EP2981634A1 - Apparatus for the vacuum treatment of substrates - Google Patents

Apparatus for the vacuum treatment of substrates

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Publication number
EP2981634A1
EP2981634A1 EP14720497.8A EP14720497A EP2981634A1 EP 2981634 A1 EP2981634 A1 EP 2981634A1 EP 14720497 A EP14720497 A EP 14720497A EP 2981634 A1 EP2981634 A1 EP 2981634A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
vacuum chamber
substrates
side wall
chamber
process chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP14720497.8A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Harro Hagedorn
Jürgen PISTNER
Thomas Vogt
Alexander Müller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Buehler Alzenau GmbH
Original Assignee
Buehler Alzenau GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Buehler Alzenau GmbH filed Critical Buehler Alzenau GmbH
Publication of EP2981634A1 publication Critical patent/EP2981634A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Definitions

  • the invention relates to a device for vacuum treatment of substrates according to the preamble of the independent claim.
  • a plasma process apparatus which comprises a chamber, a substrate stage, an electrode for generating plasma inside the chamber and a shielding means surrounding a plasma space between electrode and substrate stage.
  • the shielding device comprises a main part and a separated part, wherein the main part and the separated part each have an inner portion and an outer portion, wherein the outer portion respectively as
  • Gas line device is formed.
  • the inner portion of the main part and the inner portion of the separated part are formed so as not to be in contact with each other.
  • a movable shield surrounds a pedestal, the shield having a structure that creates a variable opening in the chamber when the shield
  • Shield includes a first apartment area forming a first flow path and a second apartment area forming a second flow path.
  • the flow paths have variable conductivities.
  • An upper flow path is formed by the inner surface of the shield and the outer surface of the process chamber cover.
  • a lower flow path is formed by a shading ring and the lower part of the
  • the shield occupies an upper position relative to the pedestal.
  • the shield occupies a middle position.
  • the shield and the Shading ring holder in a lower position, wherein the Abschattungsring rests on a shelf.
  • a shut-off valve for a vacuum device for separating a process chamber and an electron beam gun of the vacuum device is known. Further, an opening valve body provided on side walls opposite to each other and a valve body for opening / closing the openings are provided.
  • a cylindrical and movable shield is insertable into the valve housing via an opening on the side of the process chamber when the valve is open. In between, the shield is freely movable back and forth. The interior of the movable shield and the interior of the valve housing are atmospherically separable from each other.
  • Cover ring and an insulator device wherein the upper adapter assembly, the at least one shielding unit, the cover ring and the insulator are simultaneously removable as a unit.
  • the object of the present invention is to provide a device for the vacuum treatment of substrates, in which the vacuum chamber can be screened against a treatment process taking place in the process chamber in order to avoid parasitic problems
  • Process chamber has good accessibility and the pump power for the inner region of the process chamber is adjustable.
  • the upper section and the lower section are movable relative to each other between the side wall of the upper section and the side wall of the lower section a lower flow path between the inner region of Process chamber and arranged outside of the upper portion
  • an upper flow path is provided between the inner portion of the process chamber and the inner portion of the vacuum chamber located outside the upper portion
  • the upper portion is movable relative to the vacuum chamber to a lower position in which the upper flow path is opened
  • the upper section is movable relative to the vacuum chamber to an upper position in which the upper flow path is closed.
  • the upper portion of the process chamber can shield the interior of the vacuum chamber from parasitic coating during the vacuum chamber without the
  • the lower flow path is realized in a structurally particularly simple manner. Characterized in that between an upper edge portion of the upper portion and a disposed in an upper part of the inner region of the vacuum chamber sealing element, an upper flow area between the inner region of the process chamber and the au ßerrenz the upper portion disposed arranged inner region of the vacuum chamber, the upper flow path is also on realized particularly constructively simple way. It is also advantageous that the upper flow path is opened if the upper portion is moved relative to the vacuum chamber in a lower position. Furthermore, it is advantageous that the upper flow path is closed if the upper section is moved relative to the vacuum chamber in an upper position. It is advantageous if the upper portion is relative to the vacuum chamber in the upper position, the
  • Process chamber can be done with process gases.
  • the substrates may in particular be spectacle lenses or the like, which are introduced as a batch into the vacuum chamber, vacuum-treated and discharged again.
  • the lower portion may be formed in an advantageous embodiment as an insert component, which is inserted or inserted into a recess in the bottom region of the vacuum chamber.
  • Part section is formed by a recess in the bottom of the vacuum chamber. This material can be saved, however, the coating of this range of the
  • Vacuum chamber to be accepted.
  • the side wall of the upper portion is formed as an upper cylinder ring, whereby the upper
  • Flow path and the lower flow path can be realized in a structurally very simple manner.
  • the upper cylinder ring may have an outer diameter that is slightly smaller than the inner diameter of the lower section, thereby providing an overlap of the sidewall of the upper and sidewalls of the lower section, such that a gap exists between parts of the sidewall of the upper section and Parts of the side wall of the lower section is created.
  • the lower flow path extends through the gap formed between the side walls of the upper section and the lower section. A conductance of the lower flow path can be determined by the gap space.
  • an overlap may still be provided. The upper flow path is then closed while the lower flow path is open.
  • the side wall of the lower portion may be formed as a lower cylinder ring.
  • the upper cylinder ring has an inner diameter which is slightly larger than an outer diameter of the lower cylinder ring.
  • the receiving device is formed in the process chamber relatively movable to the vacuum chamber. This allows, without the conductivities of the
  • the distance of the substrates to the plasma device changed be, with which separately from the conductance parameters of the vacuum treatment of the substrates, such as ion energies of the plasma on the substrate surface, can be influenced.
  • Substrates can be loaded.
  • the upper section is brought into a lower position.
  • Receiving device has a bottom plate, which forms an intermediate floor area in the process chamber, so that the chamber size is variable.
  • existing elements of a lifting device with which the receiving device is movable are thus protected from parasitic Be Bertung.
  • the side wall of the upper section and / or the side wall of the lower section are at least partially made of a conductive material and can function as an anode or partial anode.
  • the upper section is electrically insulated from the vacuum chamber, whereby a further degree of freedom for adjusting the potential conditions within the process chamber is obtained.
  • the lower section is electrically insulated from the vacuum chamber, whereby a further degree of freedom for adjusting the potential conditions within the process chamber is obtained.
  • the upper portion is electrically connected to the vacuum chamber, whereby a further degree of freedom for
  • the lower portion is electrically connected to the vacuum chamber, whereby a further degree of freedom for
  • Bottom plate of the receiving device consists of an electrically conductive material and electrically opposite the vacuum chamber, the upper portion or the lower
  • the bottom plate is made of an electrically conductive material and electrically connected to the vacuum chamber, the upper portion or the lower portion.
  • the lower section has a bottom part which is connected to the side wall of the lower section.
  • the lower portion can be used as a whole in a recess in the bottom of the vacuum chamber and also removed again.
  • Lock device comprises a Einschleus- and discharge chamber, the one
  • Provision area for providing substrates wherein a transport path for transporting substrates from the staging area to the receiving device and from the receiving device leads to the staging area. Transport is thus barrier-free with the lock open.
  • Pivoting plate is provided, which is pivotable about a pivot axis between the provision area and receiving device, which structurally simple good space utilization can be achieved.
  • the pivot plate has a support structure with support means for substrates, so that the substrates are guided safely during transport.
  • Area of the receiving structure has at least one recess which the
  • the pivot plate is pivotable in the region of the substrate receiving elements without a movement impediment.
  • the at least one recess allows the substrates directly in the region of
  • Substrate receiving elements for taking over the substrates and the transfer of the substrates are designed adjustable in height. The substrates are then safely taken up by the substrate receiving elements during the plasma treatment.
  • Receiving device is designed as a coating rotor with a main axis of rotation, whereby a uniformity of a coating is increased.
  • the plasma source is designed as a sputtering cathode, electron beam evaporator or plasma polymerization source.
  • Figure 1 is a schematic representation of a device according to the invention with a
  • Figure 2 is a simplified schematic representation of the device in Figure 1 without the lower portion of the process chamber;
  • Figure 3 is a schematic representation of a device according to the invention.
  • Figure 4 is a schematic representation of a device according to Figure 3 in a horizontal
  • FIGS 1 and 2 show a device according to the invention with a vacuum chamber 1 with a substrate lock device 1 16 and a plasma device which is arranged on a corresponding opening having an upper cover 108 of the vacuum chamber 1.
  • the plasma device embodied as cathode device 160 in this embodiment comprises, in particular, a sputtering target 165. It is understood that a different one also be used.
  • the substrate lock device 16 comprises, in particular, a lock opening 15, which is arranged in the chamber wall 101 of the vacuum chamber 1. Furthermore, a pump opening 102 is arranged in the chamber wall 101. It is understood that in the chamber wall 101, other openings may be provided, if appropriate for evacuating, venting or operating the vacuum chamber 1.
  • a process chamber 110 is arranged, which comprises an upper section 105a with a side wall 106a and a lower section 105b with a side wall 106b.
  • An upper side of the process chamber 1 10 includes the
  • the side walls 106a, 106b are at least partially made of a conductive material, such as stainless steel.
  • the side walls 106a and 106b are cylindrical.
  • the lower portion 105b is fixedly disposed in a recess 152 in the bottom portion 120 of the vacuum chamber 1 and has a bottom portion 195 which is connected to the side wall 106b.
  • the process chamber 110 has an inner area 140 in which a vacuum treatment of substrates 130 held in a substrate holder 150 can take place.
  • Vacuum treatment is preferably a coating of surfaces of the substrates 130 by means of a sputtering plasma. It is understood that others too
  • Vacuum treatments in particular pretreatments or cleaning processes in the process chamber 1 10 can be carried out.
  • a receiving device 135 for substrates 130 is arranged in the inner region 140 of the process chamber.
  • Cathode means 160 for example, a coating of the substrates 130 take place.
  • the receiving device 135 comprises a bottom plate 136 whose edges have a small distance from the side wall 106b and an intermediate bottom region in the
  • a process space is formed by means of the side walls 106a and 106b and the bottom plate 136 in the interior of the process chamber.
  • the receiving device 135 is connected via a vacuum feedthrough with a lifting device 185, by which a vertical movement of the receiving device 135 within the process chamber 1 10 can be realized.
  • the upper section 105a has an upper edge 107 which can be pressed against a sealing element 109 in the upper part of the vacuum chamber when the upper section 105a is in an upper position relative to the vacuum chamber 1.
  • the sealing element 109 may, for example, a mounted in an opening of the upper cover 108 sealing ring be, whose shape is adapted to the upper edge 107.
  • An upper flow path 190 extending between the upper edge region 107 and the sealing element 109 is then closed when the upper edge region 107 is pressed against the sealing element 109.
  • the upper portion 105a can be moved relative to the vacuum chamber 1 in lower positions, in which the upper flow path 190 is opened. As shown in FIG. 2, the edge region 107 can then be positioned so that good accessibility of the inner region 140, for example for loading with substrates, is present via the lock opening 15.
  • the upper portion 105a is connected via a vacuum feedthrough with a lifting device 125, which with a mounting member 126, for example, at the bottom of
  • Vacuum chamber 1 is fixed in the bottom area.
  • the upper portion can be moved vertically.
  • a lower position of the upper portion 105 a is a particularly simple pumping or venting of the process chamber 1 10 over the
  • the upper portion 105a and / or the lower portion 105b may be electrically insulated from the vacuum chamber 1. Further, the upper portion 105a and / or the lower portion 105b may be electrically connected to the vacuum chamber. The upper portion 105a and / or the lower portion 105b may be further set to a predetermined or floating electrical potential with respect to the vacuum chamber 1. In particular, the upper side wall 106a and / or the lower side wall 106b may be electrically insulated from the vacuum chamber 1. Further, the upper side wall 106a and / or the lower side wall 106b may be electrically connected to the vacuum chamber 1.
  • the receptacle 135 or the bottom plate 136 may be electrically insulated from the vacuum chamber 1, the upper portion 105a, and / or the lower portion 105b. Further, the receptacle 135 or the bottom plate 136 may be electrically connected to the vacuum chamber 1, the upper portion 105a, and / or the lower portion 105b. The receptacle 135 or the bottom plate 136 may be further set to a predetermined or floating electrical potential with respect to the vacuum chamber 1.
  • the upper section 105a is brought into an upper position, so that the inner region 1a of the vacuum chamber 1 is not subject to any parasitic coating.
  • Figures 3 and 4 show a schematic representation of an embodiment of a device according to the invention with a lock device 1 16, the Einschleus- and Exhaust chamber 205 includes.
  • a staging area 205a for providing substrates 130 is arranged in the inflow and outflow chamber 205.
  • Transport path 206 leads from the provision area 205a to the receiving device 135 or from the receiving device 135 to the
  • Provision area 205a The transport path 206 leads through the opening of the
  • FIG. 4 shows a cover panel 295 which is movable about a pivot axis 295a.
  • the cover is conformed to a recess 108a in the
  • Cover 108 adapted and makes it possible to shield the interior 1 a of the vacuum chamber with respect to the plasma device 160.
  • a conditioning for example, a sputter cathode with the opening 108a closed.
  • transport means along the transport path 206 are a transport means
  • Swivel plate 250 is shown, which is pivotable about a pivot axis 251.
  • Swing plate 250 is in the inward and outward transfer chamber 205 relative to
  • Lock device 1 16 arranged so that the lock device 1 16 unobstructed by the pivot plate 250 can be opened or closed when the pivot plate 250 is brought into a ready position.
  • the pivot plate 250 has a support structure with support means 235 for substrates 130, by means of which the substrates 130 can be releasably fixed on the support structure.
  • the swivel plate 250 has at least one recess 252 in the region of the receiving structure; in the illustration of Figure 4, three such recesses are provided by a comb-like shape of the pivot plate is realized.
  • the opening of the recess 252 extends in the pivoting direction of the pivot plate 250 in a pivoting movement towards the receiving device 135th
  • the receiving device 135 has substrate receiving elements 265, which are formed like a mushroom relative to the bottom plate 136 of the receiving device 135.
  • the recesses 252 allow the pivoting plate 250 to pivot in the region of the substrate receiving elements, wherein shafts 265 a of the substrate receiving elements 265 are arranged in the recesses 252.
  • Finger elements 252a corresponding to the recesses 252 then lie next to the shanks 265a when the pivot plate is pivoted into the region of the substrate receiving elements 265a for loading or unloading the receiving device 135.
  • a lock door of the lock device 1 16 is opened by means of a lifting device 280 coupled to the lock via a rotary feedthrough 275.
  • the pivot plate 250 is removed from the
  • Provision area 205a by means of a pivoting movement about the pivot axis 251 moves into the interior 1 a of the vacuum chamber 1, where the finger elements 252a with the substrates 130 in the region of the substrate receiving elements 265 are located.
  • the substrate receiving elements 265 are relatively low-lying at this time, so that the substrates lie with their underside on them. Subsequently, the substrate receiving elements 265 are moved upward until they receive the substrates 130 from below. The substrates 130 are thereby of the
  • the substrate receiving elements 265 may be moved downwards after the pivot plate 250 has been removed from the area of the receiving device 135, in particular so far that openings in which the shafts 265a are movable in the bottom plate 136 are closed by the substrate receiving elements 265.
  • the receiving device 135 may be formed as a coating rotor with a main rotor axis 260.
  • the substrate receiving elements 265 may be associated with a planetary gear 270 and during rotation about the
  • Main axis of rotation 260 in turn move in a rotational movement about local axes of rotation.
  • the device in particular the plasma device 160 and the movable
  • Components including unillustrated components, such as pumps and sensors, are controlled and / or regulated by a controller. Furthermore, it is understood that for adjusting the electrical potentials at the upper and / or lower
  • Subsections 105a, 105b and the receiving device 135 or its components corresponding voltage sources are provided.

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Abstract

The invention relates to an apparatus for the vacuum treatment of substrates (130), comprising a vacuum chamber (1) having a plasma device (160) of a process chamber (110) and a holding device (135) for substrates (130), which is arranged in the process chamber (110), underneath the plasma device, wherein the process chamber (110) comprises an upper subsection (105a) having a side wall (106a) and a lower subsection (105b) having a side wall (106b), and the upper subsection (105a) and the lower subsection (105b) can be moved vertically relative to each other. According to the invention between the side wall (106a) of the upper subsection (105a) and the side wall (106b) of the lower subsection (105b), a lower flow path (105c) extends between the inner region (140) of the process chamber (110) and the inner region (1a) of the vacuum chamber (1) that is arranged outside the upper subsection (105a). Furthermore, between an upper edge region (107) of the upper subsection (105a) and a sealing element (109) arranged in an upper part of the inner region (1a) of the vacuum chamber (1), an upper flow path (190) is provided between the inner region (140) of the process chamber (110) and the inner region (1a) of the vacuum chamber (1) that is arranged outside the upper subsection (105a), wherein the upper subsection (105a) can be moved relative to the vacuum chamber (1) into a lower position, in which the upper flow path (190) is opened, the upper subsection (105a) can be moved relative to the vacuum chamber (1) into an upper position, in which the upper flow path (190) is closed.

Description

Beschreibung  description
Vorrichtung zur Vakuumbehandlung von Substraten Apparatus for vacuum treatment of substrates
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Vakuumbehandlung von Substraten gemäß dem Oberbegriff des unabhängigen Patentanspruchs. The invention relates to a device for vacuum treatment of substrates according to the preamble of the independent claim.
In konventionellen Vakuumbeschichtungsvorrichtungen wird mittels festmontierten In conventional vacuum coating apparatus is by means of permanently mounted
Abschirmungen der Prozessraum, in dem die eigentliche Vakuumbeschichtung mittels Plasma erfolgt, zur Vermeidung von parasitären Beschichtungen gegenüber der übrigen Shielding the process space in which the actual vacuum coating by means of plasma, to avoid parasitic coatings over the rest
Vakuumkammer abgeschirmt. Festmontierte Abschirmungen können jedoch die Zugänglichkeit des Prozessraumes beeinträchtigen. Shielded vacuum chamber. However, fixed shields can affect the accessibility of the process space.
Aus dem Dokument US 201 1 /0089023 A1 ist bereits ein Plasmaprozess-Apparat bekannt, der eine Kammer, eine Substratbühne, eine Elektrode zur Erzeugung von Plasma innerhalb der Kammer und eine Abschirmungseinrichtung, die einen Plasmaraum zwischen Elektrode und Substratbühne umgibt, umfaßt. Die Abschirmeinrichtung umfasst einen Hauptteil und einen separierten Teil, wobei der Hauptteil und der separierte Teil jeder einen inneren Abschnitt und einen äußeren Abschnitt aufweist, wobei der äußere Abschnitt jeweils als From document US 201 1/0089023 A1 a plasma process apparatus is already known which comprises a chamber, a substrate stage, an electrode for generating plasma inside the chamber and a shielding means surrounding a plasma space between electrode and substrate stage. The shielding device comprises a main part and a separated part, wherein the main part and the separated part each have an inner portion and an outer portion, wherein the outer portion respectively as
Gasleitungseinrichtung ausgebildet ist. Der innere Abschnitt des Hauptteils und der innere Abschnitt des separierten Teils sind so geformt, dass sie nicht in Kontakt miteinander stehen. Gas line device is formed. The inner portion of the main part and the inner portion of the separated part are formed so as not to be in contact with each other.
Aus dem Dokument US 7,318,869 B ist ferner ein Beschichtungssystem mit variablen From the document US 7,318,869 B is also a coating system with variable
Gasleitwerten für eine Prozesskammer zur Beschichtung von integrierten Schaltungen bekannt. Eine bewegbare Abschirmung umgibt ein Piedestal, wobei die Abschirmung eine Struktur aufweist, die eine variable Öffnung in der Kammer erzeugt, wenn die Abschirmung Gas conductances for a process chamber for coating integrated circuits known. A movable shield surrounds a pedestal, the shield having a structure that creates a variable opening in the chamber when the shield
unterschiedliche Positionen entlang eines linearen Pfades einnimmt. Die bewegbare occupy different positions along a linear path. The movable one
Abschirmung umfasst einen ersten Aparturbereich, der einen ersten Strömungspfad bildet, und einen zweiten Aparturbereich, der einen zweiten Strömungspfad bildet. Die Strömungspfade haben variable Leitwerte. Ein oberer Strömungspfad wird gebildet durch die innere Oberfläche der Abschirmung und die äu ßere Oberfläche der Prozesskammer-Abdeckung. Ein unterer Strömungsweg wird gebildet durch einen Abschattungsring und den unteren Teil der Shield includes a first apartment area forming a first flow path and a second apartment area forming a second flow path. The flow paths have variable conductivities. An upper flow path is formed by the inner surface of the shield and the outer surface of the process chamber cover. A lower flow path is formed by a shading ring and the lower part of the
Abschirmung zusammen mit einer Abschattungsnnghalterung. Durch die Änderung der relativen Positionen der Abschirmung und des Abschattungsrings können die Gasleitwerte der Shielding together with a shading mount. By changing the relative positions of the shield and the shading ring, the gas conductances of the
Prozesskammer moduliert werden. In einer Beladungsposition nimmt die Abschirmung relativ zum Piedestal eine obere Position ein. In einer Bearbeitungsposition nimmt die Abschirmung eine mittlere Position ein. In einer Reinigungsposition sind die Abschirmung und die Abschattungsringhalterung in einer unteren Position, wobei der Abschattungsring auf einer Ablage ruht. Process chamber to be modulated. In a loading position, the shield occupies an upper position relative to the pedestal. In a machining position, the shield occupies a middle position. In a cleaning position, the shield and the Shading ring holder in a lower position, wherein the Abschattungsring rests on a shelf.
Aus der DE 1 1 2006 003 294 T5 ist ein Absperrventil für eine Vakuumvorrichtung zum Trennen einer Prozesskammer und einer Elektronenstrahlkanone der Vakuumvorrichtung bekannt. Ferner sind ein Ventilgehäuse mit Öffnung, die an Seitenwänden einander gegenüberliegend vorgesehen sind, und ein Ventilkörper zum Öffnen/Schließen der Öffnungen vorgesehen. Eine zylindrische und bewegliche Abschirmung ist einführbar über eine Öffnung auf der Seite der Prozesskammer in das Ventilgehäuse hinein, wenn das Ventil geöffnet ist. Dazwischen ist die Abschirmung frei hin- und her bewegbar. Das Innere der beweglichen Abschirmung und das Innere des Ventilgehäuses sind voneinander atmosphärisch trennbar. From DE 1 1 2006 003 294 T5 a shut-off valve for a vacuum device for separating a process chamber and an electron beam gun of the vacuum device is known. Further, an opening valve body provided on side walls opposite to each other and a valve body for opening / closing the openings are provided. A cylindrical and movable shield is insertable into the valve housing via an opening on the side of the process chamber when the valve is open. In between, the shield is freely movable back and forth. The interior of the movable shield and the interior of the valve housing are atmospherically separable from each other.
Ferner ist aus dem Dokument US 6,730,174 B2 eine entfernbare Abschirmanordnung für ein Halbleiterprozesssystem bekannt mit einer oberen Adapteranordnung, wenigstens eine Abschirmeinheit, die am oberen Ende der oberen Adapteranordnung fixiert ist, einem Further, from document US 6,730,174 B2 a removable shielding arrangement for a semiconductor process system is known having an upper adapter assembly, at least one shielding unit fixed at the upper end of the upper adapter assembly
Abdeckring und einer Isolatoreinrichtung, wobei die obere Adapteranordnung, die zumindest eine Abschirmungseinheit, der Abdeckring und der Isolator simultan als Einheit entfernbar sind. Cover ring and an insulator device, wherein the upper adapter assembly, the at least one shielding unit, the cover ring and the insulator are simultaneously removable as a unit.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung zur Vakuumbehandlung von Substraten zu schaffen, bei der die Vakuumkammer gegenüber einem in der Prozesskammer einem erfolgenden Behandlungsprozess abgeschirmt werden kann, um parasitäre The object of the present invention is to provide a device for the vacuum treatment of substrates, in which the vacuum chamber can be screened against a treatment process taking place in the process chamber in order to avoid parasitic problems
Beschichtungen der Vakuumkammer zu vermeiden, wobei gleichzeitig das Innere der To avoid coatings of the vacuum chamber, at the same time the interior of the
Prozesskammer eine gute Zugänglichkeit aufweist und die Pumpleistung für den Innenbereich der Prozesskammer einstellbar ist. Process chamber has good accessibility and the pump power for the inner region of the process chamber is adjustable.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs gelöst. The object is achieved with the features of the independent claim.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Vakuumbehandlung von Substraten mit einer The inventive device for vacuum treatment of substrates with a
Vakuumkammer mit einer Prozeßkammer und einer Plasmaeinrichtung und einer in der Prozeßkammer unterhalb der Plasmaeinrichtung angeordneten Aufnahmeeinrichtung für Substrate zeichnet sich dadurch aus, dass die Prozeßkammer einen oberen Teilabschnitt mit Seitenwänden und einen unteren Teilabschnitt mit Seitenwänden umfaßt Vacuum chamber with a process chamber and a plasma device and arranged in the process chamber below the plasma device receiving means for substrates is characterized in that the process chamber comprises an upper portion with side walls and a lower portion with side walls
der obere Teilabschnitt und der untere Teilabschnitt relativ zu einander bewegbar sind zwischen der Seitenwand des oberen Teilabschnitts und der Seitenwand des unteren Teilabschnitts ein unterer Strömungspfad zwischen dem Innenbereich der Prozeßkammer und dem außerhalb des oberen Teilabschnitts angeordneten the upper section and the lower section are movable relative to each other between the side wall of the upper section and the side wall of the lower section a lower flow path between the inner region of Process chamber and arranged outside of the upper portion
Innenbereich der Vakuumkammer vorgesehen ist  Interior of the vacuum chamber is provided
zwischen einem oberen Randbereich des oberen Teilabschnitts und einem in einem oberen Teil des Innenbereichs der Vakuumkammer angeordneten Dichtelement ein oberer Strömungspfad zwischen dem Innenbereich der Prozeßkammer und dem außerhalb des oberen Teilabschnitts angeordneten Innenbereich der Vakuumkammer vorgesehen ist  between an upper edge portion of the upper portion and a sealing member disposed in an upper portion of the inner portion of the vacuum chamber, an upper flow path is provided between the inner portion of the process chamber and the inner portion of the vacuum chamber located outside the upper portion
der obere Teilabschnitt relativ zur Vakuumkammer in eine untere Position bewegbar ist, in der der obere Strömungspfad geöffnet ist  the upper portion is movable relative to the vacuum chamber to a lower position in which the upper flow path is opened
der obere Teilabschnitt relativ zur Vakuumkammer in eine obere Position bewegbar ist, in der der obere Strömungspfad geschlossen ist.  the upper section is movable relative to the vacuum chamber to an upper position in which the upper flow path is closed.
Der obere Teilabschnitt der Prozeßkammer kann das Innere der Vakuumkammer vor parasitärer Beschichtung während der Vakuumkammer abschirmen, ohne dass die The upper portion of the process chamber can shield the interior of the vacuum chamber from parasitic coating during the vacuum chamber without the
Zugänglichkeit des Inneren der Prozeßkammer beeinträchtigt für Pumpzwecke und Accessibility of the interior of the process chamber impaired for pumping and
Substrathandling beeinträchtigt wird. Substrate handling is impaired.
Dadurch, dass zwischen der Seitenwand des oberen Teilabschnitts und Seitenwand des unteren Teilabschnitts ein unterer Strömungspfad zwischen dem Innenbereich der Characterized in that between the side wall of the upper portion and side wall of the lower portion a lower flow path between the inner region of the
Prozesskammer und dem au ßerhalb des oberen Teilabschnitts angeordneten Innenbereich der Vakuumkammer vorgesehen ist, wird der untere Strömungspfad auf konstruktiv besonders einfache Weise realisiert. Dadurch, dass zwischen einem oberen Randbereich des oberen Teilabschnitts und einem in einem oberen Teil des Innenbereichs der Vakuumkammer angeordneten Dichtelement ein oberer Strömungsbereich zwischen dem Innenbereich der Prozesskammer und dem au ßerhalb des oberen Teilabschnitts angeordneten Innenbereich der Vakuumkammer vorgesehen ist, wird der obere Strömungspfad ebenfalls auf besonders konstruktiv einfache Weise realisiert. Vorteilhaft ist dabei ferner, dass der obere Strömungspfad geöffnet ist, falls der obere Teilabschnitt relativ zur Vakuumkammer in eine untere Position bewegt ist. Ferner ist vorteilhaft, dass der obere Strömungspfad geschlossen ist, falls der obere Teilabschnitt relativ zur Vakuumkammer in eine obere Position bewegt ist. Vorteilhaft ist dabei, falls der obere Teilabschnitt relativ zur Vakuumkammer in der oberen Position ist, die Process chamber and the outside of the upper portion disposed arranged inner region of the vacuum chamber, the lower flow path is realized in a structurally particularly simple manner. Characterized in that between an upper edge portion of the upper portion and a disposed in an upper part of the inner region of the vacuum chamber sealing element, an upper flow area between the inner region of the process chamber and the au ßerhalb the upper portion disposed arranged inner region of the vacuum chamber, the upper flow path is also on realized particularly constructively simple way. It is also advantageous that the upper flow path is opened if the upper portion is moved relative to the vacuum chamber in a lower position. Furthermore, it is advantageous that the upper flow path is closed if the upper section is moved relative to the vacuum chamber in an upper position. It is advantageous if the upper portion is relative to the vacuum chamber in the upper position, the
Prozesskammer gegenüber dem au ßerhalb des oberen Teilabschnitts und des unteren Teilabschnitts angeordneten Innenbereich der Vakuumkammer optisch dicht abgeschlossen. Damit wird eine parasitäre Beschichtung des Innenbereichs der Vakuumkammer zuverlässig verhindert, wobei gleichzeitig über den unteren Strömungspfad eine Versorgung der Process chamber with respect to the au outside the upper portion and the lower portion disposed inner region of the vacuum chamber optically sealed. In order for a parasitic coating of the inner region of the vacuum chamber is reliably prevented, at the same time via the lower flow path, a supply of
Prozesskammer mit Prozessgasen erfolgen kann. Bei den Substraten kann es sich insbesondere um Brillengläser oder dergleichen handeln, die als Batch in die Vakuumkammer eingeschleust, vakuumbehandelt und wieder ausgeschleust werden. Process chamber can be done with process gases. The substrates may in particular be spectacle lenses or the like, which are introduced as a batch into the vacuum chamber, vacuum-treated and discharged again.
Der untere Teilabschnitt kann in einer vorteilhaften Ausführungsform als Einsatzkomponente ausgebildet sein, die in eine Ausnehmung im Bodenbereich der Vakuumkammer eingesetzt oder einsetzbar ist. The lower portion may be formed in an advantageous embodiment as an insert component, which is inserted or inserted into a recess in the bottom region of the vacuum chamber.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass der untere In a further embodiment of the invention it is provided that the lower
Teilabschnitt durch eine Ausnehmung im Boden der Vakuumkammer gebildet ist. Hiermit kann zwar Material gespart werden, allerdings muss die Beschichtung dieses Bereichs der Part section is formed by a recess in the bottom of the vacuum chamber. This material can be saved, however, the coating of this range of the
Vakuumkammer in Kauf genommen werden. Vacuum chamber to be accepted.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Seitenwand des oberen Teilabschnitts als ein oberer Zylinderring ausgebildet ist, womit der obere In a further embodiment of the invention it is provided that the side wall of the upper portion is formed as an upper cylinder ring, whereby the upper
Strömungspfad und der untere Strömungspfad auf konstruktiv sehr einfache Weise realisiert werden können. Flow path and the lower flow path can be realized in a structurally very simple manner.
Insbesondere kann der obere Zylinderring einen Au ßendurchmesser aufweisen, der etwas geringer ist als der Innendurchmesser des unteren Teilabschnitts, und dabei eine Überlappung der Seitenwand des oberen und der Seitenwand des unteren Teilabschnitts vorgesehen sein, so dass ein Spalt zwischen Teilen der Seitenwand des oberen Teilabschnitts und Teilen der Seitenwand des unteren Teilabschnitts entsteht. Der untere Strömungspfad verläuft dabei durch den zwischen den Seitenwänden des oberen Teilabschnitts und des unteren Teilabschnitts gebildeten Spalt. Ein Leitwert des unteren Strömungspfads kann festgelegt werden durch den Spaltraum. Vorteilhaft kann auch dann, wenn der obere Teilabschnitt die obere Position einnimmt, noch eine Überlappung vorgesehen sein. Der obere Strömungspfad ist dann verschlossen, während der untere Strömungspfad offen ist. In particular, the upper cylinder ring may have an outer diameter that is slightly smaller than the inner diameter of the lower section, thereby providing an overlap of the sidewall of the upper and sidewalls of the lower section, such that a gap exists between parts of the sidewall of the upper section and Parts of the side wall of the lower section is created. The lower flow path extends through the gap formed between the side walls of the upper section and the lower section. A conductance of the lower flow path can be determined by the gap space. Advantageously, even if the upper section occupies the upper position, an overlap may still be provided. The upper flow path is then closed while the lower flow path is open.
Ferner kann die Seitenwand des unteren Teilabschnitts als ein unterer Zylinderring ausgebildet sein. Further, the side wall of the lower portion may be formed as a lower cylinder ring.
In einer anderen Ausführungsform weist der obere Zylinderring einen Innendurchmesser aufweisen, der etwas größerer ist ein Au ßendurchmesser des unteren Zylinderrings. In another embodiment, the upper cylinder ring has an inner diameter which is slightly larger than an outer diameter of the lower cylinder ring.
Bei einer weiteren Ausführungsform ist die Aufnahmeeinrichtung in der Prozeßkammer relativ bewegbar zur Vakuumkammer ausgebildet. Damit kann, ohne dass die Leitwerte der In a further embodiment, the receiving device is formed in the process chamber relatively movable to the vacuum chamber. This allows, without the conductivities of the
Strömungspfade geändert werden, der Abstand der Substrate zur Plasmaeinrichtung geändert werden, womit separat von den Leitwerten Parameter der Vakuumbehandlung der Substrate, wie beispielsweise lonenenergien des Plasmas auf der Substratoberfläche, beeinflussbar sind. Flow paths are changed, the distance of the substrates to the plasma device changed be, with which separately from the conductance parameters of the vacuum treatment of the substrates, such as ion energies of the plasma on the substrate surface, can be influenced.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die In a further embodiment of the invention it is provided that the
Aufnahmeeinrichtung in der oberen Position über die Substratschleuseneinrichtung mit Receiving device in the upper position on the substrate lock device with
Substraten beladbar ist. In diesem Fall ist der obere Teilabschnitt in eine untere Position gebracht. Substrates can be loaded. In this case, the upper section is brought into a lower position.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die In a further embodiment of the invention it is provided that the
Aufnahmeeinrichtung eine Bodenplatte aufweist, die einen Zwischenbodenbereich in der Prozesskammer bildet, so dass die Kammergröße variabel ist. Gegebenenfalls vorhandene Elemente einer Hubeinrichtung, mit der die Aufnahmeeinrichtung bewegbar ist, sind so vor parasitärer Besch ichtung geschützt. Receiving device has a bottom plate, which forms an intermediate floor area in the process chamber, so that the chamber size is variable. Optionally existing elements of a lifting device with which the receiving device is movable, are thus protected from parasitic Beschichtung.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Seitenwand des oberen Teilabschnitts und/oder die Seitenwand des unteren Teilabschnitts zumindest teilweise aus einem leitenden Material gefertigt sind und als Anode oder Teilanode fungieren können. In a further embodiment of the invention, it is provided that the side wall of the upper section and / or the side wall of the lower section are at least partially made of a conductive material and can function as an anode or partial anode.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass der obere Teilabschnitt elektrisch isoliert gegenüber der Vakuumkammer ist, womit ein weiterer Freiheitsgrad zur Einstellung der Potentialverhältnisse innerhalb der Prozeßkammer gewonnen ist. In a further embodiment of the invention, it is provided that the upper section is electrically insulated from the vacuum chamber, whereby a further degree of freedom for adjusting the potential conditions within the process chamber is obtained.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass der untere Teilabschnitt elektrisch isoliert gegenüber der Vakuumkammer ist, womit ein weiterer Freiheitsgrad zur Einstellung der Potentialverhältnisse innerhalb der Prozeßkammer gewonnen ist. In a further embodiment of the invention it is provided that the lower section is electrically insulated from the vacuum chamber, whereby a further degree of freedom for adjusting the potential conditions within the process chamber is obtained.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß der obere Teilabschnitt elektrisch mit der Vakuumkammer verbunden ist, womit ein weiterer Freiheitsgrad zur In a further embodiment of the invention it is provided that the upper portion is electrically connected to the vacuum chamber, whereby a further degree of freedom for
Einstellung der Potentialverhältnisse innerhalb der Prozeßkammer gewonnen ist. Adjustment of the potential conditions within the process chamber is obtained.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass der untere Teilabschnitt elektrisch mit der Vakuumkammer verbunden ist, womit ein weiterer Freiheitsgrad zur In a further embodiment of the invention it is provided that the lower portion is electrically connected to the vacuum chamber, whereby a further degree of freedom for
Einstellung der Potentialverhältnisse innerhalb der Prozeßkammer gewonnen ist. Adjustment of the potential conditions within the process chamber is obtained.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass zumindest die In a further embodiment of the invention it is provided that at least the
Bodenplatte der Aufnahmeeinrichtung aus einem elektrisch leitfähigen Material besteht und elektrisch gegenüber der Vakuumkammer, dem oberen Teilabschnitt oder dem unteren Bottom plate of the receiving device consists of an electrically conductive material and electrically opposite the vacuum chamber, the upper portion or the lower
Teilabschnitt isoliert ist, womit ein weiterer Freiheitsgrad zur Einstellung der Potentialverhältnisse innerhalb der Prozeßkammer gewonnen ist. In einer weiteren Ausführungsform ist die Bodenplatte aus einem elektrisch leitfähigen Material gefertigt und elektrisch mit der Vakuumkammer, dem oberen Teilabschnitt oder dem unteren Teilabschnitt verbunden. Part section is isolated, bringing another degree of freedom to adjust the Potential conditions within the process chamber is obtained. In a further embodiment, the bottom plate is made of an electrically conductive material and electrically connected to the vacuum chamber, the upper portion or the lower portion.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass der untere Teilabschnitt einen Bodenteil aufweist, der mit der Seitenwand des unteren Teilabschnitts verbunden ist. Vorteilhaft kann der untere Teilabschnitt als Ganzes in eine Ausnehmung im Boden der Vakuumkammer eingesetzt und auch wieder entfernt werden. In a further embodiment of the invention it is provided that the lower section has a bottom part which is connected to the side wall of the lower section. Advantageously, the lower portion can be used as a whole in a recess in the bottom of the vacuum chamber and also removed again.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die In a further embodiment of the invention it is provided that the
Schleuseneinrichtung eine Einschleus- und Ausschleuskammer umfasst, die einen Lock device comprises a Einschleus- and discharge chamber, the one
Bereitstellungsbereich zum Bereitstellen von Substraten beinhaltet, wobei ein Transportpfad zum Transport von Substraten von dem Bereitstellungsbereich zur Aufnahmeeinrichtung und von der Aufnahmeeinrichtung zu dem Bereitstellungsbereich führt. Der Transport erfolgt damit bei geöffneter Schleuse barrierefrei. Provision area for providing substrates, wherein a transport path for transporting substrates from the staging area to the receiving device and from the receiving device leads to the staging area. Transport is thus barrier-free with the lock open.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass zum Transport entlang des Transportpfades zwischen Bereitstellungsbereich und Aufnahmeeinrichtung eine In a further embodiment of the invention, it is provided that for transport along the transport path between the staging area and the receiving device
Schwenkplatte vorgesehen ist, die zwischen Bereitstellungsbereich und Aufnahmeeinrichtung um eine Schwenkachse schwenkbar ist, womit konstruktiv einfach eine gute Raumausnutzung erreicht werden kann. Pivoting plate is provided, which is pivotable about a pivot axis between the provision area and receiving device, which structurally simple good space utilization can be achieved.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Schwenkplatte eine Auflagestruktur mit Auflagemitteln für Substrate aufweist, so dass die Substrate während des Transports sicher geführt werden. In a further embodiment of the invention it is provided that the pivot plate has a support structure with support means for substrates, so that the substrates are guided safely during transport.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die In a further embodiment of the invention it is provided that the
Aufnahmeeinrichtung Substrataufnahmeelemente aufweist, wobei die Schwenkplatte im Receiving device substrate receiving elements, wherein the pivot plate in
Bereich der Aufnahmestruktur zumindest eine Ausnehmung aufweist, die den Area of the receiving structure has at least one recess which the
Substrataufnahmeelementen zugeordnet ist und es zulässt, dass die Schwenkplatte ohne eine Bewegungsbehinderung in den Bereich der Substrataufnahmeelemente schwenkbar ist. Die zumindest eine Ausnehmung erlaubt es, die Substrate unmittelbar in dem Bereich der Associated with substrate receiving elements and it allows that the pivot plate is pivotable in the region of the substrate receiving elements without a movement impediment. The at least one recess allows the substrates directly in the region of
Aufnahmeeinrichtung zu positionieren, während sie noch auf der Auflagestruktur der Positioning device while still on the support structure of the
Schwenkplatte liegen. Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Swing plate lie. In a further embodiment of the invention it is provided that the
Substrataufnahmeelemente zur Übernahme der Substrate sowie zur Übergabe der Substrate höhenverstellbar ausgebildet sind. Die Substrate sind dann während der Plasmabehandlung sicher von den Substrataufnahmeelementen aufgenommen. Substrate receiving elements for taking over the substrates and the transfer of the substrates are designed adjustable in height. The substrates are then safely taken up by the substrate receiving elements during the plasma treatment.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die In a further embodiment of the invention it is provided that the
Aufnahmeeinrichtung als Beschichtungsrotor mit einer Hauptdrehachse ausgebildet ist, womit eine Gleichmäßigkeit einer Beschichtung erhöht wird. Receiving device is designed as a coating rotor with a main axis of rotation, whereby a uniformity of a coating is increased.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Plasmaquelle als Sputterkathode, Elektronenstrahlverdampfer oder Plasmapolymerisationsquelle ausgebildet ist. In a further embodiment of the invention, it is provided that the plasma source is designed as a sputtering cathode, electron beam evaporator or plasma polymerization source.
Weitere Vorteile ergeben sich aus der folgenden Beschreibung unter Verwendung von Further advantages will be apparent from the following description using
Zeichnungen. In den Zeichnungen sind Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt. Die Zeichnungen, die Beschreibung und die Ansprüche enthalten zahlreiche Merkmale in Drawings. In the drawings, embodiments of the invention are shown. The drawings, the description and the claims contain numerous features in
Kombination. Der Fachmann wird die Merkmale zweckmäßigerweise einzeln betrachten und zu sinnvollen weiteren Kombinationen zusammenfassen. Combination. The person skilled in the art will expediently consider the features individually and combine them into meaningful further combinations.
Es zeigen beispielhaft: They show by way of example:
Figur 1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer Figure 1 is a schematic representation of a device according to the invention with a
Prozesskammer mit einem oberen und einem unteren Teilabschnitt;  Process chamber with an upper and a lower section;
Figur 2 eine vereinfachte schematische Darstellung der Vorrichtung in Figur 1 ohne den unteren Teilabschnitt der Prozesskammer; Figure 2 is a simplified schematic representation of the device in Figure 1 without the lower portion of the process chamber;
Figur 3 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit Figure 3 is a schematic representation of a device according to the invention with
Bereitstellungseinrichtung für Substrate;  Provision device for substrates;
Figur 4 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung nach Figur 3 in einem horizontal Figure 4 is a schematic representation of a device according to Figure 3 in a horizontal
Schnitt.  Cut.
Die Figuren 1 und 2 zeigen eine erfindungsgemäße Vorrichtung mit einer Vakuumkammer 1 mit einer Substratschleuseneinrichtung 1 16 und einer Plasmaeinrichtung, die auf einer eine entsprechende Öffnung aufweisende oberen Abdeckung 108 der Vakuumkammer 1 angeordnet ist. Die in dieser Ausführungsform als Kathodeneinrichtung 160 ausgebildete Plasmaeinrichtung umfaßt insbesondere ein Sputtertarget 165. Es versteht sich, dass auch eine anders Figures 1 and 2 show a device according to the invention with a vacuum chamber 1 with a substrate lock device 1 16 and a plasma device which is arranged on a corresponding opening having an upper cover 108 of the vacuum chamber 1. The plasma device embodied as cathode device 160 in this embodiment comprises, in particular, a sputtering target 165. It is understood that a different one also
ausgebildete Plasmaeinrichtung von der Erfindung umfasst ist. Wie in Figur 2 dargestellt ist, umfasst die Substratschleuseneinrichtung 1 16 insbesondere eine Schleusenöffnung 1 15, die in der Kammerwandung 101 der Vakuumkammer 1 angeordnet ist. Ferner ist in der Kammerwandung 101 eine Pumpöffnung 102 angeordnet. Es versteht sich, dass in der Kammerwandung 101 auch weitere Öffnungen vorgesehen sein können, falls dies zum Evakuieren, Belüften oder Betreiben der Vakuumkammer 1 zweckmäßig ist. formed plasma device is encompassed by the invention. As shown in FIG. 2, the substrate lock device 16 comprises, in particular, a lock opening 15, which is arranged in the chamber wall 101 of the vacuum chamber 1. Furthermore, a pump opening 102 is arranged in the chamber wall 101. It is understood that in the chamber wall 101, other openings may be provided, if appropriate for evacuating, venting or operating the vacuum chamber 1.
Im Innenbereich 1 a der Vakuumkammer 1 ist eine Prozesskammer 1 10 angeordnet, die einen oberen Teilabschnitt 105a mit einer Seitenwand 106a und einen unteren Teilabschnitt 105b mit einer Seitenwand 106b umfasst. Eine Oberseite der Prozeßkammer 1 10 umfaßt das In the inner region 1a of the vacuum chamber 1, a process chamber 110 is arranged, which comprises an upper section 105a with a side wall 106a and a lower section 105b with a side wall 106b. An upper side of the process chamber 1 10 includes the
Sputtertarget 165 und eine Targethalterung 165a. Die Seitenwände 106a, 106b sind zumindest teilweise aus einem leitendem Material, beispielsweise Edelstahl gefertigt. Die Seitenwände 106a und 106b sind zylinderringförmig ausgebildet. Der untere Teilabschnitt 105b ist fest in einer Ausnehmung 152 im Bodenbereich 120 der Vakuumkammer 1 angeordnet und weist einen Bodenteil 195 auf, der mit der Seitenwand 106b verbunden ist. Sputtering target 165 and a target holder 165a. The side walls 106a, 106b are at least partially made of a conductive material, such as stainless steel. The side walls 106a and 106b are cylindrical. The lower portion 105b is fixedly disposed in a recess 152 in the bottom portion 120 of the vacuum chamber 1 and has a bottom portion 195 which is connected to the side wall 106b.
Die Prozesskammer 1 10 weist einen Innenbereich 140 auf, in dem eine Vakuumbehandlung von in einer Substrathalterung 150 gehalterten Substraten 130 erfolgen kann. Bei der The process chamber 110 has an inner area 140 in which a vacuum treatment of substrates 130 held in a substrate holder 150 can take place. In the
Vakuumbehandlung handelt es sich vorzugsweise um eine Beschichtung von Oberflächen der Substrate 130 mittels eines Sputterplasmas. Es versteht sich, dass auch andere Vacuum treatment is preferably a coating of surfaces of the substrates 130 by means of a sputtering plasma. It is understood that others too
Vakuumbehandlungen, insbesondere Vorbehandlungen oder Reinigungsprozesse in der Prozesskammer 1 10 erfolgen können. Vacuum treatments, in particular pretreatments or cleaning processes in the process chamber 1 10 can be carried out.
Im Innenbereich 140 der Prozesskammer ist eine Aufnahmeeinrichtung 135 für Substrate 130 angeordnet. Mittels der oberhalb der Aufnahmeeinrichtung 135 angeordneten In the inner region 140 of the process chamber, a receiving device 135 for substrates 130 is arranged. By means of the above the receiving device 135 arranged
Kathodeneinrichtung 160 kann beispielsweise eine Beschichtung der Substrate 130 erfolgen. Die Aufnahmeeinrichtung 135 umfasst eine Bodenplatte 136, deren Ränder einen geringen Abstand zur Seitenwand 106b aufweisen und einen Zwischenbodenbereich in der Cathode means 160, for example, a coating of the substrates 130 take place. The receiving device 135 comprises a bottom plate 136 whose edges have a small distance from the side wall 106b and an intermediate bottom region in the
Prozeßkammer bilden. Auf diese Weise wird mittels der Seitenwände 106a und 106b sowie der Bodenplatte 136 im Inneren der Prozesskammer ein Prozessraum gebildet. Form process chamber. In this way, a process space is formed by means of the side walls 106a and 106b and the bottom plate 136 in the interior of the process chamber.
Die Aufnahmeeinrichtung 135 ist über eine Vakuumdurchführung mit einer Hubeinrichtung 185 verbunden, durch die eine vertikale Bewegung der Aufnahmeeinrichtung 135 innerhalb der Prozesskammer 1 10 realisiert werden kann. The receiving device 135 is connected via a vacuum feedthrough with a lifting device 185, by which a vertical movement of the receiving device 135 within the process chamber 1 10 can be realized.
Der obere Teilabschnitt 105a weist einen oberen Rand 107 auf, der gegen ein Dichtelement 109 im oberen Teil der Vakuumkammer gedrückt werden kann, wenn der obere Teilabschnitt 105a sich relativ zur Vakuumkammer 1 in einer oberen Position befindet. Das Dichtelement 109 kann beispielsweise ein in einer Öffnung der oberen Abdeckung 108 angebrachter Dichtring sein, dessen Form dem oberen Rand 107 angepaßt ist. Ein zwischen dem oberen Randbereich 107 und dem Dichtelement 109 verlaufender oberer Strömungspfad 190 ist dann geschlossen, wenn der obere Randbereich 107 gegen das Dichtelement 109 gedrückt ist. The upper section 105a has an upper edge 107 which can be pressed against a sealing element 109 in the upper part of the vacuum chamber when the upper section 105a is in an upper position relative to the vacuum chamber 1. The sealing element 109 may, for example, a mounted in an opening of the upper cover 108 sealing ring be, whose shape is adapted to the upper edge 107. An upper flow path 190 extending between the upper edge region 107 and the sealing element 109 is then closed when the upper edge region 107 is pressed against the sealing element 109.
Der obere Teilabschnitt 105a kann relativ zur Vakuumkammer 1 in untere Positionen bewegt werden, in der der obere Strömungspfad 190 geöffnet ist. Wie in der Figur 2 dargestellt ist, kann der Randbereich 107 dann so positioniert sein, dass über die Schleusenöffnung 1 15 eine gute Zugänglichkeit des Innenbereichs 140, beispielsweise zur Beladung mit Substraten vorliegt. The upper portion 105a can be moved relative to the vacuum chamber 1 in lower positions, in which the upper flow path 190 is opened. As shown in FIG. 2, the edge region 107 can then be positioned so that good accessibility of the inner region 140, for example for loading with substrates, is present via the lock opening 15.
Der obere Teilabschnitt 105a ist über eine Vakuumdurchführung mit einer Hubeinrichtung 125 verbunden, die mit einem Montageelement 126 beispielsweise an der Unterseite der The upper portion 105a is connected via a vacuum feedthrough with a lifting device 125, which with a mounting member 126, for example, at the bottom of
Vakuumkammer 1 im Bodenbereich befestigt ist. Mittels der Hubeinrichtung 125 kann der obere Teilabschnitt vertikal bewegt werden. In einer unteren Position des oberen Teilabschnitts 105a ist ein besonders einfaches Abpumpen bzw. Belüften der Prozeßkammer 1 10 über die Vacuum chamber 1 is fixed in the bottom area. By means of the lifting device 125, the upper portion can be moved vertically. In a lower position of the upper portion 105 a is a particularly simple pumping or venting of the process chamber 1 10 over the
Pumpöffnung 102 möglich. Pump opening 102 possible.
Der obere Teilabschnitt 105a und/oder der untere Teilabschnitt 105b können elektrisch gegenüber der Vakuumkammer 1 isoliert sein. Ferner können der obere Teilabschnitt 105a und/oder der untere Teilabschnitt 105b elektrisch mit der Vakuumkammer verbunden sein. Der obere Teilabschnitt 105a und/oder der untere Teilabschnitt 105b können ferner auf ein vorgegebenes oder floatendes elektrisches Potential gegenüber der Vakuumkammer 1 gelegt sein. Insbesondere können die obere Seitenwand 106a und/oder die untere Seitenwand 106b elektrisch gegenüber der Vakuumkammer 1 isoliert sein. Ferner können die obere Seitenwand 106a und/oder die untere Seitenwand 106b elektrisch mit der Vakuumkammer 1 verbunden sein. Ferner kann die Aufnahmeeinrichtung 135 oder die Bodenplatte 136 elektrisch gegenüber der Vakuumkammer 1 , dem oberen Teilabschnitt 105a und/oder dem unteren Teilabschnitt 105b isoliert sein. Ferner kann die Aufnahmeeinrichtung 135 oder die Bodenplatte 136 elektrisch mit der Vakuumkammer 1 , dem oberen Teilabschnitt 105a und/oder dem unteren Teilabschnitt 105b verbunden sein. Die Aufnahmeeinrichtung 135 oder die Bodenplatte 136 können ferner auf ein vorgegebenes oder floatendes elektrisches Potential gegenüber der Vakuumkammer 1 gelegt sein. The upper portion 105a and / or the lower portion 105b may be electrically insulated from the vacuum chamber 1. Further, the upper portion 105a and / or the lower portion 105b may be electrically connected to the vacuum chamber. The upper portion 105a and / or the lower portion 105b may be further set to a predetermined or floating electrical potential with respect to the vacuum chamber 1. In particular, the upper side wall 106a and / or the lower side wall 106b may be electrically insulated from the vacuum chamber 1. Further, the upper side wall 106a and / or the lower side wall 106b may be electrically connected to the vacuum chamber 1. Further, the receptacle 135 or the bottom plate 136 may be electrically insulated from the vacuum chamber 1, the upper portion 105a, and / or the lower portion 105b. Further, the receptacle 135 or the bottom plate 136 may be electrically connected to the vacuum chamber 1, the upper portion 105a, and / or the lower portion 105b. The receptacle 135 or the bottom plate 136 may be further set to a predetermined or floating electrical potential with respect to the vacuum chamber 1.
Während einer Vakuumbehandlung wird vorzugsweise der obere Teilabschnitt 105a in eine obere Position gebracht, sodass der Innenbereich 1 a der Vakuumkammer 1 keiner parasitären Beschichtung unterliegt. During a vacuum treatment, preferably, the upper section 105a is brought into an upper position, so that the inner region 1a of the vacuum chamber 1 is not subject to any parasitic coating.
Die Figuren 3 und 4 zeigen in schematischer Darstellung eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer Schleuseneinrichtung 1 16, die eine Einschleus- und Ausschleuskammer 205 umfasst. In der Einschleus- und Ausschleuskammer 205 ist ein Bereitstellungsbereich 205a zum Bereitstellen von Substraten 130 angeordnet. Ein Figures 3 and 4 show a schematic representation of an embodiment of a device according to the invention with a lock device 1 16, the Einschleus- and Exhaust chamber 205 includes. In the inflow and outflow chamber 205, a staging area 205a for providing substrates 130 is arranged. One
Transportpfad 206, durch einen Pfeil angedeutet, führt von dem Bereitstellungsbereich 205a zur Aufnahmeeinrichtung 135 bzw. von der Aufnahmeeinrichtung 135 zu dem Transport path 206, indicated by an arrow, leads from the provision area 205a to the receiving device 135 or from the receiving device 135 to the
Bereitstellungsbereich 205a. Der Transportpfad 206 führt durch die Öffnung der Provision area 205a. The transport path 206 leads through the opening of the
Schleuseneinrichtung 1 16. Lock device 1 16.
In der Figur 4 ist eine Abdeckblende 295 zu erkennen, die um eine Schwenkachse 295a bewegbar ist. Die Abdeckblende ist formangepasst an eine Ausnehmung 108a in der FIG. 4 shows a cover panel 295 which is movable about a pivot axis 295a. The cover is conformed to a recess 108a in the
Abdeckung 108 angepasst und ermöglicht es, das Innere 1 a der Vakuumkammer gegenüber der Plasmaeinrichtung 160 abzuschirmen. Vorteilhaft kann damit eine Konditionierung, beispielsweise einer Sputterkathode bei geschlossener Öffnung 108a erfolgen. Cover 108 adapted and makes it possible to shield the interior 1 a of the vacuum chamber with respect to the plasma device 160. Advantageously, a conditioning, for example, a sputter cathode with the opening 108a closed.
In den Figuren 3 und 4 ist als Transportmittel entlang des Transportpfades 206 eine In FIGS. 3 and 4, transport means along the transport path 206 are a transport means
Schwenkplatte 250 dargestellt, die um eine Schwenkachse 251 schwenkbar ist. Die Swivel plate 250 is shown, which is pivotable about a pivot axis 251. The
Schwenkplatte 250 ist in der Einschleus- und Ausschleuskammer 205 relativ zur Swing plate 250 is in the inward and outward transfer chamber 205 relative to
Schleuseneinrichtung 1 16 so angeordnet, daß die Schleuseneinrichtung 1 16 unbeeinträchtigt von der Schwenkplatte 250 geöffnet oder geschlossen werden kann, wenn die Schwenkplatte 250 in eine Bereitstellungsposition gebracht ist. Lock device 1 16 arranged so that the lock device 1 16 unobstructed by the pivot plate 250 can be opened or closed when the pivot plate 250 is brought into a ready position.
Die Schwenkplatte 250 weist eine Auflagestruktur mit Auflagemitteln 235 für Substrate 130 auf, mittels denen die Substrate 130 lösbar auf der Auflagestruktur fixiert werden können. Die Schwenkplatte 250 weist im Bereich der Aufnahmestruktur zumindest eine Ausnehmung 252 auf; in der Darstellung der Figur 4 sind drei derartige Ausnehmungen vorgesehen, durch die eine kammartige Form der Schwenkplatte realisiert wird. Die Öffnung der Ausnehmung 252 erstreckt sich in Schwenkrichtung der Schwenkplatte 250 bei einer Schwenkbewegung hin zur Aufnahmeeinrichtung 135. The pivot plate 250 has a support structure with support means 235 for substrates 130, by means of which the substrates 130 can be releasably fixed on the support structure. The swivel plate 250 has at least one recess 252 in the region of the receiving structure; in the illustration of Figure 4, three such recesses are provided by a comb-like shape of the pivot plate is realized. The opening of the recess 252 extends in the pivoting direction of the pivot plate 250 in a pivoting movement towards the receiving device 135th
Die Aufnahmeeinrichtung 135 weist Substrataufnahmeelemente 265 auf, die pilzartig relativ zur Bodenplatte 136 der Aufnahmeeinrichtung 135 ausgebildet sind. Die Ausnehmungen 252 erlauben es, die Schwenkplatte 250 in den Bereich der Substrataufnahmeelemente zu schwenken, wobei Schäfte 265a der Substrataufnahmeelemente 265 in den Ausnehmungen 252 angeordnet sind. Zu den Ausnehmungen 252 korrespondierende Fingerelemente 252a liegen dann neben den Schäften 265a, wenn die Schwenkplatte zum Beladen oder Entladen der Aufnahmeeinrichtung 135 in den Bereich der Substrataufnahmeelemente 265a geschwenkt ist. Zum Beladen der Aufnahmeeinrichtung 135 mit Substraten wird eine Schleusentür der Schleuseneinrichtung 1 16 mittels einer über eine Drehdurchführung 275 mit der Schleuse gekoppelten Hubeinrichtung 280 geöffnet. Die Schwenkplatte 250 wird aus dem The receiving device 135 has substrate receiving elements 265, which are formed like a mushroom relative to the bottom plate 136 of the receiving device 135. The recesses 252 allow the pivoting plate 250 to pivot in the region of the substrate receiving elements, wherein shafts 265 a of the substrate receiving elements 265 are arranged in the recesses 252. Finger elements 252a corresponding to the recesses 252 then lie next to the shanks 265a when the pivot plate is pivoted into the region of the substrate receiving elements 265a for loading or unloading the receiving device 135. For loading the receiving device 135 with substrates, a lock door of the lock device 1 16 is opened by means of a lifting device 280 coupled to the lock via a rotary feedthrough 275. The pivot plate 250 is removed from the
Bereitstellungsbereich 205a mittels einer Schwenkbewegung um die Schwenkachse 251 in das Innere 1 a der Vakuumkammer 1 bewegt, wo sich die Fingerelemente 252a mit den Substraten 130 im Bereich der Substrataufnahmeelemente 265 befinden. Die Substrataufnahmeelemente 265 sind zu diesem Zeitpunkt relativ tiefliegend, sodass die Substrate mit ihrer Unterseite über ihnen liegen. Anschließend werden die Substrataufnahmeelemente 265 nach oben bewegt, bis sie von unten die Substrate 130 aufnehmen. Die Substrate 130 werden dabei von den Provision area 205a by means of a pivoting movement about the pivot axis 251 moves into the interior 1 a of the vacuum chamber 1, where the finger elements 252a with the substrates 130 in the region of the substrate receiving elements 265 are located. The substrate receiving elements 265 are relatively low-lying at this time, so that the substrates lie with their underside on them. Subsequently, the substrate receiving elements 265 are moved upward until they receive the substrates 130 from below. The substrates 130 are thereby of the
Auflagemitteln 235 gelöst. Anschließend wird die Schwenkplatte 250 wieder in den Support means 235 solved. Subsequently, the pivot plate 250 is again in the
Bereitstellungsbereich 205a zurückgeschwenkt. Die Substrataufnahmeelemente 265 können, nachdem die Schwenkplatte 250 aus dem Bereich der Aufnahmeeinrichtung 135 entfernt worden ist, nach unten bewegt werden, insbesondere so weit, dass Öffnungen, in denen die Schäfte 265a bewegbar sind, in der Bodenplatte 136 durch die Substrataufnahmeelemente 265 geschlossen werden. Die Aufnahmeeinrichtung 135 kann als Beschichtungsrotor mit einer Hauptrotorachse 260 ausgebildet sein. Ferner können die Substrataufnahmeelemente 265 einem Planetengetriebe 270 zugeordnet sein und sich während der Rotation um die Provisioning area 205a pivoted back. The substrate receiving elements 265 may be moved downwards after the pivot plate 250 has been removed from the area of the receiving device 135, in particular so far that openings in which the shafts 265a are movable in the bottom plate 136 are closed by the substrate receiving elements 265. The receiving device 135 may be formed as a coating rotor with a main rotor axis 260. Furthermore, the substrate receiving elements 265 may be associated with a planetary gear 270 and during rotation about the
Hauptdrehachse 260 ihrerseits in einer Rotationsbewegung um lokale Drehachsen bewegen. Main axis of rotation 260 in turn move in a rotational movement about local axes of rotation.
Die Vorrichtung, insbesondere die Plasmaeinrichtung 160 sowie die bewegbaren The device, in particular the plasma device 160 and the movable
Komponenten, einschließlich nicht dargestellter Komponenten, wie Pumpen und Sensoren werden mittels einer Steuereinrichtung gesteuert und/oder geregelt. Ferner versteht es sich, dass zur Einstellung der elektrischen Potentiale an den oberen und/oder unteren Components, including unillustrated components, such as pumps and sensors, are controlled and / or regulated by a controller. Furthermore, it is understood that for adjusting the electrical potentials at the upper and / or lower
Teilabschnitten 105a, 105b sowie der Aufnahmeeinrichtung 135 oder ihren Komponenten entsprechende Spannungsquellen vorgesehen sind. Subsections 105a, 105b and the receiving device 135 or its components corresponding voltage sources are provided.
Bezugszeichenliste LIST OF REFERENCE NUMBERS
Vakuumkammer vacuum chamber
Innenbereich Vakuumkammer  Interior vacuum chamber
Kammerwandung  chamber wall
Pumpöffnung pumping port
a oberer Teilabschnitta upper section
b unterer Teilabschnittb lower section
c unterer Strömungspfadc lower flow path
a Seitenwände des oberen Teilabschnittsa side walls of the upper section
b Seitenwände des unteren Teilabschnitts b side walls of the lower section
Oberer Randbereich  Upper edge area
Obere Abdeckung  Upper cover
Dichtelement  sealing element
Prozesskammer  process chamber
Seitenwandung der Prozesskammer  Side wall of the process chamber
Schleusenöffnung  lock opening
Schleuseneinrichtung  lock device
Bodenbereich der Vakuumkammer  Floor area of the vacuum chamber
Hubmechanismus für den oberen Teilabschnitt  Lift mechanism for the upper section
Montageelement  mounting element
Substrat  substratum
Aufnahmeeinrichtung für Substrate  Receiving device for substrates
Bodenplatte  baseplate
Innenbereich der Prozeßkammer, Prozessraum  Interior of process chamber, process room
Substrathalterung  substrate holder
Ausnehmung  recess
Kathodeneinrichtung  cathode means
Sputtertarget sputtering Target
a Targethalterung a target holder
Hubeinrichtung für Aufnahmeeinrichtung  Lifting device for receiving device
oberer Strömungspfad  upper flow path
Bodenteil  the bottom part
Bereitstellungsbereich/Ablagebereich Ausschleuskammera Bereitstellungsbereich/Ablagebereich Einschleuskammer Transportpfad 230 Substrat Deployment area / storage area Extraction chamber Deployment area / storage area Infeed chamber Transport path 230 substrate
235 Aufnahmemittel für Substrate (Schwenkplatte) 235 receiving means for substrates (swivel plate)
250 Schwenkplatte 250 swivel plate
251 Schwenkachse  251 pivot axis
252 Ausnehmung  252 recess
252a Fingerelemente 252a finger elements
255 Montageöffnungen 255 mounting holes
260 Hauptdrehachse 260 main axis of rotation
265 Substrataufnahmeelement  265 substrate receiving element
265a Schaft  265a shaft
270 Planetengetriebe  270 planetary gear
275 Drehdurchführung  275 rotary feedthrough
280 Hubzylinder  280 lifting cylinders
285 Hubeinrichtung  285 lifting device
295 Abdeckblende  295 cover panel
295a Schwenkachse  295a pivot axis

Claims

Patentansprüche claims
Vorrichtung zur Vakuumbehandlung von Substraten (130) mit einer Device for the vacuum treatment of substrates (130) with a
Vakuumkammer (1 ) mit einer Plasmaeinrichtung (160)  Vacuum chamber (1) with a plasma device (160)
einer Prozeßkammer (1 10) und  a process chamber (1 10) and
einer in der Prozeßkammer (1 10) unterhalb der Plasmaeinrichtung angeordneten Aufnahmeeinrichtung (135) für Substrate (130), wobei  a in the process chamber (1 10) below the plasma device arranged receiving means (135) for substrates (130), wherein
die Prozeßkammer (1 10) einen oberen Teilabschnitt (105a) mit einer Seitenwand (106a) und einen unteren Teilabschnitt (105b) mit einer Seitenwand (106b) umfaßt the process chamber (110) comprises an upper section (105a) having a side wall (106a) and a lower section (105b) having a side wall (106b)
- der obere Teilabschnitt (105a) und der untere Teilabschnitt (105b) relativ zu einander vertikal bewegbar sind - The upper portion (105 a) and the lower portion (105 b) are vertically movable relative to each other
dadurch gekennzeichnet, dass  characterized in that
- zwischen der Seitenwand (106a) des oberen Teilabschnitts (105a) und der  between the side wall (106a) of the upper section (105a) and the
Seitenwand (106b) des unteren Teilabschnitts (105b) ein unterer Strömungspfad (105c) zwischen dem Innenbereich (140) der Prozeßkammer (1 10) und dem außerhalb des oberen Teilabschnitts (105a) angeordneten Innenbereich (1 a) der Vakuumkammer (1 ) vorgesehen ist  Side wall (106 b) of the lower portion (105 b) a lower flow path (105 c) between the inner region (140) of the process chamber (1 10) and the outside of the upper portion (105 a) arranged inside region (1 a) of the vacuum chamber (1) is provided
zwischen einem oberen Randbereich (107) des oberen Teilabschnitts (105a) und einem in einem oberen Teil des Innenbereichs (1 a) der Vakuumkammer (1 ) angeordneten Dichtelement (109) ein oberer Strömungspfad (190) zwischen dem Innenbereich (140) der Prozeßkammer (1 10) und dem außerhalb des oberen Teilabschnitts (105a) angeordneten Innenbereich (1 a) der Vakuumkammer (1 ) vorgesehen ist, wobei  between an upper edge region (107) of the upper subsection (105a) and a sealing element (109) arranged in an upper part of the inner region (1a) of the vacuum chamber (1), an upper flow path (190) between the inner region (140) of the process chamber ( 1 10) and the outside of the upper portion (105 a) arranged inside region (1 a) of the vacuum chamber (1) is provided, wherein
- der obere Teilabschnitt (105a) vertikal in eine untere Position bewegbar ist, in der der obere Strömungspfad (190) geöffnet ist  - The upper portion (105 a) is vertically movable to a lower position in which the upper flow path (190) is opened
- der obere Teilabschnitt (105a) vertikal in eine obere Position bewegbar ist, in der der obere Strömungspfad (190) geschlossen ist.  - The upper portion (105 a) is vertically movable to an upper position in which the upper flow path (190) is closed.
Vorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Seitenwand (106a) des oberen Teilabschnitts (105a) als ein oberer Zylinderring und die Seitenwand (106b) des unteren Teilabschnitts (105b) als ein unterer Zylinderring ausgebildet ist. An apparatus according to claim 1, characterized in that the side wall (106a) of the upper section (105a) as an upper cylinder ring and the side wall (106b) of the lower section (105b) are formed as a lower cylinder ring.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the
Aufnahmeeinrichtung (135) relativ zur Vakuumkammer (1 ) bewegbar ist. Receiving device (135) relative to the vacuum chamber (1) is movable.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahmeeinrichtung (135) in einer oberen Position über eine Substratschleuseneinrichtung (1 16) mit 4. Apparatus according to claim 3, characterized in that the receiving device (135) in an upper position via a substrate lock device (1 16) with
Substraten (130) beladbar ist.  Substrates (130) can be loaded.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahmeeinrichtung (135) eine Bodenplatte (136) aufweist, die einen Zwischenbodenbereich in der 5. Apparatus according to claim 4, characterized in that the receiving device (135) has a bottom plate (136) having an intermediate bottom portion in the
Prozeßkammer (140) bildet.  Process chamber (140) forms.
6. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Seitenwand (106a) des oberen Teilabschnitts (105a) und/oder die Seitenwand (106b) des unteren Teilabschnitts (105b) zumindest teilweise aus einem leitenden Material gefertigt sind. 6. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the side wall (106a) of the upper portion (105a) and / or the side wall (106b) of the lower portion (105b) are at least partially made of a conductive material.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der obere Teilabschnitt (105a) elektrisch isoliert gegenüber der Vakuumkammer (1 ) ist. 7. Apparatus according to claim 6, characterized in that the upper portion (105 a) is electrically isolated from the vacuum chamber (1).
8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass der untere 8. Apparatus according to claim 6 or 7, characterized in that the lower
Teilabschnitt (105b) elektrisch isoliert gegenüber der Vakuumkammer (1 ) ist.  Parting section (105b) is electrically isolated from the vacuum chamber (1).
9. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass der obere 9. Apparatus according to claim 6 or 8, characterized in that the upper
Teilabschnitt (105a) elektrisch mit der Vakuumkammer (1 ) verbunden ist.  Part section (105a) is electrically connected to the vacuum chamber (1).
10. Vorrichtung nach Anspruch 6, 7 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass der untere Teilabschnitt (105b) elektrisch mit der Vakuumkammer (1 ) verbunden ist. 10. Apparatus according to claim 6, 7 or 9, characterized in that the lower section (105b) is electrically connected to the vacuum chamber (1).
1 1 . Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahmeeinrichtung (135) elektrisch gegenüber der Vakuumkammer (1 ), dem oberen Teilabschnitt (105a) oder dem unteren Teilabschnitt (105b) isoliert ist. 1 1. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the receiving device (135) is electrically insulated from the vacuum chamber (1), the upper section (105a) or the lower section (105b).
12. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der untere Teilabschnitt (105b) einen Bodenteil aufweist, der mit den Seitenwänden (106b) des unteren Teilabschnitts (105b) verbunden ist. 12. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the lower portion (105b) has a bottom part which is connected to the side walls (106b) of the lower portion (105b).
13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schleuseneinrichtung (1 16) eine Einschleus- und Ausschleuskammer (205) umfasst, die einen eine Bereitstellungsbereich (205a) zum Bereitstellen von Substraten (130) beinhaltet, wobei ein Transportpfad (206) zum Transport von Substraten (130) von dem Bereitstellungsbereich (205a) zur Aufnahmeeinrichtung (135) und von der 13. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the lock device (1 16) comprises a Einschleus- and rejection chamber (205), which includes a staging area (205 a) for providing substrates (130), wherein a transport path (206 ) for transporting substrates (130) from the provision area (205a) to the receiving device (135) and of the
Aufnahmeeinrichtung (135) zu dem Bereitstellungsbereich (205a) führt.  Receiving device (135) leads to the staging area (205a).
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass zum Transport entlang des Transportpfades (206) zwischen Bereitstellungsbereich (105 und 14. The device according to claim 13, characterized in that for transport along the transport path (206) between the provision area (105 and
Aufnahmeeinrichtung (135) eine Schwenkplatte (250) vorgesehen ist, die zwischen Bereitstellungsbereich (205) und Aufnahmeeinrichtung (135) um eine Schwenkachse (251 ) schwenkbar ist.  Receiving device (135) is provided a pivot plate (250) which is pivotable between the supply area (205) and receiving means (135) about a pivot axis (251).
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Schwenkplatte (250) eine Auflagestruktur mit Auflagemitteln (235) für Substrate (130) aufweist. 15. The apparatus according to claim 14, characterized in that the pivot plate (250) has a support structure with support means (235) for substrates (130).
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahmeeinrichtung (135) Substrataufnahmeelemente (265) aufweist, wobei die Schwenkplatte (250) im Bereich der Aufnahmestruktur zumindest eine Ausnehmung (252) aufweist, die den Substrataufnahmeelementen (265) zugeordnet ist und es zulässt, dass die Schwenkplatte (250) ohne eine Bewegungsbehinderung in den Bereich der Substrataufnahmeelemente (265a) schwenkbar ist. 16. The apparatus according to claim 15, characterized in that the receiving device (135) substrate receiving elements (265), wherein the pivot plate (250) in the region of the receiving structure has at least one recess (252) which is associated with the substrate receiving elements (265) and it allows the pivot plate (250) to pivot into the region of the substrate receiving elements (265a) without movement restriction.
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch kennzeichnet, dass die 17. The apparatus according to claim 16, characterized in that the
Substrataufnahmeelemente (265) zur Übernahme der Substrate (130) sowie zur  Substrate receiving elements (265) for taking over the substrates (130) and the
Übergabe der Substrate (130) höhenverstellbar ausgebildet sind.  Transfer of the substrates (130) are designed adjustable in height.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahmeeinrichtung (135) als Beschichtungsrotor mit einer Hauptdrehachse (260) ausgebildet ist. 18. The apparatus according to claim 17, characterized in that the receiving device (135) is designed as a coating rotor with a main axis of rotation (260).
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Plasmaquelle (160) als Sputterkathode, Elektronenstrahlverdampfer oder 19. Device according to one of claims 1 to 18, characterized in that the plasma source (160) as Sputterkathode, electron beam evaporator or
Plasmapolymerisationsquelle ausgebildet ist.  Plasma polymerization is formed.
EP14720497.8A 2013-04-05 2014-03-26 Apparatus for the vacuum treatment of substrates Withdrawn EP2981634A1 (en)

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