DE102012109083A1

DE102012109083A1 - Optoelectronic component comprises layer sequence with active layer, which emits electromagnetic primary radiation, conversion element and passivation layer

Info

Publication number: DE102012109083A1
Application number: DE201210109083
Authority: DE
Inventors: Georg Dirscherl; Walter Wegleiter; Matthias Sabathil
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2012-09-26
Filing date: 2012-09-26
Publication date: 2014-03-27

Abstract

Optoelectronic component (1) comprises (i) a layer sequence (2) with an active layer, which emits electromagnetic primary radiation, (ii) a conversion element (3), which is arranged in the beam path of the electromagnetic primary radiation and the layer sequence, and (iii) a passivation layer (4), which completely surrounds the conversion element. The conversion element comprises converter particles. The converter particles are distributed in the converter conversion element, and the electromagnetic primary radiation is at least partly converted into an electromagnetic secondary radiation. Optoelectronic component (1) comprises (i) a layer sequence (2) with an active layer, which emits electromagnetic primary radiation, (ii) a conversion element (3), which is arranged in the beam path of the electromagnetic primary radiation and the layer sequence, and (iii) a passivation layer (4), which completely surrounds the conversion element. The conversion element comprises converter particles. The converter particles are distributed in the converter conversion element and the electromagnetic primary radiation is at least partly converted into an electromagnetic secondary radiation. The conversion element comprises a matrix. The converter particles are embedded in the matrix. The passivation layer and/or the matrix comprise a polymer of formula (I). R1-R16 : H, alkyl, aryl, amine or halo; and n : greater than 1 and >= 1000000. An independent claim is also included for producing the optoelectronic component, comprising (a) providing a carrier (5), (b) arranging the layer sequence with active layer, which emits the electromagnetic primary radiation on the carrier, (c) coating the layer sequence with the passivation layer, (d) arranging the conversion element, which comprises fifth main surface of the layer sequence facing away from layer sequence, third edge and third side surface, in the beam path of the electromagnetic primary radiation and over the layer sequence, and (e) coating the fifth main surface of the layer sequence facing away from layer sequence, third edge and third side surface of the conversion element with the passivation layer. [Image].

Description

Es wird ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben. It is an optoelectronic device and a method for its preparation specified.

Optoelektronische Bauelemente sind oft Umwelteinflüssen wie Feuchte, Schadgasen, Sauerstoff und salzsaurer Atmosphäre ausgesetzt. Häufig sind die Materialien, die der Verkapselung einzelner Bauteile des Bauelements dienen, nicht ausreichend beständig, um ein Durchdringen dieser Umwelteinflüsse zu verhindern, was zu einem frühzeitigen Ausfall der Bauelemente führen kann. Insbesondere müssen Konvertermaterialien in optoelektronischen Bauelementen vor solchen Umwelteinflüssen geschützt werden.Optoelectronic components are often exposed to environmental influences such as humidity, harmful gases, oxygen and hydrochloric acid atmosphere. Often, the materials used to encapsulate individual components of the device are not sufficiently durable to prevent penetration of these environmental influences, which can lead to premature failure of the devices. In particular, converter materials must be protected in optoelectronic devices from such environmental influences.

Aufgabe zumindest einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein optoelektronisches Bauelement umfassend ein Konversionselement bereitzustellen, das eine Passivierungsschicht und/oder eine Matrix in dem Konversionselement aufweist, welche über eine sehr gute Barrierewirkung gegenüber Säuren, Laugen, Gasen und Wasser verfügt. Aufgabe zumindest einer weiteren Ausführungsform ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements umfassend ein Konversionselement, welches eine Passivierungsschicht und/oder ein Matrixmaterial in dem Konversionselement mit verbesserten Eigenschaften aufweist. It is therefore an object of at least one embodiment of the present invention to provide an optoelectronic component comprising a conversion element which has a passivation layer and / or a matrix in the conversion element which has a very good barrier action against acids, lyes, gases and water. The object of at least one further embodiment is to provide a method for producing an optoelectronic component comprising a conversion element which has a passivation layer and / or a matrix material in the conversion element with improved properties.

Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements mit den Merkmalen des Patentanspruchs 14 gelöst. These objects are achieved by an optoelectronic component having the features of patent claim 1 and by a method for producing the optoelectronic component having the features of patent claim 14.

Vorteilhafte Ausführungen sowie Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den jeweils abhängigen Ansprüchen angegeben. Advantageous embodiments and further developments of the present invention are specified in the respective dependent claims.

Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das optoelektronische Bauelement umfasst eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die elektromagnetische Primärstrahlung emittiert und ein Konversionselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung und über der Schichtenfolge angeordnet ist. Das Konversionselement umfasst Konverterpartikel, die in dem Konversionselement verteilt sind und zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertieren. Es ist weiter eine Passivierungsschicht vorhanden, die das Konversionselement vollständig umhüllt und/oder das Konversionselement umfasst eine Matrix, in die die Konverterpartikel eingebettet sind. Die Passivierungsschicht und/oder die Matrix umfassen ein Polymer folgender Struktur:

An optoelectronic component is specified. The optoelectronic component comprises a layer sequence with an active layer which emits electromagnetic primary radiation and a conversion element which is arranged in the beam path of the electromagnetic primary radiation and above the layer sequence. The conversion element comprises converter particles which are distributed in the conversion element and at least partially convert the electromagnetic primary radiation into an electromagnetic secondary radiation. There is also a passivation layer which completely envelops the conversion element and / or the conversion element comprises a matrix in which the converter particles are embedded. The passivation layer and / or the matrix comprise a polymer of the following structure:

Die Reste R¹ bis R¹⁶ können gleich oder unterschiedlich gewählt sein und sind aus einer Gruppe ausgewählt, die H, Alkylreste, Arylreste, Aminreste und Halogene umfasst. n hat einen Wert 1 < n ≤ 1000000. Bevorzugt gilt 1 < n ≤ 100000, besonders bevorzugt gilt 1 < n ≤ 10000.The radicals R ¹ to R ¹⁶ may be the same or different and are selected from a group comprising H, alkyl radicals, aryl radicals, amine radicals and halogens. n has a value 1 <n ≦ 1000000. Preferably, 1 <n ≦ 100000, more preferably 1 <n ≦ 10000.

Dass eine Schicht oder ein Element ”auf” oder ”über” einer anderen Schicht oder einem anderen Element angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar in direktem mechanischen und/oder elektrischen Kontakt auf der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist. Weiter kann es auch bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element mittelbar auf beziehungsweise über der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist. Dabei können dann weitere Schichten und/oder Elemente oder ein lichter Abstand zwischen der einen oder der anderen Schicht beziehungsweise zwischen dem einen oder dem anderen Element angeordnet sein. The fact that a layer or an element is arranged or applied "on" or "above" another layer or another element can mean here and below that the one layer or the one element directly in direct mechanical and / or electrical contact is arranged on the other layer or the other element. Furthermore, it can also mean that the one layer or the one element is arranged indirectly on or above the other layer or the other element. In this case, further layers and / or elements or a clear distance can then be arranged between the one or the other layer or between the one or the other element.

Dass die Passivierungsschicht das Konversionselement vollständig umhüllt bedeutet, dass das Konversionselement eine von der Schichtenfolge abgewandte Hauptoberfläche, eine der Schichtenfolge zugewandte Hauptoberfläche, Kanten und Seitenflächen aufweist, die alle vollständig mit der Passivierungsschicht bedeckt sind. The fact that the passivation layer completely surrounds the conversion element means that the conversion element has a main surface facing away from the layer sequence, a main surface facing the layer sequence, edges and side surfaces which are all completely covered by the passivation layer.

Eine Passivierungsschicht oder eine Matrix, die ein Polymer mit der oben angegebenen Formel umfasst, weist sehr gute Barriereeigenschaften gegenüber Feuchte, Schadgasen, Sauerstoff, Säuren und Laugen auf. Mit anderen Worten kann die Passivierungsschicht und/oder die Matrix höchstens zu sehr geringen Anteilen von den genannten Umwelteinflüssen durchdrungen werden. Die Passivierungsschicht und/oder die Matrix weisen des Weiteren eine gute Temperaturbeständigkeit und eine gute Resistenz gegenüber mechanischer Belastung auf. Durch diese Eigenschaften sind die Teile des optoelektronischen Bauelements, welche mit der Passivierungsschicht bedeckt sind, oder die Konverterpartikel, die in so einer Matrix in dem Konversionselement eingebettet sind sehr gut gegen Umwelteinflüsse geschützt. Ein Vorteil der Passivierungsschicht ist, dass sich sehr dünne und gleichförmige Schichten ausbilden lassen. Mit diesem Polymer können gut kleine Räume, Spalten und Kanten ausgefüllt werden. Kanten können mit einer Passivierungsschicht umfassend ein solches Polymer gleichmäßig umformt werden. Dies ist anhand der 4a und 4b dargestellt. A passivation layer or a matrix comprising a polymer having the formula given above has very good barrier properties to moisture, noxious gases, oxygen, acids and alkalis. In other words, the passivation layer and / or the matrix can be penetrated by said environmental influences at most to very small proportions. The passivation layer and / or the matrix furthermore have a good temperature resistance and a good resistance to mechanical stress. As a result of these properties, the parts of the optoelectronic component which are covered with the passivation layer or the converter particles embedded in such a matrix in the conversion element are very well protected against environmental influences. An advantage of the passivation layer is that very thin and uniform layers can be formed. With this polymer well small spaces, gaps and edges can be filled. Edges can be uniformly formed with a passivation layer comprising such a polymer. This is based on the 4a and 4b shown.

Dass die Konverterpartikel zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertieren bedeutet, dass die elektromagnetische Primärstrahlung zumindest teilweise von den Konverterpartikeln absorbiert und als elektromagnetische Sekundärstrahlung mit einem von der elektromagnetischen Primärstrahlung verschiedenen Wellenlängenbereich emittiert wird. Die elektromagnetische Primärstrahlung und/oder elektromagnetische Sekundärstrahlung können eine oder mehrere Wellenlängen und/oder Wellenlängenbereiche in einem infraroten bis ultravioletten Wellenlängenbereich umfassen, insbesondere in einem sichtbaren Wellenlängenbereich. Dabei können die Spektren der Primärstrahlung und/oder der Sekundärstrahlung schmalbandig sein, das heißt, dass die Primärstrahlung und/oder die Sekundärstrahlung dann einen einfarbigen oder annähernd einfarbigen Wellenlängenbereich aufweisen. Das Spektrum der Primärstrahlung und/oder das Spektrum der Sekundärstrahlung kann alternativ auch breitbandig sein, das heißt, dass die Primärstrahlung und/oder die Sekundärstrahlung einen mischfarbigen Wellenlängenbereich aufweisen kann, wobei der mischfarbige Wellenlängenbereich ein kontinuierliches Spektrum oder mehrere diskrete spektrale Komponenten mit verschiedenen Wellenlängen aufweisen kann. The fact that the converter particles at least partially convert the electromagnetic primary radiation into an electromagnetic secondary radiation means that the electromagnetic primary radiation is at least partially absorbed by the converter particles and emitted as electromagnetic secondary radiation with a wavelength range different from the electromagnetic primary radiation. The electromagnetic primary radiation and / or secondary electromagnetic radiation may comprise one or more wavelengths and / or wavelength ranges in an infrared to ultraviolet wavelength range, in particular in a visible wavelength range. In this case, the spectra of the primary radiation and / or the secondary radiation may be narrow-band, that is to say that the primary radiation and / or the secondary radiation then have a monochrome or approximately monochromatic wavelength range. Alternatively, the spectrum of the primary radiation and / or the spectrum of the secondary radiation can also be broadband, that is to say that the primary radiation and / or the secondary radiation can have a mixed-colored wavelength range, wherein the mixed-color wavelength range has one continuous spectrum or several discrete spectral components with different wavelengths can.

Die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung können überlagert einen weißfarbigen Leuchteindruck erwecken. Dazu kann die Primärstrahlung vorzugsweise einen blaufarbigen Leuchteindruck erwecken und die Sekundärstrahlung einen gelbfarbigen Leuchteindruck, der durch spektrale Komponenten der Sekundärstrahlung im gelben Wellenlängenbereich und/oder spektrale Komponenten im grünen und roten Wellenlängenbereich entstehen kann. The primary radiation and the secondary radiation can superimpose a white-colored luminous impression. For this purpose, the primary radiation can preferably give rise to a blue-colored luminous impression and the secondary radiation can produce a yellowish-colored luminous impression, which can result from spectral components of the secondary radiation in the yellow wavelength range and / or spectral components in the green and red wavelength ranges.

Es ist auch möglich, dass die elektromagnetische Primärstrahlung vollständig oder nahezu vollständig in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert. Die elektromagnetische Primärstrahlung wird hierbei vollständig oder nahezu vollständig durch das Konvertermaterial absorbiert wird und in Form einer elektromagnetischen Sekundärstrahlung emittiert. Die emittierte Strahlung des optoelektronischen Bauelements gemäß dieser Ausführungsform entspricht somit vollständig oder nahezu vollständig der elektromagnetischen Sekundärstrahlung. Unter nahezu vollständiger Konversion ist eine Konversion über 90%, insbesondere über 95% zu verstehen. It is also possible that the electromagnetic primary radiation completely or almost completely converted into an electromagnetic secondary radiation. The electromagnetic primary radiation is in this case completely or almost completely absorbed by the converter material and emitted in the form of electromagnetic secondary radiation. The emitted radiation of the optoelectronic component according to this embodiment thus corresponds completely or almost completely to the electromagnetic secondary radiation. Nearly complete conversion is a conversion over 90%, especially over 95% to understand.

Es ist möglich, dass die Primärstrahlung im UV-Bereich liegt und die Sekundärstrahlung einen blaufarbigen und gelbfarbigen Leuchteindruck erweckt, der durch spektrale Komponenten der Sekundärstrahlung im blauen und im gelben Wellenlängenbereich und/oder spektrale Komponenten im blauen, grünen und roten Wellenlängenbereich entstehen kann. Hier kann die Sekundärstrahlung einen weißfarbigen Leuchteindruck erwecken.It is possible that the primary radiation is in the UV range and the secondary radiation gives rise to a blue-colored and yellow-colored luminous impression, which can be caused by spectral components of the secondary radiation in the blue and yellow wavelength range and / or spectral components in the blue, green and red wavelength range. Here, the secondary radiation can create a white-colored luminous impression.

Gemäß einer Ausführungsform liegt die elektromagnetische Sekundärstrahlung in einem blauen bis infraroten Wellenlängenbereich.According to one embodiment, the electromagnetic secondary radiation lies in a blue to infrared wavelength range.

Gemäß einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weisen die Konverterpartikel einen Partikeldurchmesser von 1 bis 20 µm auf. Bevorzugt weisen die Konverterpartikel einen Partikeldurchmesser von 5 bis 15 µm, besonders bevorzugt von 10 µm auf. According to one embodiment of the optoelectronic component, the converter particles have a particle diameter of 1 to 20 μm. Preferably, the converter particles have a particle diameter of 5 to 15 .mu.m, more preferably of 10 .mu.m.

Die Konverterpartikel können beispielsweise aus einem der folgenden Leuchtstoffe gebildet sein: mit Metallen der seltenen Erden dotierte Granate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Aluminate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Silicate, wie Orthosilicate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Chlorosilicate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Oxinitride und mit Metallen der seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, Sialone.The converter particles may be formed, for example, from one of the following phosphors: rare-earth-doped garnets, rare-earth-doped alkaline earth sulfides, with Rare earth metals doped thiogallates, rare earth doped aluminates, rare earth doped silicates such as orthosilicates, rare earth doped chlorosilicates, rare earth doped alkaline earth silicon nitrides, rare earth doped oxynitrides, and rare earth doped silicates rare earth doped aluminum oxynitrides, rare earth doped silicon nitrides, sialons.

Als Leuchtstoffe können insbesondere Granate, wie Yttriumaluminiumoxid (YAG), Lutetiumaluminiumoxid (LuAG) und Terbiumaluminiumoxid (TAG) verwendet werden.In particular, garnets such as yttrium aluminum oxide (YAG), lutetium aluminum oxide (LuAG) and terbium aluminum oxide (TAG) can be used as phosphors.

Die Leuchtstoffe sind beispielsweise mit einem der folgenden Aktivatoren dotiert: Cer, Europium, Terbium, Praseodym, Samarium, Mangan.The phosphors are, for example, doped with one of the following activators: cerium, europium, terbium, praseodymium, samarium, manganese.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das Konversionselement Konverterpartikel verschiedener Leuchtstoffe.According to a further embodiment, the conversion element comprises converter particles of different phosphors.

Gemäß einer Ausführungsform liegen die Konverterpartikel zu 1 bis 50 Vol-% in Bezug auf die Matrix vor. Bevorzugt sind 10 bis 40 Vol-%, besonders bevorzugt sind 20 bis 30 Vol-%. According to one embodiment, the converter particles are present at 1 to 50% by volume with respect to the matrix. Preference is given to 10 to 40% by volume, more preferably 20 to 30% by volume.

Gemäß einer Ausführungsform sind die Konverterpartikel homogen in dem Konversionselement verteilt. Durch eine homogene Verteilung der Konverterpartikel ist eine gleichmäßige Konversion der Primärstrahlung durch die Konverterpartikel möglich, was eine gleichmäßige Abstrahlcharakteristik der Primär- und der Sekundärstrahlung zur Folge hat.According to one embodiment, the converter particles are homogeneously distributed in the conversion element. Due to a homogeneous distribution of the converter particles, a uniform conversion of the primary radiation by the converter particles is possible, which results in a uniform emission characteristic of the primary and secondary radiation.

Gemäß einer Ausführungsform sind die Konverterpartikel mit einem Konzentrationsgradienten in dem Konversionselement verteilt und in der Matrix eingebettet. Beispielsweise weist das Konversionselement drei Teilschichten in vertikaler Richtung auf. Die erste Teilschicht, also die an die Schichtenfolge angrenzende Schicht des Konversionselements umfasst die Matrix und weist beispielsweise eine niedrigere Konzentration an Konverterpartikeln auf als die darauffolgende zweite Teilschicht, die auch die Matrix umfasst. Die dritte Teilschicht umfasst die Matrix und kann wieder eine geringere Konzentration an Konverterpartikeln aufweisen als die zweite Teilschicht. Möglich ist auch, dass die erste und die dritte Teilschicht keine Konverterpartikel sondern nur die Matrix umfassen. Bevorzugt ist die Verteilung der Konverterpartikel in der zweiten Teilschicht homogen. In diesem Ausführungsbeispiel können die Konverterpartikel besonders gut vor Umwelteinflüssen geschützt werden und zudem ist durch eine homogene Verteilung der Konverterpartikel in der zweiten Teilschicht eine gleichmäßige Abstrahlcharakteristik der Primär- und der Sekundärstrahlung gewährleistet.According to one embodiment, the converter particles having a concentration gradient are distributed in the conversion element and embedded in the matrix. For example, the conversion element has three partial layers in the vertical direction. The first partial layer, that is to say the layer of the conversion element adjoining the layer sequence, comprises the matrix and has, for example, a lower concentration of converter particles than the subsequent second partial layer, which also comprises the matrix. The third sub-layer comprises the matrix and may again have a lower concentration of converter particles than the second sub-layer. It is also possible that the first and third sub-layers do not comprise converter particles but only the matrix. The distribution of the converter particles in the second partial layer is preferably homogeneous. In this embodiment, the converter particles can be particularly well protected from environmental influences and also ensures a uniform distribution of the primary and secondary radiation by a homogeneous distribution of the converter particles in the second sub-layer.

Unter ”Schichtenfolge” ist in diesem Zusammenhang eine mehr als eine Schicht umfassende Schichtenfolge zu verstehen, beispielsweise eine Folge, die zumindest eine p-dotierte und einer n-dotierte Halbleiterschicht umfasst, wobei die Schichten übereinander angeordnet sind. In this context, "layer sequence" is to be understood as meaning a layer sequence comprising more than one layer, for example a sequence comprising at least one p-doped and one n-doped semiconductor layer, the layers being arranged one above the other.

Die Schichtenfolge kann als Epitaxieschichtenfolge oder als strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer Epitaxieschichtenfolge, also als epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge ausgeführt sein. Dabei kann die Schichtenfolge beispielsweise auf der Basis von InGaAlN ausgeführt sein. InGaAlN-basierte Halbleiterchips und Halbleiterschichtenfolgen sind insbesondere solche, bei denen die epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtenfolge eine Schichtenfolge aus unterschiedlichen Einzelschichten aufweist, die mindestens eine Einzelschicht enthält, die ein Material aus dem III-V-Verbindungshalbleitermaterialsystem In_xAl_yGa_1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist. Halbleiterschichtenfolgen, die zumindest eine aktive Schicht auf Basis von InGaAlN aufweisen, können beispielsweise elektromagnetische Strahlung in einem ultravioletten bis grünen Wellenlängenbereich emittieren.The layer sequence can be embodied as an epitaxial layer sequence or as a radiation-emitting semiconductor chip with an epitaxial layer sequence, that is to say as an epitaxially grown semiconductor layer sequence. In this case, the layer sequence can be implemented, for example, on the basis of InGaAlN. InGaAlN-based semiconductor chips and semiconductor layer sequences are, in particular, those in which the epitaxially produced semiconductor layer sequence has a layer sequence of different individual layers which contains at least one single layer comprising a material of the III-V compound semiconductor material system In _x Al _y Ga _1-xy N with 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y ≦ 1. Semiconductor layer sequences comprising at least one InGaAlN-based active layer can emit, for example, electromagnetic radiation in an ultraviolet to green wavelength range.

Alternativ oder zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge oder der Halbleiterchip auch auf InGaAlP basieren, das heißt, dass die Halbleiterschichtenfolge unterschiedliche Einzelschichten aufweisen kann, wovon mindestens eine Einzelschicht ein Material aus dem III-V-Verbindungshalbleitermaterialsystem In_xAl_yGa_1-x-yP mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist. Halbleiterschichtenfolgen oder Halbleiterchips, die zumindest eine aktive Schicht auf Basis von InGaAlP aufweisen, können beispielsweise bevorzugt elektromagnetische Strahlung mit einer oder mehreren spektralen Komponenten in einen grünen bis roten Wellenlängenbereich emittieren.Alternatively or additionally, the semiconductor layer sequence or the semiconductor chip can also be based on InGaAlP, that is to say that the semiconductor layer sequence can have different individual layers, of which at least one individual layer is a material composed of the III-V compound semiconductor material system In _x Al _y Ga _1-xy P with 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y ≦ 1. For example, semiconductor layer sequences or semiconductor chips having at least one active layer based on InGaAlP may emit electromagnetic radiation having one or more spectral components in a green to red wavelength range.

Alternativ oder zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge oder der Halbleiterchip auch andere III-V-Verbindungshalbleitermaterialsysteme, beispielsweise ein AlGaAs-basiertes Material, oder II-VI-Verbindungshalbleitermaterialsysteme aufweisen. Insbesondere kann eine aktive Schicht, die ein AlGaAs-basiertes Material aufweist, geeignet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer oder mehreren spektralen Komponenten in einem roten bis infraroten Wellenlängenbereich zu emittieren.Alternatively or additionally, the semiconductor layer sequence or the semiconductor chip may also comprise other III-V compound semiconductor material systems, for example an AlGaAs-based material, or II-VI compound semiconductor material systems. In particular, an active layer that is an AlGaAs-based Material suitable to emit electromagnetic radiation with one or more spectral components in a red to infrared wavelength range.

Die aktive Halbleiterschichtenfolge kann neben der aktiven Schicht weitere funktionale Schichten und funktionelle Bereiche umfassen, etwa p- oder n-dotierte Ladungsträgertransportschichten, also Elektronen- oder Löchertransportschichten, undotierte oder p- oder n-dotierte Confinement-, Cladding- oder Wellenleiterschichten, Barriereschichten, Planarisierungsschichten, Pufferschichten, Schutzschichten und/oder Elektroden sowie Kombinationen daraus. Weiterhin können beispielsweise auf einer dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge eine oder mehrere Spiegelschichten aufgebracht sein. Die hier beschriebenen Strukturen die aktive Schicht oder die weiteren funktionalen Schichten und Bereiche betreffend sind dem Fachmann insbesondere hinsichtlich Aufbau, Funktion und Struktur bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. The active semiconductor layer sequence may comprise, in addition to the active layer, further functional layers and functional regions, such as p- or n-doped charge carrier transport layers, ie electron or hole transport layers, undoped or p- or n-doped confinement, cladding or waveguide layers, barrier layers, planarization layers , Buffer layers, protective layers and / or electrodes and combinations thereof. Furthermore, one or more mirror layers can be applied, for example, on a side of the semiconductor layer sequence facing away from the growth substrate. The structures described here relating to the active layer or the further functional layers and regions are known to the person skilled in the art, in particular with regard to structure, function and structure, and are therefore not explained in greater detail here.

Gemäß einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement ein Gehäuse auf. Das Gehäuse kann eine Ausnehmung aufweisen, in der die Schichtenfolge angeordnet ist.According to one embodiment, the optoelectronic component has a housing. The housing may have a recess in which the layer sequence is arranged.

Das Gehäuse kann Thermoplasten, wie Polyphthalamide oder ungesättigte Polyester, Duroplasten oder Silikon umfassen. Möglich sind auch Kombinationen der genannten Materialien.The housing may comprise thermoplastics such as polyphthalamides or unsaturated polyesters, thermosets or silicone. Also possible are combinations of the materials mentioned.

Dadurch, dass die Konverterpartikel in der Matrix eingebettet sind oder das Konversionselement umfassend die Konverterpartikel von der Passivierungsschicht vollständig umhüllt sind, sind die oftmals sehr empfindlichen Konverterpartikel besonders gut vor dem Eindringen von Umwelteinflüssen geschützt.Because the converter particles are embedded in the matrix or the conversion element comprising the converter particles is completely enveloped by the passivation layer, the often very sensitive converter particles are particularly well protected against the penetration of environmental influences.

Sind die Konverterpartikel in der Matrix eingebettet, kann ein mechanischer Halt des Konversionselements gewährleistet werden. Verwendet man als Matrix herkömmliche Materialien wie Silikon, wird das Konversionselement durch die Ausdehnung des Silikons beim thermischen Polymerisationsschritt aufgesprengt. Da die Matrix umfassend oben gezeigtes Polymer aus der Gasphase in einer kalten Gasabscheidereaktion abgeschieden werden kann, entstehen derartige Nachteile mit dieser Matrix nicht.If the converter particles embedded in the matrix, a mechanical hold of the conversion element can be ensured. If conventional materials such as silicone are used as the matrix, the conversion element is burst open by the expansion of the silicone in the thermal polymerization step. Since the matrix comprising the above-shown polymer can be deposited from the gas phase in a cold gas-separating reaction, such disadvantages do not arise with this matrix.

Gemäß einer Ausführungsform weisen die Schichtenfolge und das Konversionselement einen direkten Kontakt zueinander auf.According to one embodiment, the layer sequence and the conversion element have a direct contact with each other.

„Direkter Kontakt“ bedeutet hier und im Folgenden, dass zwei Elemente oder Schichten unmittelbar in direktem mechanischen und/oder elektrischen Kontakt zueinander stehen. Da die Polymere sehr gute Barriereeigenschaften gegenüber Schadgasen, wie H₂S und So₂ aufweisen, können die optoelektronischen Bauelemente in der Automobilindustrie eingesetzt werden. "Direct contact" here and in the following means that two elements or layers are directly in direct mechanical and / or electrical contact with each other. Since the polymers have very good barrier properties against harmful gases, such as H ₂ S and So ₂ , the optoelectronic components can be used in the automotive industry.

In einer Ausführungsform ist das Konversionselement als Konversionsschicht ausgebildet. Alle Merkmale, die in Bezug auf das Konversionselement genannt sind, treffen auch für die Konversionsschicht zu. In one embodiment, the conversion element is designed as a conversion layer. All features mentioned in relation to the conversion element also apply to the conversion layer.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Bauelement eine Konversionsschicht und eine Passivierungsschicht, wobei die Matrix und die Passivierungsschicht ein Polymer folgender Struktur umfassen:

According to one embodiment, the component comprises a conversion layer and a passivation layer, wherein the matrix and the passivation layer comprise a polymer of the following structure:

In einer Ausführungsform ist die Konversionsschicht über der Passivierungsschicht angeordnet. In one embodiment, the conversion layer is disposed over the passivation layer.

Es ist möglich, dass die Konversionsschicht und die Passivierungsschicht einen direkten Kontakt zueinander aufweisen.It is possible that the conversion layer and the passivation layer have direct contact with each other.

In einer Ausführungsform bedeckt die Konversionsschicht die Passivierungsschicht teilweise oder vollständig.In one embodiment, the conversion layer partially or completely covers the passivation layer.

In einer Ausführungsform hat das Polymer einen Brechungsindex n_D bei 23°C von größer oder gleich 1,5, bevorzugt größer oder gleich 1,6, besonders bevorzugt größer oder gleich 1,65.In one embodiment, the polymer has a refractive index n _D at 23 ° C. of greater than or equal to 1.5, preferably greater than or equal to 1.6, particularly preferably greater than or equal to 1.65.

Sind die Konverterpartikel in der Matrix eingebettet, die ein Polymer mit einem solchen Brechungsindex aufweist, kann der Brechungsindex des Konversionselements erhöht werden. Das Konversionselement zeigt eine erhöhte Lichtauskopplung, da Lichtverluste durch Reflexion und Totalreflexion weitgehend vermieden werden können. If the converter particles embedded in the matrix, which has a polymer with such a refractive index, the refractive index of the conversion element can be increased. The conversion element shows increased light extraction, since light losses due to reflection and total reflection can be largely avoided.

Gemäß einer Ausführungsform besteht das Konversionselement aus den Konverterpartikeln und der Matrix. According to one embodiment, the conversion element consists of the converter particles and the matrix.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Passivierungsschicht und/oder das Konversionselement keine Risse und/oder Hohlräume auf. Durch die so entstehende besonders hohe Dichtigkeit der Passivierungsschicht und/oder des Konversionselements wird ein erhöhter Schutz der Teile des optoelektronischen Bauelements, welche mit der Passivierungsschicht beschichtet sind, oder der Konverterpartikel, die in so einer Matrix in dem Konversionselement eingebettet sind, erreicht.According to one embodiment, the passivation layer and / or the conversion element has no cracks and / or cavities. The resulting particularly high density of the passivation layer and / or the conversion element, an increased protection of the parts of the optoelectronic device, which are coated with the passivation layer, or the converter particles, which are embedded in such a matrix in the conversion element, achieved.

Gemäß einer Ausführungsform sind die Reste R¹ bis R¹⁶ gleich oder unterschiedlich gewählt und sind aus einer Gruppe ausgewählt, die Wasserstoff, Methyl-, Ethyl-, Propyl, i-Propyl-, NH₂CH₂-, NH₂-, Fluor-, Chlor-, Brom- und Iodreste umfasst. Bevorzugt sind R¹ bis R¹⁶ aus einer Gruppe ausgewählt, die Wasserstoff, Methyl-, NH₂CH₂-, NH₂-, Fluor-, Chlor- und Bromreste umfasst. In one embodiment, R ¹ to R ^{16 are the} same or different and are selected from the group consisting of hydrogen, methyl, ethyl, propyl, i-propyl, NH ₂ CH ₂ -, NH ₂ -, fluoro , Chlorine, bromine and iodine radicals. Preferably, R ¹ to R ^{16 are} selected from a group comprising hydrogen, methyl, NH ₂ CH ₂ -, NH ₂ -, fluorine, chlorine and bromine radicals.

In einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements stehen jeweils R¹, R², R⁷, R⁸, R⁹, R¹⁰, R¹⁵ und R¹⁶ für H. In a further embodiment of the optoelectronic component, R ¹ , R ² , R ⁷ , R ⁸ , R ⁹ , R ¹⁰ , R ¹⁵ and R ¹⁶ are each H.

In einer weiteren Ausführungsform hat n einen Wert von 100 bis 100000.In a further embodiment, n has a value of 100 to 100,000.

In einer Ausführungsform sind jeweils ein oder zwei Reste R³ bis R⁶ einerseits und R¹¹ bis R¹⁴ andererseits Methyl-, NH₂CH₂-, NH₂-, Fluor-, Chlor- oder Bromreste. Für den Fall, dass an einem Aromaten zwei dieser Reste vorhanden sind, so handelt es sich vorzugsweise um die gleichen Reste. In one embodiment, in each case one or two radicals R ³ to R ⁶ on the one hand and R ¹¹ to R ¹⁴ on the other hand methyl, NH ₂ CH ₂ -, NH ₂ -, fluorine, chlorine or bromine radicals. In the event that two of these radicals are present on an aromatic, they are preferably the same radicals.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst die Passivierungsschicht und/oder die Matrix ein Polymer folgender Formel:

According to one embodiment, the passivation layer and / or the matrix comprises a polymer of the following formula:

Mit einer Passivierungsschicht und/oder Konversionsschicht, welche ein solches Polymer umfasst, können besonders gleichförmige Schichten ausgebildet werden. Eine Passivierungsschicht und/oder eine Matrix, die ein solches Polymer umfasst, weist eine besonders gute Haftung zu Elementen und/oder Schichten umfassend Silikon auf.With a passivation layer and / or conversion layer comprising such a polymer, particularly uniform layers can be formed. A passivation layer and / or a matrix comprising such a polymer has a particularly good adhesion to elements and / or layers comprising silicone.

In einer weiteren Ausführungsform umfasst die Passivierungsschicht und/oder die Matrix ein Polymer folgender Formel:

In a further embodiment, the passivation layer and / or the matrix comprises a polymer of the following formula:

Eine Passivierungsschicht und/oder die Matrix, welche das oben stehende Polymer umfasst, weist eine sehr gute Barrierewirkung gegenüber Feuchtigkeit und Gasen auf. Eine solche Passivierungsschicht und/oder Matrix haftet sehr schnell an der Oberfläche an, auf die sie aufgetragen wird.A passivation layer and / or the matrix comprising the above polymer has a very good barrier to moisture and gases. Such a passivation layer and / or matrix adheres very quickly to the surface to which it is applied.

In einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst die Passivierungsschicht und/oder Matrix ein Polymer folgender Formel:

In a further embodiment of the optoelectronic component, the passivation layer and / or matrix comprises a polymer of the following formula:

Eine Passivierungsschicht oder eine Matrix, welches ein Polymer umfasst, dessen Aromat zwei Chloratome hat, weist gegenüber den Passivierungsschichten oder Matrices deren Polymere Aromaten umfassen, die nur ein oder kein Chloratom haben, eine höhere thermische Stabilität auf.A passivation layer or a matrix which comprises a polymer whose aromatic atom has two chlorine atoms has, compared with the passivation layers or matrices whose polymers comprise aromatics which have only one or no chlorine atom, a higher thermal stability.

Eine Passivierungsschicht und/oder die Matrix, welche das oben stehende Polymer umfasst, weist eine extrem hohe Barrierewirkung gegenüber Feuchtigkeit, Säuren, Laugen, Wasser und Gasen auf. Eine Passivierungsschicht und/oder Matrix, welche ein solches Polymer umfasst, haftet besonders schnell und fest an der Oberfläche an, auf die sie aufgetragen wird, und weist zudem eine hohe Temperaturbeständigkeit auf. Zudem weist eine Passivierungsschicht und/oder die Matrix, welche das oben stehende Polymer umfasst eine hohe Beständigkeit gegenüber elektromagnetischer Strahlung vom UV Bereich bis zum infraroten Bereich des elektromagnetischen Spektrum auf, der die Passivierungsschicht und/oder die Matrix in dem optoelektronischen Bauelement ausgesetzt ist. Das bedeutet, dass die Passivierungsschicht und/oder die Matrix bei der Strahlungs- und auch bei Wärmebelastungen weder vergilbt, noch eintrübt, noch permeabel für Umwelteinflüsse wird. Die Lebensdauer des optoelektronischen Bauelements ist somit nicht durch das Passivierungsschicht und/oder die Matrix limitiert. Mit diesem Polymer können besonders gut kleine Räume, Spalten und Kanten ausgefüllt werden.A passivation layer and / or the matrix comprising the above polymer has an extremely high barrier to moisture, acids, alkalis, water and gases. A passivation layer and / or matrix comprising such a polymer adheres very fast and firmly to the surface to which it is applied, and also has a high temperature resistance. In addition, a passivation layer and / or the matrix comprising the above polymer has a high resistance to electromagnetic radiation from the UV region to the infrared region of the electromagnetic spectrum, which is exposed to the passivation layer and / or the matrix in the optoelectronic component. This means that the passivation layer and / or the matrix neither yellows nor becomes cloudy nor becomes permeable to environmental influences in the case of radiation and heat loads. The lifetime of the optoelectronic component is therefore not limited by the passivation layer and / or the matrix. With this polymer particularly small spaces, gaps and edges can be filled.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Passivierungsschicht mit der von der Schichtenfolge abgewandten Hauptoberfläche des Konversionselements, mit der der Schichtenfolge zugewandten Hauptoberfläche des Konversionselements und mit den Kanten und den Seitenflächen des Konversionselements einen direkten Kontakt auf. According to one embodiment, the passivation layer has direct contact with the main surface of the conversion element facing away from the layer sequence, with the main surface of the conversion element facing the layer sequence and with the edges and the side surfaces of the conversion element.

In einer Ausführungsform ist die Passivierungsschicht zwischen dem Konversionselement und der Schichtenfolge angeordnet ist.In one embodiment, the passivation layer is arranged between the conversion element and the layer sequence.

Dass eine Schicht oder ein Element „zwischen“ zwei anderen Schichten oder Elementen angeordnet ist, kann hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar in direktem mechanischen und/oder elektrischen Kontakt oder in mittelbarem Kontakt zu einen der zwei anderen Schichten oder Elementen und in direktem mechanischen und/oder elektrischen Kontakt oder elektrischen oder in mittelbarem Kontakt zu anderen der zwei anderen Schichten oder Elementen angeordnet ist. Dabei können bei mittelbarem Kontakt dann weitere Schichten und/oder Elemente zwischen der einen und zumindest einer der zwei anderen Schichten beziehungsweise zwischen dem einen und zumindest einem der zwei anderen Elemente angeordnet sein.The fact that a layer or element is disposed "between" two other layers or elements may, here and in the following, mean that the one layer or element is directly in direct mechanical and / or electrical contact or in indirect contact with one of the other two Layers or elements and in direct mechanical and / or electrical contact or in electrical or in indirect contact with other of the other two layers or elements is arranged. In the case of indirect contact, further layers and / or elements can then be arranged between the one and at least one of the two other layers or between the one and at least one of the two other elements.

In einer Ausführungsform ist die Passivierungsschicht zumindest teilweise in dem Strahlengang der elektromagnetischen Primär- und Sekundärstrahlung angeordnet. In one embodiment, the passivation layer is arranged at least partially in the beam path of the electromagnetic primary and secondary radiation.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Passivierungsschicht und/oder die Konversionsschicht Schichtdicken im Bereich von 0,1 µm bis 50 µm, bevorzugt von 1 µm bis 30 µm, besonders bevorzugt von 10 µm bis 25 µm auf. Solche dünnen Schichtdicken der Passivierungsschicht zeigen bereits eine hervorragende Barrierewirkung und tragen zudem in der Regel zu einer hohen optischen Transmission der Passivierungsschicht bei. According to one embodiment, the passivation layer and / or the conversion layer has layer thicknesses in the range from 0.1 μm to 50 μm, preferably from 1 μm to 30 μm, particularly preferably from 10 μm to 25 μm. Such thin layer thicknesses of the passivation layer already show an outstanding barrier effect and, moreover, generally contribute to a high optical transmission of the passivation layer.

Gemäß einer Ausführungsform ist die Schichtdicke der Passivierungsschicht und/oder der Konversionsschicht in dem optoelektronischen Bauelement gleichmäßig. Gleichmäßig bedeutet, dass die Dicke der Schicht im Bereich der Herstellungstoleranz über einen bestimmten Bereich gleich ist. Zumindest im Bereich der Passivierungsschicht oder der Konversionsschicht, der sich im Strahlengang der elektromagnetischen Primär- und Sekundärstrahlung befindet, ist diese gleichmäßig ausgebildet. So kann eine gleichmäßige Lichtauskopplung gewährleistet werden.According to one embodiment, the layer thickness of the passivation layer and / or the conversion layer in the optoelectronic component is uniform. Uniform means that the thickness of the layer in the region of the manufacturing tolerance over a certain range is the same. At least in the region of the passivation layer or the conversion layer, which is located in the beam path of the electromagnetic primary and secondary radiation, this is uniform. So a uniform light extraction can be guaranteed.

Möglich ist auch, dass die Passivierungsschicht und/oder Konversionsschicht in Teilbereichen unterschiedliche Schichtdicken aufweist. Besonders in Bereichen der Passivierungsschicht und/oder der Konversionsschicht, die sich nicht im Strahlengang der elektromagnetischen Primär- und Sekundärstrahlung befinden, ist dies möglich. So können beispielsweise bestimmte Teilbereiche des optoelektronischen Bauelements, die beispielsweise eine extreme Empfindlichkeit gegenüber Feuchtigkeit aufweisen mit einer dickeren Passivierungsschicht und/oder Konversionsschicht bedeckt werden um so besonders gut gegen äußere Einflüsse geschützt zu werden.It is also possible that the passivation layer and / or conversion layer has different layer thicknesses in partial areas. This is possible especially in areas of the passivation layer and / or the conversion layer, which are not in the beam path of the electromagnetic primary and secondary radiation. Thus, for example, certain subareas of the optoelectronic component, which for example have an extreme sensitivity to moisture, can be covered with a thicker passivation layer and / or conversion layer in order to be particularly well protected against external influences.

Es ist möglich, dass die Passivierungsschicht und/oder die Matrix aus dem Polymer besteht. It is possible that the passivation layer and / or the matrix consists of the polymer.

Gemäß einer Ausführungsform sind die Matrix, in der die Konverterpartikel eingebettet sind oder die Matrix, in der die Konverterpartikel eingebettet sind und die Passivierungsschicht transparent für die elektromagnetische Primärstrahlung und für die elektromagnetische Sekundärstrahlung. According to one embodiment, the matrix in which the converter particles are embedded or the matrix in which the converter particles are embedded and the passivation layer are transparent to the primary electromagnetic radiation and to the secondary electromagnetic radiation.

Unter ”transparent” wird vorliegend verstanden, dass der jeweilige Gegenstand für das gesamte sichtbare elektromagnetische Spektrum, für elektromagnetische Strahlung im UV-Bereich und im Infrarotbereich oder einem Teilspektrum davon nahezu vollständig durchlässig ist. The term "transparent" as used herein means that the respective article is almost completely permeable to the entire visible electromagnetic spectrum, to electromagnetic radiation in the UV range and in the infrared range or to a partial spectrum thereof.

Gemäß einer Ausführungsform weist Passivierungsschicht und/oder die Matrix, in der die Konverterpartikel eingebettet sind eine Transparenz von über 95% auf, besonders bevorzugt liegt die Transparenz bei über 98% für die elektromagnetische Primärstrahlung und/oder die elektromagnetische Sekundärstrahlung. According to one embodiment, the passivation layer and / or the matrix in which the converter particles are embedded have a transparency of more than 95%, particularly preferably the transparency is more than 98% for the electromagnetic primary radiation and / or the electromagnetic secondary radiation.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement einen Träger. Das Material des Trägers kann aus einer Gruppe ausgewählt, die AlN-Keramiken, Si₃N₄-Keramiken, Al, Cu, FR4-Platinen, flexible Folien oder Kombinationen daraus umfasst. According to one embodiment, the optoelectronic component comprises a carrier. The material of the support may be selected from a group comprising AlN ceramics, Si ₃ N ₄ ceramics, Al, Cu, FR4 sinkers, flexible foils or combinations thereof.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Schichtenfolge eine dem Konversionselement zugewandte Hauptoberfläche, eine von dem Konversionselement abgewandte Hauptoberfläche, Kanten und Seitenflächen auf. According to one embodiment, the layer sequence has a main surface facing the conversion element, a main surface facing away from the conversion element, edges and side surfaces.

In einer Ausführungsform bedeckt das Konversionselement die dem Konversionselement zugewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge teilweise oder vollständig. In one embodiment, the conversion element partially or completely covers the main surface of the layer sequence facing the conversion element.

Die Schichtenfolge kann mit der von dem Konversionselement abgewandten Hauptoberfläche über dem Träger angeordnet sein. The layer sequence can be arranged with the main surface facing away from the conversion element main surface above the carrier.

Gemäß einer Ausführungsform bedeckt die Passivierungsschicht die Kanten und Seitenflächen der Schichtenfolge und die dem Konversionselement zugewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge. Unter den Kanten der Schichtenfolge werden insbesondere die Kanten der Schichtenfolge verstanden, die die dem Konversionselement zugewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge begrenzen. Bevorzugt sind die Kanten und/oder Seitenflächen und/oder die dem Konversionselement zugewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge vollständig von der Passivierungsschicht bedeckt. Es ist somit möglich nicht nur die Konverterpartikel in dem Konversionselement vor Umwelteinflüssen zu schützen sondern auch die Schichten, insbesondere die aktive Schicht der Schichtenfolge. Dies ist besonders wichtig, da die Emission der Primärstrahlung durch ein Eindringen von beispielsweise Wasser und Schadgasen wie, H₂S und SO₂ stark beeinträchtigt oder gar vollständig ausfallen könnte.According to one embodiment, the passivation layer covers the edges and side surfaces of the layer sequence and the main surface of the layer sequence facing the conversion element. The edges of the layer sequence are understood in particular to be the edges of the layer sequence which delimit the main surface of the layer sequence facing the conversion element. The edges and / or side surfaces and / or the main surface of the layer sequence facing the conversion element are preferably completely covered by the passivation layer. It is thus possible to protect not only the converter particles in the conversion element from environmental influences but also the layers, in particular the active layer of the layer sequence. This is particularly important since the emission of primary radiation could be severely impaired or even completely eliminated by the penetration of, for example, water and harmful gases such as H ₂ S and SO ₂ .

Gemäß einer Ausführungsform bedeckt die Konversionsschicht die Kanten und Seitenflächen der Schichtenfolge und die von dem Träger abgewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge. Unter den Kanten der Schichtenfolge werden insbesondere die Kanten der Schichtenfolge verstanden, die die von dem Träger abgewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge begrenzen. Bevorzugt sind die Kanten und/oder Seitenflächen und/oder die von dem Träger abgewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge vollständig von der Konversionsschicht bedeckt. Es ist somit möglich gleichzeitig die Konverterpartikel in der Konversionsschicht und die Schichten, insbesondere die aktive Schicht der Schichtenfolge vor Umwelteinflüssen zu schützen. According to one embodiment, the conversion layer covers the edges and side surfaces of the layer sequence and the main surface of the layer sequence facing away from the carrier. The edges of the layer sequence are understood in particular to be the edges of the layer sequence which delimit the main surface of the layer sequence facing away from the carrier. The edges and / or side surfaces and / or the main surface of the layer sequence facing away from the carrier are preferably completely covered by the conversion layer. It is thus possible at the same time to protect the converter particles in the conversion layer and the layers, in particular the active layer of the layer sequence from environmental influences.

In einer bevorzugten Ausführungsform besteht zwischen den Kanten und/oder Seitenflächen der Schichtenfolge und/oder der dem Konversionselement zugewandten Hauptoberfläche der Schichtenfolge und der Passivierungsschicht ein direkter Kontakt.In a preferred embodiment, there is direct contact between the edges and / or side surfaces of the layer sequence and / or the main surface of the layer sequence and the passivation layer facing the conversion element.

In einer Ausführungsform besteht zwischen den Kanten und/oder Seitenflächen der Schichtenfolge und/oder der von dem Träger abgewandten Hauptoberfläche der Schichtenfolge und der Konversionsschicht ein direkter Kontakt.In one embodiment, there is direct contact between the edges and / or side surfaces of the layer sequence and / or the main surface of the layer sequence and the conversion layer facing away from the carrier.

Die Passivierungsschicht kann die dem Konversionselement zugewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge teilweise bedecken und sie können in einem direkten Kontakt zueinander stehen. Bedeckt die Passivierungsschicht die dem Konversionselement zugewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge nur teilweise und weisen die dem Konversionselement zugewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge und die Passivierungsschicht einen direkten Kontakt zueinender auf, ist es möglich weitere Elemente über der Schichtenfolge in den Bereichen, die nicht von der Passivierungsschicht bedeckt sind, anzuordnen, die einen direkten Kontakt zu der Schichtenfolge aufweisen.The passivation layer may partially cover the main surface of the layer sequence facing the conversion element and they may be in direct contact with each other. If the passivation layer only partially covers the main surface of the layer sequence facing the conversion element and if the main surface of the layer sequence facing the conversion element and the passivation layer are in direct contact with each other, it is possible to form further elements over the layer sequence in the regions which are not covered by the passivation layer, to arrange, which have a direct contact with the layer sequence.

Die Konversionsschicht kann die von dem Träger abgewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge teilweise bedecken und sie können in einem direkten Kontakt zueinander stehen. Bedeckt die Konversionsschicht die von dem Träger abgewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge nur teilweise und weisen die dem Träger abgewandte Hauptoberfläche der Schichtenfolge und die Konversionsschicht einen direkten Kontakt zueinander auf, ist es möglich weitere Elemente über der Schichtenfolge in den Bereichen, die nicht von der Konversionsschicht bedeckt sind, anzuordnen, die einen direkten Kontakt zu der Schichtenfolge aufweisen.The conversion layer may partially cover the main surface of the layer sequence facing away from the carrier and they may be in direct contact with each other. If the conversion layer only partially covers the main surface of the layer sequence facing away from the carrier and if the main surface of the layer sequence facing away from the carrier and the conversion layer are in direct contact with each other, it is possible to have further elements above the layer sequence in the regions which are not covered by the conversion layer to arrange, which have a direct contact with the layer sequence.

Gemäß einer Ausführungsform ist über der Schichtenfolge ein erstes Bondpad angeordnet. Die Schichtenfolge und das erste Bondpad können einen direkten Kontakt zueinander aufweisen. Die Schichtenfolge und das erste Bondpad können in elektrischem Kontakt zueinander stehen. Das erste Bondpad dient der elektrischen Kontaktierung der Schichtenfolge. Beispielsweise kann es sich bei der Schicht der Schichtenfolge, die in direktem elektrischem Kontakt zu dem Bondpad steht um eine n-dotierte Halbleiterschicht handeln. Das erste Bondpad dient dann zur n-Kontakierung der Schichtenfolge.According to one embodiment, a first bonding pad is arranged above the layer sequence. The layer sequence and the first bonding pad can have a direct contact with one another. The layer sequence and the first bonding pad can be in electrical contact with one another. The first bonding pad is used for electrical contacting of the layer sequence. By way of example, the layer of the layer sequence which is in direct electrical contact with the bonding pad can be an n-doped semiconductor layer. The first bonding pad then serves to n-contact the layer sequence.

In einer Ausführungsform umfasst das erste Bondpad Materialien, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Au, Al, Tl, Pt oder Kombinationen daraus umfasst. In an embodiment, the first bonding pad comprises materials selected from a group comprising Au, Al, Tl, Pt, or combinations thereof.

Das erste Bondpad kann Kanten und Seitenflächen und eine von der Schichtenfolge abgewandte Hauptoberfläche aufweisen. Die Passivierungsschicht und/oder die Konversionsschicht kann die Kanten und/oder die Seitenflächen und/oder die von der Schichtenfolge abgewandte Hauptoberfläche des ersten Bondpads bedecken. Unter den Kanten des ersten Bondpads werden insbesondere die Kanten des ersten Bondpads verstanden, die die von der Schichtenfolge abgewandte Hauptoberfläche des ersten Bondpads begrenzen. Bevorzugt sind die Kanten und/oder Seitenflächen und/oder die von der Schichtenfolge abgewandten Hauptoberfläche des ersten Bondpads vollständig von der Passivierungsschicht und/oder der Konversionsschicht bedeckt. So kann das erste Bondpad vor Umwelteinflüssen wie Schadgasen geschützt werden, die eine Korrosion des Bondpads und somit den Ausfall des optoelektronischen Bauelements zur Folge hätte. The first bonding pad may have edges and side surfaces and a main surface facing away from the layer sequence. The passivation layer and / or the conversion layer may cover the edges and / or the side surfaces and / or the main surface of the first bond pad facing away from the layer sequence. In particular, the edges of the first bond pad are understood as meaning the edges of the first bond pad which delimit the main surface of the first bond pad facing away from the layer sequence. The edges and / or side surfaces and / or the main surface of the first bond pad facing away from the layer sequence are preferably completely covered by the passivation layer and / or the conversion layer. Thus, the first bonding pad can be protected from environmental influences such as noxious gases, which would result in corrosion of the bondpad and thus in the failure of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform besteht zwischen den Kanten und/oder Seitenflächen und/oder der von der Schichtenfolge abgewandten Hauptoberfläche des ersten Bondpads und der Passivierungsschicht oder der Konversionsschicht ein direkter Kontakt.In one embodiment, a direct contact exists between the edges and / or side surfaces and / or the main surface of the first bond pad and the passivation layer or the conversion layer facing away from the layer sequence.

Gemäß einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bedeckt die Passivierungsschicht und/oder die Konversionsschicht die von der Schichtenfolge abgewandte Hauptoberfläche des ersten Bondpads teilweise. According to one embodiment of the optoelectronic component, the passivation layer and / or the conversion layer partially covers the main surface of the first bond pad facing away from the layer sequence.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist ein zweites Bondpad über dem Träger angeordnet, wobei der Träger und das zweite Bondpad zumindest teilweise einen direkten Kontakt zueinander aufweisen können. Das zweite Bondpad kann aus den gleichen Materialien ausgewählt sein wie das erste Bondpad.According to a further embodiment, a second bonding pad is arranged above the carrier, wherein the carrier and the second bonding pad can at least partially have a direct contact with one another. The second bonding pad may be selected from the same materials as the first bonding pad.

Das zweite Bondpad kann Kanten, Seitenflächen und eine von dem Träger abgewandte Hauptoberfläche aufweisen, wobei die Passivierungsschicht und/oder die Konversionsschicht die Kanten und/oder die Seitenflächen und/oder die von dem Träger abgewandte Hauptoberfläche des zweiten Bondpads bedecken kann. Unter den Kanten des zweiten Bondpads werden insbesondere die Kanten des zweiten Bondpads verstanden, die die von dem Träger abgewandte Hauptoberfläche des zweiten Bondpads begrenzen. Bevorzugt sind die Kanten und/oder Seitenflächen und/oder die von der Schichtenfolge abgewandte Hauptoberfläche des zweiten Bondpads vollständig von der Passivierungsschicht und/oder der Konversionsschicht bedeckt.The second bonding pad may have edges, side surfaces and a main surface facing away from the carrier, wherein the passivation layer and / or the conversion layer may cover the edges and / or the side surfaces and / or the main surface of the second bond pad facing away from the carrier. In particular, the edges of the second bond pad are understood as meaning the edges of the second bond pad which delimit the main surface of the second bond pad facing away from the carrier. Preferably, the edges and / or side surfaces and / or the main surface of the second bond pad remote from the layer sequence are completely covered by the passivation layer and / or the conversion layer.

In einer Ausführungsform besteht zwischen den Kanten und/oder Seitenflächen und/oder der von der Schichtenfolge abgewandten Hauptoberfläche des zweiten Bondpads und der Passivierungsschicht oder der Konversionsschicht ein direkter Kontakt.In one embodiment, a direct contact exists between the edges and / or side surfaces and / or the main surface of the second bond pad facing away from the layer sequence and the passivation layer or the conversion layer.

In einer Ausführungsform sind das erste und das zweite Bondpad mit einem Bonddraht elektrisch miteinander verbunden. Es ist möglich, dass auch der Bondraht von der Passivierungsschicht und/oder der Konversionsschicht umhüllt ist.In one embodiment, the first and second bond pads are electrically connected to each other with a bonding wire. It is possible that the bonding wire is also enveloped by the passivation layer and / or the conversion layer.

Gemäß einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bedeckt die Passivierungsschicht und/oder die Konversionsschicht den Träger vollständig. In den Bereichen des Trägers, über denen nicht ein weiteres Element oder eine weitere Schicht, wie beispielsweise das zweite Bondpad, in direktem Kontakt mit dem Träger steht, besteht bevorzugt ein direkter Kontakt zwischen dem Träger und der Passivierungsschicht oder der Konversionsschicht. According to one embodiment of the optoelectronic component, the passivation layer and / or the conversion layer completely covers the carrier. In the regions of the support over which no further element or another layer, such as, for example, the second bonding pad, is in direct contact with the support, there is preferably direct contact between the support and the passivation layer or the conversion layer.

Gemäß einer Ausführungsform ist über dem Konversionselement ein Verguss angeordnet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst der Verguss Materialien, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Silikon, Polymethylmethacrylat, Polycarbonat, anorganischorganische Hybridmaterialien aus Silikonen, Epoxide und Kombinationen daraus umfasst. According to one embodiment, a casting is arranged above the conversion element. In another embodiment, the potting comprises materials selected from the group consisting of silicone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, hybrid inorganic-inorganic materials of silicones, epoxies, and combinations thereof.

In den anorganisch-organischen Hybridmaterialien aus Silikonen können hochbrechende Nanopartikel vorhanden sein. Die Nanopartikel können über chemische Bindungen mit dem anorganisch-organischen Hybridmaterialien verbunden sein.In the inorganic-organic hybrid materials of silicones, high-index nanoparticles can be present. The nanoparticles can be linked by chemical bonds to the inorganic-organic hybrid materials.

Möglich ist auch die Verwendung anderer Thermoplaste als Polymethylmethacrylat und Polycarbonat.It is also possible to use thermoplastics other than polymethylmethacrylate and polycarbonate.

Möglich ist auch die Verwendung anderer Duroplaste als Epoxide.It is also possible to use thermosets other than epoxies.

Gemäß einer Ausführungsform weist der Verguss einen Brechungsindex n_D bei 23°C auf, der zwischen dem Brechungsindex n_D bei 23°C der Umgebungsluft und dem Brechungsindex n_D bei 23°C der Passivierungsschicht und/oder der Matrix des Konversionselements liegt. Der Brechungsindex des Vergusses kann zwischen n_D bei 23°C = 1,0 und n_D bei 23°C = 1,6, bevorzugt zwischen n_D bei 23°C = 1,2 und n_D bei 23°C = 1,45, besonders bevorzugt zwischen n_D bei 23°C = 1,3 und n_D bei 23°C = 1,45 liegen. According to one embodiment, the potting has a refractive index n _D at 23 ° C., which lies between the refractive index n _D at 23 ° C. of the ambient air and the refractive index n _D at 23 ° C. of the passivation layer and / or the matrix of the conversion element. The refractive index of the encapsulation can be between n _D at 23 ° C = 1.0 and n _D at 23 ° C = 1.6, preferably between n _D at 23 ° C = 1.2 and n _D at 23 ° C = 1, 45, more preferably between n _D at 23 ° C = 1.3 and n _D at 23 ° C = 1.45.

Durch die Passivierungsschicht und/oder die Matrix umfassend ein Polymer der oben gezeigten Struktur und einem Verguss umfassend Silikon wird ein sequenzieller Brechungsindexübergang von der Schichtenfolge, der Passivierungsschicht und/oder des Konversionselements umfassend die Matrix zur Umgebungsluft erreicht. Dadurch kann die Effizienz des Bauelements erheblich gesteigert werden. Beispielsweise hat die an die Passivierungsschicht und/oder das Konversionselement angrenzende Schicht der Schichtenfolge einen Brechungsindex n_D (23°C) = 2,5 (InGaN), die Passivierungsschicht und/oder die Matrix des Konversionselements einen Brechungsindex n_D (23°C) = 1,65, der Verguss umfassend Silikon einen Brechungsindex n_D (23°C) = 1,41 und die Umgebungsluft einen Brechungsindex n_D (23°C) = 1,0.Through the passivation layer and / or the matrix comprising a polymer of the structure shown above and a potting comprising silicone, a sequential refractive index transition from the layer sequence, the passivation layer and / or the conversion element comprising the matrix to the ambient air is achieved. As a result, the efficiency of the device can be significantly increased. For example, the layer sequence adjoining the passivation layer and / or the conversion element has a refractive index n _D (23 ° C.) = 2.5 (InGaN), the passivation layer and / or the conversion element matrix has a refractive index n _D (23 ° C.) = 1.65, the potting comprising silicone has a refractive index n _D (23 ° C) = 1.41 and the ambient air has a refractive index n _D (23 ° C) = 1.0.

Das optoelektronische Bauelement kann eine Lumineszenzdiode, ein Fotodioden-Transistoren-Array/Modul und ein optischer Koppler sein.The opto-electronic device may be a light-emitting diode, a photodiode transistor array / module and an optical coupler.

Die angegebenen Ausführungsformen des optoelektronischen Bauelements können gemäß nachfolgend genanntem Verfahren hergestellt werden.The specified embodiments of the optoelectronic component can be produced according to the following method.

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, umfassend die Verfahrensschritte

A) Bereitstellen eines Trägers,
B) Anordnen einer Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die elektromagnetische Primärstrahlung emittiert auf dem Träger,
F) Beschichten der Schichtenfolge mit einer Passivierungsschicht, die ein Polymer folgender Struktur umfasst:
wobei die Reste R¹ bis R¹⁶ gleich oder unterschiedlich gewählt sein können und aus einer Gruppe ausgewählt sind, die H, Alkylreste, Arylreste, Aminreste und Halogene umfasst und n einen Wert 1 < n ≤ 1000000 hat,
G) Anordnen eines Konversionselements im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung und über der Schichtenfolge, wobei das Konversionselement Konverterpartikel umfasst, die in dem Konversionselement verteilt sind und zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertieren und wobei das Konversionselement eine von der Schichtenfolge abgewandte Hauptoberfläche, Kanten und Seitenflächen aufweist,
H) Beschichten der von der Schichtenfolge abgewandten Hauptoberfläche, den Kanten und den Seitenflächen des Konversionselements mit einer Passivierungsschicht, die ein Polymer der in Verfahrensschritt F) gezeigten Struktur umfasst.

The invention relates to a method for producing an optoelectronic component, comprising the method steps

A) providing a carrier,
B) arranging a layer sequence with an active layer which emits electromagnetic primary radiation on the carrier,
F) coating the layer sequence with a passivation layer comprising a polymer of the following structure:
where the radicals R ¹ to R ¹⁶ may be chosen to be identical or different and are selected from the group consisting of H, alkyl radicals, aryl radicals, amine radicals and halogens and n has a value of 1 <n ≤ 1000000,
G) arranging a conversion element in the beam path of the electromagnetic primary radiation and over the layer sequence, the conversion element comprises converter particles which are distributed in the conversion element and at least partially convert the electromagnetic primary radiation into an electromagnetic secondary radiation and wherein the conversion element facing away from the layer sequence main surface, edges and has side surfaces,
H) coating the main surface facing away from the layer sequence, the edges and the side surfaces of the conversion element with a passivation layer which comprises a polymer of the structure shown in method step F).

Gemäß einer Ausführungsform finden zwischen Verfahrensschritt B) und Verfahrensschritt F) folgende Verfahrensschritte statt:

C) Anordnen eines zweiten Bondpads auf dem Träger,
D) Anordnen eines ersten Bondpads auf der Schichtenfolge,
E) Kontaktieren des ersten und des zweiten Bondpads mit einem Bonddraht. Anstelle von Verfahrensschritt F) findet Verfahrensschritt
F’) Beschichten des Trägers, der Schichtenfolge, des ersten Bondpads, des zweiten Bondpads und des Bonddrahts mit einer Passivierungsschicht, die ein Polymer folgender Struktur umfasst:
wobei die Reste R¹ bis R¹⁶ gleich oder unterschiedlich gewählt sein können und aus einer Gruppe ausgewählt sind, die H, Alkylreste, Arylreste, Aminreste und Halogene umfasst und n einen Wert 1 < n ≤ 1000000 hat, statt. Bevorzugt gilt 1 < n ≤ 100000, besonders bevorzugt gilt 1 < n ≤ 10000.

According to one embodiment, the following method steps take place between method step B) and method step F):

C) placing a second bond pad on the carrier,
D) arranging a first bond pad on the layer sequence,
E) contacting the first and second bond pads with a bonding wire. Instead of process step F) finds process step
F ') coating the carrier, the layer sequence, the first bond pad, the second bond pad and the bonding wire with a passivation layer comprising a polymer of the following structure:
where R ¹ to R ^{16 may be the} same or different and selected from a group comprising H, alkyl, aryl, amine and halogen, and n is 1 <n ≤ 1000000 instead. Preferably, 1 <n ≦ 100,000, more preferably 1 <n ≦ 10000.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Polymer in den Verfahrensschritten F), F’) und H) aus der Gasphase im Vakuum abgeschieden.According to one embodiment of the method, the polymer is deposited in the process steps F), F ') and H) from the gas phase in a vacuum.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Polymer in den Verfahrensschritten F), F’) und H) bei Raumtemperatur, also bei 20 bis 25°C abgeschieden.According to one embodiment of the method, the polymer in the process steps F), F ') and H) at room temperature, ie at 20 to 25 ° C deposited.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Konversionselement im Verfahrensschritt G) eine Matrix, die ein Polymer der im Verfahrensschritt F) gezeigten Struktur umfasst. According to one embodiment of the method, the conversion element in method step G) comprises a matrix which comprises a polymer of the structure shown in method step F).

In einer Ausführungsform wird das Konversionselement in Verfahrensschritt G) als Konversionsschicht gebildet. In one embodiment, the conversion element is formed in step G) as a conversion layer.

Gemäß einer Ausführungsform wird in Verfahrensschritt G) die Konversionsschicht über der Passivierungsschicht angeordnet, so dass die Konversionsschicht die Passivierungsschicht vollständig oder teilweise bedeckt.According to one embodiment, in method step G), the conversion layer is arranged above the passivation layer so that the conversion layer completely or partially covers the passivation layer.

Es ist auch möglich, dass die Verfahrensschritte F) und H) oder F’) und H) nicht stattfinden. In Verfahrensschritt G) umfasst das Konversionselement oder die Konversionsschicht dann eine Matrix umfassend ein Polymer folgender Struktur

wobei die Reste R¹ bis R¹⁶ gleich oder unterschiedlich gewählt sein können und aus einer Gruppe ausgewählt sind, die H, Alkylreste, Arylreste, Aminreste und Halogene umfasst und n einen Wert 1 < n ≤ 1000000 hat. Bevorzugt gilt 1 < n ≤ 100000, besonders bevorzugt gilt 1 < n ≤ 10000.It is also possible that the method steps F) and H) or F ') and H) do not take place. In method step G), the conversion element or the conversion layer then comprises a matrix comprising a polymer of the following structure

where the radicals R ¹ to R ¹⁶ may be chosen to be identical or different and are selected from the group comprising H, alkyl radicals, aryl radicals, amine radicals and halogens and n has a value of 1 <n ≤ 1000000. Preferably, 1 <n ≦ 100,000, more preferably 1 <n ≦ 10000.

In Verfahrensschritt G) kann das Konversionselement über folgende Verfahrensschritte hergestellt werden:

G2) Elektrophoretische Abscheidung der Konverterpartikel über der Schichtenfolge,
G3) Verkapselung der Konverterpartikel durch Abscheiden einer Matrix umfassend ein Polymer folgender Formel:
wobei die Reste R¹ bis R¹⁶ gleich oder unterschiedlich gewählt sein können und aus einer Gruppe ausgewählt sind, die H, Alkylreste, Arylreste, Aminreste und Halogene umfasst und n einen Wert 1 < n ≤ 1000000 hat. Bevorzugt gilt 1 < n ≤ 100000, besonders bevorzugt gilt 1 < n ≤ 10000. Die Matrix dient zum einen der Fixierung der Konverterpartikel und zum anderen der Verkapselung der Konverterpartikel um diese vor Umwelteinflüssen zu schützen. Aufgrund der hervorragenden Spaltgängigkeit einer Matrix umfassend dieses Polymer ist ein solches Verfahren umfassend die aufeinanderfolgenden Verfahrensschritte G2) und G3) möglich.

In method step G), the conversion element can be produced by the following method steps:

G2) electrophoretic deposition of the converter particles over the layer sequence,
G3) Encapsulation of the converter particles by depositing a matrix comprising a polymer of the following formula:
where the radicals R ¹ to R ¹⁶ may be chosen to be identical or different and are selected from the group comprising H, alkyl radicals, aryl radicals, amine radicals and halogens and n has a value of 1 <n ≤ 1000000. Preferably, 1 <n ≦ 100000, more preferably 1 <n ≦ 10000. The matrix serves on the one hand to fix the converter particles and, on the other hand, to encapsulate the converter particles in order to protect them from environmental influences. Due to the excellent fissuring ability of a matrix comprising this polymer, such a process comprising the successive process steps G2) and G3) is possible.

Vor Verfahrensschritt G2) kann ein Verfahrensschritt G1) stattfinden. G1) Abscheiden einer Matrix umfassend ein Polymer folgender Formel:

wobei die Reste R¹ bis R¹⁶ gleich oder unterschiedlich gewählt sein können und aus einer Gruppe ausgewählt sind, die H, Alkylreste, Arylreste, Aminreste und Halogene umfasst und n einen Wert 1 < n ≤ 1000000 hat. Bevorzugt gilt 1 < n ≤ 100000, besonders bevorzugt gilt 1 < n ≤ 10000. So kann die Schichtenfolge vor einer nasschemischen Entfernung von Aluminium, die Verfahrensschritt G2) umfassen kann, geschützt werden. Das Aluminium kann für die elektrophoretische Abscheidung in Verfahrensschritt G2) benötigt sein.Before method step G2), a method step G1) can take place. G1) depositing a matrix comprising a polymer of the following formula:

where the radicals R ¹ to R ¹⁶ may be chosen to be identical or different and are selected from the group comprising H, alkyl radicals, aryl radicals, amine radicals and halogens and n has a value of 1 <n ≤ 1000000. Preferably, 1 <n ≦ 100,000, more preferably 1 <n ≦ 10000. Thus, the layer sequence can be protected from wet-chemical removal of aluminum, which may comprise process step G2). The aluminum may be needed for the electrophoretic deposition in step G2).

Wird das Konversionselement als Konversionsschicht ausgebildet kann in Verfahrensschritt G2) die elektrophoretische Abscheidung der Konverterpartikel über dem Träger, der Schichtenfolge, dem ersten Bondpads, dem zweiten Bondpad und des Bonddrahts stattfinden.If the conversion element is designed as a conversion layer, the electrophoretic deposition of the converter particles over the carrier, the layer sequence, the first bond pad, the second bond pad and the bonding wire can take place in method step G2).

Umfasst das Verfahren den Verfahrensschritt F) oder F’) und den Verfahrensschritt G) umfassend den Verfahrensschritt G2), kann die Schichtenfolge vor einer nasschemischen Entfernung von Aluminium, die Verfahrensschritt G2) umfassen kann, geschützt werden.If the method comprises process step F) or F ') and process step G) comprising process step G2), the layer sequence can be protected from wet-chemical removal of aluminum, which may comprise process step G2).

Gemäß einer Ausführungsform findet nach Verfahrensschritt H) oder G3) ein Verfahrensschritt I) Anordnen eines Vergusses über dem Konversionselement statt. According to one embodiment, after method step H) or G3), a method step I) of placing a potting over the conversion element takes place.

Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden und in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen. Further advantageous embodiments and developments of the invention will become apparent from the embodiments described below and in conjunction with the figures.

1, 2 und 3 zeigen schematische Seitenansichten von zwei Ausführungsformen eines optoelektronischen Bauelements. 1 . 2 and 3 show schematic side views of two embodiments of an optoelectronic device.

4a zeigt die gleichmäßige Umformung von Kanten mit einer erfindungsgemäßen Passivierungsschicht 4a shows the uniform deformation of edges with a passivation layer according to the invention

4b zeigt die Umformung von Kanten mit einer herkömmlichen Passivierungsschicht 4b shows the transformation of edges with a conventional passivation layer

Die 1 zeigt eine schematische Seitenansicht einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements 1. Auf dem Träger 5 ist eine Kontaktschicht 9 angeordnet. Diese dient der elektrischen Kontaktierung der über der Kontaktschicht 9 angeordneten Schichtenfolge 2. Beispielsweise ist die an die Kontaktschicht 9 angrenzende Schicht der Schichtenfolge 2 eine p-dotierte Halbleiterschicht (hier nicht gezeigt). Zur weiteren Kontaktierung weist der Träger 5 eine Durchkontaktierung 10b auf, wobei die Durchkontaktierung 10b und die Kontaktschicht 9 einen direkten Kontakt zueinander aufweisen. Auf der zur Kontaktschicht 9 gegenüberliegenden Seite des Trägers 5 ist eine erste Elektrode 11b angeordnet, die in direktem Kontakt zu der Durchkontaktierung 10b steht. The 1 shows a schematic side view of an embodiment of the optoelectronic device 1 , On the carrier 5 is a contact layer 9 arranged. This serves for the electrical contacting of the over the contact layer 9 arranged layer sequence 2 , For example, the to the contact layer 9 adjacent layer of the layer sequence 2 a p-type semiconductor layer (not shown here). For further contacting, the carrier 5 a via 10b on, with the feedthrough 10b and the contact layer 9 have a direct contact with each other. On the to the contact layer 9 opposite side of the carrier 5 is a first electrode 11b arranged in direct contact with the feedthrough 10b stands.

Die Schichtenfolge 2 umfasst eine aktive Schicht (hier nicht gezeigt), die eine elektromagnetische Primärstrahlung emittiert. Weiter ist auf dem Träger 5 ein zweites Bondpad 7 angeordnet. Das zweite Bondpad 7 weist eine von dem Träger 5 abgewandte Hauptoberfläche 7d, Kanten 7b, die die von dem Träger 5 abgewandte Hauptoberfläche 7d begrenzen und Seitenflächen 7c auf. Zur weiteren Kontaktierung des zweiten Bondpads 7 weist der Träger 5 eine Durchkontaktierung 10a auf, wobei die Durchkontaktierung 10a und das zweite Bondpad 7 einen direkten Kontakt zueinander aufweisen. Auf der zum zweiten Bondpad 7 gegenüberliegenden Seite des Trägers 5 ist eine zweite Elektrode 11a angeordnet, die in direktem Kontakt zu der Durchkontaktierung 10a steht. Über der Schichtenfolge 2 ist ein Konversionselement 3 angeordnet. Das Konversionselement 3 ist im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung angeordnet und umfasst Konverterpartikel, die in dem Konversionselement 3 verteilt sind und zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertieren. Die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung können überlagert einen weißfarbigen Leuchteindruck beim Betrachter erwecken. Weiter ist über der Schichtenfolge 2 ein erstes Bondpad 6 angeordnet. Die Schichtenfolge 2 und das erste Bondpad 6 weisen einen direkten Kontakt zueinander auf. Das erste Bondpad 6 dient der elektrischen Kontaktierung der Schichtenfolge 2. Beispielsweise kann es sich bei der Schicht der Schichtenfolge 2, die in direktem Kontakt zu dem ersten Bondpad 6 steht um eine n-dotierte Halbleiterschicht (hier nicht gezeigt) handeln. Das erste Bondpad 6 dient dann zur n-Kontakierung der Schichtenfolge 2. Das erste Bondpad 6 weist eine zur Schichtenfolge 2 abgewandte Hauptoberfläche 6d, Kanten 6b, die die von der Schichtenfolge 2 abgewandte Hauptoberfläche 6d begrenzen und Seitenflächen 6c auf. Das erste Bondpad 6 ist mit dem zweiten Bondpad 7 über einen Bonddraht 8 verbunden. Es ist eine Passivierungsschicht 4 in dem Bauelement vorhanden. Die Passivierungsschicht 4 besteht aus einem Polymer folgender Struktur:

The layer sequence 2 includes an active layer (not shown) that emits electromagnetic primary radiation. Next is on the carrier 5 a second bondpad 7 arranged. The second bondpad 7 indicates one of the carrier 5 remote main surface 7d , Edge 7b that of the carrier 5 remote main surface 7d limit and side surfaces 7c on. For further contacting of the second bondpad 7 instructs the wearer 5 a via 10a on, with the feedthrough 10a and the second bondpad 7 have a direct contact with each other. On the second Bondpad 7 opposite side of the carrier 5 is a second electrode 11a arranged in direct contact with the feedthrough 10a stands. Over the layer sequence 2 is a conversion element 3 arranged. The conversion element 3 is arranged in the beam path of the electromagnetic primary radiation and comprises converter particles which are in the conversion element 3 are distributed and at least partially convert the electromagnetic primary radiation into an electromagnetic secondary radiation. The primary radiation and the secondary radiation can superimpose a white-colored luminous impression on the viewer. Next is over the layer sequence 2 a first bondpad 6 arranged. The layer sequence 2 and the first bondpad 6 have a direct contact with each other. The first bondpad 6 serves the electrical contacting of the layer sequence 2 , For example, it may be in the layer of the layer sequence 2 that are in direct contact with the first bondpad 6 is an n-doped semiconductor layer (not shown here) act. The first bondpad 6 then serves to n-contact the layer sequence 2 , The first bondpad 6 has one to the layer sequence 2 remote main surface 6d , Edge 6b that the of the layer sequence 2 remote main surface 6d limit and side surfaces 6c on. The first bondpad 6 is with the second bondpad 7 over a bonding wire 8th connected. It is a passivation layer 4 present in the component. The passivation layer 4 consists of a polymer of the following structure:

Die Passivierungsschicht 4 umgibt das Konversionselement 3 vollständig, d.h. die von der Schichtenfolge 2 abgewandte Hauptoberfläche 3d, die der Schichtenfolge 2 zugewandte Hauptoberfläche 3a, die Kanten 3b und die Seitenflächen 3c des Konversionselements 3 sind vollständig von der Passivierungsschicht 4 bedeckt. Die Passivierungsschicht 4 ist weiter über den Seitenflächen 2c und Kanten 2b der Schichtenfolge 2, die die Hauptoberfläche 2a der Schichtenfolge 2 begrenzen, den Seitenflächen 6c und der von der Schichtenfolge 2 abgewandten Hauptoberfläche 6d des ersten Bondpads und über den Seitenflächen 7c, Kanten 7b und der von dem Träger 5 abgewandten Hauptoberfläche 7d des zweiten Bondpads 7 und über dem Träger 5 angeordnet. Es ist möglich, dass auch der Bondraht 8 von der Passivierungsschicht 4 umhüllt ist (hier nicht gezeigt). Die Elemente und Schichten, die von der Passivierungsschicht 4 bedeckt sind, sind sehr gut gegen Umwelteinflüsse wie Feuchtigkeit, Säuren, Laugen, Wasser und Gasen geschützt.The passivation layer 4 surrounds the conversion element 3 completely, ie the of the layer sequence 2 remote main surface 3d , the layer sequence 2 facing main surface 3a , the edges 3b and the side surfaces 3c the conversion element 3 are completely off the passivation layer 4 covered. The passivation layer 4 is further over the side surfaces 2c and edges 2 B the sequence of layers 2 that the main surface 2a the sequence of layers 2 limit the side surfaces 6c and that of the layer sequence 2 remote main surface 6d of the first bond pad and over the side surfaces 7c , Edge 7b and that of the wearer 5 remote main surface 7d of the second bondpad 7 and over the carrier 5 arranged. It is possible that also the bonding wire 8th from the passivation layer 4 is wrapped (not here shown). The elements and layers covered by the passivation layer 4 are very well protected against environmental influences such as moisture, acids, alkalis, water and gases.

Das optoelektronische Bauelement 1 gemäß 2 zeigt einen, mit einem Gehäusematerial umspritzten Leiterrahmen 13. Das Gehäuse 15 weist in der Mitte eine Ausnehmung auf, in der die Schichtenfolge 2 angeordnet ist, die mit dem Leiterrahmen 13 elektrisch verbunden ist. Das Gehäuse umfasst beispielsweise Silikon. Weiter ist die Schichtenfolge 2 über einen Bonddraht 8 mit dem Leiterrahmen 13 verbunden. Die Schichtenfolge 2 umfasst eine aktive Schicht (hier nicht gezeigt), die eine elektromagnetische Primärstrahlung emittiert. Über der Schichtenfolge 2 ist ein Konversionselement 3 angeordnet, das Konverterpartikel umfasst, die in einer Matrix folgender Struktur eingebettet sind:

The optoelectronic component 1 according to 2 shows a, with a housing material overmolded lead frame 13 , The housing 15 has a recess in the middle, in which the layer sequence 2 is arranged with the lead frame 13 electrically connected. The housing includes, for example, silicone. Next is the layer sequence 2 over a bonding wire 8th with the ladder frame 13 connected. The layer sequence 2 includes an active layer (not shown) that emits electromagnetic primary radiation. Over the layer sequence 2 is a conversion element 3 comprising converter particles embedded in a matrix of the following structure:

Die Konverterpartikel konvertieren zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung. Die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung können überlagert einen weißfarbigen Leuchteindruck beim Betrachter erwecken. Die Ausnehmung ist mit einem Verguss 14 ausgefüllt. Der Verguss 14 umfasst Silikon und ist in dem Strahlengang der elektromagnetischen Primär- und Sekundärstrahlung angeordnet. Die Matrix des Konversionselements 3 zeigt eine sehr geringe Permeabilität gegenüber Feuchtigkeit, Säuren, Laugen, Wasser und Gasen, weshalb die Konverterpartikel hervorragend gegenüber diesen Umwelteinflüssen geschützt sind. Handelt es sich zum Beispiel um eine InGaN basierte Schichtenfolge 2 wird ein sequenzieller Brechungsindexübergang von der Schichtenfolge 2 (InGaN: Brechungsindex n_D (23°C) = 2,5), über das Konversionselement 3 (Matrix: Brechungsindex n_D (23°C) = 1,65), den Verguss(Silikon: Brechungsindex n_D (23°C) = 1,41) bis zur Umgebungsluft (Umgebungsluft: Brechungsindex n_D (23°C) = 1,0) erreicht, was zu einer erheblichen Effizienzsteigerung des Bauelements 1 führt. Bei dem optoelektronischen Bauelement 1 handelt es sich um eine LED.The converter particles at least partially convert the electromagnetic primary radiation into an electromagnetic secondary radiation. The primary radiation and the secondary radiation can superimpose a white-colored luminous impression on the viewer. The recess is covered with a potting 14 filled. The casting 14 comprises silicone and is arranged in the beam path of the electromagnetic primary and secondary radiation. The matrix of the conversion element 3 shows a very low permeability to moisture, acids, alkalis, water and gases, which is why the converter particles are well protected against these environmental influences. Is it, for example, an InGaN-based layer sequence 2 becomes a sequential refractive index transition from the layer sequence 2 (InGaN: refractive index n _D (23 ° C) = 2.5) via the conversion element 3 (Matrix: refractive index n _D (23 ° C) = 1.65), the encapsulation (silicone: refractive index n _D (23 ° C) = 1.41) to the ambient air (ambient air: refractive index n _D (23 ° C) = 1.0), resulting in a significant increase in the efficiency of the device 1 leads. In the optoelectronic component 1 it is an LED.

Die 3 zeigt eine schematische Seitenansicht einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements 1. Auf dem Träger 5 ist eine Kontaktschicht 9 angeordnet. Diese dient der elektrischen Kontaktierung der über der Kontaktschicht 9 angeordneten Schichtenfolge 2. Beispielsweise ist die an die Kontaktschicht 9 angrenzende Schicht der Schichtenfolge 2 eine p-dotierte Halbleiterschicht (hier nicht gezeigt). Zur weiteren Kontaktierung weist der Träger 5 eine Durchkontaktierung 10b auf, wobei die Durchkontaktierung 10b und die Kontaktschicht 9 einen elektrischen Kontakt zueinander aufweisen. Auf der zur Kontaktschicht 9 gegenüberliegenden Seite des Trägers 5 ist eine erste Elektrode 11b angeordnet, die in direktem Kontakt zu der Durchkontaktierung 10b steht. Die Schichtenfolge 2 umfasst eine aktive Schicht (hier nicht gezeigt), die eine elektromagnetische Primärstrahlung emittiert. Weiter ist auf dem Träger 5 ein zweites Bondpad 7 angeordnet. Das zweite Bondpad 7 weist eine von dem Träger 5 abgewandte Hauptoberfläche 7d, Kanten 7b, die die von dem Träger 5 abgewandte Hauptoberfläche 7d begrenzen und Seitenflächen 7c auf. Zur weiteren Kontaktierung des zweiten Bondpads 7 weist der Träger 5 eine Durchkontaktierung 10a auf, wobei die Durchkontaktierung 10a und das zweite Bondpad 7 einen direkten Kontakt zueinander aufweisen. Auf der zum zweiten Bondpad 7 gegenüberliegenden Seite des Trägers 5 ist eine zweite Elektrode 11a angeordnet, die in direktem Kontakt zu der Durchkontaktierung 10a steht. Weiter ist über der Schichtenfolge 2 ein erstes Bondpad 6 angeordnet. Die Schichtenfolge 2 und das erste Bondpad 6 weisen einen direkten Kontakt zueinander auf. Das erste Bondpad 6 dient der elektrischen Kontaktierung der Schichtenfolge 2. Beispielsweise kann es sich bei der Schicht der Schichtenfolge 2, die in direktem Kontakt zu dem ersten Bondpad 6 steht um eine n-dotierte Halbleiterschicht (hier nicht gezeigt) handeln. Das erste Bondpad 6 dient dann zur n-Kontakierung der Schichtenfolge 2. Das erste Bondpad 6 weist eine zur Schichtenfolge 2 abgewandte Hauptoberfläche 6d, Kanten 6b, die die von zur Schichtenfolge 2 abgewandte Hauptoberfläche 6d begrenzen und Seitenflächen 6c auf. Das erste Bondpad 6 ist mit dem zweiten Bondpad 7 über einen Bonddraht 8 verbunden. Es ist eine Konversionsschicht 3 in dem Bauelement vorhanden. Die Konversionsschicht 3 umfasst Konverterpartikel, die in der Konversionsschicht 3 verteilt sind und zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertieren. Die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung können überlagert einen weißfarbigen Leuchteindruck beim Betrachter erwecken. Die Konversionsschicht 3 umfasst eine Matrix, die ein Polymer folgender Struktur umfasst:

The 3 shows a schematic side view of an embodiment of the optoelectronic device 1 , On the carrier 5 is a contact layer 9 arranged. This serves for the electrical contacting of the over the contact layer 9 arranged layer sequence 2 , For example, the to the contact layer 9 adjacent layer of the layer sequence 2 a p-type semiconductor layer (not shown here). For further contacting, the carrier 5 a via 10b on, with the feedthrough 10b and the contact layer 9 have an electrical contact with each other. On the to the contact layer 9 opposite side of the carrier 5 is a first electrode 11b arranged in direct contact with the feedthrough 10b stands. The layer sequence 2 includes an active layer (not shown) that emits electromagnetic primary radiation. Next is on the carrier 5 a second bondpad 7 arranged. The second bondpad 7 indicates one of the carrier 5 remote main surface 7d , Edge 7b that of the carrier 5 remote main surface 7d limit and side surfaces 7c on. For further contacting of the second bondpad 7 instructs the wearer 5 a via 10a on, with the feedthrough 10a and the second bondpad 7 have a direct contact with each other. On the second Bondpad 7 opposite side of the carrier 5 is a second electrode 11a arranged in direct contact with the feedthrough 10a stands. Next is over the layer sequence 2 a first bondpad 6 arranged. The layer sequence 2 and the first bondpad 6 have a direct contact with each other. The first bondpad 6 serves the electrical contacting of the layer sequence 2 , For example, it may be in the layer of the layer sequence 2 that are in direct contact with the first bondpad 6 is an n-doped semiconductor layer (not shown here) act. The first bondpad 6 then serves to n-contact the layer sequence 2 , The first bondpad 6 has one to the layer sequence 2 remote main surface 6d , Edge 6b that the to layer sequence 2 remote main surface 6d limit and side surfaces 6c on. The first bondpad 6 is with the second bondpad 7 over a bonding wire 8th connected. It is a conversion layer 3 present in the component. The conversion layer 3 includes converter particles that are in the conversion layer 3 are distributed and at least partially convert the electromagnetic primary radiation into an electromagnetic secondary radiation. The primary radiation and the secondary radiation can superimpose a white-colored luminous impression on the viewer. The conversion layer 3 comprises a matrix comprising a polymer of the following structure:

Die Konversionsschicht 3 ist über der von dem Träger abgewandten Hauptoberfläche 2a der Schichtenfolge 2 den Seitenflächen 2c und Kanten 2b der Schichtenfolge 2, die die Hauptoberfläche 2a der Schichtenfolge 2 begrenzen, über den Kanten 6b, den Seitenflächen 6c und der von der Schichtenfolge 2 abgewandten Hauptoberfläche 6d des ersten Bondpads und über den Seitenflächen 7c, Kanten 7b und der von dem Träger 5 abgewandten Hauptoberfläche 7d des zweiten Bondpads 7 und über dem Träger 5 angeordnet. Es ist möglich, dass auch der Bondraht 8 von der Konversionsschicht 3 umhüllt ist (hier nicht gezeigt). Die Elemente und Schichten, die von der Konversionsschicht 3 bedeckt sind, sind sehr gut gegen Umwelteinflüsse wie Feuchtigkeit, Säuren, Laugen, Wasser und Gasen geschützt.The conversion layer 3 is above the main surface facing away from the carrier 2a the sequence of layers 2 the side surfaces 2c and edges 2 B the sequence of layers 2 that the main surface 2a the sequence of layers 2 limit, over the edges 6b , the side surfaces 6c and that of the layer sequence 2 remote main surface 6d of the first bond pad and over the side surfaces 7c , Edge 7b and that of the wearer 5 remote main surface 7d of the second bondpad 7 and over the carrier 5 arranged. It is possible that also the bonding wire 8th from the conversion layer 3 is wrapped (not shown here). The elements and layers used by the conversion layer 3 are very well protected against environmental influences such as moisture, acids, alkalis, water and gases.

4a zeigt, dass mit einer Passivierungsschicht umfassend ein Polymer folgender Struktur

gut kleine Räume, Spalten und Kanten ausgefüllt werden können. Kanten können mit einer Passivierungsschicht umfassend dieses Polymer gleichmäßig umformt werden. 4b zeigt dagegen eine herkömmliche Passivierungsschicht. Man erkennt, dass mit herkömmlichen Passivierungsschichten eine gleichmäßige Umformung der Kanten nicht möglich ist. 4a shows that with a passivation layer comprising a polymer having the following structure

good small spaces, columns and edges can be filled. Edges can be uniformly formed with a passivation layer comprising this polymer. 4b on the other hand shows a conventional passivation layer. It can be seen that with conventional passivation layers a uniform deformation of the edges is not possible.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal, die wie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description with reference to the embodiments. Rather, the invention encompasses any novel feature that, like any combination of features, includes in particular any combination of features in the claims, even if that feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or exemplary embodiments.

Claims

Optoelectronic component ( 1 ) comprising - a layer sequence ( 2 ) with an active layer that emits electromagnetic primary radiation, - a conversion element ( 3 ), in the beam path of the electromagnetic primary radiation and over the layer sequence ( 2 ) is arranged and the converter particle comprises, wherein the converter particles in the conversion element ( 3 ) are distributed and at least partially convert the electromagnetic primary radiation into an electromagnetic secondary radiation, wherein A passivation layer ( 4 ), which contains the conversion element ( 3 ) completely enveloped and / or the conversion element ( 3 ) comprises a matrix in which the converter particles are embedded, - wherein the passivation layer ( 4 ) and / or the matrix comprises a polymer of the following structure:

where the radicals R ¹ to R ¹⁶ may be chosen to be identical or different and are selected from the group comprising H, alkyl radicals, aryl radicals, amine radicals and halogens and n has a value of 1 <n ≤ 1000000.

Optoelectronic component ( 1 ) according to the preceding claim, wherein the passivation layer ( 4 ) and / or the matrix consists of the polymer.

Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the matrix or the matrix and the passivation layer ( 4 ) is transparent to the electromagnetic primary radiation and to the electromagnetic secondary radiation.

Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the passivation layer ( 4 ) between the conversion element ( 3 ) and the layer sequence ( 2 ) is arranged.

Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the layer sequence ( 2 ) a the conversion element ( 3 ) facing main surface ( 2a ) and the conversion element ( 3 ) that the conversion element ( 3 ) facing main surface ( 2a ) of the layer sequence ( 2 ) partially or completely covered.

Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the layer sequence ( 2 ) Edge ( 2 B ) and side surfaces ( 2c ) and a conversion element ( 3 ) facing main surface ( 2a ) and wherein the passivation layer ( 4 ) the edges ( 2 B ) and side surfaces ( 2c ) and that of the conversion element ( 3 ) facing main surface ( 2a ) of the layer sequence ( 2 ) covered.

Optoelectronic component ( 1 ) according to any one of the preceding claims, comprising a support ( 5 ), wherein the layer sequence ( 2 ) one to the conversion element ( 3 ) facing away from the main surface ( 2d ) and wherein the layer sequence ( 2 ) with the to the conversion element ( 3 ) facing away from the main surface ( 2d ) above the carrier ( 5 ) is arranged.

Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein above the layer sequence ( 2 ) a first bonding pad ( 6 ) is arranged and the layer sequence ( 2 ) and the first bondpad ( 6 ) are in electrical contact with each other, wherein the first bonding pad ( 6 ) Edge ( 6b ) and side surfaces ( 6c ) and one to the layer sequence ( 2 ) facing away from the main surface ( 6d ) and wherein the passivation layer ( 4 ) the edges ( 6b ) and side surfaces ( 6c ) and those of the layer sequence ( 2 ) facing away from the main surface ( 6d ) of the first bondpad ( 6 ) covered.

Optoelectronic component ( 1 ) according to the preceding claim, wherein the passivation layer ( 4 ) of the layer sequence ( 2 ) facing away from the main surface ( 6d ) of the first bondpad ( 6 partially covered.

Optoelectronic component ( 1 ) according to claim 7, wherein a second bonding pad ( 7 ) above the carrier ( 5 ) and the carrier ( 5 ) and the second bondpad ( 7 ) at least partially in direct contact with each other, wherein the second bonding pad ( 7 ) Edge ( 7b ) and side surfaces ( 7c ) and one to the carrier ( 5 ) facing away from the main surface ( 7d ) and wherein the passivation layer ( 4 ) the edges ( 7b ) and side surfaces ( 7c ) and that of the carrier ( 5 ) facing away from the main surface ( 7d ) of the second bondpad ( 7 ) covered.

Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the conversion element ( 3 ) consists of the converter particles and the matrix.

Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein above the conversion element ( 3 ) a casting ( 14 ) is arranged.

Optoelectronic component ( 1 ) according to the preceding claim, wherein the casting ( 14 ) Comprises materials selected from a group comprising silicone, ... and combinations thereof.

Method for producing an optoelectronic component ( 1 ) comprising the method steps A) providing a carrier ( 5 ), B) arranging a layer sequence ( 2 ) having an active layer which emits electromagnetic primary radiation on the support ( 5 ), F) coating the layer sequence ( 2 ) with a passivation layer ( 4 ) comprising a polymer of the following structure:

where the radicals R ¹ to R ¹⁶ may be chosen to be identical or different and are selected from the group consisting of H, alkyl radicals, aryl radicals, amine radicals and halogens and n has a value of 1 <n ≤ 1000000, G) arranging a conversion element ( 3 ) in the beam path of the electromagnetic primary radiation and over the layer sequence ( 2 ), wherein the conversion element ( 3 ) Converter particles, which in the conversion element ( 3 ) and at least partially convert the electromagnetic primary radiation into an electromagnetic secondary radiation and wherein the conversion element ( 3 ) one of the layer sequence ( 2 ) facing away from the main surface ( 3d ), Edge ( 3b ) and side surfaces ( 3c H) coating the main surface facing away from the layer sequence ( 3d ), the edges ( 3b ) and the side surfaces ( 3c ) of the conversion element ( 3 ) with a passivation layer ( 4 ) comprising a polymer of the structure shown in step F).

Method according to claim 14, wherein the conversion element ( 3 ) in process step G) comprises a matrix which comprises a polymer of the structure shown in process step F).