FI128453B - Laitteisto substraatin pinnan prosessoimiseksi - Google Patents

Laitteisto substraatin pinnan prosessoimiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI128453B
FI128453B FI20175920A FI20175920A FI128453B FI 128453 B FI128453 B FI 128453B FI 20175920 A FI20175920 A FI 20175920A FI 20175920 A FI20175920 A FI 20175920A FI 128453 B FI128453 B FI 128453B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
nozzle head
bearing
support
nozzle
supporting structure
Prior art date
Application number
FI20175920A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20175920A1 (fi
Inventor
Pekka Soininen
Mika Jauhiainen
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20175920A priority Critical patent/FI128453B/fi
Priority to PCT/FI2018/050758 priority patent/WO2019077206A1/en
Publication of FI20175920A1 publication Critical patent/FI20175920A1/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI128453B publication Critical patent/FI128453B/fi

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45517—Confinement of gases to vicinity of substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Keksintö liittyy laitteistoon, joka laitteisto käsittää suutinpään (20), jossa on ensimmäinen pää (21), toinen pää (22), ensimmäinen sivupää (23), toinen sivupää (24) ja syöttöpinta (25), joka on muodostettu kaarevana syöttöpintana, jolla on kaarevuusakseli (C). Suutinpää (20) käsittää kaksi tai useampia lähtöainesuuttimia (26), tukirakenteen (31, 32) ja kiinnitysjärjestelyn (51, 52). Kiinnitysjärjestely (51, 52) käsittää yhden ensimmäisen kiinnitysosan (51), joka on järjestetty suutinpään (20) ensimmäisen pään (21) ja tukirakenteen (31, 32) väliin, ja yhden toisen kiinnitysosan (52), joka on järjestetty suutinpään (20) toisen pään (22) ja tukirakenteen (31, 32) väliin, jotka yksi ensimmäinen kiinnitysosan (51) ja yksi toinen kiinnitysosa (52) on järjestetty tukiakselille (S), joka on yhdensuuntainen kaarevuusakselin (C) kanssa.

Claims (16)

PATENTTIVAATIMUKSET
1. Laitteisto substraatin pinnan prosessoimiseksi altistamalla — substraatin pinta ainakin kahden lähtöaineen vuorottaisille pintareaktioille atomikerroskasvatuksen (ALD) periaatteiden mukaisesti, joka laitteisto käsittää: suutinpään (20), jossa on ensimmäinen pää (21), toinen pää (22), ensimmäinen sivupää (23), toinen sivupää (24) ja syöttöpinta (25), jonka kautta ainakin yksi lähtöaine syötetään, joka syöttöpinta (25) on muodostettu kaarevana — syöttöpintana, jolla on kaarevuusakseli (C), joka ulottuu yhdensuuntaisesti syöttöpinnan (25) kanssa ensimmäisen pään (21) ja toisen pään (22) välillä, joka suutinpää (20) lisäksi käsittää kaksi tai useampia lähtöainesuuttimia (26), jotka on aikaansaatu syöttöpinnan (25) yhteyteen ja jotka ulottuvat ensimmäisen pään (21) ja toisen pään (22) välillä substraatin pinnan altistamiseksi ainakin yhdelle lähtöaineelle; tukirakenteen (31, 32) suutinpään (20) tukemiseksi; ja tunnettu siitä, että laitteisto lisäksi käsittää kiinnitysjärjestelyn (51, 52) tukirakenteen (31, 32) ja suutinpään (20) kytkemiseksi, joka kiinnitysjärjestely (51, 52) käsittää yhden ensimmäisen kiinnitysosan (51), joka on — järjestetty suutinpään (20) ensimmäisen pään (21) ja tukirakenteen (31, 32) väliin, ja yhden toisen kiinnitysosan (52), joka on järjestetty suutinpään (20) toisen pään (22) ja tukirakenteen (31, 32) väliin, jotka yksi ensimmäinen kiinnitysosan (51) ja yksi toinen kiinnitysosa (52) on järjestetty tukiakselille (S) joka on yhdensuuntainen suutinpään (20) kaarevuusakselin (C) kanssa.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että o laitteisto lisäksi käsittää ainakin yhden laakerijärjestelyn (41, 42, 43, 44), joka on O aikaansaatu suutinpään (20) ja tukirakenteen (31, 32) väliin sallimaan suutinpään 0 (20) liikkuminen suhteessa tukirakenteeseen (31, 32). = 30 > 3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että = yksi ensimmäinen kiinnitysosan (51) on järjestetty suutinpään (20) ensimmäisen I pään (21) ja laakerijärjestelyn (41, 42, 43, 44) väliin ja yksi toinen kiinnitysosa (52) 3 on järjestetty suutinpään (20) toisen pään (22) ja laakerijärjestelyn (41, 42, 43, 44) Oo 35 — väliin.
N
4. Minkä tahansa edellisen patenttivaatimuksen mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että yksi ensimmäinen kiinnitysosa (51) on kytketty suutinpään (20) ensimmäisen päähän (21) puoliväliin ensimmäisen sivupään (23) ja toisen sivupään (24) välillä, ja yksi toinen kiinnitysosa (52) on kytketty suutinpään (20) — toiseen päähän (22) puoliväliin ensimmäisen sivupään (23) ja toisen sivupään (24) välillä vastakkaisella puolella suutinpäätä (20) siten, että tukiakseli (S) jakaa suutinpään (20) kahteen puolikkaaseen.
5. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 2-4 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että ainakin yksi laakerijärjestely (41, 42, 43, 44) käsittää tukilaakeriosan (41, 42) ja suutinlaakeriosan (43, 44), joka mainittu tukilaakeriosa (41, 42) on kytketty tukirakenteeseen (31, 32) ja mainittu suutinlaakeriosa (43, 44) on kytketty suutinpäähän (20) kiinnitysjärjestelyn (51, 52) kautta.
6. Minkä tahansa edellisen patenttivaatimuksen mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laitteisto käsittää ensimmäisen laakerijärjestelyn (41, 43), joka on järjestetty suutinpään (20) ensimmäisen pään (21) ja tukirakenteen (31, 32) väliin, ja toisen laakerijärjestelyn (42,44), joka on järjestetty suutinpään (20) toisen pään (22) ja tukirakenteen (31, 32) väliin.
7. Patenttivaatimuksen 5 tai 6 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laakerijärjestely (41, 42, 43, 44) on rullalaakerijärjestely, jossa tukilaakeriosa (41, 42) käsittää laakerirullia ja suutinlaakeriosa (43, 44) käsittää laakerikiskon; tai tukilaakeriosa (41, 42) käsittää laakerikiskon ja suutinlaakeriosa (43, 44) käsittää laakerirullia. N
8. Patenttivaatimuksen 5 tai 6 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, N että laakerijärjestely (41, 42, 43, 44) on liukulaakerijärjestely, jossa 3 30 tukilaakeriosa (41, 42) käsittää ensimmäisen laakeripinnan ja 2 suutinlaakeriosa (43, 44) käsittää toisen laakeripinnan. x >
9. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 5-8 mukainen laitteisto, > tunnettu siitä, että tukilaakeriosalla (41, 42) ja/tai suutinlaakeriosalla (43, 44) S 35 on sama kaarevuusakseli (C) kuin suutinpään (20) syöttöpinnalla (24).
N
10. Minkä tahansa edellisen patenttivaatimuksen mukainen laitteisto,
tunnettu siitä, että ensimmäinen kiinnitysosa (51) ja/tai toinen kiinnitysosa (52) käsittää ainakin yhden lämpöeristysporauksen.
11. Minkä tahansa edellisen patenttivaatimuksen mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laitteisto lisäksi käsittää reaktiokammion (1), johon ainakin suutinpää (20), tukirakenne (31, 32) ja kiinnitysjärjestely (51, 52) on järjestetty, joka reaktiokammio (1) käsittää ainakin yhden sivuseinän ja pohjan.
12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen laitteisto tunnettu siitä, että — tukirakenne (31, 32) käsittää ensimmäisen tukiosan (31) ja toisen tukiosan (32), ensimmäinen tukiosa (31) ja/tai toinen tukiosa (32) on aikaansaatu ainakin yhteen sivuseinään (2); tai ensimmäinen tukiosa (31) ja/tai toinen tukiosa (32) on aikaansaatu reaktiokammion (1) pohjaan (3); tai ensimmäinen tukiosa (31) on aikaansaatu ainakin yhteen sivuseinään (2) ja toinen tukiosa (32) on aikaansaatu reaktiokammion (1) pohjaan (3).
13. Patenttivaatimuksen 11 mukainen laitteisto tunnettu siitä, että tukirakenne (31, 32) käsittää ensimmäisen tukiosan (31) ja toisen tukiosan (32), ainakin yksi sivuseinä (2) on järjestetty muodostamaan ensimmäinen tukiosa (31) ja/tai toinen tukiosa (32); tai rektiokammion (1) pohja (3) on järjestetty muodostamaan ensimmäinen tukiosa (31) ja/tai toinen tukiosa (32); tai reaktiokammion (1) ainakin yksi sivuseinä (2) ja pohja (3) on järjestetty —muodostamaan ensimmäinen tukiosa (31) ja toinen tukiosa (32).
14. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 3-13 mukainen laitteisto, N tunnettu siitä, että ensimmäinen suutinlaakeriosa (43), ensimmäinen N kiinnitysosa (51), suutinpää (20) toinen kiinnitysosa (52) ja toinen suutinlaakeriosa 3 30 (44) on järjestetty peräkkäisesti pitkin tukiakselia (S). © z 15. Patenttivaatimuksen 14 mukainen laitteisto tunnettu siitä, että > tukiakselia (S) pitkin ensimmäisestä suutinlaakeriosasta (43) toiseen > suutinlaakeriosaan (44) on vain yhtä materiaalia suunnassa, joka on kohtisuorassa R 35 — tukiakselin (S).
N
16. Minkä tahansa edellisen patenttivaatimuksen mukainen laitteisto,
tunnettu siitä, että laitteisto lisäksi käsittää kuljetussylinterin (10), jossa on sylinterimäinen ulkopinta (11) ja keskiakseli (C), suutinpään (20) syöttöpinta (24) on järjestetty olemaan kohti kuljetussylinterin (10) sylinterimäistä ulkopintaa (11).
O
N
O
N 0 oO ™
I a a
O
N
O
LO
K
O
N
FI20175920A 2017-10-18 2017-10-18 Laitteisto substraatin pinnan prosessoimiseksi FI128453B (fi)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20175920A FI128453B (fi) 2017-10-18 2017-10-18 Laitteisto substraatin pinnan prosessoimiseksi
PCT/FI2018/050758 WO2019077206A1 (en) 2017-10-18 2018-10-17 APPARATUS

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20175920A FI128453B (fi) 2017-10-18 2017-10-18 Laitteisto substraatin pinnan prosessoimiseksi

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI20175920A1 FI20175920A1 (fi) 2019-04-19
FI128453B true FI128453B (fi) 2020-05-29

Family

ID=66174333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20175920A FI128453B (fi) 2017-10-18 2017-10-18 Laitteisto substraatin pinnan prosessoimiseksi

Country Status (2)

Country Link
FI (1) FI128453B (fi)
WO (1) WO2019077206A1 (fi)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116479412A (zh) * 2023-04-24 2023-07-25 江苏微导纳米科技股份有限公司 卷绕式处理设备及处理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11136667B2 (en) * 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US20110076421A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface
KR20130142869A (ko) * 2012-06-20 2013-12-30 주식회사 엠티에스나노테크 원자층 증착 장치 및 방법
FI124298B (fi) * 2012-06-25 2014-06-13 Beneq Oy Laite substraatin pinnan käsittelemiseksi ja suutinpää
FI126043B (fi) * 2013-06-27 2016-06-15 Beneq Oy Menetelmä ja laitteisto substraatin pinnan pinnoittamiseksi
WO2016045858A1 (en) * 2014-09-24 2016-03-31 Basf Se Process for producing organic-inorganic laminates

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019077206A1 (en) 2019-04-25
FI20175920A1 (fi) 2019-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9683291B2 (en) Apparatus for processing surface of substrate and nozzle head
FI128453B (fi) Laitteisto substraatin pinnan prosessoimiseksi
US11248292B2 (en) Deposition system with moveable-position web guides
US9708710B2 (en) Atomic layer deposition method for coating a substrate surface using successive surface reactions with multiple precursors
JP6140636B2 (ja) 円形断面とは異なる断面を有するガラス管ストランド又はガラス棒ストランドを搬送する装置及び方法並びにその使用
US20180251896A1 (en) Apparatus for processing substrate
US3902453A (en) Ultra high speed bottle coating system and process
EP3245316B1 (en) Atomic layer deposition apparatus
CN108136431A (zh) 带加工设备以及用于加工带的方法
JP2019062101A (ja) 基板処理装置
KR102319219B1 (ko) 성막 장치, 코팅막 부착 절삭 공구의 제조 방법
EP3925730B1 (en) Workpiece supporting device, unloading device, loading device and long workpiece machining device
NL2027074B1 (en) Roll-to-roll processing
US20240011149A1 (en) Transport device and method
JP2019052371A (ja) ３ｄサブストレートを均一にコーティングするための方法及び装置
US241309A (en) davis
KR101943551B1 (ko) 프레임 고정지그 및 이를 포함하는 도포 시스템
KR20220101965A (ko) 필로우 가이더, 이를 포함하는 필로우 포장 시스템, 및 이를 이용하여 생산된 번들 필로우
KR101124485B1 (ko) 기판 처리 시스템
JP2015182879A (ja) 基材搬送処理装置
NO318624B1 (no) Apparat for fremstilling av isolasjonskanaler fra en mineralullmatte
JP2005241218A (ja) 炉心管の支持装置
JPH09228051A (ja) 常圧ｃｖｄ装置における反応炉内温度の制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 128453

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B

PC Transfer of assignment of patent

Owner name: BENEQ OY