ES2277800A1 - Dispositivo para acoplar la luz de forma optima a una celula solar de banda intermedia realizada mediante puntos cuanticos. - Google Patents
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Abstract
Dispositivo para acoplar la luz a una célula solar (8) de banda intermedia realizada mediante puntos cuánticos que además concentra la luz. La energía de la luz que emite el material luminiscente (2) se elige para que produzca transiciones entre la banda de valencia y la banda de conducción de la célula. Los pigmentos del material luminiscente (6) se eligen para que los fotones emitidos produzcan transiciones desde la banda de valencia a la banda intermedia y desde ésta a la banda de conducción. Los cristales fotónicos (1) y (3) impiden que la luz emitida por la capa (2) escape. Los cristales fotónicos (4) y (5) impiden que la luz emitida por el material (6) escape. El dispositivo consta, además, de un reflector (7) y de un soporte (9).
Description
Dispositivo para acoplar la luz de forma óptima
a una célula solar de banda intermedia realizada mediante puntos
cuánticos.
Tecnología energética (conversores
fotovoltaicos), tecnología óptica (LEDs y láseres), instrumentación
de laboratorio (fotodetectores).
En una célula solar convencional, el valor de la
banda prohibida determina la corriente y el voltaje. Valores altos
producen bajas corrientes (hay pocos fotones absorbidos) y altos
voltajes y viceversa. Hay un óptimo que teóricamente está (para
iluminación solar isotrópica) hacia la banda prohibida del
silicio.
Según un procedimiento patentado por algunos de
los inventores de la presente invención (EP 1 130 657, A2 P9901278,
US 6,444,897), es posible conseguir simultáneamente altas
corrientes y altos voltajes mediante un material con una banda
intermedia (BI) (10) permitida en medio de la banda prohibida (11)
del semiconductor tal y como se ve en la Figura 2. La célula solar
se completa colocando el material (12) de banda intermedia entre
dos semiconductores ordinarios, uno tipo n (13) para contacto con
la banda de conducción (BC) (14) y otro tipo p (15) para contacto
con la banda de valencia (BV) (16). La banda intermedia queda así
aislada de los contactos metálicos, que en una célula solar están
situados típicamente en sus caras frontal (en forma de rejilla) y
posterior.
En esta célula, además del procedimiento
ordinario de bombeo de electrones de la BV a la BC mediante un
fotón de suficiente energía (17), debe considerarse el bombeo en dos
etapas, una de la BV a la BI y con un fotón de menor energía (18),
seguido del bombeo desde la BI a la BC mediante otro fotón de menor
energía (19). La eficiencia de conversión fotovoltaica máxima
posible con esta estructura se sitúa en el 63.2% a comparar con el
límite del 40.7% que poseen las células de una sola banda prohibida
o el 55.4% de las combinaciones de dos células de diversos
materiales. Naturalmente, el valor óptimo de la banda prohibida no
es ahora el del silicio (1.1 eV), sino que se sitúa en 1.96 eV con
las sub-bandas prohibidas de 0.74 y 1.21 eV.
La obtención de elevados voltajes depende de la
aparición de tres potenciales electroquímicos (o
quasi-niveles de Fermi) diferentes, uno para la
banda de valencia (20), otro para la de conducción (21) y el
tercero para la banda intermedia (22).
La construcción de la célula solar de banda
intermedia mediante tecnologías de puntos cuánticos (23) (ver
Figura 3) ha sido ya realizada, (A. Luque, A. Martí, C. Stanley, N.
López, L. Cuadra, D. Zhou and A. Mc- Kee, Journal of Applied
Physics, 96, pág. 903, 2004). En este dispositivo, la
banda intermedia surge a partir de los niveles energéticos de los
electrones confinados (24) en los puntos (ver Figura 4). Las células
solares de puntos cuánticos de banda intermedia han mostrado hasta
ahora rendimientos de hasta el 9%. Sin embargo el potencial es,
como se ha indicado, muy alto, y los bajos rendimientos obtenidos
se deben principalmente a la baja absorción de la banda intermedia
debida a la baja densidad de centros de absorción (menos de
10^{17} cm^{-3} del material de puntos cuánticos. El
dispositivo de esta patente se conduce a resolver este problema.
En otro orden de cosas, debe hacerse referencia
al desarrollo de los colectores luminescentes (J.A.Levitt and
W.H.Weber, "Materials for luminescent greenhouse solar
collectors" Appl.Optics, 16, 2684, 1977).
Posteriormente se registró la patente US 4.110.123 que describe
"un aparato para conversión de luz en energía eléctrica" que
incluye una gran superficie de material "teñido" con centros
fluorescentes que reemiten la radiación en una longitud de onda
superior a la incidente y con unas células fotovoltaicas que
absorben esa radiación. Dicha luz queda confinada dentro del
material citado mediante reflexión total interna, ya que el índice
de refracción del material es superior a la unidad, y espejos en
los laterales.
Las células fotovoltaicas están situadas en la
cara opuesta a la de la radiación entrante y se asegura la
incidencia de ésta en la célula por medio de estructuras grabadas en
la superficie expuesta a la radiación y metalizadas. La patente
incluye también otros medios de enfocar la radiación sobre las
células así como el uso de distintas especies luminiscentes y
distintas etapas de absorción. Esta patente también contempla la
colocación de las células solares en el lateral de la placa
teñida.
Otras patentes han ido introduciendo mejoras o
modificaciones sobre ese concepto en relación con el modo de
colocar las células y con el uso de varios pigmentos (US 4164432),
o en el sentido de colocar uno o varios materiales teñidos en
láminas delgadas adheridas detrás de la placa de material
transparente (US 2023633).
Cuando las anteriores patentes se registraron,
no se conocía apenas la capacidad de los puntos cuánticos para
producir radiación luminiscente del mismo modo que los pigmentos
orgánicos. Hoy es bien conocida (US6501091). La luminiscencia se
produce por transiciones entre los estados confinados y la banda de
valencia del semiconductor. Ajustando el tamaño de los puntos
cuánticos se puede determinar, hasta cierto punto, la posición del
nivel confinado y, en consecuencia, la longitud de onda de la
radiación luminiscente. En consecuencia, en los dispositivos
anteriores y en muchos otros, los puntos cuánticos pueden sustituir
a los pigmentos orgánicos con la ventaja añadida de su mayor
estabilidad y su capacidad de ajustar la longitud de onda a los
valores deseados. Sin embargo hay regiones del espectro que hoy no
están cubiertas por pigmentos de puntos cuánticos. Debe ponerse
énfasis, no obstante, en que la utilización de puntos cuánticos
para fabricar la célula de banda intermedia difiere completamente
de su uso como pigmento que acaba de describirse en este párrafo. En
el caso de la célula de banda intermedia se usan para implementar
electrónicamente esta banda, mientras que en los concentradores
descritos se usan como absorbedores de radiación y
re-emisores en una cierta longitud de onda.
Por último, son muy importantes las
contribuciones recientes que han permitido el desarrollo del
concepto de cristales fotónicos (J.D. Joannopoulos, R.D. Meade, J.N.
Winn, Photonic Crystals: Molding the flow of Light Princeton
University Press, 1995). Se trata de materiales en los que el
índice de refracción experimenta cambios periódicos siguiendo un
patrón regular que puede ser unidimensional (25), bidimensional (26)
o tridimensional (27) (ver Figura 5). En estos materiales, al igual
que ocurre con los electrones en los sólidos, se producen bandas
prohibidas de frecuencia en las que no se puede encontrar ninguna
onda extendida. Esto es particularmente cierto para los cristales
fotónicos tridimensionales. En los unidimensionales esto es cierto
para la dimensión del patrón periódico unidimensional pero siempre
es posible hallar ondas extendidas en las restantes dos dimensiones
perpendiculares a él. En los cristales fotónicos bidimensionales
podría haber frecuencias para las que no hay ondas extendidas en el
plano normal al patrón periódico bidimensional pero puede haberlas
para la dirección normal a este plano. Este conocimiento es de gran
utilidad para la invención que se presenta.
Como ya se ha señalado, las células solares de
banda intermedia de puntos cuánticos absorben la luz débilmente.
Esto se puede resolver acoplando la luz lateralmente. Para ello se
presenta el nuevo dispositivo para acoplar la luz de forma óptima a
una célula solar de banda intermedia realizada mediante puntos
cuánticos que además concentra la luz solar sobre dicha célula
solar (Figura 1). Consiste en un apilamiento de láminas
constituidas de arriba abajo por: (1) un cristal fotónico cuya banda
prohibida no permite el paso de la radiación emitida en la capa
inmediata inferior; (2) una capa de material luminiscente que emite
en una longitud de onda capaz de ser absorbida por la transición
desde la banda de valencia hasta la banda de conducción de una
célula solar; (3) un cristal fotónico idéntico al de la primera
capa; (4) un cristal fotónico cuya banda prohibida no permite el
paso de la radiación emitida por determinados pigmentos de la capa
inmediata inferior; (5) un cristal fotónico cuya banda prohibida no
permite el paso de la radiación emitida por otros pigmentos de la
capa inmediata inferior; (6) una capa de material luminiscente con
dos pigmentos, en la que uno emite en una longitud de onda capaz de
ser absorbida por la transición desde la banda de valencia hasta la
banda intermedia de una célula solar de banda intermedia, y el otro
en otra longitud de onda capaz de ser absorbida por la transición
desde la banda intermedia la hasta la banda de conducción; (7) un
espejo. Un conjunto de células solares de banda intermedia y
pequeñas dimensiones (8) se insertan en esta pila de capas de manera
que su cara superior quede en contacto con la capa luminiscente
superior y cuyo cuerpo quede embebido en las capas inferiores a
ella. Todo el conjunto se deposita sobre un sustrato (9) que puede
ser un circuito impreso de manera que en él se hacen las
interconexiones de las diversas células solares. Este sustrato
tendrá un área mayor que el de las células solares colocadas en
él.
Las células solares (8), que tienen un espesor
de unas 300 \mum aproximadamente, se pegan sobre el sustrato (9)
el cual se recubre de un espejo (7) (excluyendo o no la zona
recubierta por las células solares) o por una doble capa de
cristales fotónicos como la que luego serán las capas (3) y (4)
incorporadas inmediatamente encima de la segunda capa luminiscente
(2). Este sustrato tendrá un área mayor que el de las células
solares colocadas en él.
Sobre lo anterior, excluyendo la zona ocupada
por células solares, se coloca una capa de material transparente
(6) de espesor similar al de la célula, en el que se han dispersado
pigmentos luminescentes que puede ser moléculas orgánicas o puntos
cuánticos y cuya longitud de onda de luminiscencia se indicará más
adelante. A continuación, excluyendo de nuevo la zona ocupada por
células solares, se depositan tres capas (5), (4) y (3) que son
cristales fotónicos con las características que se describen más
adelante.
En este momento, la cota de la superficie de la
célula está aproximadamente enrasada ya que en ciertas partes está
ocupada por células solares y en otras por las capas de material
luminiscente y cristales fotónicos ya citados anteriormente. Sobre
esta superficie, y sin excluir ahora la parte cubierta por la
célula solar, se deposita una nueva capa de material transparente
(2) cargado con nuevos pigmentos luminiscentes de distinta longitud
de onda de emisión y encima se deposita un nuevo cristal fotónico
(1) de características diferentes a los de las capas (4) y (5) que
se especificarán más adelante.
En planta se muestra en la Figura 6 la
distribución de las células solares sobre todo el conjunto.
Se procede ahora a determinar las
características de los pigmentos luminescentes y de los cristales
fotónicos de las diversas capas. La célula solar de banda intermedia
está caracterizada por las tres curvas de absorción (28), (29) y
(30) que se indican en la Figura 7 (abscisas: longitudes de onda en
nanómetros; ordenadas: unidades arbitrarias), correspondientes
respectivamente a transiciones (17), (18), y (19) de la Figura 1. En
la Figura 7 aparece también como referencia el espectro de emisión
del sol (31).
\newpage
Los pigmentos luminescentes de la capa (2) de la
Figura 1, que, por distinguirlos de otros, en esta patente se
denominan PV (pigmentos en el visible), deben emitir según el
diagrama de emisión representado en la curva (32) de la Figura 8. Su
emisión debe ocurrir a las mayores longitudes de onda compatibles
con una absorción casi total por la banda de absorción (28)
correspondiente a las transiciones BV \rightarrow BC. Su espectro
de absorción viene dado por la curva (33).
Debe entenderse que las curvas de absorción y
luminiscencia de éste y los demás pigmentos que van a tratarse aquí
son en unidades arbitrarias y que las unidades de la curva de
absorción y de la de emisión no están relacionadas. En los buenos
pigmentos la mayoría de los fotones absorbidos se reemiten como
radiación luminiscente. Por otra parte, la absorción de fotones es
casi total en la región de absorbancia no nula, suponiendo que la
concentración de pigmento en la lámina luminiscente y su espesor son
lo suficientemente altos.
Por lo que se refiere a los cristales fotónicos,
deben ser cristales tridimensionales ya que son éstos los que
tienen la virtud de comportarse totalmente como un espejo (en teoría
sin pérdidas) para los fotones incidentes en cualquier dirección
con tal de que la frecuencia (energía) de estos fotones incidentes
se encuentre en la banda prohibida de frecuencias (energías) del
cristal fotónico.
Para el cristal fotónico superior (1) de la
Figura 1, se presenta en la Figura 8 (abscisas: longitudes de onda;
ordenadas: unidades arbitrarias) la transmitancia espectral (34) que
es la unidad para la mayor parte del espectro y cero para la banda
prohibida. La banda prohibida debe comprender la mayor parte del
espectro de emisión (32) de los pigmentos de la capa (2) y no más.
De esta manera los fotones de la luz incidente que están fuera de
dicha banda prohibida penetran en la capa (2) de la Figura 1, que es
una capa luminiscente, donde los de longitud de onda inferior a la
banda prohibida del cristal fotónico (1) son absorbidos (idealmente
en su totalidad) por los pigmentos luminiscentes con espectro de
absorción (33).
La capa (3) está formada por el mismo cristal
fotónico que la capa (1).
Los pigmentos luminiscentes de la capa (6) de la
Figura 1 son de dos clases. La primera de ellas, que se denominará
PIP (pigmentos en el infrarrojo próximo), debe emitir según aparece
en la curva (35) de la Figura 9 (abscisas: longitudes de onda;
ordenadas: unidades arbitrarias), es decir, su emisión debe ocurrir
a las mayores longitudes de onda compatibles con una buena
absorción de esta radiación por la banda de absorción (29)
correspondiente a las transiciones BV \rightarrow BI. La absorción
de estos pigmentos viene dada por la curva (36) y deben absorber la
parte del espectro solar (que está también dibujado en la Figura 9
para referencia) de longitudes de onda inferiores a la emisión
luminiscente. Para alguna de las reivindicaciones de la presente
patente seria de desear que no absorbieran la radiación que permite
transiciones BV \rightarrow BC, cuya absorción está representada
por la curva (28).
Asociado a este pigmento luminiscente hay un
cristal fotónico, colocado en la capa (4) o en la (5) cuya banda
prohibida debe coincidir con el espectro de emisión del pigmento.
Su transmitancia espectral aparece en la Figura 9 como curva (37) y
su banda prohibida, con transmitancia cero, se encuentra entre los
dos lugares en los que la cifra (37) está colocada.
El espectro de luminiscencia del segundo
pigmento, que se denomina PIM (pigmento en el infrarrojo medio),
del que se podría prescindir en una versión simplificada, aparece
en la Figura 9 con el número (38), y el de absorción con el número
(39). Idealmente la emisión de este pigmento debe ocurrir a
longitudes de onda un poco inferiores al borde de absorción de la
curva (30) correspondiente a las transiciones BI \rightarrow BC.
El pigmento debe absorber la luz no absorbida por los pigmentos
anteriores, particularmente para las longitudes de onda por encima
del borde de absorción de la curva (29) correspondiente a las
transiciones BV \rightarrow BI. Asociado a este pigmento hay un
cristal fotónico de transmitancia (40) cuya banda prohibida se
sitúa en la región de emisión luminiscente de este pigmento, el
cual se coloca en la capa (5) o en la (4) de la Figura 1.
El funcionamiento de este dispositivo es como
sigue:
Los fotones de la luz solar inciden en su cara
superior (1) constituida por un cristal fotónico con transmitancia
(34). Exceptuando las longitudes de onda de la banda prohibida, los
fotones atraviesan esta capa y penetran en la capa (2) que tiene
incluidos pigmentos luminiscentes (PV) que la absorben según (33);
en consecuencia, si la capa (2) tiene la suficiente cantidad de
pigmentos, los fotones de longitud de onda inferior a la banda
prohibida del cristal fotónico de la capa (1) quedan totalmente
absorbidos y son reemitidos como radiación luminiscente a
longitudes de onda (32) en la banda prohibida del cristal fotónico
(1). Estos fotones se reflejan perfectamente en la capa superior
(1) y lo mismo en el cristal fotónico de la capa (3), que es
idéntico. De este modo estos fotones sólo pueden desaparecer por
absorción en células solares (8) que constituyen una fracción de la
superficie del dispositivo, por lo cual se establece un balance
entre la generación de fotones luminiscentes y la absorción de los
mismos por las células solares que se resuelve aumentando la
densidad de fotones confinados en la capa (2), ya que la tasa de
absorción por la célula solar es proporcional a esta densidad.
Cuanto menor sea la superficie de células
solares respecto a la del dispositivo en su conjunto, mayor será
esta densidad de fotones. Es decir, el dispositivo se comporta
realmente como un concentrador luminiscente, mejorado por el elevado
confinamiento que le puede proporcionar el cristal fotónico.
Los fotones de longitud de onda superior a la
banda prohibida del cristal fotónico (1) la atravesarán y pasarán a
la capa (2), en la que idealmente no sufrirán absorción alguna por
los pigmentos en ella presentes, por ser su longitud de onda
demasiado larga, y atravesarán también el cristal fotónico (3). A
continuación, los fotones con longitud de onda correspondientes a
los fotones de las bandas prohibidas de los cristales fotónicos de
las capas (4) y (5) serán reflejados por las mismas y terminarán
probablemente escapándose por la cara frontal y perdiéndose para la
conversión (de ahí que las bandas prohibidas de los cristales
fotónicos deban ser lo más estrechas posible). Los restantes (los
de longitud de onda superior a la banda prohibida del cristal
fotónico (1)) pasarán a la capa (6) que tiene dos tipos de
pigmentos: PIP y PIM. Ambos pigmentos absorberán estos fotones de
acuerdo con sus curvas de absorción (36) y (39). Idealmente, igual
número de fotones (en la práctica algunos menos) serán reemitidos
según las curvas (35) y (38) respectivamente y quedarán confinados
en la capa (6) entre los cristales fotónicos de las capas (4) y (5)
y el espejo de la capa (7). De este modo sólo podrán desaparecer
por absorción en las células solares (6) en las que estos fotones
pueden penetrar por las caras laterales. De esta manera se
establecerá un balance para cada longitud de onda entre la
absorción de fotones por los pigmentos según (36) y (39) y la
absorción por las células de los fotones emitidos según (35) y (38)
respectivamente mediante las curvas de absorción (29) y (30)
respectivamente.
Como ya se dijo antes, dichas curvas de
absorción corresponden a las transiciones BV\rightarrow BI y
BI\rightarrow BC respectivamente. La absorción para los fotones
que inciden en la célula frontalmente es muy débil porque la
densidad de puntos cuánticos es muy baja (menos de 10^{17}
cm^{-3}, frente a unos 5\times10^{22} cm^{-3} que
corresponde a las especies atómicas en el sólido) y el espesor de
la región de los mismos es pequeña, bastante inferior a 1 \mum.
En cambio, con la iluminación lateral, el espesor atravesado por los
fotones es del orden del lado de la célula solar, que al menos es 1
mm, es decir, más de mil veces más, y con frecuencia del orden de
diez mil veces más.
Por otra parte, el área de colección de fotones
es mucho mayor que el área de célula, por lo que también aquí hay un
notable efecto de concentración.
Es posible realizar varias variantes de la
invención. La más obvia es que puede utilizarse con otras células
solares distintas de las células solares de banda intermedia
realizada mediante puntos cuánticos. En otras variantes puede
incrementarse o disminuirse el número de capas de cristales
fotónicos y de materiales luminescentes, adaptándolas, por ejemplo,
a las características de las células solares que se empleen o
sacrificando, quizá, prestaciones, a cambio de una mayor facilidad
en la fabricación. En esta línea podría utilizarse una única capa
luminiscente rodeando completamente a las células solares en la que
se dispersen todos los pigmentos, y en el que se eliminan todos o
parte de los cristales fotónicos intermedios y se colocan en la cara
superior en lugar del que ya estaba en esa cara. Por otro lado, el
espejo (7) puede también sustituirse por una doble capa de
cristales fotónicos como los de las capas (4) y (5) de cristal
fotónico inmediatamente encima de la segunda capa luminiscente, en
particular si el espesor de los materiales luminescentes (2) y (6)
es suficiente para garantizar la absorción de fotones que proceden
del Sol. También pueden utilizarse más pigmentos en los materiales
luminiscentes de los hasta ahora indicados si se desea acoplar
longitudes de onda adicionales a las células solares cuando, por
ejemplo, se utilicen células solares de banda intermedia que
consten de más de una banda intermedia (10).
Como ejemplo de estas variantes, es posible
eliminar el primero de los cristales fotónicos (3) del grupo de
tres entre las dos capas luminiscentes (2) y (6). En ese caso, los
fotones luminiscentes emitidos según (32) penetraran en las capas
inferiores a través de las capas (4) y (5) con la excepción de los
de longitud de onda en las bandas prohibidas (37) y (40) de los
cristales fotónicos de dichas capas.
Los que penetran serán absorbidos por los
pigmentos de la capa (6) según las curvas de absorción (36) y (39).
Idealmente esta absorción debe ser muy pequeña, como se muestra en
la Figura 10. Si no lo fuera, reduciría la densidad de fotones en
estas longitudes de onda ya que competirían con las células solares
en su absorción, pero la absorción por los pigmentos PIP y PIM
causaría su reemisión parcial a las longitudes de onda (35) y (38)
y su absorción por la célula por las curvas (29) y (30). De todas
maneras, esta absorción hace que mucha de la energía de estos
fotones se pierda en procesos irreversibles de termalización en la
célula solar.
En consecuencia, en el caso ideal, los fotones
pueden o no (si tienen la longitud de onda de una banda fotónica
prohibida de las capas (4) y (5)) atravesarlas y penetrar en la capa
(6), pero ello no implica ninguna pérdida, y el dispositivo,
respecto a los fotones de longitud de onda inferior a la banda
prohibida fotónica del cristal (1), se comportan como en el caso de
existir el cristal fotónico de la capa (3).
Figura 1: Esquema del dispositivo para acoplar
la luz de forma óptima a una célula solar de banda intermedia por
puntos cuánticos. (1) cristal fotónico, (2) capa luminiscente, (3)
cristal fotónico, (4) cristal fotónico, (5) cristal fotónico, (6)
capa luminiscente, (7) espejo, (8) células solares de banda
intermedia de puntos cuánticos, (9)
substrato.
substrato.
Figura 2: Diagrama de bandas de una célula solar
de banda intermedia. (10) banda intermedia, (11) banda prohibida
del semiconductor, (12) material de banda intermedia, (13) región n
para contacto con la banda de conducción, (14) banda de conducción,
(15) región p para contacto con la banda de valencia, (16) banda de
valencia, (17) transición de un electrón de la banda de valencia a
la de conducción bombeada por un fotón, (18) transición de un
electrón de la banda de valencia a la intermedia bombeada por un
fotón, (19) transición de un electrón de la banda intermedia a la de
conducción bombeada por un fotón, (20) quasi-nivel
de Fermi de los electrones en la banda de valencia, (21)
quasi-nivel de Fermi de los electrones en la banda
de conducción, (22) quasi-nivel de Fermi de los
electrones en la banda intermedia.
Figura 3: Esquema de una célula solar de banda
intermedia de puntos cuánticos. (12) capa de material de banda
intermedia, (13) capa de semiconductor tipo n, (15) capa de
semiconductor tipo p, (23) puntos cuánticos, (39) substrato
semiconductor sobre el que se crecen las capas aludidas.
Figura 4: Diagrama de bandas de una célula solar
de banda intermedia de puntos cuánticos. (12) material de banda
intermedia, (13) región n para contacto con la banda de conducción,
(15) región p para contacto con la banda de valencia, (16) banda de
valencia, (23) energía potencial en los puntos cuánticos, (24)
niveles de energía de los estados electrónicos confinados en los
puntos cuánticos, que en esta célula solar forman la banda
intermedia.
Figura 5: Ejemplos de cristales fotónicos. (25)
monodimesionales, (26) bidimensionales, (27) tridimensionales.
Figura 6: Vista en planta de la posición de las
células solares en el dispositivo de la invención. (1) cristal
fotónico de entrada; debajo están todas las capas de la Figura 1,
(8) células solares.
Figura 7: Ejemplo idealizado de las absorbancias
espectrales de las transiciones electrónicas en una célula solar de
banda intermedia. (28) transición de la banda de valencia a la de
conducción, (29) transición de la banda de valencia a la intermedia,
(30) transición de la banda intermedia a la de conducción, (31)
espectro de la radiación solar presentado como referencia. El eje
de abscisas representa la longitud de onda de los fotones expresada
en nanómetros y el eje de ordenadas está expresado en unidades
arbitrarias.
Figura 8: Ejemplo idealizado de las absorbancias
espectrales de las transiciones electrónicas en una célula solar y
de la de un pigmento luminiscente en el visible, luminiscencia de
este pigmento, y transmitancia del cristal fotónico de la capa (1) o
de la (3) de la Figura 1. (28) transición de la banda de valencia a
la de conducción, (29) transición de la banda de valencia a la
intermedia, (30) transición de la banda intermedia a la de
conducción, (32) luminiscencia del pigmento, (33) absorbancia del
pigmento, (34) transmitancia en el cristal fotónico. El eje de
abscisas representa la longitud de onda de los fotones en unidades
arbitrarias.
Figura 9: Ejemplo idealizado de las absorbancias
espectrales de las transiciones electrónicas en una célula solar y
de la de pigmentos luminiscentes en el infrarrojo próximo y medio,
luminiscencia de estos pigmentos, y transmitancia de los cristales
fotónicos de las capas (4) y (5) de la Figura 1. (28) transición de
la banda de valencia a la de conducción, (29) transición de la
banda de valencia a la intermedia, (30) transición de la banda
intermedia a la de conducción, (35) luminiscencia del pigmento en el
infrarrojo próximo, (36) absorbancia del pigmento en el infrarrojo
próximo, (37) transmitancia en el cristal fotónico de la capa (4),
(38) luminiscencia del pigmento en el infrarrojo medio, (39)
absorbancia del pigmento en el infrarrojo medio, (40) transmitancia
en el cristal fotónico de la capa (5). El eje de abscisas representa
la longitud de onda de los fotones en unidades arbitrarias.
Figura 10: Ejemplo idealizado de las
absorbancias espectrales de las transiciones electrónicas en una
célula solar y de la de pigmentos luminiscentes en el infrarrojo
próximo y medio, luminiscencia de un pigmento en el visible. (28)
transición de la banda de valencia a la de conducción, (29)
transición de la banda de valencia a la intermedia, (30) transición
de la banda intermedia a la de conducción, (32) luminiscencia del
pigmento en el visible, (36) absorbancia del pigmento en el
infrarrojo próximo, (39) absorbancia del pigmento en el infrarrojo
medio. El eje de abscisas representa la longitud de onda de los
fotones en unidades arbitrarias.
Figura 11: Esquema de la estructura del cristal
fotónico usado el modo de realización de la invención presentado
mostrando las barras de silicio nanomecanizadas que lo constituyen.
Se muestran cotas.
Figura 12: Densidad de estados fotónicos del
cristal fotónico de la Figura 11, en unidades arbitrarias, en
función del parámetro a/\lambda_{0}(\lambda_{0}:
longitud de onda en el vacío de la radiación), siendo a la
dimensión (43) de la Figura 11 para el caso en que se den los
siguientes cocientes entre cotas: (43)/(41)=1.414, (42)/(41)=0.28.
Se aprecia la banda prohibida como un cero de densidad de estados
entre a/\lambda_{0}=0.46 y a/\lambda_{0}=0.56.
La realización específica que aquí se considera
es una de entre las muchas que la presente invención puede
adoptar.
Se usan células solares de banda intermedia
mediante puntos cuánticos, tal y como se explica en A. Martí, L.
Cuadra, & A. Luque, IEEE Trans. Electron Devices,
48, 2394 (2001) hechas de capas tipo p (15) y n (13) (ver la
Figura 3) de Al_{0 . 4}Ga_{0 . 6}As, con banda prohibida
electrónica de 1.95 eV, depositado sobre una oblea monocristalina de
GaAs (39), con el que el Al_{0 . 4}Ga_{0 . 6}As tiene una
constante de red muy similar (0.566 nm). Entre las zonas p y n se
habrá depositado una capa de material de banda intermedia (23)
formado por el mismo Al_{0 . 4}Ga_{0 . 6}As en el que se han
formado puntos cuánticos de In_{0 . 58}Ga_{0 . 42}As cuya banda
prohibida es 0.87 eV. El tamaño de dichos puntos cuánticos será de
7.8 nm de diámetro, con lo que el nivel confinado que forma la BI se
encuentra 0.71 eV por debajo de la BV. Estos valores se aproximan a
los óptimos de 1.96 y 0.74 para la banda prohibida y el nivel
confinado respectivamente.
Por lo que se refiere a cristales fotónicos
tridimensionales, se usarán los descritos por S. Y. Lin, J. G.
Fleming, D. L. Hetherington, B. K. Smith, R. Biswas, K. M. Ho, M. M.
Sigalas, W. Zubrzycki, S. R. Kurtz & Jim Bur, Nature,
394, 251 (1998).
Este cristal fotónico está fabricado depositando
múltiples capas de silicio que luego, mediante fotolitografía, se
atacan de forma localizada y disolviendo luego las fotorresinas
sobrantes, formando así una estructura regular de barras de silicio
rodeadas de zonas vacías tal y como se muestra en la Figura 11.
Sobre tal capa se deposita una segunda capa que se somete al citado
proceso fotolitográfico, pero esta vez con las barras cruzadas. Se
deposita una tercera capa, pero ahora las barras se graban paralelas
a las de la primera capa y desplazadas de manera que sus centros se
sitúan en los centros de los huecos de la primera capa de barras.
Una cuarta capa se deposita de nuevo grabándose ahora con las
barras cruzadas pero desplazadas, para que los centros de las
barras coincidan con el centro del hueco de la estructura cruzada
inferior. Por último, la quinta capa reproduce exactamente la
primera, continuándose así en una estructura periódica con cuatro
capas de periodo.
Esta estructura puede presentar una banda
prohibida fotónica tal y como se muestra en la Figura 12, que
representa en la curva (44) la densidad de estados (o modos)
fotónicos en función del cociente a/\lambda_{0} (en
realidad, esto es la frecuencia de los fotones debidamente
normalizada) donde a es la dimensión (43) de la Figura 11 y
\lambda_{0} es la longitud de onda de los fotones en el vacío. Se
aprecia un cero de densidad de estados entre
a/\lambda_{0}=0.46 y a/\lambda_{0}=0.56 (que
corresponde a longitudes de onda de 2.17a y 1.79a
respectivamente). La curva de la Figura 12 corresponde al caso en el
que el medio denso -el silicio- tenga un índice de refracción de
3.60, que la dimensión (43) sea 1.414 veces la dimensión (41) y que
la dimensión (42) sea 0.28 veces la dimensión (41). Aumentando este
último cociente (más silicio) se disminuyen ambos bordes
a/\lambda_{0} de la banda prohibida y se reduce su
diferencia hasta llegar a tocarse, extinguiéndose dicha banda. Por
el contrario, al disminuir dicho cociente aumentan los bordes,
reduciéndose también su diferencia hasta desaparecer. Obsérvese que
las longitudes de onda involucradas son proporcionales a las
dimensiones de la estructura del cristal fotónico de silicio.
Aunque un cristal fotónico debe ser en teoría infinito, las ocho
capas que se muestran en la Figura 11 dan lugar a un funcionamiento
muy parecido al teórico.
Como pigmento luminiscente PV de la capa (2) se
usa el pigmento de puntos cuánticos comercial NanoDot 610 de Nanoco
(puntos cuánticos de CdSe con un tamaño de 4.3 nm de diámetro).
Dichos pigmentos emiten a 590 nm, lo que corresponde a una energía
de fotones de 2.101 eV, que es suficiente para ser absorbido en la
transición BV\rightarrowBC de la del A_{0 . 4}Ga_{0 . 6}As
(1.95 eV) y tiene su máximo de absorción a 575 nm, aunque la
absorción se extiende luego en todo el rango de longitudes de onda
cortas. Los espectros de absorción y de emisión de ese pigmento son
los que aparecen respectivamente en las curvas (33) y (32) de la
Figura 8.
Para el cristal fotónico de las capas (1) y (3)
se usa un valor de a=325 nm, con lo que la banda prohibida
se extiende entre 582 y 705 nm. Las barras de silicio deberán ser de
325/4=81.25 nm de alto por 0.28\times325/1.414 =64.4 nm de ancho,
por lo que los grabados necesarios deberán hacerse a partir de
micromecanizado con haz de electrones en lugar de por fotolitografía
óptica clásica.
Con estas dimensiones, el corte en longitudes de
banda cortas se adapta muy bien a las longitudes de onda cortas,
bloqueando la salida de la emisión luminiscente sin bloquear la
entrada de radiación incidente en la zona de máxima absorción. En
cambio, el otro extremo de mayor longitud de onda de la banda
prohibida se extiende más de lo necesario para confinar la cola de
la radiación luminiscente. El proceso puede optimizarse reduciendo
la banda prohibida. Para ello se reducirá un poco la densidad de
silicio del cristal fotónico (cociente (42)/(41)) y se aumentará un
poco el valor de a hasta ajustar de nuevo a 582 nm el borde
inferior de la banda, lo que facilita la fabricación.
Como pigmento PIP de la capa (6) se usa el
pigmento ADS775PI de la American Dye Source Inc.
(2-[2-[2-chloro-3-[(1,3-dihydro-3,3-dimethyl-1-propyl-2Hindol-2-ylidene)-ethylidene]-1-cyclohexen-1-yl]-ethenyl]-3,3-dimethyl-1-propylindolium
iodide]), que tiene su emisión a 815 nm y su pico de absorción a
770 nm. La longitud de onda de luminiscencia de este pigmento es
adecuada para ser absorbida por la transición BV\rightarrowBI de
la célula de puntos cuánticos, cuya energía mínima de absorción es
de 1.95-0.71=1.24 eV o 1.000 nm de longitud de
onda.
El cristal fotónico de la capa (4), del mismo
tipo descrito en la Figura 11, tiene un parámetro a=447 nm,
con lo que la longitud de onda de corte inferior será 800 nm, lo
que permite confinar en la capa (4) los fotones de longitud de onda
emitidos por el ADS775PI y deja pasar la radiación más absorbida
por el mismo. La frecuencia de corte superior está en 969 nm, lo
que de nuevo es un poco alto, pudiendo optimizarse las prestaciones
del dispositivo con un rediseño del cristal fotónico reduciendo un
poco la densidad de silicio del cristal fotónico y aumentando un
poco el valor
de a.
de a.
En el dispositivo fabricado siguiendo las
instrucciones específicas aquí establecidas las barras de silicio
tienen una altura de 112 nm y una anchura de 89 nm.
Para las absorciones por la transición BI
\rightarrow BC, de 0.71 eV correspondiente a 1.764 nm, se usa
como pigmento PIM un pigmento de puntos cuánticos de PbSe de la
firma Evident Technolgies, color Java, con 5.5 nm de tamaño
aproximado de nanocristal, longitud de onda de emisión 1.630 nm y
pico de absorción a 1.550 nm.
Para el confinamiento se esta luz se usa el
cristal fotónico de la Figura 11 poniendo el borde inferior de
absorción a 1.690 nm, para lo que el parámetro a=994 nm. De
este modo el borde superior de absorción es 2.048 nm, más de lo
necesario, pero que en este caso no es ningún inconveniente, ya que
los fotones de energía inferior a 0.71 eV ya no se van a
aprovechar. Las dimensiones de la barras de silicio en este caso son
236 nm de alto y 197 nm de ancho.
Por último, en la cara inferior se pone un
recubrimiento de oro evaporado que tiene buena reflexión al
infrarrojo para evitar la pérdida de fotones por dicha cara.
La aplicación industrial más directa del
dispositivo objeto de la invención es la conversión de la energía
solar en electricidad de manera barata y eficiente. Así, en efecto,
el dispositivo es un concentrador que envía a un conjunto de células
solares caras, pero pequeñas, la energía recolectada en una área
mucho más grande, y que esto se consigue por la captura de la luz
mediante pigmentos luminiscentes mucho más baratos dispersados en
materiales plásticos de coste también bajo. Es cierto que la
fabricación de los cristales fotónicos que se ha descrito es
laboriosa, pero en realidad no contienen ningún elemento material
de elevado coste, ya que están hechos de silicio que ni siquiera
tiene que ser de alta pureza ni monocristalino, de manera que, de
conseguirse un mercado como el que se asocia a la explotación
masiva de la energía solar, se justificaría la construcción de las
máquinas de fotolitografía necesarias con gran capacidad de
producción, lo que haría barato su uso.
Por lo que se refiere al rendimiento, ya se ha
mencionado la capacidad de elevado rendimiento que tiene la célula
de banda intermedia. Las de puntos cuánticos son las únicas
realizadas hasta la fecha, pero tropiezan, como ya se dijo en la
introducción, con una dificultad fundamental que radica en la débil
absorción de los fotones por la capa de bajo espesor de puntos
cuánticos en las citadas células. La iluminación lateral que se
consigue con este dispositivo hace que la profundidad de la capa de
puntos cuánticos a atravesar se aumente en tres o cuatro órdenes de
magnitud, haciendo así viable la consecución de altos rendimientos
en células de banda intermedia de puntos cuánticos.
Como quiera que a la postre el agente colector
de luz de estas células son pigmentos que en ciertas ocasiones son
puntos cuánticos, se podría argüir que el problema es el mismo que
en la célula de puntos cuánticos, pero ése no es el caso, ya que
estos puntos cuánticos se dispersan en un plástico de bajo coste
sin función eléctrica en el que el espesor puede ser bastante
elevado, al menos de 300 \mum, mientras que en la célula solar,
por razones de preservar el funcionamiento eléctrico, el espesor no
puede superar hoy 0.2 \mum y no es previsible que nuca pueda
superar 1 \mum.
Claims (10)
1. Dispositivo para acoplar la luz de forma
óptima a una célula solar de banda intermedia realizada mediante
puntos cuánticos que además concentra la luz solar sobre dicha
célula solar. Consiste en un apilamiento de láminas constituidas de
arriba abajo por: (1) un cristal fotónico cuya banda prohibida no
permite el paso de la radiación emitida en la capa inmediata
inferior; (2) una capa de material luminiscente que emite en una
longitud de onda capaz de ser absorbida por la transición desde la
banda de valencia hasta la banda de conducción de una célula solar;
(3) un cristal fotónico idéntico al de la primera capa; (4) un
cristal fotónico cuya banda prohibida no permite el paso de la
radiación emitida por determinados pigmentos de la capa inmediata
inferior; (5) un cristal fotónico cuya banda prohibida no permite
el paso de la radiación emitida por otros pigmentos de la capa
inmediata inferior; (6) una capa de material luminiscente con dos
pigmentos, en la que uno emite en una longitud de onda capaz de ser
absorbida por la transición desde la banda de valencia hasta la
banda intermedia de una célula solar de banda intermedia, y el otro
en otra longitud de onda capaz de ser absorbida por la transición
desde la banda intermedia la hasta la banda de conducción (7); un
espejo. Un conjunto de células solares de banda intermedia y
pequeñas dimensiones (8) se insertan en esta pila de capas de
manera que su cara superior quede en contacto con la capa
luminiscente superior y cuyo cuerpo quede embebido en las capas
inferiores a ella. Todo el conjunto se deposita sobre un sustrato
(9) que puede ser un circuito impreso de manera que en él se hacen
las interconexiones de las diversas células solares. Este sustrato
tendrá un área mayor que el de las células solares colocadas en
él.
2. Dispositivo para acoplar la luz de forma
óptima a una célula solar de banda intermedia realizada mediante
puntos cuánticos según reivindicación 1 en el que el espejo (7)
está sustituido por una doble capa de cristales fotónicos como los
de las capas (4) y (5) de cristal fotónico inmediatamente encima de
la segunda capa luminiscente.
3. Dispositivo para acoplar la luz de forma
óptima a una célula solar de banda intermedia realizada mediante
puntos cuánticos según reivindicación 1 en el que se elimina el
primero de los cristales fotónicos (3) del grupo de tres entre las
dos capas luminiscentes (2) y (6).
4. Dispositivo para acoplar la luz de forma
óptima a una célula solar de banda intermedia realizada mediante
puntos cuánticos según reivindicación 3 en el que el espejo (7)
está sustituido por una cristal fotónico como el de las capas (4) y
(5).
5. Dispositivo para acoplar la luz de forma
óptima a una célula solar de banda intermedia realizada mediante
puntos cuánticos según reivindicación 1 en el que se eliminan todos
los cristales fotónicos intermedios y se colocan en la cara
superior en lugar del que ya estaba en esa cara.
6. Dispositivo para acoplar la luz de forma
óptima a una célula solar de banda intermedia realizada mediante
puntos cuánticos según reivindicación 5 en el que el espejo
inferior (7) se sustituye por todos cristales fotónicos idénticos a
los de la cara superior (4) y (5).
7. Dispositivo para acoplar la luz de forma
óptima a una célula solar de banda intermedia realizada mediante
puntos cuánticos según reivindicación 1 en el que se eliminan todos
los cristales fotónicos.
8. Dispositivo para acoplar la luz de forma
óptima a una célula solar de banda intermedia realizada mediante
puntos cuánticos según reivindicaciones 5, 6, ó 7 en el que sólo
hay una capa luminiscente rodeando completamente a las células
solares y en ella se dispersan todos los pigmentos descritos en
dichas reivindicaciones.
9. Dispositivo para acoplar la luz de forma
óptima a una célula solar de banda intermedia realizada mediante
puntos cuánticos según reivindicaciones 1 a 8 en los que se pongan
pigmentos luminiscentes adicionales a los descritos en ellas.
10. Dispositivo para acoplar la luz de forma
óptima a una célula solar de banda intermedia realizada mediante
puntos cuánticos según reivindicaciones 1 a 9 en el que las células
solares que se utilizan son células solares distintas de las
células solares de banda intermedia realizadas mediante puntos
cuánticos.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009147262A1 (es) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Universidad Politécnica de Madrid | Procedimiento de fabricación de dispositivos de banda intermedia mediante lámina delgada |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4164432A (en) * | 1978-08-09 | 1979-08-14 | Owens-Illinois, Inc. | Luminescent solar collector structure |
EP1130657A2 (en) * | 1999-06-09 | 2001-09-05 | Universidad Politecnica De Madrid | Intermediate band semiconductor photovoltaic solar cell |
JP2006330284A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 非相反デバイスおよび光電変換装置 |
US20070000536A1 (en) * | 2005-01-19 | 2007-01-04 | Yasha Yi | Light trapping in thin film solar cells using textured photonic crystal |
-
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-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4164432A (en) * | 1978-08-09 | 1979-08-14 | Owens-Illinois, Inc. | Luminescent solar collector structure |
EP1130657A2 (en) * | 1999-06-09 | 2001-09-05 | Universidad Politecnica De Madrid | Intermediate band semiconductor photovoltaic solar cell |
US20070000536A1 (en) * | 2005-01-19 | 2007-01-04 | Yasha Yi | Light trapping in thin film solar cells using textured photonic crystal |
JP2006330284A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 非相反デバイスおよび光電変換装置 |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
CUADRA, L., MART�, A. y LUQUE, A.: "Present status of intermediate band solar cell research". Thin Solid Films 451- 452, 22 de marzo de 2004. Preparation and Characterization, Elsevier Sequoia, Holanda. Pßginas 593-599. * |
CUADRA, L., MARTÍ, A. y LUQUE, A.: "Present status of intermediate band solar cell research". Thin Solid Films 451- 452, 22 de marzo de 2004. Preparation and Characterization, Elsevier Sequoia, Holanda. Páginas 593-599. * |
EVENSON, S. A. y RAWICZ, A. H.: "Thin-film luminescent concentrators for integrated devices: a cookbook". APPLIED OPTICS, Vol. 34, No. 31, 1 de noviembre de 1995. Optical Society of America. Páginas 7.302-7.306. * |
EVENSON, S. A. y RAWICZ, A. H.: "Thin-film luminescent concentrators for integrated devices: a cookbook". APPLIED OPTICS, Vol. 34, No. 31, 1 de noviembre de 1995. Optical Society of America. Pßginas 7.302-7.306. * |
LUQUE, A. et al.: "FULLSPECTRUM: a new PV wave making more efficient use of the solar spectrum". Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 87, mayo de 2005. Elsevier Science Publishers, Amstersam, Holanda. Páginas 467-479. * |
LUQUE, A. et al.: "FULLSPECTRUM: a new PV wave making more efficient use of the solar spectrum". Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 87, mayo de 2005. Elsevier Science Publishers, Amstersam, Holanda. Pßginas 467-479. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009147262A1 (es) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Universidad Politécnica de Madrid | Procedimiento de fabricación de dispositivos de banda intermedia mediante lámina delgada |
CN102117858A (zh) * | 2009-12-31 | 2011-07-06 | 杜邦太阳能有限公司 | 具有二维光子晶体的太阳能电池 |
CN102117858B (zh) * | 2009-12-31 | 2012-09-19 | 杜邦太阳能有限公司 | 具有二维光子晶体的太阳能电池 |
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