DE102012108160A1 - Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component - Google Patents
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Abstract
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, das zumindest eine optoelektronische Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (2), die geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen, und auf zumindest einem Oberflächenbereich (10) der Halbleiterschichtenfolge (1) eine transparente Keramikschicht (5), die durch ein mittels Aerosolabscheidung aufgebrachtes Keramikmaterial gebildet wird und die den Oberflächenbereich verkapselt, aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.An optoelectronic semiconductor component is specified that has at least one optoelectronic semiconductor layer sequence (1) with an active layer (2) suitable for emitting or receiving light during operation, and a transparent one on at least one surface region (10) of the semiconductor layer sequence (1) Ceramic layer (5) formed by an aerosol deposited ceramic material and encapsulating said surface area. Furthermore, a method for producing an optoelectronic semiconductor component is specified.
Description
Es werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.An optoelectronic semiconductor component and a method for producing an optoelectronic semiconductor component are specified.
Leuchtdiodenchips, die beispielsweise in Licht emittierenden Dioden (LED) verwendet werden, müssen zum Schutz vor Umwelteinsflüssen mit einer Schutzschicht überzogen oder mit einem Gehäuse verkapselt werden. Light-emitting diode chips, which are used, for example, in light-emitting diodes (LEDs), must be coated with a protective layer or encapsulated with a housing to protect against environmental influences.
Als Material für eine Schutzschicht werden typischerweise möglichst transparente dielektrische Materialien, vorzugsweise Siliziumdioxid, verwendet. Im Falle einer Schutzschicht-Kapselung von bekannten Leuchtdiodenchips, die für eine Emission im blauen Spektralbereich vorgesehen sind und die insbesondere ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial aufweisen, insbesondere solche, die eine Silberspiegelschicht, beispielsweise auf der p-Seite, aufweisen, ist jedoch die mögliche Prozesstemperatur beschränkt, da insbesondere durch das Silber als Spiegelmaterial die zulässigen Temperaturen für weitere Prozesse begrenzt werden. Demzufolge werden zur Herstellung von dielektrischen Schutzschichten typischerweise Niedertemperaturabscheideverfahren, insbesondere chemische Gasphasenabscheideverfahren, bei niedrigen Temperaturen nicht oberhalb von 300°C verwendet. Solche Temperaturen limitieren erfahrungsgemäß jedoch die Dichtigkeit der abgeschiedenen dielektrischen Schicht, beispielsweise einer SiO2-Schicht. As the material for a protective layer, as transparent as possible dielectric materials, preferably silicon dioxide, are used. In the case of a protective layer encapsulation of known light-emitting diode chips, which are intended for emission in the blue spectral range and in particular have a nitride compound semiconductor material, in particular those having a silver mirror layer, for example on the p-side, however, the possible process temperature is limited because, in particular, the silver as mirror material limits the permissible temperatures for further processes. Accordingly, low temperature deposition processes, especially chemical vapor deposition processes, are typically used at low temperatures not above 300 ° C for the production of dielectric protective layers. However, experience has shown that such temperatures limit the tightness of the deposited dielectric layer, for example an SiO 2 layer.
Zur Verkapselung eines Leuchtdiodenchips in einem Gehäuse wird üblicherweise ein Verguss, insbesondere aus Silikon-basierten Materialien, verwendet. Silikon wird bevorzugt aufgrund seiner UV-Stabilität verwendet. Jedoch weisen Silikone den Nachteil einer Feuchtepermeabilität auf und können daher keine ausreichende Verkapselung gegenüber Feuchtigkeit bieten.For the encapsulation of a light-emitting diode chip in a housing is usually a casting, in particular of silicone-based materials used. Silicone is preferred because of its UV stability. However, silicones have the disadvantage of moisture permeability and therefore can not provide adequate encapsulation to moisture.
Die im Stand der Technik bekannten Maßnahmen zum Schutz vor Umwelteinflüssen, beispielsweise eine SiO2-Schutzschicht oder ein Silikonverguss, bieten somit für sich allein wie auch in Kombination keinen hinreichenden Schutz gegen Feuchtigkeit. Daher wird im Stand der Technik versucht, für die Chipverkapselung an mehreren Stellen des Chipaufbaus Schutzschichten zu integrieren, deren kumulative Wirkung zu einer mehr oder weniger starken Abdichtung, insbesondere bezüglich Feuchtepenetration, führt.The measures known from the prior art for protection against environmental influences, for example an SiO 2 protective layer or a silicone encapsulation, thus on their own as well as in combination do not provide adequate protection against moisture. It is therefore attempted in the prior art to integrate protective layers for the chip encapsulation at several points of the chip structure whose cumulative effect leads to a more or less strong seal, in particular with respect to moisture penetration.
Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben. Zumindest eine weitere Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements anzugeben.At least one object of certain embodiments is to provide an optoelectronic semiconductor device. At least one further object of certain embodiments is to specify a method for producing an optoelectronic semiconductor component.
Diese Aufgaben werden durch einen Gegenstand und ein Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Gegenstands und des Verfahrens sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.These objects are achieved by an article and a method according to the independent patent claims. Advantageous embodiments and further developments of the subject matter and of the method are characterized in the dependent claims and furthermore emerge from the following description and the drawings.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement eine optoelektronische Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht auf, die geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen.In accordance with at least one embodiment, an optoelectronic semiconductor component has an optoelectronic semiconductor layer sequence with an active layer, which is suitable for emitting or receiving light during operation.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist auf zumindest einem Oberflächenbereich der Halbleiterschichtenfolge eine Keramikschicht aufgebracht, die durch ein mittels Aerosolabscheidung aufgebrachtes Keramikmaterial gebildet wird. Insbesondere kann die Keramikschicht den Oberflächenbereich, auf dem sie aufgebracht ist, verkapseln. According to a further embodiment, a ceramic layer which is formed by a ceramic material applied by means of aerosol deposition is applied to at least one surface region of the semiconductor layer sequence. In particular, the ceramic layer can encapsulate the surface area on which it is applied.
Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform weist ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements einen Verfahrensschritt auf, bei dem ein Keramikmaterial auf zumindest einen Oberflächenbereich zur Bildung einer Keramikschicht mittels eines Aerosolabscheideverfahrens aufgebracht wird. Insbesondere kann für das Aerosolabscheideverfahren ein pulverförmiges Keramikmaterial bereitgestellt werden, das mittels des Aerosolabscheideverfahrens unter Bildung der Keramikschicht auf den zumindest einen Oberflächenbereich aufgebracht wird. In accordance with at least one further embodiment, a method for producing an optoelectronic semiconductor component has a method step in which a ceramic material is applied to at least one surface region for forming a ceramic layer by means of an aerosol deposition method. In particular, a powdered ceramic material can be provided for the aerosol deposition process, which is applied to the at least one surface area by means of the aerosol deposition method to form the ceramic layer.
Die hier und im Folgenden beschriebenen Merkmale und Ausführungsformen gelten gleichermaßen für das Halbleiterbauelement wie auch für das Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements. The features and embodiments described here and below apply equally to the semiconductor component as well as to the method for producing the semiconductor component.
Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich bevorzugt um ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlxIn1-x-yGayN oder auch um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlxIn1-x-yGayP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlxIn1-x-yGayAs, wobei jeweils 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 gilt. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. The semiconductor layer sequence is preferably based on a III-V compound semiconductor material. The semiconductor material is preferably a nitride compound semiconductor material such as Al x In 1-xy Ga y N or a phosphide compound semiconductor material such as Al x In 1-xy Ga y P or an arsenide compound semiconductor material such as Al x In 1-xy Ga y As, where 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y ≦ 1, respectively. In this case, the semiconductor layer sequence may have dopants and additional constituents. For the sake of simplicity, however, only the essential constituents of the crystal lattice of the semiconductor layer sequence, that is to say Al, As, Ga, In, N or P, are indicated, even if these are in part characterized by small amounts Quantities of other substances can be replaced and / or supplemented.
Die Halbleiterschichtenfolge umfasst zumindest eine aktive Schicht, die zur Erzeugung oder zum Empfang von Licht in einem ultravioletten bis infraroten Wellenlängenbereich eingerichtet ist. Die aktive Schicht beinhaltet beispielsweise wenigstens einen pn-Übergang oder, bevorzugt, eine oder mehrere Quantentopfstrukturen. Das von der aktiven Schicht im Betrieb erzeugte oder zum Empfang vorgesehene Licht liegt insbesondere in einem sichtbaren Spektralbereich.The semiconductor layer sequence comprises at least one active layer adapted to generate or receive light in an ultraviolet to infrared wavelength range. The active layer includes, for example, at least one pn junction or, preferably, one or more quantum well structures. The light generated by the active layer during operation or intended for reception lies in particular in a visible spectral range.
Die optoelektronische Halbleiterschichtenfolge kann beispielsweise im Betrieb Licht abstrahlen und dazu als Licht emittierende Diode (LED), als Kanten emittierender Halbleiterlaser, als vertikal emittierender Halbleiterlaser (VCSEL), als Laser-Array, als Laserbarren oder als Mehrzahl oder Kombination daraus ausgebildet sein oder zumindest eines oder mehrere der genannten Elemente aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die optoelektronische Halbleiterschichtenfolge im Betrieb Licht empfangen und dazu als Fotodiode, als Solarzelle, als Solarzellenpanel, als Fototransistor oder als eine Mehrzahl oder Kombination dieser ausgebildet sein oder eines oder mehrere der genannten Elemente aufweisen. The optoelectronic semiconductor layer sequence can, for example, emit light in operation and be designed as a light emitting diode (LED), edge emitting semiconductor laser, vertical emitting semiconductor laser (VCSEL), laser array, laser bar or a plurality or combination thereof, or at least one or more of said elements. Alternatively or additionally, the optoelectronic semiconductor layer sequence can receive light during operation and be designed as a photodiode, as a solar cell, as a solar cell panel, as a phototransistor or as a plurality or combination thereof or have one or more of the elements mentioned.
Durch die Keramikschicht wird der Oberflächenbereich, der mit der Keramikschicht bedeckt wird, bevorzugt hermetisch dicht oder zumindest nahezu hermetisch dicht versiegelt und verkapselt. Das kann insbesondere bedeuten, dass beispielsweise Feuchtigkeit, Sauerstoff und andere schädigende Gase wie beispielsweise Schwefelwasserstoff die Keramikschicht nicht oder nur zu einem sehr geringen Maße durchdringen können. Besonders bevorzugt kann die Keramikschicht eine hermetisch dichte Keramikschicht auf dem Oberflächenbereich bilden, die so den Oberflächenbereich des optoelektronischen Halbleiterbauelements vor den genannten schädigen Substanzen derart schützen kann, dass diese aus der Umgebungsatmosphäre nicht über den Oberflächenbereich in das Halbleiterbauelement eindringen und das Halbleiterbauelement in seiner Funktionsfähigkeit und/oder Zusammensetzung beeinträchtigen oder schädigen können. Through the ceramic layer, the surface area covered with the ceramic layer is preferably hermetically sealed or at least substantially hermetically sealed and encapsulated. This may in particular mean that, for example, moisture, oxygen and other harmful gases such as hydrogen sulfide, the ceramic layer can not or only to a very small extent penetrate. Particularly preferably, the ceramic layer can form a hermetically sealed ceramic layer on the surface area, which can thus protect the surface area of the optoelectronic semiconductor component from the aforementioned harmful substances in such a way that they do not penetrate from the ambient atmosphere into the semiconductor component via the surface area and the semiconductor component in its functionality and / or impair composition or damage.
Die Keramikschicht kann weiterhin insbesondere zumindest teilweise oder gänzlich eine zu oberst liegende Schicht, also zumindest teilweise eine außen liegende Schicht, des optoelektronischen Halbleiterbauelements bilden. Ist die Keramikschicht eine gänzlich außen liegende Schicht, kann sie auch als Außenschicht bezeichnet werden. Eine zumindest teilweise oder gänzlich außen liegende Schicht kann auch als Abschlussschicht bezeichnet werden und bildet zumindest in den Bereichen, in denen sie als Außenschicht ausgebildet ist, diejenige Schicht, die im fertig gestellten Halbleiterbauelement unmittelbar oder, beispielsweise in einem eingebauten Zustand in einem Package, über einen nicht hermetisch dichten Verguss mit Gasen und Feuchtigkeit der Umgebungsatmosphäre in Kontakt sein kann. Zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Keramikschicht können weitere Schichten, beispielsweise für Halbleiterbauelemente übliche Passivierungsschichten, angeordnet sein. Es kann auch möglich sein, dass zumindest teilweise oder gänzlich auf der Keramikschicht eine weitere Schicht, beispielsweise eine Passivierungsschicht, aufgebracht ist. Diese kann mittels eines Gasphasen-Verfahrens, beispielsweise insbesondere mittels Atomlagenabscheidung (ALD), aufgebracht sein. Durch die Kombination der mittels ADM aufgebrachten Keramikschicht mit einer darauf mittels ALD aufgebrachten Passivierungsschicht kann sich eine ausgezeichnete Dichtigkeit ergeben, die die Dichtigkeiten der jeweiligen Schichten für sich allein genommen übersteigen kann.The ceramic layer can furthermore form, in particular at least partially or wholly, an uppermost layer, ie at least partially an outer layer, of the optoelectronic semiconductor component. If the ceramic layer is a completely outer layer, it can also be called an outer layer. An at least partially or entirely external layer may also be referred to as a terminating layer and forms, at least in the regions in which it is formed as an outer layer, that layer which in the finished semiconductor component directly or, for example, in a built-in state in a package a non-hermetically sealed potting with gases and moisture of the ambient atmosphere may be in contact. Between the semiconductor layer sequence and the ceramic layer, further layers, for example passivation layers customary for semiconductor components, may be arranged. It may also be possible for a further layer, for example a passivation layer, to be applied at least partially or entirely to the ceramic layer. This can be applied by means of a gas-phase process, for example, in particular by means of atomic layer deposition (ALD). The combination of the ADM-applied ceramic layer with a passivating layer applied thereon by means of ALD can result in an excellent impermeability which alone can exceed the impermeability of the respective layers.
Weiterhin kann die mittels Aerosolabscheidung aufgebrachte Keramikschicht im Vergleich zu anderen Verfahren wie etwa chemischer Gasphasenabscheidung (CVD), Sputtern oder Aufdampfen aufgebrachten Schichten eine erhöhte mechanische Festigkeit aufweisen und damit beispielsweise einen erhöhten Schutz gegen mechanische Einwirkungen wie etwa Kratzer bilden.Furthermore, the ceramic layer applied by means of aerosol deposition can have increased mechanical strength compared with other methods such as chemical vapor deposition (CVD), sputtering or vapor deposition, for example providing increased protection against mechanical effects such as scratches.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die Keramikschicht durch ein elektrisch isolierendes Keramikmaterial gebildet, sodass die Keramikschicht in Form von Partikeln eines elektrisch isolierenden pulverförmigen Keramikmaterials mittels Aerosolabscheidung aufgebracht wird.According to a further embodiment, the ceramic layer is formed by an electrically insulating ceramic material, so that the ceramic layer is applied in the form of particles of an electrically insulating powdery ceramic material by means of aerosol deposition.
Unter einem Keramikmaterial oder einem keramischen Material ist insbesondere ein oxidhaltiges und/oder ein nitridhaltiges Material zu verstehen, das insbesondere in Pulverform verarbeitet wird, wobei hier und im Folgenden auch Materialien, die nur eine Nahordnung und keine Fernordnung aufweisen, unter den Begriff „keramisches Material“ fallen. Dementsprechend sind auch anorganische Gläser von der Formulierung „keramisches Material“ oder „Keramikmaterial“ umfasst. Unter einem pulverförmigen Keramikmaterial ist insbesondere ein Pulver aus einem Material zu verstehen, mit dem ein keramisches Element herstellbar ist und das auch als keramisches Pulver bezeichnet werden kann.A ceramic material or a ceramic material is in particular an oxide-containing and / or nitride-containing material to be understood, which is processed in particular in powder form, and here and below also materials that have only a short order and no long-range order, the term "ceramic material "Fall. Accordingly, inorganic glasses are also included in the formulation "ceramic material" or "ceramic material". A powdered ceramic material is to be understood in particular as a powder of a material with which a ceramic element can be produced and which can also be referred to as a ceramic powder.
Insbesondere weist das Keramikmaterial eines oder mehrere der folgenden Materialien auf: Siliziumkarbid, Oxide, Nitride und Oxinitride mit Silizium, Aluminium, Zirkon, Titan oder Kombinationen daraus, vorzugsweise Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Zirkonoxid, Titandioxid, Aluminiumnitrid und/oder Siliziumnitrid. Je nach Materialwahl und Materialkombination kann das Keramikmaterial eine transparente oder eine nicht-transparente, also beispielsweise eine reflektierende Keramikschicht bilden. In particular, the ceramic material comprises one or more of the following materials: silicon carbide, oxides, nitrides and oxynitrides with silicon, aluminum, zirconium, titanium or combinations thereof, preferably silicon dioxide, aluminum oxide, zirconium oxide, titanium dioxide, aluminum nitride and / or silicon nitride. Depending on the choice of material and combination of materials, the ceramic material can be a transparent or transparent material form a non-transparent, so for example, a reflective ceramic layer.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird bei dem Aerosolabscheideverfahren (ADM: "Aerosol Deposition Method") ein Pulver des Keramikmaterials, also ein pulverförmiges Keramikmaterial bzw. ein keramisches Pulver, bereitgestellt. Die Größe der Partikel des Pulvers kann vom Sub-Mikrometer-Bereich bis zu mehreren Mikrometern im bereitgestellten pulverförmigen Keramikmaterial vorliegen. Bevorzugt weisen die Partikel des Pulvers eine Größe von größer oder gleich 10 nm, besonders bevorzugt von größer oder gleich 100 nm oder einigen hundert Nanometern, oder auch größer oder gleich 1 μm bis zu mehreren Mikrometern, bevorzugt kleiner oder gleich 2 μm auf. Ein besonders bevorzugter Bereich für die Partikelgröße kann insbesondere größer oder gleich 100 nm und kleiner oder gleich 1 µm sein.According to a further embodiment, in the aerosol deposition method (ADM: "Aerosol Deposition Method"), a powder of the ceramic material, that is to say a powdered ceramic material or a ceramic powder, is provided. The size of the particles of powder may be from sub-micron to several microns in the powdered ceramic material provided. The particles of the powder preferably have a size of greater than or equal to 10 nm, particularly preferably greater than or equal to 100 nm or a few hundred nanometers, or even greater than or equal to 1 μm to several micrometers, preferably less than or equal to 2 μm. A particularly preferred range for the particle size may in particular be greater than or equal to 100 nm and less than or equal to 1 μm.
Insbesondere kann das Keramikmaterial in einer Pulverkammer bereitgestellt werden, die auch als Aerosolkammer bezeichnet werden kann und die über eine Gaszuleitung und eine Gasableitung verfügt. Mittels der Gaszuleitung kann ein Gas, bevorzugt ein inertes Gas, in die Pulverkammer geleitet werden. Das Gas kann beispielsweise Helium, Stickstoff, Sauerstoff, Argon, Luft oder eine Mischung dieser enthalten oder daraus sein. Mittels des Gases wird ein Teil der Partikel des Pulvergemischs im Gas über die Gasableitung in eine Beschichtungskammer geleitet, die bevorzugt einen niedrigeren Druck als die Pulverkammer aufweist. Insbesondere kann das Aerosolabscheideverfahren in der Beschichtungskammer bei einer Temperatur von kleiner oder gleich 450°C, bevorzugt bei kleiner oder gleich 300°C und besonders bevorzugt bei Raumtemperatur, also bei einer Temperatur von etwa 300 K, durchgeführt werden. In particular, the ceramic material can be provided in a powder chamber, which can also be referred to as an aerosol chamber and which has a gas supply line and a gas discharge line. By means of the gas supply line, a gas, preferably an inert gas, can be conducted into the powder chamber. The gas may, for example, contain or be helium, nitrogen, oxygen, argon, air or a mixture thereof. By means of the gas, a portion of the particles of the powder mixture in the gas is passed via the gas discharge into a coating chamber, which preferably has a lower pressure than the powder chamber. In particular, the Aerosolabscheideverfahren in the coating chamber at a temperature of less than or equal to 450 ° C, preferably at less than or equal to 300 ° C and particularly preferably at room temperature, ie at a temperature of about 300 K, are performed.
Das Aerosol mit den Partikeln des Pulvergemischs tritt in der Beschichtungskammer durch eine Düse aus und wird durch die Düse strahlartig auf die zu beschichtende Oberfläche gerichtet, die beispielsweise zumindest teilweise durch die Halbleiterschichtenfolge gebildet wird. Zwischen der Pulverkammer und der Beschichtungskammer können beispielsweise noch ein oder mehrere Filter und/oder ein Klassifikator zur Einstellung geeigneter Partikelgrößen angeordnet sein. Das Aerosol mit den Partikeln des pulverförmigen Keramikmaterials tritt in der Beschichtungskammer durch eine Düse aus und wird durch die Düse strahlartig auf ein zu beschichtendes Element, also insbesondere beispielsweise auf die Halbleiterschichtenfolge, gerichtet. Der Strahl mit dem Aerosol kann beispielsweise punktuell auf die zu beschichtende Oberfläche treffen. Weiterhin kann der Strahl mit dem Aerosol auch aufgeweitet, insbesondere beispielsweise linear aufgefächert, auf den zu beschichtenden Oberflächenbereich treffen. Das Gas des Aerosols wirkt als Beschleunigungsgas, da über den Gasstrom die darin enthaltenen Partikel auf die zu beschichtende Oberfläche gesprüht werden. Bevorzugt werden der Gasstrom sowie die Düsengeometrie so eingerichtet, dass die Partikel mit einer Geschwindigkeit von größer oder gleich 100 m/s und kleiner oder gleich 500 m/s aufgebracht werden können. Die Düse wird relativ zum zu beschichtenden Oberflächenbereich über den Oberflächenbereich bewegt, um ein großflächiges Aufbringen der Partikel des pulverförmigen Keramikmaterials zu ermöglichen. Dieser Vorgang kann auch als "Abrastern" bezeichnet werden. Durch ein derartiges Verfahren können Abscheideraten von mehreren Mikrometern pro Minute zumindest lokal erreicht werden.The aerosol containing the particles of the powder mixture exits through a nozzle in the coating chamber and is directed in a jet-like manner through the nozzle onto the surface to be coated, which is formed, for example, at least partially through the semiconductor layer sequence. For example, one or more filters and / or a classifier for setting suitable particle sizes may be arranged between the powder chamber and the coating chamber. The aerosol with the particles of the powdery ceramic material emerges in the coating chamber through a nozzle and is directed by the nozzle in the manner of a beam onto an element to be coated, that is to say in particular, for example, onto the semiconductor layer sequence. For example, the jet with the aerosol can hit the surface to be coated at certain points. Furthermore, the jet can also be widened with the aerosol, in particular fanned out linearly, for example, onto the surface area to be coated. The gas of the aerosol acts as an accelerating gas because the particles contained in it are sprayed onto the surface to be coated via the gas flow. Preferably, the gas flow and the nozzle geometry are set up so that the particles can be applied at a speed of greater than or equal to 100 m / s and less than or equal to 500 m / s. The nozzle is moved relative to the surface area to be coated over the surface area in order to enable large-area application of the particles of the powdery ceramic material. This process can also be referred to as "scanning". By such a method, deposition rates of several micrometers per minute can be achieved at least locally.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Keramikschicht eine Dicke von mehr als 1 μm, bevorzugt größer oder gleich 5 μm oder auch größer oder gleich 10 μm oder auch größer oder gleich einigen zehn Mikrometern wie etwa größer oder gleich 20 μm oder größer oder gleich 30 μm oder auch größer oder gleich 50 μm auf. Weiterhin kann die Keramikschicht eine Dicke von bevorzugt kleiner oder gleich 200 μm oder auch bevorzugt kleiner oder gleich 100 μm aufweisen. Insbesondere kann eine Dicke von einigen zehn Mikrometern, also im Bereich von etwa 20 μm bis etwa 100 μm besonders vorteilhaft sein. According to a further embodiment, the ceramic layer has a thickness of more than 1 .mu.m, preferably greater than or equal to 5 .mu.m or even greater than or equal to 10 .mu.m or even greater than or equal to a few tens of microns, such as greater than or equal to 20 .mu.m or greater than or equal to 30 .mu.m or more also greater than or equal to 50 microns. Furthermore, the ceramic layer may have a thickness of preferably less than or equal to 200 μm or even preferably less than or equal to 100 μm. In particular, a thickness of a few tens of micrometers, that is in the range from about 20 μm to about 100 μm, may be particularly advantageous.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Keramikschicht transparent ausgebildet. Eine transparente Keramikschicht kann beispielsweise vorteilhaft zur Verkapselung von Oberflächenbereichen sein, durch die Licht ausgekoppelt wird. Es ist aber auch möglich, auf Oberflächenbereichen, über die kein Licht ausgekoppelt wird, eine transparente Keramikschicht aufzubringen. Weiterhin ist es auch möglich, auf einem Oberflächenbereich, über den kein Licht ausgekoppelt wird oder ausgekoppelt werden soll, eine Keramikschicht aufzubringen, die nicht transparent ist. Beispielsweise kann ein Keramikmaterial verwendet werden, das zumindest teilweise reflektierend ist, so dass die Keramikschicht in diesem Fall in der Halbleiterschichtenfolge erzeugtes Lichts, das auf die Keramikschicht trifft, reflektieren kann, wodurch die Auskoppeleffizienz in Oberflächenbereichen, die zur Lichtauskopplung vorgesehen sind, gesteigert werden kann. Oberflächenbereiche, die nicht zur Lichtauskopplung vorgesehen sind, können beispielsweise zumindest Bereiche einer Montagefläche, mit der die Halbleiterschichtenfolge auf einem Träger angeordnet werden kann, und/oder von Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge sein. Beispielsweise kann die Halbleiterschichtenfolge als so genannter Flip-Chip ausgebildet sein, bei dem das in der Halbleiterschichtenfolge erzeugte Licht durch ein Substrat, insbesondere ein Aufwachssubstrat, abgestrahlt wird und der mit einer dem Substrat abgewandten Seite als Montagefläche auf einem Träger montiert werden kann. Die Montagefläche und/oder Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge können vor dem Montieren auf dem Träger in diesem Fall mit einer nicht-transparenten und bevorzugt reflektierenden Keramikschicht versehen sein.According to a further embodiment, the ceramic layer is transparent. A transparent ceramic layer may, for example, be advantageous for encapsulating surface areas through which light is coupled out. But it is also possible to apply a transparent ceramic layer on surface areas over which no light is coupled out. Furthermore, it is also possible, on a surface region over which no light is coupled out or is to be coupled, to apply a ceramic layer which is not transparent. For example, a ceramic material may be used that is at least partially reflective, so that the ceramic layer in this case may reflect light generated in the semiconductor layer sequence that strikes the ceramic layer, whereby the coupling-out efficiency in surface areas provided for light extraction may be increased , Surface regions which are not provided for coupling out light can be, for example, at least regions of a mounting surface, with which the semiconductor layer sequence can be arranged on a carrier, and / or of side surfaces of the semiconductor layer sequence. By way of example, the semiconductor layer sequence can be embodied as a so-called flip chip, in which the light generated in the semiconductor layer sequence is emitted through a substrate, in particular a growth substrate, and the surface facing away from the substrate acts as a mounting surface a carrier can be mounted. The mounting surface and / or side surfaces of the semiconductor layer sequence may in this case be provided with a non-transparent and preferably reflective ceramic layer prior to mounting on the carrier.
Mit dem hier beschriebenen Verfahren kann insbesondere die Keramikschicht als möglichst hochdichte und in bevorzugten Ausführungsformen auch transparente Schutzschicht als finale Kapselung des zumindest einen Oberflächenbereichs der Halbleiterschichtenfolge erreicht werden. Im Vergleich zu Abscheideverfahren, bei denen gasförmige Ausgangsmaterialien bereitgestellt werden, also etwa bei Dampfphasenabscheideverfahren, sind keine empfindlichen molekularen Vorstufen nötig, um Schichten zu erzeugen. With the method described here, it is possible in particular to achieve the ceramic layer as high-density as possible, and in a preferred embodiment transparent, protective layer as the final encapsulation of the at least one surface region of the semiconductor layer sequence. Compared to deposition processes where gaseous starting materials are provided, such as in vapor phase deposition processes, no sensitive molecular precursors are needed to produce layers.
Vielmehr kann man mit verfügbaren Keramikpulvern arbeiten. Die Keramikschicht weist bevorzugt eine vernachlässigbare Porosität auf, wodurch die Keramikschicht eine hohe Dichtigkeit aufweist. Im Falle einer transparenten Keramikschicht kann insbesondere im Falle einer bevorzugten geringen oder vernachlässigbaren Porosität für Licht eine vernachlässigbare oder nur unwesentliche Absorption und damit eine hohe Transparenz erreicht werden, sodass durch die Keramikschicht hindurchtretendes Licht nur unwesentlich oder gar nicht durch Streuung beeinflusst wird. Während Dampfphasenabscheideverfahren meist auf die Aufbringung von Siliziumdioxid beschränkt werden, können als pulverförmige Keramikmaterialien und damit als Material für die Keramikschicht zusätzlich zu Siliziumdioxid auch andere Materialien verwendet werden, die beispielsweise eine bessere thermische Leitfähigkeit und/oder einen höheren Brechungsindex aufweisen, etwa Aluminiumoxid, Zirkonoxid, Titandioxid, Siliziumcarbid, Aluminiumnitrid, Siliziumnitrid oder auch Kombinationen oder Mischungen daraus. Bei dem hier beschriebenen Halbleiterbauelement bildet das Keramikmaterial somit bevorzugt eine hochdichte Keramikschicht, die in bevorzugten Ausführungsform auch möglichst optisch inert sein kann oder die Auskopplung oder Einkopplung von Licht durch einen geeigneten Brechungsindex sogar noch fördern kann.Rather, one can work with available ceramic powders. The ceramic layer preferably has a negligible porosity, whereby the ceramic layer has a high density. In the case of a transparent ceramic layer, in particular in the case of a preferred low or negligible porosity for light, a negligible or only insubstantial absorption and thus a high transparency can be achieved, so that light passing through the ceramic layer is influenced only insignificantly or not at all by scattering. While vapor phase deposition methods are usually limited to the application of silicon dioxide, as powdered ceramic materials and thus as material for the ceramic layer, in addition to silicon dioxide, other materials may be used which, for example, have a better thermal conductivity and / or a higher refractive index, such as aluminum oxide, zirconium oxide, Titanium dioxide, silicon carbide, aluminum nitride, silicon nitride or combinations or mixtures thereof. In the case of the semiconductor component described here, the ceramic material thus preferably forms a high-density ceramic layer, which in the preferred embodiment may also be as optically inert as possible or may even further promote the coupling-out or coupling of light through a suitable refractive index.
Wie vorab beschrieben, weist das Aerosolabscheideverfahren den Vorteil auf, dass es bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen, also beispielsweise vorzugsweise bei Zimmertemperatur, durchgeführt werden kann. Die so hergestellte Keramikschicht weist bevorzugt eine kristalline oder zumindest polykristalline Struktur auf. Dadurch kann die Keramikschicht eine hohe Schichtqualität aufweisen, während herkömmliche, in der Halbleitertechnologie übliche Verfahren zur Schichtherstellung, insbesondere zur Herstellung von Schutzschichten, typischerweise nicht die Möglichkeit bieten, bei gemäßigten Temperaturen, also Temperaturen im Bereich der Zimmertemperatur, eine Schutzschicht in zuverlässiger Qualität zu erzeugen.As described above, the Aerosolabscheideverfahren has the advantage that it can be carried out at relatively low temperatures, for example, preferably at room temperature. The ceramic layer produced in this way preferably has a crystalline or at least polycrystalline structure. As a result, the ceramic layer can have a high layer quality, whereas conventional methods for producing layers, in particular for the production of protective layers, typically do not offer the possibility of producing a protective layer of reliable quality at moderate temperatures, ie temperatures in the region of room temperature ,
Um eine möglichst effektive Verkapselung des optoelektronischen Halbleiterbauelements durch die Keramikschicht zu erreichen, kann es vorteilhaft sein, wenn der zumindest eine Oberflächenbereich, den die Keramikschicht bedeckt, eine oder mehrere Ober-, Unter- und/oder Seitenflächen des Halbleiterbauelements, insbesondere der Halbleiterschichtenfolge, umfasst. Besonders bevorzugt kann sich die Keramikschicht auf dem Oberflächenbereich der Halbleiterschichtenfolge zumindest über eine Seitenfläche der aktiven Schicht erstrecken. In diesem Fall wird der Oberflächenbereich, auf dem die Keramikschicht aufgebracht ist, durch zumindest einen Teil einer Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge gebildet, die vorzugsweise auch eine Seitenfläche der aktiven Schicht umfasst. Als Seitenflächen werden hier und im Folgenden Flächen der Halbleiterschichtenfolge, der aktiven Schicht sowie gegebenenfalls auch anderer Elemente des Halbleiterbauelements wie beispielsweise eines Trägers, bezeichnet, die nicht parallel und beispielsweise senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge angeordnet sind. Durch die Keramikschicht auf zumindest einer Seitenfläche der aktiven Schicht und insbesondere der Halbleiterschichtenfolge kann beispielsweise verhindert werden, dass sich durch Umwelteinflüsse wie etwa Feuchtigkeit Kriechströme entlang der Seitenfläche ausbilden, die zu einem Kurzschluss der aktiven Schicht führen könnten. In order to achieve the most effective possible encapsulation of the optoelectronic semiconductor component by the ceramic layer, it can be advantageous if the at least one surface region covered by the ceramic layer comprises one or more top, bottom and / or side surfaces of the semiconductor component, in particular of the semiconductor layer sequence , Particularly preferably, the ceramic layer on the surface region of the semiconductor layer sequence can extend over at least one side surface of the active layer. In this case, the surface region on which the ceramic layer is applied is formed by at least a part of a side surface of the semiconductor layer sequence, which preferably also includes a side surface of the active layer. Here and in the following, surfaces of the semiconductor layer sequence, of the active layer and possibly also of other elements of the semiconductor component, such as a carrier, are referred to as side surfaces which are not arranged parallel and, for example, perpendicular to the main extension plane of the semiconductor layers of the semiconductor layer sequence. By means of the ceramic layer on at least one side surface of the active layer and in particular of the semiconductor layer sequence, it can be prevented, for example, that environmental influences, such as moisture, form leakage currents along the side surface which could lead to a short circuit of the active layer.
Alternativ oder zusätzlich ist es auch möglich, dass der Oberflächenbereich, auf dem die Keramikschicht aufgebracht wird, durch zumindest einen Teil einer Lichtkoppelfläche der Halbleiterschichtenfolge gebildet wird. Als Lichtkoppelfläche wird hier und im Folgenden die Fläche, der Flächenbereich oder die Mehrzahl von Flächen oder Flächenbereichen bezeichnet, über die eine Hauptabstrahlung oder Haupteinstrahlung von Licht erfolgt. Typischerweise wird die Lichtkoppelfläche, die bei einem Licht emittierenden Halbleiterbauelement als Lichtauskoppelfläche und einem Licht empfangenden Halbleiterbauelement als Lichteinkoppelfläche bezeichnet werden kann, durch die Oberseite der optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge gebildet. Als Oberseite kann insbesondere eine Seite bezeichnet werden, die einer vorzugsweise als Montageseite ausgebildeten Unterseite in Aufwachsrichtung der Halbleiterschichtenfolge gegenüber liegend angeordnet ist. Jedoch sind auch andere Ausbildungen des Halbleiterbauelements möglich, bei denen die Lichtkoppelfläche durch einen Teil oder eine gesamte Seitenfläche gebildet wird. Alternatively or additionally, it is also possible that the surface region on which the ceramic layer is applied is formed by at least part of a light coupling surface of the semiconductor layer sequence. As the light coupling surface, the surface, the surface region or the plurality of surfaces or surface regions is referred to here and below, via which a main radiation or main radiation of light takes place. Typically, the light coupling surface, which in the case of a light-emitting semiconductor component as light-outcoupling surface and a light-receiving semiconductor component can be designated as light-coupling surface, is formed by the upper side of the optoelectronic semiconductor layer sequence. In particular, a side can be designated as the upper side, which is arranged lying opposite a lower side, preferably designed as a mounting side, in the direction of growth of the semiconductor layer sequence. However, other embodiments of the semiconductor device are possible in which the light coupling surface is formed by a part or an entire side surface.
Die Lichtkoppelfläche kann weiterhin eine Lichtkoppelstruktur aufweisen, die je nach Ausführung des optoelektronischen Halbleiterbauelements die Lichtauskopplung aus der Halbleiterschichtenfolge oder die Lichteinkopplung in die Halbleiterschichtenfolge fördern kann und die beispielsweise regelmäßige oder unregelmäßige Erhebungen und Vertiefungen, beispielsweise Prismen, nebeneinander angeordnete pyramidenförmige Erhebungen oder durch mechanisch oder chemisch abtragende Verfahren erzeugbare Oberflächenstrukturen, aufweisen kann. Die Keramikschicht auf der Lichtkoppelfläche kann derart ausgebildet sein, dass sie der Lichtkoppelstruktur folgt. Mit anderen Worten kann die Keramikschicht eine geringere Dicke als eine Höhe, insbesondere eine mittlere Höhe, der Lichtkoppelstruktur aufweisen, sodass die Lichtkoppelstruktur durch die Keramikschicht nicht planarisiert wird.The light coupling surface may further comprise a light coupling structure, depending on Execution of the optoelectronic semiconductor device can promote the light extraction from the semiconductor layer sequence or the light coupling into the semiconductor layer sequence and, for example, regular or irregular elevations and depressions, such as prisms, juxtaposed pyramidal elevations or can be generated by mechanically or chemically ablative process surface structures. The ceramic layer on the light coupling surface may be formed such that it follows the light coupling structure. In other words, the ceramic layer may have a smaller thickness than a height, in particular an average height, of the light coupling structure, so that the light coupling structure is not planarized by the ceramic layer.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge auf einem Träger angeordnet. Der Träger kann beispielsweise durch ein Aufwachssubstrat gebildet werden, das bereitgestellt wird und auf dem die optoelektronische Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen wird. Besonders bevorzugt kann die Halbleiterschichtenfolge mittels eines Epitaxieverfahrens, beispielsweise metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) oder Molekularstrahlepitaxie (MBE), auf einem Aufwachssubstrat aufgewachsen werden. Das Aufwachssubstrat kann ein elektrisch isolierendes Material oder ein Halbleitermaterial, beispielsweise ein oben genanntes Verbindungshalbleitermaterialsystem, aufweisen. Insbesondere kann das Aufwachssubstrat Saphir, GaAs, GaP, GaN, InP, SiC, Si und/oder Ge aufweisen oder aus einem solchen Material sein. According to a further embodiment, the semiconductor layer sequence is arranged on a carrier. The carrier can be formed for example by a growth substrate, which is provided and on which the optoelectronic semiconductor layer sequence is grown. Particularly preferably, the semiconductor layer sequence can be grown on a growth substrate by means of an epitaxial process, for example metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) or molecular beam epitaxy (MBE). The growth substrate may comprise an electrically insulating material or a semiconductor material, for example an above-mentioned compound semiconductor material system. In particular, the growth substrate may include or be made of sapphire, GaAs, GaP, GaN, InP, SiC, Si and / or Ge.
Der Aufwachsprozess kann insbesondere im Waferverbund stattfinden. Mit anderen Worten wird ein Aufwachssubstrat in Form eines Wafers bereitgestellt, auf den großflächig die optoelektronische Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen wird. Die aufgewachsene optoelektronische Halbleiterschichtenfolge kann in einem weiteren Verfahrensschritt in einzelne Halbleiterchips zur Bildung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen vereinzelt werden.The growth process can take place in particular in the wafer composite. In other words, a growth substrate in the form of a wafer is provided, onto which the optoelectronic semiconductor layer sequence is grown over a large area. In a further method step, the grown-up optoelectronic semiconductor layer sequence can be singulated into individual semiconductor chips to form a plurality of optoelectronic semiconductor components.
Weiterhin kann die Halbleiterschichtenfolge bevorzugt vor dem Vereinzeln auf ein Trägersubstrat übertragen werden. In diesem Fall kann das optoelektronische Halbleiterbauelement als Träger das Trägersubstrat aufweisen. Das Trägersubstrat kann beispielsweise durch eines der oben für Aufwachssubstrate genannten Materialien gebildet werden. Weiterhin ist es auch möglich, dass das Trägersubstrat beispielsweise durch eine metallhaltige Folie oder eine metallhaltige Platte, beispielsweise eine Metallfolie oder eine Metallplatte, gebildet wird.Furthermore, the semiconductor layer sequence can preferably be transferred to a carrier substrate before being singulated. In this case, the optoelectronic semiconductor component may have the carrier substrate as a carrier. The carrier substrate can be formed, for example, by one of the materials mentioned above for growth substrates. Furthermore, it is also possible for the carrier substrate to be formed, for example, by a metal-containing foil or a metal-containing plate, for example a metal foil or a metal plate.
Das Aufwachssubstrat kann nach dem Übertragen gedünnt werden, also zumindest teilweise oder ganz entfernt werden. Das Trägersubstrat wird dann mit der Halbleiterschichtenfolge zusammen vereinzelt, beispielsweise zur Bildung von Licht emittierenden oder Licht empfangenden Halbleiterbauelementen. Vor dem Übertragen der Halbleiterschichtenfolge auf ein Trägersubstrat können beispielsweise auf einer dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge eine oder mehrere Spiegelschichten aufgebracht werden. Insbesondere können die eine oder die mehreren Spiegelschichten ein Metall, besonders bevorzugt Silber, aufweisen oder daraus sein. Weiterhin sind als Spiegelschicht auch Kombinationen von Schichten mit einem oder mehreren transparenten leitenden Oxiden und mit einem oder mehreren Spiegelmetallen oder mit einem oder mehreren transparenten dielektrischen Materialien und mit einem oder mehreren Spiegelmetallen möglich. The growth substrate can be thinned after transfer, so at least partially or completely removed. The carrier substrate is then singulated together with the semiconductor layer sequence, for example for the formation of light-emitting or light-receiving semiconductor components. Before transferring the semiconductor layer sequence to a carrier substrate, one or more mirror layers can be applied, for example, on a side of the semiconductor layer sequence facing away from the growth substrate. In particular, the one or more mirror layers may comprise or be a metal, particularly preferably silver. Furthermore, combinations of layers with one or more transparent conductive oxides and with one or more mirror metals or with one or more transparent dielectric materials and with one or more mirror metals are also possible as a mirror layer.
Halbleiterbauelemente, die als Halbleiterchips ausgebildet sind und die anstelle des Aufwachssubstrats ein Trägersubstrat aufweisen, können auch als so genannte Dünnfilm-Halbleiterchips bezeichnet werden, im Fall von Licht emittierenden Dünnfilm-Halbleiterchips auch als Dünnfilm-Leuchtdiodenchips.Semiconductor components which are formed as semiconductor chips and which have a carrier substrate instead of the growth substrate can also be referred to as so-called thin-film semiconductor chips, in the case of light-emitting thin-film semiconductor chips also as thin-film light-emitting diode chips.
Ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip kann sich insbesondere durch folgende charakteristische Merkmale auszeichnen:
- – an einer zu dem Trägersubstrat hin gewandten ersten Hauptfläche einer Licht emittierenden Halbleiterschichtenfolge ist eine reflektierende Schicht, insbesondere eine Spiegelschicht, aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert;
- – die Halbleiterschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere
im Bereich von 4 μm und 10 μm, auf; und - – die Halbleiterschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichts in der Halbleiterschichtenfolge führt, d. h. sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
- On a first main surface of a light-emitting semiconductor layer sequence facing the carrier substrate, a reflective layer, in particular a mirror layer, is applied or formed, which reflects back at least part of the electromagnetic radiation generated in the semiconductor layer sequence;
- The semiconductor layer sequence has a thickness in the range of 20 μm or less, in particular in the range of 4 μm and 10 μm; and
- The semiconductor layer sequence contains at least one semiconductor layer with at least one surface which has a mixed-through structure which, in the ideal case, leads to an approximately ergodic distribution of the light in the semiconductor layer sequence, ie it has as ergodically stochastic scattering behavior as possible.
Ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ist in guter Näherung ein Lambert'scher Oberflächenstrahler. Das Grundprinzip eines Dünnfilm-Leuchtdiodenchips ist beispielsweise in der Druckschrift
Weiterhin können auf oder in der Halbleiterschichtenfolge elektrische Kontaktbereiche, beispielsweise in Form einer oder mehrerer elektrischer Kontaktschichten und/oder einer oder mehrerer Durchkontaktierungen, vorhanden sein, mittels derer das optoelektronische Halbleiterbauelement und insbesondere die aktive Schicht elektrisch kontaktiert werden kann. Eine elektrische Kontaktschicht kann insbesondere in einem Bereich, der auf der Halbleiterschichtenfolge oder auf einem Träger der Halbleiterschichtenfolge angeordnet sein kann, elektrisch kontaktierbar sein. Mit anderen Worten kann die elektrische Kontaktschicht in diesem Fall einen elektrischen Anschlussbereich zur Kontaktierung des Halbleiterbauelements aufweisen. Furthermore, on or in the semiconductor layer sequence, electrical contact regions, for example in the form of one or more electrical contact layers and / or one or more a plurality of plated-through holes, be present, by means of which the optoelectronic semiconductor component and in particular the active layer can be electrically contacted. An electrical contact layer may be in particular electrically contactable in a region which may be arranged on the semiconductor layer sequence or on a carrier of the semiconductor layer sequence. In other words, the electrical contact layer may in this case have an electrical connection region for contacting the semiconductor component.
Weiterhin kann der Träger durch einen Trägerkörper gebildet werden. Als Trägerkörper wird hier und im Folgenden ein Element bezeichnet, auf dem eine Halbleiterschichtenfolge, die ihrerseits ein Aufwachssubstrat oder ein Trägersubstrat aufweisen kann, auf einer Montagefläche montiert werden kann. Weiterhin ist es auch möglich, eine Halbleiterschichtenfolge in Form eines substratlosen optoelektronischen Halbleiterchips auf einem Trägerkörper als Träger zu montieren. Im Vergleich zu einem Trägersubstrat, das einen Träger für die Halbleiterschichtenfolge zur Bildung eines optoelektronisches Halbleiterchips bildet, der wiederum auf einen Träger montiert werden kann, bildet der Trägerkörper beispielsweise einen Teil eines Gehäuses oder eines so genannten Packages, das zur Montage eines oder mehrerer als optoelektronische Halbleiterchips ausgebildete optoelektronische Halbleiterschichtenfolgen vorgesehen ist. Der Trägerkörper kann beispielsweise durch eine Leiterplatte, eine Keramikplatte, ein Keramikgehäuse, eine Kunststoffplatte, ein Kunststoffgehäuse oder eine Kombination hieraus gebildet werden. Der Trägerkörper kann insbesondere Leiterbahnen und elektrische Anschlussbereiche zur elektrischen Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips aufweisen. Eine elektrische Kontaktierung kann beispielsweise über eine direkte Montage eines Halbleiterchips auf einer Anschlussfläche, über eine Drahtverbindung wie etwa einen Bonddraht und/oder über eine Metallfilmverbindung erreicht werden.Furthermore, the carrier can be formed by a carrier body. A carrier body is here and below an element referred to, on which a semiconductor layer sequence, which in turn may have a growth substrate or a carrier substrate, can be mounted on a mounting surface. Furthermore, it is also possible to mount a semiconductor layer sequence in the form of a substrateless optoelectronic semiconductor chip on a carrier body as a carrier. Compared to a carrier substrate, which forms a carrier for the semiconductor layer sequence for forming an optoelectronic semiconductor chip, which in turn can be mounted on a carrier, the carrier body forms, for example, a part of a housing or a so-called package which is suitable for mounting one or more as optoelectronic Semiconductor chips formed optoelectronic semiconductor layer sequences is provided. The carrier body can be formed, for example, by a printed circuit board, a ceramic plate, a ceramic housing, a plastic plate, a plastic housing or a combination thereof. The carrier body may in particular comprise conductor tracks and electrical connection areas for the electrical contacting of an optoelectronic semiconductor chip. An electrical contact can be achieved, for example, by means of a direct mounting of a semiconductor chip on a connection surface, via a wire connection, such as a bonding wire, and / or via a metal film connection.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird der von der Keramikschicht bedeckte Oberflächenbereich durch alle nach der Anordnung auf einem Träger freiliegenden Oberflächen der Halbleiterschichtenfolgen gebildet. According to a further embodiment, the surface area covered by the ceramic layer is formed by all surfaces of the semiconductor layer sequences which are exposed on a carrier after the arrangement.
Als freiliegende Oberflächen werden hier und im Folgenden solche Oberflächen und Oberflächenbereiche bezeichnet, die nach Fertigstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements Kontakt mit der Umgebung in der Form haben können, dass beispielsweise atomare oder molekulare Stoffe aus der Umgebung, etwa Sauerstoff und Feuchtigkeit, an die Oberfläche gelangen können. Daher kann auch eine Oberfläche oder ein Oberflächenbereich, der von einer nicht hermetisch dichten Schicht, etwa einer sauerstoff- und/oder wasserdurchlässigen Kunststoffschicht oder einer mittels Dampfphasenabscheidung aufgebrachten dielektrischen Schicht, bedeckt ist, vorliegend unter dem Begriff freiliegend fallen. As exposed surfaces are here and below referred to such surfaces and surface areas, which may have after completion of the optoelectronic semiconductor device contact with the environment in the form that, for example, atomic or molecular substances from the environment, such as oxygen and moisture, can reach the surface , Therefore, a surface or surface area covered by a non-hermetically sealed layer, such as an oxygen and / or water-permeable plastic layer or a vapor deposited dielectric layer, may also be disclosed herein as being exposed.
Bei einem Halbleiterbauelement, bei dem die Halbleiterschichtenfolge auf einem Träger aufgebracht ist, kann der zumindest eine Oberflächenbereich, der von der Keramikschicht bedeckt ist, alle freiliegenden Oberflächen der Halbleiterschichtenfolge, also insbesondere alle Oberflächen der Halbleiterschichtenfolge bis auf diejenige Fläche, die dem Träger zugewandt ist, umfassen, sodass die Keramikschicht alle freiliegenden Oberflächen der Halbleiterschichtenfolge bedeckt. In dieser Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge allseitig bis auf die dem Träger zugewandte Fläche von der Keramikschicht umschlossen, sodass eine effektive Verkapselung der Halbleiterschichtenfolge ermöglicht wird.In a semiconductor component in which the semiconductor layer sequence is applied to a carrier, the at least one surface region covered by the ceramic layer can cover all exposed surfaces of the semiconductor layer sequence, ie in particular all surfaces of the semiconductor layer sequence except for the surface which faces the carrier. so that the ceramic layer covers all the exposed surfaces of the semiconductor layer sequence. In this embodiment, the semiconductor layer sequence is enclosed on all sides except for the surface facing the carrier by the ceramic layer, so that an effective encapsulation of the semiconductor layer sequence is made possible.
Im Falle, dass der Träger durch ein Aufwachssubstrat gebildet wird, können somit alle nach dem Aufwachsen und gegebenenfalls einem Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge freiliegenden Oberflächen der Halbleiterschichtenfolge mit der Keramikschicht mittels Aerosolabscheidung bedeckt werden. Im Falle, dass der Träger durch ein Trägersubstrat gebildet wird, können alle nach dem Umbonden der Halbleiterschichtenfolge vom Aufwachssubstrat auf das Trägersubstrat, dem teilweisen oder gänzlichen Entfernen des Aufwachssubstrats und gegebenenfalls einem Strukturieren freiliegenden Oberflächen der Halbleiterschichtenfolge mit der Keramikschicht mittels Aerosolabscheidung bedeckt werden. Im Falle, dass der Träger durch einen Trägerkörper gebildet wird, der eine Montagefläche aufweist, auf dem eine als Halbleiterchip ausgebildete Halbleiterschichtenfolge montiert ist, kann die Keramikschicht auf allen nach der Montage auf dem Trägerkörper freiliegenden Oberflächen der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht werden.In the case where the carrier is formed by a growth substrate, all surfaces of the semiconductor layer sequence which have been exposed after growth and optionally structuring of the semiconductor layer sequence can thus be covered with the ceramic layer by means of aerosol deposition. In the case where the carrier is formed by a carrier substrate, all surfaces of the semiconductor layer sequence exposed after the bonding of the semiconductor layer sequence from the growth substrate to the carrier substrate, the partial or complete removal of the growth substrate and optionally structuring may be covered with the ceramic layer by means of aerosol deposition. In the case where the carrier is formed by a carrier body which has a mounting surface on which a semiconductor layer sequence formed as a semiconductor chip is mounted, the ceramic layer can be applied to all surfaces of the semiconductor layer sequence which are exposed on the carrier body after assembly.
Weiterhin kann die Halbleiterschichtenfolge wie oben beschrieben zumindest eine elektrische Kontaktschicht aufweisen und der von der Keramikschicht bedeckte Oberflächenbereich kann bis auf die Kontaktschicht oder einen Teil der Kontaktschicht alle nach der Anordnung auf einem Träger freiliegenden Oberflächen der Halbleiterschichtenfolge aufweisen. Hierdurch kann eine komplette Verkapselung der Halbleiterschichtenfolge durch die Keramikschicht bei einer gleichzeitigen Kontaktierbarkeit der Halbleiterschichtenfolge erreicht werden. Furthermore, as described above, the semiconductor layer sequence can have at least one electrical contact layer, and the surface area covered by the ceramic layer can have all but the contact layer or a part of the contact layer all surfaces of the semiconductor layer sequence exposed on a carrier after the arrangement. In this way, a complete encapsulation of the semiconductor layer sequence by the ceramic layer can be achieved with a simultaneous contactability of the semiconductor layer sequence.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge auf einem Träger angeordnet und zumindest ein Oberflächenbereich des Trägers ist mit der Keramikschicht bedeckt. Insbesondere kann sich die Keramikschicht in diesem Fall zusammenhängend von der Oberfläche des Trägers oder dem Oberflächenbereich des Trägers auf den zumindest einen Oberflächenbereich der Halbleiterschichtenfolge erstrecken, sodass das Keramikmaterial der Keramikschicht eine zusammenhängende Verkapselung des Trägers und der Halbleiterschichtenfolge bilden kann. According to a further embodiment, the semiconductor layer sequence is arranged on a carrier and at least one surface region of the carrier is covered with the ceramic layer. In particular, the ceramic layer in this case may be contiguous with the surface of the carrier or the surface region of the carrier extend onto the at least one surface region of the semiconductor layer sequence, so that the ceramic material of the ceramic layer can form a coherent encapsulation of the carrier and of the semiconductor layer sequence.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Träger zumindest zwei elektrisch leitende Schichten auf, die übereinander angeordnet sind und die elektrisch voneinander isoliert sind. Übereinander bezeichnet hierbei eine Richtung entlang der Verbindungsrichtung vom Träger zur Halbleiterschichtenfolge, während nebeneinander eine Richtung senkrecht hierzu bezeichnet. Bei einer üblichen Anordnung der Halbleiterschichtenfolge auf dem Träger, beispielsweise durch Aufwachsen, Umbonden oder Montieren, kann eine Anordnung übereinander auch eine Anordnung entlang der Aufwachsrichtung der Halbleiterschichtenfolge bedeuten. Die zwei voneinander isolierten elektrisch leitenden Schichten des Trägers können beispielsweise zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge und/oder als Wärmesenke ausgeführt sein. Beispielsweise kann eine der zumindest zwei elektrisch leitenden Schichten als elektrischer Anschluss für die Halbleiterschichtenfolge dienen, während die andere der zumindest zwei elektrisch leitenden Schichten als weiterer elektrischer Anschluss oder auch als beispielsweise potenzialfreie Wärmesenke dient. Besonders vorteilhaft ist es, wenn sich die Keramikschicht auf dem Oberflächenbereich des Trägers in diesem Fall über eine oder mehrere Seitenflächen der zumindest zwei elektrisch leitenden Schichten erstreckt. Hierdurch können, wie bereits oben für die Halbleiterschichtenfolge beschrieben, Leckströme zwischen den zumindest zwei elektrisch leitenden Schichten über die Seitenflächen verhindert werden. According to a further embodiment, the carrier has at least two electrically conductive layers, which are arranged one above the other and which are electrically insulated from one another. One another here denotes a direction along the connection direction from the carrier to the semiconductor layer sequence, while side by side a direction perpendicular thereto. In a conventional arrangement of the semiconductor layer sequence on the carrier, for example by growth, bonding or mounting, an arrangement above one another can also mean an arrangement along the growth direction of the semiconductor layer sequence. The two electrically insulated layers of the carrier which are insulated from one another can be designed, for example, to make electrical contact with the semiconductor layer sequence and / or as a heat sink. For example, one of the at least two electrically conductive layers can serve as an electrical connection for the semiconductor layer sequence, while the other of the at least two electrically conductive layers serves as a further electrical connection or as a potential-free heat sink, for example. It is particularly advantageous if the ceramic layer on the surface region of the carrier in this case extends over one or more side surfaces of the at least two electrically conductive layers. As a result, as already described above for the semiconductor layer sequence, leakage currents between the at least two electrically conductive layers over the side surfaces can be prevented.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauelement eine Mehrzahl von Halbleiterschichtenfolgen auf, die nebeneinander auf dem Träger angeordnet sind, wobei das Keramikmaterial als Keramikschicht auf zumindest einem Oberflächenbereich jeder der Halbleiterschichtenfolgen aufgebracht ist. Besonders bevorzugt kann sich die Keramikschicht zusammenhängend über die Mehrzahl der Halbleiterschichtenfolgen sowie über Oberflächenbereiche des Trägers erstrecken, sodass die Keramikschicht eine zusammenhängende Verkapselung der Halbleiterschichtenfolgen bilden kann. According to a further embodiment, the optoelectronic semiconductor component has a plurality of semiconductor layer sequences which are arranged side by side on the carrier, wherein the ceramic material is applied as a ceramic layer on at least one surface region of each of the semiconductor layer sequences. Particularly preferably, the ceramic layer may extend continuously over the plurality of semiconductor layer sequences as well as over surface regions of the carrier, so that the ceramic layer can form a coherent encapsulation of the semiconductor layer sequences.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird der Träger durch einen Trägerkörper gebildet, auf dem die Halbleiterschichtenfolge in Form eines oder mehrerer substratloser optoelektronischer Halbleiterchips aufgebracht ist. Ein derartiges optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem oder mehreren substratlosen optoelektronischen Halbleiterchips ist beispielsweise in der Druckschrift
Beispielsweise kann in diesem Fall der Trägerkörper durch einen Keramikträger mit Leiterbahnen zur elektrischen Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips ausgebildet sein. Durch die Anordnung der Keramikschicht auf der Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterchips und bevorzugt zumindest auch auf Teilen der Oberfläche des Keramikträgers kann ein keramisches Gehäuse hergestellt werden, das die Halbleiterschichtenfolge komplett, insbesondere auch seitlich komplett, umhüllt und somit vor Umwelteinflüssen schützt. Insbesondere ist es auch möglich, eine Mehrzahl von Halbleiterschichtenfolgen, die jeweils einen substratlosen optoelektronischen Halbleiterchip bilden und die wenige Mikrometer dick sein können, auf einer keramischen Leiterplatte, also einem so genannten keramischen „Printed Circuit Board“, anzuordnen, sodass zusammen mit der Keramikschicht das finale Halbleiterbauelement definiert wird. Bei dieser Ausführungsform kann durch die Chipkapselung auch die Definition des Halbleiterbauelements, insbesondere des Packages, mittels der Aerosolabscheidung der hochdichten Keramikschicht in einem Prozessschritt erfolgen.For example, in this case, the carrier body may be formed by a ceramic carrier with conductor tracks for electrical contacting of an optoelectronic semiconductor chip. By arranging the ceramic layer on the semiconductor layer sequence of the semiconductor chip and preferably at least also on parts of the surface of the ceramic substrate, a ceramic housing can be produced which envelops the semiconductor layer sequence completely, in particular laterally completely, and thus protects it against environmental influences. In particular, it is also possible to arrange a plurality of semiconductor layer sequences, each of which forms a substrateless optoelectronic semiconductor chip and which may be a few micrometers thick, on a ceramic circuit board, ie a so-called ceramic "printed circuit board", so that together with the ceramic layer final semiconductor device is defined. In this embodiment, the chip encapsulation can also be used to define the semiconductor component, in particular the package, by means of the aerosol deposition of the high-density ceramic layer in one process step.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umformt die Keramikschicht Oberflächenunebenheiten des mit dem Keramikmaterial bedeckten Oberflächenbereichs der Halbleiterschichtenfolge und/oder des Trägers. Beispielsweise kann die Halbleiterschichtenfolge auf dem Träger mittels einer dicken Keramikschicht umformt werden, die vorzugsweise größer als eine Dicke der Halbleiterschichtenfolge auf dem Träger ist, wobei anschließend die Keramikschicht über der Lichtkoppelfläche der Halbleiterschicht auf eine gewünschte definierte Dicke reduziert wird. Dies kann beispielsweise durch Schleifen, beispielsweise durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP), erfolgen. Besonders vorteilhaft kann diese Ausführungsform in Verbindung mit der oben beschriebenen Anordnung einer als substratloser optoelektronischer Halbleiterchip ausgebildeten Halbleiterschichtenfolge auf einem Trägerkörper kombiniert werden. Insbesondere kann es durch die Abscheidung mittels eines Partikelstroms, wie oben beschrieben, im Rahmen der Aerosolabscheidung möglich sein, topografische Unebenheiten mit der Keramikschicht zu umformen. According to a further embodiment, the ceramic layer transforms surface irregularities of the surface region of the semiconductor layer sequence and / or of the carrier covered by the ceramic material. For example, the semiconductor layer sequence can be formed on the carrier by means of a thick ceramic layer, which is preferably greater than a thickness of the semiconductor layer sequence on the carrier, wherein subsequently the ceramic layer is reduced over the light coupling surface of the semiconductor layer to a desired defined thickness. This can be done, for example, by grinding, for example by chemical-mechanical polishing (CMP). This embodiment can be combined particularly advantageously in conjunction with the above-described arrangement of a semiconductor layer sequence in the form of a substrateless optoelectronic semiconductor chip on a carrier body. In particular, by means of the deposition by means of a particle flow, as described above, in the context of aerosol deposition, it may be possible to reshape topographic irregularities with the ceramic layer.
Zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Halbleiterbauelements kann die Halbleiterschichtenfolge einen substratlosen optoelektronischen Halbleiterchip bilden und auf einer Montagefläche des Trägerkörpers aufgebracht werden. Zumindest die Halbleiterschichtenfolge sowie zumindest ein Teil der Montagefläche können mit einer zusammenhängenden Keramikschicht mittels Aerosolabscheidung bedeckt werden, wobei die Keramikschicht eine Dicke aufweist, die größer als eine Dicke der Halbleiterschichtenfolge ist. Die Keramikschicht kann anschließend über einer Lichtkoppelfläche der Halbleiterschichtenfolge gedünnt werden. Ein solches Umformen und anschließendes Dünnen der Keramikschicht kann aber auch im Falle einer strukturierten Halbleiterschichtenfolge auf einem Aufwachssubstrat oder einem Trägersubstrat, beispielsweise im Waferverbund, erfolgen. To produce such an optoelectronic semiconductor component, the semiconductor layer sequence can form a substrateless optoelectronic semiconductor chip and be applied to a mounting surface of the carrier body. At least the semiconductor layer sequence as well as at least a part of the mounting surface can with a contiguous ceramic layer are covered by means of aerosol deposition, wherein the ceramic layer has a thickness which is greater than a thickness of the semiconductor layer sequence. The ceramic layer can then be thinned over a light coupling surface of the semiconductor layer sequence. However, such a forming and subsequent thinning of the ceramic layer can also take place in the case of a structured semiconductor layer sequence on a growth substrate or a carrier substrate, for example in the wafer composite.
Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.Further advantages, advantageous embodiments and developments emerge from the embodiments described below in conjunction with the figures.
Es zeigen:Show it:
In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.In the exemplary embodiments and figures, identical, identical or identically acting elements can each be provided with the same reference numerals. The illustrated elements and their proportions with each other are not to be regarded as true to scale, but individual elements, such as layers, components, components and areas, for better representation and / or better understanding may be exaggerated.
In Verbindung mit den Figuren werden Ausführungsbeispiele rein exemplarisch für optoelektronische Halbleiterbauelemente beschrieben, die als Licht emittierende Halbleiterbauelemente ausgebildet sind. Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Halbleiterschichtenfolgen weisen somit eine aktive Schicht auf, die geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen. Die nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht auf Licht emittierende Halbleiterschichtenfolgen und Licht emittierende Halbleiterbauelemente beschränkt. Vielmehr können in den beschriebenen Ausführungsbeispielen alternativ oder zusätzlich auch Licht empfangende Halbleiterbauelemente mit einer Licht empfangenden Halbleiterschichtenfolge mit zumindest einer Licht empfangenden aktiven Schicht vorgesehen sein. In conjunction with the figures, exemplary embodiments are described purely by way of example for optoelectronic semiconductor components which are designed as light-emitting semiconductor components. The semiconductor layer sequences described in connection with the figures thus have an active layer which is suitable for emitting light during operation. However, the embodiments described below are not limited to light-emitting semiconductor layer sequences and light-emitting semiconductor components. Rather, alternatively or additionally, light-receiving semiconductor components with a light-receiving semiconductor layer sequence with at least one light-receiving active layer can be provided in the exemplary embodiments described.
In den
Dazu wird, wie in Verbindung mit der
Das im Betrieb des fertig gestellten optoelektronischen Halbleiterbauelements
Die Halbleiterschichtenfolge
Alternativ dazu kann das Verfahren auch auf Waferebene durchgeführt werden. Das bedeutet, dass die Waferverbunds bereitgestellt wird, bei dem die Halbleiterschichtenfolge
Die Halbleiterschichtenfolge
Die Halbleiterschichtenfolge
In
Hierzu wird der Träger
Im gezeigten Ausführungsbeispiel wird als pulverförmiges Keramikmaterial ein Material zugeführt, mit dem eine transparente und elektrisch isolierende Keramikschicht
Die Keramikschicht
Die hier und in den folgenden Ausführungsbeispielen gezeigte Keramikschicht
Wie in
Alternativ hierzu kann es auch möglich sein, dass beispielsweise nur die Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge
Ist die Keramikschicht
Weiterhin ist es auch möglich, dass die gezeigte elektrische Kontaktschicht
Wird die Keramikschicht
In den folgenden Figuren sind weitere Ausführungsbeispiele gezeigt, die Modifikationen des in den
In
Der Träger
Zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge
Alternativ zum gezeigten elektrisch leitenden Träger
Die Halbleiterschichtenfolge
Zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
In
Wird die Keramikschicht
In
Die Montage der Halbleiterschichtenfolge
Zur Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge
In
Der elektrische Anschluss der Halbleiterschichtenfolge
Besonders bevorzugt handelt es sich bei der Halbleiterschichtenfolge
Wie in den vorherigen Ausführungsbeispielen erstreckt sich eine mittels Aerosolabscheidung zusammenhängend aufgebrachte Keramikschicht
In
In
Zumindest ein Teil der Montagefläche, der den Oberflächenbereich
Anschließend wird die Keramikschicht
In den Ausführungsbeispielen der
In den Ausführungsbeispielen der
Die in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele können zusätzlich oder alternativ auch weitere Merkmale gemäß den Ausführungsformen im allgemeinen Teil aufweisen. Weiterhin ist es auch möglich, Merkmale und/oder Ausführungsbeispiele, die in Verbindung mit einzelnen Figuren beschrieben sind, miteinander zu kombinieren.The embodiments shown in the figures may additionally or alternatively also have further features according to the embodiments in the general part. Furthermore, it is also possible to combine features and / or embodiments described in connection with individual figures.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or exemplary embodiments.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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- DE 102009051746 A1 [0049, 0091] DE 102009051746 A1 [0049, 0091]
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