FI108889B - Förfarande för mätning av temperatur på ett vidsträckt område med hjälp av en tunnelanslutning - Google Patents
Förfarande för mätning av temperatur på ett vidsträckt område med hjälp av en tunnelanslutning Download PDFInfo
- Publication number
- FI108889B FI108889B FI20000982A FI20000982A FI108889B FI 108889 B FI108889 B FI 108889B FI 20000982 A FI20000982 A FI 20000982A FI 20000982 A FI20000982 A FI 20000982A FI 108889 B FI108889 B FI 108889B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- tunnel
- temperature
- resistance
- constant
- calibrated
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/226—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor using microstructures, e.g. silicon spreading resistance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Claims (7)
1. Ett förfarande för mätning av temperaturen T över ett stort omräde med hjälp av tunnelkopplingen (10), där tunnelkopplingen (10) utgörs av tvä metalliska ledare (7, 8) ooh en tunn isole-ring (9) mellan dessa, med vilken den befintliga resistansen R kan mätäs, kännetecknad av att resistansen R mäts pä 15 spänning/strömkruvans linjära del, och temperaturen T bestäms med hjälp av formeln: !__L f_d\ R~ &/1+Ιτν '' där R0 är en i förväg kalibrerad konstant och T0 en material-konstant. I 20
2. Ett förfarande enligt patentkrav 1, kännetecknat av att isolermaterialet (9) är den ena av ledarnas oxid.
3. Ett förfarande enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknat av 25 att minst en ledare (7, 8) är framställd av ett material som hör till gruppen aluminium (Ai), krom (Cr), niobium (Nb) och koppar (Cu).
4. Ett förfarande enligt nägot av patentkraven 1-3, känne-30 tecknat av att mätningen utförs med användning av en kedja (4) av flera tunnelkopplingar (10), eller flera sädana kedjor (4.1 - 4.10) kopplade parallellt. 108889
5. Ett förfarande enligt patentkrav 4, kännetecknat av att den resistans R som skall mätäs är anordnad i omrädet 10 kQ - 1000 kQ.
6. Ett förfarande enligt nägot av patentkraven 1-5, kännetecknat av att mätningen utförs med en lägfrekvent växelspän-ning, vars amplitud ligger inom omrädet 0,1 - 10 mV, för varje tunnelkoppling i kedjan .
7. Ett förfarande enligt nägot av patentkraven 1-6, kännetecknat av att mätningen kalibreras genom att avkyla den tunnelkoppling som skall mätäs tili en mycket läg temperatur, varvid den kalibrerbara konstanten R0 direkt erhälls med god nogrannhet ur den uppmätta resistansen R. 15 1
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20000982A FI108889B (sv) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | Förfarande för mätning av temperatur på ett vidsträckt område med hjälp av en tunnelanslutning |
AU2001256394A AU2001256394A1 (en) | 2000-04-27 | 2001-04-25 | Method for measuring temperature in a wide range using a tunnel junction |
EP01929688A EP1295094A1 (en) | 2000-04-27 | 2001-04-25 | Method for measuring temperature in a wide range using a tunnel junction |
US10/258,629 US6784012B2 (en) | 2000-04-27 | 2001-04-25 | Method for measuring temperature in a wide range using a tunnel junction |
PCT/FI2001/000395 WO2001081881A1 (en) | 2000-04-27 | 2001-04-25 | Method for measuring temperature in a wide range using a tunnel junction |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20000982A FI108889B (sv) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | Förfarande för mätning av temperatur på ett vidsträckt område med hjälp av en tunnelanslutning |
FI20000982 | 2000-04-27 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI20000982A0 FI20000982A0 (sv) | 2000-04-27 |
FI20000982A FI20000982A (sv) | 2001-10-28 |
FI108889B true FI108889B (sv) | 2002-04-15 |
Family
ID=8558286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI20000982A FI108889B (sv) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | Förfarande för mätning av temperatur på ett vidsträckt område med hjälp av en tunnelanslutning |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6784012B2 (sv) |
EP (1) | EP1295094A1 (sv) |
AU (1) | AU2001256394A1 (sv) |
FI (1) | FI108889B (sv) |
WO (1) | WO2001081881A1 (sv) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE0004334D0 (sv) * | 2000-11-24 | 2000-11-24 | Sahltech Ab | Electron spectroscopy |
JP4009520B2 (ja) * | 2002-11-05 | 2007-11-14 | 日東電工株式会社 | 温度測定用フレキシブル配線回路基板 |
US9267851B2 (en) * | 2012-06-29 | 2016-02-23 | Ut-Battelle, Llc | Single-contact tunneling thermometry |
US9285279B2 (en) * | 2012-09-06 | 2016-03-15 | Ut-Battelle, Llc | Electronic thermometry in tunable tunnel junction |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0375465B1 (en) | 1988-12-23 | 1996-02-14 | Nippon Steel Corporation | Superconducting tunnel junction radiation sensing device and Josephson device |
JP2799036B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1998-09-17 | 新日本製鐵株式会社 | 放射線検出素子および放射線検出器 |
US5634718A (en) | 1994-07-27 | 1997-06-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Particle calorimeter with normal metal base layer |
FI102695B1 (sv) | 1996-06-11 | 1999-01-29 | Nanoway Oy | Temperaturmätare baserad på CB-tunneling |
US6104045A (en) | 1998-05-13 | 2000-08-15 | Micron Technology, Inc. | High density planar SRAM cell using bipolar latch-up and gated diode breakdown |
US6225165B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-05-01 | Micron Technology, Inc. | High density SRAM cell with latched vertical transistors |
US6229161B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-05-08 | Stanford University | Semiconductor capacitively-coupled NDR device and its applications in high-density high-speed memories and in power switches |
-
2000
- 2000-04-27 FI FI20000982A patent/FI108889B/sv not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-04-25 AU AU2001256394A patent/AU2001256394A1/en not_active Abandoned
- 2001-04-25 EP EP01929688A patent/EP1295094A1/en not_active Withdrawn
- 2001-04-25 WO PCT/FI2001/000395 patent/WO2001081881A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-04-25 US US10/258,629 patent/US6784012B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6784012B2 (en) | 2004-08-31 |
FI20000982A (sv) | 2001-10-28 |
FI20000982A0 (sv) | 2000-04-27 |
WO2001081881A1 (en) | 2001-11-01 |
EP1295094A1 (en) | 2003-03-26 |
US20030094655A1 (en) | 2003-05-22 |
AU2001256394A1 (en) | 2001-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5739686A (en) | Electrically insulating cantilever magnetometer with mutually isolated and integrated thermometry, background elimination and null detection | |
Clement et al. | The Low Temperature Characteristics of Carbon‐Composition Thermometers | |
KR100204872B1 (ko) | 횡형 홀소자 | |
US11175190B2 (en) | Device and method for the in-situ calibration of a thermometer | |
US6727563B1 (en) | Offset-reduced hall element | |
FI108889B (sv) | Förfarande för mätning av temperatur på ett vidsträckt område med hjälp av en tunnelanslutning | |
Kimling et al. | Field-dependent thermal conductivity and Lorenz number in Co/Cu multilayers | |
Herin et al. | Measurements on the thermoelectric properties of thin layers of two metals in electrical contact. Application for designing new heat-flow sensors | |
Reisdorffer et al. | Thermal conductivity of organic semi-conducting materials using 3omega and photothermal radiometry techniques | |
FI102695B (sv) | Temperaturmätare baserad på CB-tunneling | |
Adamschik et al. | Analysis of piezoresistive properties of CVD-diamond films on silicon | |
Elmquist et al. | Direct resistance comparisons from the QHR to100 M/spl Omega/using a cryogenic current comparator | |
US8727609B2 (en) | Method for the thermal characterization of a portion of material | |
Cabassi et al. | Dielectric properties of doping-free Na Mn 7 O 12: Origin of the observed colossal dielectric constant | |
US6771083B1 (en) | Poole-frenkel piezoconductive element and sensor | |
RU2390879C1 (ru) | Полевой датчик холла | |
Ihas et al. | Low temperature thermometry in high magnetic fields | |
He et al. | Exceptionally accurate large graphene quantum Hall arrays for the new SI | |
JPH03273122A (ja) | 強磁界用温度センサ | |
JPS5924999Y2 (ja) | 導電率計 | |
Ding et al. | Measurement Techniques of Thermoelectric‐related Performance | |
Prakash et al. | An apparatus for the measurement of thermal expansion of solids at low temperatures | |
Snyder et al. | A precision capacitance cell for measurement of thin film out-of-plane expansion. III. Conducting and semiconducting materials | |
CN117147009A (zh) | 一种热电势指零法校准固态量子温度计的装置及方法 | |
SU1064158A1 (ru) | Способ измерени температуры поверхности электронагревател посто нного тока |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MA | Patent expired |