FI123666B - Menetelmä korkean konformaalisuusasteen omaavien pinnoitteiden valmistamiseksi - Google Patents
Menetelmä korkean konformaalisuusasteen omaavien pinnoitteiden valmistamiseksi Download PDFInfo
- Publication number
- FI123666B FI123666B FI20115325A FI20115325A FI123666B FI 123666 B FI123666 B FI 123666B FI 20115325 A FI20115325 A FI 20115325A FI 20115325 A FI20115325 A FI 20115325A FI 123666 B FI123666 B FI 123666B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- solvent
- siloxane polymer
- ketone
- boiling
- mixture
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
- C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Description
MENETELMÄ KORKEAN KONFORMAALISUU S ASTEEN OMAAVIEN PINNOTTEIDEN VALMISTAMISEKSI
Esillä oleva keksintö koskee sellaisten konformaalisten pinnoitteiden eli päällysteiden ja 5 kalvojen valmistamista, joita voidaan käyttää esimerkiksi elektroniikan alalla ja optisissa kojeissa. Tällaiset päällysteet ja kalvot valmistetaan asetusmenetelmillä, joiden mukaan polymeerimateriaalin nestemäinen formulaatio, esimerkiksi siloksaanipolymeeri, levitetään substraatille.
10 Konformaaliset päällysteet ovat tärkeitä elektroniikkateollisuudessa ja optisessa teollisuudessa. Monissa tämänhetkisissä CMOS kuvasensoreisssa käytetään konformaalisia antireflektiivisiä (AR) päällysteitä mikrolinssijärjestelmien päällä transmittanssin parantamiseksi. Ilman AR-päällystettä yli 5 % valosta menetetään mikrolinssin pinnalla tapahtuvan heijastumisen vuoksi, mikä johtaa vähentyneeseen herkkyyteen ja lisääntyneeseen 15 häiriöön alhaisen valon olosuhteissa. Heijastuneella valolla on myös negatiivinen vaikutus kirkkauteen ja kontrastiin.
Kun planaarisuus yleensä ottaen on usein haluttu ominaisuus ja sitä käytetään aukkojen ja urien täyttämiseksi puolijohdeteollisuudessa valmistetuissa kojeissa, konformaalisuutta 20 puolestaan tarvitaan yleensä, kun halutaan hyviä antireflektiivisiä päällysteitä. Liian planaariset AR-päällysteet lisäävät sekä kokonaisreflektanssia että keskinäishäiriötä vierekkäisten fotopintojen välillä. Tällöin myös vaarannetaan pienen kulman suorituskyky - eräs syy miksi mikrolinssejä ylipäänsä käytetään. Tämä johtaa vinjetointiin, joka voimistuu co o käytettäessä laajakulmalinssejä.
cd 25 cp 0 Ihanteellisella antireflektiivisella päällysteellä on yhtenäinen paksuus mikrolinssien päällä.
x Sopivan AR-päällysteen vaikutusta mikrolinssien reflektanssiin kuvataan kuvioissa 1 - 3:
IX
Q_
LO
Kuvio 1 esittää valkoiselle valolle optimoidun AR-päällysteen, (joka on paksuudeltaan Rl = tn ^ 30 1,25, Tx = 109,5 nm) simuloitua reflektanssia mikrolinssimateriaalilla (Rl = 1,57) 90° o ^ kulmassa.
2
Kuvio 2 kuvaa siniselle valolle optimoidun AR-päällysteen, (joka on paksuudeltaan Rl = 1,25, Tx = 87,5 nm) simuloitua reflektanssia mikrolinssimateriaalilla (Rl = 1,57) 90° kulmassa.
5 Kuvio 3 kuvaa simuloitua reflektanssia mikrolinssimateriaaleilla (Rl = 1,57) ilman AR-päällystettä.
Peukalosääntö on, että maksimaalinen reflektanssin väheneminen saavutetaan, kun antireflektiivisen päällysteen taitekerroin (lyhennetään myös Rl) on noin sama kuin käytetyn 10 mikrolinssimateriaalin Rl:n neliöjuuri. Esimerkiksi novolakkaperustainen mikrolinssimateriaali, jonka Rl = 1,57, tarvitsee optimaalista toimintaa varten ilmassa antireflektiivisen päällysteen, jonka Rl = Vl,55 = 1,25. Tällaisen päällysteen optimoitu paksuus voidaan toisaalta laskea Fresnell-yhtälöiden avulla. Siinä tapauksessa konformaalisen AR-päällysteen paras paksuus on 80. .. 120 nm, aallonpituudesta riippuen, ja se voidaan 15 optimoida sinänsä tunnetuilla menetelmillä.
Konformaaliset päällysteet saadaan tyypillisesti CVD:n (chemical vapor deposition) avulla. CVD-mentelmä on kuitenkin suhteellisen kallis ja hidas menetelmä. Siihen tarvitaan kallista laitteistoa. Menetelmällä voidaan saada erittäin konformaalinen päällyste, jonka tyypillinen 20 minimi-RI on yli 1,4. Tämä arvo on pienempi kuin mikrolinssimateriaaleilla, mutta kuitenkin monessa tapauksessa edelleen liian suuri minimireflektanssia silmälläpitäen. CVD-kalvon RI:n säätäminen ei ole aina helppoa.
co o Polymeeriliuosten käyttö kalvoja päällystettäessä tarjoaa laajat mahdollisuudet materiaalin
CNJ
cd 25 valinnassa. Tällaiset kalvot voidaan saostaa esimerkiksi upotuspäällystämällä, cp o rakopäällystamällä, ruiskupäällystämällä tai rotaatiopäällystämällä.
X
cc
Upotus-, rako-ja ruiskupäällystysmenetelmiä käytetään yleensä, kun kyseessä on suuremmat m esineet kuten LCD:t ja aurinkopaneelit, kun sen sijaan piikiekkojen kohdalla käytetään yleensä m ^ 30 rotaatiopäällystystä. Rotaatiopäällystysmateriaalit saostetaan tyypillisesti piikiekolle o 00 annostelemalla tunnettu määrä polymeeriliuosta pyörivälle kiekolle, haihduttamalla liuottimet 3 matalassa lämmössä ja kovettamalla kalvo lopuksi kuumentamalla kuumalla levyllä tai uunissa, tai UV-valolla. Rotaatiopäällystysmenetelmässä käytetään halpoja varusteita ja se on suhteellisen nopea, erityisesti jos kovetus suoritetaan uunissa, johon mahtuu useita kiekkoja samanaikaisesti.
5
Yleensä ottaen rotaatiopäällystysmateriaalien parhaita ominaisuuksia on niiden hyvä planarisoiva ominaisuus, mikä on kuitenkin konformaalisuuden vastakohta. Tämä johtuu osittain sellaisten liuottimien käytöstä, joiden vaikutuksesta materiaali valuu tasaisesti kiekon päälle saostuksen aikana, ja myös polymeerin takaisinvalumasta, joka tapahtuu usein 10 lopullisen kovetuksen aikana ennen polymeerin täydellistä kovettumista.
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on saada aikaan parempi menetelmä, jolla valmistetaan elektronisissa ja optisissa sovelluksissa käytettäviä konformaalisia kalvoja, ja jolla käsiteltävälle pinnalle levitetään polymeeriliuoksia.
15
Yllättäen on todettu, että poikkeuksellisen konformaalisia päällysteitä voidaan saada aikaan myös rotaatiomateriaaleilla. Laajan tutkimustyön avulla on keksitty, että tämä on mahdollista käyttämällä polymeeriä tai polymeeriseosta, joka ei valu takaisin kovetuksen aikana.
20 Ennestään tunnetaan silksaanipolymeeriä liuotinseoksessa sisältäviä pinnoitusnesteitä (JP20022882785). Tunnetaan myös pinnoitusneste, joka sisältää siloksaanihartsia ja jossa liuottimena käytetään PGMEA:n ja etyyliasetyyliasetonaatin seosta (WO 2008102060).
co δ Keksintö perustuu ajatukseen, että siloksaanimateriaali muodostetaan asetuskoostumukseen,
CNJ
δ 25 joka käsittää liuotinseoksen, jossa alhaisessa lämpötilassa kiehuva hyvä liuotin sekoitetaan cp o korkeammalla kiehuvaan ei-liuottimeen.
X
cc
Erityisesti tarkoituksena on formuloida sellaisten komponenttien koostumus, jossa polymeeri m
Pj ei täysin saostu korkeammalla kiehuvasta ei-liuottimesta, vaan pikemminkin muodostaa m 30 läpinäkyvän ja kirkkaan geelin asetuksen aikana. Alhaisessa lämpötilassa kiehuvaa hyvää o
CVJ
4 liuotinta tarvitaan sopivan kalvolaadun aikansaamiseksi sekä tuotteen lopulliseksi suodattamiseksi vieraista hiukkasista valmistuksen aikana.
Täsmällisemmin sanottuna esillä olevan keksinnön mukaiselle menetelmälle on pääasiallisesti 5 tunnusomaista se, mikä esitetään patenttivaatimuksen 1 mukaisessa tunnusmerkkiosassa.
Esillä olevan keksinnön avulla saadaan aikaan huomattavia etuja. Kun käytetään etukäteen määrättyä sekä emäs-ja/tai happokatalysoitujen polymeerien suhdetta, voidaan valmistaa erittäin konformaalinen AR-päällyste, jolla on säädettävä Rl ja optimaalinen suorituskyky 10 mikrolinssi- tai muita optisia materiaaleja silmälläpitäen.
Seuraavassa keksintöä tarkastellaan lähemmin yksityiskohtaisen selityksen avulla ei-rajoittaviin sovellutusesimerkkeihin viitaten.
15 Kuvio 1 esittää diagrammia, josta ilmenee reflektanssi suhteessa aallonpituuteen ja se kuvaa AR-päällysteen simuloitua reflektanssia, jolloin päällysteen paksuus on optimoitu valkoiselle valolle (RI=1,25, Tx=109,5 nm) mikrolinssimateriaalilla (RI=1,57) 90° kulmassa, kuvio 2 esittää vastaavaa diagrammia, josta ilmenee reflektanssi suhteessa aallonpituuteen, ja joka kuvaa AR-päällysteen simuloitua reflektanssia, jonka paksuus on optimoitu siniselle 20 valolle (RI=1,25, Tx=87,5 nm) mikrolinssimateriaalilla (RI=1,57) 90° kulmassa, kuvio 3 esittää simuloitua reflektanssia mikrolinssimateriaalilla (RI=1,57), jossa ei ole AR-päällystettä, kuvio 4A on esimerkin 4 mukaisen rotaatiopäällystetyn urakuvion SEM-kuva, co o kuvio 4B on esimerkin 4 mukaisen rotaatiopäällystetyn urakuvion toinen SEM-kuva,
(M
cö 25 kuvio 5 kuvaa kalvon RI:n muutosta esimerkeissä IA ja IB tuotettujen materiaalien cp 0 sekoitussuhteen funktiona, x kuvio 6A on vertailuesimerkissä 2 saadun liuoksen rotaatiopäällystetyn urakuvion SEM-kuva, cr
CL
ja
LO
kuvio 6B on toinen vertailuesimerkissä 2 saadun liuoksen rotaatiopäällystetyn urakuvion ^ 30 SEM-kuva.
o c\j 5
Esillä olevan keksinnön edullisen sovellutusmuodon mukaan korkean konformaalisuusasteen omaava päällyste tai kalvo valmistetaan siloksaanipolymeerikoostumuksesta, joka käsittää siloksaanipolymeerin orgaanisten yhdisteiden seoksessa (jota kutsutaan seuraavassa myös “liuotinseokseksi”) Joka sisältää ainakin yhden alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen, 5 jonka kiehumispiste on korkeintaan 145 °C, ja ainakin yhden korkeassa lämpötilassa kiehuvan yhdisteen (jota kutsutaan seuraavassa myös “ei-liuottimeksi”), jonka kiehumispiste on ainakin 120 °C. Korkeassa lämpötilassa kiehuvan ja alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen kiehumispisteiden ero on ainakin 10 °C, edullisesti yli 15 °C, erityisesti yli 20 °C, tyypillisesti noin 25 °C tai korkeampi.
10 “Alhaisessa lämpötilassa kiehuva liuotin” voi olla mikä tahansa yhdiste, tyypillisesti mikä tahansa yhdiste, joka on nestemäinen huoneenlämpötilassa ja joka pystyy toimimaan hyvänä polymeerin liuottimena lämpötilavälillä, joka kattaa siloksaanipolymeerikoostumusten valmistuksen. Alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen tulisi edullisesti olla nestemäinen 15 myös siloksaanipolymeerikoostumuksen levityksen alkuvaiheissa sitä levitettäessä rotaatiopäällystyksellä sopivalle substraatille.
Yleensä alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen kiehumispiste ympäristön paineessa on noin 30 - 145 °C, erityisesti noin 40 - 145 °C, edullisesti noin 50 - 145 °C.
20
Edullisesti käytetään alhaisessa lämpötilassa kiehuvaa liuotinta, joka voidaan täysin tai oleellisesti täysin haihduttaa etukäteen määritellyssä vaiheessa siloksaanipolymeeri- koostumuksen levityksen aikana tai edullisesti ensimmäisen vaiheen eli levityksen jälkeen, co o jolloin jäljelle jää märkä geeli, joka on muodostunut polymeerimateriaalista ja liuotinseoksen
(M
cö 25 toisesta pääkomponentista, korkeassa lämpötilassa kiehuvasta yhdisteestä, cp o x Edullisen sovellutusmuodon mukaan alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen
DC
kiehumispiste on niin paljon alhaisempi kuin korkeassa lämpötilassa kiehuvan liuottimen
LO
kiehumispiste, että kalvoilla on mahdollisuus muodostaa märkä geeli sitä seuraavan
LO
30 kuivausprosessin aikana, o
(M
6
Edullisesti käytetään myös alhaisessa lämpötilassa kiehuvaa liuotinta, jolla on suhteellisen alhainen myrkyllisyys, ja joka ei ylen määrin kiihdytä polymeerin vanhenemista.
Alhaisessa lämpötilassa kiehuva liuotin voi olla esimerkiksi orgaaninen yhdiste valittuna 5 joukosta alifaattisiset ja aromaattiset ketonit, alkoholit, esterit ja eetterit. Erityisiä esimerkkejä edullisista liuottimista ovat asetoni (kp. 56,5 °C), metyylietyyliketoni (kp. 79,6 °C), isopropanoli (kp. 82,5 °C), dietyyliketoni (kp. 100 °C), isobutanoli (kp. 108 °C), propyleeniglykolimetyylieetteri (kp. 118 °C) ja propyleeniglykolietyylieetteri (kp. 133 °C). Ilmoitetut kiehumispisteet viittaavat normaaliin, so. ympäristön paineeseen, ja ne ovat 10 indikatiivisia ainoastaan puhtailla yhdisteillä. Vaikka puhtaat yhdisteet ovat edullisia, ei ole poissuljettua, että “alhaisessa lämpötilassa kiehuvana liuottimena” käytetyssä orgaanisessa yhdisteessä on läsnä muita komponentteja, jotka pystyvät modifioimaan orgaanisen yhdisteen kiehumispistettä tai viskositeettia tai muita ominaisuuksia.
15 Liuotinseoksen korkeassa lämpötilassa kiehuva komponentti voi olla mikä tahansa liuotinyhdiste, joka pystyy muodostamaan geelin polymeerin kanssa alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen haihdutuksen jälkeen. Myös korkeassa lämpötilassa kiehuva yhdiste on edullisesti neste lämpötilavälillä huoneenlämpötilasta levityslämpötilaan. Edullisen sovellutusmuodon mukaan korkeassa lämpötilassa kiehuva liuotin on sellainen, joka 20 käyttäytyy polymeerin ei-liuottimena.
Korkeassa lämpötilassa kiehuvan liuottimen kiehumispiste on tyypillisesti niin paljon korkeammalla kuin alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen kiehumispiste, että alhaisessa co o lämpötilassa kiehuvan liuottimen haihdutuksen jälkeen saostunut kalvo pystyy muodostamaan
CNJ
cd 25 märän geelin kuivausprosessin aikana. Edullisesti käytetään korkeassa lämpötilassa kiehuvaa cp o liuotinta, jolla on suhteellisen alhainen myrkyllisyys, ja joka ei ylen määrin kiihdytä x polymeerin vanhenemista, cc
CL
LO
Pj Korkeassa lämpötilassa kiehuva ei-liuotin voi olla esimerkiksi, näihin kuitenkaan
LO
30 rajoittumatta, di-iso-propyyliketoni (kp. 124 °C), di-n-propyyliketoni (kp. 145 °C), etyyli- o c\j 7 isoamyyliketoni (kp. 160 °C), di-isobutyyliketoni (kp. 169.4 °C), di-n-butyyliketoni (kp. 186 °C) tai dipentyyliketoni (kp. 186 °C). Kiehumispisteet ovat ainoastaan indikatiivisia.
Liuotinseos sisältää tyypillisesti 1-100 paino-osaa alhaisessa lämpötilassa kiehuvaa liuotinta 5 ja noin 1-100 paino-osaa korkeassa lämpötilassa kiehuvaa yhdistettä, erityisesti näiden kahden yhdisteen painosuhde on noin 1:20 - 20:1. Molaarinen suhde on edullisesti noin 1:50 -50:1, erityisesti noin 1:20 - 20:1 Jolloin alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen ekvimolaarinen määrä tai pieni stökiometrinen ylimäärä on erityisen edullinen.
10 Kun edellä mainittu polymeeriliuos rotaatiopäällystetään kiekolle, liuos käyttäytyy ensin normaalin rotaatiopäällystysmateriaalin tavoin. Se tarkoittaa, että se leviää tasaisesti koko kiekolle. Mutta kun alhaisessa lämpötilassa kiehuva hyvä liuotin haihdutetaan, kalvo muuttuu kosteaksi geeliksi, jolla on dramaattisesti vähentyneet valumaominaisuudet. Kun korkeassa lämpötilassa kiehuva ei-liuotin sitten kuivuu, geeli kutistuu rakenteiden päällä ja muodostaa 15 erittäin konformaalisen päällysteen.
Näin saadun kalvon paksuus on tyypillisesti välillä noin 5 nm - 100 pm, tiettyjä sovelluksia kuten mikro linssejä varten edullinen paksuus on edullisesti noin 10 - 500 nm, erityisesti noin 50 - 200 nm. Edellä mainitut paksuusarvot soveltuvat erityisesti siloksaanikalvoille.
20
Koostumuksen polymeerinä voi olla yksi siloksaanipolymeeri tai kahden tai useamman siloksaanipolymeerin seos.
co o Sopivat siloksaanipolymeerit valmistetaan erään sovellutusmuodon mukaan emäs- tai c\i cd 25 happokatalysoidulla hydrolyysillä ja alkyyli- tai alkoksisilaanimonomeerien kondensaatiolla, cp o mahdollisesti yhdessä tarttuvuutta parantavan/parantavien silaanin/silaanien kanssa. Alkyyli- x tai alkoksisilaanimonomeereistä alempia alkyyli- tai alempia alkoksitähteitä sisältävät
DC
monomeerit ovat erityisen edullisia. Alkyylitähteet valitaan siten tyypillisesti Ci-6
LO
£} alkyyliryhmistä kuten metyyli, etyyli, n- ja i-propyyli, n-, t- ja i-butyyli ja n-amyyli.
LO
30 Alkoksiryhmät sisältävät samoin edullisesti, 1-6 hiiliatomia (Ci-6 alkoksiryhmät), o ^ esimerkkejä ovat metoksi-, etoksi-, n- ja i-propoksi-, n-, t- ja i-butoksi- ja n-amyylioksiryhmät.
8
Silaanimonomeerit voivat käsittää 1-4 alkyyliryhmää ja 1-4 alkoksiryhmää ja näiden kombinaatiot, esimerkiksi 4 alkoksiryhmää tai 3 alkoksiryhmää ja 1 alkyyliryhmän.
Erityisiä esimerkkejä sopivista monomeereistä ovat metyylitrialkoksisilaani ja tetra-5 alkoksisilaani. Erityisesti seuraavat monomeerit ovat erityisen edullisia: - metyylitrialkoksisilaanit valittuina joukosta metyylitrimetoksisilaani ja metyylitrietoksisilaani, ja - tetra-alkoksisilaanit valittuina joukosta tetraetoksisilaani ja tetrametoksisilaani.
10
Valmistettaessa erittäin konformaalisia päällysteitä ja kalvoja esillä olevan keksinnön mukaisia koostumuksia käyttäen syntyneen siloksaanipolymeerin taitekerroin säädetään erään edullisen sovellutusmuodon mukaan ennalta määrättyyn arvoon kontrolloimalla tai muuttamalla siloksaanipolymeerien sekoitussuhteita seoksessa.
15
Erään edullisen sovellutusmuodon mukaan tarttuvuutta parantava silaani voidaan valita joukosta trimetyylimetoksisilaani, trimetyylietoksisilaani, dimetyylidimetoksisilaani, dimetyylidietoksisilaani, trifluoripropyylitrimetoksisilaani, trifluoripropyylitrietoksisilaani, glysidyylioksipropyylitrimetoksisilaani, glysidyylioksipropyylitrietoksisilaani, 20 vinyylitrimetoksisilaani, vinyylitrietoksisilaani, metakryylioksipropyylitrimetoksisilaani, metakryylioksipropyylitrietoksisilaani, akryylioksipropyylitrimetoksisilaani, akryylioksipropyylitrietoksisilaani, fenyylitrimetoksisilaani, fenyylitrietoksisilaani, fenyylimetyylidimetoksisilaani ja fenyylimetyylidietoksisilaani. co δ c\j cc, 25 Yleensä trialkoksi- tai tetralkoksisilaanin tai näiden seoksen molaarinen suhde tarttuvuutta cp ό parantavaan silaaniin on 1000:1 - 1:1000, erityisesti noin 100:1 - 1:100, edullisesti noin 100:1 x - 1:1, ja erityisesti noin 75:1 - 5:1.
cc
CL
LO
^ Tyypillisesti silaanimonomeerit hydrolysoidaan ja esipolymerisoidaan edellä mainitulla tavalla
LO
30 sellaisinaan tunnetuilla menetelmillä, jolloin syntyy esipolymeeri, jonka molekyylipaino Mw o 00 on noin 500 - 100,000 mol/g, erityisesti noin 5000 - 50,000 mol/g, ja mahdollisen 9 liuotinvaihdon jälkeen formuloidaan levityskoostumus. Koostumus sisältää noin 0,1 - 25 paino-%, edullisesti noin 1 - 20 paino-% polymeerimateriaalia.
Edellä kuvatunlaisia erittäin konformaalisia päällysteitä ja kalvoja voidaan valmistaa 5 rotaatiopäällystämällä, upotuspäällystämällä, rakopäällystämällä tai ruiskupäällystämällä. Päällysteet tai kalvot voidaan saattaa sopivalle substraatille, edullisesti planaariselle substraatille. Esimerkkejä substraateista ovat piimateriaalit, esimerkiksi piikiekot, piidioksidimateriaalit, kuten lasisubstraatit, metalli ja metallilejeeringit. Seuraavat ei-rajoittavat esimerkit kuvaavat keksintöä: 10
Esimerkki IA
2 l:n kvartsikolviin laitettiin DIW:tä (308 g) ja metanolia (750 g), ja seos kuumennettiin 60 °C:seen öljyhauteessa. Lisättiin tetrametyyliammoniumhydroksidia (TMAH:ta, 30 g, 15 25-%:ista vesiliuosta). Metyylitrimetoksisilaania (90 g) ja tetraetoksisilaania (125 g) sekoitettiin 500 ml: n kolvissa ja seos lisättiin hyvin sekoitettuun kolviin 10 minuutissa. Liuos alkoi kiehua.
Kun kaikki monomeerit oli lisätty, liuoksen annettiin refluksoitua vielä 10 minuuttia, minkä 20 jälkeen sen annettiin jäähtyä kaksi tuntia. Maleiinihapon vesiliuosta (33-%:ista, 35 g) lisättiin sitten TMAH:n neutraloimiseksi. Glysidyylioksipropyylitrimetoksisilaania (GPTMOS, 5 g) lisättiin ja sen annettiin reagoida 5 minuuttia. Metanoliylimäärä tislattiin pois rotavaporilla.
Jäljellejäänyt polymeeriliuos kaadettiin 4 l:n kolviin, joka täytettiin DIW:llä (800 g) ja co o metyyli-t-butyylieetterillä (MTBE, 600 g). Kun liuosta oli sekoitettu viisi minuuttia, kerrosten
CM
cc, 25 annettiin erottua, ja alempi vesifaasi poistettiin. Lisää DIW:tä (500 g) lisättiin ja kun seosta oli o o sekoitettu 5 minuuttia, kerrosten annettiin uudelleen erottua. Ylempi MTBE-faasi otettiin x talteen ja sitä säilytettiin pakastimessa. Polymeerin molekyylipainoksi mitattiin Mw/Mn = cc °· 25563/17052 GPC:llä tetrahydrofuraanissa kapeiden polystyreenistandardien avulla.
m c\j co m
ζΐ 30 Esimerkki IB
o C\l 10 2 l:n kvartsikolvi täytettiin asetonilla (750 g). Lisättiin metyylitrimetoksisilaania (90 g), tetraetoksisilaania (125 g) ja glysidyylioksipropyylitrimetoksisilaania (5 g). Laimeata kloorivetyhappoa (dHCl, Ο,ΟΙΜ, 215 g) lisättiin hitaasti tipoittain, minkä jälkeen seosta sekoitettiin 30 minuuttia. Liuos kuumennettiin sitten refluksointilämpötilaan, ja sen annettiin 5 reagoida 5 tuntia. Seuraavaksi kolvi jäähdytettiin, ja haihtuvat aineet haihdutettiin rotavaporissa, kunnes saatiin paksu siirappi. Se liuotettiin MTBE:hen (500 g) ja trietyyliamiinia (TEA, 2 g) lisättiin. Liuosta refluksoitiin kaksi tuntia, minkä jälkeen se jäähdytettiin, ja se pestiin kaksi kertaa dHCkllä (0,5M, 200 g) ja kolme kertaa DIW:llä. MTBE-liuos otettiin talteen ja sitä säilytettiin pakastimessa. Polymeerin molekyylipainoksi 10 mitattiin Mw/Mn = 15332/5266 GPC:llä.
Esimerkki 2
Esimerkin IA mukaisen MTBE-faasin liuotin vaihdettiin metyylietyyliketoniksi (MEK) 15 rotavaporissa. Saatiin liuos, jossa oli 8 paino-% polymeeriä.
Esimerkki 3
Esimerkin 2 mukainen MEK-liuos otettiin talteen (20,8 g), ja lisää MEK:ta (12,5 g) ja etyyli - 20 isoamyyliketonia (EiAK, 16,7 g) lisättiin. Syntynyt liuos suodatettiin käsin 0,2 μιη:η PTFE- suodattimen läpi. Liuos rotaatiovalettiin 2000 rpm:llä, minkä jälkeen sitä kypsytettiin matalassa lämmössä kuumalla levyllä lämpötilassa 150 °C/5 min ja kovetettiin lämpötilassa 200 °C/5 min. Kalvonpaksuudeksi saatiin 168 nm ja Rl = 1,287. Tämä liuotinseos muodosti co o erittäin konformaalisen kalvon.
(M
cd 25 o o Esimerkki 4 x
IX
“ Esimerkki 4 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että käytettiin di-isobutyyliketonia tn (DIBK) EiAK:n asemesta. Myös tämä liuotinseos muodosti erittäin konformaalisen kalvon.
iD
^ 30 o c\j 11
Kuvio 4A on SEM-kuva urarakenteesta, jolle tässä esimerkissä saatu liuos on levitetty rotaatiopääällystämällä. Kuten kuvasta käy ilmi, uran päällä, sivuilla ja pohjalla on melkein samat määrät materiaalia, mikä viittaa hyvään konformaalisuuteen.
5 Kuvio 4B on toinen SEM-kuva urarakenteesta, jolle tässä esimerkissä saatu liuos on asetettu rotaatiopääällystämällä. SEM-kuvasta käy selvästi ilmi, että polymeerimateriaali on läsnä melkein samanlaisina määrinä uran päällä, sivuilla ja pohjalla, mikä viittaa hyvään konformaalisuuteen. Tärkeää on, että säröjä ei havaita.
10 Kuvio 5 esittää kalvon RI:n muutosta esimerkkien IA ja IB materiaalien seoksen funktiona.
Esimerkki 5
Esimerkki 5 oli analoginen esimerkin 3 kanssa, paitsi että käytettiin di-n-butyyliketonia 15 (DNBK) EiAK:n asemesta. Myös tämä liuotinseos muodosti erittäin konformaalisen kalvon.
Esimerkki 6
Esimerkki 6 oh analoginen esimerkin 3 kanssa, paitsi että käytettiin di-n-propyyliketonia 20 (DNPK) EiAK:n asemesta. Tämä liuotinseos muodosti konformaalisen kalvon.
Konformaalisuus ei kuitenkaan ollut yhtä hyvä kuin esimerkissä 3, 4 tai 5. Tämä viittaa siihen, että esimerkin 2 mukainen polymeeri liukenee melkein täydellisesti DNPK:hon, mikä tarkoittaa, että DNPK käyttäytyy melkein kuin hyvä liuotin, co δ c\j cd 25 Esimerkki 7 o o x Esimerkkien IA ja IB polymeerit sekoitettiin eri suhteissa, liuotin vaihdettiin MEK/EiAK- cc liuokseksi esimerkin 3 mukaisesti, ja rotaatiovalettiin piikiekolle. Saatiin virheettömiä, m
Pj homogeeneja ja erittäin konformaalisia kalvoja eri Rl-välillä (kuvio). Tämä esimerkki osoittaa, m 30 että systeemin Rl voidaan helposti optimoida erilaisten alla olevien optisten materiaalien o 00 mukaan heijastuksen minimoimiseksi kussakin tapauksessa.
Esimerkki 8 12
Esimerkin IA mukainen MTBE-liuos otettiin talteen Ja lisättiin EiAK:ta. MTBE poistettiin 5 liuottimen vaihdolla rotavaporissa. Saatiin kirkas läpinäkyvä geeli Jota ei voitu suodattaa 1 gm:n PTFE-suodattimen läpi. Tämä viittasi siihen, että EiAK oli siloksaanipolymeerin ei-liuotin. Mutta kun kaksi osaa MEK:ta lisättiin yhteen osaan EiAK-liuosta, jossa oli ~8 % siloksaanipolymeeria, liuos oli helppo suodattaa 0,2 μηι:η PTFE-suodattimen läpi. Tämä osoittaa, että liuotinkombinaatio 1:2=EiAK:MEK liuottaa siloksaanipolymeerin.
10
Esimerkki 9
Esimerkin IA mukainen MTBE-liuos otettiin talteen Ja lisättiin DIBK:ta. MTBE poistettiin liuottimen vaihdolla rotavaporissa. Saatiin kirkas läpinäkyvä geeli Jota ei voitu suodattaa 0,2 15 gm:n eikä 1 gm:n PTFE-suodattimen läpi. Tämä viittasi siihen, että DIBK oli siloksaanipolymeerin ei-liuotin. Mutta kun kaksi osaa MEK:ta lisättiin yhteen osaan DIBK-liuosta, jossa oli ~8 % siloksaanipolymeeria, liuos oli helppo suodattaa 0,2 μητη PTFE-suodattimen läpi. Tämä osoittaa, että liuotinkombinaatio 1:2=DIBK:MEK liuottaa siloksaanipolymeerin.
20
Vertailuesimerkki 1 co Vertailuesimerkki 1 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että käytettiin oj 25 metyyliamyyliketonia (MAK) EiAK:n asemesta. Tämä liuotinseos ei muodostanut hyvää i o konformaalista kalvoa. Kun osa liuoksesta poistettiin, ja MEK haihdutettiin rotavaporissa, i 5 jäljellä oleva MAK-polymeeriliuos voitiin edelleen suodattaa 0,2 μ:η suodattimen läpi, mikä
Er viittaa siihen, että MAK oli polymeerin hyvä liuotin eikä siten pystynyt muodostamaan erittäin Q_ ^ konformaalista päällystettä.
c\j 00 30 m δ c\j
Vertailuesimerkki 2 13
Vertailuesimerkki 2 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että käytettiin propyleeniglykoli-n-propyylieetteriä (PnP) EiAK:n asemesta. Tämä liuotinseos ei muodostanut hyvää 5 konformaalista kalvoa.
Kuvio 6A, joka on SEM-kuva urarakenteesta, jolle vertailuesimerkissä 2 valmistettu liuos on asetettu rotaatiopääällystämällä, osoittaa, että uran pohjaan on kerääntynyt suuri määrä materiaalia, mikä viittaa heikkoon konformaalisuuteen.
10
Kuvio 6B Joka on toinen SEM-kuva urarakenteesta, jolle vertailuesimerkissä 2 valmistettu liuos on asetettu rotaatiopääällystämällä, osoittaa myös, että uran pohjaan on kerääntynyt suuri määrä materiaalia, mikä viittaa heikkoon konformaalisuuteen. Myös säröjä havaitaan. Kun osa liuoksesta poistettiin, ja MEK haihdutettiin rotavaporissa, jäljellä oleva PnP-polymeeriliuos 15 voitiin edelleen suodattaa 0,2 μ:η suodattimen läpi, mikä viittaa siihen, että PnP oli polymeerin hyvä liuotin eikä siten pystynyt muodostamaan erittäin konformaalista päällystettä.
Vertailuesimerkki 3 20
Vertailuesimerkki 3 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että MEK:ta käytettiin ainoana liuottimena liuoksen laimentamiseksi kiintoainepitoisuuteen 3,3 %. Tämä liuotin ei muodostanut hyvää konformaalista kalvoa, co δ
, 25 Vertailuesimerkki 4A
CD
cp
O
Esimerkin IA mukainen MTBE-liuos otettiin talteen, ja lisättiin MAK:ta. MTBE poistettiin x £ liuottimen vaihdolla rotavaporissa. Saatiin kirkas läpinäkyvä liuos, jokavoitiin suodattaa 2 ^3 pm:n PTFE-suodattimen läpi. Tämä viittasi siihen, että MAK ei ollut ei-liuotin vaan hyvä co !£ 30 siloksaanipolymeerin liuotin. Se ei muodostanut hyvää konformaalista kalvoa.
δ c\j
Vertailuesimerkki 5 14
Vertailuesimerkki 5 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että käytettiin propyleeniglykolimetyylieetteriasetaattia (PGMEA) EiAK:n asemesta. Tämä liuotinseos ei 5 muodostanut hyvää konformaalista kalvoa. Kun osa liuoksesta poistettiin, ja MEK
haihdutettiin rotavaporissa, jäljellä oleva PGMEA-polymeeriliuos voitiin edelleen suodattaa 0,2 μ:η suodattimen läpi, mikä viittaa siihen, että PGMEA oli polymeerin hyvä liuotin, mikä selittää heikon konformaalisuuden. Lisäksi PGMEA-polymeeriliuos vanheni suhteellisen nopeasti, GPC:n perusteella, mikä viittaa stabiilisuusongelmiin.
10
Vertailuesimerkki 6
Vertailuesimerkki 6 oli analoginen esimerkin kanssa 3, paitsi että käytettiin isopropanolia (IPA) EiAK:n asemesta. Rotaatiopäällystetty kalvo oh täynnä juovia, minkä vuoksi puhdas 15 IPA on sopimaton rotaatiopäällystykseen. Sitä voitiin kuitenkin käyttää upotuspäällystykseen. Koska formulaatiossa ei käytetty ei-liuotinta, saadulla kalvolla ei ollut hyvää konformaalisuutta.
co δ c\j i
CO
o o
X
cc
CL
m c\j co m δ c\j
Claims (9)
1. Menetelmä korkean konformaalisuusasteen omaavien päällysteiden ja kalvojen valmistamiseksi, jonka menetelmän mukaan levitetään siloksaanipolymeerikoostumus 5 nestemäisenä faasina substraatille, ja nestemäinen faasi poistetaan siloksaanipolymeerin saattamiseksi mainitulle substraatille, tunnettu siitä, että koostumus käsittää siloksaanipolymeerin liuotinseoksessa, joka sisältää ainakin yhden alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen, jonka kiehumispiste on korkeintaan 145 °C, ja ainakin yhden korkeassa lämpötilassa kiehuvan ei-liuottimen, jonka kiehumispiste on ainakin 120 °C, jolloin korkeassa 10 lämpötilassa kiehuvan ja alhaisessa lämpötilassa kiehuvan liuottimen kiehumispisteiden ero on suurempi kuin 20 °C.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että siloksaanipolymeerikoostumus levitetään substraatille rotaatiopäällystämällä, upotuspäällystämällä, 15 rakopäällystämällä tai ruiskupäällystämällä.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että siloksaanipolymeerikoostumus koostuu tai koostuu oleellisesti liuotinseoksesta ja siloksaanipolymeeristä tai ainakin kahden muun siloksaanipolymeerin seoksesta. 20
4. Jonkin patenttivaatimuksen 1-3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että siloksaanipolymeerikoostumus käsittää ainakin yhden siloksaanipolymeerin, joka on valmistettu emäs- tai happokatalysoidulla hydrolyysillä ja alkyyli- tai co o alkoksisilaanimonomeerien tai näiden seosten kondensaatiolla, mahdollisesti yhdessä c\j cd 25 tarttuvuutta parantavan silaanin kanssa, o i o
5. Jonkin patenttivaatimuksen 1-4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatille cc levitetyn siloksaanipolymeerin taitekerroin säädetään ennalta määrättyyn arvoon valitsemalla LO Pj sopivalla tavalla seoksen siloksaanipolymeerien sekoitussuhteet. LO o CVJ 30
6. Jonkin patenttivaatimuksen 1-5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että siloksaanipolymeeri muodostuu monomeereistä valittuina joukosta metyylitrialkoksisilaani ja tetra-alkoksisilaani, erityisesti metyylitrialkoksisilaani valitaan joukosta metyylitrimetoksisilaani ja metyylitrietoksisilaani tai näiden seokset, ja tetra-alkoksisilaani 5 valitaan joukosta tetraetoksisilaani ja tetrametoksisilaani ja näiden seokset.
7. Jonkin patenttivaatimuksen 1-6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että siloksaanipolymeerikoostumus käsittää tarttuvuutta parantavan silaanin valittuna j oukosta trimetyylimetoksisilaani, trimetyylietoksisilaani, dimetyylidimetoksisilaani, 10 dimetyylidietoksisilaani, trifluoripropyylitrimetoksisilaam, trifluoripropyylitrietoksisilaani, glysidyylioksipropyylitrimetoksisilaani, glysidyylioksipropyylitrietoksisilaani, vinyylitrimetoksisilaani, vinyylitrietoksisilaani, metakryylioksipropyylitrimetoksisilaani, metakryylioksipropyylitrietoksisilaani, akryylioksipropyylitrimetoksisilaani, akryylioksipropyylitrietoksisilaani, fenyylitrimetoksisilaani, fenyylitrietoksisilaani, 15 fenyylimetyylidimetoksisilaani ja fenyylimetyylidietoksisilaani ja näiden seokset.
8. Jonkin patenttivaatimuksen 1-7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että alhaisessa lämpötilassa kiehuva liuotin on asetoni, metyylietyyliketoni, dietyyliketoni, isopropanoli, isobutanoli, propyleeniglykolimonometyylieetteri tai propyleeniglykolimonoetyylieetteri tai 20 näiden seos.
9. Jonkin patenttivaatimuksen 1-8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että korkeassa lämpötilassa kiehuva ei-liuotin on etyyli-isoamyyliketoni tai di-isobutyyliketoni, di-n-co o butyyliketoni, di-isopropyyliketoni, di-n-propyyliketoni tai dipentyyliketoni tai näiden seos. CNJ i CD O o X cc CL m c\j co m δ c\j
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20115325A FI123666B (fi) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | Menetelmä korkean konformaalisuusasteen omaavien pinnoitteiden valmistamiseksi |
| TW101111856A TWI545162B (zh) | 2011-04-05 | 2012-04-03 | 製造高度共形塗層的方法 |
| PCT/FI2012/050342 WO2012136892A1 (en) | 2011-04-05 | 2012-04-04 | Method of producing highly conformal coatings |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20115325A FI123666B (fi) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | Menetelmä korkean konformaalisuusasteen omaavien pinnoitteiden valmistamiseksi |
| FI20115325 | 2011-04-05 |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20115325A0 FI20115325A0 (fi) | 2011-04-05 |
| FI20115325A FI20115325A (fi) | 2012-10-06 |
| FI20115325L FI20115325L (fi) | 2012-10-06 |
| FI123666B true FI123666B (fi) | 2013-09-13 |
Family
ID=43919648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20115325A FI123666B (fi) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | Menetelmä korkean konformaalisuusasteen omaavien pinnoitteiden valmistamiseksi |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| FI (1) | FI123666B (fi) |
| TW (1) | TWI545162B (fi) |
| WO (1) | WO2012136892A1 (fi) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6263310B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2018-01-17 | リンテック株式会社 | 防汚性シートの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5152834A (en) * | 1990-09-14 | 1992-10-06 | Ncr Corporation | Spin-on glass composition |
| US7855043B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-12-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method |
| US20080185041A1 (en) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Guardian Industries Corp. | Method of making a photovoltaic device with antireflective coating containing porous silica and resulting product |
| TWI416262B (zh) * | 2009-03-13 | 2013-11-21 | Jsr Corp | A silicon film-forming composition, a silicon-containing film, and a pattern-forming method |
-
2011
- 2011-04-05 FI FI20115325A patent/FI123666B/fi active IP Right Grant
-
2012
- 2012-04-03 TW TW101111856A patent/TWI545162B/zh active
- 2012-04-04 WO PCT/FI2012/050342 patent/WO2012136892A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012136892A1 (en) | 2012-10-11 |
| FI20115325A (fi) | 2012-10-06 |
| FI20115325A0 (fi) | 2011-04-05 |
| FI20115325L (fi) | 2012-10-06 |
| TW201245353A (en) | 2012-11-16 |
| TWI545162B (zh) | 2016-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8182866B2 (en) | Method of producing a substrate which is coated with a mesoporous layer and use thereof in ophthalmic optics | |
| CN105694005B (zh) | 硅烷化聚亚芳基 | |
| KR101919305B1 (ko) | 저굴절율 막 형성용 조성물, 저굴절율 막의 형성 방법, 및 당해 형성 방법에 의해 형성된 저굴절율 막 및 반사 방지 막 | |
| US20190023942A1 (en) | Polysilsesquioxane resin composition for flexible substrate | |
| KR20140014210A (ko) | 반사 방지 코팅에서 사용하기 위한 폴리실란실록산 수지 | |
| TW201114838A (en) | Composition for forming pattern reversed film and method for forming reversed pattern | |
| US9051491B2 (en) | Carbosilane polymer compositions for anti-reflective coatings | |
| JPWO2019208141A1 (ja) | シリコーン粘着剤用剥離フィルム及びその製造方法 | |
| FI123666B (fi) | Menetelmä korkean konformaalisuusasteen omaavien pinnoitteiden valmistamiseksi | |
| JP2021532221A (ja) | 新規ポリシロキサン組成物およびそれらの使用 | |
| TW201923015A (zh) | 光吸收性組成物及濾光器 | |
| KR101492251B1 (ko) | 개질된 폴리실록산계 공중합체, 이 공중합체를 포함하는 코팅 조성물, 이를 이용하여 얻을 수 있는 코팅 플라스틱 기판과 이의 제조 방법, 및 상기 개질된 폴리실록산계 공중합체의 제조방법 | |
| WO2007130014A1 (en) | Organosilicon polymers | |
| JP6949413B2 (ja) | シリカ膜の製造方法 | |
| TW200813150A (en) | Flattened film-forming composition | |
| JP2013014680A (ja) | シロキサン系樹脂組成物およびその製造方法、それを硬化してなる硬化膜ならびにそれを有する光学物品および固体撮像素子 | |
| TWI736521B (zh) | 平坦化膜用或微透鏡用樹脂組成物 | |
| JP7311846B2 (ja) | 非感光性樹脂組成物 | |
| JPWO2011099505A1 (ja) | 屋外設置用デバイスおよび屋外設置用デバイス用反射防止層 | |
| JP6989188B1 (ja) | 樹脂組成物、硬化物、電子部品、２成分キット及び硬化物の製造方法 | |
| TWI653304B (zh) | 用於形成矽氧層的組成物、製造矽氧層的方法以及電子裝置 | |
| CN114127197A (zh) | 硬化性树脂组成物、由其形成的硬化膜及具有硬化膜的电子装置 | |
| JP6358416B2 (ja) | アルコキシシリル基を含有する固体撮像素子用高屈折率膜形成組成物 | |
| KR101334496B1 (ko) | 피막 형성용 도포액, 그 제조 방법, 그 피막 및 반사 방지재 | |
| KR20180097524A (ko) | 수지 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 123666 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |