EP3292566A1 - Verfahren zum herstellen einer elektronischen schaltungsvorrichtung und elektronische schaltungsvorrichtung - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer elektronischen schaltungsvorrichtung und elektronische schaltungsvorrichtung

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EP3292566A1
EP3292566A1 EP16710119.5A EP16710119A EP3292566A1 EP 3292566 A1 EP3292566 A1 EP 3292566A1 EP 16710119 A EP16710119 A EP 16710119A EP 3292566 A1 EP3292566 A1 EP 3292566A1
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EP
European Patent Office
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iii
compound semiconductor
circuit
substrate
semiconductor device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP16710119.5A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Konstantin Spanos
Walter Daves
Stephan Schwaiger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
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    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
    • H01L2924/19104—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device on the semiconductor or solid-state device, i.e. passive-on-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing an electronic circuit device and to a corresponding electronic circuit device.
  • HEMT high-electron-mobility transistor
  • MOCVD Metal Organic Chemical Vapor Deposition
  • the transistors made on it are processed in subsequent steps on the front side and finally processed into individual transistors. Subsequently, the transistors along with the necessary passive circuits.
  • Components eg. B. coils, capacitors, resistors, assembled into an electrical circuit.
  • Sheet resistance with the high breakdown resistance of the systems can be transistors with low power dissipation and at the same time high
  • the integration density of power semiconductor circuits based on the devices can be increased.
  • the III-V compound semiconductor components can be used as lateral switching transistors of a commutation cell of a III-V circuit breaker.
  • the back of a substrate used for the circuit for. B. a silicon substrate, on the front side, the semiconductor circuit, for. B. a bridge or
  • Inverter circuit is used for contact surfaces as well as for integrated passive components, in particular the DC link capacitor and / or parts of the gate drive electronics.
  • the available chip area can thus be utilized to the maximum and wafer costs can be saved. Even costly bond and solder joints can be reduced, as connections between the individual
  • EMC Electromagnetic Compatibility
  • the front of the circuit can be used for cooling, which offers a lower thermal resistance to the heat sink than the back.
  • the structure of the circuit device can be made particularly low interference due to the laying of the dynamic node on the semiconductor top and the high symmetry from EMC point of view. Since in the concept presented here, the functional isolation is carried out separately, it is possible with the proposed structure, EMC filter components, eg. B. RC snubber or Y-capacitors for connections, monolithic integration.
  • a method for producing an electronic circuit device is presented, the method having the following steps:
  • Substrate top of the substrate, wherein the III-V compound semiconductor circuit at least a first III-V compound semiconductor device, a second III-V compound semiconductor device and an electrical conductor, the first III-V compound semiconductor device and the second III V-compound semiconductor device electrically conductively connects, has;
  • the process can be carried out in a fully or partially automated manufacturing plant.
  • the electronic circuit device may be a power electronics circuit or a part of a
  • Power electronics circuit act, for example, in a
  • the substrate may serve as a carrier for the III-V compound semiconductor circuit and be in the form of a silicon wafer, for example.
  • processing can be understood as a process-technical application of the semiconductor circuit materials-that is to say of the first III-V compound semiconductor component, the second III-V compound semiconductor component and the electrical conductor-to the substrate surface, for example using a gas deposition method.
  • a selective removal of certain materials or a selective isolation in certain areas can be understood.
  • a power electronic circuit may be, for example, a half bridge, a full bridge or an inverter circuit.
  • the metallized circuit carrier may comprise a metallization or the metal layer.
  • an electric contact surface and / or an electric wire to the III-V compound semiconductor circuit can be readily provided.
  • the electrical contact surface can be used for the return of the current in the
  • Circuit carrier can be made continuous or structured. Furthermore, the formed by the metallized circuit carrier
  • Metalltik- back side of the substrate by means of vias are electrically connected to the III-IV compound semiconductor devices.
  • the rear side of the substrate as the current-carrying part of the power electronic circuit, a low-inductance structure is made possible.
  • a major advantage of the approach described is that initially all III-V compound semiconductor devices are fabricated by process engineering deposition of the semiconductor materials. In the subsequent step, the Ill-V compound semiconductor devices are isolated from one another and finally electrically connected to one another at the required wafer level terminations.
  • the approach described enables a wafer-level combination of III-V compound semiconductor circuitry with other elements such as a current-carrying backside, integration of passive devices such as a capacitor, or integration of parts of a drive circuit.
  • the first III-V compound semiconductor device and the second III-VI compound semiconductor device are to be understood as electrical components having compounds of main group III and main group V materials.
  • the first III-V compound semiconductor device and the second III-V compound semiconductor device may have the same or different material composition. In a combination of materials of main groups III and V becomes the
  • the electrical conductor may be processed between side surfaces of the III-V compound semiconductor devices on the substrate surface.
  • the electrical conductor may be one between terminals of the
  • the step of processing may include a full-area deposition step in which the III-V compound semiconductor devices are implemented as a
  • the two components initially not as a single independent components, but as a composite.
  • the step of processing may include a step of processing the composite element to obtain the first III-V compound semiconductor device and the second III-V compound semiconductor device as two independent III-V compound semiconductor devices.
  • the step of processing may include a step of metallizing in which the electrical conductor can be made.
  • the first III-V compound semiconductor device and the second III-V device Compound semiconductor device to be processed on a III-V compound semiconductor layer.
  • the two components can be interlocked.
  • the electrical conductor may be positioned and patterned on a III-V compound semiconductor material, for example, on said III-V compound semiconductor layer.
  • the first III-V compound semiconductor device, the second III-V compound semiconductor device, and the electrical conductor may be under
  • Vapor deposition offers the advantage of a particularly uniform and exact shaping of the individual components of the III-V compound semiconductor circuit on the substrate surface. Manufacturing tolerances can be reduced to a minimum.
  • a III-V compound semiconductor circuit for example a half or full bridge, an inverter circuit or other power electronic circuits consisting of at least two elements, can be processed.
  • the circuits can be realized particularly inexpensively.
  • the method may include a step of providing a passive one
  • a terminal of the passive circuit element can be electrically conductively connected to at least one of the III-V compound semiconductor components.
  • a capacitor may be integrated as a passive circuit element, for example on the back side of the substrate. With the Integration of the passive circuit element may be the ones for which
  • the passive circuit element in the step of providing the passive circuit element, may be fabricated on the further substrate surface. After fabrication, the substrate on which the passive devices are electrically and mechanically coupled to the substrate on which the III-VI compound semiconductor devices are located may be bonded.
  • the advantage of this embodiment is in addition to the applicability of a low-cost series product as the passive
  • Circuit element in an easy to realize and inexpensive electrical connectivity of the passive circuit element to the III-V compound semiconductor circuit.
  • Circuit element the passive circuit element on a side facing away from the further substrate surface of the substrate surface of the (partially) metallized circuit substrate are arranged.
  • a passive circuit element of any size and shape can be used.
  • Circuit design can be realized.
  • a substrate and a III-V compound semiconductor circuit disposed on a substrate top side of the substrate, wherein the III-V compound semiconductor circuit at least a first III-V compound semiconductor device, a second III-V compound semiconductor device, and an electrical conductor electrically connecting the first III-V compound semiconductor device and the second III-V compound semiconductor device ,
  • the electronic circuit device may comprise a metal layer and additionally or alternatively a metallized circuit carrier, which may be arranged on a rear side of the substrate opposite the substrate top side.
  • the metallized circuit carrier or the metal layer may be used as an electrical contact surface for returning a current for a
  • the object underlying the invention can be solved quickly and efficiently.
  • Fig. 1 is a schematic diagram of an electronic circuit
  • FIG. 2 is a schematic diagram of an electronic circuit device
  • FIG. 4 shows a cross section of an electronic circuit device with laterally arranged capacitor, according to an embodiment of the
  • 5 shows a cross section of an electronic circuit device with a capacitor structured on the substrate rear side, according to an exemplary embodiment of the present invention
  • 6 is a cross-section of an electronic circuit device with heterogeneous integration of the capacitor by 3D stacking, according to an embodiment of the present invention
  • Fig. 7 is a plan view of a front side of an electronic
  • Fig. 8 is a plan view of a back side of an electronic
  • 9 is a plan view of a back side of an electronic
  • Fig. 1 shows a schematic diagram of an electronic circuit 100 according to the prior art.
  • the circuit 100 is a
  • Inverter circuit with typically six active circuit breakers or
  • Power transistors Tl, T2, T3, T4, T5 and T6 on a circuit carrier 101 are based on GaN and AIGaN layers and constructed as discrete components on the
  • Silicon substrate 101 is arranged. Adjacent to the transistors Tl, T2, T3, T4, T5 and T6 are as passive components, a capacitor 102 and a
  • Each transistor T1, T2, T3, T4, T5, T6 has three terminals drain, gate G and source.
  • transistors Tl, T2, T3, T4, T5, and T6 can be interconnected at wafer level with one another
  • the electronic circuit device 200 comprises a substrate 202 and a III-V compound semiconductor circuit 206 arranged on a substrate upper side 204 of the substrate 202.
  • the III-V compound semiconductor circuit 206 consists of a first illusory V compound semiconductor device 208, a second III-V compound semiconductor device 210, and an electrical conductor 212 that electrically connects one terminal of the first III-V compound semiconductor device 208 to a terminal of the second III-V compound semiconductor device 210 conductive, together.
  • the substrate 202 is a silicon wafer in the embodiment shown.
  • the III-V compound semiconductor devices 208, 210 are made of materials of the main chemical groups III (earth metals / boron group) and V (nitrogen groups).
  • Phosphorus group formed or exhibit materials of the chemical
  • the electronic circuit device 200 can be used as part of power electronics, in which the III-V compound semiconductor devices 208, 210 form switching transistors, for example.
  • the III-V compound semiconductor circuit 206 may include more than the two II-V compound semiconductor devices 208, 210 shown, for example, six III-V compound semiconductor devices.
  • the III-V compound semiconductor circuit 206 may have more than one electrical conductor 212 shown.
  • at least one further electrical conductor can be routed between further terminals of the III-V compound semiconductor components 208, 210.
  • at least one further electrical conductor may be routed between one of the III-V compound semiconductor devices 208, 210 and a terminal contact of the III-V compound semiconductor circuit 206.
  • the optional further conductors can be manufactured in accordance with the electrical conductor 212.
  • the elements 208, 210 of the III-V compound semiconductor circuit 206 were formed by chemical vapor deposition on the substrate surface 204. As the illustration in Fig. 2 shows, the electrical conductor 212 is on the
  • Substrate surface 204 is applied to extend between a sidewall 214 of the first III-V compound semiconductor device 208 and a sidewall 216 of the second III-V compound semiconductor device 210. It is processed in the following order: First, there is a full-surface deposition of the III-V semiconductor. At this time, the III-V compound semiconductor devices 208, 210 are deposited as a composite element. Subsequently, a further processing is carried out to contain two components. Thereby, two stand-alone III-V compound semiconductor devices 208, 210 are obtained. Subsequently, a metallization is performed to connect the components in the right place.
  • III-V compound semiconductor devices 208, 210 are fabricated simultaneously during processing and are not geometrically and chemically initially two devices. You will only be through one more
  • the first and second III-V compound semiconductor devices 208, 210 are on a III-V compound semiconductor layer and are intermeshed toothed. Additionally, in another embodiment, conductor 212 may be positioned and patterned on a III-V compound semiconductor material.
  • FIG. 3 shows a flow chart of an embodiment of a method 300 for producing an electronic circuit device. The procedure
  • a substrate is provided.
  • a step 304 at least one first III-V compound semiconductor device, a second III-V compound semiconductor device, and a III-V compound semiconductor device are deposited.
  • Electrically conductive elements connect electrical conductor on one
  • Substrate surface of the substrate a III-V compound semiconductor circuit processed on the substrate.
  • a metallized circuit carrier or a metallization is arranged on a rear side of the substrate opposite the substrate top side.
  • the III-V compound semiconductor devices and using a chemical vapor deposition method in the step of processing 304, the III-V compound semiconductor devices and using a chemical vapor deposition method,
  • Vapor deposition method applied to the substrate surface.
  • the electrical conductor can be applied, for example, by means of thermal evaporation or physical deposition (sputtering).
  • Fig. 4 shows a variant of the electronic presented herein
  • Circuit device 200 in a cross-sectional view includes the silicon substrate 202 having the III-V compound semiconductor circuit 206 and a metallized one
  • the compound semiconductor circuit 206 includes an exemplary first III-V compound semiconductor device 208
  • exemplary second III-V compound semiconductor device 210 as well as the Components 208, 210 electrically conductively connecting electrical conductors 212.
  • the exemplary electronic circuit device 200 shown in FIG. 4 is used as a commutation cell, in which the III-V
  • Compound semiconductor circuit 206 forms a half-bridge circuit.
  • the first III-V compound semiconductor device 208 and the III-V compound semiconductor device 210 are each formed as a GaN transistor, wherein the first GaN transistor 208 is a switch and the second GaN transistor 210 is a diode , Depending on the circuit, this can also be the other way around. Thus, the first GaN transistor 208 may also be a diode and the second GaN transistor 210 may be a switch. Between the III-V compound semiconductor circuit 206 and the substrate surface 204 is disposed an insulating buffer layer 404, which is shown in FIG.
  • Embodiment over the entire substrate surface 204 extends.
  • the metallized circuit carrier 400 is arranged on a substrate upper side 406 of the substrate 202 opposite the substrate upper side 204. In the embodiment shown in Fig. 4, the metallized circuit substrate 400 is formed throughout, covering the other
  • Substrate top 406 completely and extends on both sides of the
  • Silicon substrate 202 Silicon substrate 202.
  • Compound semiconductor circuit 206 The surface 408 of the metallized circuit substrate 400 forms an electrically conductive path with a first
  • Terminal 410 and a second terminal 412 for guiding the return current among the semiconductor devices 208, 210 from.
  • the first GaN transistor 208 is connected to the first terminal via a first bonding wire 414 410 of the metallized circuit substrate 400 and coupled the second GaN transistor 210 via a second bonding wire 416 with a terminal 418 of the passive circuit element 402.
  • the second terminal 412 of the metallized circuit carrier 400 is coupled to a further terminal 420 of the passive circuit element 402.
  • the parasitic inductance of the commutation cell 200 can be drastically reduced.
  • the capacitor 402 required for the commutation processes is placed next to the semiconductor components 208, 210.
  • the embodiment of the commutation capacitor 402 remains free.
  • Embodiments further passive components are structured. According to embodiments, the electronic circuit device
  • Inverter circuit usual six transistors have.
  • Capacitor 402 may be provided further passive circuit elements.
  • Fig. 5 again shows in a cross-sectional view another
  • Embodiment of the electronic circuit device 200 in contrast to the embodiment shown in Fig. 4, the passive
  • Circuit element 402 is not arranged adjacent to the III-V compound semiconductor circuit 206, but on the back of the
  • the passive circuit element 402 is designed as a capacitor.
  • the capacitor 402 is in trench technology as a trench capacitor or
  • the III-V compound semiconductor circuit 206 includes the first GaN transistor 208 as a switch, the second GaN transistor 210 as a diode, and the electrical conductors 212 connecting the semiconductor elements 208, 210.
  • Circuit element 402 in the electronic circuit device 200 may be dispensed with the bonding connections shown in Fig. 4. Instead, for the voltage supply of the wafer-level III-V compound semiconductor circuit 206, a first via 500 is interposed between the first III-V compound semiconductor device 208 and the trench capacitor 402 and a second via 502 is interposed between the second III-V compound semiconductor device 210 and a metallization 540 created.
  • FIG. 6 shows a cross section of a further variant of the electronic circuit device 200 presented here.
  • the stack of silicon substrate 202, buffer layer 404 and III-V compound semiconductor circuit 206 corresponds to the structure shown in FIGS. 4 and 5. As in the one shown in Fig. 5
  • Embodiment is the passive circuit element 402 as a
  • Embodiment however, not integrated into the silicon substrate 202, but below the substrate 202 between a metal layer 540 and the metallized circuit substrate 400. Concretely, the
  • Circuit carrier 400
  • Circuit element 402 by 3D stacking allows any extension of the electronic circuit device 200, here by an arrangement of a further circuit element 606 on one of the top 604 of the
  • Circuit carrier 600 As the further circuit element 606 may be a
  • Substrate such. B. come a cooler plate used.
  • the first bonding wire 414 electrically conductively couples the first III-V compound semiconductor device 208 to the metallization 400 and the second bonding wire 416, the second III-V compound semiconductor device 210 electrically conductive with the metallized circuit substrate 600th
  • Transistor substrate 402 with a z. B. based on Si technology capacity z. B. achieved by 3D stacking.
  • the electrical connections 414, 416 between the semiconductor top side and the capacitor 402 may alternatively be achieved by soldering, as an alternative to the bonding shown in FIG.
  • Fig. 7 shows schematically a plan view of a front side of a
  • Embodiment of the electronic circuit device 200 Shown is the circuit device 200 with the typical six transistors of the inverter circuit 206, in addition to the transistors 208 and 210 four more
  • Transistors 700, 702, 704 and 706. In the one shown in FIG.
  • the transistors 208, 210, 700, 702, 704, 706 for the inverter circuit 206 were processed on the front side 204 of a GaN, AIN or AIGaN coated silicon wafer 202 and connected to the back side via via contacts (not shown).
  • FIG. 8 schematically shows a plan view of an exemplary rear side of the exemplary embodiment of the electronic circuit device 200 shown in FIG. 7.
  • the further substrate top side 406 of the substrate 202 and the metal layer 640 arranged thereon are shown
  • the metal layer 640 is structured, that is, it does not completely cover the further substrate top side 406.
  • Portions of the metallization 640 form a connection for a supply voltage 800 in a first edge region, a ground connection 802 in a second edge region opposite the first edge region, and connections for consumers U, V, W with assigned gate control connections G between the edge regions. Between the consumer connections U and V is the first passive circuit element of the capacitor 402. Between the load terminals V and W is another capacitor 804 as the second passive circuit element.
  • the capacitors 402, 804 monolithically form on the rear side of the electronic switching device 200 as
  • Wafer level trench capacitors or wafer level trench capacitors are integrated into the substrate 202 by DC link capacitors directly connected to the wafer level transistors (not shown). Furthermore, the rear side serves as a contact surface for supply voltage 800, ground 802, loads U, V, W and gate drive G.
  • the loads U, V, W may be outer conductors of an electrical machine, for example a three-phase machine.
  • the electronic switching device 200 may constitute a control device for driving an electric machine.
  • FIG. 9 shows a plan view of an alternative construction of the rear side of the electronic circuit device 200.
  • the design of the exemplary circuit rear side shown in FIG. 9 corresponds to that shown in FIG.
  • a first RC snubber 900, a second RC snubber 902, and a third RC snubber 904 are interposed between the first and second RC snubbers Consumer terminals U and V provided and instead of the second
  • RC snubber 906 Condenser a fourth RC snubber 906, a fifth RC snubber 908 and a sixth RC snubber 910 between the load terminals V and W provided.
  • Each of the RC snubbers 900, 902, 904, 906, 908, 910 has a gate drive G and is each one of the transistors on the
  • the RC snubbers 900, 902, 904, 906, 908, 910 may also be monolithically integrated in addition to the backplane capacitors on the back side.
  • other passive components can be monolithically integrated on the back.
  • FIGS. 8 and 9 show how design of the ESR (effective series resistance) is specifically designed in the context of the technological possibilities.
  • the back side of the wafer can be used for further passive components.
  • B. Si MOSFETs integrate.
  • a major aspect of the integrated power electronics circuit concept presented herein, such as the inverter circuit, is to power the backside of silicon wafer 202 for power conduction and / or monolithic or heterogeneous integration of passive components of DC link capacitors 402, 804 and / or electronics Gate drive G to use.
  • the active components, z In the manufacturing process, the active components, z.
  • the six transistors 208, 210, 700, 702, 704, 706 of a three-phase bridge circuit are processed on the front side.
  • Transistors 208, 210, 700, 702, 704, 706 to isolate the electrical connections to the back of the wafer 202 by means of z. B. passed through.
  • the integration density of power semiconductor circuits based on lateral switching transistors can be increased.
  • passive Components such as the DC link capacitor on the back of the transistor substrate, the wafer front and back can be used optimally. Connections between the individual components are largely realized monolithically at the wafer level. In addition, the distances between the active power transistors and the passive devices are minimized and the parasitic impedances of the
  • circuit concept presented herein may support the production of
  • an exemplary embodiment comprises an "and / or" link between a first feature and a second feature, then this is to be read so that the embodiment according to one embodiment, both the first feature and the second feature and according to another embodiment either only first feature or only the second feature.

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung (200). Das Verfahren umfasst einen Schritt des Bereitstellens eines Substrats (202) und einen Schritt des Prozessierens einer III-V-Verbindungshalbleiterschaltung (206) auf einer Substratoberseite (204) des Substrats (202), wobei die III-V-Verbindungshalbleiterschaltung (206) zumindest ein erstes III-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (208), ein zweites III-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (210)und einen elektrischen Leiter (212), der das erste III-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (208) und das zweite III-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (210) elektrisch leitfähig verbindet,aufweist. In einem Schritt des Anordnens werden eine Metallschicht oder ein metallisierter Schaltungsträgerauf einer der Substratoberseite gegenüberliegenden Rückseite des Substrats als eine elektrische Kontaktfläche zur Rückführung eines Stroms für eine leistungselektronische Schaltungangeordnet.

Description

Beschreibung Titel
Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung und elektronische Schaltungsvorrichtung
Stand der Technik
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung und auf eine entsprechende elektronische Schaltu ngsvorrichtu ng.
Um kostengünstige HEMT- Bauelemente (HEMT = High-electron-mobility transistor) aus Halbleitern mit großen Bandlücken zu fertigen, wird oft Silizium als Fremdsubstrat verwendet und die aktive Schicht darauf abgeschieden.
Beispielsweise kann eine aktive GaN/AIGaN-Heterostruktur per MOCVD- Verfahren (MOCVD = Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung) auf der Vorderseite eines Silizium-Substrats abgeschieden werden. Die darauf gefertigten Transistoren werden in anschließenden Schritten auf der Vorderseite prozessiert und schließlich zu Einzeltransistoren verarbeitet. Anschließend werden die Transistoren zusammen mit den notwendigen passiven
Bauelementen, z. B. Spulen, Kondensatoren, Widerstände, zu einer elektrischen Schaltung zusammengefügt.
Offenbarung der Erfindung
Vor diesem Hintergrund werden mit dem hier vorgestellten Ansatz ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung sowie eine elektronische Schaltungsvorrichtung gemäß den Hauptansprüchen vorgestellt. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung. Bauelemente aus Halbleitermaterialien des Ill-V-Materialsystems, z. B. aus GaN, AIN oder AIGaN, bieten das Potenzial, in großem industriellen Umfang als elektronischer Schalter für Leistungselektroniken zu dienen. Heterostrukturen aus AIGaN/GaN beispielsweise bilden an ihrer Grenzfläche ein
zweidimensionales Elektronengas aus, welches sich durch eine hohe
Beweglichkeit (typischerweise 2000 cm2/Vs) und damit einen geringen
Flächenwiderstand auszeichnet. Durch die Kombination des geringen
Flächenwiderstands mit der hohen Durchbruchsfestigkeit der Systeme lassen sich Transistoren mit geringer Verlustleistung und gleichzeitig hoher
Sperrfähigkeit herstellen, die von den physikalischen Grenzen her den Siliziumbasierten Systemen weit überlegen sind.
Weiterhin sind diese Transistoren im Gegensatz zu den gängigen
Leistungstransistoren auf Basis von Si oder SiC grundsätzlich lateral ausgebildet, d. h., alle Transistoranschlüsse befinden sich auf der Vorderseite. Diese
Eigenschaft kann sehr vorteilhaft genutzt werden, um die Integrationsdichte der leistungselektronischen Schaltungen zu erhöhen.
Mit einem Prozessieren von Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelementen und einem elektrischen Leiter auf einem Substrat kann die Integrationsdichte von Leistungshalbleiterschaltungen auf Basis der Bauelemente erhöht werden.
Beispielsweise können dabei die Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente als laterale Schalttransistoren einer Kommutierungszelle eines lll-V- Leistungsschalters zum Einsatz kommen.
In einer Weiterbildung des hier vorgestellten Ansatzes kann bei einer
entsprechend ausgeführten Halbleiterschaltung die Rückführung des Stromes auf der Halbleiter- Rückseite erfolgen. Zum anderen kann die Rückseite eines für die Schaltung verwendeten Substrats, z. B. eines Siliziumsubstrats, auf dessen Vorderseite sich die Halbleiterschaltung, z. B. eine Brücken- oder
Inverterschaltung, befindet, für Kontaktflächen sowie für integrierte passive Bauelemente, insbesondere den Zwischenkreiskondensator und/oder Teile der Gateansteuerungs- Elektronik, verwendet werden. Vorteilhafterweise kann so die verfügbare Chipfläche maximal ausgenutzt und Waferkosten gespart werden. Auch kostenspielige Bond- und Lötverbindungen können reduziert werden, da Verbindungen zwischen den einzelnen
Bauelementen auf Waferebene realisiert werden können. Gemäß dem hier vorgestellten Ansatz kann die kurze Distanz zwischen Bauelementen wie Zwischenkreiskondensator und aktiven Transistoren verringert und so ein niederinduktiver Schaltkreis realisiert werden. Dies ermöglicht in Verbindung mit vorliegenden Wide-Bandgap-Halbleitern höchste Schaltgeschwindigkeiten und damit minimale Schaltverluste bei kleinsten Schaltüberspannungen und reduzierter EMV-Störaussendung (EMV = Elektromagnetische Verträglichkeit). Dadurch werden höchste Schaltfrequenzen ermöglicht.
Als weiterer Vorteil kann zur Entwärmung die Vorderseite der Schaltung genutzt werden, welche einen geringeren thermischen Widerstand zum Kühlkörper bietet als die Rückseite. Der Aufbau der Schaltungsvorrichtung kann aufgrund der Verlegung des dynamischen Knotens auf die Halbleiter-Oberseite und der hohen Symmetrie aus EMV-Sicht besonders störungsarm gestaltet werden. Da bei dem hier vorgestellten Konzept die funktionale Isolation separat ausgeführt wird, ist es mit der vorgeschlagenen Aufbauweise möglich, EMV- Filterbauelemente, z. B. RC-Snubber oder Y- Kondensatoren für Anschlüsse, monolithisch zu integrieren.
Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung vorgestellt, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
Bereitstellen eines Substrats;
Prozessieren einer Ill-V-Verbindungshalbleiterschaltung auf einer
Substratoberseite des Substrats, wobei die Ill-V-Verbindungshalbleiterschaltung zumindest ein erstes Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement, ein zweites III- V- Verbindungshalbleiter-Bauelement und einen elektrischen Leiter, der das erste Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement und das zweite lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement elektrisch leitfähig verbindet, aufweist;
Anordnen einer Metallschicht oder eines metallisierten Schaltungsträgers auf einer der Substratoberseite gegenüberliegenden Rückseite des Substrats als eine elektrische Kontaktfläche zur Rückführung eines Stroms für eine
leistungselektronische Schaltung.
Das Verfahren kann in einer voll- oder teilautomatisierten Fertigungsanlage ausgeführt werden. Bei der elektronischen Schaltungsvorrichtung kann es sich um eine Leistungselektronikschaltung oder einen Teil einer
Leistungselektronikschaltung handeln, die beispielsweise in einer
drehzahlvariablen Motorsteuerung eingesetzt werden kann. Das Substrat kann als Träger für die lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung dienen und beispielsweise in Form eines Silizium-Wafers vorliegen. Unter dem Prozessieren kann zum einen ein prozesstechnisches Aufbringen der Halbleiterschaltungsmaterialien - also des ersten Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelements, des zweiten lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelements und des elektrischen Leiters - auf die Substratoberfläche verstanden werden, beispielsweise unter Verwendung eines Gasabscheidungsverfahrens. Zum anderen kann ein selektives Entfernen bestimmter Materialien oder ein selektives Isolieren in bestimmten Bereichen verstanden werden.
Eine leistungselektronische Schaltung kann beispielsweise eine Halbbrücke, eine Vollbrücke oder eine Inverterschaltung sein. Der metallisierte Schaltungsträger kann eine Metallisierung oder die Metallschicht umfassen. So kann ohne Weiteres eine elektrische Kontaktfläche und/oder eine elektrische Leitung zu der der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung bereitgestellt werden. Die elektrische Kontaktfläche kann für die Rückführung des Stroms in der
leistungselektronischen Schaltung verwendet werden. Der metallisierte
Schaltungsträger kann durchgängig oder strukturiert ausgeführt werden. Des Weiteren kann die durch den metallisierten Schaltungsträger gebildete
Metallschicht- Rückseite des Substrats mit Hilfe von Durchkontakten elektrisch mit den Ill-IV-Verbindungshalbleiterbauelementen verbunden werden. Durch Verwendung der Rückseite des Substrats als stromtragenden Teil der leistungselektronischen Schaltung wird ein niederinduktiver Aufbau ermöglicht.
Ein Hauptvorteil des beschriebenen Ansatzes ist, dass zunächst alle lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelemente durch prozesstechnisches Aufbringen der Halbleitermaterialen hergestellt werden. Im anschließenden Schritt können die Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente voneinander isoliert werden und schließlich an den erforderlichen Anschlüssen auf Waferebene mit einander elektrisch verbunden werden.
Somit ermöglicht der beschriebene Ansatz eine Kombination aus lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung auf Waferebene mit weiteren Elementen, wie einer stromtragenden Rückseite, einer Integration von passiven Bauelementen, wie einem Kondensator, oder der Integration von Teilen einer Treiberschaltung.
Unter dem ersten Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement und dem zweiten lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement sind elektrische Bauelemente zu verstehen, die Verbindungen von Materialien der chemischen Hauptgruppe III und der chemischen Hauptgruppe V aufweisen. Das erste lll-V- Verbindungshalbleiter- Bauelement und das zweite Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement können dabei eine gleiche oder unterschiedliche Materialzusammensetzung aufweisen. In der Kombination der Materialien der Hauptgruppen III und V wird den
Bauelementen die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern verliehen. Zum elektrisch leitfähigen Verbinden der Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente kann der elektrische Leiter zwischen Seitenflächen der lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelemente auf der Substratoberfläche prozessiert werden. Der elektrische Leiter kann eine zwischen Anschlüssen der
Bauelemente geführte elektrische Leitung oder Leiterbahn verstanden werden.
Der Schritt des Prozessierens kann einen Schritt des ganzflächigen Abscheidens umfassen, in dem die Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente als ein
Verbundelement ganzflächig abgeschieden werden. Somit bestehen die beiden Bauelemente zunächst nicht als einzelne eigenständige Bauelemente, sondern als ein Verbund. Ferner kann der Schritt des Prozessierens einen Schritt des Prozessierens des Verbundelements umfassen, um das erste lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement und das zweite Ill-V-Verbindungshalbleiter- Bauelement als zwei eigenständige Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente zu erhalten. Schließlich kann der Schritt des Prozessierens einen Schritt des Metallisierens umfassen, in dem der elektrischen Leiter hergestellt werden kann. Gemäß einer Ausführungsform können im Schritt des Prozessierens das erste Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement und das zweite lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement auf einer lll-V- Verbindungshalbleiterschicht prozessiert werden. Dabei können die beiden Bauelemente ineinander verzahnt sein. Im Schritt des Prozessierens kann der elektrische Leiter auf einem III- V- Verbindungshalbleitermaterial, beispielsweise auf der genannten lll-V- Verbindungshalbleiterschicht, positioniert und strukturiert werden.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens können in dem Schritt des Prozessierens das erste Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement, das zweite III- V-Verbindungshalbleiter-Bauelement und der elektrische Leiter unter
Verwendung eines chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens,
beispielsweise eines metallorganischen chemischen
Gasphasenabscheidungsverfahrens, hergestellt werden. Die chemische
Gasphasenabscheidung bietet den Vorteil einer besonders gleichmäßigen und exakten Ausformung der einzelnen Komponenten der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung auf der Substratoberfläche. Fertigungstoleranzen können auf ein Minimum reduziert werden.
Beispielsweise kann in dem Schritt des Prozessierens eine III- V- Verbindungshalbleiterschaltung beispielsweise eine Halb- oder Vollbrücke, eine Inverterschaltung oder weitere Leistungselektronische Schaltungen bestehend aus mindestens zwei Elementen, prozessiert werden. Mit dem vorgestellten Verfahren können die Schaltungen besonders kostengünstig realisiert werden.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens kann in dem Schritt des
Prozessierens das erste Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement als ein Schalter der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung prozessiert werden und das zweite lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement als eine Diode der III- V- Verbindungshalbleiterschaltung prozessiert werden. Weiterhin kann das Verfahren einen Schritt des Bereitstellens eines passiven
Schaltungselements für die elektronische Schaltungsvorrichtung aufweisen. Dabei kann ein Anschluss des passiven Schaltungselements mit zumindest einem der Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente elektrisch leitend verbunden werden. Beispielsweise kann ein Kondensator als passives Schaltungselement, beispielsweise auf der Rückseite des Substrats, integriert werden. Mit der Integration des passiven Schaltungselements können die, für die
Schaltungsfunktion erforderlichen Kommutierungsvorgänge in der elektronischen Schaltungsvorrichtung ermöglicht werden.
Gemäß einer Ausführungsform kann in dem Schritt des Bereitstellens des passiven Schaltungselements das passive Schaltungselement an der weiteren Substratoberfläche hergestellt werden. Nach der Herstellung kann das Substrat auf dem sich die passiven Bauelemente mit dem Substrat auf dem sich die lll-VI- Verbindungshalbleiterbauelemente befinden, elektrische und mechanisch verbunden werden. Der Vorteil dieser Ausführungsform besteht neben der Einsetzbarkeit eines kostengünstigen Serienprodukts als das passive
Schaltungselement in einer einfach zu realisierenden und kostengünstigen elektrischen Anbindbarkeit des passiven Schaltungselements an die lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung.
Alternativ kann in dem Schritt des Bereitstellens des passiven
Schaltungselements das passive Schaltungselement an einer von der weiteren Substratoberfläche des Substrats weg weisenden Oberfläche des (teil-) metallisierten Schaltungsträgers angeordnet werden. Bei dieser Ausführungsform kann vorteilhafterweise ein passives Schaltungselement beliebiger Größe und Form verwendet werden.
Ferner besteht gemäß dem hier vorgestellten Ansatz die Möglichkeit, in dem Schritt des Bereitstellens des Substrats das Substrat mit mindestens einer Durchkontaktierung zum Kontaktieren der Ill-V-Verbindungshalbleiterschaltung bereitzustellen. Mit dieser Ausführungsform kann ein niederinduktiver
Schaltungsaufbau realisiert werden.
Es wird ferner eine elektronische Schaltungsvorrichtung mit folgenden
Merkmalen vorgestellt: einem Substrat; und einer lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung, die auf einer Substratoberseite des Substrats angeordnet ist, wobei die Ill-V-Verbindungshalbleiterschaltung zumindest ein erstes Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement, ein zweites III- V- Verbindungshalbleiter-Bauelement und einen elektrischen Leiter, der das erste Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement und das zweite lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement elektrisch leitfähig verbindet, aufweist.
Die elektronische Schaltungsvorrichtung kann eine Metallschicht und zusätzlich oder alternativ einen metallisierten Schaltungsträger umfassen, die auf einer der Substratoberseite gegenüberliegenden Rückseite des Substrats angeordnet sein können. Der metallisierte Schaltungsträger oder die Metallschicht können als eine elektrische Kontaktfläche zur Rückführung eines Stroms für eine
leistungselektronische Schaltung ausgeführt sein.
Auch durch diese Ausführungsvariante der Erfindung in Form einer
elektronischen Schaltungsvorrichtung kann die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe schnell und effizient gelöst werden.
Der hier vorgestellte Ansatz wird nachstehend anhand der beigefügten
Zeichnungen beispielhaft näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Prinzipdarstellung einer elektronischen Schaltung;
Fig. 2 eine Prinzipdarstellung einer elektronischen Schaltungsvorrichtung;
Fig. 3 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer
elektronischen Schaltungsvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 einen Querschnitt einer elektronischen Schaltungsvorrichtung mit lateral angeordnetem Kondensator, gemäß einem Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 einen Querschnitt einer elektronischen Schaltungsvorrichtung mit an der Substratrückseite strukturiertem Kondensator, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; Fig. 6 einen Querschnitt einer elektronischen Schaltungsvorrichtung mit heterogener Integration des Kondensators durch 3D-Stacking, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 eine Draufsicht auf eine Vorderseite einer elektronischen
Schaltungsvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 8 eine Draufsicht auf eine Rückseite einer elektronischen
Schaltungsvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 9 eine Draufsicht auf eine Rückseite einer elektronischen
Schaltungsvorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
In der nachfolgenden Beschreibung günstiger Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden für die in den verschiedenen Figuren
dargestellten und ähnlich wirkenden Elemente gleiche oder ähnliche
Bezugszeichen verwendet, wobei auf eine wiederholte Beschreibung dieser
Elemente verzichtet wird.
Fig. 1 zeigt eine Prinzipdarstellung einer elektronischen Schaltung 100 gemäß dem Stand der Technik. Bei der Schaltung 100 handelt es sich um eine
Inverterschaltung mit typischerweise sechs aktiven Leistungsschaltern bzw.
Leistungstransistoren Tl, T2, T3, T4, T5 und T6 auf einem Schaltungsträger 101. Die Leistungstransistoren Tl, T2, T3, T4, T5, T6 sind auf der Basis von GaN- bzw. AIGaN-Schichten aufgebaut und als diskrete Bauteile auf dem
Siliziumsubstrat 101 angeordnet. Benachbart zu den Transistoren Tl, T2, T3, T4, T5 und T6 sind als passive Bauelemente ein Kondensator 102 und eine
Ansteuerelektronik 104 sowie Anschlüsse für Versorgungsspannung 106, Masse 108 und Verbraucher U, V und W auf der Schaltungsträgeroberfläche 101 angeordnet. Jeder Transistor Tl, T2, T3, T4, T5, T6 weist drei Anschlüsse Drain, Gate G und Source auf. In der Fertigung der Inverterschaltung 100 wurden die sechs
Leistungstransistoren Tl, T2, T3, T4, T5, T6 zunächst vereinzelt. Danach wurden diese mit dem Zwischenkreiskondensator 102, der Ansteuer- bzw.
Treiberelektronik 104, der Gateansteuerungs- Elektronik G sowie den
Anschlüssen für Versorgungsspannung 106, Masse 108 und Verbraucher U, V,
W verbunden. Dadurch, dass es sich bei den Leistungstransistoren Tl, T2, T3, T4, T5, T6 um laterale Bauelemente handelt, ist es möglich, mehrere
Bauelemente schon während des Prozessierens auf Waferebene zu verbinden. Im Gegensatz zu der hier gezeigten Schaltung bestehend aus diskreten
Bauelementen auf Waferebene, kann man die Transistoren Tl, T2 ,T3 , T4, T5 und T6 auf Waferebene untereinander und mit einem integrierten
Zwischenkreiskondensator 102 und der Gateansteuerungs- Elektronik G auf Waferebene verbinden.
Fig. 2 zeigt eine Prinzipdarstellung einer elektronischen Schaltungsvorrichtung 200. Die elektronische Schaltungsvorrichtung 200 umfasst ein Substrat 202 und eine auf einer Substratoberseite 204 des Substrats 202 angeordnete lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206. Die lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 setzt sich aus einem ersten Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement 208, einem zweiten Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement 210 und einem elektrischen Leiter 212, der einen Anschluss des ersten lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelements 208 mit einem Anschluss des zweiten lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelements 210 elektrisch leitfähig verbindet, zusammen.
Bei dem Substrat 202 handelt es sich bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel um einen Silizium-Wafer.
Die Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente 208, 210 sind aus Materialien der chemischen Hauptgruppen III (Erdmetalle/Borgruppe) und V (Stickstoff-
Phosphor-Gruppe) gebildet bzw. weisen Materialien der chemischen
Hauptgruppen III und V auf. Die elektronische Schaltungsvorrichtung 200 kann als Teil einer Leistungselektronik eingesetzt werden, bei der die lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelemente 208, 210 beispielsweise Schalttransistoren bilden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann die lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 mehr als die gezeigten zwei lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelemente 208, 210, beispielsweise sechs lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelemente, aufweisen.
Ferner kann die lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 mehr als den einen gezeigten elektrischen Leiter 212 aufweisen. Beispielsweise kann zumindest ein weiterer elektrischer Leiter zwischen weiteren Anschlüssen der lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelemente 208, 210 geführt sein. Auch kann ein zumindest ein weiterer elektrischer Leiter zwischen einem der lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelemente 208, 210 und einem Anschlusskontakt der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 geführt sein. Die optionalen weiteren Leiter können dabei entsprechend dem elektrischen Leiter 212 gefertigt sein.
Die Elemente 208, 210 der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 wurden durch chemische Gasabscheidung auf der Substratoberfläche 204 gebildet. Wie die Darstellung in Fig. 2 zeigt, ist der elektrische Leiter 212 so auf die
Substratoberfläche 204 aufgebracht, dass er zwischen einer Seitenwand 214 des ersten Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelements 208 und einer Seitenwand 216 des zweiten Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelements 210 verläuft. Dabei wird in folgender Reihenfolge prozessiert: Zuerst erfolgt eine ganzflächige Abscheidung der lll-V Halbleiter. Dabei werden die Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente 208, 210 als ein Verbundelement abgeschieden. Anschließend wird eine weitere Prozessierung durchgeführt, um zwei Bauelemente zu enthalten. Dadurch werden zwei eigenständige Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente 208, 210 erhalten. Anschließend wird ein Metallisieren durchgeführt, um die Bauelemente an der richtigen Stelle zu verbinden.
Somit werden die Ill-V-Verbindungs-Halbleiter-Bauelemente 208, 210 bei der Prozessierung gleichzeitig hergestellt und sind so geometrisch und chemisch zunächst keine zwei Bauelemente. Sie werden nur durch eine weitere
Prozessierung zu zwei Bauelementen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel befinden sich das erste und das zweite Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement 208, 210 auf einer lll-V- Verbindungshalbleiterschicht und sind ineinander verzahnt. Zusätzlich kann in einer weiteren Ausführung der Leiter 212 auf einem lll-V Verbindungshalbleitermaterial positioniert und strukturiert werden.
Fig. 3 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens 300 zum Herstellen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung. Das Verfahren
300 kann zum Herstellen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung, wie sie in Fig. 2 gezeigt ist, ausgeführt werden. In einem Schritt des Bereitstellens 302 wird ein Substrat bereitgestellt. In einem Schritt 304 wird durch Abscheiden zumindest eines ersten Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelements, eines zweiten lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelements und eines die lll-V- Verbindungshalbleiter-
Bauelemente elektrisch leitfähig verbinden elektrischen Leiters auf einer
Substratoberfläche des Substrats eine lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung auf dem Substrat prozessiert. In einem Schritt des Anordnens wird ein metallisierter Schaltungsträger oder eine Metallisierung auf einer der Substratoberseite gegenüberliegenden Rückseite des Substrats angeordnet. Durch den
metallisierten Schaltungsträger oder die Metallisierung wird eine elektrische Kontaktfläche zur Rückführung eines Stroms für eine leistungselektronische Schaltung geschaffen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 300 werden in dem Schritt des Prozessierens 304 die Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente und unter Verwendung eines chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens,
insbesondere eines metallorganischen chemischen
Gasphasenabscheidungsverfahrens, auf die Substratoberfläche aufgebracht. Der elektrische Leiter kann beispielsweise mittels thermischem Verdampfens oder physikalischer Abscheidung (sputtern) aufgebracht werden.
Fig. 4 zeigt eine Variante der hierin vorgestellten elektronischen
Schaltungsvorrichtung 200 in einer Querschnittsdarstellung. Die in Fig. 4 gezeigte beispielhafte Schaltungsvorrichtung 200 weist das Siliziumsubstrat 202 mit der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 sowie ein metallisierter
Schaltungsträger 400 und ein passives Schaltungselement 402 - hier einen Kondensator - auf. Die Verbindungshalbleiterschaltung 206 weist wiederum ein beispielhaftes erstes Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement 208, ein
beispielhaftes zweites Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement 210 sowie den die Bauelemente 208, 210 elektrisch leitfähig verbindenden elektrischen Leiter 212 auf.
Die in Fig. 4 gezeigte beispielhafte elektronische Schaltungsvorrichtung 200 wird als Kommutierungszelle eingesetzt, bei der die lll-V-
Verbindungshalbleiterschaltung 206 eine Halbbrückenschaltung bildet.
Entsprechend sind das erste Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement 208 und das Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement 210 jeweils als ein GaN-Transistor ausgebildet, wobei der erste GaN-Transistor 208 einen Schalter darstellt und der zweite GaN-Transistor 210 eine Diode darstellt. Je nach Schaltung kann das auch umgekehrt sein. Somit kann der erste GaN-Transistor 208 auch eine Diode und der zweite GaN-Transistor 210 einen Schalter darstellen. Zwischen der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 und der Substratoberfläche 204 ist eine isolierende Pufferschicht 404 angeordnet, die sich im gezeigten
Ausführungsbeispiel über die gesamte Substratoberfläche 204 erstreckt.
Der metallisierte Schaltungsträger 400 ist auf einer der Substratoberseite 204 gegenüberliegenden weiteren Substratoberseite 406 des Substrats 202 angeordnet. Bei dem in Fig. 4 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der metallisierter Schaltungsträger 400 durchgängig ausgebildet, bedeckt die weitere
Substratoberseite 406 vollständig und erstreckt sich beidseitig über das
Siliziumsubstrat 202 hinaus.
Durch die größeren Abmessungen des Schaltungsträgers 400 gegenüber dem Substrat 202 bietet eine an die weitere Substratoberfläche 406 angrenzende
Oberfläche 408 des metallisierten Schaltungsträgers 400 eine Auflagefläche für den Kondensator 402, zur lateralen Positionierung des Kondensators 402 bezüglich des Aufbaus aus Substrat 202 und lll-V-
Verbindungshalbleiterschaltung 206. Die Oberfläche 408 des metallisierten Schaltungsträgers 400 bildet einen elektrisch leitfähigen Pfad mit einem ersten
Anschluss 410 und einem zweiten Anschluss 412 zur Führung des Rückstroms unter den Halbleiterbauelementen 208, 210 aus.
Zur Stromversorgung der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 ist der erste GaN-Transistor 208 über einen ersten Bonddraht 414 mit dem ersten Anschluss 410 des metallisierten Schaltungsträgers400 gekoppelt und der zweite GaN- Transistor 210 über einen zweiten Bonddraht 416 mit einem Anschluss 418 des passiven Schaltungselements 402 gekoppelt. Der zweite Anschluss 412 des metallisieren Schaltungsträgers 400 ist mit einem weiteren Anschluss 420 des passiven Schaltungselements 402 gekoppelt.
Durch die in der Darstellung in Fig. 4 gezeigte Nutzung der Substratschicht 202 zur Rückstromführung kann die parasitäre Induktivität der Kommutierungszelle 200 drastisch reduziert werden. Der für die Kommutierungsvorgänge benötigte Kondensator 402 wird dabei neben den Halbleiterbauelementen 208, 210 platziert. Die Ausführungsart des Kommutierungskondensators 402 bleibt dabei frei. Auf der Rückseite der elektronischen Schaltung 200 können gemäß
Ausführungsbeispielen weitere passive Bauelemente strukturiert werden. Gemäß Ausführungsbeispielen kann die elektronische Schaltungsvorrichtung
200 anstelle der zwei gezeigten Transistoren 208, 210 auch die für eine
Inverterschaltung üblichen sechs Transistoren aufweisen. Neben dem
Kondensator 402 können noch weitere passive Schaltungselemente vorgesehen sein.
Fig. 5 zeigt wiederum in einer Querschnittsdarstellung ein weiteres
Ausführungsbeispiel der elektronischen Schaltungsvorrichtung 200. Hier ist im Gegensatz zu dem in Fig. 4 gezeigten Ausführungsbeispiel das passive
Schaltungselement 402 nicht benachbart zu der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 angeordnet, sondern auf der Rückseite des
Substrats auf dem sich die lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung befinden integriert worden. Wiederum ist hier das passive Schaltungselement 402 als ein Kondensator ausgeführt. Bei dem in Fig. 5 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Kondensator 402 in Trench-Technik als Trench- Kondensator bzw.
Grabenkondensator gestaltet.
Die lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 weist wie bei dem in Fig. 4 gezeigten Ausführungsbeispiel den ersten GaN-Transistor 208 als Schalter, den zweiten GaN-Transistor 210 als Diode sowie den die Halbleiterelemente 208, 210 verbindenden elektrischen Leiter 212 auf. Mit der in Fig. 5 gezeigten monolithischen Integration des passiven
Schaltungselements 402 in die elektronische Schaltungsvorrichtung 200 kann auf die in Fig. 4 gezeigten Bondverbindungen verzichtet werden. Stattdessen ist für die Spannungsversorgung der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 auf Waferebene ein erster Durchkontakt 500 zwischen dem ersten lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement 208 und dem Grabenkondensator 402 und ein zweiter Durchkontakt 502 zwischen dem zweiten lll-V- Verbindungshalbleiter- Bauelement 210 und einer Metallisierung 540 angelegt.
Fig. 6 zeigt einen Querschnitt einer weiteren Variante der hier vorgestellten elektronischen Schaltungsvorrichtung 200. Der Stapel aus Silizium-Substrat 202, Pufferschicht 404 und lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung 206 entspricht dem in den Figuren 4 und 5 gezeigten Aufbau. Wie bei dem in Fig. 5 gezeigten
Ausführungsbeispiel ist das passive Schaltungselement 402 als ein
Grabenkondensator angelegt, im Gegensatz zu dem in Fig. 5 gezeigten
Ausführungsbeispiel jedoch nicht in das Silizium-Substrat 202 integriert, sondern unterhalb des Substrats 202 zwischen einer Metallschicht 540 und dem metallisierten Schaltungsträger 400. Konkret befindet sich der
Grabenkondensator 402 zwischen einer der Oberseite 408 der Metallschicht 540 gegenüberliegenden weiteren Oberseite 602 der Metallschicht 640 und einer der Metallschicht 540 zugewandten Oberseite 604 dem metallisierten
Schaltungsträger 400.
Die in Fig. 6 beispielhaft gezeigte heterogene Integration des passiven
Schaltungselements 402 durch 3D-Stacking erlaubt eine beliebige Erweiterung der elektronischen Schaltungsvorrichtung 200, hier durch eine Anordnung eines weiteren Schaltungselements 606 an einer der Oberseite 604 des
Schaltungsträgers 600 gegenüberliegenden Unterseite 608 des
Schaltungsträgers 600. Als das weitere Schaltungselement 606 kann ein
Substrat wie z. B. eine Kühlerplatte zum Einsatz kommen.
Bei dem in Fig. 6 gezeigten Ausführungsbeispiel der elektronischen
Schaltungsvorrichtung 200 verbindet der erste Bonddraht 414 das erste lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement 208 elektrisch leitfähig mit der Metallisierung 400 und der zweite Bonddraht 416 das zweite Ill-V-Verbindungshalbleiter- Bauelement 210 elektrisch leitfähig mit dem metallisierten Schaltungsträger 600.
Bei der in Fig. 6 gezeigten beispielhaften Ausgestaltung der elektronischen Schaltungsvorrichtung 200 wird die heterogene Integration des
Transistorsubstrats 402 mit einer z. B. auf Si-Technologie basierenden Kapazität z. B. durch 3D-Stacking erreicht. In dieser Ausgestaltung können die elektrischen Verbindungen 414, 416 zwischen der Halbleiter-Oberseite und dem Kondensator 402 alternativ zu dem in Fig. 6 gezeigten Bonden auch durch Löten erreicht werden.
Fig. 7 zeigt schematisch eine Draufsicht auf eine Vorderseite eines
Ausführungsbeispiels der elektronischen Schaltungsvorrichtung 200. Gezeigt ist die Schaltungsvorrichtung 200 mit den typischen sechs Transistoren der Inverterschaltung 206, neben den Transistoren 208 und 210 vier weitere
Transistoren 700, 702, 704 und 706. Bei dem in Fig. 7 gezeigten
Ausführungsbeispiel wurden die Transistoren 208, 210, 700, 702, 704, 706 für die Inverterschaltung 206 auf der Vorderseite 204 eines mit GaN, AIN oder AIGaN beschichteten Silizium-Wafers 202 prozessiert und über (nicht gezeigte) Durchgangskontakte mit der Rückseite verbunden.
Fig. 8 zeigt schematisch eine Draufsicht auf eine beispielhafte Rückseite des in Fig. 7 von vorne bzw. oben gezeigten Ausführungsbeispiels der elektronischen Schaltungsvorrichtung 200. Gezeigt ist die weitere Substratoberseite 406 des Substrats 202 und die auf dieser angeordnete Metallschicht 640. Bei dem in
Fig. 8 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Metallschicht 640 strukturiert, bedeckt die weitere Substratoberseite 406 also nicht vollständig.
Abschnitte der Metallisierung 640 bilden in einem ersten Randbereich einen Anschluss für eine Versorgungsspannung 800, in einem dem ersten Randbereich gegenüberliegenden zweiten Randbereich einen Masseanschluss 802 und zwischen den Randbereichen Anschlüsse für Verbraucher U, V, W mit zugeordneten Gatesteueranschlüssen G. Zwischen den Verbraucheranschlüssen U und V befindet sich als erstes passives Schaltungselement der Kondensator 402. Zwischen den Verbraucheranschlüssen V und W befindet sich als zweites passives Schaltungselement ein weiterer Kondensator 804.
Bei dem in Fig. 8 gezeigten Ausführungsbeispiel bilden die Kondensatoren 402, 804 monolithisch auf der Rückseite der elektronischen Schaltvorrichtung 200 als
Grabenkondensatoren bzw. Trench- Kondensatoren auf Waferebene in das Substrat 202 integrierte Zwischenkreiskondensatoren, die direkt mit den (hier nicht gezeigten) Transistoren auf Waferebene verbunden sind. Des Weiteren dient die Rückseite als Kontaktfläche für Versorgungsspannung 800, Masse 802, Verbraucher U, V, W und Gateansteuerung G. Bei den Verbrauchern U, V, W kann es sich um Außenleiter einer elektrischen Maschine, beispielsweise einer Drehstrommaschine, handeln. Somit kann die elektronische Schaltvorrichtung 200 eine Steuervorrichtung zum Ansteuern einer elektrischen Maschine darstellen.
Die Integration der Zwischenkreiskondensatoren 402, 804 bei dem in Fig. 8 gezeigten Ausführungsbeispiel der elektronischen Schaltung 200 ermöglicht eine Drehstrombrückenschaltung. Durch die in Fig. 8 veranschaulichte Integration der Zwischenkreiskondensatoren
402, 804 und eines Teiles der Gateansteuerungs- Elektronik werden nicht nur Löt- und Bondverbindungen gespart, gleichzeitig bietet der geringe Abstand den Vorteil, dass parasitäre Induktivitäten minimiert werden. Diese Minimierung der parasitären Induktivitäten erlaubt es, die Inverterschaltung mit höheren
Schaltfrequenzen zu betreiben, wodurch sich die Kosten und das Gewicht des
Gesamtsystems reduzieren lassen.
Fig. 9 zeigt eine Draufsicht auf einen alternativen Aufbau der Rückseite der elektronischen Schaltungsvorrichtung 200. Die Gestaltung der in Fig. 9 gezeigten beispielhaften Schaltungsrückseite entspricht der in Fig. 8 gezeigten, mit dem
Unterschied, dass anstelle der Zwischenkreiskondensatoren eine Mehrzahl von RC-Gliedern zur Dämpfung, sogenannte RC-Snubber, zum Einsatz kommen.
Konkret sind anstelle des ersten Kondensators ein erster RC-Snubber 900, ein zweiter RC-Snubber 902 und ein dritter RC-Snubber 904 zwischen den Verbraucheranschlüssen U und V vorgesehen und anstelle des zweiten
Kondensators ein vierter RC-Snubber 906, ein fünfter RC-Snubber 908 und ein sechster RC-Snubber 910 zwischen den Verbraucheranschlüssen V und W vorgesehen. Jeder der RC-Snubber 900, 902, 904, 906, 908, 910 weist eine Gateansteuerung G auf und ist je einem der Transistoren auf der
Schaltungsvorderseite zugeordnet.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel können die RC-Snubber 900, 902, 904, 906, 908, 910 auch zusätzlich zu den Zwischenkreiskondensatoren auf der Rückseite monolithisch integriert werden. Alternativ oder zusätzlich können sonstige passive Bauelemente monolithisch auf der Rückseite integriert werden.
Figuren 8 und 9 zeigen, wie im Rahmen der technologischen Möglichkeiten der ESR (effektiver Serienwiderstand) gezielt designt werden. Alternativ oder zusätzlich zur Integration der Zwischenkreiskondensatoren 402, 804 lässt sich die Rückseite des Wafers für weitere passive Bauelemente verwenden. Wie in Fig. 9 skizziert, besteht z. B. die Möglichkeit, RC-Glieder 900, 902, 904, 906, 908, 910 zur Dämpfung von Oszillationen oder weitere Bauelemente zur Ansteuerung der Gates, z. B. Si-MOSFETs zu integrieren.
Ein Hauptaspekt des hierin vorgestellten Schaltungskonzepts für eine integrierte Leistungselektronik wie die Inverterschaltung liegt darin, die Rückseite des Silizium-Wafers 202 für die Stromführung und/oder die monolithische oder heterogene Integration von passiven Bauelementen der Zwischenkreis- Kondensatoren 402, 804 und/oder der Elektronik zur Gateansteuerung G zu nutzen. Im Herstellungsprozess werden zunächst die aktiven Bauelemente, z. B. im Fall des Inverters die sechs Transistoren 208, 210, 700, 702, 704, 706 einer Drehstrombrückenschaltung, auf der Vorderseite prozessiert. Statt die
Transistoren 208, 210, 700, 702, 704, 706 zu vereinzeln, werden die elektrischen Verbindungen auf die Rückseite des Wafers 202 mittels z. B. Durchkontaktierung geführt.
Mithilfe des hierin vorgestellten Konzepts kann die Integrationsdichte von Leistungshalbleiterschaltungen auf Basis von lateralen Schalttransistoren erhöht werden. Durch monolithische oder heterogene Integration von passiven Bauelementen, wie z. B. des Zwischenkreiskondensators auf der Rückseite des Transistorsubstrats, können die Wafer- Vorder- und Rückseite optimaler genutzt werden. Verbindungen zwischen den einzelnen Bauelementen werden weitestgehend auf Waferebene monolithisch realisiert. Zusätzlich werden die Distanzen zwischen den aktiven Leistungstransistoren und den passiven Bauelementen minimiert und die parasitären Impedanzen der
Verbindungsstrukturen auf ein Minimum reduziert.
Infolge dieser Optimierungen können die bei Schaltvorgängen auftretenden dynamischen Bauteilverluste sowie die EMV-Störanregungen erheblich reduziert werden. Durch die Nutzung des Substrats zur Stromführung und die Integration von passiven Bauelementen und Treiberstrukturen entstehen neue
Freiheitsgrade in der Schirmung und kommutierungsnahen Filterung der schaltbedingten EMV-Störungen.
Das hierin vorgestellte Schaltungskonzept kann der Produktion von
Leistungselektronik-Schaltungen, z. B. für den Einsatz in drehzahlvariablen Motorsteuerungen, PFC-Schaltungen (PFC = Power Factor Correction) oder DC/DC-Wandlern, zugrunde gelegt werden.
Die beschriebenen und in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele sind nur beispielhaft gewählt. Unterschiedliche Ausführungsbeispiele können vollständig oder in Bezug auf einzelne Merkmale miteinander kombiniert werden. Auch kann ein Ausführungsbeispiel durch Merkmale eines weiteren Ausführungsbeispiels ergänzt werden.
Ferner können die hier vorgestellten Verfahrensschritte wiederholt sowie in einer anderen als in der beschriebenen Reihenfolge ausgeführt werden.
Umfasst ein Ausführungsbeispiel eine„und/oder"- Verknüpfung zwischen einem ersten Merkmal und einem zweiten Merkmal, so ist dies so zu lesen, dass das Ausführungsbeispiel gemäß einer Ausführungsform sowohl das erste Merkmal als auch das zweite Merkmal und gemäß einer weiteren Ausführungsform entweder nur das erste Merkmal oder nur das zweite Merkmal aufweist.

Claims

Ansprüche
1. Verfahren (300) zum Herstellen einer elektronischen
Schaltungsvorrichtung (200), wobei das Verfahren (300) die folgenden Schritte aufweist:
Bereitstellen (302) eines Substrats (202); und
Prozessieren (304) einer lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung (206) auf einer Substratoberseite (204) des Substrats (202), wobei die lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung (206) zumindest ein erstes lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (208), ein zweites lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (210) und einen elektrischen Leiter (212), der das erste Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (208) und das zweite Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (210) elektrisch leitfähig verbindet, aufweist; und
Anordnen (306) einer Metallschicht (540; 640) oder eines metallisierten Schaltungsträgers (400; 600) auf einer der Substratoberseite (204) gegenüberliegenden Rückseite (406) des Substrats (202) als eine elektrische Kontaktfläche zur Rückführung eines Stroms für eine leistungselektronische Schaltung.
2. Verfahren (300) gemäß Anspruch 1, bei dem der Schritt des
Prozessierens (304) einen Schritt des ganzflächigen Abscheidens umfasst, in dem die Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente (208, 210) als ein Verbundelement ganzflächig abgeschieden werden, einen Schritt Prozessierens des Verbundelements umfasst, um das erste lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (208) und das zweite lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (210) als zwei eigenständige lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelemente (208, 210) zu erhalten, und einen Schritt des Metallisierens zum Herstellen des elektrischen Leiters (212) umfasst.
Verfahren (300) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem im Schritt des Prozessierens (304) das erste III- V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (208) und das zweite lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (210) auf einer III- V- Verbindungshalbleiterschicht prozessiert werden und ineinander verzahnt sind.
Verfahren (300) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem im Schritt des Prozessierens (304) der elektrische Leiter (212) auf einem lll-V- Verbindungshalbleitermaterial positioniert und strukturiert wird.
Verfahren (300) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche bei dem in dem Schritt des Prozessierens (304) das erste lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (208), das zweite lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (210) und der elektrische Leiter (212) unter Verwendung eines chemischen
Gasphasenabscheidungsverfahrens, insbesondere eines
metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens, hergestellt werden.
Verfahren (300) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem in dem Schritt des Prozessierens (304) die III- V- Verbindungshalbleiterschaltung (206) als eine Halb- oder Vollbrücke, als eine Inverterschaltung oder als eine weitere leistungselektronische Schaltung bestehend aus mindestens zwei Elementen prozessiert wird.
Verfahren (300) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem in dem Schritt des Prozessierens (304) das erste lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (208) als ein Schalter der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung (206) prozessiert wird und das zweite III- V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (210) als eine Diode der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung (206) prozessiert wird.
Verfahren (300) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, mit einem Schritt des Bereitstellens eines passiven Schaltungselements (402; 804) für die elektronische Schaltungsvorrichtung (200), wobei ein Anschluss (418) des passiven Schaltungselements (402; 804) mit zumindest einem der Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelemente (208, 210) elektrisch leitend verbunden wird.
Verfahren (300) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem in dem Schritt des Bereitstellens des passiven Schaltungselements (402; 804) das passive Schaltungselement (402; 804) an der weiteren Substratoberfläche (406) hergestellt wird.
Verfahren (300) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem in dem Schritt des Bereitstellens des passiven Schaltungselements (402; 804) das passive Schaltungselement (402; 804) an einer von der weiteren Substratoberfläche (406) des Substrats (202) wegweisenden Oberfläche (602) des metallisierten Schaltungsträgers (400) angeordnet wird.
Verfahren (300) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem in dem Schritt des Bereitstellens des passiven Schaltungselements (402; 804) das passive Schaltungselement (402; 804) in der weiteren Substratoberfläche (406) des Substrats (202) strukturiert wird.
Verfahren (300) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem in dem Schritt des Bereitstellens (302) des Substrats (202) das Substrat (202) mit mindestens einer Durchkontaktierung (500, 502) zum Kontaktieren der lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung (206)
bereitgestellt wird.
Elektronische Schaltungsvorrichtung (200) mit folgenden Merkmalen: einem Substrat (202); und einer lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung (206), die auf einer Substratoberseite (204) des Substrats (202) angeordnet ist, wobei die lll-V- Verbindungshalbleiterschaltung (206) zumindest ein erstes lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (208), ein zweites lll-V- Verbindungshalbleiter-Bauelement (210) und einen elektrischen Leiter (212), der das erste Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (208) und das zweite Ill-V-Verbindungshalbleiter-Bauelement (210) elektrisch leitfähig verbindet, aufweist.
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