EP2887176A1 - Electronic circuit with self-calibrated PTAT current reference, and method for operating same - Google Patents
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- EP2887176A1 EP2887176A1 EP13198965.9A EP13198965A EP2887176A1 EP 2887176 A1 EP2887176 A1 EP 2887176A1 EP 13198965 A EP13198965 A EP 13198965A EP 2887176 A1 EP2887176 A1 EP 2887176A1
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- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
Definitions
- This programmable resistor 8 can be composed of a network of resistors and programmable switches.
- the resistor network comprises several resistors of unit value in series and / or partly in parallel.
- switches may be provided by being connected in parallel with each unit resistor or groups of unit resistors, which is well known. The switches are controlled by digital signals or a control bit word from the processing unit 7 so as to bypass a number of unit resistors to adapt the resistive value of the programmable resistor 8.
- the first current mirror comprises a first NMOS transistor N1 whose source is connected to ground, and the drain and the gate are connected together, and a second NMOS transistor N2 whose gate is connected to the gate of the first transistor NMOS N1 and the source is connected to the switched capacitor resistor 12, as well as to a filter capacitor C f .
- the switched capacitor resistor 12 and the filter capacitor C f are also connected to the ground terminal in this embodiment.
- the switched capacitor resistor 12 therefore comprises a capacitor C, a first electrode of which is connected to a first switch 4 and to a second switch 5.
- a second electrode of the capacitor C is connected to the ground terminal.
- this capacitor C may be a CMOS capacitor type capacitor or a thin oxide metal electrode capacitor. This makes it possible to have a switched capacitor resistor 12 with an accuracy of the order of ⁇ 5%, whereas an integrated standard resistor 8 is produced with an accuracy of the order of ⁇ 30%.
- the first current mirror with the NMOS transistors can be replaced by a first current mirror with PMOS transistors, which is connected to the high potential terminal V DD
- the second current mirror with the PMOS transistors can be replaced by a second current mirror with NMOS transistors, which is connected to the ground terminal.
- the switched capacitor resistor 12 and the programmable resistor 8 are connected to the high potential terminal V DD .
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Abstract
Le circuit électronique (1) à référence de courant du type PTAT auto-calibrée, comprend un générateur de courant PTAT (3) dépendant d'une résistance intégrée (8) pour la fourniture d'un courant de sortie PTAT (I OUT ). Il comprend encore un générateur de courant de référence (2) dépendant d'au moins une résistance à condensateur commuté (12), pour la fourniture d'un courant de référence (I ref ). Le courant de référence (I ref ) et le courant de sortie PTAT (I OUT ) sont comparés dans un comparateur (6) pour adapter numériquement la résistance intégrée programmable (8) ou un rapport dimensionnel de transistors (P11, P12, P13) d'un miroir de courant dans le générateur du courant PTAT, pour la fourniture du courant de sortie PTAT (I OUT ) adapté.The electronic circuit (1) with current reference of the self-calibrated PTAT type comprises a PTAT current generator (3) dependent on an integrated resistor (8) for supplying a PTAT output current (I OUT). It further comprises a reference current generator (2) dependent on at least one switched capacitor resistor (12) for providing a reference current (I ref). The reference current (I ref) and the output current PTAT (I OUT) are compared in a comparator (6) to digitally adapt the programmable integrated resistor (8) or a transistor aspect ratio (P11, P12, P13) d a current mirror in the PTAT current generator for supplying the adapted PTAT (I OUT) output current.
Description
L'invention concerne un circuit électronique muni d'une référence de courant du type PTAT auto-calibrée.The invention relates to an electronic circuit provided with a self-calibrated PTAT current reference.
L'invention concerne également le procédé de calibration d'une source de courant du type PTAT du circuit électronique.The invention also relates to the method of calibrating a current source of the PTAT type of the electronic circuit.
Un courant de type PTAT est un courant proportionnel à la température absolue. Des sources de courant de type PTAT sont utilisées dans des circuits électroniques pour la fourniture d'au moins un courant dépendant de la température. Elles peuvent servir également dans des circuits électroniques à capteur de température ou dans des circuits de gestion de fonctions en liaison avec une base de temps.A PTAT type current is a current proportional to the absolute temperature. PTAT current sources are used in electronic circuits for providing at least one temperature dependent current. They can also be used in electronic circuits with a temperature sensor or in function management circuits in connection with a time base.
Généralement pour la génération d'une référence de courant du type PTAT dans un circuit électronique intégré dans un substrat en silicium, il est utilisé dans une branche de génération de courant une résistance classique. La précision d'une telle résistance peut varier de ±30% par rapport à une valeur estimée selon le procédé de fabrication par exemple de type MOS. Il doit souvent être prévu de calibrer une telle résistance au terme du procédé de fabrication pour pouvoir assurer une précision suffisante d'une référence de courant du type PTAT, ce qui est un inconvénient.Generally for the generation of a current reference of the PTAT type in an electronic circuit integrated in a silicon substrate, it is used in a current generation branch a conventional resistor. The accuracy of such a resistance can vary by ± 30% with respect to a value estimated according to the manufacturing method, for example of the MOS type. It often has to be planned to calibrate such a resistance at the end of the manufacturing process to be able to ensure a sufficient accuracy of a current reference of the PTAT type, which is a drawback.
Pour calibrer la référence de courant du type PTAT, il peut être utilisé un réseau de résistances et de commutateurs programmables liés aux résistances pour la génération de ce courant. Cela nécessite au terme de tout procédé de fabrication de mesurer la valeur de ce courant et de commander la connexion de plusieurs résistances pour obtenir la référence désirée de ce courant PTAT. Cela complique les opérations d'adaptation de cette référence de courant, ce qui constitue un inconvénient.To calibrate the current reference of the PTAT type, it is possible to use a network of resistors and programmable switches connected to the resistors for the generation of this current. This requires at the end of any manufacturing process to measure the value of this current and to control the connection of several resistors to obtain the desired reference of this current PTAT. This complicates the adaptation operations of this current reference, which is a drawback.
L'invention a donc pour but de fournir un circuit électronique muni d'une référence de courant du type PTAT auto-calibrée pour améliorer la précision de référence de courant indépendamment de toute variation du procédé de fabrication du circuit électronique et palliant les inconvénients susmentionnés de l'état de la technique.The object of the invention is therefore to provide an electronic circuit provided with a self-calibrated PTAT type current reference to improve the current reference accuracy independently of any variation in the manufacturing process of the electronic circuit and overcoming the aforementioned drawbacks of the state of the art.
A cet effet, l'invention concerne un circuit électronique muni d'une référence de courant du type PTAT auto-calibrée, qui comprend les caractéristiques mentionnées dans la revendication indépendante 1.To this end, the invention relates to an electronic circuit provided with a self-calibrated PTAT type current reference, which comprises the characteristics mentioned in the
Des formes d'exécution particulières du circuit électronique sont définies dans les revendications dépendantes 2 à 13.Particular embodiments of the electronic circuit are defined in the dependent claims 2 to 13.
Un avantage du circuit électronique réside dans le fait qu'il est possible d'ajuster numériquement un réseau de résistances pour la génération d'une référence de courant PTAT, en comparant un courant de sortie d'une unité de génération du courant PTAT à un courant de référence. Le courant de référence est généré dans un générateur de courant de référence sur la base d'une résistance équivalente à condensateur commuté.An advantage of the electronic circuit lies in the fact that it is possible to numerically adjust a resistor network for the generation of a PTAT current reference, by comparing an output current of a PTAT current generating unit with a current. reference current. The reference current is generated in a reference current generator based on a switched capacitor equivalent resistance.
Avantageusement, il est également possible d'adapter numériquement un rapport dimensionnel de transistors d'un miroir de courant de l'unité de génération du courant PTAT par la comparaison entre le courant de sortie PTAT et le courant de référence. Plusieurs transistors sont donc connectables en parallèle dans un miroir de courant de l'unité de génération pour la fourniture du courant PTAT.Advantageously, it is also possible to digitally adapt a dimensional ratio of transistors of a current mirror of the PTAT current generation unit by the comparison between the PTAT output current and the reference current. Several transistors are therefore connectable in parallel in a current mirror of the generation unit for supplying the PTAT current.
Avantageusement, une calibration de la référence de courant PTAT du circuit électronique peut être effectuée automatiquement dès la mise en fonction du circuit électronique. La calibration s'effectue par plusieurs comparaisons successives du courant de sortie PTAT avec le courant de référence par dichotomie. La comparaison peut être effectuée dans un comparateur. Une adaptation de la valeur résistive du réseau de résistances ou de la valeur du courant de sortie par la mise en parallèle de transistors d'un miroir de courant est commandée par l'intermédiaire d'une unité de traitement recevant l'information du comparateur.Advantageously, a calibration of the PTAT current reference of the electronic circuit can be performed automatically as soon as the electronic circuit is turned on. The calibration is performed by several successive comparisons of the PTAT output current with the reference current by dichotomy. The comparison can be performed in a comparator. An adaptation of the resistive value of the resistance network or of the value of the output current by paralleling transistors of a current mirror is controlled via a processing unit receiving the information of the comparator.
Avantageusement après la calibration de la référence de courant PTAT dans une première phase, l'unité de référence, qui fournit le courant de référence pour la comparaison avec le courant de sortie PTAT, peut être déconnectée. Les signaux de cadencement des commutateurs de la résistance à condensateur commuté, qui proviennent d'une base de temps, sont supprimés pour réduire la consommation et éviter toute pollution spectrale. Avec cette calibration automatique du courant de sortie PTAT, ce courant PTAT peut être au moins de 2 à 3 fois plus précis qu'un tel courant obtenu avec une résistance standard intégrée de l'état de la technique, tout en tenant compte des erreurs d'appariement des miroirs de courant et du comparateur de courants.Advantageously after the calibration of the PTAT current reference in a first phase, the reference unit, which supplies the reference current for comparison with the PTAT output current, can be disconnected. The timing signals of the switches of the switched capacitor resistor, which come from a time base, are suppressed to reduce consumption and avoid spectral pollution. With this automatic calibration of the PTAT output current, this PTAT current can be at least 2 to 3 times more accurate than such a current obtained with a standard integrated resistance of the state of the art, while taking into account the errors of pairing of the current mirrors and the current comparator.
A cet effet, l'invention concerne également un procédé de calibration d'une source de courant du type PTAT du circuit électronique, qui comprend les caractéristiques définies dans la revendication indépendante 14.For this purpose, the invention also relates to a method for calibrating a current source of the PTAT type of the electronic circuit, which comprises the characteristics defined in the independent claim 14.
Des étapes particulières du procédé sont définies dans les revendications dépendantes 15 à 17.Particular steps of the process are defined in dependent claims 15 to 17.
Les buts, avantages et caractéristiques du circuit électronique à référence de courant PTAT auto-calibrée, ainsi que le procédé de calibration d'une source de courant de type PTAT, apparaîtront mieux dans la description suivante sur la base d'au moins une forme d'exécution non limitative et illustrée par les dessins sur lesquels :
- la
figure 1 représente de manière simplifiée les différents composants du circuit électronique à référence de courant PTAT auto-calibrée selon l'invention, et - la
figure 2 représente un graphique des signaux de cadencement des commutateurs en liaison à au moins un condensateur pour l'unité maître référence du circuit électronique à référence de courant PTAT auto-calibrée selon l'invention.
- the
figure 1 represents in a simplified manner the various components of the self-calibrated PTAT current reference electronic circuit according to the invention, and - the
figure 2 represents a graph of the timing signals of the switches in connection with at least one capacitor for the reference master unit of the self-calibrated PTAT current reference electronic circuit according to the invention.
Dans la description suivante, tous les composants électroniques du circuit électronique à référence de courant PTAT, qui sont bien connus d'un homme du métier dans ce domaine technique, ne sont décrits que de manière simplifiée.In the following description, all the electronic components of the PTAT current reference electronic circuit, which are well known to those skilled in the art, are only described in a simplified manner.
A la
Pour adapter le courant de sortie PTAT IOUT, une comparaison dans un comparateur 6 est effectuée entre le courant de référence Iref de calibration de l'unité maître 2 et le courant de sortie PTAT IOUT de l'unité esclave 3. Dans un cas idéal ou après calibration, le courant de sortie PTAT IOUT est identique au courant de référence Iref. Cependant comme le circuit électronique avec la résistance 8 est intégré dans un substrat semiconducteur, tel qu'un substrat en silicium, la valeur résistive de la résistance 8 à la sortie du procédé de fabrication de type MOS n'est pas précise. De ce fait, le courant de sortie PTAT IOUT n'est pas identique au courant Iref. Dans ces conditions, la résistance programmable 8 est adaptée numériquement. La résistance programmable 8 peut être adaptée pour devenir équivalente à la résistance à condensateur commuté 12. En fonction de la comparaison entre les deux courants, une information en sortie du comparateur 6 est fournie à une unité de traitement 7 de manière à commander une adaptation numérique de la résistance programmable 8.To adapt the output current PTAT I OUT , a comparison in a
Cette résistance programmable 8 peut être composée d'un réseau de résistances et de commutateurs programmables. Le réseau de résistances comprend plusieurs résistances de valeur unitaire en série et/ou également en partie en parallèle. Dans le cas de résistances unitaires en série, des commutateurs peuvent être prévus en étant connectés en parallèle de chaque résistance unitaire ou de groupes de résistances unitaires, ce qui est bien connu. Les commutateurs sont commandés par des signaux numériques ou un mot binaire de commande provenant de l'unité de traitement 7 de manière à court-circuiter un certain nombre de résistances unitaires pour adapter la valeur résistive de la résistance programmable 8.This
L'unité de traitement 7 fournit donc un mot binaire pour commander les commutateurs et adapter la résistance programmable. Il peut être prévu un mot binaire de commande par exemple sur 16 bits de manière à ajuster ladite résistance programmable 8. Ceci permet de garantir une précision au moins de l'ordre de ±5% par rapport à la résistance estimée, alors que sans calibration, l'erreur de la résistance programmable peut être voisine de ±30% comme susmentionné. Cependant il doit être tenu compte dans la précision des erreurs d'appariement des miroirs de courant et du comparateur de courants 6, ce qui peut réduire quelque peu la précision.The
Pour adapter la résistance programmable 8, il est de préférence utilisé un algorithme de dichotomie dans l'unité de traitement 7. Cela permet de converger rapidement vers une valeur finale de la résistance programmable. Cette adaptation est effectuée pendant un certain nombre de cycles selon l'algorithme de dichotomie. Une fois que le courant de sortie PTAT IOUT devient identique au courant de référence Iref, une mémorisation du mot binaire de programmation de la résistance programmable est effectuée notamment dans une mémoire dans l'unité de traitement 7.To adapt the
L'unité maître ou générateur de courant de référence 2 comprend tout d'abord un premier miroir de courant composé de transistors N1, N2 d'un premier type de conductivité, par exemple de transistors de type NMOS. L'unité maître 2 comprend encore un second miroir de courant composé de transistors P1, P2, P3 d'un second type de conductivité, par exemple de transistors de type PMOS. Les premier et second miroirs de courant sont montés en série entre deux bornes d'une source de tension d'alimentation VDD. Le premier miroir de courant est de préférence relié à une première borne de la source de tension, qui est dans ce cas une borne de masse, alors que le second miroir de courant est de préférence relié à une seconde borne de la source de tension, qui est la borne de potentiel haut VDD.The master unit or reference current generator 2 comprises, first of all, a first current mirror composed of transistors N1, N2 of a first type of conductivity, for example NMOS type transistors. The master unit 2 further comprises a second current mirror composed of transistors P1, P2, P3 of a second conductivity type, for example PMOS type transistors. The first and second current mirrors are connected in series between two terminals of a supply voltage source V DD . The first current mirror is preferably connected to a first terminal of the voltage source, which in this case is a ground terminal, while the second current mirror is preferably connected to a second terminal of the voltage source, which is the potential terminal high V DD .
Selon la première forme d'exécution de la
Le drain et la grille du premier transistor NMOS N1 sont reliés au drain d'un premier transistor PMOS P1 du second miroir de courant. Le drain du second transistor NMOS N2 est relié à la grille et au drain d'un second transistor PMOS P2 du second miroir de courant. La grille du premier transistor PMOS P1 est reliée à la grille du second transistor PMOS P2. Le second miroir de courant comprend encore un troisième transistor PMOS P3 monté en parallèle des premier et second transistors PMOS P1, P2. La grille du troisième transistor PMOS P3 est reliée aux grilles des premier et second transistors PMOS P1, P2. Les sources des premier, second et troisième transistors PMOS P1, P2, P3 sont connectées à la borne de potentiel haut VDD de la source de tension. Le drain du troisième transistor PMOS P3 fournit le courant de référence Iref du générateur de courant de référence 2.The drain and the gate of the first NMOS transistor N1 are connected to the drain of a first PMOS transistor P1 of the second current mirror. The drain of the second NMOS transistor N2 is connected to the gate and the drain of a second PMOS transistor P2 of the second current mirror. The gate of the first PMOS transistor P1 is connected to the gate of the second PMOS transistor P2. The second current mirror further comprises a third PMOS transistor P3 connected in parallel with the first and second PMOS transistors P1, P2. The gate of the third PMOS transistor P3 is connected to the gates of the first and second PMOS transistors P1, P2. The sources of the first, second and third PMOS transistors P1, P2, P3 are connected to the high potential terminal V DD of the voltage source. The drain of the third PMOS transistor P3 provides the reference current I ref of the reference current generator 2.
Comme une résistance à condensateur commuté 12 est reliée à la source du second transistor NMOS N2, ce transistor NMOS N2 est N fois plus grand que le premier transistor NMOS N1, qui est considéré comme un transistor unitaire. Cela signifie que le second transistor NMOS N2 est composé de N premiers transistors NMOS N1, où N est un nombre entier plus grand ou égal à 2. Il peut par exemple être choisi N = 6 de manière à avoir un second transistor N2 6 fois plus grand que le premier transistor N1 ou au moins avoir une largeur de canal MOS 6 fois plus grande que la largeur de canal MOS du premier transistor N1.Since a switched
La résistance à condensateur commuté 12 comprend donc un condensateur C, dont une première électrode est reliée à un premier commutateur 4 et à un second commutateur 5. Une seconde électrode du condensateur C est reliée à la borne de masse. Dans la technologie CMOS du procédé de fabrication du circuit électronique, ce condensateur C peut être un condensateur du type CMOS à accumulation ou un condensateur à électrode métallique à oxyde mince. Cela permet d'avoir une résistance à condensateur commuté 12 avec une précision de l'ordre de ±5%, alors qu'une résistance standard intégrée 8 est réalisée avec une précision de l'ordre de ±30%.The switched
Le premier commutateur 4 est disposé entre la première électrode du condensateur C et la borne de masse, alors que le second commutateur 5 est disposé entre la première électrode du condensateur C et la source du second transistor NMOS N2. Le premier commutateur 4 est commandé par un premier signal de commande φ1, alors que le second commutateur 5 est commandé alternativement par un second signal de commande φ2. Le premier commutateur 4 est fermé, quand le second commutateur 5 est ouvert, dans une première phase, et le premier commutateur 4 est ouvert, quand le second commutateur 5 est fermé, dans une seconde phase. Chaque commutateur peut avantageusement être réalisé au moyen d'un transistor MOS, par exemple un transistor NMOS, qui est commandé sur sa grille par le signal de commande correspondant.The
La
La résistance équivalente, obtenue par la commande des premier et second commutateurs 4 et 5 avec les premier et second signaux de commande φ1 et φ2, est égale à T/C. T est la période de chaque signal de commande et C définit la capacité du condensateur. En modifiant la période T, la valeur résistive de la résistance équivalente peut être modifiée. Cette résistance équivalente de l'unité maître 2 peut être établie avec une précision de ±5% selon le procédé de fabrication du circuit électronique intégré dans un substrat en silicium traditionnel. Cette résistance équivalente 12 peut être identique à la résistance programmable 8 adaptée numériquement dans l'unité esclave 3 après la calibration du courant PTAT.The equivalent resistance, obtained by controlling the first and
A la suite de la calibration du courant de sortie PTAT IOUT, le générateur du courant de référence 2 et la base de temps pour la fourniture des signaux de commande φ1 et φ2 peuvent être déconnectés. Uniquement le générateur du courant PTAT calibré reste fonctionnel avec une précision du courant de sortie PTAT IOUT garanti avec une précision, qui peut être d'au moins ±5% de la valeur attendue.As a result of the calibration of the output current PTAT I OUT , the generator of the reference current 2 and the time base for the supply of the control signals φ1 and φ2 can be disconnected. Only the calibrated PTAT current generator remains operational with a PTAT I OUT output current accuracy guaranteed with accuracy, which can be at least ± 5% of the expected value.
De manière similaire à l'unité maître 2, l'unité esclave PTAT 3 ou le générateur de courant PTAT 3 comprend un premier miroir de courant composé de transistors N11, N12 d'un premier type de conductivité, par exemple de transistors de type NMOS. L'unité esclave PTAT 3 comprend encore un second miroir de courant composé de transistors P11, P12, P13 d'un second type de conductivité, par exemple de transistors de type PMOS. Les premier et second miroirs de courant sont montés en série entre deux bornes d'une source de tension d'alimentation VDD. Le premier miroir de courant est de préférence relié à la première borne de la source de tension, qui est dans ce cas la borne de masse, alors que le second miroir de courant est de préférence relié à la seconde borne de la source de tension, qui est la borne de potentiel haut VDD.In a manner similar to the master unit 2, the slave unit PTAT 3 or the current generator PTAT 3 comprises a first current mirror composed of transistors N11, N12 of a first conductivity type, for example NMOS type transistors. The slave unit PTAT 3 further comprises a second current mirror composed of transistors P11, P12, P13 of a second conductivity type, for example of PMOS type transistors. The first and second current mirrors are connected in series between two terminals of a supply voltage source V DD . The first current mirror is preferably connected to the first terminal of the voltage source, which in this case is the ground terminal, while the second current mirror is preferably connected to the second terminal of the voltage source, which is the potential terminal high V DD .
Comme montré à la
Le drain et la grille, du premier transistor NMOS N11 sont reliés au drain d'un premier transistor PMOS P11 du second miroir de courant. Le drain du second transistor NMOS N12 est relié à la grille et au drain d'un second transistor PMOS P12 du second miroir de courant. La grille du premier transistor PMOS P11 est reliée à la grille du second transistor PMOS P12. Le second miroir de courant de l'unité esclave PTAT 3 comprend encore un troisième transistor PMOS P13 monté en parallèle des premier et second transistors PMOS P11, P12. La grille du troisième transistor PMOS P13 est reliée aux grilles des premier et second transistors PMOS P11, P12. Les sources des premier, second et troisième transistors PMOS P11, P12, P13 sont connectées à la borne de potentiel haut VDD de la source de tension. Le drain du troisième transistor PMOS P13 fournit le courant de sortie PTAT IOUT du générateur de courant PTAT 3.The drain and the gate of the first NMOS transistor N11 are connected to the drain of a first PMOS transistor P11 of the second current mirror. The drain of the second NMOS transistor N12 is connected to the gate and the drain of a second PMOS transistor P12 of the second current mirror. The gate of the first PMOS transistor P11 is connected to the gate of the second PMOS transistor P12. The second current mirror of the slave unit PTAT 3 further comprises a third PMOS transistor P13 connected in parallel with the first and second PMOS transistors P11, P12. The gate of the third PMOS transistor P13 is connected to the gates of the first and second PMOS transistors P11, P12. The sources of the first, second and third PMOS transistors P11, P12, P13 are connected to the high potential terminal V DD of the voltage source. The drain of the third PMOS transistor P13 provides the output current PTAT I OUT of the current generator PTAT 3.
Comme la résistance programmable 8 est reliée à la source du second transistor NMOS N12, ce transistor NMOS N2 est N' fois plus grand que le premier transistor NMOS N11, qui est considéré comme un transistor unitaire. Cela signifie que le second transistor NMOS N12 est composé de N' premiers transistors NMOS N11, où N' est un nombre entier plus grand ou égal à 2. Il peut par exemple être choisi N' = 6 comme pour le second transistor N2 de l'unité maître 2. Cela permet d'avoir un second transistor N12 6 fois plus grand que le premier transistor N11 ou au moins avoir une largeur de canal MOS 6 fois plus grande que la largeur de canal MOS du premier transistor N11. Cependant le nombre N' peut être différent du nombre N.Since the
Il est encore à noter que le troisième transistor PMOS P13 peut également être prévu M fois plus grand que le premier transistor PMOS P11 et le second transistor PMOS P12 du second miroir de courant de l'unité esclave PTAT 3. M est un nombre entier plus grand ou égal à 1. Dans le cas où M est égal à 1, la résistance programmable 8, qui a été adaptée, peut être équivalente à la résistance à condensateur commuté 12 de l'unité maître 2.It should also be noted that the third PMOS transistor P13 may also be provided M times larger than the first PMOS transistor P11 and the second PMOS transistor P12 of the second current mirror of the slave unit PTAT 3. M is an integer more greater than or equal to 1. In the case where M is equal to 1, the
Selon une variante d'exécution du circuit électronique 1 non illustrée, il peut être utilisé à la place du troisième transistor PMOS P13, un ensemble de transistors unitaires combinés avec des commutateurs contrôlés numériquement. En lieu et place d'adapter numériquement la résistance programmable 8, il peut être envisagé d'avoir une résistance 8 de valeur définie, et d'adapter numériquement un rapport dimensionnel de transistors PMOS du second miroir de courant, qui fournissent le courant de sortie PTAT IOUT. Un mot binaire d'adaptation est fourni au terme des cycles de calibration par l'algorithme de dichotomie. Ce mot binaire pour configurer l'ensemble de transistors est mémorisé dans l'unité de traitement 7.According to an alternative embodiment of the
Il peut aussi être envisagé d'inverser la structure électronique de l'unité maître 2 et de l'unité esclave 3. Le premier miroir de courant avec les transistors NMOS peut être remplacé par un premier miroir de courant avec des transistors PMOS, qui est relié à la borne de potentiel haut VDD, alors que le second miroir de courant avec les transistors PMOS peut être remplacé par un second miroir de courant avec des transistors NMOS, qui est relié à la borne de masse. Dans ce cas de figure, la résistance à condensateur commuté 12 et la résistance programmable 8 sont reliées à la borne de potentiel haut VDD.It can also be envisaged to invert the electronic structure of the master unit 2 and of the slave unit 3. The first current mirror with the NMOS transistors can be replaced by a first current mirror with PMOS transistors, which is connected to the high potential terminal V DD , while the second current mirror with the PMOS transistors can be replaced by a second current mirror with NMOS transistors, which is connected to the ground terminal. In this case, the switched
Il peut aussi être envisagé d'avoir plusieurs résistances à condensateur commuté disposés en parallèle et commandées chacune par deux signaux de commande propres à chaque résistance à condensateur commuté.It may also be envisaged to have several switched capacitor resistors arranged in parallel and each controlled by two control signals specific to each switched capacitor resistor.
A partir de la description qui vient d'être faite, plusieurs variantes de réalisation du circuit électronique à référence de courant PTAT peuvent être conçues par l'homme du métier sans sortir du cadre de l'invention définie par les revendications.From the description that has just been given, several alternative embodiments of the current reference electronic circuit PTAT can be designed by those skilled in the art without departing from the scope of the invention defined by the claims.
Claims (17)
caractérisé en ce que le circuit électronique (1) comprend en outre un générateur de courant de référence (2) dépendant d'au moins une résistance à condensateur commuté (12), pour la fourniture d'un courant de référence (Iref), et
en ce que le courant de référence (Iref) et le courant de sortie PTAT (IOUT) sont comparés dans un comparateur (6) de manière à adapter numériquement la résistance intégrée (8), qui est programmable, ou à adapter numériquement un rapport dimensionnel de transistors (P11, P12, P13) d'un miroir de courant dans le générateur du courant PTAT, pour la fourniture du courant de sortie PTAT (IOUT) adapté.Electronic circuit (1) with self-calibrated PTAT type current reference, the electronic circuit (1) comprising a PTAT current generator (3) depending on at least one integrated resistor (8) for supplying a current PTAT output (I OUT ),
characterized in that the electronic circuit (1) further comprises a reference current generator (2) dependent on at least one switched capacitor resistor (12) for supplying a reference current (I ref ), and
in that the reference current (I ref ) and the output current PTAT (I OUT ) are compared in a comparator (6) so as to digitally adapt the integrated resistor (8), which is programmable, or to digitally adapt a dimensional ratio of transistors (P11, P12, P13) of a current mirror in the PTAT current generator, for providing the adapted PTAT (I OUT ) output current.
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