EP4702592A1 - Assemblage de composants électroniques et procédé de fabrication - Google Patents

Assemblage de composants électroniques et procédé de fabrication

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EP4702592A1
EP4702592A1 EP24720215.3A EP24720215A EP4702592A1 EP 4702592 A1 EP4702592 A1 EP 4702592A1 EP 24720215 A EP24720215 A EP 24720215A EP 4702592 A1 EP4702592 A1 EP 4702592A1
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EP
European Patent Office
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conductive ball
assembly
support
adhesion material
microelectronic
Prior art date
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Pending
Application number
EP24720215.3A
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German (de)
English (en)
Inventor
Damien CHALAVOUX
Bertrand Leverrier
Serge Parbaud
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thales SA
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Publication date
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Abstract

L'invention concerne un assemblage microélectronique (1) comprenant un composant microélectronique (10), un support (20) et un ensemble d'organes d'attache (30) fixant entre eux le composant microélectronique (10) sur le support (20), chaque organe d'attache (30) comprenant une bille conductrice (303) fixée au composant microélectronique (10) par un premier matériau d'adhésion (301) et au support (20) par un deuxième matériau d'adhésion (302), où pour au moins un des organes d'attache (20) le premier matériau d'adhésion (301) une zone centrale (331) de la surface de la bille conductrice (303) considérée selon un axe transversal à l'assemblage (1) est nu ou partiellement ou totalement recouvert par une couche du premier matériau d'adhésion (301) et/ou une couche du deuxième matériau d'adhésion (302) d'une épaisseur respective d'au maximum 10 nm.

Description

Description
Titre de l’invention : Assemblage de composants électroniques et procédé de fabrication
L’invention se situe dans le domaine des assemblages de composants électroniques, et concerne notamment des assemblages du type système en boîtier (« System in package » en anglais).
Les dispositifs microélectroniques tels que les puces à semi-conducteurs nécessitent un grand nombre de connexions électriques sur une petite surface. Par exemple, une puce semi-conductrice complexe peut comporter des centaines de contacts pour l'entrée et la sortie de signaux et pour l'alimentation électrique, le tout sur une surface de quelques cm2. Ces contacts doivent être connectés de manière fiable aux plages de contact correspondantes sur un substrat tel qu'un support de puce, un panneau de circuit ou un module multi-puces. La connexion entre la puce et le substrat doit répondre à de nombreuses exigences et souhaits, souvent contradictoires.
Notamment, elle doit être à la fois peu coûteuse et très fiable. Elle ne doit nécessiter qu'une surface minimale sur le substrat. Idéalement, la puce connectée doit être logée dans une zone du substrat approximativement égale à celle de la puce elle-même. Les connexions doivent être robustes et capables de résister à des changements répétés de la température de la puce et du substrat, ainsi qu'aux dilatations et contractions thermiques différentielles associées de la puce et du substrat. En effet, les composants électroniques ayant un coefficient de dilatation inférieur au substrat support, des déplacements relatifs dus aux variations de températures surviennent. Ainsi, les connexions demandent l’utilisation d’une interface mécanique souple et résistante aux déplacements.
En outre, les systèmes de connexion ne doivent pas imposer des exigences inhabituelles ou coûteuses dans la fabrication de la puce ou du substrat. Il est souhaitable que le système de connexion facilite les essais de la puce et du système de connexion lui-même, avant que la puce ne soit finalement assemblée au substrat. Enfin, les assemblages trois dimensions type système en boîtier nécessitent de maitriser les espaces entre carte de manière précise et répétable.
Toutes ces considérations, prises ensemble, représentent un formidable défi technique. Ces considérations sont présentes, à un degré plus ou moins élevé, dans d'autres connexions utilisées dans les dispositifs microélectroniques comme, par exemple, les connexions entre substrats ou panneaux de circuits. A cet effet, il est connu d’utiliser des technique de fixation par collage et/ou par brasures en combinaison ou non avec des éléments intermédiaires entre les parties à fixer.
Parmi, les colles, il est classiquement utilisé des colles époxy électriquement conductrices pour fixer les composants électroniques sur les substrats dans les systèmes en boîtier. Les colles époxy sont appliquées sur les pads de soudure sur le substrat. Les composants électroniques sont ensuite placés sur les pads de soudure et l'ensemble est chauffé pour durcir la colle époxy et créer une liaison solide entre les composants électroniques et le substrat.
Les colles peuvent également être appliquées pour renforcer une fixation des joints de soudure, notamment dans le cadre de composants microélectroniques avec une puce de grande surface sur un substrat organique. A cet effet, une colle (appelée « underfill » en anglais) est généralement appliquée après la fixation par brasure de la puce sur le substrat, et est injectée dans l'espace entre la puce et le substrat à l'aide d'une seringue ou d’un automate. Elle est ensuite durcie par chauffage ou par exposition à la lumière UV, créant ainsi une couche solide et résistante entre la puce et le substrat. Néanmoins, une telle fixation rend impossible la réparation de l’assemblage.
Il est également connu des techniques d'assemblage par brasure à l’aide de colonnes ou de billes où les composants électroniques sont fixés sur les colonnes ou les billes fixées sur un substrat. Les colonnes métalliques sont généralement en alliage de cuivre, mais peuvent également être en alliage d'or pour les applications à haute température. Les colonnes sont notamment en Pb90Sn10 pour assurer une fiabilité d’assemblage. Les billes peuvent être dans un alliage fusible, en céramique ou comprendre un cœur polymère rigide ou souple recouvert d’une sphère en métal, notamment en cuivre. L'assemblage est réalisé par brasure en utilisant une pâte de brasure, qui est placée sur les colonnes ou les billes et chauffée pour former des joints de brasure entre les colonnes et les pads de soudure sur le substrat. Néanmoins, l’utilisation du plomb ne sera plus possible lors de l’arrêt des exemptions de la Directive RoHS (« Restriction of Hazardous Substances ») de l'Union européenne concernant les alliages de plomb utilisés dans les soudures des composants électroniques haute performance pour les applications spatiales, militaires et médicales.
Le document US6204455 décrit l’utilisation de billes creuses insérées dans des ouvertures d’une feuille de diélectrique permettant d’empêcher la brasure de recouvrir entièrement la bille et de préserver sa souplesse au niveau de la feuille de diélectrique. Il est ainsi obtenu une meilleure déformation et donc une meilleure résistance aux variations de température. Néanmoins ce procédé d’assemblage présente un fort coût de production et des difficultés de mise en œuvre. Il nécessite en outre de nombreuses manipulations des billes préalablement au montage.
Il y a donc un besoin pour un assemblage de composants électroniques qui permettent d’obtenir d’excellente performance de résistance aux déplacements relatifs de ceux-ci ainsi qu’aux variations de températures, tout en réduisant les coûts de production. Il y a également un besoin pour une méthode d’assemblage qui ne soit pas spécifique de l’utilisation de colle ou de brasure, et qui permette une réparation de l’ensemble en cas de besoin.
A cet effet, l’invention concerne un assemblage microélectronique comprenant un composant microélectronique, un support et un ensemble d’organes d’attache fixant entre eux le composant microélectronique sur le support, chaque organe d’attache comprenant une bille conductrice fixée au composant microélectronique par un premier matériau d’adhésion et au support par un deuxième matériau d’adhésion, où pour au moins un des organes d’attache une zone centrale de la surface de la bille conductrice considérée selon un axe transversal à l’assemblage est nue ou partiellement ou totalement recouverte par une couche du premier matériau d’adhésion et/ou une couche du deuxième matériau d’adhésion d’une épaisseur respective d’au maximum 10 nm.
L’assemblage microélectronique selon l’invention utilise avantageusement peu de matériau d’adhésion, réduisant ainsi les coûts de production, tout en augmentant la résistance à l’effort des organes d’attache. Ainsi, la quantité réduite de matériau d’adhésion utilisée par rapport à l’art antérieur entraîne un faible recouvrement, voire aucun recouvrement, des billes au niveau de leur zone centrale, apportant de la souplesse aux organes d’attache et garantissant ainsi une limitation des contraintes mécaniques de l’assemblage. Notamment, le tiers central de chaque bille est faiblement recouvert, voire à nu. En outre, la répartition des matériaux d’adhésion au niveau des billes est obtenue sans alliage fusible et sans l’aide d’artifice de maintien, comme une feuille de diélectrique, simplifiant la production de l’assemblage. Enfin, l’assemblage selon l’invention peut être facilement désassemblé sans dégradation des composants, permettant leur réparation ou remplacement.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le composant microélectronique forme la partie supérieure de l’assemblage et le support forme la partie inférieure de l’assemblage, dans lequel pour au moins un des organes d’attache : au moins 95% du volume du premier matériau d’adhésion se situe entre le composant microélectronique et le tiers supérieur de la hauteur la bille conductrice considérée selon un axe transversal à l’assemblage, et au moins 95% du volume du deuxième matériau d’adhésion se situe entre le support et le tiers inférieur de la hauteur de la bille conductrice considérée selon un axe transversal à l’assemblage.
Selon un mode de réalisation de l’invention, pour au moins un des organes d’attache, le premier matériau d’adhésion comprend un étranglement disposé en regard du sommet de la bille conductrice et le deuxième matériau d’adhésion comprend un étranglement disposé en regard de la base de la bille conductrice, le sommet et la base de la bille conductrice étant considéré selon un axe transversal à l’assemblage.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le composant microélectronique forme la partie supérieure de l’assemblage et le support forme la partie inférieure de l’assemblage, dans lequel pour au moins un des organes d’attache le volume du premier et du deuxième matériau d’adhésion correspond respectivement à celui d’un cône tronqué comprenant un évidement. Notamment, ledit cône tronqué présente une base ayant un diamètre égal au diamètre de la bille conductrice et pour hauteur le tiers du diamètre de ladite bille conductrice et ledit évidement ayant pour forme une calotte sphérique ayant pour hauteur le tiers du diamètre de la bille conductrice.
Selon un mode de réalisation de l’invention, pour au moins un des organes d’attache, la bille conductrice comprend une sphère creuse en cuivre recouverte d’une couche de nickel, de préférence une couche de nickel moyen phosphore, de préférence encore le taux de phosphore est inférieur à 15%.
Notamment, la sphère en cuivre présente une épaisseur inférieure à 100 pm, en particulier inférieure ou égale à 50 pm, notamment encore de 15 à 20 pm.
Notamment, la couche de nickel présente une épaisseur inférieure à 10 pm, de préférence de 4 à 7 pm.
Selon un mode de réalisation de l’invention pour au moins un des organes d’attache, la bille conductrice comprend un revêtement dans un matériau choisi dans le groupe consistant en l’or, l’argent, le platine, le palladium et un alliage de plusieurs de ces matériaux.
L’invention concerne également un procédé de fixation d’un composant microélectronique à un support à l’aide d’organe d’attache d’un assemblage microélectronique tel que défini précédemment, le composant microélectronique et le support comprenant chacun une pluralité de pads de connexion, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) un premier dépôt d’un premier matériau d’adhésion sur chaque pad du composant microélectronique et d’un deuxième matériau d’adhésion sur chaque pad correspondant du support, b) un deuxième dépôt d’une bille conductrice sur le deuxième matériau d’adhésion de chaque pad correspondant du support, c) une mise en correspondance des pads du composant microélectronique avec les pads correspondant du support, et une mise en contact des premiers matériaux d’adhésion de chaque pad du composant microélectronique avec les billes conductrices, d) un chauffage adapté puis un refroidissement adapté de l’ensemble afin d’obtenir la formation des organes d’attache par la mise en forme et le durcissement des premiers et deuxièmes matériaux d’adhésion, entrainant ainsi la fixation du composant microélectronique au support, où lors de l’étape de premier dépôt a), pour au moins un des organes d’attache le volume déposé du premier et du deuxième matériaux d’adhésion sur les pads est adapté pour que lors de l’étape de chauffage d) une zone centrale de la surface de la bille conductrice considérée selon un axe transversal à l’assemblage soit nue ou partiellement ou totalement recouverte par une couche du premier matériau d’adhésion et/ou une couche du deuxième matériau d’adhésion d’une épaisseur respective d’au maximum 10 nm.
Selon un mode de réalisation de l’invention, pour au moins un des organes d’attache, le volume déposé du premier et du deuxième matériaux d’adhésion sur les pads correspond à celui d’un cône tronqué comprenant un évidement, de préférence ledit cône tronqué présente une base ayant un diamètre égal au diamètre de la bille conductrice et pour hauteur le tiers du diamètre de ladite bille conductrice et ledit évidement ayant pour forme une calotte sphérique ayant pour hauteur le tiers du diamètre de la bille conductrice.
Brève description des figures
L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre donnée uniquement à titre d’exemple et faite en se référant aux dessins annexés dans lesquels :
La figure 1 représente une vue de côté d’un assemblage microélectronique selon un mode de réalisation de l’invention.
La figure 2 représente une vue de côté de détail d’un organe d’attache de l’assemblage microélectronique de la figure 1 . Les bords d’une bille conductrice de l’organe d’attache sont représentés en pointillé lorsqu’ils sont cachés. La figure 3 représente une vue en coupe de l’organe d’attache de la figure 2.
La figure 4 représente en vis-à-vis le volume d’un matériau d’adhésion déposé pour la fabrication d’un organe d’attache de la figure 2 (en bas) et une vue en coupe d’une bille conductrice de l’organe d’attache de la figure 2 (en haut). Pour plus de clarté, la base du matériau d’adhésion est représenté grisée.
La figure 5 représente trois étapes (A, B et C) d’un procédé de fabrication de l’assemblage microélectronique de la figure 1 .
Description détaillée de l’invention
Les réalisations suivantes sont des exemples. Bien que la description se réfère à un ou plusieurs modes de réalisations, ceci ne signifie pas nécessairement que chaque référence concerne le même mode de réalisation, ou que les caractéristiques s’appliquent seulement à un seul mode de réalisation. De simplement caractéristiques de différents modes de réalisation peuvent également être combinées et/ou inter-changées pour fournir d’autres modes de réalisation.
L’invention se rapporte à un assemblage microélectronique 1 comprenant un composant microélectronique 10, un support 20 et un ensemble d’organes d’attache 30 fixant entre eux le composant microélectronique 10 et le support 20, comme représenté en Figure 1 .
Le composant microélectronique 10 forme la partie supérieure de l’assemblage 1. Le composant microélectronique correspond notamment à une puce, un microprocesseur, une mémoire vive dynamique, un microsystème électromécanique (« MEMS » en anglais) ou encore une mémoire flash.
Le support 20 forme la partie inférieure de l’assemblage 1. Le support 20 est notamment un circuit imprimé, un substrat céramique, un substrat organique issus de fabrication additive ou tout autres support de pistes conductrices.
Le composant microélectronique 10 et le support 20 comprennent chacun des pads de connexion 11 , 21 afin d’établir des connexions électriques entre ces éléments. Les organes d’attaches 30 sont disposés de sorte à connecter entre eux les pads 11 , 21. Ainsi chaque organes d’attache 30 a une double fonction de fixation du composant microélectronique 10 sur le support 20 et de connectivité électrique entre ces deux éléments 10, 20. Il est donc essentiel que chaque organe d’attache résiste aux contraires mécaniques et thermique afin d’éviter d’une part une séparation du composant microélectronique 10 du support 20, et d’autre part la perte de connexions électriques entre ces éléments qui peuvent rendre l’assemblage microélectronique 1 non fonctionnel.
Comme représenté sur la Figure 2, chaque organe d’attache 30 comprend un premier matériau d’adhésion 301 , un deuxième matériau d’adhésion 302 et entre les deux une bille conductrice 303.
Le premier et le deuxième matériau d’adhésion 301 , 302 sont notamment choisis parmi les brasures, en particulier les brasures à base d’étain, et les colles conductrices, en particulier les colles à base d’une résine époxyde.
Le premier matériau d’adhésion 301 attache le composant électronique 10 à la bille conductrice 303, et le deuxième matériau d’adhésion 302 attache le support 20 à la bille conductrice 303.
Au niveau du composant microélectronique 10 et du support 20, les matériaux d’adhésion 301 , 302 sont disposés au niveau des pads de connexion 11 , 21.
Le premier matériau d’adhésion 301 comprend ainsi une surface d’attache 310 avec le composant électronique 10.
De la même manière, le deuxième matériau d’adhésion 302 comprend une surface d’attache 320 avec le support 20.
L’invention implique une utilisation restreinte de quantité de chacun des matériaux d’adhésion 301 , 302 lors de la fabrication de l’assemblage 1 , décrit en détail plus loin.
Cette quantité restreinte de matériau a pour conséquence un recouvrement faible, total ou partiel, ou une absence de recouvrement, de la bille conductrice 303 par le premier et/ou le deuxième matériau 301 , 302 au niveau d’une zone centrale 331. Ainsi, comme il est visible sur la figure 2, la bille conductrice 303 peut être partiellement recouverte par les deux matériaux d’adhésion 301 , 302.
La zone centrale 331 correspond notamment au tiers central de la bille conductrice 303. Dans le mode de réalisation représenté, le tiers central 331 de la bille conductrice 303 est nu, c’est-à-dire qu’il n’est pas recouvert par le premier ou le deuxième matériau d’adhésion 301 , 302. Le tiers central 331 de la bille conductrice 303 est la surface s’étendant entre le tiers supérieur et le tiers inférieur de la bille 303 selon sa hauteur H. Par « hauteur de la bille conductrice », on entend le diamètre de la bille conductrice 303 considéré selon un axe transversal à l’assemblage 1. Selon un mode de réalisation avantageux de l’invention, la bille conductrice 303 est recouverte au maximum jusqu’à au tiers supérieur de sa hauteur H par le premier matériau d’adhésion 301 , et au maximum jusqu’au tiers inférieur de sa hauteur H par le deuxième matériau d’adhésion 302.
Selon un mode de réalisation alternatif, la bille 303 est recouverte au minium jusqu’à au tiers supérieur de sa hauteur H par le premier matériau d’adhésion 301, et/ou au minimum jusqu’au tiers inférieur de sa hauteur H par le deuxième matériau d’adhésion 302. En particulier, la bille 303 est entièrement recouverte par le premier et le deuxième matériau d’adhésion 301 , 302. Notamment le recouvrement de chacun des matériaux 301 , 302 s’arrête, en particulier sensiblement, au niveau de l’équateur de la bille 303 considéré selon sa hauteur H. Dans ces modes de réalisations, l’épaisseur respective des matériaux d’adhésion 301 , 302 au niveau du tiers central 331 est fine, c’est-à-dire moins de 10 nm, notamment moins de 7 nm, par exemple moins de 5 nm. Ainsi, au moins 95% du volume du premier matériau d’adhésion 301 peut se situer entre le composant microélectronique 10 et le tiers supérieur de la hauteur H de la bille 303, et au moins 95% du volume du deuxième matériau d’adhésion 302 peut se situer entre le support 20 et le tiers inférieur de la hauteur H la bille conductrice 303. Notamment, c’est au moins 97% de leur volume respectif, en particulier au moins 99%. La présence d’un recouvrement au niveau du tiers central de la bille conductrice 303 malgré une quantité restreinte de matériau d’adhésion 10, 20 utilisé peut être notamment dû à un effet de capillarité des matériaux d’adhésion 301 , 302 le long de la surface de la bille 303 lors de la fabrication de l’assemblage 1, comme il sera vu plus loin.
La quantité restreinte de matériau d’adhésion 10, 20 dans l’assemblage 1 peut également donner une forme particulière au premier et au deuxième matériau d’adhésion 301 , 302. Ainsi, selon un mode de réalisation de l’invention le premier matériau d’adhésion 301 comprend un étranglement 311 disposé en regard du sommet 332 de la bille conductrice 303 et le deuxième matériau d’adhésion 301 comprend un étranglement 321 disposé en regard de la base 333 de la bille conductrice 303. Le sommet 332 de la bille 303 est considéré comme le point le plus haut selon la hauteur H. La base 333 de la bille est considérée comme le point le plus bas selon la hauteur H. Ces étranglements 311 , 321 peuvent notamment être une conséquence de l’effet de capillarité des matériaux d’adhésion 301 , 302 le long de la surface de la bille conductrice 303 lors de la fabrication de l’assemblage 1.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, au moins un des organes d’attache 30 comprend un premier matériau d’adhésion 301 et un deuxième matériau d’adhésion 302 dont le volume respectif correspond à celui d’un cône tronqué 340 comprenant un évidement 341 , comme représenté en figure 3. Un tel volume permet d’optimiser l’adhésion de chaque matériau d’adhésion 301 , 302 à la bille conductrice 303 ainsi qu’à l’élément microélectronique 10 et au support 20 respectivement, tout en procurant de bonnes propriétés de résistance thermiques et mécaniques. L’évidement 341 correspond à l’emplacement de la bille conductrice 303 dans le matériau d’adhésion 301 , 302. Le diamètre dB de la base 342 du cône tronqué 340 est notamment choisi dans une plage allant d’un diamètre inférieure à 5% du diamètre D de la bille conductrice 303 à 10% du diamètre D. Notamment, le diamètre dB est égal au diamètre D. La hauteur hc du cône tronqué 340 est notamment inférieure ou égale au tiers H1/3 de la hauteur H de la bille conductrice 303, et notamment supérieure ou égale au quart de la hauteur H. Le diamètre ds du sommet 343 tronqué du cône 38 est notamment inférieur ou égal au diamètre dCs de la base d’une calotte sphérique ayant pour hauteur le tiers de celle de la bille conductrice 303, et notamment supérieure ou égal à au diamètre de la base d’une calotte sphérique ayant pour hauteur le quart de celle de la bille conductrice 303. Le diamètre ds est inférieur au diamètre dB. L’évidement 341 présente notamment un volume inférieur ou égal à celui d’une calotte sphérique ayant pour hauteur le tiers de celle de la bille conductrice 303, et notamment supérieure ou égal au volume d’une calotte sphérique ayant pour hauteur le quart de celle de la bille conductrice 303. Bien entendu, le volume de l’évidement 341 est limité par les dimensions de la hauteur hc du cône tronqué 340 et du diamètre ds de son sommet 343.
On se tournera désormais vers la figure 4, qui permet de mieux voir la bille conductrice 303. La bille conductrice 303 est apte à conduire un courant électrique. La bille conductrice 303 d’un organe d’attache 30 comprend notamment une sphère creuse 334 en cuivre recouverte d’une couche 335 de nickel, comme représenté en figure 4, qui permet d’obtenir une barrière de diffusion du cuivre dans les matériaux d’adhésion 301 , 302. La bille conductrice 303 présente ainsi un cœur 336 vide de sorte que ses propriétés de déformation sont augmentées comparées à l’emploi de sphère pleine ou creuse avec un cœur notamment en céramique, en métal ou encore en polymère. Les propriétés de déformation de la bille conductrice 303 couplée à la quantité restreinte de matériau d’adhésion 301 , 302 permet de décupler les propriétés de déformation des organes d’attache 30 et donc leur capacité de résistance aux efforts mécaniques et thermiques.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, l’épaisseur de la sphère 335 en cuivre est inférieure ou égale à 100 pm, notamment inférieure ou égale à 70 pm, particulièrement inférieure ou égale à 50 pm, en particulier inférieure ou égale à 30 pm, notamment encore de 12 à 20 pm. Diminuer l’épaisseur de la sphère 335 en cuivre permet d’augmenter les capacités de déformation de la bille conductrice, et donc la résistance de l’organe d’attache aux efforts mécaniques et thermiques. La couche 334 de nickel de la bille conductrice 303 peut notamment être une couche de nickel moyen phosphore. En particulier, la teneur en phosphore dans la couche de nickel moyen phosphore est inférieure ou égale à 15% en poids de la couche de nickel moyen phosphore, notamment inférieure ou égal à 10%, plus particulièrement de 7 à 10%.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, l’épaisseur de la couche de nickel est inférieure ou égale à 10 pm, notamment de 4 à 7 pm, permettant d’obtenir l’effet de barrière de diffusion souhaité.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la bille conductrice 303 d’un organe d’attache 30 peut comprendre un revêtement dans un matériau choisi dans le groupe consistant en l’or, l’argent, le platine, le palladium et un alliage de plusieurs de ces matériaux. Un tel revêtement permet d’obtenir de bonnes propriétés d’accroche aux matériaux d’adhésion 301 , 302. Le revêtement est notamment un revêtement éclair. L’épaisseur du revêtement est notamment inférieure à 0,2pm.
La figure 4 permet également d’apercevoir le pad de connexion 11 de l’élément microélectronique 10. Ici le pad de connexion 11 est représenté incrusté dans l’élément microélectronique 10, mais toute disposition de pad peut être utilisée.
On se tournera à présent vers la figure 5 qui représente différentes étapes d’un procédé de fixation d’un composant microélectronique 10 à un support 20 à l’aide d’organes d’attache 30 afin d’obtenir un assemblage tel que précédemment décrit.
Une première étape, représentée en figure 5A, concerne un premier dépôt d’un premier matériau d’adhésion 301 sur chaque pad 11 du composant microélectronique 10 et d’un deuxième matériau d’adhésion 302 sur chaque pad correspondant 21 C du support 20. Lors de cette étape, le premier et le deuxième matériau d’adhésion 301 , 302 sont notamment sous forme pâteuse.
Le support 20 comprend des pads 21 C dit « correspondants ». En effet, le support peut comprendre plus de pads 21 de connexion que le composant microélectronique 10, notamment pour la fixation d’autres composants microélectroniques. Ainsi, parmi l’ensemble des pads 21 du support 20, tout ou partie de ces pads 21 forment les pads correspondants 21 C. Les pads 11 du composant microélectroniques et les pads correspondants 21 C du support 20 sont destinés à être mis en regard et liés de manière conductrice entre eux de sorte à former des ponts électriques entre le composant microélectronique 10 et le support 20. Un pad 11 du composant microélectronique 10 et son pad correspondant 21 C du support 20 sont destinés à être fixés entre eux par un organe d’attache 30. Pour au moins un organe d’attache 30, le volume déposé de matériau d’adhésion 301 , 302 est adapté pour que le qu’une zone centrale 331 de la surface de la bille conductrice 303 soit nue ou au moins partiellement recouverte d’une fine couche du premier et/ou du deuxième matériau d’adhésion 301 , 302. Notamment, le volume déposé correspond à celui d’un cône tronqué 340 comprenant un évidement 341 , tel que décrit précédemment. Il est important de noter que la forme des matériaux d’adhésion 301 , 302 déposés lors de cette première étape ne correspond pas nécessairement à un cône tronqué 340 comprenant un évidement 341 . En effet, lors de l’étape de chauffage qui suivra, les matériaux d’adhésion 301 , 302 se liquéfieront avant de prendre leur forme finale et se figer. Ainsi, c’est le volume, donc la quantité, de matériau d’adhésion 301 , 302 qui importe lors de cette étape. Le volume déposé est adapté pour obtenir la forme finale souhaitée.
Cette première étape peut notamment être réalisée à l’aide d’un premier écran de sérigraphie comprenant des ouvertures adaptées à la position des pads 11 du composant microélectronique 10 et d’un deuxième écran de sérigraphie comprenant des ouvertures adaptées à la position des pads 21 du support 20. Typiquement les matériaux d’adhésion 301 , 302, sont déposés dans les différentes ouvertures de l’écran de sérigraphie respectif, puis les écrans sont retirés, laissant le volume souhaité de matériau d’adhésion 301 , 302 sur les pads 11 , 21.
Dans une deuxième étape, des billes conductrices 303 sont déposées sur le deuxième matériau d’adhésion 302 des pads correspondants 21 C du support 20.
Cette deuxième étape peut être réalisée par exemple à l’aide d’un tamis ou bien à l’aide d’une machine de dépôt de composants montés en surface. Ainsi, cette étape de disposition des billes conductrices 303 peut avantageusement être réalisée avec des moyens classiques permettant une optimisation des coûts de production.
Il est ensuite procédé à une troisième étape de mise en correspondance des pads 11 du composant microélectronique 10 avec les pads correspondants 21 C du support 20, et de mise en contact des premiers matériaux d’adhésion 301 de chaque pad 11 du composant microélectronique 10 avec les billes conductrice 303. Le résultat obtenu est représenté sur la figure 5B. On peut voir que chaque bille 303 est prise en sandwich entre un premier et un deuxième matériau d’adhésion 301 , 302. A ce stade, la fixation du composant microélectronique 10 sur le support 20 n’est pas encore opérationnelle.
Pour l’obtenir, il est procédé à une quatrième étape couplant un chauffage et un refroidissement adaptés. Les valeurs et les temps de chauffage et de refroidissement adaptés à chaque matériau d’adhésion sont connus de l’homme du métier. Cette étape permet d’obtenir dans un premier temps la liquéfaction des premiers et deuxièmes matériaux d’adhésion 301 , 302, puis leur durcissement subséquent. Il est ainsi obtenu l’assemblage 1 représenté en figure 5C. La forme des premiers et deuxièmes matériaux d’adhésion est approximativement celle d’un cône tronqué comprenant un évidement, déformé par les effets de capillarité apparus au cours de l’étape de chauffage.
Lors du chauffage, les effets de capillarité vont entraîner l’enrobage des billes conductrices 303 avec les premiers et deuxièmes matériaux 301 , 302. Cet enrobage peut être partiel ou total, comme il a été vu précédemment.
Lors du refroidissement, les deuxièmes matériaux d’adhésion 302 vont fixer la bille conductrice 303 au support 20 et les premiers matériaux d’adhésion 301 vont fixer la bille conductrice 303 au composant microélectronique 101 , formant ainsi les différents organes d’attache 30.
Exemple: Simulation de contraintes
Dans cet exemple les inventeurs ont comparé des simulations réalisées avec le logiciel Ansys® entre différents types d’organe d’attache reliant un composant microélectronique à un support. Un premier organe d’attache comparatif (1) se présentait sous la forme d’une bille de brasure en Sn63Pb37. Un second organe d’attache comparatif (2) comprenait une bille creuse en cuivre avec une épaisseur de coque de 25 pm et une grande quantité de brasure Sn63Pb37, équivalente pour chaque pad au volume d’un cylindre circulaire droit de 12 pm de hauteur comprenant un évidement correspondant à la moitié du volume de la bille creuse. Un organe d’attache selon l’invention (3) comprenait une bille creuse en cuivre avec une épaisseur de coque de 25 pm et une faible quantité de brasure Sn63Pb37, équivalente pour chaque pad au volume d’un cône tronqué avec une base ayant un diamètre de 25 pm et une hauteur de 8 pm ainsi qu’un évidement ayant pour forme une calotte sphérique ayant hauteur 8 pm.
Les résultats obtenus sont reportés dans le tableau suivant : Les résultats montrent que l’utilisation d’une épaisseur fine de la coque de la bille couplée à une plus faible quantité de brasure permettent de diminuer les contraintes au niveau des brasures par une déformation améliorée de la bille qui récupère plus de contraintes, et donc une meilleure résistances aux dilatations et contractions thermiques de l’organe d’attache.

Claims

Revendications
1. Assemblage microélectronique (1) comprenant un composant microélectronique (10), un support (20) et un ensemble d’organes d’attache (30) fixant entre eux le composant microélectronique (10) sur le support (20), chaque organe d’attache (30) comprenant une bille conductrice (303) fixée au composant microélectronique (10) par un premier matériau d’adhésion (301) et au support (20) par un deuxième matériau d’adhésion (302), caractérisé en ce que pour au moins un des organes d’attache (20) une zone centrale (331 ) de la surface de la bille conductrice (303) considérée selon un axe transversal à l’assemblage (1) est nue ou partiellement ou totalement recouverte par une couche du premier matériau d’adhésion (301) et/ou une couche du deuxième matériau d’adhésion (302) d’une épaisseur respective d’au maximum 10 nm.
2. Assemblage microélectronique selon la revendication 1 , où le composant microélectronique (10) forme la partie supérieure de l’assemblage (1) et le support (20) forme la partie inférieure de l’assemblage (1 ), dans lequel pour au moins un des organes d’attache (30) : au moins 95% du volume du premier matériau d’adhésion (301 ) se situe entre le composant microélectronique (10) et le tiers supérieur de la hauteur (H) la bille conductrice (301 ) considérée selon un axe transversal à l’assemblage (1), et au moins 95% du volume du deuxième matériau d’adhésion (302) se situe entre le support (20) et le tiers inférieur de la hauteur (H) de la bille conductrice (303) considérée selon un axe transversal à l’assemblage (1).
3. Assemblage microélectronique selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que pour au moins un des organes d’attache (30), le premier matériau d’adhésion (301) comprend un étranglement (311) disposé en regard du sommet (332) de la bille conductrice (303) et le deuxième matériau d’adhésion (301) comprend un étranglement (321) disposé en regard de la base (333) de la bille conductrice (303), le sommet (332) et la base (333) de la bille conductrice (303) étant considéré selon un axe transversal à l’assemblage (1).
4. Assemblage microélectronique selon l’une des revendications 1 à 3, où le composant microélectronique (10) forme la partie supérieure de l’assemblage (1) et le support (20) forme la partie inférieure de l’assemblage (1 ), dans lequel pour au moins un des organes d’attache (30) le volume du premier et du deuxième matériau d’adhésion (301 , 302) correspond respectivement à celui d’un cône tronqué (340) comprenant un évidement (341), de préférence ledit cône tronqué (340) présente une base (342) ayant un diamètre (dB) égal au diamètre (D) de la bille conductrice (303) et pour hauteur (hc) le tiers du diamètre (D) de ladite bille conductrice (303) et ledit évidement (341 ) ayant pour forme une calotte sphérique ayant pour hauteur le tiers du diamètre (D) de la bille conductrice (303).
5. Assemblage microélectronique selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel pour au moins un des organes d’attache (30), la bille conductrice (303) comprend une sphère creuse (334) en cuivre recouverte d’une couche (335) de nickel, de préférence une couche (335) de nickel moyen phosphore, de préférence encore le taux de phosphore est inférieur à 15%.
6. Assemblage microélectronique selon la revendication 5, caractérisé en ce que la sphère (334) en cuivre présente une épaisseur inférieure à 100 pm, de préférence inférieure ou égale à 50 pm, de préférence encore de 15 à 20 pm.
7. Assemblage microélectronique selon la revendication 5 ou la revendication 6, dans lequel la couche de nickel (335) présente une épaisseur inférieure à 10 pm, de préférence de 4 à 7 pm.
8. Assemblage microélectronique selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel pour au moins un des organes d’attache (30), la bille conductrice (303) comprend un revêtement dans un matériau choisi dans le groupe consistant en l’or, l’argent, le platine, le palladium et un alliage de plusieurs de ces matériaux.
9. Procédé de fixation d’un composant microélectronique (10) à un support (20) à l’aide d’organe d’attache (30) d’un assemblage microélectronique (1) selon l’une des revendications 1 à 8, le composant microélectronique (10) et le support (20) comprenant chacun une pluralité de pads de connexion (11 , 21 ), le procédé comprenant les étapes suivantes : a) un premier dépôt d’un premier matériau d’adhésion (301 ) sur chaque pad du composant microélectronique (10) et d’un deuxième matériau d’adhésion (302) sur chaque pad correspondant (21 C) du support (20), b) un deuxième dépôt d’une bille conductrice (303) sur le deuxième matériau d’adhésion (302) de chaque pad correspondant (21 C) du support (20), c) une mise en correspondance des pads (11) du composant microélectronique (10) avec les pads correspondant (21 C) du support (20), et une mise en contact des premiers matériaux d’adhésion (301) de chaque pad (11) du composant microélectronique (10) avec les billes conductrices (303), d) un chauffage adapté puis un refroidissement adapté de l’ensemble afin d’obtenir la formation des organes d’attache (30) par la mise en forme et le durcissement des premiers et deuxièmes matériaux d’adhésion (301 , 302), entrainant ainsi la fixation du composant microélectronique (10) au support (20), où lors de l’étape de premier dépôt a), pour au moins un des organes d’attache (30) le volume déposé du premier et du deuxième matériaux d’adhésion (301 , 302) sur les pads (11 , 21 C) est adapté pour que lors de l’étape de chauffage d) une zone centrale (331 ) de la surface de la bille conductrice (303) considérée selon un axe transversal à l’assemblage (1) soit nue ou partiellement ou totalement recouverte par une couche du premier matériau d’adhésion (301) et/ou une couche du deuxième matériau d’adhésion
(302) d’une épaisseur respective d’au maximum 10 nm.
10. Procédé de fixation selon la revendication 9, dans lequel pour au moins un des organes d’attache (30), le volume déposé du premier et du deuxième matériaux d’adhésion (301 , 302) sur les pads (11 , 21 C) correspond à celui d’un cône tronqué (340) comprenant un évidement (341), de préférence ledit cône tronqué (340) présente une base (342) ayant un diamètre (dB) égal au diamètre (D) de la bille conductrice
(303) et pour hauteur (hc) le tiers du diamètre (D) de ladite bille conductrice (303) et ledit évidement (341 ) ayant pour forme une calotte sphérique ayant pour hauteur le tiers du diamètre (D) de la bille conductrice (303).
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5971253A (en) 1995-07-31 1999-10-26 Tessera, Inc. Microelectronic component mounting with deformable shell terminals
US5611884A (en) * 1995-12-11 1997-03-18 Dow Corning Corporation Flip chip silicone pressure sensitive conductive adhesive
SG99331A1 (en) * 2000-01-13 2003-10-27 Hitachi Ltd Method of producing electronic part with bumps and method of producing elctronic part
JP5215950B2 (ja) * 2009-06-26 2013-06-19 日本オクラロ株式会社 電子機器および電気的接続方法
US10374322B2 (en) * 2017-11-08 2019-08-06 International Business Machines Corporation Antenna packaging solution

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