EP2617071A1 - Galvanically coated optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component - Google Patents

Galvanically coated optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

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Publication number
EP2617071A1
EP2617071A1 EP11743492.8A EP11743492A EP2617071A1 EP 2617071 A1 EP2617071 A1 EP 2617071A1 EP 11743492 A EP11743492 A EP 11743492A EP 2617071 A1 EP2617071 A1 EP 2617071A1
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EP
European Patent Office
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optoelectronic semiconductor
semiconductor chip
metallic carrier
electrically insulating
semiconductor component
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP11743492.8A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Siegfried Herrmann
Helmut Fischer
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Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of EP2617071A1 publication Critical patent/EP2617071A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Definitions

  • An optoelectronic semiconductor component is specified.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor device is specified.
  • WO 2009/079978 describes optoelectronic
  • An object to be solved is to provide an optoelectronic semiconductor device, the improved thermal
  • the optoelectronic semiconductor device In accordance with at least one disclosed embodiment of the optoelectronic semiconductor device, the optoelectronic
  • Semiconductor component at least one substrathom
  • Optoelectronic semiconductor chip may be a
  • Radiation-emitting semiconductor chip in particular a light-emitting diode act.
  • Semiconductor chip is then formed by a laser diode or by a light emitting diode.
  • UV radiation Radiation in the wavelength range between UV radiation and infrared radiation, in particular of visible light
  • the optoelectronic semiconductor chip is a part of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip is substrateless. That is, a growth substrate onto which the semiconductor layers of the optoelectronic
  • Optoelectronic semiconductor chip therefore consists of its epitaxially grown semiconductor layers and
  • metallizations which are applied to an outer surface of the semiconductor body formed by the epitaxially grown semiconductor layers.
  • Substrate-free optoelectronic semiconductor chip is characterized, inter alia, by its small thickness.
  • Semiconductor chip has a thickness of less than 10 ⁇ , preferably less than 7 ⁇ , for example, about 6 ⁇ on.
  • the substratlose optoelectronic semiconductor chip has on its upper side a first main surface and at its
  • Main surfaces can pass through at least one side surface
  • the second main surface can then serve as a mounting surface with which the optoelectronic
  • the optoelectronic component comprises
  • Semiconductor device has a metallic carrier attached to the
  • the metallic carrier is formed with a material having metallic properties.
  • the metallic carrier is made of a metal or a metal alloy.
  • the metallic carrier is arranged on the underside of the optoelectronic semiconductor chip and
  • the metallic carrier is deposited galvanically or de-energized on the second main surface of the optoelectronic semiconductor chip. That is, the metallic carrier is generated by electrodeposition or electroless deposition.
  • the production by means of galvanic or electroless deposition is an objective feature of the finished optoelectronic semiconductor device
  • the optoelectronic semiconductor component Semiconductor chips is deposited and not otherwise attached to the optoelectronic semiconductor chip.
  • the metallic carrier projects beyond the optoelectronic semiconductor chip in at least one embodiment
  • the lateral directions are included For example, ene directions which are parallel to the second main surface of the optoelectronic semiconductor chip. In the present case, therefore, the metallic carrier does not terminate flush with the optoelectronic in the lateral direction
  • the metallic carrier preferably projects completely beyond the optoelectronic semiconductor chip. That is, the metallic carrier then projects beyond the optoelectronic semiconductor chip in all lateral directions, that is, on all side surfaces of the optoelectronic
  • the metallic carrier thereby has a larger base area than the optoelectronic semiconductor chip.
  • the semiconductor component comprises a substrateless optoelectronic semiconductor chip which has a first main surface on an upper side and a second main surface on an underside.
  • Optoelectronic semiconductor device a metallic
  • Semiconductor chips is arranged, wherein the metallic carrier projects beyond the optoelectronic semiconductor chip in at least one lateral direction and the metallic carrier is deposited galvanically or de-energized on the second main surface of the optoelectronic semiconductor chip.
  • optoelectronic semiconductor chip The present described optoelectronic semiconductor device allows this geometry dependence between optoelectronic
  • the metallic carrier may have other geometric dimensions and shapes than the optoelectronic semiconductor chip.
  • the metallic carrier on which the optoelectronic semiconductor chip is located can be made geometrically variable.
  • Semiconductor chips can be expanded in a lateral direction. This can, for example, an improved
  • Semiconductor device can be achieved.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor component is specified.
  • a multiplicity of optoelectronic semiconductor chips is initially provided
  • the optoelectronic semiconductor chip is
  • Substrate-free optoelectronic semiconductor chips That is, the growth substrate of the optoelectronic semiconductor chips is removed prior to deployment and before the
  • Optoelectronic semiconductor chips are separated into, for example, a semiconductor wafer in the plurality of substrateless optoelectronic semiconductor chips. According to at least one embodiment of the method, in a next method step, the plurality of
  • Optoelectronic semiconductor chips disposed on an intermediate carrier and mechanically fastened may for example consist of a ceramic material or glass.
  • the attachment can be done for example by means of a releasable adhesive bond.
  • the optoelectronic semiconductor chips can be arranged on the intermediate carrier at arbitrary distances from each other. Preferably, the optoelectronic semiconductor chips are arranged at a distance from each other, so that between each two immediately adjacent to each other optoelectronic semiconductor chips
  • Gap be chosen particularly large, so that there is a metallic carrier, which is particularly far in the lateral direction over the optoelectronic semiconductor chip
  • the electrically insulating layer can For example, be formed with a silicone, an epoxy resin or a combination of these materials. Further, it is possible that the electrically insulating layer contains PCB or a spin-on glass or consists of one of these materials.
  • a seed layer is applied to the side of the optoelectronic side facing away from the intermediate carrier
  • the seed layer is formed for example with a metallic material and can be applied by vapor deposition or sputtering.
  • the seed layer makes an intimate connection with the optoelectronic semiconductor chips and the electrically insulating layer.
  • a metallic carrier is then deposited galvanically or electrolessly.
  • the method comprises the following steps:
  • Optoelectronic semiconductor chips are spaced from each other, so that between two
  • each immediately adjacent optoelectronic semiconductor chips is formed a gap, and Filling the intermediate spaces with an electrically insulating layer,
  • an optoelectronic semiconductor component described here can preferably be produced. That is, all features disclosed for the method are also disclosed for the optoelectronic semiconductor device and vice versa.
  • the following embodiments relate to both
  • the form dominates
  • the metallic carrier the optoelectronic semiconductor chip in at least one lateral direction by at least 100 ⁇ , preferably by at least 250 ⁇ . It is possible that the metallic carrier the optoelectronic semiconductor chip in all lateral directions by at least 100 ⁇ ,
  • the form dominates
  • the metallic carrier the optoelectronic semiconductor chip in at least one lateral direction by at least 10%, preferably by at least 25% of the maximum edge length of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the maximum edge length of the optoelectronic semiconductor chip is the length of the longer of the two edges in the case of a rectangular optoelectronic semiconductor chip.
  • At a round Optoelectronic semiconductor chip is the maximum edge length of the diameter of the optoelectronic
  • the seed layer may consist of the same or a different material than the metallic carrier.
  • the seed layer is applied by sputtering or vapor deposition.
  • the germ layer is applied by sputtering or vapor deposition.
  • the seed layer is set up to reflect electromagnetic radiation to be emitted or to be detected by the optoelectronic semiconductor chip.
  • the seed layer then has a
  • the seed layer may contain silver, for example.
  • the metallic carrier is electrically conductive and forms at least one
  • the metallic carrier is at least one contact point of the optoelectronic Semiconductor chips electrically conductively connected, for example, the side facing away from the optoelectronic semiconductor chip side of the metallic carrier then forms at least one
  • the seed layer is also designed to be electrically conductive, so that an over the
  • the metallic carrier comprises subareas that are electrically insulated from one another, wherein each of the subregions forms an electrical connection point of the optoelectronic semiconductor component, and the
  • connection points are unequal names. That is, the metallic carrier is divided into at least two subregions, the connection points to the n- and p-side
  • the optoelectronic semiconductor device is surface mountable, wherein the
  • connection points are formed on the side remote from the optoelectronic semiconductor chip side of the metallic carrier.
  • the metallic support comprises or consists of one of the following materials: nickel, copper, gold, palladium.
  • the metallic carrier it is possible for the metallic carrier to have regions, for example layers, of other materials.
  • the following layer structure comprising: a layer of nickel, a layer of
  • this comprises
  • Optoelectronic semiconductor device a variety
  • the optoelectronic semiconductor device in particular also be optoelectronic semiconductor chips that emit light of different colors.
  • the optoelectronic semiconductor device then comprises at least a red light, a green light and a blue light-emitting optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic semiconductor chips of the optoelectronic semiconductor component can be electrically separated from one another so that they can be operated independently of one another.
  • this comprises
  • Optoelectronic semiconductor device exactly one single substrateless optoelectronic semiconductor chip.
  • this comprises
  • Optoelectronic semiconductor device an electrical
  • the electrically insulating layer which covers the metallic carrier on its outer surface facing the optoelectronic semiconductor chip and on the outer surface free of the optoelectronic semiconductor chip, wherein the electrically insulating layer comprises a
  • the electrically insulating layer may, for example, be flush with the first main area of the optoelectronic semiconductor chip facing away from the carrier
  • the optoelectronic semiconductor chip can be completely separated from the electrical surface at its side surfaces
  • the optoelectronic semiconductor chip facing the main surface of the carrier at the top of the carrier is therefore completely from the
  • the electrically insulating layer is set up to be emitted or supplied by the optoelectronic semiconductor chip during operation
  • the electrically insulating layer may, for example, comprise particles of a filler. Reflective means that the electrically insulating layer has a reflectivity of radiation in the visible spectral range
  • the electrically insulating circuitry in particular more than 80% or more than 90%, preferably more than 94%.
  • the electrically insulating layer preferably reflects diffusely.
  • the electrically insulating layer preferably appears white.
  • the reflective particles are made of, for example, a metal oxide such as alumina or titania, a metal fluoride such as calcium fluoride or a silica, or consist thereof.
  • a mean diameter of the particles for example a median diameter d5 Q in Qg, is preferably between 0.3 ⁇ and 5 ⁇ .
  • reflective layer is preferably between
  • the particles work reflective due to its preferably white color and / or due to its refractive index difference to that
  • Matrix material According to at least one embodiment, only the first main surface of the optoelectronic semiconductor chip is freely accessible. That is, except for the first main surface, the optoelectronic semiconductor chip is completely covered. The optoelectronic semiconductor chip can thereby
  • the seed layer For example, be covered by the seed layer, the metallic carrier and / or the electrically insulating layer.
  • the optoelectronic semiconductor chip if it is a radiation-emitting semiconductor chip, emits the electromagnetic radiation generated during operation exclusively through the first main surface.
  • Separation structures are used to form electrically isolated portions of the metallic carrier in the finished optoelectronic semiconductor device
  • Form connecting points of the optoelectronic semiconductor device which may be unlike names.
  • Figures 1A and 1B show schematically
  • Figure 1A Representation of Figure 1A is a first embodiment of an optoelectronic device described herein
  • the optoelectronic semiconductor component comprises a substrateless
  • Optoelectronic semiconductor chip 1 is free of one
  • the optoelectronic semiconductor chip is, for example, a
  • Lumineszenzdiodenchip for example, a light-emitting diode, or to a radiation-detecting chip such as a photodiode.
  • the optoelectronic semiconductor chip has at its
  • the optoelectronic semiconductor chip 1 On top of a first major surface la. On its underside, the optoelectronic semiconductor chip 1 has a second main surface 1b.
  • the optoelectronic semiconductor chip is cuboid, so that the first
  • Main surface la and the second major surface lb have the same shape and size.
  • the optoelectronic semiconductor component further comprises a metallic carrier 2.
  • the metallic carrier is produced by galvanic or electroless deposition.
  • a seed layer 21 is arranged, which has a mechanically strong connection between the metallic carrier 2 and the optoelectronic
  • Semiconductor chip 1 mediates.
  • the carrier 2 completely projects beyond the optoelectronic semiconductor chip 1 on its side surfaces 1c in all lateral directions 1.
  • the base area of the carrier 2 is at least twice the area of the second main area 1b and / or the first main area 1a of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the carrier 2 is designed to be electrically conductive.
  • the seed layer 21 is formed electrically conductive.
  • the carrier 2 therefore forms an electrical connection point of the optoelectronic semiconductor component and is connected to the bottom lb electrically conductively connected to the optoelectronic semiconductor chip 1.
  • the carrier 2 has two partial regions 2 a, 2 b, which are electrically insulated from one another by an electrically insulating material 3.
  • the electrically insulating material may be formed, for example, with silicone, epoxy, a ceramic material or a glass-containing material.
  • the subareas 2a, 2b form unequal connection points of the optoelectronic semiconductor chip 1. For example, they are with
  • the optoelectronic semiconductor component is therefore surface-mountable, that is to say it can be remote from the semiconductor chip 1 by means of an adhesive or soldered connection
  • the underside of the carrier 2 mechanically fixed and be electrically contacted.
  • an electrically insulating layer 4 which covers the optoelectronic semiconductor chip 1 at the side surfaces lc and flush with the first
  • Main surface la can complete, so that the
  • insulating layer 4 do not project beyond each other.
  • insulating layer 4 is formed radiation-reflective and is provided with particles of a filler.
  • the electrically insulating layer 4 can cover, for example, the seed layer 21. In the region of the electrically insulating material 3, however, the seed layer 21 is removed, so that the electrically insulating layer 4 and the electrically
  • insulating material 3 are in direct contact with each other.
  • Optoelectronic semiconductor chip 1 is replaced by a
  • Connecting agent layer 6 mediates, which is for example an adhesive connection. Between the optoelectronic semiconductor chips 1 spaces 7 are formed.
  • the gaps 7 are subsequently provided with the electrically insulating layer 4, which may be formed for example with PCB or spin-on glass.
  • the seed layer 21 is on the top of the intermediate carrier 5 facing away from the
  • the seed layer 21 is followed by the metallic carrier composite 20, which is deposited, for example, galvanically or electrolessly on the seed layer 21
  • step 2d the separation takes place to individual optoelectronic semiconductor components, each having a metallic carrier 2 and at least one
  • Optoelectronic semiconductor chip 1 see Figure 2D.
  • Connection carrier for example, a lead frame 11 with the underside of the metallic support 2 facing away from the optoelectronic semiconductor chip 1
  • Example be fixed by soldering.
  • the metallic carrier 2 then forms a first electrical connection point of the optoelectronic semiconductor component.
  • connection point is formed by the bonding pad 10a on the first main surface la of the optoelectronic semiconductor chip 1, which is connected by means of a connecting wire 9 with a corresponding bonding pad 10b of the support frame 11. As shown schematically in FIG. 2E, from
  • Optoelectronic semiconductor chip 1 generated in operation heat 8 are discharged through the metal substrate 2 particularly large area to the support frame 11.
  • Figures 3A to 3G is another
  • Separation structures for example, by exposure and developing a photoresist 12 on the side facing away from the intermediate carrier 5 side of the seed layer 21 is formed.
  • the isolating structures 12 form electrical insulators during the deposition of the carrier composite 20 galvanically or de-energized.
  • FIG. 3E the electrically insulating separating structures 12 are detached, so that openings 13 in the carrier assembly 20 are formed.
  • FIG. 3F shows that the openings 13 are subsequently filled up with the electrically insulating material 3.
  • Singling can, for example, as synonymous with the
  • Photographic technique and subsequent etching for example, with FeC13 done.
  • Optoelectronic semiconductor device for example, prepared by a method similar to the method described in connection with Figures 3A to 3G can be.
  • the electrically insulating layer 4 is dispensed with by removal of the same after completion of the method.
  • the layer 4 can also remain in the optoelectronic semiconductor component.
  • the contacting of the optoelectronic semiconductor chip 1 is now shown in more detail with reference to FIGS. 4A and 4B.
  • the optoelectronic semiconductor chip 1 has at its
  • Contact point 14a serves for n-side connection.
  • Optoelectronic semiconductor chip 1 may be formed, which is coated with an electrically insulating material and filled with an electrically conductive material, which produces an electrical contact to the p-side of the semiconductor chip 1.
  • the breakdown may also be connected to the n-type semiconductor material, that is, unlike in FIG. 4B, n-side and p-side contacts may also be interchanged.
  • the electrically insulating material 3 is now arranged in a trench so that a partial region 2b of the carrier 2 is formed, which is electrically insulated from the partial regions 2a. In this way, on the semiconductor chip 1 opposite bottom of the carrier two connection points for electrical contacting of the optoelectronic
  • FIG. 4B shows a sectional view along the interface between carrier 2 and optoelectronic semiconductor chip 1.

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Abstract

The invention relates to an optoelectronic semiconductor component, comprising a substrate-free optoelectronic semiconductor chip (1), which has a first main surface (1a) on an upper face and a second main surface (1b) on a lower face, and a metal carrier (2), which is arranged on the lower face of the optoelectronic semiconductor chip (1), wherein the metal carrier (2) protrudes over the optoelectronic semiconductor chip (1) in at least one lateral direction (1) and the metal carrier (2) is deposited on the second main surface (1b) of the optoelectronic semiconductor chip (1) using a galvanic or electroless plating method.

Description

Beschreibung description
GALVANISCH BESCHICHTETES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEILS GALVANIC COATED OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Die Druckschriften DE 102005053274, WO 2006/032252 und An optoelectronic semiconductor component is specified. In addition, a method for producing an optoelectronic semiconductor device is specified. The documents DE 102005053274, WO 2006/032252 and
WO 2009/079978 beschreiben optoelektronische WO 2009/079978 describes optoelectronic
Halbleiterbauteile . Semiconductor components.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das verbesserte thermische An object to be solved is to provide an optoelectronic semiconductor device, the improved thermal
Eigenschaften aufweist. Features.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist das optoelektronische In accordance with at least one disclosed embodiment of the optoelectronic semiconductor device, the optoelectronic
Halbleiterbauteil zumindest einen substratlosen Semiconductor component at least one substratlosen
optoelektronischen Halbleiterchip auf. Bei dem optoelectronic semiconductor chip on. In which
optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich um einen Optoelectronic semiconductor chip may be a
Strahlungsemittierenden Halbleiterchip, insbesondere um eine Lumineszenzdiode, handeln. Der optoelektronische Radiation-emitting semiconductor chip, in particular a light-emitting diode act. The optoelectronic
Halbleiterchip ist dann durch eine Laserdiode oder durch eine Leuchtdiode gebildet. Vorzugsweise ist der optoelektronische Halbleiterchip zur Erzeugung von elektromagnetischer Semiconductor chip is then formed by a laser diode or by a light emitting diode. Preferably, the optoelectronic semiconductor chip for generating electromagnetic
Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen UV-Strahlung und Infrarotstrahlung, insbesondere von sichtbarem Licht Radiation in the wavelength range between UV radiation and infrared radiation, in particular of visible light
eingerichtet. Ferner ist es möglich, dass es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip um einen set up. Furthermore, it is possible for the optoelectronic semiconductor chip to be a
strahlungsdetektierenden Halbleiterchip, also beispielsweise um eine Fotodiode, handelt. Der optoelektronische Halbleiterchip ist vorliegend substratlos ausgebildet. Das heißt, ein Aufwachssubstrat, auf welches die Halbleiterschichten des optoelektronischen radiation-detecting semiconductor chip, so for example, a photodiode acts. In the present case, the optoelectronic semiconductor chip is substrateless. That is, a growth substrate onto which the semiconductor layers of the optoelectronic
Halbleiterchips epitaktisch aufgewachsen werden, ist von den epitaktisch gewachsenen Schichten entfernt. Der Semiconductor chips are epitaxially grown, is removed from the epitaxially grown layers. Of the
optoelektronische Halbleiterchip besteht daher aus seinen epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichten und Optoelectronic semiconductor chip therefore consists of its epitaxially grown semiconductor layers and
gegebenenfalls aus Metallisierungen, die an einer Außenfläche des durch die epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichten gebildeten Halbleiterkörpers aufgebracht sind. Der optionally from metallizations which are applied to an outer surface of the semiconductor body formed by the epitaxially grown semiconductor layers. Of the
substratlose optoelektronische Halbleiterchip zeichnet sich dabei unter anderem durch seine geringe Dicke aus. Substrate-free optoelectronic semiconductor chip is characterized, inter alia, by its small thickness.
Vorzugsweise weist der substratlose optoelektronische Preferably, the substrateless optoelectronic
Halbleiterchip eine Dicke von weniger als 10 μπι, vorzugsweise weniger als 7 μπι, zum Beispiel zirka 6 μπι auf. Semiconductor chip has a thickness of less than 10 μπι, preferably less than 7 μπι, for example, about 6 μπι on.
Der substratlose optoelektronische Halbleiterchip weist an seiner Oberseite eine erste Hauptfläche und an seiner The substratlose optoelectronic semiconductor chip has on its upper side a first main surface and at its
Unterseite eine zweite Hauptfläche auf. Die beiden Bottom of a second major surface. The two
Hauptflächen können durch zumindest eine Seitenfläche Main surfaces can pass through at least one side surface
miteinander verbunden sein. Beispielsweise tritt im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem substratlosen optoelektronischen Halbleiterchip größtenteils durch die erste Hauptfläche aus. Die zweite Hauptfläche kann dann als Montagefläche dienen, mit der der optoelektronische be connected to each other. For example, electromagnetic radiation generated in operation from the substrateless optoelectronic semiconductor chip largely passes through the first main surface. The second main surface can then serve as a mounting surface with which the optoelectronic
Halbleiterchip auf einem Träger montiert ist. Dabei ist es möglich, dass die Anschlussstellen zur elektrischen  Semiconductor chip is mounted on a carrier. It is possible that the connection points for electrical
Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips an der zweiten Hauptfläche angeordnet sind. Der optoelektronische Halbleiterchip kann in diesem Fall oberflächenmontierbar sein . Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das optoelektronische Contacting the optoelectronic semiconductor chip are arranged on the second major surface. The optoelectronic semiconductor chip may be surface mountable in this case. According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the optoelectronic component comprises
Halbleiterbauteil einen metallischen Träger, der an der Semiconductor device has a metallic carrier attached to the
Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet ist. Der metallische Träger ist mit einem Material gebildet, das metallische Eigenschaften aufweist. Beispielsweise besteht der metallische Träger aus einem Metall oder einer Metalllegierung. Der metallische Träger ist an der Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet und Bottom of the optoelectronic semiconductor chip is arranged. The metallic carrier is formed with a material having metallic properties. For example, the metallic carrier is made of a metal or a metal alloy. The metallic carrier is arranged on the underside of the optoelectronic semiconductor chip and
vorzugsweise dort mechanisch am optoelektronischen preferably there mechanically at the optoelectronic
Halbleiterchip befestigt. Semiconductor chip attached.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der metallische Träger galvanisch oder stromlos an der zweiten Hauptfläche des optoelektronischen Halbleiterchips abgeschieden. Das heißt, der metallische Träger ist durch galvanisches oder stromloses Abscheiden erzeugt. Beim Erzeugen durch galvanisches oder stromloses Abscheiden handelt es sich um ein gegenständliches Merkmal, das am fertigen optoelektronischen Halbleiterbauteil According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the metallic carrier is deposited galvanically or de-energized on the second main surface of the optoelectronic semiconductor chip. That is, the metallic carrier is generated by electrodeposition or electroless deposition. The production by means of galvanic or electroless deposition is an objective feature of the finished optoelectronic semiconductor device
eindeutig von anderen Herstellungsverfahren unterscheidbar ist. Insbesondere kann aufgrund des Fehlens eines clearly distinguishable from other manufacturing processes. In particular, due to the lack of a
Verbindungsmittels wie etwa einer Lotmetallisierung zwischen metallischem Träger und optoelektronischem Halbleiterchip eindeutig nachgewiesen werden, dass der metallische Träger an der zweiten Hauptfläche des optoelektronischen Connection means such as a Lotmetallisierung between metallic support and optoelectronic semiconductor chip are clearly demonstrated that the metallic support on the second major surface of the optoelectronic
Halbleiterchips abgeschieden ist und nicht etwa auf andere Weise am optoelektronischen Halbleiterchip befestigt ist. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauteils überragt der metallische Träger den optoelektronischen Halbleiterchip in zumindest einer Semiconductor chips is deposited and not otherwise attached to the optoelectronic semiconductor chip. In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the metallic carrier projects beyond the optoelectronic semiconductor chip in at least one embodiment
lateralen Richtung. Die lateralen Richtungen sind dabei beispielsweise ene Richtungen, welche parallel zur zweiten Hauptfläche des optoelektronischen Halbleiterchips verlaufen. Der metallische Träger schließt also vorliegend in lateraler Richtung nicht bündig mit dem optoelektronischen lateral direction. The lateral directions are included For example, ene directions which are parallel to the second main surface of the optoelectronic semiconductor chip. In the present case, therefore, the metallic carrier does not terminate flush with the optoelectronic in the lateral direction
Halbleiterchip ab, sondern er überragt diesen an zumindest einer Seitenfläche. Vorzugsweise überragt der metallische Träger den optoelektronischen Halbleiterchip vollständig. Das heißt, der metallische Träger überragt den optoelektronischen Halbleiterchip dann in allen lateralen Richtungen, das heißt an allen Seitenflächen des optoelektronischen Semiconductor chip, but it projects beyond this on at least one side surface. The metallic carrier preferably projects completely beyond the optoelectronic semiconductor chip. That is, the metallic carrier then projects beyond the optoelectronic semiconductor chip in all lateral directions, that is, on all side surfaces of the optoelectronic
Halbleiterchips. Insgesamt weist der metallische Träger dadurch eine größere Grundfläche als der optoelektronische Halbleiterchip auf. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Halbleiterbauteil einen substratlosen optoelektronischen Halbleiterchip, der an einer Oberseite eine erste Hauptfläche und an einer Unterseite eine zweite Hauptfläche aufweist. Weiter umfasst das  Semiconductor chips. Overall, the metallic carrier thereby has a larger base area than the optoelectronic semiconductor chip. In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the semiconductor component comprises a substrateless optoelectronic semiconductor chip which has a first main surface on an upper side and a second main surface on an underside. Next includes the
optoelektronische Halbleiterbauteil einen metallischen Optoelectronic semiconductor device a metallic
Träger, der an der Unterseite des optoelektronischen Carrier at the bottom of the optoelectronic
Halbleiterchips angeordnet ist, wobei der metallische Träger den optoelektronischen Halbleiterchip in zumindest einer lateralen Richtung überragt und der metallische Träger galvanisch oder stromlos an der zweiten Hauptfläche des optoelektronischen Halbleiterchips abgeschieden ist. Semiconductor chips is arranged, wherein the metallic carrier projects beyond the optoelectronic semiconductor chip in at least one lateral direction and the metallic carrier is deposited galvanically or de-energized on the second main surface of the optoelectronic semiconductor chip.
Bei galvanisch oder stromlos abgeschiedenen metallischen Trägern geschieht das Abscheiden der metallischen Träger auf die optoelektronischen Halbleiterchips aus Gründen der In the case of galvanically or electrolessly deposited metallic carriers, the deposition of the metallic carriers onto the optoelectronic semiconductor chips takes place for reasons of
Effizienz bisher im Waferverbund . Bedingt dadurch schließt der Träger in lateraler Richtung bündig mit dem  Efficiency so far in the wafer composite. As a result, the carrier closes flush with the lateral direction
optoelektronischen Halbleiterchip ab. Das vorliegend beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil erlaubt es, diese Geometrieabhängigkeit zwischen optoelektronischem optoelectronic semiconductor chip. The present described optoelectronic semiconductor device allows this geometry dependence between optoelectronic
Halbleiterchip und metallischem Träger aufzulösen. Der metallische Träger kann andere geometrische Abmessungen und Formen als der optoelektronische Halbleiterchip aufweisen.Dissolve semiconductor chip and metallic carrier. The metallic carrier may have other geometric dimensions and shapes than the optoelectronic semiconductor chip.
Dies erlaubt einen skalierbaren metallischen Träger, der sich beispielsweise durch eine verbesserte thermische Ankopplung beim Einsatz des optoelektronischen Halbleiterbauteils auszeichnet. Mit anderen Worten kann der metallische Träger, auf dem sich der optoelektronische Halbleiterchip befindet, geometrisch veränderbar gestaltet werden. Der metallische Träger, also der Sockel des optoelektronischen This allows a scalable metallic carrier, which is characterized for example by an improved thermal coupling when using the optoelectronic semiconductor device. In other words, the metallic carrier on which the optoelectronic semiconductor chip is located can be made geometrically variable. The metallic carrier, so the base of the optoelectronic
Halbleiterchips, kann in lateraler Richtung expandiert werden. Dadurch kann beispielsweise eine verbesserte Semiconductor chips, can be expanded in a lateral direction. This can, for example, an improved
thermische Ankopplung des optoelektronischen thermal coupling of the optoelectronic
Halbleiterbauteils erreicht werden. Semiconductor device can be achieved.
Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird zunächst eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips In addition, a method for producing an optoelectronic semiconductor component is specified. In accordance with at least one embodiment of the method, a multiplicity of optoelectronic semiconductor chips is initially provided
bereitgestellt, wobei jeder der optoelektronischen provided, each of the optoelectronic
Halbleiterchips an einer Oberseite eine erste Hauptfläche und an einer Unterseite eine zweite Hauptfläche aufweist. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich um Semiconductor chips on a top side a first main surface and on a bottom side has a second main surface. The optoelectronic semiconductor chip is
substratlose optoelektronische Halbleiterchips. Das heißt, das Aufwachssubstrat der optoelektronischen Halbleiterchips wird vor dem Bereitstellen entfernt und bereits vor dem Substrate-free optoelectronic semiconductor chips. That is, the growth substrate of the optoelectronic semiconductor chips is removed prior to deployment and before the
Bereitstellen der Vielzahl von substratlosen Providing the variety of substrateless
optoelektronischen Halbleiterchips erfolgt eine Vereinzelung beispielsweise eines Halbleiterwafers in die Vielzahl von substratlosen optoelektronischen Halbleiterchips. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird in einem nächsten Verfahrensschritt die Vielzahl von Optoelectronic semiconductor chips are separated into, for example, a semiconductor wafer in the plurality of substrateless optoelectronic semiconductor chips. According to at least one embodiment of the method, in a next method step, the plurality of
optoelektronischen Halbleiterchips auf einem Zwischenträger angeordnet und mechanisch befestigt. Der Zwischenträger kann dazu beispielsweise aus einem keramischen Material oder Glas bestehen. Die Befestigung kann beispielsweise mittels einer lösbaren Klebeverbindung erfolgen. Die optoelektronischen Halbleiterchips können auf dem Zwischenträger in beliebigen Abständen zueinander angeordnet werden. Vorzugsweise werden die optoelektronischen Halbleiterchips beabstandet zueinander angeordnet, sodass zwischen zwei zueinander unmittelbar benachbarten optoelektronischen Halbleiterchips je ein Optoelectronic semiconductor chips disposed on an intermediate carrier and mechanically fastened. The intermediate carrier may for example consist of a ceramic material or glass. The attachment can be done for example by means of a releasable adhesive bond. The optoelectronic semiconductor chips can be arranged on the intermediate carrier at arbitrary distances from each other. Preferably, the optoelectronic semiconductor chips are arranged at a distance from each other, so that between each two immediately adjacent to each other optoelectronic semiconductor chips
Zwischenraum ausgebildet ist. Die Größe dieses Zwischenraums bestimmt später beim fertigen optoelektronischen Interspace is formed. The size of this gap determines later in the finished optoelectronic
Halbleiterbauteil die laterale Erstreckung des Trägers und damit, wie weit der Träger in lateraler Richtung über den optoelektronischen Halbleiterchip übersteht. Bei Semiconductor component, the lateral extent of the carrier and thus how far the carrier in the lateral direction over the optoelectronic semiconductor chip. at
optoelektronischen Halbleiterchips, die beispielsweise thermisch besonders stark beansprucht werden, kann der Optoelectronic semiconductor chips, which are particularly stressed, for example, thermally, the
Zwischenraum besonders groß gewählt werden, sodass sich ein metallischer Träger ergibt, der besonders weit in lateraler Richtung über den optoelektronischen Halbleiterchip Gap be chosen particularly large, so that there is a metallic carrier, which is particularly far in the lateral direction over the optoelectronic semiconductor chip
übersteht . Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens erfolgt in einem nächsten Verfahrensschritt ein Auffüllen der survives. In accordance with at least one embodiment of the method, in a next method step, a filling of the
Zwischenräume mit einer elektrisch isolierenden Schicht. Das Auffüllen geschieht dabei beispielsweise derart, dass die elektrisch isolierende Schicht bündig mit der dem Intermediate spaces with an electrically insulating layer. The filling takes place, for example, such that the electrically insulating layer flush with the
Zwischenträger abgewandten Seite der optoelektronischen Intermediate carrier side facing away from the optoelectronic
Halbleiterchips, also der zweiten Hauptfläche des Semiconductor chips, so the second major surface of the
optoelektronischen Halbleiterchips an ihrer Unterseite, abschließt. Die elektrisch isolierende Schicht kann beispielsweise mit einem Silikon, einem Epoxidharz oder einer Kombination dieser Materialien gebildet sein. Ferner ist es möglich, dass die elektrisch isolierende Schicht PCB oder ein Spin-On-Glas enthält oder aus einem dieser Materialien besteht . optoelectronic semiconductor chip on its underside, terminates. The electrically insulating layer can For example, be formed with a silicone, an epoxy resin or a combination of these materials. Further, it is possible that the electrically insulating layer contains PCB or a spin-on glass or consists of one of these materials.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird in einem nächsten Verfahrensschritt eine Keimschicht auf die dem Zwischenträger abgewandte Seite der optoelektronischen According to at least one embodiment of the method, in a next method step, a seed layer is applied to the side of the optoelectronic side facing away from the intermediate carrier
Halbleiterchips und der elektrisch isolierenden Schicht aufgebracht. Die Keimschicht ist beispielsweise mit einem metallischen Material gebildet und kann durch Aufdampfen oder Sputtern aufgebracht werden. Die Keimschicht geht eine innige Verbindung mit den optoelektronischen Halbleiterchips und der elektrisch isolierenden Schicht ein. Auf die Keimschicht wird anschließend ein metallischer Träger galvanisch oder stromlos abgeschieden . Semiconductor chips and the electrically insulating layer applied. The seed layer is formed for example with a metallic material and can be applied by vapor deposition or sputtering. The seed layer makes an intimate connection with the optoelectronic semiconductor chips and the electrically insulating layer. On the seed layer, a metallic carrier is then deposited galvanically or electrolessly.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Verfahren die folgenden Schritte: In accordance with at least one embodiment of the method for producing an optoelectronic semiconductor component, the method comprises the following steps:
- Bereitstellen einer Vielzahl von optoelektronischen - Provide a variety of optoelectronic
Halbleiterchips, wobei jeder der optoelektronischen Semiconductor chips, each of the optoelectronic
Halbleiterchips an einer Oberseite eine erste Hauptfläche und an einer Unterseite eine zweite Hauptfläche aufweist, Semiconductor chips having on a top side a first main surface and on a bottom side a second main surface,
- Anordnen und Befestigen der Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips auf einem Zwischenträger, wobei die  Arranging and fixing the plurality of optoelectronic semiconductor chips on an intermediate carrier, wherein the
optoelektronischen Halbleiterchips beabstandet zueinander angeordnet werden, sodass zwischen zwei zueinander Optoelectronic semiconductor chips are spaced from each other, so that between two
unmittelbar benachbarten optoelektronischen Halbleiterchips je ein Zwischenraum ausgebildet ist, und - Auffüllen der Zwischenräume mit einer elektrisch isolierenden Schicht, each immediately adjacent optoelectronic semiconductor chips is formed a gap, and Filling the intermediate spaces with an electrically insulating layer,
- Aufbringen einer Keimschicht auf die dem Zwischenträger abgewandte Seite der optoelektronischen Halbleiterchips und der elektrisch isolierenden Schicht, und  - Applying a seed layer on the side facing away from the intermediate carrier of the optoelectronic semiconductor chips and the electrically insulating layer, and
- galvanisches oder stromloses Abscheiden eines metallischen Trägers auf die Keimschicht.  - Galvanic or electroless deposition of a metallic carrier on the seed layer.
Mittels des hier beschriebenen Verfahrens kann vorzugsweise ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das Verfahren offenbarten Merkmale sind auch für das optoelektronische Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt. Die folgenden Aus führungs formen beziehen sich sowohl auf das By means of the method described here, an optoelectronic semiconductor component described here can preferably be produced. That is, all features disclosed for the method are also disclosed for the optoelectronic semiconductor device and vice versa. The following embodiments relate to both
optoelektronische Halbleiterbauteil als auch auf das hier beschriebene Verfahren. Optoelectronic semiconductor device as well as the method described here.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form überragt der According to at least one embodiment, the form dominates
metallische Träger den optoelektronischen Halbleiterchip in zumindest einer lateralen Richtung um wenigstens 100 μπι, vorzugsweise um wenigstens 250 μπι. Dabei ist es möglich, dass der metallische Träger den optoelektronischen Halbleiterchip in allen lateralen Richtungen um wenigstens 100 μπι, metallic carrier the optoelectronic semiconductor chip in at least one lateral direction by at least 100 μπι, preferably by at least 250 μπι. It is possible that the metallic carrier the optoelectronic semiconductor chip in all lateral directions by at least 100 μπι,
vorzugsweise um wenigstens 250 μπι überragt. preferably surmounted by at least 250 μπι.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form überragt der According to at least one embodiment, the form dominates
metallische Träger den optoelektronischen Halbleiterchip in zumindest einer lateralen Richtung um wenigstens 10%, vorzugsweise um wenigstens 25% der maximalen Kantenlänge des optoelektronischen Halbleiterchips. Die maximale Kantenlänge des optoelektronischen Halbleiterchips ist dabei bei einem Rechteckigen optoelektronischen Halbleiterchip die Länge der längeren der beiden Kanten. Bei einem runden optoelektronischen Halbleiterchip ist die maximale Kantenlänge der Durchmesser des optoelektronischen metallic carrier the optoelectronic semiconductor chip in at least one lateral direction by at least 10%, preferably by at least 25% of the maximum edge length of the optoelectronic semiconductor chip. The maximum edge length of the optoelectronic semiconductor chip is the length of the longer of the two edges in the case of a rectangular optoelectronic semiconductor chip. At a round Optoelectronic semiconductor chip is the maximum edge length of the diameter of the optoelectronic
Halbleiterchips . Semiconductor chips.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist zwischen dem metallischen Träger und der zweiten Hauptfläche des According to at least one embodiment, between the metallic carrier and the second main surface of the
optoelektronischen Halbleiterchips eine Keimschicht Optoelectronic semiconductor chips a seed layer
(englisch: seed layer) angeordnet, die sich zumindest  (English: seed layer) arranged, at least
stellenweise direkt im Kontakt mit dem metallischen Träger und der zweiten Hauptfläche des optoelektronischen in places directly in contact with the metallic support and the second major surface of the optoelectronic
Halbleiterchips befindet. Die Keimschicht kann dabei aus dem gleichen oder aus einem anderen Material als dem metallischen Träger bestehen. Beispielsweise wird die Keimschicht mittels Sputtern oder Aufdampfen aufgebracht. Die Keimschicht Semiconductor chips is located. The seed layer may consist of the same or a different material than the metallic carrier. For example, the seed layer is applied by sputtering or vapor deposition. The germ layer
vermittelt eine mechanisch feste Verbindung zwischen provides a mechanically strong connection between
optoelektronischem Halbleiterchip und metallischem Träger, die sich nur unter Zerstörung des optoelektronischen Optoelectronic semiconductor chip and metallic carrier, which only under destruction of the optoelectronic
Halbleiterbauteils lösen lässt. Solve semiconductor device can be solved.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die Keimschicht dazu eingerichtet, vom optoelektronischen Halbleiterchip zu emittierende oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Vorzugsweise weist die Keimschicht dazu dann eine In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the seed layer is set up to reflect electromagnetic radiation to be emitted or to be detected by the optoelectronic semiconductor chip. Preferably, the seed layer then has a
Reflektivität von mindestens 50 %, beispielsweise von Reflectivity of at least 50%, for example of
wenigstens 75 % für diese elektromagnetische Strahlung auf. Die Keimschicht kann beispielsweise Silber enthalten. at least 75% for this electromagnetic radiation. The seed layer may contain silver, for example.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist der metallische Träger elektrisch leitend und bildet zumindest eine According to at least one embodiment, the metallic carrier is electrically conductive and forms at least one
elektrische Anschlussstelle des optoelektronischen electrical connection point of the optoelectronic
Halbleiterbauteils. Das heißt, der metallische Träger ist mit zumindest einer Kontaktstelle des optoelektronischen Halbleiterchips elektrisch leitend verbunden, beispielsweise die dem optoelektronischen Halbleiterchip abgewandte Seite des metallischen Trägers bildet dann zumindest eine Semiconductor device. That is, the metallic carrier is at least one contact point of the optoelectronic Semiconductor chips electrically conductively connected, for example, the side facing away from the optoelectronic semiconductor chip side of the metallic carrier then forms at least one
elektrische Anschlussstelle des optoelektronischen electrical connection point of the optoelectronic
Halbleiterbauteils, über welche dieses kontaktiert werden kann. In dieser Aus führungs form ist auch die Keimschicht elektrisch leitend ausgebildet, sodass ein über den Semiconductor device, via which this can be contacted. In this embodiment, the seed layer is also designed to be electrically conductive, so that an over the
metallischen Träger eingeprägter elektrischer Strom durch die Keimschicht in den optoelektronischen Halbleiterchip gelangt. metallic carrier impressed electrical current passes through the seed layer in the optoelectronic semiconductor chip.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst der metallische Träger elektrisch voneinander isolierte Teilbereiche, wobei jeder der Teilbereiche eine elektrische Anschlussstelle des optoelektronischen Halbleiterbauteils bildet und die In accordance with at least one embodiment, the metallic carrier comprises subareas that are electrically insulated from one another, wherein each of the subregions forms an electrical connection point of the optoelectronic semiconductor component, and the
elektrischen Anschlussstellen ungleichnamig sind. Das heißt, der metallische Träger ist in wenigstens zwei Teilbereiche aufgeteilt, die Anschlussstellen zur n- und p-seitigen electrical connection points are unequal names. That is, the metallic carrier is divided into at least two subregions, the connection points to the n- and p-side
Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips bilden. Auf diese Weise ist es möglich, dass das optoelektronische Halbleiterbauteil oberflächenmontierbar ist, wobei die Forming contact of the optoelectronic semiconductor chip. In this way, it is possible that the optoelectronic semiconductor device is surface mountable, wherein the
Anschlussstellen an der dem optoelektronischen Halbleiterchip abgewandten Seite des metallischen Trägers ausgebildet sind. Gemäß zumindest einer Aus führungs form enthält oder besteht der metallische Träger aus einem der folgenden Materialien: Nickel, Kupfer, Gold, Palladium. Dabei ist es möglich, dass der metallische Träger Bereiche, beispielsweise Schichten, anderer Materialien aufweist. So kann der metallische Träger von seiner dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandten Seite zu seiner dem optoelektronischen Halbleiterchip Connection points are formed on the side remote from the optoelectronic semiconductor chip side of the metallic carrier. According to at least one embodiment, the metallic support comprises or consists of one of the following materials: nickel, copper, gold, palladium. In this case, it is possible for the metallic carrier to have regions, for example layers, of other materials. Thus, the metallic carrier from its side facing the optoelectronic semiconductor chip side to its the optoelectronic semiconductor chip
abgewandten Seite beispielsweise folgenden Schichtaufbau aufweisen: eine Schicht aus Nickel, eine Schicht aus side facing away, for example, the following layer structure comprising: a layer of nickel, a layer of
Palladium, eine Schicht aus Gold. Palladium, a layer of gold.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das According to at least one embodiment, this comprises
optoelektronische Halbleiterbauteil eine Vielzahl Optoelectronic semiconductor device a variety
substratloser optoelektronischer Halbleiterchips, wobei der metallische Träger alle optoelektronischen Halbleiterchips in lateraler Richtung vollständig überragt. Bei den substrateless optoelectronic semiconductor chips, wherein the metallic carrier completely overhangs all optoelectronic semiconductor chips in the lateral direction. Both
optoelektronischen Halbleiterchips kann es sich dann Optoelectronic semiconductor chips can then
insbesondere auch um optoelektronische Halbleiterchips handeln, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Zum Beispiel umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil dann zumindest einen rotes Licht, einen grünes Licht und einen blaues Licht emittierenden optoelektronischen Halbleiterchip. Die optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Halbleiterbauteils können elektrisch voneinander getrennt sein, so dass sie unabhängig voneinander betreibbar sind. in particular also be optoelectronic semiconductor chips that emit light of different colors. For example, the optoelectronic semiconductor device then comprises at least a red light, a green light and a blue light-emitting optoelectronic semiconductor chip. The optoelectronic semiconductor chips of the optoelectronic semiconductor component can be electrically separated from one another so that they can be operated independently of one another.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das According to at least one embodiment, this comprises
optoelektronische Halbleiterbauteil genau einen einzigen substratlosen optoelektronischen Halbleiterchip. Optoelectronic semiconductor device exactly one single substrateless optoelectronic semiconductor chip.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das According to at least one embodiment, this comprises
optoelektronische Halbleiterbauteil eine elektrisch Optoelectronic semiconductor device an electrical
isolierende Schicht, die den metallischen Träger an seiner dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandten Außenfläche und vom optoelektronischen Halbleiterchip freien Außenfläche bedeckt, wobei die elektrisch isolierende Schicht eine insulating layer which covers the metallic carrier on its outer surface facing the optoelectronic semiconductor chip and on the outer surface free of the optoelectronic semiconductor chip, wherein the electrically insulating layer comprises a
Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips zumindest stellenweise bedeckt. Mit anderen Worten ist die dem Side surface of the optoelectronic semiconductor chip at least locally covered. In other words, that is the
optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberseite des metallischen Trägers mit dem optoelektronischen Optoelectronic semiconductor chip facing the top of the metallic carrier with the optoelectronic
Halbleiterchip und der elektrisch isolierenden Schicht bedeckt. Die elektrisch isolierende Schicht kann dabei beispielsweise bündig mit der dem Träger abgewandten ersten Hauptfläche des optoelektronischen Halbleiterchips Semiconductor chip and the electrically insulating layer covered. In this case, the electrically insulating layer may, for example, be flush with the first main area of the optoelectronic semiconductor chip facing away from the carrier
abschließen. Der optoelektronische Halbleiterchip kann an seinen Seitenflächen vollständig von der elektrisch to lock. The optoelectronic semiconductor chip can be completely separated from the electrical surface at its side surfaces
isolierenden Schicht bedeckt sein. Die dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Hauptfläche des Trägers an der Oberseite des Trägers ist daher vollständig von der be covered by insulating layer. The optoelectronic semiconductor chip facing the main surface of the carrier at the top of the carrier is therefore completely from the
elektrisch isolierenden Schicht und dem optoelektronischen Halbleiterchip bedeckt. electrically insulating layer and the optoelectronic semiconductor chip covered.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist die elektrisch isolierende Schicht dazu eingerichtet, vom optoelektronischen Halbleiterchip im Betrieb zu emittierende oder zu In accordance with at least one embodiment, the electrically insulating layer is set up to be emitted or supplied by the optoelectronic semiconductor chip during operation
detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Dazu kann die elektrisch isolierende Schicht beispielsweise Partikel eines Füllstoffs aufweisen. Reflektierend bedeutet, dass die elektrisch isolierende Schicht für Strahlung im sichtbaren Spektralbereich eine Reflektivität von to reflect detecting electromagnetic radiation. For this purpose, the electrically insulating layer may, for example, comprise particles of a filler. Reflective means that the electrically insulating layer has a reflectivity of radiation in the visible spectral range
insbesondere mehr als 80 % oder von mehr als 90 %, bevorzugt von mehr als 94 % aufweist. Die elektrisch isolierende in particular more than 80% or more than 90%, preferably more than 94%. The electrically insulating
Schicht reflektiert bevorzugt diffus. Für einen Betrachter erscheint das die elektrisch isolierende Schicht bevorzugt weiß. Die reflektierenden Partikel sind zum Beispiel aus einem Metalloxid wie Aluminiumoxid oder Titanoxid, aus einem Metallfluorid wie Calciumfluorid oder aus einem Siliziumoxid hergestellt oder bestehen daraus. Ein mittlerer Durchmesser der Partikel, beispielsweise ein Median-Durchmesser d5Q in Qg, liegt bevorzugt zwischen einschließlich 0,3 μπι und 5 μπι. Ein Gewichtsanteil der Partikel an der gesamten Layer preferably reflects diffusely. For an observer, the electrically insulating layer preferably appears white. The reflective particles are made of, for example, a metal oxide such as alumina or titania, a metal fluoride such as calcium fluoride or a silica, or consist thereof. A mean diameter of the particles, for example a median diameter d5 Q in Qg, is preferably between 0.3 μπι and 5 μπι. A percentage by weight of the particles in the whole
reflektierenden Schicht beträgt bevorzugt zwischen reflective layer is preferably between
einschließlich 5 % und 50 %, insbesondere zwischen including 5% and 50%, especially between
einschließlich 10 % und 30 %. Die Partikel wirken reflektierend aufgrund ihrer bevorzugt weißen Farbe und/oder aufgrund ihres Brechungsindexunterschieds zu dem including 10% and 30%. The particles work reflective due to its preferably white color and / or due to its refractive index difference to that
Matrixmaterial . Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist lediglich die erste Hauptfläche des optoelektronischen Halbleiterchips frei zugänglich. Das heißt, abgesehen von der ersten Hauptfläche ist der optoelektronische Halbleiterchip vollständig bedeckt. Der optoelektronische Halbleiterchip kann dabei Matrix material. According to at least one embodiment, only the first main surface of the optoelectronic semiconductor chip is freely accessible. That is, except for the first main surface, the optoelectronic semiconductor chip is completely covered. The optoelectronic semiconductor chip can thereby
beispielsweise von der Keimschicht, dem metallischen Träger und/oder der elektrisch isolierenden Schicht bedeckt sein. Auf diese Weise kann beispielsweise sichergestellt werden, dass der optoelektronische Halbleiterchip, falls er ein strahlungsemittierender Halbleiterchip ist, die im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung ausschließlich durch die erste Hauptfläche emittiert. For example, be covered by the seed layer, the metallic carrier and / or the electrically insulating layer. In this way it can be ensured, for example, that the optoelectronic semiconductor chip, if it is a radiation-emitting semiconductor chip, emits the electromagnetic radiation generated during operation exclusively through the first main surface.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form werden vor dem According to at least one embodiment, before the
galvanischen oder stromlosen Abscheiden elektrisch galvanic or electroless deposition electrically
isolierende Trennstrukturen auf der Keimschicht erzeugt, welche die Keimschicht stellenweise bedecken. Diese produces insulating separation structures on the seed layer, which cover the seed layer in places. These
Trennstrukturen dienen zur Bildung elektrisch voneinander isolierter Teilbereiche des metallischen Trägers, die im fertig gestellten optoelektronischen Halbleiterbauteil Separation structures are used to form electrically isolated portions of the metallic carrier in the finished optoelectronic semiconductor device
Anschlussstellen des optoelektronischen Halbleiterbauteils bilden, welche ungleichnamig sein können. Form connecting points of the optoelectronic semiconductor device, which may be unlike names.
Im Folgenden werden das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil sowie das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen In the following, the optoelectronic semiconductor component described here as well as the method described here for producing an optoelectronic semiconductor component will be described on the basis of exemplary embodiments and the associated drawings
Figuren näher erläutert. Die Figuren 1A und 1B zeigen anhand schematischerFigures explained in more detail. Figures 1A and 1B show schematically
Perspektivdarstellungen zwei Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen . Perspective representations of two embodiments of optoelectronic semiconductor devices described here.
Anhand der Figuren 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, With reference to FIGS. 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 3A, 3B, 3C, 3D, 3E,
3F, 3G sind Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen Verfahren näher erläutert. Anhand der schematischen Darstellungen der Figuren 4A und 4B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu  3F, 3G, exemplary embodiments of methods described here are explained in greater detail. A further exemplary embodiment of an optoelectronic semiconductor component described here is explained in more detail with reference to the schematic representations of FIGS. 4A and 4B. The same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals. The figures and the proportions of the elements shown in the figures with each other are not to scale
betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. consider. Rather, individual elements may be exaggerated in size for better representability and / or better understanding.
In Verbindung mit der perspektivischen schematischen In connection with the perspective schematic
Darstellung der Figur 1A ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Representation of Figure 1A is a first embodiment of an optoelectronic device described herein
Halbleiterbauteils näher erläutert. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst einen substratlosen  Semiconductor device explained in more detail. The optoelectronic semiconductor component comprises a substrateless
optoelektronischen Halbleiterchip 1. Der substratlose optoelectronic semiconductor chip 1. The substrateless
optoelektronische Halbleiterchip 1 ist frei von einem Optoelectronic semiconductor chip 1 is free of one
Aufwachssubstrat. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um einen Growth substrate. The optoelectronic semiconductor chip is, for example, a
Lumineszenzdiodenchip, zum Beispiel eine Leuchtdiode, oder um einen strahlungsdetektierenden Chip wie etwa eine Fotodiode. Der optoelektronische Halbleiterchip weist an seiner Lumineszenzdiodenchip, for example, a light-emitting diode, or to a radiation-detecting chip such as a photodiode. The optoelectronic semiconductor chip has at its
Oberseite eine erste Hauptfläche la auf. An seiner Unterseite weist der optoelektronische Halbleiterchip 1 eine zweite Hauptfläche lb auf. Beispielsweise ist der optoelektronische Halbleiterchip quaderförmig ausgebildet, sodass die ersteOn top of a first major surface la. On its underside, the optoelectronic semiconductor chip 1 has a second main surface 1b. For example, the optoelectronic semiconductor chip is cuboid, so that the first
Hauptfläche la und die zweite Hauptfläche lb die gleiche Form und Größe aufweisen. Main surface la and the second major surface lb have the same shape and size.
Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst ferner einen metallischen Träger 2. Der metallische Träger ist durch galvanisches oder stromloses Abscheiden erzeugt. Zwischen dem metallischen Träger 2 und der zweiten Hauptfläche lb des optoelektronischen Halbleiterchips 1 ist eine Keimschicht 21 angeordnet, welche eine mechanisch feste Verbindung zwischen dem metallischen Träger 2 und dem optoelektronischen The optoelectronic semiconductor component further comprises a metallic carrier 2. The metallic carrier is produced by galvanic or electroless deposition. Between the metallic carrier 2 and the second main surface 1b of the optoelectronic semiconductor chip 1, a seed layer 21 is arranged, which has a mechanically strong connection between the metallic carrier 2 and the optoelectronic
Halbleiterchip 1 vermittelt. Der Träger 2 überragt den optoelektronischen Halbleiterchip 1 an dessen Seitenflächen lc in allen lateralen Richtungen 1 vollständig.  Semiconductor chip 1 mediates. The carrier 2 completely projects beyond the optoelectronic semiconductor chip 1 on its side surfaces 1c in all lateral directions 1.
Beispielsweise ist die Grundfläche des Trägers 2 wenigstens doppelt so groß wie der Flächeninhalt der zweiten Hauptfläche lb und/oder der ersten Hauptfläche la des optoelektronischen Halbleiterchips . By way of example, the base area of the carrier 2 is at least twice the area of the second main area 1b and / or the first main area 1a of the optoelectronic semiconductor chip.
Vorliegend ist der Träger 2 elektrisch leitend ausgebildet. Auch die Keimschicht 21 ist elektrisch leitend ausgebildet. Der Träger 2 bildet daher eine elektrische Anschlussstelle des optoelektronischen Halbleiterbauteils und ist dazu an der Unterseite lb elektrisch leitend mit dem optoelektronischen Halbleiterchip 1 verbunden. In the present case, the carrier 2 is designed to be electrically conductive. The seed layer 21 is formed electrically conductive. The carrier 2 therefore forms an electrical connection point of the optoelectronic semiconductor component and is connected to the bottom lb electrically conductively connected to the optoelectronic semiconductor chip 1.
In Verbindung mit der schematischen Perspektivdarstellung der Figur 1B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. In diesem Ausführungsbeispiel weist der Träger 2 zwei Teilbereiche 2a, 2b auf, welche durch ein elektrisch isolierendes Material 3 elektrisch voneinander isoliert sind. Das elektrisch isolierende Material kann beispielsweise mit Silikon, Epoxidharz, einem keramischen Material oder einem glashaltigen Material gebildet sein. Die Teilbereiche 2a, 2b bilden ungleichnamige Anschlussstellen des optoelektronischen Halbleiterchips 1. Beispielsweise sind sie dazu mit In conjunction with the schematic perspective illustration of FIG. 1B, a further exemplary embodiment of an optoelectronic semiconductor component described here is closer explained. In this exemplary embodiment, the carrier 2 has two partial regions 2 a, 2 b, which are electrically insulated from one another by an electrically insulating material 3. The electrically insulating material may be formed, for example, with silicone, epoxy, a ceramic material or a glass-containing material. The subareas 2a, 2b form unequal connection points of the optoelectronic semiconductor chip 1. For example, they are with
unterschiedlichen Bereichen des optoelektronischen different areas of the optoelectronic
Halbleiterchips 1 an der Unterseite lb des optoelektronischen Halbleiterchips 1 elektrisch leitend verbunden. Semiconductor chips 1 on the bottom lb of the optoelectronic semiconductor chip 1 electrically conductively connected.
Vorliegend ist das optoelektronische Halbleiterbauteil daher oberflächenmontierbar, das heißt es kann durch eine Klebe- oder Lötverbindung an der dem Halbleiterchip 1 abgewandtenIn the present case, the optoelectronic semiconductor component is therefore surface-mountable, that is to say it can be remote from the semiconductor chip 1 by means of an adhesive or soldered connection
Unterseite des Trägers 2 mechanisch befestigt und elektrisch kontaktiert sein. The underside of the carrier 2 mechanically fixed and be electrically contacted.
Als weiterer Unterschied zum optoelektronischen Another difference to the optoelectronic
Halbleiterbauteil gemäß der Figur 1A weist das Semiconductor component according to the figure 1A has the
optoelektronische Halbleiterbauteil im Ausführungsbeispiel der Figur 1B eine elektrisch isolierende Schicht 4 auf, welche den optoelektronischen Halbleiterchip 1 an dessen Seitenflächen lc bedeckt und bündig mit der ersten Optoelectronic semiconductor device in the embodiment of Figure 1B, an electrically insulating layer 4, which covers the optoelectronic semiconductor chip 1 at the side surfaces lc and flush with the first
Hauptfläche la abschließen kann, sodass sich der Main surface la can complete, so that the
optoelektronische Halbleiterchip 1 und die elektrisch optoelectronic semiconductor chip 1 and the electrical
isolierende Schicht 4 gegenseitig nicht überragen. insulating layer 4 do not project beyond each other.
Beispielsweise ist es möglich, dass die elektrisch For example, it is possible that the electric
isolierende Schicht 4 strahlungsreflektierend ausgebildet ist und dazu mit Partikeln eines Füllstoffs versehen ist. insulating layer 4 is formed radiation-reflective and is provided with particles of a filler.
Ferner ist es möglich, dass die elektrisch isolierende Furthermore, it is possible that the electrically insulating
Schicht 4 und das elektrisch isolierende Material 3 mit dem gleichen Material gebildet sind. Die elektrisch isolierende Schicht 4 kann dabei beispielsweise die Keimschicht 21 bedecken. Im Bereich des elektrisch isolierenden Materials 3 ist die Keimschicht 21 jedoch entfernt, sodass sich die elektrisch isolierende Schicht 4 und das elektrisch Layer 4 and the electrically insulating material 3 with the same material are formed. The electrically insulating layer 4 can cover, for example, the seed layer 21. In the region of the electrically insulating material 3, however, the seed layer 21 is removed, so that the electrically insulating layer 4 and the electrically
isolierende Material 3 in direktem Kontakt miteinander befinden . insulating material 3 are in direct contact with each other.
In Verbindung mit den Figuren 2A bis 2E ist ein erstes In conjunction with Figures 2A to 2E is a first
Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens zurEmbodiment of a method described here for
Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. In einem ersten Verfahrensschritt werden Production of an optoelectronic semiconductor device explained in more detail. In a first process step
substratlose optoelektronische Halbleiterchips 1 mit ihren ersten Hauptflächen la auf einen Zwischenträger 5 Substrate-less optoelectronic semiconductor chips 1 with their first major surfaces la on an intermediate carrier. 5
aufgebracht, der beispielsweise mit Glas gebildet sein kann. Die mechanische Haftung zwischen Zwischenträger 5 und applied, which may be formed for example with glass. The mechanical adhesion between intermediate carrier 5 and
optoelektronischen Halbleiterchips 1 wird durch eine Optoelectronic semiconductor chip 1 is replaced by a
Verbindungsmittelschicht 6 vermittelt, bei der es sich beispielsweise um eine Klebeverbindung handelt. Zwischen den optoelektronischen Halbleiterchips 1 sind Zwischenräume 7 ausgebildet . Connecting agent layer 6 mediates, which is for example an adhesive connection. Between the optoelectronic semiconductor chips 1 spaces 7 are formed.
Die Zwischenräume 7 werden nachfolgend mit der elektrisch isolierenden Schicht 4 versehen, die beispielsweise mit PCB oder Spin-On-Glas gebildet sein kann. The gaps 7 are subsequently provided with the electrically insulating layer 4, which may be formed for example with PCB or spin-on glass.
In einem nächsten Verfahrensschritt wird die Keimschicht 21 auf die dem Zwischenträger 5 abgewandte Oberseite des In a next method step, the seed layer 21 is on the top of the intermediate carrier 5 facing away from the
Verbunds aufgebracht. Auf die Keimschicht 21 folgt der metallische Trägerverbund 20, der beispielsweise galvanisch oder stromlos auf die Keimschicht 21 abgeschieden wird Applied composite. The seed layer 21 is followed by the metallic carrier composite 20, which is deposited, for example, galvanically or electrolessly on the seed layer 21
(vergleiche Figur 2B) . In einem weiteren Verfahrensschritt (Figur 2C) wird der (compare Figure 2B). In a further method step (FIG. 2C), the
Zwischenträger 5 wieder entfernt. An der dem Trägerverbund 20 abgewandten Seite liegen die ersten Hauptflächen la der optoelektronischen Halbleiterchips 1 frei. Intermediate carrier 5 removed again. On the side remote from the carrier assembly 20, the first main surfaces 1a of the optoelectronic semiconductor chips 1 are exposed.
In einem weiteren Verfahrensschritt 2d erfolgt das Vereinzeln zu einzelnen optoelektronischen Halbleiterbauteilen mit je einem metallischen Träger 2 und zumindest einem In a further method step 2d, the separation takes place to individual optoelectronic semiconductor components, each having a metallic carrier 2 and at least one
optoelektronischen Halbleiterchip 1, vergleiche Figur 2D. Optoelectronic semiconductor chip 1, see Figure 2D.
Wie in Verbindung mit Figur 2E dargestellt, kann das As shown in connection with FIG. 2E, this can be
optoelektronische Halbleiterbauteil anschließend einen Optoelectronic semiconductor device then a
Anschlussträger, beispielsweise einen Trägerrahmen (englisch: lead frame) 11 mit der dem optoelektronischen Halbleiterchip 1 abgewandten Unterseite des metallischen Trägers 2 zum Connection carrier, for example, a lead frame 11 with the underside of the metallic support 2 facing away from the optoelectronic semiconductor chip 1
Beispiel durch Löten befestigt werden. Der metallische Träger 2 bildet dann eine erste elektrische Anschlussstelle des optoelektronischen Halbleiterbauteils. Eine zweite  Example be fixed by soldering. The metallic carrier 2 then forms a first electrical connection point of the optoelectronic semiconductor component. A second
elektrische Anschlussstelle ist durch das Bondpad 10a an der ersten Hauptfläche la des optoelektronischen Halbleiterchips 1 gebildet, das mittels eines Anschlussdrahts 9 mit einem entsprechenden Bondpad 10b des Trägerrahmens 11 verbunden ist . Wie schematisch in Figur 2E dargestellt, kann vom Electrical connection point is formed by the bonding pad 10a on the first main surface la of the optoelectronic semiconductor chip 1, which is connected by means of a connecting wire 9 with a corresponding bonding pad 10b of the support frame 11. As shown schematically in FIG. 2E, from
optoelektronischen Halbleiterchip 1 im Betrieb erzeugte Wärme 8 durch den metallischen Träger 2 besonders großflächig an den Trägerrahmen 11 abgegeben werden. In Verbindung mit den Figuren 3A bis 3G ist ein weiteresOptoelectronic semiconductor chip 1 generated in operation heat 8 are discharged through the metal substrate 2 particularly large area to the support frame 11. In connection with Figures 3A to 3G is another
Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Ein Unterschied zum in Verbindung mit den Figuren 2A bis 2E beschriebenen Verfahren ergibt sich hier beim in der Figur 3C schematisch dargestellten Verfahrensschritt. In diesem Verfahrensschritt werden elektrisch isolierende Embodiment of a method described here for producing an optoelectronic semiconductor device explained in more detail. A difference to in connection with the figures 2A to 2E results here in the method step shown schematically in FIG. 3C. In this process step are electrically insulating
Trennstrukturen beispielsweise durch Belichten und Entwickeln eines Fotolacks 12 auf der dem Zwischenträger 5 abgewandten Seite der Keimschicht 21 gebildet. Die Trennstrukturen 12 bilden im nächsten Verfahrensschritt, Figur 3D, elektrische Isolatoren beim Abscheiden des Trägerverbunds 20 galvanisch oder stromlos. Separation structures, for example, by exposure and developing a photoresist 12 on the side facing away from the intermediate carrier 5 side of the seed layer 21 is formed. In the next method step, FIG. 3D, the isolating structures 12 form electrical insulators during the deposition of the carrier composite 20 galvanically or de-energized.
In einem weiteren Verfahrensschritt, Figur 3E, werden die elektrisch isolierenden Trennstrukturen 12 abgelöst, sodass Durchbrüche 13 im Trägerverbund 20 entstehen. In der Figur 3F ist dargestellt, dass die Durchbrüche 13 nachfolgend mit dem elektrisch isolierenden Material 3 aufgefüllt werden. In a further method step, FIG. 3E, the electrically insulating separating structures 12 are detached, so that openings 13 in the carrier assembly 20 are formed. FIG. 3F shows that the openings 13 are subsequently filled up with the electrically insulating material 3.
Durch Vereinzeln entstehen die in der Figur 3G dargestellten optoelektronischen Halbleiterbauteile, welche einen By separating, the optoelectronic semiconductor components shown in FIG
metallischen Träger 2 mit zwei Teilbereichen 2a, 2b Metallic carrier 2 with two sections 2a, 2b
aufweisen, welche ungleichnamige elektrische Anschlussstellen des optoelektronischen Halbleiterbauteils bilden. Das have, which form unlike electrical connection points of the optoelectronic semiconductor device. The
Vereinzeln kann beispielsweise, wie auch beim Singling can, for example, as synonymous with the
Ausführungsbeispiel der Figuren 2A bis 2E, mittels einerEmbodiment of Figures 2A to 2E, by means of a
Fototechnik und nachfolgendem Ätzen, zum Beispiel mit FeC13 erfolgen . Photographic technique and subsequent etching, for example, with FeC13 done.
In Verbindung mit den Figuren 4A und 4B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen In conjunction with Figures 4A and 4B, another embodiment of one described herein
optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert, das beispielsweise mit einem Verfahren ähnlich zum in Verbindung mit den Figuren 3A bis 3G beschriebenen Verfahren hergestellt werden kann. Im Unterschied zum in Verbindung mit den Figuren 3A bis 3G beschriebenen Verfahren wird auf die elektrisch isolierende Schicht 4 verzichtet, indem diese nach Abschluss des Verfahrens wieder entfernt wird. Alternativ kann die Schicht 4 jedoch auch im optoelektronischen Halbleiterbauteil verbleiben . Optoelectronic semiconductor device, for example, prepared by a method similar to the method described in connection with Figures 3A to 3G can be. In contrast to the method described in connection with FIGS. 3A to 3G, the electrically insulating layer 4 is dispensed with by removal of the same after completion of the method. Alternatively, however, the layer 4 can also remain in the optoelectronic semiconductor component.
Anhand der Figuren 4A und 4B ist nun die Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips 1 näher dargestellt. Der optoelektronische Halbleiterchip 1 weist an seiner The contacting of the optoelectronic semiconductor chip 1 is now shown in more detail with reference to FIGS. 4A and 4B. The optoelectronic semiconductor chip 1 has at its
Unterseite, das heißt an der zweiten Hauptfläche lb, eine Kontaktstelle 14a und eine davon isolierte Kontaktstelle 14b auf. Die elektrisch isolierte Kontaktstelle 14b dient  Bottom, that is on the second main surface lb, a contact point 14a and a pad 14b isolated therefrom. The electrically insulated contact pad 14b is used
beispielsweise zum p-seitigen Anschluss des For example, for the p-side connection of
optoelektronischen Halbleiterchips 1, während die optoelectronic semiconductor chips 1, while the
Kontaktstelle 14a zum n-seitigen Anschluss dient. Contact point 14a serves for n-side connection.
Beispielsweise kann ausgehend von der p-seitigen For example, starting from the p-side
Kontaktstelle 14b ein Durchbruch durch das n-leitende Contact point 14b a breakthrough by the n-type
Halbleitermaterial sowie einen aktiven Bereich des Semiconductor material and an active region of the
optoelektronischen Halbleiterchips 1 ausgebildet sein, der mit einem elektrisch isolierenden Material beschichtet und mit einem elektrisch leitenden Material befüllt ist, welches einen elektrischen Kontakt zur p-Seite des Halbleiterchips 1 herstellt. Alternativ kann der Durchbruch auch mit dem n- leitenden Halbleitermaterial verbunden sein, das heißt anders als in der Figur 4B dargestellt, können n-seitige und p- seitige Kontakte auch vertauscht sein. Das elektrisch isolierende Material 3 ist nun derart in einem Graben angeordnet, dass ein Teilbereich 2b des Trägers 2 entsteht, der von den Teilbereichen 2a elektrisch isoliert ist. Auf diese Weise sind an der dem Halbleiterchip 1 abgewandten Unterseite des Trägers zwei Anschlussstellen zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Optoelectronic semiconductor chip 1 may be formed, which is coated with an electrically insulating material and filled with an electrically conductive material, which produces an electrical contact to the p-side of the semiconductor chip 1. Alternatively, the breakdown may also be connected to the n-type semiconductor material, that is, unlike in FIG. 4B, n-side and p-side contacts may also be interchanged. The electrically insulating material 3 is now arranged in a trench so that a partial region 2b of the carrier 2 is formed, which is electrically insulated from the partial regions 2a. In this way, on the semiconductor chip 1 opposite bottom of the carrier two connection points for electrical contacting of the optoelectronic
Halbleiterbauteils angeordnet. Die Figur 4B zeigt dabei eine Schnittdarstellung entlang der Grenzfläche zwischen Träger 2 und optoelektronischem Halbleiterchip 1. Semiconductor device arranged. FIG. 4B shows a sectional view along the interface between carrier 2 and optoelectronic semiconductor chip 1.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every combination of features, which in particular includes any combination of features in the patent claims, even if this feature or combination itself is not explicitly described in the claims
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2010 045 390.0, deren Claims or embodiments is given. This patent application claims the priority of German patent application DE 10 2010 045 390.0, whose
Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.  The disclosure is hereby incorporated by reference.

Claims

Patentansprüche claims
1. Optoelektronisches Halbleiterbauteil mit 1. Optoelectronic semiconductor device with
- einem substratlosen optoelektronischen Halbleiterchip (1), der an einer Oberseite eine erste Hauptfläche (la) und an einer Unterseite eine zweite Hauptfläche (lb) aufweist, und a substrateless optoelectronic semiconductor chip (1) which has a first main surface (1a) on an upper side and a second main surface (1b) on an underside, and
- einem metallischen Träger (2), der an der Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips (1) angeordnet ist, wobei,a metallic carrier (2) which is arranged on the underside of the optoelectronic semiconductor chip (1), wherein
- der metallische Träger (2) den optoelektronischen - The metallic carrier (2) the optoelectronic
Halbleiterchip (1) in zumindest einer lateralen Richtung (1) überragt und Semiconductor chip (1) in at least one lateral direction (1) surmounted and
- der metallische Träger (3) galvanisch oder stromlos an der zweiten Hauptfläche (lb) des optoelektronischen  - The metallic carrier (3) galvanically or de-energized at the second major surface (lb) of the optoelectronic
Halbleiterchips (1) abgeschieden ist. Semiconductor chips (1) is deposited.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach dem vorherigen Anspruch, 2. Optoelectronic semiconductor component according to the preceding claim,
bei dem zwischen dem metallischen Träger (2) und der zweiten Hauptfläche (lb) des optoelektronischen Halbleiterchips (1) eine Keimschicht (21) angeordnet ist, die sich zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit dem metallischen Träger (2) und der zweiten Hauptfläche (lb) des optoelektronischen Halbleiterchips (1) befindet. in which a seed layer (21) is arranged between the metallic carrier (2) and the second main surface (1b) of the optoelectronic semiconductor chip (1), at least in places in direct contact with the metallic carrier (2) and the second main surface (1b ) of the optoelectronic semiconductor chip (1).
3. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 3. Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem der optoelektronische Halbleiterchip (1) abgesehen von der ersten Hauptfläche (la) vollständig, insbesondere von der Keimschicht (21), dem metallischen Träger (2) und/oder einer elektrisch isolierenden Schicht (4), bedeckt ist. in which the optoelectronic semiconductor chip (1) is completely covered apart from the first main surface (1a), in particular by the seed layer (21), the metallic carrier (2) and / or an electrically insulating layer (4).
4. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, mit der elektrisch isolierenden Schicht (4), die den 4. Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, with the electrically insulating layer (4), the
metallischen Träger (2) an seiner dem optoelektronischen Halbleiterchip (1) zugewandten Außenfläche und vom metallic carrier (2) on its the optoelectronic semiconductor chip (1) facing the outer surface and of
optoelektronischen Halbleiterchip (1) freien Außenfläche bedeckt, wobei die elektrisch isolierende Schicht (4) eine Seitenfläche (lc) des optoelektronischen Halbleiterchips (1) zumindest stellenweise bedeckt. Optoelectronic semiconductor chip (1) covered free outer surface, wherein the electrically insulating layer (4) covers a side surface (lc) of the optoelectronic semiconductor chip (1) at least in places.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach dem vorherigen Anspruch, 5. Optoelectronic semiconductor component according to the preceding claim,
bei dem die elektrisch isolierende Schicht (4) dazu in which the electrically insulating layer (4) to it
eingerichtet ist, vom optoelektronischen Halbleiterchip (1) im Betrieb zu emittierende oder zu detektierende is set up to be emitted or detected by the optoelectronic semiconductor chip (1) during operation
elektromagnetische Strahlung zu reflektieren, wobei die elektrisch isolierende Schicht (4) insbesondere weiß to reflect electromagnetic radiation, the electrically insulating layer (4) in particular white
erscheint . appears.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 6. Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem die Keimschicht (21) dazu eingerichtet ist, vom optoelektronischen Halbleiterchip (1) im Betrieb zu wherein the seed layer (21) is adapted to, from the optoelectronic semiconductor chip (1) in operation
emittierende oder zu detektierende elektromagnetische emitting or to be detected electromagnetic
Strahlung zu reflektieren. To reflect radiation.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 7. Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem der metallische Träger (2) elektrisch leitend ist und zumindest eine elektrische Anschlussstelle des in which the metallic carrier (2) is electrically conductive and at least one electrical connection point of the
optoelektronischen Halbleitbauteils bildet. optoelectronic semiconductor component forms.
8. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der metallische Träger (2) elektrisch voneinander isolierte Teilbereiche (2a, 2b) umfasst, wobei jeder der Teilbereich eine elektrische Anschlussstelle des 8. Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which the metallic carrier (2) comprises subareas (2a, 2b) which are electrically insulated from one another, each subarea comprising an electrical connection point of the
optoelektronischen Halbleiterbauteils bildet, wobei die elektrischen Anschlussstellen ungleichnamig sind. Optoelectronic semiconductor device forms, wherein the electrical connection points are unlike names.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach dem vorherigen Anspruch, 9. Optoelectronic semiconductor component according to the preceding claim,
das oberflächenmontierbar ist. which is surface mountable.
10. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 10. Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem der metallische Träger (2) den optoelektronischen Halbleiterchip (1) lateral vollständig überragt. in which the metallic carrier (2) completely projects laterally beyond the optoelectronic semiconductor chip (1).
11. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 11. Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims,
mit einer Vielzahl substratloser optoelektronischer with a variety of substrateless optoelectronic
Halbleiterchips (1), wobei der metallische Träger (3) alle optoelektronische Halbleiterchips (1) in lateraler Richtung vollständig überragt. Semiconductor chips (1), wherein the metallic support (3) overhangs all optoelectronic semiconductor chips (1) in the lateral direction completely.
12. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, 12. Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem der optoelektronischen Halbleiterchip (1) ein strahlungsemittierender Halbleiterchip ist, der in which the optoelectronic semiconductor chip (1) is a radiation-emitting semiconductor chip which
elektromagnetische Strahlung im Betrieb ausschließlich durch die erste Hauptfläche (la) emittiert. In operation, electromagnetic radiation emits exclusively through the first main surface (1a).
13. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen 13. A method for producing an optoelectronic
Halbleiterbauteils mit den folgenden Schritten: Semiconductor device with the following steps:
- Bereitstellen einer Vielzahl von substratlosen - Provide a variety of substrateless
optoelektronischen Halbleiterchips (1), wobei jeder der optoelektronischen Halbleiterchips (1) an einer Oberseite eine erste Hauptfläche (la) und an einer Unterseite eine zweite Hauptfläche (lb) aufweist, optoelectronic semiconductor chip (1), wherein each of the optoelectronic semiconductor chip (1) has on a top side a first main area (1a) and on a bottom side a second main area (1b),
- Anordnen und Befestigen der Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (1) auf einem Zwischenträger (5), wobei die optoelektronischen Halbleiterchips (1) beanstandet zueinander angeordnet werden, so dass zwischen zwei zueinander  - Arranging and fixing the plurality of optoelectronic semiconductor chips (1) on an intermediate carrier (5), wherein the optoelectronic semiconductor chips (1) are arranged spaced from each other, so that between two mutually
unmittelbar benachbarten optoelektronischen Halbleiterchips (1) je ein Zwischenraum (7) ausgebildet ist, immediately adjacent optoelectronic semiconductor chips (1) each have a gap (7) is formed,
- Auffüllen der Zwischenräume (7) mit einer elektrisch isolierenden Schicht (4), - filling the intermediate spaces (7) with an electrically insulating layer (4),
- Aufbringen einer Keimschicht (21) auf die dem  - Applying a seed layer (21) on the
Zwischenträger (5) abgewandte Seite der optoelektronischen Halbleiterchips (1) und der elektrisch isolierenden Schicht (4), Intermediate carrier (5) facing away from the optoelectronic semiconductor chip (1) and the electrically insulating layer (4),
- galvanisches oder stromloses Abscheiden eines metallischen Trägers (2) auf die Keimschicht (21) .  - Electroplating or electroless deposition of a metallic support (2) on the seed layer (21).
14. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, 14. Method according to the preceding claim,
wobei vor dem galvanischen oder stromlosen Abscheiden wherein before the galvanic or electroless deposition
elektrisch isolierende Trennstrukturen (12) auf der electrically insulating separation structures (12) on the
Keimschicht (21) erzeugt werden, die die Keimschicht (21) stellenweise bedecken. Germ layer (21) are produced, which cover the seed layer (21) in places.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder 14, 15. The method according to any one of claims 13 or 14,
wobei ein optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 12 hergestellt wird. wherein an optoelectronic semiconductor device according to any one of claims 1 to 12 is produced.
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