerros.
N
14. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, joka 5 25 käsittää Mo- kerroksen (L5B) mainitun kerroksen (L4), joka on tehty matalan termisen N diffusiviteetin materiaalista, ja pietsosähköisen kerroksen (L3) välissä.
NN oO I
15. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa a + MEMS resonaattorin resonanssitaajuus on 1 MHz tai suurempi.
LO
N o
16. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa N 30 MEMS resonaattorin resonanssitaajuus on välillä 4 MHz — 250 MHz.
N
17.Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen MEMS resonaattori, jossa resonaattori (100) käsittää pitkänomaisia materiaaliosuuksia, joiden pituussuunnat ovat samansuuntaisia tai olennaisesti samansuuntaisia <100> kidesuunnan kanssa ja jotka eroavat enintään 15 astetta <100> suunnasta.
18. Matalan termisen diffusiviteetin materiaalista tehdyn materiaalikerroksen (L2, L 4) käyttö, tunnettu — siitä, että matalan termisen diffusiviteetin materiaalista tehtyä materiaalikerrosta (L2, L4) käytetään termoelastisten häviöiden vähentämiseksi MEMS resonaattorissa (100), joka käsittää materiaalipinon (L1-L5), joka on erotettu substraatista (L7) kaviteetilla (102), sovittamalla mainittu matalan diffusiviteetin kerros (L2, L4) materiaalipinossa mainitun yksikiteisen piin kerroksen (L5) ja mainitun pietsosähköisen kerroksen (L3) väliin ja/tai mainitun pietsosähköisen kerroksen (L3) ja mainitun sähköä johtavan kerroksen (L1) väliin.
N
O
N
O
N o
I a a
LO
N
O
O
N
O
N
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20206125A FI129591B (fi) | 2020-11-06 | 2020-11-06 | Mems-resonaattori korkealla hyvyysluvulla ja sen käyttö |
| US18/251,020 US20230412140A1 (en) | 2020-11-06 | 2021-09-23 | Mems resonator with high quality factor and its use |
| PCT/FI2021/050626 WO2022096774A1 (en) | 2020-11-06 | 2021-09-23 | Mems resonator with high quality factor and its use |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20206125A FI129591B (fi) | 2020-11-06 | 2020-11-06 | Mems-resonaattori korkealla hyvyysluvulla ja sen käyttö |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20206125A1 FI20206125A1 (fi) | 2022-05-07 |
| FI129591B true FI129591B (fi) | 2022-05-13 |
Family
ID=78078280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20206125A FI129591B (fi) | 2020-11-06 | 2020-11-06 | Mems-resonaattori korkealla hyvyysluvulla ja sen käyttö |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230412140A1 (fi) |
| FI (1) | FI129591B (fi) |
| WO (1) | WO2022096774A1 (fi) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2377176B1 (en) * | 2008-12-17 | 2016-12-14 | Analog Devices, Inc. | Mechanical resonating structures including a temperature compensation structure |
| JP6003994B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2016-10-05 | 株式会社村田製作所 | 振動装置及びその製造方法 |
| FI130145B (fi) * | 2019-04-15 | 2023-03-13 | Tikitin Oy | Mikroelektromekaaninen resonaattori |
-
2020
- 2020-11-06 FI FI20206125A patent/FI129591B/fi active IP Right Grant
-
2021
- 2021-09-23 US US18/251,020 patent/US20230412140A1/en active Pending
- 2021-09-23 WO PCT/FI2021/050626 patent/WO2022096774A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022096774A1 (en) | 2022-05-12 |
| FI20206125A1 (fi) | 2022-05-07 |
| US20230412140A1 (en) | 2023-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6109752B2 (ja) | 新規な微小機械デバイス | |
| US8558643B2 (en) | Micromechanical device including N-type doping for providing temperature compensation and method of designing thereof | |
| EP2603976B1 (en) | Micromechanical resonator and method for manufacturing thereof | |
| JP7266077B2 (ja) | マイクロメカニカル共振器 | |
| US20080292127A1 (en) | Electroacoustic Component | |
| US20220166406A1 (en) | Microelectromechanical resonator | |
| CN113285687B (zh) | 温度补偿型薄膜体声波谐振器及其形成方法、电子设备 | |
| US20210013862A1 (en) | Multiple layer system, method of manufacture and saw device formed on the multiple layer system | |
| US11495726B2 (en) | Piezoelectric element, and resonator using piezoelectric element | |
| JP2019525526A (ja) | 高ｑ値を有する圧電ｍｅｍｓ共振子 | |
| GB2069278A (en) | Surface acoustic wave device | |
| US20230133733A1 (en) | Microelectromechanical system resonator assembly | |
| FI129591B (fi) | Mems-resonaattori korkealla hyvyysluvulla ja sen käyttö | |
| US20230231538A1 (en) | Mems resonator and manufacturing method | |
| US20200115219A1 (en) | Silicon Carbide Microelectromechanical Structure, Device, and Method | |
| TWI775603B (zh) | 聲波共振器濾波器 | |
| JP2007500478A (ja) | 積層共振器及び前記共振器を内蔵するタイムベース | |
| JP2000138381A (ja) | 密閉容器及びその製造方法 | |
| US20240339985A1 (en) | Temperature-stable mems resonator | |
| JPWO2020212648A5 (fi) | ||
| CN114866060A (zh) | 一种耦合谐振器及其制备方法 | |
| CN117559950A (zh) | 一种复合结构微机械谐振器及其加工方法 | |
| WO2024218431A1 (en) | Slanted resonator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 129591 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |