ES2909632T3

ES2909632T3 - Disposición de bancos de memoria y registro de selección

Info

Publication number: ES2909632T3
Application number: ES17894785T
Authority: ES
Inventors: Boon Bing Ng; Binte Jamil Noorashekin
Original assignee: Hewlett Packard Development Co LP
Current assignee: Hewlett Packard Development Co LP
Priority date: 2017-01-31
Filing date: 2017-01-31
Publication date: 2022-05-09
Anticipated expiration: 2037-01-31
Also published as: PL3554843T3; EP3554843B1; US11518177B2; US10974515B2; CN113276561A; EP3554843A4; HUE058193T2; WO2018143942A1; US20210221144A1; EP3554843A1; CN110234509A; CN113276561B; DK3554843T3; US20190381802A1; PT3554843T; CN110234509B

Abstract

Un cartucho de fluido de impresión (200) que comprende: un depósito de fluido (202) para almacenar fluido; una matriz de expulsión de fluido acoplada al depósito de fluido (202), la matriz de expulsión de fluido que comprende: una pluralidad de boquillas (102, 206, 256) para expulsar gotas de fluido; una disposición de memoria que comprende: una pluralidad de bancos de memoria (208, 308, 404, 510) dispuestos sobre un sustrato para formar un grupo de bancos de memoria, cada banco de memoria que tiene unidades de memoria (110, 210), en donde uno de los bancos de memoria (208-n) está dispuesto en un extremo superior, uno de los bancos de memoria (208-1) está dispuesto en un extremo inferior, y los bancos de memoria restantes están dispuestos en serie entre los bancos de memoria en los extremos superior e inferior; al menos un registro de selección en el sustrato, en donde el al menos un registro de selección es para generar una señal de selección para acceder a las unidades de memoria (110, 210) en la pluralidad de bancos de memoria (208, 308, 404, 510), en donde el al menos un registro de selección está dispuesto en el extremo superior o en el extremo inferior del grupo de bancos de memoria (208, 308, 404, 510); en donde el al menos un registro de selección comprende: un registro de selección de filas (302, 406, 504) para generar una señal de selección de filas; un registro de selección de columna (304, 408, 506) para generar una señal de selección de columna; y un registro de selección de banco (306, 410, 508) para generar una señal de selección de banco, en donde la señal de selección de fila, la señal de selección de columna y la señal de selección de banco se enrutan a la pluralidad de bancos de memoria (208, 308, 404, 510) del mismo lado del grupo de bancos de memoria.

Description

DESCRIPCIÓN

Disposición de bancos de memoria y registro de selección

Antecedentes

Un banco de memoria es una colección de unidades de memoria y se utiliza para almacenar información. Se puede usar un banco de memoria en una matriz de expulsión de fluido, tal como un cabezal de impresión, para almacenar una variedad de información relacionada con un cartucho de fluido de impresión, un cabezal de impresión y similares. Se puede seleccionar una unidad de memoria en el banco de memoria para escribir información o leer información. La selección de la unidad de memoria se puede realizar utilizando uno o más registros de selección. El documento EP 3 100 273 A1 describe un cabezal de impresión integrado que tiene un arreglo de bancos de memoria conectados a registros de selección. El documento US 2008 / 123 461 A1 describe un dispositivo semiconductor, no una matriz de expulsión de fluido o un cartucho de fluido. El dispositivo comprende al menos un grupo de bancos, los bancos se disponen adyacentes entre sí para formar una disposición radialmente simétrica de bancos que tienen una geometría de fila y columna; y un arreglo de decodificadores de columnas se posiciona entre pares de bancos dispuestos verticalmente en los que el arreglo de decodificadores de columnas se comunica con este par de bancos dispuestos verticalmente de modo que se pueda usar una única señal de selección de columna del arreglo de decodificadores de columnas para seleccionar una celda de memoria dada de un banco de estos bancos dispuestos verticalmente.

Breve descripción de los dibujos

La siguiente descripción detallada hace referencia a las figuras, en donde:

La Figura 1 ilustra una matriz de expulsión de fluido, de acuerdo con un ejemplo en el que se basa la invención. La Figura 2(a) ilustra un cartucho de fluido de impresión que incluye una matriz de expulsión de fluido, de acuerdo con un ejemplo en el que se basa la invención.

La Figura 2(b) ilustra un cartucho de fluido de impresión que incluye un cabezal de impresión, de acuerdo con un ejemplo de la invención.

La Figura 3 ilustra una matriz de expulsión de fluido que tiene un registro de selección de fila, un registro de selección de columna y un registro de selección de banco, de acuerdo con un ejemplo de la invención.

La Figura 4 ilustra el aprovisionamiento de una única línea de tierra para una pluralidad de bancos EM en una matriz de expulsión de fluido, de acuerdo con un ejemplo de la invención.

La Figura 5 ilustra la colocación de una pluralidad de contactos de derivación secundaria en una matriz de expulsión de fluido, de acuerdo con un ejemplo 2 de la invención.

Descripción detallada

Los bancos de memoria se pueden usar en una matriz de expulsión de fluidos, tal como un cabezal de impresión, para almacenar diversa información relacionada con la matriz de expulsión de fluidos, tal como información de identificación, números de serie, información de seguridad, información de mejora de funciones y similares. Dado que el banco de memoria incluye una pluralidad de unidades de memoria, para leer o escribir datos en una unidad de memoria en el banco de memoria, la unidad de memoria debe seleccionarse antes de la operación de lectura o escritura. La selección de la unidad de memoria se puede lograr con la ayuda de uno o más registros, también denominados registros de selección. Los registros de selección pueden generar señales de selección para seleccionar la unidad de memoria.

Cuando se va a almacenar una gran cantidad de datos en un dispositivo, se pueden usar múltiples bancos de memoria en el dispositivo, ya que un solo banco de memoria puede no ser capaz de acomodar los datos que se van a almacenar. Por ejemplo, un cabezal de impresión puede usar una gran cantidad de datos para implementar una amplia variedad de funciones. Por lo tanto, se pueden usar diversos bancos de memoria en el cabezal de impresión. Para seleccionar una unidad de memoria en un banco de memoria de los diversos bancos de memoria, uno o más registros de selección pueden proporcionar señales de selección para identificar la unidad de memoria a seleccionar. El presente tema se refiere a aspectos de disposición de bancos de memoria y registros de selección. Las implementaciones del presente tema proporcionan un diseño eficiente que minimiza la cantidad de espacio consumido, por ejemplo, en una matriz de expulsión de fluido, para implementar los diversos registros de selección. Una matriz de expulsión de fluido, que forma parte de un cartucho de fluido de impresión, incluye una pluralidad de bancos de memoria dispuestos para formar un grupo de bancos de memoria. Cada banco de memoria incluye una pluralidad de unidades de memoria. Además, se proporciona al menos un registro de selección en un extremo del grupo de bancos de memoria. El registro de selección genera señales de selección para acceder a las unidades de memoria en la pluralidad de bancos de memoria.

De acuerdo con un ejemplo del presente tema, cada banco de memoria incluye una pluralidad de unidades de memoria dispuestas en filas y columnas. Además, se puede proporcionar una pluralidad de registros de selección para seleccionar una fila de unidades de memoria, una columna de unidades de memoria y un banco de memoria de la pluralidad de bancos de memoria. La pluralidad de registros de selección está dispuesta junta, como un grupo de registros de selección, adyacente a un extremo, tal como el extremo superior o el extremo inferior, de la pluralidad de bancos de memoria.

Las señales de selección de la pluralidad de registros de selección pueden proporcionarse a la pluralidad de bancos de memoria usando líneas de selección. La línea de selección de cada registro de selección puede proporcionarse en el mismo lado del grupo de bancos de memoria.

El presente tema proporciona un diseño eficiente que minimiza la cantidad de espacio consumido al utilizar los registros de selección mencionados anteriormente. Dado que el registro de selección está dispuesto en un extremo de la pluralidad de bancos de memoria, las señales de entrada proporcionadas al registro de selección se enrutan en un extremo de la pluralidad de bancos de memoria. Por lo tanto, las líneas de señal de entrada pueden no proporcionarse junto a la pluralidad de bancos de memoria. La eliminación del enrutamiento de las señales de entrada junto a los bancos de memoria reduce el tamaño de los circuitos que implementan el banco de memoria y, por lo tanto, también puede reducir el tamaño de un dispositivo electrónico. Por lo tanto, las técnicas del presente tema pueden reducir las dimensiones de los dispositivos, tales como cabezales de impresión.

Además, cuando se utiliza una pluralidad de registros de selección, la colocación de los registros de selección en un extremo de los bancos de memoria, en lugar de a lo largo de la extensión de los bancos de memoria, da como resultado que las señales de entrada se enruten por una longitud corta. La reducción en la longitud del enrutamiento de las señales de entrada reduce el impacto parásito que surge del enrutamiento de la señal. Aún más, al disponer los registros de selección en un extremo de los bancos de memoria, las líneas de señal de entrada a los registros de selección están alejadas de los bancos de memoria y las líneas de señal que están conectadas a los bancos de memoria. Esto reduce la interferencia a los bancos de memoria y sus líneas de señal desde las líneas de señal de entrada y viceversa.

La siguiente descripción se refiere a los dibujos adjuntos. Siempre que sea posible, se utilizan los mismos números de referencia en los dibujos y en la siguiente descripción para referirse a piezas iguales o similares. Si bien se describen varios ejemplos en la descripción, son posibles modificaciones, adaptaciones y otras implementaciones. En consecuencia, la siguiente descripción detallada no limita los ejemplos descritos. En su lugar, el alcance adecuado de los ejemplos descritos se define en las reivindicaciones adjuntas.

Se describen ejemplos de implementaciones del presente tema con respecto a bancos de memoria utilizados en matrices de expulsión de fluido, tales como cabezales de impresión. Aunque no se describe, se entenderá que las implementaciones del presente tema se pueden usar con otros tipos de matrices de expulsión de fluidos en los que se usan registros de selección para acceder a unidades de memoria en los bancos de memoria.

La Figura 1 ilustra una matriz de expulsión de fluido 100, de acuerdo con un ejemplo. El ejemplo de la matriz de expulsión de fluido 100 incluye, pero no se limita a, un cabezal de impresión, tal como un cabezal de impresión por chorro de tinta térmica (TIJ) y un cabezal de impresión por chorro de tinta piezoeléctrico. La matriz de expulsión de fluido 100 expulsa gotas de fluido, tal como tinta y tóner líquido, a través de una pluralidad de orificios o boquillas 102 hacia un medio de impresión (no se muestra en la Figura 1), para imprimir sobre el medio de impresión. El medio de impresión puede ser cualquier tipo de material adecuado de tipo lámina, tal como papel, cartulina, tela y similares. Típicamente, las boquillas 102 están dispuestas en una o más columnas o arreglos, de manera que la expulsión de fluido correctamente secuenciada desde las boquillas 102 causa la impresión de caracteres, símbolos y/u otros gráficos o imágenes en el medio de impresión.

La matriz de expulsión de fluido 100 también incluye una pluralidad de bancos de memoria 104-1, ..., 104-n (denominados colectivamente como bancos de memoria 104). Los bancos de memoria 104 pueden almacenar una variedad de información sobre un dispositivo en el que se utilizan. Por ejemplo, si la matriz de expulsión de fluido 100 es un cabezal de impresión, las unidades de memoria en los bancos de memoria 104 pueden usarse para almacenar información relacionada con el cabezal de impresión, un conjunto de cabezal de impresión integrado y similares. La información almacenada puede ser, por ejemplo, información de identificación, tal como la identificación del cabezal de impresión, tipo de cartucho de tinta y tipo de tinta contenida en el cartucho de tinta, números de serie, información de seguridad, información de mejora de funciones y similares. Con base en la información almacenada en los bancos de memoria 104, un controlador de impresora (no se muestra en la Figura 1) en la impresora (no se muestra en la Figura 1) que incluye la matriz de expulsión de fluido 100 puede tomar una o más acciones, tal como alterar rutinas de impresión para mantener la calidad de la imagen.

Los bancos de memoria 104 están dispuestos juntos para formar un grupo 108 de bancos de memoria. Cada uno de los bancos de memoria 104 tiene varias unidades de memoria. Por ejemplo, el banco de memoria 104-1 incluye unidades de memoria 110-1, 110-2, ..., 110-n. Para acceder a una unidad de memoria en los bancos de memoria 104, la matriz de expulsión de fluido 100 incluye al menos un registro de selección 106. El registro de selección 106 genera una señal de selección para acceder a las unidades de memoria en los bancos de memoria 104. El registro de selección 106 puede ser, por ejemplo, un registro de desplazamiento. El registro de selección 106 está dispuesto en un extremo del grupo 108 de bancos de memoria 104. Por ejemplo, el registro de selección 106 puede estar dispuesto en el extremo inferior del grupo 108 de bancos de memoria 104 o en el extremo superior del grupo 108 de bancos de memoria 104. Las boquillas 102 pueden estar dispuestas en cualquier localización en la matriz de expulsión de fluido 100. Por ejemplo, las boquillas 102 pueden estar dispuestas en un extremo superior o inferior del grupo 108 de bancos de memoria 104.

En una implementación, las unidades de memoria son unidades de memoria EM de memoria de sólo lectura programable eléctricamente. El término "unidad de memoria EM", tal como se utiliza en la presente especificación, debe entenderse en sentido amplio como cualquier memoria de sólo lectura programable que retiene sus datos cuando se apaga su fuente de alimentación. En un ejemplo, la EM es una memoria de sólo lectura programable y borrable (EPROM). En otro ejemplo, la EM es una memoria de sólo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM).

Dado que el registro de selección 106 se proporciona en un extremo del grupo 108 de los bancos de memoria 104, las líneas de señal de entrada (no se muestran en la Figura 1) al registro de selección 106 pueden no proporcionarse junto a los bancos de memoria 104. Por lo tanto, se evita un aumento en las dimensiones de la matriz de expulsión de fluido 100 debido a la disposición de las líneas de señal de entrada. Además, al no proporcionar líneas de señal de entrada junto al grupo 108 de los bancos de memoria 104, se evita el impacto parásito en los bancos de memoria 104 debido a las líneas de señal de entrada y viceversa.

Las implementaciones descritas anteriormente se explicarán con mayor detalle en los párrafos siguientes.

La Figura 2(a) ilustra un cartucho de fluido de impresión 200, de acuerdo con un ejemplo. El cartucho de fluido de impresión 200 es más generalmente un dispositivo de dispensado con precisión de chorro de fluido o una estructura expulsora de fluido que dispensa con precisión fluido, tal como tinta y tóner líquido. En un ejemplo, el cartucho de fluido de impresión 200 puede ser un cartucho de tinta para una impresora de chorro de fluido.

Si bien la presente descripción describe en general un cartucho de impresión por chorro de tinta que expulsa tinta sobre el medio, los ejemplos de la presente especificación pueden no estar limitados únicamente a los cartuchos de impresión por chorro de tinta. En general, los ejemplos de la presente especificación se refieren a cualquier tipo de dispositivo de expulsión o dispensado con precisión de chorro de fluido que dispensa un fluido. El término fluido debe interpretarse de manera amplia como cualquier sustancia que se deforme bajo una fuerza aplicada. Los ejemplos de fluidos incluyen, por lo tanto, líquidos y gases. Un dispositivo de dispensado con precisión de chorro de fluido es un dispositivo en el que la impresión o dispensado del fluido en cuestión se logra imprimiendo o dispensando con precisión en lugares especificados con precisión, con o sin hacer una imagen particular en lo que se está imprimiendo o dispensando. Por lo tanto, para los propósitos de explicación, se describirá un cartucho de impresión o un cartucho de tinta. Sin embargo, se entenderá que puede usarse cualquier tipo de cartucho de fluido de impresión con los principios descritos en la presente descripción.

En una implementación, el cartucho de fluido de impresión 200 incluye un depósito de fluido 202 para almacenar un fluido, tal como tinta y tóner líquido, y una matriz de expulsión de fluido 204, tal como la matriz de expulsión de fluido 100, que está acoplada al depósito de fluido 202. En el cartucho de fluido de impresión 200, el fluido almacenado en el depósito de fluido 202 puede denominarse material de impresión, y el depósito de fluido 202 puede denominarse depósito de material de impresión. El fluido almacenado en el depósito de fluido 202 puede a la matriz de expulsión de fluido 204, que expulsa gotas del fluido a través de una pluralidad de boquillas 206 hacia un medio de impresión. El cartucho de fluido de impresión 200 también incluye una pluralidad de bancos EM 208-1, ..., 208-n, denominados colectivamente como bancos EM 208. Un banco eM se refiere a cualquier combinación de cualquier cantidad de matrices de unidades de memoria EM. En un ejemplo, un banco EM incluye 64 unidades de memoria EM. Como se ilustra en la Figura 2(a), el banco de memoria 208-1 incluye una pluralidad de unidades de memoria EM 210-1, 210 2, ..., 210-n, denominadas colectivamente unidades de memoria Em 210, cada una capaz de almacenar datos. En una implementación, los bancos EM 208 están dispuestos en serie. Por ejemplo, el banco EM 208-n puede disponerse debajo del banco EM 208-1. Aunque la Figura 2(a) ilustra la matriz de expulsión de fluido 204 que incluye dos bancos EM, en otras implementaciones, la matriz de expulsión de fluido 204 puede incluir más de dos bancos EM. En ese caso, el banco Em 208-1 puede disponerse en la parte superior, el banco EM 208-n puede disponerse en la parte inferior, y los bancos EM restantes pueden disponerse uno debajo de otro en serie entre los bancos EM 208-1 y 208-n. La disposición en serie de los bancos EM 208-1,..., 208-n uno debajo de otro forma un grupo 212 de bancos EM. Aunque la Figura 2(a) ilustra la disposición en serie de los bancos EM 208, en otras implementaciones, los bancos EM pueden disponerse de manera diferente para formar el grupo 212 de bancos EM.

La pluralidad de unidades de memoria EM en cada uno de los bancos EM 208 están dispuestas en forma de matriz. Una matriz de unidades de memoria EM se refiere a una disposición de unidades de memoria EM en una pluralidad de filas y columnas. Por ejemplo, el banco EM 208-1 incluye unidades de memoria EM 210-1, 210-2,..., 210-n dispuestas en filas y columnas. En un ejemplo, una matriz de unidades de memoria EM incluye unidades de memoria EM dispuestas en ocho filas y ocho columnas, es decir, en una disposición de 8 X 8.

Cada unidad de memoria EM en los bancos EM 208 puede almacenar datos. Los datos almacenados pueden ser, por ejemplo, datos binarios, es decir, 'o' lógico y '1' lógico. Dado que las unidades de memoria EM están dispuestas en forma de matrices, para escribir o leer datos en una unidad de memoria EM, se debe seleccionar la unidad de memoria EM, después de lo cual se pueden leer o escribir datos. Para seleccionar las unidades de memoria EM, la matriz de expulsión de fluido 204 incluye una pluralidad de registros de selección 214-1, ..., 214-n, denominados colectivamente como registros de selección 214. Los registros de selección 214 corresponden al registro de selección 106. En otras palabras, aunque se muestra que la matriz de expulsión de fluido 204 incluye una pluralidad de registros de selección 214, en una implementación, la matriz de expulsión de fluido 204 incluye un registro de selección, tal como el registro de selección 106.

Cada registro de selección puede generar una señal de selección para facilitar el acceso a las unidades de memoria EM en los bancos EM 208. Los registros de selección 214 se pueden disponer juntos para formar un grupo 216 de registros de selección. El grupo 216 de registros de selección está dispuesto en un extremo del grupo 212 de bancos EM. Por ejemplo, el grupo 216 de registros de selección puede disponerse en el extremo superior del grupo 212 de bancos e M o en el extremo inferior del grupo 212 de bancos de memoria. Aquí, el extremo superior del grupo 212 de bancos EM se refiere al extremo superior de la disposición en serie, es decir, la serie, de los bancos e M 208 que forman el grupo 212. De manera similar, el extremo inferior del grupo 212 de bancos EM se refiere al extremo inferior de la disposición en serie de los bancos EM 208 que forman el grupo 212. En general, un extremo de un grupo de bancos EM se refiere en un extremo de una disposición en serie de los bancos EM que forman el grupo.

La Figura 2(b) ilustra un cartucho de fluido de impresión 250, de acuerdo con un ejemplo de implementación del presente tema. El cartucho de fluido de impresión 250 puede ser similar al cartucho de fluido de impresión 200. Un componente del cartucho de fluido de impresión 250 que corresponde a un componente del cartucho de fluido de impresión 200 se indica con un número de referencia que es 50 mayor que el componente correspondiente del cartucho de fluido de impresión 200. Por ejemplo, las boquillas 256 en el cartucho de fluido de impresión 250 corresponden a las boquillas 206 en el cartucho de fluido de impresión 200. De manera similar, el cartucho de fluido de impresión 250 incluye una pluralidad de registros de selección 264-1, ..., 264-n (denominados colectivamente como registros de selección 264), correspondientes a los registros de selección 214.

Para proporcionar una señal de selección generada por un registro de selección a un banco EM, el cabezal de impresión 254 incluye una línea de selección. Por ejemplo, el cabezal de impresión 254 incluye una línea de selección 268 para proporcionar la señal de selección generada por el registro de selección 264-1 a un banco EM. De manera similar, el cabezal de impresión 254 incluye una línea de selección 270 para proporcionar la señal de selección generada por el registro de selección 264-n a un banco EM. Cada línea de selección está dispuesta del mismo lado del grupo 262 de bancos EM. Por ejemplo, las líneas de selección 268 y 270 se disponen en el lado izquierdo del grupo 262 de bancos EM.

La colocación de las líneas de selección 268 y 270 en el mismo lado del grupo 262 de bancos EM permite utilizar el espacio entre dos bancos EM adyacentes, que está vacante, para disponer otras líneas de conexión. Esto se describe con mayor detalle con referencia a la Figura 4.

En una implementación, los registros de selección 264 (o 214) incluyen un registro de selección de fila, un registro de selección de columna y un registro de selección de banco. De acuerdo con la implementación, las líneas de selección incluyen una línea de selección de fila, una línea de selección de columna y una línea de selección de banco.

La Figura 3 ilustra una matriz de expulsión de fluido 300 que tiene un registro de selección de fila 302, un registro de selección de columna 304 y un registro de selección de banco 306, de acuerdo con una implementación de ejemplo del presente tema. La matriz de expulsión de fluido 300 puede ser similar a las matrices de expulsión de fluido 100 y 204, y el cabezal de impresión 254. El registro de selección de fila 302, el registro de selección de columna 304 y el registro de selección de banco 306 se pueden usar para seleccionar unidades de memoria EM en los bancos EM 308-1, ..., 308-n, denominados colectivamente como bancos EM 308.

En una implementación, cada banco EM incluye una matriz de una pluralidad de unidades de memoria EM. En otra implementación, cada banco EM incluye una pluralidad de matrices de unidades de memoria EM. En tal caso, el número de filas en la pluralidad de matrices puede ser el mismo y el número de columnas en la pluralidad de matrices también puede ser el mismo. Además, en un ejemplo, cada matriz de unidades de memoria EM puede incluir más número de filas que el número de columnas. Por ejemplo, el banco EM incluye dos matrices de 8 * 4 de unidades de memoria EM, es decir, que tiene unidades de memoria EM dispuestas en ocho filas y cuatro columnas. En otro ejemplo, cada matriz de unidades de memoria EM puede incluir más número de columnas que el número de filas.

En una implementación, los bancos EM 308 se disponen juntos para formar un grupo 312 de bancos EM. Aquí, la colocación de los bancos EM juntos se refiere a la colocación continua de los bancos EM sin un registro de selección entre cualquiera de los dos bancos EM. Los bancos EM 308 están dispuestos en serie uno debajo del otro, como se ilustra en la Figura 3. De manera similar a los bancos EM 308, el registro de selección de fila 302, el registro de selección de columna 304 y el registro de selección de banco 306 también pueden disponerse juntos para formar un grupo 314 de registros de selección. El grupo 314 de registros de selección está dispuesto adyacente a un extremo del grupo 312 de bancos EM. Por ejemplo, como se ilustra en la Figura 3, el grupo 314 de registros de selección puede disponerse adyacente a un extremo superior 316 del grupo 312 de bancos EM. En otro ejemplo, el grupo 314 de registros de selección puede disponerse adyacente a un extremo inferior del grupo 312 de bancos EM.

Cada uno de los registros de selección de fila 302, el registro de selección de columna 304 y el registro de selección de banco 306 puede ser un registro de desplazamiento, por ejemplo, un registro de desplazamiento de entrada en serie y salida en paralelo. El registro de selección de fila 302, el registro de selección de columna 304 y el registro de selección de banco 306 pueden denominarse colectivamente como registros de selección. Cada uno de los registros de selección puede incluir una cascada de circuitos biestables con dos estados estables y compartiendo un reloj de tiempo común. Cada circuito biestable puede conectarse a la entrada de datos del siguiente circuito biestable en la cascada, lo que da como resultado un circuito que desplaza un arreglo de bits almacenado al desplazar hacia adentro los datos recibidos en su entrada y desplazar hacia afuera el último bit del arreglo en cada transición de una entrada de reloj. Cada circuito biestable de un registro de selección puede denominarse etapa. Los registros de selección pueden incluir cualquier número de etapas. En un ejemplo, cada uno de los registros de selección incluye ocho etapas.

El registro de selección de filas 302 genera una señal de selección de filas, que puede usarse para seleccionar todas las unidades de memoria EM en una sola fila de una matriz de unidades de memoria EM. El registro de selección de filas 302 puede proporcionar una señal de selección de filas a diferentes filas de unidades de memoria EM en diferentes puntos de tiempo, de modo que en cualquier momento, se selecciona una sola fila de unidades de memoria EM. Dado que el registro de selección de fila 302 está conectado a diversos bancos EM 308-1, ..., 308-n, la señal de selección de fila para una fila dada se puede proporcionar a la fila correspondiente en todos los bancos EM 308-1, ..., 308-n. Por ejemplo, se proporciona una señal de selección de fila para seleccionar unidades de memoria EM en la segunda fila de la matriz de unidades de memoria EM a la segunda fila de cada uno de los diversos bancos EM 308-1, ..., 308-n.

En una implementación, la señal de selección de fila para cada fila de una matriz de unidades de memoria EM se genera por una etapa diferente del registro de selección de fila 302. Por lo tanto, el número de etapas en el registro de selección de filas 302 puede ser el mismo que el número de filas en las matrices de las unidades de memoria EM. Además, si cada banco EM tiene más de una matriz de unidades de memoria EM que tiene más filas que columnas, por ejemplo, dos matrices de 8 * 4 de unidades de memoria EM, la señal de selección de fila para una fila dada se puede proporcionar a la fila correspondiente en todas las matrices. De manera similar, si cada banco EM tiene más de una matriz de unidades de memoria EM que tienen más columnas que filas, el número de etapas en el registro de selección de fila 302 puede ser una suma del número de filas en cada matriz. Por ejemplo, si el banco EM tiene dos matrices de 4 * 8 de unidades de memoria EM, el registro de selección de filas 302 incluye ocho (4+4) etapas, de modo que las ocho filas pueden proporcionarse con diferentes señales de selección de filas.

El registro de selección de columna 304 puede proporcionar señales de selección de columna a diferentes columnas de unidades de memoria EM en diferentes puntos de tiempo, de modo que en cualquier punto se seleccione una única columna de unidades de memoria EM. Dado que el registro de desplazamiento de selección de columna 304 está conectado a diversos bancos EM 308-1, ..., 308-n, la señal de selección de columna para una columna dada puede proporcionarse a la columna correspondiente en todos los bancos EM 308-1, . .., 308-n. Por ejemplo, se puede proporcionar una señal de selección de columna para seleccionar unidades de memoria EM en la primera columna de la matriz de unidades de memoria EM a la primera columna de cada uno de los diversos bancos EM 308-1, ..., 308-n.

En una implementación, la señal de selección de columna para cada columna de una matriz de unidades de memoria EM se genera por una etapa diferente del registro de selección de columna 304. Por lo tanto, el número de etapas en el registro de desplazamiento de selección de columna 304 puede ser el mismo que el número de columnas en las matrices de las unidades de memoria EM. Además, si cada banco EM tiene más de una matriz de unidades de memoria EM que tienen más columnas que filas, por ejemplo, dos matrices de 4 * 8 de unidades de memoria EM, la señal de selección de columna para una columna dada se proporciona a la columna correspondiente en todas las matrices. De manera similar, si cada banco EM tiene más de una matriz que tiene más filas que columnas, el número de etapas en el registro de selección de columna 304 puede ser una suma del número de columnas en cada una de las matrices. Por ejemplo, si el banco EM tiene dos matrices de 8 * 4 de unidades de memoria EM, el registro de selección de columna 304 incluye ocho (4+4) etapas, de modo que las ocho columnas pueden proporcionarse con diferentes señales de selección de columna.

En un ejemplo, cada banco EM incluye un banco EM que tiene unidades de memoria EM en ocho filas y ocho columnas. En otro ejemplo, cada banco EM incluye dos matrices, cada una que tiene unidades de memoria EM en ocho filas y cuatro columnas. En un ejemplo adicional, cada banco EM incluye dos matrices, cada una que tiene unidades de memoria EM en cuatro filas y ocho columnas. De acuerdo con los tres ejemplos, tanto el registro de selección de fila 302 como el registro de selección de columna 304 incluyen ocho etapas cada uno.

El registro de selección de banco 306 puede generar señales de selección de banco en diferentes momentos para diferentes bancos EM. El registro de selección de banco 306 puede incluir tantas etapas como el número de bancos EM al que está conectado. En otras palabras, el registro de desplazamiento de selección de banco 306 puede incluir 'n' etapas, ya que está conectado a n bancos EM. En otro ejemplo, el registro de selección de banco 306 incluye más de 'n' etapas.

Se puede acceder a una unidad de memoria EM para lectura o escritura cuando la fila en la que está presente la unidad de memoria EM recibe la señal de selección de fila, la columna en la que está presente la unidad de memoria EM recibe la señal de selección de columna y el banco EM en el que está presente la unidad de memoria EM recibe la señal de selección de banco. En consecuencia, el registro de selección de fila 302, el registro de selección de columna 304 y el registro de selección de banco 306 pueden generar señales de selección basadas en una unidad de memoria Em a seleccionar. Por ejemplo, considere un escenario en el que se va a seleccionar la unidad de memoria EM 310-2, digamos, para escribir datos en esta. Dado que la unidad de memoria EM 310-2 está en la primera fila y la segunda columna de una matriz EM en el primer banco EM (308-1), la primera etapa del registro de selección de fila 302 proporciona la señal de selección de fila para la primera fila, la segunda etapa del registro de selección de columna 304 proporciona la señal de selección de columna para la segunda columna, y la primera etapa del registro de selección de banco 306 genera la señal de selección de banco para el primer banco EM 308-1. Tal esquema de direccionamiento tridimensional puede usarse para seleccionar cualquier unidad de memoria EM en cualquier banco EM para lectura o escritura.

Las señales de selección generadas por los registros de selección pueden proporcionarse a los bancos EM 308-1, ..., 308-n usando líneas de selección. Las líneas de selección incluyen una línea de selección de fila 318 conectada al registro de selección de fila 302 para proporcionar la señal de selección de fila, una línea de selección de columna 320 conectada al registro de selección de columna 304 para proporcionar la señal de selección de columna, y una línea de selección de banco 322 conectada al registro de selección de banco 306 para proporcionar la señal de selección de banco. Todas las líneas de selección 318, 320 y 322 pueden enrutarse desde el mismo lado del grupo 312 de bancos EM. Por ejemplo, las líneas de selección 318, 320 y 322 pueden enrutarse desde el lado izquierdo 324 del grupo 312 de bancos EM. Tal colocación de las líneas de selección 318, 320 y 322 puede permitir el aprovisionamiento de una única línea de tierra para los bancos EM 308-1, ..., 308-n. El aprovisionamiento de la única línea de tierra se explicará con referencia a la Figura 4.

La Figura 4 ilustra el aprovisionamiento de una única línea de tierra 402 para una pluralidad de bancos EM 404-1, 404-2, 404-3, ..., 404-n en una matriz de expulsión de fluido 400, de acuerdo con una implementación de ejemplo del presente tema. La línea de tierra 402 se puede usar para proporcionar conexiones a tierra para las unidades de memoria EM en la pluralidad de bancos EM 404-1, 404-2, 404-3, ..., 404-n, denominados colectivamente como bancos EM 404. Como se explicó anteriormente, un registro de selección de fila 406, un registro de selección de columna 408 y un registro de selección de banco 410 están dispuestos colectivamente en un extremo del grupo de bancos EM 404. Tal disposición permite disponer la línea de selección de fila 412, la línea de selección de columna 414 y la línea de selección de banco 416 en el mismo lado, tal como el lado izquierdo 418, del grupo de bancos de memoria 404. Por lo tanto, un bus de selección 420 conectado a la línea de selección de fila 412, la línea de selección de columna 414 y la línea de selección de banco 416, y a los bancos EM 404, para proporcionar las señales de selección a los bancos EM 404, también se puede proporcionar en el mismo lado del grupo de bancos EM 404. Un lado del grupo de bancos EM 404 se refiere a un lado, tal como el lado izquierdo y el lado derecho, de la disposición en serie de los bancos EM 404 que forman el grupo de bancos EM 404.

Dado que la línea de selección de fila 412, la línea de selección de columna 414, la línea de selección de banco 416 y el bus de selección 420 están dispuestos en un solo lado, tal como el lado izquierdo 418, del grupo de bancos EM 404, el espacio entre dos los bancos EM adyacentes y entre el banco EM 404-1 y el registro de selección de fila 406 está vacante. Este espacio vacante se puede utilizar para enrutar la conexión a tierra para diferentes secciones de los bancos EM. Por lo tanto, se proporciona una única línea de tierra 402 en un lado del grupo de bancos EM 404, y las líneas de conexión a tierra, que conectan los bancos EM a la línea de tierra 402, pueden enrutarse a través del espacio vacante. Por ejemplo, con referencia a la Figura 4, una línea de conexión a tierra 422 que proporciona conexión a tierra a una sección del banco EM 404-1 puede enrutarse a través del espacio entre el registro de selección de fila 406 y el banco EM 404-1. De manera similar, una línea de conexión a tierra 424 que proporciona conexión a tierra a otra sección del banco EM 404-1 y una sección del banco EM 404-2 se puede enrutar a través del espacio entre el banco EM 404-1 y el banco EM 404-2 . Dado que la línea de conexión a tierra 424 pasa a través de la separación entre los bancos EM 404-1 y 404-2, la línea de conexión a tierra 424 puede proporcionar conexión a tierra a diferentes secciones de los bancos EM 404-1 y 404-2. Por lo tanto, es posible que no sea necesario proporcionar una segunda línea de tierra en el otro lado, tal como el lado derecho, de los bancos EM 404-1 y 404-2 para proporcionar conexiones a tierra a una sección diferente de los bancos EM 404-1 y 404-2. Por lo tanto, el presente tema proporciona conexiones a tierra a los componentes de los bancos EM 404 utilizando un número reducido de líneas a tierra. Esto facilita la disminución de las dimensiones de la matriz. En un ejemplo, una línea de tierra tiene un grosor de 50 |jm. Por lo tanto, al eliminar la disposición de una segunda línea de tierra, el presente tema reduce las dimensiones de la matriz de expulsión de fluido 400 en 50 jm o pone a disposición el espacio libre para otros usos, tal como el aprovisionamiento de otros componentes en la matriz de expulsión de fluido 400.

Debe entenderse que el orden en el que se disponen el registro de selección de fila 406, el registro de selección de columna 408 y el registro de selección de banco 410 no está limitado por el orden ilustrado. Más bien, se pueden disponer en cualquier orden.

En una implementación, cada banco EM incluye una pluralidad de matrices de unidades de memoria EM. Por ejemplo, cada banco EM puede incluir dos matrices, cada una que tiene 32 unidades de memoria EM. De acuerdo con la implementación, la pluralidad de matrices puede separarse físicamente. Por ejemplo, similar a la separación proporcionada entre el banco EM 404-1 y el banco eM 404-2, se puede proporcionar una separación entre diferentes matrices en el mismo banco EM. En tal caso, similar a las líneas de conexión a tierra 420 y 422 entre los bancos EM, se pueden proporcionar líneas de conexión a tierra en la separación entre diferentes matrices de un banco EM para proporcionar conexiones a tierra a diferentes secciones de las matrices de unidades de memoria EM. Aunque la Figura 4 ilustra que tiene un registro de selección separado para seleccionar filas, columnas y bancos EM, en algunas implementaciones, se puede usar un registro de selección para seleccionar una combinación de filas, columnas y bancos EM. Por ejemplo, un registro de selección puede generar señales de selección de fila y de selección de columna, mientras que otro registro de selección genera una señal de selección de banco. En otro ejemplo, un registro de selección, tal como el registro de selección 106, puede seleccionar generar todas las señales de selección de fila, selección de columna y selección de banco.

Como se explicó anteriormente, los registros de selección, es decir, el registro de selección de fila 406, el registro de selección de columna 408 y el registro de selección de banco 410, generan señales de selección para la selección de unidades de memoria eM. Las señales de selección se generan en base a una o más señales de entrada. La una o más señales de entrada pueden generarse por un controlador, tal como un controlador de impresora, en un dispositivo, tal como una impresora, en el que están dispuestos los registros de selección.

En una implementación, la una o más señales incluyen señales de selección de registro S1-S4 y señales de datos D1-D3. Cada registro de selección puede recibir diferentes señales de selección de registro. En otras palabras, el registro de selección de fila 406 puede recibir S11-S41, el registro de selección de columna 408 puede recibir señales de selección de registro S12-S42, y el registro de selección de banco 410 puede recibir señales de selección de registro S13-S43. Las señales de selección de registro S1-S4 se pueden usar para precargar y hacer avanzar los registros de selección. Por ejemplo, el registro de selección de fila 406, que puede ser un registro de desplazamiento, puede avanzar pulsando repetidamente las señales de selección S11, ..., S41, donde cada ciclo a través de las cuatro señales de selección S11, ..., S41 hace que el registro de selección de fila 406 avance una etapa. Las señales de selección S11, ..., S43 pueden ser señales independientes o una señal común. Por ejemplo, las señales de selección S11, S12, and S13 pueden ser una señal común en lugar de señales distintas. Lo mismo puede ser cierto para las señales de selección S21, S22, S23, las señales de selección S31, S32, S33 y las señales de selección S41, S42, S43. Las señales de datos D1-D3 pueden servir como señales de inicio y pueden comunicar la dirección de fila y columna de una unidad de memoria EM. La entrada de datos por las señales de datos DiD3 puede asignarse arbitrariamente a cualquiera de los registros de selección 406-410 de modo que un registro de selección particular no se limite a recibir un tipo particular de entrada de datos.

Las señales de selección de registro S1-S4 se proporcionan a través de las líneas de selección de registro 426 y las señales de datos D1-D3 se proporcionan a través de las líneas de datos de registro 428. Dado que los registros de selección están dispuestos colectivamente en un extremo del grupo de los bancos EM 404, las líneas de selección de registro 426 y las líneas de datos de registro 428 también se pueden proporcionar para una longitud corta que abarca los registros de selección. Por ejemplo, con referencia a la Figura 4, las líneas de selección de registro 426 y las líneas de datos de registro 428 abarcan la longitud entre el registro de selección de fila 406 y el registro de selección de banco 410.

Por lo tanto, las líneas de selección de registro 426 y las líneas de datos de registro 428 no se proporcionan en toda la longitud abarcada por los bancos EM y los registros de selección. Además, las líneas de selección de registro y las líneas de datos de registro no se enrutan a través de un lado de los bancos EM, lo que ayuda por lo tanto a reducir el tamaño de la matriz de expulsión de fluido 400. En un ejemplo donde el número de señales de entrada es siete (tres señales de datos, D1-D3 y cuatro señales de selección de registro, S1-S4) y donde cada línea de señal de entrada tiene 8 jm de ancho y se debe proporcionar una separación de 2,5 jm entre dos señales de entrada, el ancho de matriz se puede disminuir en aproximadamente 73,5 jm, ya que las líneas de señal de entrada se proporcionan en un extremo de los bancos EM 404.

En una implementación, la colocación de los registros de selección en un extremo del grupo de bancos EM también permite reducir las incidencias de retroceso, en las que la ruptura por avalancha o la ionización por impacto proporcionan una corriente de base suficiente para encender un transistor. El retroceso puede producirse cuando se enciende un transistor NPN parásito, formado por un sustrato en el que se forman los transistores en los bancos EM y el registro de selección y los terminales de drenaje y fuente de los transistores. El encendido del transistor NPN parásito se produce cuando la resistencia del sustrato y la corriente base proporcionan una tensión base suficiente que polariza directamente el transistor NPN parásito. Este retroceso hace que el troquel de expulsión de fluido consuma una corriente superior a la nominal, lo que puede hacer que el dispositivo, como el cabezal de impresión, no funcione correctamente.

Con el fin de evitar incidentes de retroceso, convencionalmente, se proporcionan contactos de derivación secundaria que incluyen líneas conductoras de electricidad para conectar el sustrato a tierra. Esto permite drenar la carga que se acumula en el sustrato, por ejemplo, la carga que se acumula alrededor de los transistores, lo que reduce la posibilidad de retroceso. Cuanto mayor sea el número de contactos de derivación secundaria, menor será la resistencia del sustrato y, por lo tanto, menor será la posibilidad de retroceso.

La Figura 5 ilustra la colocación de una pluralidad de contactos de derivación secundaria 502-1, 502-2, 502-3,..., 502-n en una matriz de expulsión de fluido 500, de acuerdo con un ejemplo. Dado que el registro de selección de fila 504, el registro de selección de columna 506 y el registro de selección de banco 508 están dispuestos en un extremo del grupo de bancos EM 510-1, ..., 510-n, denominados colectivamente bancos EM 510, el área a cada lado de los bancos EM 510, es decir, en el lado izquierdo 512 y el lado derecho 514, está vacante. Por lo tanto, los contactos de derivación secundaria se pueden disponer en ambos lados de los bancos EM 510-1, ..., 510-n. En particular, dado que el área a cada lado de los bancos EM 510-1, ..., 510-n está vacante, por lo tanto, para cada contacto de derivación secundaria dispuesto en un lado, por ejemplo, el lado izquierdo 512, de un banco EM, se puede disponer un contacto de derivación secundaria paralelo en el otro lado, por ejemplo, en el lado derecho 514, del banco EM. Con referencia a la Figura 5, para un contacto de derivación secundaria 502-1 dispuesto en el lado izquierdo 512 del banco EM 510-1, un contacto de derivación secundaria 502-2 está dispuesto en el lado derecho 514 y paralelo al contacto de derivación secundaria 502-1.

Dado que el presente tema permite proporcionar un gran número de contactos de derivación secundaria, el presente tema permite una disminución considerable de la resistencia del sustrato, demostrando de esta manera ser eficaz para reducir el retroceso. Además, el aumento en el número de contactos de derivación secundaria también permite reducir el ruido del transistor NPN parásito. En otras palabras, el presente tema puede reducir la sensibilidad de un cabezal de impresión a la resistividad del sustrato.

Aunque se han descrito implementaciones de aspectos de disposición de bancos de memoria y registros de selección en lenguaje específico de características y/o métodos estructurales, debe entenderse que el presente tema no se limita necesariamente a las características o métodos específicos descritos. Más bien, las características y los métodos específicos se describen y explican como implementaciones de ejemplo.

Claims

REIVINDICACIONES

i. Un cartucho de fluido de impresión (200) que comprende:

un depósito de fluido (202) para almacenar fluido;

una matriz de expulsión de fluido acoplada al depósito de fluido (202), la matriz de expulsión de fluido que comprende:

una pluralidad de boquillas (102, 206, 256) para expulsar gotas de fluido; una disposición de memoria que comprende:

una pluralidad de bancos de memoria (208, 308, 404, 510) dispuestos sobre un sustrato para formar un grupo de bancos de memoria, cada banco de memoria que tiene unidades de memoria (110, 210), en donde uno de los bancos de memoria (208-n) está dispuesto en un extremo superior, uno de los bancos de memoria (208-1) está dispuesto en un extremo inferior, y los bancos de memoria restantes están dispuestos en serie entre los bancos de memoria en los extremos superior e inferior;

al menos un registro de selección en el sustrato, en donde el al menos un registro de selección es para generar una señal de selección para acceder a las unidades de memoria (110, 210) en la pluralidad de bancos de memoria (208, 308, 404, 510),

en donde el al menos un registro de selección está dispuesto en el extremo superior o en el extremo inferior del grupo de bancos de memoria (208, 308, 404, 510); en donde el al menos un registro de selección comprende:

un registro de selección de filas (302, 406, 504) para generar una señal de selección de filas;

un registro de selección de columna (304, 408, 506) para generar una señal de selección de columna; y un registro de selección de banco (306, 410, 508) para generar una señal de selección de banco, en donde la señal de selección de fila, la señal de selección de columna y la señal de selección de banco se enrutan a la pluralidad de bancos de memoria (208, 308, 404, 510) del mismo lado del grupo de bancos de memoria.
2. El cartucho de fluido de impresión (200) de la reivindicación 1, en donde las unidades de memoria (110, 210) son unidades de memoria, de memoria de sólo lectura programables eléctricamente, EM.
3. El cartucho de fluido de impresión (200) de la reivindicación 1, que comprende una pluralidad de contactos de derivación secundaria (502) a cada lado del grupo de bancos de memoria, en donde, para cada contacto de derivación secundaria en un lado del grupo de bancos de memoria (208, 308, 404, 510), un contacto de derivación secundaria paralelo está dispuesto en el otro lado del grupo de bancos de memoria, los contactos de derivación secundaria que conectan el sustrato a tierra.
4. El cartucho de fluido de impresión (200) de la reivindicación 1, que comprende:

una única línea de tierra (402) a un lado del grupo de bancos de memoria (208, 308, 404, 510); y una línea de conexión a tierra (420, 422, 424) para conectar la única línea de tierra (402) a dos bancos de memoria adyacentes (208, 308, 404, 510).
5. El cartucho de fluido de impresión (200) de la reivindicación 1, en donde al menos un registro de selección es un registro de desplazamiento (304, 306).
6. El cartucho de fluido de impresión (200) de la reivindicación 1, que comprende:

una línea de selección de filas conectada al registro de selección de filas (302, 406, 504) para proporcionar la señal de selección de filas;

una línea de selección de columna conectada al registro de selección de columna (304, 408, 506) para proporcionar la señal de selección de columna;

una línea de selección de banco conectada al registro de selección de banco (306, 410, 508) para proporcionar la señal de selección de banco; y

un bus de selección (420) conectado a la línea de selección de fila, la línea de selección de columna, la línea de selección de banco y la pluralidad de bancos EM (208, 308, 404, 510),

en donde la línea de selección de fila, la línea de selección de columna, la línea de selección de banco y el bus de selección (420) están en el mismo lado del grupo de bancos EM (208, 308, 404, 510).
7. El cartucho de fluido de impresión de la reivindicación 1, en donde las unidades de memoria están dispuestas en filas y columnas, en donde la pluralidad de registros de selección está configurada para seleccionar una fila de unidades de memoria (110, 210), una columna de unidades de memoria y un banco de memoria de la pluralidad de bancos de memoria (208, 308, 404, 510).
8. El cartucho de fluido de impresión de la reivindicación 1, en donde

el fluido es un material de impresión; y

la matriz de expulsión de fluido es un cabezal de impresión (254), el cabezal de impresión que comprende:

una línea de selección (268, 270, 318, 320) conectada a cada registro de selección de la pluralidad de registros de selección para proporcionar una señal de selección desde el registro de selección a cada uno de la pluralidad de bancos de memoria (208, 308, 404, 510), en donde la línea de selección conectada a cada uno de la pluralidad de registros de selección está dispuesta en el mismo lado del grupo de bancos de memoria.
9. El cartucho de fluido de impresión de la reivindicación 8, en donde la pluralidad de registros de selección comprende un registro de selección de fila, un registro de selección de columna (304, 408, 506) y un registro de selección de banco (306, 410, 508), y en donde la línea de selección (268, 270, 318, 320) conectada a cada uno de la pluralidad de registros de selección comprende una línea de selección de fila, una línea de selección de columna y una línea de selección de banco.
10. El cartucho de fluido de impresión de la reivindicación 8 o 9, que comprende un bus de selección (420) conectado a cada línea de selección (268, 270, 318, 320) y a cada uno de la pluralidad de bancos de memoria (208, 308, 404, 510), en donde el bus de selección está dispuesto en el mismo lado del grupo de bancos de memoria (208, 308, 404, 510) que cada línea de selección.