FI119785B - Kapacitiv sensor och förfarande för framställning av kapacitiv sensor - Google Patents

Kapacitiv sensor och förfarande för framställning av kapacitiv sensor Download PDF

Info

Publication number
FI119785B
FI119785B FI20041229A FI20041229A FI119785B FI 119785 B FI119785 B FI 119785B FI 20041229 A FI20041229 A FI 20041229A FI 20041229 A FI20041229 A FI 20041229A FI 119785 B FI119785 B FI 119785B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
sensor
electrode
fixed electrode
capacitive
sensor according
Prior art date
Application number
FI20041229A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20041229A (sv
FI20041229A0 (sv
Inventor
Jaakko Ruohio
Risto Mutikainen
Original Assignee
Vti Technologies Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vti Technologies Oy filed Critical Vti Technologies Oy
Priority to FI20041229A priority Critical patent/FI119785B/sv
Publication of FI20041229A0 publication Critical patent/FI20041229A0/sv
Priority to CNA2005800322663A priority patent/CN101027542A/zh
Priority to JP2007532914A priority patent/JP2008513800A/ja
Priority to EP05787808A priority patent/EP1809997A4/en
Priority to PCT/FI2005/050318 priority patent/WO2006032729A1/en
Priority to US11/232,922 priority patent/US7555950B2/en
Publication of FI20041229A publication Critical patent/FI20041229A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI119785B publication Critical patent/FI119785B/sv

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/12—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in capacitance, i.e. electric circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
    • G01P3/42—Devices characterised by the use of electric or magnetic means
    • G01P3/44—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed
    • G01P3/48—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage
    • G01P3/481—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage of pulse signals
    • G01P3/483—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage of pulse signals delivered by variable capacitance detectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Claims (46)

1. En kapacitiv sensor, som omfattar en rörlig elektrod (2), (12), (21), (29) och en fast elektrod, kännetecknad 5 av, att den kapacitiva sensorn är anpassad att mätä kapacitans och av att den fasta elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27-28) har trappstegsform, är framställd stegvis med hjälp av tunnfilmsteknik pä en väsentligen plan yta och är formgiven sä, att elektroderna berör varandra vid 10 ett flertal skilda punkter väsentligen over hela sin yta, da den rörliga elektroden (2), (12), (21), (29) befinner sig i ett yttersta läge.
2. Sensor enligt patentkrav 1, kännetecknad av, att den 15 fasta elektroden (3), (4), (12) är väsentligen konkav till formen.
3. Sensor enligt patentkrav 1, kännetecknad av, att den fasta elektroden (17-20), (27-28) är väsentligen konvex 20 till formen.
4. Sensor enligt patentkrav 1, kännetecknad av, att den fasta elektroden (17-20), (27-28) väsentligen har formen av ett snedställt plan. 25
5. Sensor enligt patentkrav 4, kännetecknad av, att den fasta elektroden (17-20), (27-28) har formen av ett snedställt plan som väsentligen sammanfaller med rotationsplanet vid dess yttersta läge. 30
6. Sensor enligt nägot av de föregäende patentkraven 1- 5, kännetecknad av, att den fasta elektrodens (3), (4), (12), (17-20), (27-28) form är optimerad sä, att man ästadkommer ett sä litet linearitetsfel som möjligt. 35
7. Sensor enligt patentkrav 6, kännetecknad av, att den fasta elektrodens (3), (4), (12), (17-20), (27-28) form är en trappstegsapproximation av ekvationen för en idealform.
8. Sensor enligt nägot av de föregäende patentkraven 1- 7, kännetecknad av, att den fasta elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27-28) är framställd av metall, skikt för skikt.
9. Sensor enligt patentkrav 8, kännetecknad av, att metallskikten i den fasta elektroden (3), (4), (12), (17- 20), (27-28) är av olika tjocklek.
10. Sensor enligt patentkrav 8 eller 9, kännetecknad av, 15 att metallskikten i den fasta elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27-28) bestär av sinsemellan olika metaller eller metallegeringar.
11. Sensor enligt nägot av de föregäende patentkraven 1- 20 10, kännetecknad av, att den fasta elektroden (3), (4), (17-20), (27-28) i planprojektion väsentligen har formen av en fyrhörning.
12. Sensor enligt nägot av de föregäende patentkraven 1- 25 10, kännetecknad av, att den fasta elektroden (3), (4), (12), i planprojektion är väsentligen cirkelformig.
13. Sensor enligt patentkrav 11, kännetecknad av, att den fasta elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27-28) är 30 väsentligen cylindriskt konkav eller konvex.
14. Sensor enligt patentkrav 11 eller 12, kännetecknad av, att den fasta elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27- 28. väsentligen är sfäriskt konkav eller konvex. 35
15. Sensor enligt patentkrav 11 eller 12, kännetecknad av, att den fasta elektroden (12) har ett hai mitt i metallskiktet.
16. Sensor enligt nägot av de föregäende patentkraven 1- 14, kännetecknad av, att den fasta elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27-28) till sin konstruktion är icke- singulärt monolitisk.
17. Sensor enligt patentkrav 16, kännetecknad av, att stödkonstruktioner är fogade till den fasta elektroden (12) .
18. Sensor enligt nägot av de föregäende patentkraven 1- 15 17, kännetecknad av, att den rörliga elektroden (21) är uppburen av en torsionsfjäder (22).
19. Sensor enligt nägot av de föregäende patentkraven 1-17, kännetecknad av, att den rörliga elektroden (29) är 20 uppburen av en böjningsfjäder (32).
20. Sensor enligt nägot av de föregäende patentkraven 1-19, kännetecknad av, att sensorn är en kapacitiv trycksensor. 25
21. Sensor enligt nägot av de föregäende patentkraven 1-19, kännetecknad av, att sensorn är en kapacitiv accelerationssensor.
22. Sensor enligt nägot av de föregäende patentkraven Ι- ΙΟ, kännetecknad av, att sensorn är en kapacitiv vinkelhastighetssensor.
23. Ett förfarande för tillverkning av en kapacitiv 35 sensor ur ett kiselskivelement, kännetecknat av, att man anpassar den kapacitiva sensorn för mätning av kapacitans och att man pä en väsentligen plan yta steg för steg med hjälp av tunnfilmsteknik framställer en fast elektrod (3), (4), (12), (17-20), (27-28) i den kapacitiva sensorn 5 sälunda, att - man förängar ett metallskikt (5) pä den kapacitiva sensorns orörliga yta, - man gör ett monster i metallskiktet genom att avlägsna metallskiktet pä övriga omräden än det önskade mönstret 10 (6), och - man förängar (7), (9) och gör monster (8), (10) upprepat minst en gäng sä, att man ästadkommer en trappstegsformig elektrodkonstruktion. 15
24. Förfarande enligt patentkrav 23, kännetecknat av, att man framställer den fasta elektroden (3), (4), (12) sä, att man ästadkommer en tili formen väsentligen konkav elektrodkonstruktion. 20 25. Förfarande enligt patentkrav 23, kännetecknat av, att man framställer den fasta elektroden (17-20), (27-28) sä, att man ästadkommer en tili formen väsentligen konvex elektrodkonstruktion.
25
26. Förfarande enligt patentkrav 23, kännetecknat av, att man framställer den fasta elektroden (17-20), (27-28) sä, att man ästadkommer en elektrodkonstruktion som väsentligen har formen av ett snedställt pian. 30
27. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat av, att man framställer den fasta elektroden (17-20), (27-28) sä, att man ästadkommer en elektrodkonstruktion som har formen av ett snedställt pian som väsentligen sammanfaller med rotationsplanet vid dess yttersta läge.
28. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 35 23-27, kännetecknat av, att man förverkligar mönstret (6), (8), (10) genom etsning.
29. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 5 23-27, kännetecknat av, att man förverkligar mönstret (6), (8), (10) additivt med hjälp av lift-off-teknik.
30. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 23-29, kännetecknat av, att metallskikten i den fasta 10 elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27-28) är av olika tj ocklek.
31. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 23-30, kännetecknat av, att metallskikten i den fasta 15 elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27-28) bestär av sinsemellan olika metaller eller metallegeringar.
32. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 23-31, kännetecknat av, att man framställer den fasta 20 elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27-28) sä formad, att elektroderna berör varandra vid ett flertal skilda punkter väsentligen över hela sin yta, dä den kapacitiva sensorns rörliga elektrod (2), (12), (21), (29) befinner sig i ett yttersta läge. 25
33. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 23-32, kännetecknat av, att man optimerar den fasta elektrodens (3), (4), (12), (17-20), (27-28) form sä, att man ästadkommer ett sä litet linearitetsfel som möjligt. 30
34. Förfarande enligt patentkrav 33, kännetecknat av, att den fasta elektrodens (3), (4), (12), (17-20), (27-28) form är en trappstegsapproximation av en idealform.
35 35. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 23-34, kännetecknat av, att man framställer den fasta elektroden (3), (4), (17-20), (27-28) sä, att den i planprojektion väsentligen far formen av en fyrhörning.
36. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 5 23-34, kännetecknat av, att man framställer den fasta elektroden (3), (4), (12) sä, att den i planprojektion väsentligen blir cirkelformig.
37. Förfarande enligt patentkrav 35, kännetecknat av, att 10 man framställer den fasta elektroden (3), (4), (12), (17— 20), (27-28) sä, att den blir väsentligen cylindriskt konkav eller konvex.
38. Förfarande enligt patentkrav 35 eller 36, 15 kännetecknat av, att man framställer den fasta elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27-28) sä, att den blir väsentligen sfäriskt konkav eller konvex.
39. Förfarande enligt patentkrav 37 eller 38, 20 kännetecknat av, att man gör ett häl mitt i den fasta elektrodens (12) metallskikt.
40. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 23-39, kännetecknat av, att man framställer den fasta 25 elektroden (3), (4), (12), (17-20), (27-28) sä, att den till sin konstruktion blir icke-singulärt monolitisk.
41. Förfarande enligt patentkrav 40, kännetecknat av, att man fogar stödkonstruktioner tili den fasta elektroden 30 (12) .
42. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 23-41, kännetecknat av, att man uppbär den rörliga elektroden (21) med hjälp av en torsionsfjäder (22). 35
43. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 23-41, kännetecknat av, att man uppbär den rörliga elektroden (29) med hjälp av en böjningsfjäder (32).
44. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 5 23-43, kännetecknat av, att man av sensorn gör en kapacitiv trycksensor.
45. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 23-43, kännetecknat av, att man av sensorn gör en 10 kapacitiv accelerationssensor.
46. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 23-43, kännetecknat av, att man av sensorn gör en kapacitiv vinkelhastighetssensor. 15
FI20041229A 2004-09-23 2004-09-23 Kapacitiv sensor och förfarande för framställning av kapacitiv sensor FI119785B (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20041229A FI119785B (sv) 2004-09-23 2004-09-23 Kapacitiv sensor och förfarande för framställning av kapacitiv sensor
CNA2005800322663A CN101027542A (zh) 2004-09-23 2005-09-15 电容性传感器和用于制造电容性传感器的方法
JP2007532914A JP2008513800A (ja) 2004-09-23 2005-09-15 容量性センサーおよび該容量性センサーを製造する方法
EP05787808A EP1809997A4 (en) 2004-09-23 2005-09-15 CAPACITIVE SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING THE CAPACITIVE SENSOR
PCT/FI2005/050318 WO2006032729A1 (en) 2004-09-23 2005-09-15 A capacitive sensor and a method for manufacturing the capacitive sensor
US11/232,922 US7555950B2 (en) 2004-09-23 2005-09-23 Capacitive sensor and a method for manufacturing the capacitive sensor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20041229 2004-09-23
FI20041229A FI119785B (sv) 2004-09-23 2004-09-23 Kapacitiv sensor och förfarande för framställning av kapacitiv sensor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20041229A0 FI20041229A0 (sv) 2004-09-23
FI20041229A FI20041229A (sv) 2006-03-24
FI119785B true FI119785B (sv) 2009-03-13

Family

ID=33041562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20041229A FI119785B (sv) 2004-09-23 2004-09-23 Kapacitiv sensor och förfarande för framställning av kapacitiv sensor

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7555950B2 (sv)
EP (1) EP1809997A4 (sv)
JP (1) JP2008513800A (sv)
CN (1) CN101027542A (sv)
FI (1) FI119785B (sv)
WO (1) WO2006032729A1 (sv)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7728427B2 (en) * 2007-12-07 2010-06-01 Lctank Llc Assembling stacked substrates that can form cylindrical inductors and adjustable transformers
US20090149038A1 (en) * 2007-12-07 2009-06-11 Metamems Llc Forming edge metallic contacts and using coulomb forces to improve ohmic contact
US8008070B2 (en) * 2007-12-07 2011-08-30 METAMEMS Corp. Using coulomb forces to study charateristics of fluids and biological samples
US8159809B2 (en) * 2007-12-07 2012-04-17 METAMEMS Corp. Reconfigurable system that exchanges substrates using coulomb forces to optimize a parameter
US7812336B2 (en) * 2007-12-07 2010-10-12 METAMEMS Corp. Levitating substrate being charged by a non-volatile device and powered by a charged capacitor or bonding wire
US7965489B2 (en) * 2007-12-07 2011-06-21 METAMEMS Corp. Using coulomb forces to form 3-D reconfigurable antenna structures
US8531848B2 (en) * 2007-12-07 2013-09-10 METAMEMS Corp. Coulomb island and Faraday shield used to create adjustable Coulomb forces
US7863651B2 (en) * 2007-12-07 2011-01-04 METAMEMS Corp. Using multiple coulomb islands to reduce voltage stress
US8018009B2 (en) * 2007-12-07 2011-09-13 METAMEMS Corp. Forming large planar structures from substrates using edge Coulomb forces
US7946174B2 (en) * 2007-12-07 2011-05-24 METAMEMS Corp. Decelerometer formed by levitating a substrate into equilibrium
US20100317124A1 (en) * 2008-08-25 2010-12-16 Yong Hyup Kim Metal-containing nanomembranes for molecular sensing
DE102009001924A1 (de) * 2009-03-27 2010-09-30 Robert Bosch Gmbh Drucksensor
US8567495B2 (en) * 2010-10-20 2013-10-29 Chevron U.S.A. Inc. System and method for detecting pressure in a subterranean environment
KR101999720B1 (ko) * 2012-11-20 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 기판 정전기 검사 장치 및 기판 제조 방법
KR101489302B1 (ko) 2013-07-31 2015-02-04 전자부품연구원 압력센서
US9464951B2 (en) * 2013-10-16 2016-10-11 Sercel Inc. Method and apparatus for electrical gap setting for a piezoelectric pressure sensor
JP6330055B2 (ja) * 2014-11-11 2018-05-23 株式会社日立製作所 加速度センサ
US10101230B2 (en) * 2015-09-16 2018-10-16 Sensata Technologies, Inc. Reduction of non-linearity errors in automotive pressure sensors
GB2567017A (en) * 2017-09-29 2019-04-03 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd MEMS devices and processes

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1327719A (fr) * 1960-07-01 1963-05-24 Onera (Off Nat Aerospatiale) Perfectionnements aux capteurs manométriques à variation de capacité électrique
US4415948A (en) * 1981-10-13 1983-11-15 United Technologies Corporation Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer
US4422243A (en) * 1982-05-24 1983-12-27 Brunson Instrument Co. Dual axis capacitive inclination sensor
FR2614986B1 (fr) * 1987-05-07 1989-08-18 Otic Fischer & Porter Structure de cellule capacitive pour la mesure des pressions differentielles
US4998179A (en) * 1989-02-28 1991-03-05 United Technologies Corporation Capacitive semiconductive sensor with hinged diaphragm for planar movement
US5180986A (en) * 1989-05-22 1993-01-19 Schaevitz Sensing Systems, Inc. Two axis capacitive inclination sensor
US5044202A (en) * 1989-09-18 1991-09-03 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus
US5442962A (en) * 1993-08-20 1995-08-22 Setra Systems, Inc. Capacitive pressure sensor having a pedestal supported electrode
US5738731A (en) * 1993-11-19 1998-04-14 Mega Chips Corporation Photovoltaic device
US5381299A (en) * 1994-01-28 1995-01-10 United Technologies Corporation Capacitive pressure sensor having a substrate with a curved mesa
US5646349A (en) * 1994-02-18 1997-07-08 Plan B Enterprises, Inc. Floating mass accelerometer
JPH0850142A (ja) * 1994-08-04 1996-02-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体加速度センサ及びその製造方法
JP3114006B2 (ja) * 1994-08-29 2000-12-04 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体装置、及び、その製造方法
DE19547642A1 (de) * 1994-12-20 1996-06-27 Zexel Corp Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3114570B2 (ja) * 1995-05-26 2000-12-04 オムロン株式会社 静電容量型圧力センサ
JPH0943083A (ja) * 1995-08-02 1997-02-14 Omron Corp 静電容量型圧力センサ及びそれを用いた血圧計，圧力測定装置並びにガスメータ
JPH09145740A (ja) * 1995-09-22 1997-06-06 Denso Corp 加速度センサ
JPH09257617A (ja) * 1996-03-21 1997-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧力センサ及びこれを用いたガス異常監視装置
JPH10308645A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Toyo Commun Equip Co Ltd Ａｔカット水晶振動子及びその製造方法
US6556417B2 (en) * 1998-03-10 2003-04-29 Mcintosh Robert B. Method to construct variable-area capacitive transducers
US6661637B2 (en) * 1998-03-10 2003-12-09 Mcintosh Robert B. Apparatus and method to angularly position micro-optical elements
US6496348B2 (en) * 1998-03-10 2002-12-17 Mcintosh Robert B. Method to force-balance capacitive transducers
US6151967A (en) * 1998-03-10 2000-11-28 Horizon Technology Group Wide dynamic range capacitive transducer
US6658938B2 (en) * 1998-03-10 2003-12-09 Mcintosh Robert B. Electret transducer
JP3417855B2 (ja) * 1998-11-05 2003-06-16 株式会社日立製作所 赤外センサ
US6388299B1 (en) * 1998-12-10 2002-05-14 Honeywell Inc. Sensor assembly and method
US6267009B1 (en) * 1998-12-14 2001-07-31 Endress + Hauser Gmbh + Co. Capacitive pressure sensor cells or differential pressure sensor cells and methods for manufacturing the same
US6552840B2 (en) * 1999-12-03 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated Electrostatic efficiency of micromechanical devices
EP1322545A2 (en) * 2000-10-03 2003-07-02 Honeywell International Inc. Method of trimming micro-machined electromechanical sensors (mems) devices
AU2001297774A1 (en) * 2000-12-19 2002-10-28 Coventor, Incorporated Light transmissive substrate for an optical mems device
DE60232250D1 (de) * 2001-08-20 2009-06-18 Honeywell Int Inc Bogenförmige federelemente für mikro-elektromechanischen beschleunigungssensor
DE10235046A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Kapazitiver Drucksensor
US6825968B2 (en) * 2002-10-11 2004-11-30 Exajoule, Llc Micromirror systems with electrodes configured for sequential mirror attraction
US6798560B2 (en) * 2002-10-11 2004-09-28 Exajoula, Llc Micromirror systems with open support structures
FI119528B (sv) 2003-02-11 2008-12-15 Vti Technologies Oy Kapacitiv accelerationsgivarkonstruktion
US6906848B2 (en) * 2003-02-24 2005-06-14 Exajoule, Llc Micromirror systems with concealed multi-piece hinge structures
JP2005321257A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Alps Electric Co Ltd 静電容量型圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008513800A (ja) 2008-05-01
EP1809997A4 (en) 2010-06-02
FI20041229A (sv) 2006-03-24
FI20041229A0 (sv) 2004-09-23
US7555950B2 (en) 2009-07-07
WO2006032729A1 (en) 2006-03-30
EP1809997A1 (en) 2007-07-25
CN101027542A (zh) 2007-08-29
US20060213269A1 (en) 2006-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI119785B (sv) Kapacitiv sensor och förfarande för framställning av kapacitiv sensor
JP4787746B2 (ja) トランスデューサの製造方法
US7610809B2 (en) Differential capacitive sensor and method of making same
JP5145349B2 (ja) マイクロマシニング式のｚセンサ
US7368312B1 (en) MEMS sensor suite on a chip
JP3941694B2 (ja) 加速度センサ
KR100230891B1 (ko) 정전용량형 센서 및 그 제조방법
JP5553846B2 (ja) 加速度センサおよび加速度センサの作動方法
US7770449B2 (en) Resistive-type humidity sensing structure with microbridge and method therefor
US20150268268A1 (en) Inertial sensor with trim capacitance and method of trimming offset
US10807860B2 (en) Micromechanical component for a pressure sensor device
US20070237204A1 (en) Capacitive type temperature sensor
CN107515060A (zh) 一种电容式压力传感器、线性补偿方法及制备方法
US11976995B2 (en) Micromechanical component for a capacitive sensor or switch device
US20220144624A1 (en) Electrode layer partitioning
CN216133091U (zh) 微机械设备
KR20190010572A (ko) 압력 센서 장치용 마이크로기계 부품
CN101183085A (zh) 电阻式微桥湿度感测结构及其制造方法
KR100687467B1 (ko) 경사각 측정 센서 및 그 제조방법
Shavezipur et al. Development of parallel-plate-based MEMS tunable capacitors with linearized capacitance–voltage response and extended tuning range
JP2011220765A (ja) 慣性センサ及びその製造方法
KR100895037B1 (ko) 고감도 3축 가속도 센서
CN109883408B (zh) 一种基于互电容原理的mems液体陀螺仪
US20100233029A1 (en) Compensated membrane capacitive bio-chemical sensor
RU2484483C1 (ru) Способ изготовления наноэлектромеханического преобразователя и наноэлектромеханический преобразователь с автоэлектронной эмиссией

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 119785

Country of ref document: FI

PC Transfer of assignment of patent

Owner name: MURATA ELECTRONICS OY

MM Patent lapsed