EP4081671A4 - Dispositif pour le dépôt de films minces optiques diélectriques à l'aide de sources de plasma de pulvérisation cathodique et de sources d'ions à énergie - Google Patents

Dispositif pour le dépôt de films minces optiques diélectriques à l'aide de sources de plasma de pulvérisation cathodique et de sources d'ions à énergie Download PDF

Info

Publication number
EP4081671A4
EP4081671A4 EP20964203.2A EP20964203A EP4081671A4 EP 4081671 A4 EP4081671 A4 EP 4081671A4 EP 20964203 A EP20964203 A EP 20964203A EP 4081671 A4 EP4081671 A4 EP 4081671A4
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
sources
deposition
help
thin films
optical thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP20964203.2A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP4081671A1 (fr
Inventor
Zdenek HUBICKA
Vítezslav STRANÁK
Martin CADA
JiRí OLEJNÍCEK
Miroslav Hrabovský
Petr Schovánek
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Univerzita Palackeho V Olomouci
Original Assignee
Univerzita Palackeho V Olomouci
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univerzita Palackeho V Olomouci filed Critical Univerzita Palackeho V Olomouci
Publication of EP4081671A1 publication Critical patent/EP4081671A1/fr
Publication of EP4081671A4 publication Critical patent/EP4081671A4/fr
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
    • C23C14/3442—Applying energy to the substrate during sputtering using an ion beam
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/544—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements
EP20964203.2A 2020-12-03 2020-12-03 Dispositif pour le dépôt de films minces optiques diélectriques à l'aide de sources de plasma de pulvérisation cathodique et de sources d'ions à énergie Pending EP4081671A4 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CZ2020/000053 WO2022117130A1 (fr) 2020-12-03 2020-12-03 Dispositif pour le dépôt de films minces optiques diélectriques à l'aide de sources de plasma de pulvérisation cathodique et de sources d'ions à énergie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP4081671A1 EP4081671A1 (fr) 2022-11-02
EP4081671A4 true EP4081671A4 (fr) 2023-09-27

Family

ID=81852799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP20964203.2A Pending EP4081671A4 (fr) 2020-12-03 2020-12-03 Dispositif pour le dépôt de films minces optiques diélectriques à l'aide de sources de plasma de pulvérisation cathodique et de sources d'ions à énergie

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP4081671A4 (fr)
WO (1) WO2022117130A1 (fr)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CZ304493B6 (cs) * 2011-12-28 2014-05-28 Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. Způsob měření iontové distribuční funkce v nízkoteplotním plazmatu, měřicí systém pro provádění tohoto způsobu a sonda pro měřicí systém
WO2015134108A1 (fr) * 2014-03-04 2015-09-11 White Nicholas R Ensemble de dépot par pulvérisation cathodique à faisceau ionique, système de pulvérisation cathodique et procédé de pulvérisation cathodique de dépot physique en phase vapeur
CZ29907U1 (cs) * 2016-07-27 2016-10-25 Univerzita PalackĂ©ho Zařízení k vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu
CZ33034U1 (cs) * 2019-05-09 2019-07-30 Univerzita PalackĂ©ho v Olomouci Zařízení pro měření hmotnosti iontů v nízkoteplotním plazmatu

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6238537B1 (en) 1998-08-06 2001-05-29 Kaufman & Robinson, Inc. Ion assisted deposition source
US6692850B2 (en) 2001-03-07 2004-02-17 Axsun Technologies, Inc. Controlled stress optical coatings for membranes
US7465681B2 (en) 2006-08-25 2008-12-16 Corning Incorporated Method for producing smooth, dense optical films
JPWO2008136174A1 (ja) * 2007-04-13 2010-07-29 新明和工業株式会社 成膜装置
WO2009044473A1 (fr) * 2007-10-04 2009-04-09 Canon Anelva Corporation Dispositif de pulvérisation haute fréquence
CA2867451C (fr) * 2013-10-28 2021-06-29 Vapor Technologies, Inc. Depot en phase vapeur d'un revetement par immersion dans un plasma par arc electrique a faible pression et traitement aux ions
CZ2016224A3 (cs) 2016-04-18 2017-07-12 Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. Způsob měření depozičního nízkotlakého plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny a zařízení k provádění tohoto způsobu
CZ30018U1 (cs) 2016-09-27 2016-11-15 Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. Zařízení k řízení depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému
CZ2016603A3 (cs) 2016-09-27 2017-10-25 Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu
CZ2017613A3 (cs) 2017-10-04 2018-10-24 Univerzita PalackĂ©ho v Olomouci Způsob měření impedance deponované vrstvy ve výbojovém plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CZ304493B6 (cs) * 2011-12-28 2014-05-28 Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. Způsob měření iontové distribuční funkce v nízkoteplotním plazmatu, měřicí systém pro provádění tohoto způsobu a sonda pro měřicí systém
WO2015134108A1 (fr) * 2014-03-04 2015-09-11 White Nicholas R Ensemble de dépot par pulvérisation cathodique à faisceau ionique, système de pulvérisation cathodique et procédé de pulvérisation cathodique de dépot physique en phase vapeur
CZ29907U1 (cs) * 2016-07-27 2016-10-25 Univerzita PalackĂ©ho Zařízení k vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu
CZ33034U1 (cs) * 2019-05-09 2019-07-30 Univerzita PalackĂ©ho v Olomouci Zařízení pro měření hmotnosti iontů v nízkoteplotním plazmatu

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HAJIHOSEINI HAMIDREZA ET AL: "The Effect of Magnetic Field Strength and Geometry on the Deposition Rate and Ionized Flux Fraction in the HiPIMS Discharge", PLASMA, vol. 2, no. 2, 13 May 2019 (2019-05-13), pages 201 - 221, XP093075106, DOI: 10.3390/plasma2020015 *
See also references of WO2022117130A1 *
STRANAK VITEZSLAV ET AL: "Investigation of ionized metal flux in enhanced high power impulse magnetron sputtering discharges", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, NY 11747, vol. 115, no. 15, 21 April 2014 (2014-04-21), XP012184667, ISSN: 0021-8979, [retrieved on 19010101], DOI: 10.1063/1.4871635 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022117130A1 (fr) 2022-06-09
EP4081671A1 (fr) 2022-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3991197A4 (fr) Synchronisation à grande vitesse de distribution de source de plasma/puissance de polarisation
EP3228161A4 (fr) Source de plasma employant un revêtement de réduction des macro-particules et procédé d'utilisation d'une source de plasma employant un revêtement de réduction des macro-particules pour le dépôt de revêtements en film mince et la modification de surfaces
EP3807448A4 (fr) Réacteur rotatif pour le revêtement uniforme de particules de films minces
WO2008139860A1 (fr) Film fin à semi-conducteur, procédé de fabrication d'un film fin à semi-conducteur et élément semi-conducteur
WO2010115128A3 (fr) Pulvérisation rf-cc haute pression et procédés pour améliorer l'uniformité de film et la couverture par étapes de ce processus
WO2012169747A3 (fr) Source générant un plasma comprenant un aimant de type courroie, et système de dépôt de film mince l'utilisant
WO2012174260A3 (fr) Fabrication de film mince diélectrique sans piqûre
WO2009117229A3 (fr) Dépôt assisté par micro-ondes coaxial et systèmes de gravure
EP3849812A4 (fr) Calcination au plasma de substrats revêtus
WO2014008484A3 (fr) Procédé de production d'un revêtement protecteur hautement transparent en carbone hydrogéné pour substrats transparents
WO2013109977A8 (fr) Systèmes de formation de cellules photovoltaïques sur substrats flexibles
EP3914751A4 (fr) Procédé de dépôt pulsé de film mince
WO2010144761A3 (fr) Dépôt ionisé en phase vapeur par procédé physique pour le dépôt d'une couche mince à microstructure contrôlée
MX2015014977A (es) Metodo para fabricar una pelicula delgada multi-capa, elemento que incluye la misma y producto electronico que incluye la misma.
EP4081671A4 (fr) Dispositif pour le dépôt de films minces optiques diélectriques à l'aide de sources de plasma de pulvérisation cathodique et de sources d'ions à énergie
EP3837388A4 (fr) Piège à pulvérisation comprenant une couche mince de revêtement de haute pureté et procédé de fabrication d'un tel piège à pulvérisation
JP2007533856A5 (fr)
EP3520131A4 (fr) Procédé de commande du débit de dépôt de films minces dans un système plasma à buses multiples sous vide et dispositif pour la mise en uvre du procédé
MX2013012200A (es) Metodo de pulverizacion catódica por magnetron de impulso de alta potencia que proporciona la ionizacion mejorada de las particulas obtenidas por pulverización catódica y aparato para su implementacion.
EP3971319A4 (fr) Dispositif de dépôt en phase vapeur
WO2012109523A3 (fr) Dépôt de films minces sur des surfaces sensibles à l'énergie
TWI799738B (zh) 附設薄膜之晶圓的膜厚分布之測定方法
EP4059064A4 (fr) Dépôt physique en phase vapeur de films piézoélectriques
EP4059040A4 (fr) Paroi optique et capteur de processus avec capteur faisant face au plasma
AU2016232864A1 (en) Anode shield

Legal Events

Date Code Title Description
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE

PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20220727

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R079

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: C23C0014540000

Ipc: H01J0037320000

A4 Supplementary search report drawn up and despatched

Effective date: 20230829

RIC1 Information provided on ipc code assigned before grant

Ipc: C23C 14/54 20060101ALI20230823BHEP

Ipc: H01J 37/32 20060101AFI20230823BHEP

DAV Request for validation of the european patent (deleted)
DAX Request for extension of the european patent (deleted)