FI122323B - Menetelmä kuituaihion valmistamiseksi - Google Patents
Menetelmä kuituaihion valmistamiseksi Download PDFInfo
- Publication number
- FI122323B FI122323B FI20065441A FI20065441A FI122323B FI 122323 B FI122323 B FI 122323B FI 20065441 A FI20065441 A FI 20065441A FI 20065441 A FI20065441 A FI 20065441A FI 122323 B FI122323 B FI 122323B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- fiber preform
- fiber
- core
- preform
- ald
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/01433—Reactant delivery systems for delivering and depositing additional reactants as liquids or solutions, e.g. for solution doping of the porous glass preform
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/01205—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments
- C03B37/01262—Depositing additional preform material as liquids or solutions, e.g. solution doping of preform tubes or rods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01838—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners for delivering and depositing additional reactants as liquids or solutions, e.g. for solution doping of the deposited glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/104—Coating to obtain optical fibres
- C03C25/106—Single coatings
- C03C25/1061—Inorganic coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45555—Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
Description
Menetelmä kuituaihion valmistamiseksi
Keksinnön tausta
Keksintö liittyy kuituaihion valmistamiseen atomikerroskasvatus-menetelmän avulla, ja erityisesti esillä oleva keksintö liittyy patenttivaatimuk-5 sen 1 johdannon mukaiseen menetelmään kuituaihion tai kuituaihion ytimen valmistamiseksi ALD-menetelmällä, jossa kasvatettava pinta altistetaan vuo-roittaisesti toistuville lähtöaineiden saturoiduille pintareaktioille ALD-menetel-män periaatteiden mukaisesti. Esillä oleva keksintö liittyy lisäksi keksinnön mukaisella menetelmällä valmistettuun kuituaihioon sekä optiseen kuituun, jo-10 ka on valmistettu kuituaihioista, joka on valmistettu esillä olevan keksinnön mukaisesti.
Tunnetun tekniikan mukaisesti kuituaihion, eli preformin, ytimen valmistaminen suoritetaan esimerkiksi MCVD-menetelmällä (Modified Chemical Vapour Deposition). MCVD-menetelmässä yritetään kasvattaa CVD-tekniikalla 15 (Chemical Vapour Deposition) putkimaisen preformin sisäpuolelle sen pituussuunnassa niin sanottu soot-kerros. Jotta kuiduista tulisi valmistuksessa tasalaatuista, on prosessiparametreja säädettävä erittäin tarkasti, mutta tarkkuudesta huolimatta kasvu tapahtuu erilailla preformin alku- ja loppupäässä. Edelleen kuituaihion ytimen kasvatuksen edetessä olosuhteet muuttuvat preformin 20 ytimen halkaisijan pienentyessä kasvaneesta soot-kerroksesta johtuen. Käytännössä tämä johtaa ominaisuuksien muuttumiseen myös preformin säteen suunnassa. Preformin ytimen valmistaminen tapahtuu kerroksittain, jotta muodostettavaa taitekerroinjakaumaa voidaan säädellä. Tämä puolestaan johtaa vaatimukseen tasaisesta lähtöaineiden jakautumisesta preformin ytimen pin-25 nalla yhdessä perusaineen kanssa, ja siten kasvaviin vaatimuksiin prosessin ^ hallinnassa. Tehty soot-kerros on huokoista materiaalia, joten se täytyy sintrata ^ kiinteäksi ennen seuraavan kerroksen valmistamista. Tällöin sintrauksessa 00 9 käytettävän liekin säätelyssä on huomioitava paitsi prosessin tarpeet niin myös o sintrauksen tarpeet. Kuituaihion ydin voidaan valmistaa myös hyödyntäen jota- ee 30 kin muuta kuituaihion valmistuksessa käytettyä menetelmää kuten OVD, VAD,
CL
tai muuta vastaavaa menetelmää.
5 Tämä kuituaihion ytimen valmistaminen MCVD-menetelmällä tai jol- § lakin muulla kuidunvalmistusmenetelmällä on erittäin tarkkaa ja vaativaa työtä o ^ ja siinä tarvittavat laitteistot on monimutkaisia, kuten edellä selitetystä voidaan 35 huomata. Tarkkuudesta huolimatta ei kuituaihion ydintä saada valmistettua ideaalisella tarkkuudella ja halutulla tuotantonopeudella, vaan prosessi on hi- 2 das ja lopputuote sisältää aina kompromisseja. Lisäksi ytimen kasvatus- ja sintrausvaiheiden välissä soot-kerros pyrkii ottamaan itseensä epäpuhtauksia, jotka heikentävät valmiin tuotteen ominaisuuksia.
Perinteisen ALD-tekniikan avulla ei kuituaihion tai sen ytimen val-5 mistaminen ole ollut taloudellisesti mahdollista tai järkevää, koska perinteisen tekniikan avulla on voitu kasvattaa vain yksi atomikerros kerrallaan kuituaihion ytimen pinnalle. Riittävien kasvatuskerrosten paksuuden saavuttaminen on tällä tunnetulla menetelmällä ollut aivan liian hidasta kaupallisen tuotannon tarkoituksiin.
10 Keksinnön lyhyt selostus
Keksinnön tavoitteena on siten kehittää menetelmä siten, että yllä mainitut ongelmat saadaan ratkaistua. Keksinnön tavoite saavutetaan patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosan mukaisella menetelmällä, jolle on tunnusomaista se, että menetelmä käsittää seuraavat vaiheet: 15 a) tuodaan ALD-reaktoriin katalyyttia katalysoivan pinnan muodos tamiseksi kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle; b) tuodaan kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle yhtä tai useampaa lähtöainetta, jolloin katalyytti aikaansaa kahden tai useamman atomi- tai molekyylikerroksen muodostumisen kuituaihion tai kuituaihion 20 ytimen kasvatettavalle pinnalle..
Keksinnön edulliset suoritusmuodot ovat epäitsenäisten patenttivaatimusten kohteena.
Keksintö perustuu siihen, että kuituaihion valmistamiseen, ja erityisesti kuituaihion ytimen valmistamiseen käytetään digitaalisen tarkkaa ALD-25 menetelmää (Atomic Layer Deposition). ALD-menetelmää ja sen sovelluksia ^ liittyen kuituaihion ja muiden materiaalien seostamiseen on selitetty lisää esi- ™ merkiksi hakijan suomalaisessa patenttihakemuksessa nro. 20045490. Kek- 00 9 sinnön mukaisesti kuituaihion kasvatettavalle pinnalle tuodaan ALD- o menetelmällä kuituaihio perusainetta ja/tai seostusainetta. Keksinnön mukai- | 30 sesti ALD-menetelmässä kuituaihion valmistamiseksi hyödynnetään niin sanot- tua katalyyttistä ALD-kasvatusta siten, että ALD-reaktoriin asetetun putkimai- 3 sen kuituaihion kasvatettava pinta altistetaan ensin katalyytille, joka reagoi kui- § tuaihion pinnan kanssa muodostaen katalyyttisen pinnan. Tämän jälkeen kui- o ^ tuaihion kasvatettava pinta altistetaan perusaineelle kasvatuskerrosten muo- 35 dostamiseksi kuituaihion kasvatettavalle pinnalle. Katalyytin ansiosta kuituaihion kasvatettavalle pinnalle ei muodostukaan vain yhtä atomi- tai molekyyliker- 3 rasta, vaan katalyytti mahdollistaa perusaineen ja/tai seostusaineen pintareaktion jatkumisen siten, että yhden syklin, joka käsittää kasvatettavan pinnan altistamisen kerran katalyytille ja kerran perusaineelle ja/tai seostusaineelle, aikana kuituaihion kasvatettavalle pinnalle muodostuu kaksi tai useampia atomi-5 tai molekyylikerroksia, jotka yhdessä muodostavat yhden syklin aikaansaaman kasvatuskerroksen. Katalysoidut reaktiot ovat lämpötila- ja annosriippuvaisia siten, että atomi- tai molekyylikerrosten lukumäärää ja siten syntyvän kasvatuskerroksen paksuutta on mahdollista säätää prosessin lämpötilojen sekä kuituaihion kasvatettavalle pinnalle tuodun katalyytin ja/tai perusaineen ja/tai 10 seostusaineen annosten suuruuden avulla.
Perusaineen ja/tai seostusaineen katalyytillä katalysoidut reaktiot mahdollistavat suurtenkin kasvatuskerrosten muodostamisen kuituaihion kasvatettavalle pinnalle kunkin ALD-syklin aikana. Suurella kasvatuskerroksella tarkoitetaan tässä yhteydessä kahden tai useamman atomi- tai molekyyliker-15 roksen muodostumista yhden ALD-syklin aikana, edullisesti kymmenen tai enemmän atomi- tai molekyylikerroksen muodostumista yhden syklin aikana tai jopa noin 30 - 100:n atomi- tai molekyylikerroksen muodostumista yhden ALD-syklin aikana. Keksinnön mukaisesti tällainen katalyyttinen ALD-kasvatus mahdollistaa erittäin nopean ALD-kasvatuksen, jolloin kuituaihion valmistami-20 nen tai muokkaaminen ALD-menetelmällä tulee mahdolliseksi kaupallista tuotantoa varten. Lisäksi samalla kun ALD:n käyttö mahdollistuu saadaan valmistettua entistä parempilaatuisia kuituaihioita, koska menetelmänä ALD tarjoaa digitaalisen tarkan kuituaihion valmistamisen, jossa seostusaineiden määriä ja suhteita voidaan säätää tarkasti. Edelleen ALD-menetelmässä käytettävä lait-25 teistot voidaan suunnitella merkittävästi yksinkertaisemmiksi kuin MCVD-me-netelmän monimutkaiset laitteistot. Tällöin myös MCVD-prosessissa vaaditta-o vaa sintrausvaihetta ei tarvita. Täten menetelmän avulla valmistettu kuituaihio
CM
^ sekä siitä edelleen valmistettu optinen kuitu ovat laadultaan, puhtaudeltaan ja ° tarkkuudeltaan tunnetuilla menetelmillä valmistettuja parempia, o = 30 Keksinnön yksityiskohtainen selostus
CL
Seuraavassa tarkastellaan esimerkkinä putkimaisen kuituaihion, eli ^ preformin, ytimen valmistusta keksinnön mukaisella menetelmällä. Esillä ole- o van keksinnön mukaisesti kuituaihion ja/tai kuituaihion ytimen valmistamiseen o hyödynnetään ALD-tekniikkaa. Kuituaihiolla tarkoitetaan tässä yhteydessä mitä 35 tahansa kuituaihiota, joka soveltuu optisen kuidun valmistamiseen. Lisäksi tässä yhteydessä kuituaihion valmistaminen voi käsittää itse kuituaihion valmista- 4 misen ja/tai kuituaihion ytimen valmistamisen. Toisin sanoen keksinnön mukaista menetelmää voidaan hyödyntää osassa kuituaihion tai sen ytimen valmistusprosessia.
Keksinnön mukaista menetelmää varten aikaansaadaan ALD-lait-5 teisto, erityisesti ALD-reaktori, johon asennetaan yksi tai useampi kuituaihio, eli preformi. ALD-reaktori on varustettu edullisesti reaktiokammiolla, jonka sisälle preformit asennetaan siten, että lähtöaineet voidaan tuoda putkimaisen pre-formin sisälle, eli preformin ytimeen. Käytännössä tämä on toteutettavissa asentamalla preformit reaktiokammion sisään-ja ulostuloyhteiden välillä, siten, 10 että sisääntuloyhteestä lähtöaineet virtaavat preformin ytimeen sen ensimmäisestä päästä ja poistuvat preformin toisesta päästä suoraan ulostuloyhtee-seen. Täten vain preformin ydin altistuu lähtöaineille. Haluttaessa asettaa ALD-reaktoriin kaksi tai useampia preformeja, on mahdollista muodostaa reak-tiokammioon sisään- ja ulostuloyhteen useampaa preformia varten. Tällöin 15 ALD-reaktorissa on mahdollista valmistaa ominaisuuksiltaan erilaisia kuituaihi-oita samanaikaisesti syöttämällä eri preformeihin erilaisia lähtöaineita ja/tai lähtöaineiden määriä tai suhteita.
Edullisesti ALD-reaktori voi kuitenkin olla aikaansaatu siten, että preformit on mahdollista asentaa reaktiokammioon peräkkäisesti virtausyhtey-20 teen toistensa kanssa. Tällöin ensimmäisen preformin sisälle syötetty lähtöaine kulkee kaikkien preformien läpi ennen poistumistaan reaktorista. Toisin sanoen preformit voidaan kiinnittää sopivilla reaktoriin aikaansaaduilla liitosvälineillä, jotka sallivat preformien ytimeen tuotujen lähtöaineiden virrata peräkkäisesti kaikkien preformien läpi. Tämä mahdollistaa tehokaan preformin valmistami-25 sen, kun samalla lähtöainesyklillä voidaan käsitellä useita preformeja samanaikaisesti. Edellä esitetyn preformien sarjaan kytkennän lisäksi preformit voidaan o asettaa ALD-reaktoriin myös rinnan, jolloin kuhunkin preformiin syötetään erikoi seen katalyyttia ja/tai perusainetta ja/tai seostusainetta samanaikaisesti tai eri- ^ aikaisesti. Preformit sijoitetaan normaalisti ALD-reaktorin reaktiokammioon, jo- ° 30 ka voi olla esimerkiksi alipainekammio. Vaihtoehtoisesti preformit voidaan | asentaa ALD-reaktoriin siten, että putkimaiset preformit itsessään muodostavat T- reaktiokammion seinämät, jonne lähtöaineet, kuten katalyytti, perusaine, ja se- J ostusaine syötetään, jolloin erillistä vakuumikammiota ei välttämättä tarvita, g vaan preformit voivat joissakin tapauksissa muodostaa tämän vakuumikammi-
C\J
35 on.
Preformit ovat lasimateriaalia, joka voi olla mitä tahansa tavan omaista lasia muodostavaa oksidia, kuten esimerkiksi S1O2, B2O3, Ge02 ja P4O10· 5
Edellä selitetysti ALD-reaktoriin asennettujen putkimaisten preformi-5 en ytimeen tuodaan keksinnön mukaisesti ensin katalyyttiä, joka muodostaa katalysoivan kerroksen ytimen pinnalle ytimen pinnan ja katalyytin pintareaktion seurauksena. Katalyyttinä voidaan käyttää trimetyylialumiinia (Μβ3ΑΙ), joka reagoi preformin ytimen pinnalla olevien OH-ryhmien kanssa muodostan alu-miini-happi -sidoksia ja metyylialumiinia käsittävän pinnan. Vaihtoehtoisesti ka-10 talyyttinä voidaan käyttää alumiinidimetyyliamidia (Αΐ2(ΝΜβ2)θ)· Edellä mainittujen alumiiniyhdisteiden lisäksi katalyyttinä voidaan käyttää jotakin muuta alumiinia, lantaania, zirkoniumia, hafniumia tai jotakin muuta metallia käsittävää yhdistettä, joka aikaansaa katalysoivan vaikutuksen usean atomikerroksen kasvattamiseksi kuituaihion ytimen pinnalle yhden syklin aikana. Tällöin kata-15 lyytti muodostaa kulloinkin ytimen pinnalle metalli-happi -sidoksen ja/tai metyy-limetallia käsittävän pinnan, jolla on katalyyttinen vaikutus, muodostaen siten katalyyttisen kerroksen preformin ytimen pinnalle.
Tämän jälkeen preformin ytimeen tuodaan yhtä tai useampaa seos-tusainetta ja/tai perusainetta, jolloin ensimmäinen katalyytti aikaansaa kahden 20 tai useamman atomi- tai molekyylikerroksen muodostumisen kuituaihion ytimen pinnalle. Toisin sanoen katalyytti mahdollistaa kahden tai useamman atomikerroksen muodostumisen ytimen pinnalle katalysoiden perusaineen ja/tai seostusaineen pintareaktiota. Perusaineena voidaan tässä yhteydessä käyttää silanolia, kuten tris(tertbutoksi)silanolia ((B^O^SiOH), joka reagoi ka-25 talyyttisen pinnan kanssa. Käytettäessä edellä mainittua silaania yhdessä alumiinidimetyyliamidia, muodostuu siloksaanipolymeeriä, joka muodostaa sidekin siä alumiinikerroksen läpi. Tuotaessa preformin ytimeen edelleen mainittua si-
(M
^ laania, diffusoituu se aikaisemmin muodostuneiden kasvatuskerrosten läpi ° alumiini-happi -sidoksiin muodostaen edellä selitetyllä mekanismilla uuden
CO
0 30 kasvatuskerroksen edellisten alapuolelle. Tämä katalysoitu reaktio etenee kun- 1 nes mainittu silaani ei enää kykene diffusoitumaan alumiini-happi -sidoksiin edellisten kasvatuskerrosten läpi. Tämä reaktiomekanismi ja katalyyttinen vai-kutus on esitetty ja selitetty tarkemmin esimerkiksi julkaisussa "Rapid Vapor o Deposition of Highly Conformal Silica Nanolaminates", Science, VOL 298, 11 ^ 35 OCTOBER 2002, sivut 402 - 406. Perusaineena voidaan käyttää myös jotakin 6 muuta silanolia tai jotakin muuta vastaavaa ainetta tai yhdistettä, joka mahdollistaa katalyyttisen ALD-prosessin.
Preformin ytimeen voidaan tuoda lisäksi seostusainetta, joka voi olla lisätty perusaineeseen tai se voidaan tuoda sinne erikseen samanaikaisesti tai 5 eriaikaisesti perusaineen kanssa. Seostusaineena voidaan käyttää mitä tahansa normaaliin kuituaihion seostamiseen käytettyä ainetta. Täten nämä seos-tusaineet voivat käsittää yhden tai useamman aineen tai yhdisteen, ja seostus-aine voi olla alkuaine- tai yhdistemuodossa. Esimerkiksi seostusaine voi käsittää harvinaisen maametallin, kuten erbiumin, ytterbiumin, neodyymin tai ce-10 riumin, booriryhmän aineen, kuten boorin tai alumiinin, hiiliryhmän aineen, kuten germaniumin, tinan ja piin, typpiryhmän aineen, kuten fosforin, fluoriryhmän aineen, kuten fluorin, tai hopean tai minkä tahansa muun seostamiseen sopivan aineen tai yhdisteen. Keksinnön mukaisessa menetelmässä seostusaine voi olla seostettavan materiaalin lisäaine, apuaine, täyteaine, väriaine tai jokin 15 muu lisäaine. Erityisesti seostusaine voi olla lämmön-, valon- tai sähkönjohtavuuden apuaine, lujite, pehmite, pigmentti tai sintrauslisäaine. Seostusaine voidaan tuoda kuituaihion ytimeen myös suorittamalla tavallinen ALD-sykli ilman katalyytin apua. Tällöin kuituaihion ytimen kasvattamiseksi voidaan kuituaihion ytimeen tuoda katalyyttiä ja perusainetta hyödyntäen katalyyttisiä ALD-syklejä 20 ja seostusaine puolestaan tuodaan erillisissä ALD-sykleissä, jotka suoritetaan katalyyttisten syklien välissä.
Edellä esitetyn mukaisesti yhden ALD-syklin, jossa preformin ytimeen tuodaan ensin annos katalyyttia ja sen jälkeen perusainetta ja/tai seostusainetta, aikana saadaan katalyytin vaikutuksesta muodostettua useiden ato-25 mikerrosten paksuinen kasvatuskerros. Tämä mahdollistaa nopean preformin ytimen valmistamisen sekä samalla äärimmäisen korkealaatuisten preformien o ja siten optisen kuidun aikaansaamisen, koska voidaan hyödyntää digitaalisen
CM
^ tarkkaa ALD-menetelmää materiaalin kasvun tapahtuessa kolmedimensionaa- ° lisesti.
CO
° 30 Menetelmässä preformin ytimeen tuodun katalyytin ja perusaineen | ja/tai seostusaineen reaktiota voidaan säätää lämmittämällä preformi ALD- reaktoriin asentamisen jälkeen lämmitysvälineillä ensimmäiseen ennalta mää-^ rättyyn lämpötilaan ja/tai lämmittämällä preformi toiseen ennalta määrättyyn o lämpötilaan katalyytin syöttämisen jälkeen ennen perusaineen ja/tai seostusai- ^ 35 neen syöttämistä. Täten kuituaihion lämpötilaa säädetään ennalta määrätyn lukumäärän kasvatuskerroksia aikaansaamiseksi kuituaihion ytimen pinnalle 7 ja/tai ennalta määrätyn kasvatuskerroksien paksuuden aikaansaamiseksi kui-tuaihion ytimen pinnalle. Tämä on mahdollista koska katalyytin ja esimerkiksi silaanin reaktiot ovat lämpötilariippuvaisia. Täten käytettäessä silaania ja trime-tyylialumiinia lämpötila on edullisesti välillä 200 - 300 °C. Tämä lämpötila on 5 tunnettujen preformin valmistus-ja muokkausmenetelmien lämpötiloihin verrattuna alhainen. Täten lasimateriaali ei keksinnön mukaisessa menetelmässä pehmene, mikä mahdollistaa putkimaisen preformin edellä kuvatun käytön re-aktiokammiona.
Tarvittaessa ALD-sykli, joka käsittää katalyytin sekä perusaineen 10 ja/tai seostusaineen tuomisen, voidaan toistaa haluttu määrä kertoja halutun tai ennalta määrätyn kasvatuskerroksen tai halutun seostusrakenteen aikaansaamiseksi kuituaihion ytimeen. Peräkkäisissä sykleissä voidaan käyttää samaa katalyyttia, seostusainetta ja perusainetta, tai vaihtoehtoisesti katalyyttia ja/tai seostusainetta ja/tai perusainetta voidaan vaihtaa syklien välillä, jotta kui-15 tuaihiolle aikaansaadaan halutut ominaisuudet. Lisäksi katalyytin, perusaineen ja/tai seostusaineen keskinäistä suhdetta tai määrää voidaan vaihdella eri syklien välillä. Lisäksi kussakin syklissä on myös mahdollista tuoda kuituaihion ytimeen yhtä tai useampaa seostusainetta samanaikaisesti, vastaavasti voidaan myös yhdessä syklissä käyttää myös kahta tai useampaa perusainetta 20 ja/tai katalyyttia.
On huomattava, että vaikka edellä on esimerkkinä esitetty putkimaisen preformin ytimen valmistaminen hyödyntäen esillä olevan keksinnön mukaista menetelmää, voidaan tätä menetelmää käyttää myös preformin ulkopin-noituksen, claddingin, valmistamiseen tai muokkaamiseen altistamalla tämä 25 ulkopinta katalyyttiselle ALD-menetelmälle. Lisäksi on edelleen huomattava, että kuituaihion ydin voidaan kasvattaa tai muodostaa myös sisältä ulospäin, o sen sijaan että se tehtäisiin edellä esitetysti ulkoa sisälle päin. Tällöin kuituai-
CVJ
^ hion ydintä kasvatetaan esimerkiksi langan tai tangon ympärille.
° Edellisen mukaisesti saadaan valmistettua kuituaihio, joka on omi- ° 30 naisuuksiltaan tunnetun tekniikan mukaista korkealaatuisempi tarkan ja hyvin £ hallittavan valmistusmenetelmän takia. Lisäksi kuituaihio voidaan valmistaa no- -r- peasti ja taloudellisesti, ja lisäksi sen ominaisuuksia voidaan säätää valmistuk- $ sen yhteydessä erittäin tarkasti. Näin aikaansaadusta kuituaihiosta voidaan
CD
o edelleen valmistaa optista kuitua, joka on tunnetun tekniikan optista kuitua ^ 35 laadultaan parempaa, jolloin sen rakenne on tarkempi kuituaihion tarkemman valmistusmenetelmän seurauksena.
8
Esillä olevan keksinnön mukaista katalyyttistä ALD-menetelmää voidaan hyödyntää myös muissa sovelluskohteissa. Tällaisia sovelluskohteita ovat hermeettinen pinnoitus, eli kapselointi, heijastamattoman pinnoitteen aikaansaaminen (antireflective coating), aktiiviset optiset filtterit, joiden avulla 5 voidaan aikaansaada esim. kaistanpäästösuodattimia, polttokennojen ja aurinkopaneelien pinnoitus tai kapselointi, korujen pinnoittaminen tai passivointi sekä muiden metallien pinnoittaminen, kapselointi tai passivointi sekä MEMS-sovellutukset (Micro-Electro-Mechanical Systems). Näissä kaikissa sovelluksissa hyödynnetään edellä selitettyä katalyyttista ALD-menetelmää siten, että 10 käsiteltävä tuote asetetaan ALD-reaktoriin, jossa se käsitellään edellä esitetyn mukaisesti haluttujen ominaisuuksien saavuttamiseksi. Toisin sanoen nämä muut sovellukset suoritetaan korvaamalla edellä selitetty kuituaihio tuotteella, jota halutaan käsitellä, tai jonka ominaisuuksia halutaan muokata. Tällainen ei ole aikaisemmin ollut ALD-menetelmällä mahdollista sen hitauden takia, mutta 15 nyt tämä katalyyttinen menetelmä mahdollistaa nopean kasvatuskerrosten muodostamisen kasvatusnopeuden ollessa jopa 100-kertainen tai suurempi perinteiseen ALD-menetelmään verrattuna.
Alan ammattilaiselle on ilmeistä, että tekniikan kehittyessä keksinnön perusajatus voidaan toteuttaa monin eri tavoin. Keksintö ja sen suoritus-20 muodot eivät siten rajoitu yllä kuvattuihin esimerkkeihin vaan ne voivat vaihdella patenttivaatimusten puitteissa.
δ
CVJ
00 o 00 o
X
cc
CL
LO
CO
o o
CM
Claims (18)
1. Menetelmä kuituaihion tai kuituaihion ytimen valmistamiseksi ALD-menetelmällä, jossa kasvatettava pinta altistetaan vuoroittaisesti toistuville lähtöaineiden saturoiduille pintareaktioille ALD-menetelmän periaatteiden 5 mukaisesti, tunnettu siitä, että menetelmä käsittää seuraavat vaiheet: a) tuodaan ALD-reaktoriin katalyyttia katalysoivan pinnan muodostamiseksi kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle; b) tuodaan kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle yhtä tai useampaa lähtöainetta, jolloin katalyytti aikaansaa kahden tai useam- 10 man atomi- tai molekyylikerroksen muodostumisen kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toistetaan vaiheet a) ja b), jotka muodostavat yhden syklin, tarvittaessa uudelleen yhden tai useamman kerran.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaiheessa b) kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle tuodaan yhtä lähtöainetta.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toistettaessa vaiheet a) ja b) tuodaan seuraavassa syklissä kuituaihion tai 20 kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle eri katalyyttia ja/tai eri lähtöainetta kuin edellisessä syklissä.
5. Patenttivaatimuksen 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toistettaessa vaiheet a) ja b) tuodaan seuraavassa syklissä kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle samaa katalyyttia ja/tai eri lähtöai- 25 netta kuin edellisessä syklissä.
6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-5 mukainen menetelmä, δ tunnettu siitä, että katalyyttinä käytetään trimetyylialumiinia. oö
7. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-5 mukainen menetelmä, o ^ tunnettu siitä, että katalyyttinä käytetään jotakin alumiinia, lantaania, zir- ° 30 koniumia, hafniumia tai jotakin muuta metallia käsittävää yhdistettä, joka ai- £ kaansaa katalysoivan vaikutuksen usean atomi- tai molekyylikerroksen kasvatti tamiseksi kuituaihion ytimen pinnalle yhden syklin aikana.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, CD § että lähtöaine käsittää erbiumia, ytterbiumia, neodyymia, ceriumia, booria tai C\l 35 alumiinina, germaniumia, tinaa, fosforia, fluoria, tai hopeaa tai mitä tahansa muuta kuituaihion valmistamiseen sopivaa ainetta.
9. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että lähtöaine on kuituaihion perusaine, joka käsittää si-lanolia, lasia tai lasimateriaali muodostavaa oksidia.
10. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 9 mukainen menetel-5 mä, tunnettu siitä, että kuituaihio lämmitetään ensimmäiseen ennalta määrättyyn lämpötilaan ennen vaihetta a), ja/tai toiseen ennalta määrättyyn lämpötilaan vaiheen a) jälkeen ennen vaihetta b).
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kuituaihion lämpötilaa säädetään ennalta määrätyn lukumäärän atomi- 10 tai molekyylikerroksia aikaansaamiseksi kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle ja/tai ennalta määrätyn kasvatuskerroksen paksuuden aikaansaamiseksi kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle.
12. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että säädetään ALD-reaktoriin yhdessä syklissä syötet- 15 tävän katalyytin ja/tai lähtöaineen määrää ennalta määrätyn lukumäärän atomi-tai molekyylikerroksia aikaansaamiseksi kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle ja/tai ennalta määrätyn kasvatuskerroksen paksuuden aikaansaamiseksi kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettavalle pinnalle.
13. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-12 mukainen menetel- 20 mä, tunnettu siitä, että menetelmässä valmistetaan samanaikaisesti kaksi tai useampia kuituaihioita tai kuituaihion ytimiä järjestämällä kaksi tai useampi kuituaihioita peräkkäisesti virtausyhteyteen toistensa kanssa siten, että ensimmäisen putkimaisen kuituaihion ytimen sisälle tuotu katalyytti ja lähtöaine virtaa kaikkien kuituaihioiden ytimen läpi.
14. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-12 mukainen menetel mä, tunnettu siitä, että menetelmässä valmistetaan samanaikaisesti kaksi o tai useampia kuituaihioita tai kuituaihion ytimiä järjestämällä kaksi tai useampia CVJ ^ kuituaihioita rinnakkaisesti siten, että kunkin niistä ytimeen on samanaikaisesti ° tai eriaikaisesti tuotavissa katalyyttia ja lähtöainetta. ° 30
15. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-14 mukainen menetel- | mä, tunnettu siitä, että putkimaiset kuituaihiot on asetettavissa ALD- -H- reaktoriin siten, että putkimaiset kuituaihiot itsessään muodostavat reaktio- J kammion seinämät.
16. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-14 mukainen menetel- ^ 35 mä, tunnettu siitä, että muutetaan kuituaihion tai kuituaihion ytimen omi- naisuuksia altistamalla kuituaihion tai kuituaihion ytimen kasvatettava pinta seostusaineelle hyödyntäen tavallista ALD-tekniikkaa ilman katalyytin käyttöä.
17. Kuituaihio optisen kuidun valmistamista varten, tunnettu siitä, että kuituaihio on valmistettu patenttivaatimusten 1-16 mukaisella mene- 5 telmällä.
18. Optinen kuitu, joka on valmistettu kuituaihiosta, tunnettu siitä, että kuituaihio on valmistettu patenttivaatimusten 1-16 mukaisella menetelmällä δ (M oo o oo o X en CL Sj- Sj- in CD o o (M
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20065441A FI122323B (fi) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | Menetelmä kuituaihion valmistamiseksi |
| PCT/FI2007/050373 WO2007147946A1 (en) | 2006-06-22 | 2007-06-19 | Method for manufacturing fibre preform |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20065441 | 2006-06-22 | ||
| FI20065441A FI122323B (fi) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | Menetelmä kuituaihion valmistamiseksi |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20065441A0 FI20065441A0 (fi) | 2006-06-22 |
| FI20065441A FI20065441A (fi) | 2007-12-23 |
| FI122323B true FI122323B (fi) | 2011-11-30 |
Family
ID=36651536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20065441A FI122323B (fi) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | Menetelmä kuituaihion valmistamiseksi |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| FI (1) | FI122323B (fi) |
| WO (1) | WO2007147946A1 (fi) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2138471A1 (en) | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Acreo AB | Atomic layer deposition of hydrogen barrier coatings on optical fibers |
| US10801108B2 (en) | 2017-08-28 | 2020-10-13 | Raytheon Technologies Corporation | Method for fabricating ceramic matrix composite components |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100360710C (zh) * | 2002-03-28 | 2008-01-09 | 哈佛学院院长等 | 二氧化硅纳米层压材料的气相沉积 |
| FI119058B (fi) * | 2004-08-02 | 2008-07-15 | Beneq Oy | Menetelmä lasimateriaalin valmistamiseksi |
-
2006
- 2006-06-22 FI FI20065441A patent/FI122323B/fi active IP Right Grant
-
2007
- 2007-06-19 WO PCT/FI2007/050373 patent/WO2007147946A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2007147946A8 (en) | 2008-02-28 |
| WO2007147946A1 (en) | 2007-12-27 |
| FI20065441A0 (fi) | 2006-06-22 |
| FI20065441A (fi) | 2007-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100342189B1 (ko) | 휘발성복합체를사용한희토류원소첨가광섬유제조방법 | |
| US7921675B2 (en) | Methods for making optical fiber preforms and microstructured optical fibers | |
| JP5997290B2 (ja) | 複雑な屈折率プロファイルの光ファイバを１つの焼結工程で製造するための圧縮多層シリカスートプリフォーム | |
| DK3001834T3 (en) | PROCEDURE FOR MANUFACTURING SURFACE DOTED OPTICAL FIBER | |
| CN103687825A (zh) | 用于制备具有低折射率凹槽的光纤预制件的方法 | |
| CN105541104B (zh) | 高功率掺Yb石英光纤及光纤预制棒的制备方法 | |
| JP5697065B2 (ja) | ガラス母材の製造方法 | |
| CN102730961A (zh) | 一种制造大尺寸弯曲不敏感光纤预制棒的装置及方法 | |
| US20190072714A1 (en) | Layered glass structures | |
| RU2235071C2 (ru) | Способ изготовления заготовки оптического волокна | |
| CN108017271A (zh) | Ovd带状喷灯装置和ovd制棒系统及其使用方法 | |
| FI122323B (fi) | Menetelmä kuituaihion valmistamiseksi | |
| CN114994830A (zh) | 一种低损耗抗弯曲单模光纤及其制造方法 | |
| CN1972880B (zh) | 掺杂材料的方法和掺杂的材料 | |
| CN109399910B (zh) | 大芯径光纤预制棒和光纤的制备方法 | |
| US7003984B2 (en) | Hybrid manufacturing process for optical fibers | |
| WO2017034904A1 (en) | Layered glass structures | |
| CN104955778A (zh) | 制造用于具有低水峰的光学纤维的预制体的方法 | |
| US20070137256A1 (en) | Methods for optical fiber manufacture | |
| US20210214266A1 (en) | Organic germania and silica sources for making optical fiber preforms | |
| US9643879B2 (en) | Method for manufacturing a precursor for a primary preform for optical fibres by a plasma deposition process | |
| CN114265144A (zh) | 一种短波长用低损耗保偏光纤及其应用和制备方法 | |
| FI119058B (fi) | Menetelmä lasimateriaalin valmistamiseksi | |
| KR20060093671A (ko) | 다중 모드 광섬유 및 이의 제조방법 | |
| JPH02275724A (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 122323 Country of ref document: FI |