EP2502470B1 - Hf-kavität sowie beschleuniger mit einer derartigen hf-kavität - Google Patents

Hf-kavität sowie beschleuniger mit einer derartigen hf-kavität Download PDF

Info

Publication number
EP2502470B1
EP2502470B1 EP10784723.8A EP10784723A EP2502470B1 EP 2502470 B1 EP2502470 B1 EP 2502470B1 EP 10784723 A EP10784723 A EP 10784723A EP 2502470 B1 EP2502470 B1 EP 2502470B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
cavity
wall
conductive wall
conductive
currents
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Not-in-force
Application number
EP10784723.8A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP2502470A1 (de
Inventor
Arnd Baurichter
Oliver Heid
Timothy Hughes
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of EP2502470A1 publication Critical patent/EP2502470A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP2502470B1 publication Critical patent/EP2502470B1/de
Not-in-force legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
    • H05H7/14—Vacuum chambers
    • H05H7/18—Cavities; Resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
    • H05H7/02—Circuits or systems for supplying or feeding radio-frequency energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
    • H05H7/22—Details of linear accelerators, e.g. drift tubes

Definitions

  • the invention relates to an RF cavity in which RF power for generating an electromagnetic field in the interior of the RF cavity can be coupled. Furthermore, the invention relates to an accelerator with such an RF cavity. Such accelerators or RF cavities are usually used for accelerating charged particles.
  • RF cavities are known that can be excited to RF resonance by coupling RF power into the RF cavity.
  • the RF power in turn, is generated remotely from the RF cavity, for example, using a klystron, and transported to the RF cavity by means of a waveguide.
  • the US 5,497,050 discloses another structure for coupling RF power into an RF cavity. This is done via a plurality of solid-state power transistors, which are integrated in a conductive wall of the RF cavity.
  • the RF cavity comprises a chamber, a suffering wall surrounding the chamber, which has an inner side and an outer side, and a switching arrangement having a plurality of solid-state switches arranged along a circumference of the wall around the chamber, wherein the solid state switches are in communication with the conductive wall such that upon activation of the switching device, RF currents are induced in the conductive wall, thereby coupling RF power into the chamber of the RF cavity, along the outside of the conductive wall Scope of the RF cavity, a shielding device is provided which increases the impedance of a propagation path of RF currents along the outside of the wall, so that the RF currents coupled into the wall are suppressed on the outside of the wall.
  • the invention is based on the finding that an accelerator structure, as shown in the US 5,497,050 is advantageous to couple high RF power into an RF cavity.
  • the area over which the RF power can be injected is larger in comparison to structures with a coupling only in one place, since the transistors extend over the entire circumference.
  • the generation of the RF power to be injected takes place in the immediate vicinity of the RF cavity, whereby losses are avoided.
  • the RF currents that would otherwise propagate along a propagation path on the outer wall are significantly reduced and, at best, even completely suppressed.
  • the impedance increase on the outside of the conductive wall causes the RF currents, which are introduced via the direct connection of the solid-state switch with the conductive wall, to spread predominantly or entirely to the inside of the conductive wall.
  • the outside of the conductive wall can now be set at ground potential so that the RF cavity can be more easily connected or coupled with other devices and used together.
  • An outside of the conductive wall at ground potential increases safety during operation.
  • the conductive wall includes a first portion and a second portion isolated from the first portion.
  • the shielding device comprises a first part and a second part, wherein the first part is associated with the first portion of the conductive wall and the second part with the second part of the conductive wall.
  • the solid state transistor switching circuitry provides the RF power through a slot between the first portion and the second portion of the conductive wall. The insulation between the first portion and the second portion of the conductive wall can simultaneously perform the function of a vacuum seal.
  • the shielding device can realize the impedance increase in various ways.
  • the shielding device may comprise a ribbed conductive structure, a ferrite ring and / or ⁇ / 4 stub.
  • the conductive wall on the outside has a recess into which the shielding device is at least partially recessed.
  • a ⁇ / 4 stub can be formed by the recess in the conductive wall. In this way, no additional material is necessary to achieve the impedance increase. Filling the recess with a dielectric allows the stub to be matched to the frequency of the RF currents.
  • the stub can be arranged in a space-saving manner, when the stub is folded in, for example in the manner of a spiral.
  • the solid state switches may additionally be surrounded by a conductive protective cage which communicates with the outside of the conductive wall. This makes it possible to shield the solid-state switch from electromagnetic radiation.
  • the location where the guard cage communicates with the conductive wall may be selected such that the shielding device is between that location and the location where the RF currents are coupled from the solid state switches to the conductive wall. In this way, the part of the conductive wall, where RF currents can flow on the outside, is inside the protective cage.
  • the shielding device does not necessarily have to be arranged in a recess of the conductive wall. It can also be wholly or partially applied to the outside of the conductive wall.
  • the shielding device can also be formed by the conductive protective cage surrounding the solid state switches and which communicates with the conductive wall.
  • the protective cage communicates with both the first and second portions of the conductive wall. Without ribs for impedance increase on the inside of the protective cage, the protective cage would constitute a short circuit between the first section and the second section of the conductive wall without further measures, such as a further shielding device from the protective cage.
  • the ribs however, an impedance increase in the RF range is achieved, which prevents this.
  • a suppression of the RF currents on the outside of the wall is achieved by the conductive protective cage, since a preparation of the RF currents is prevented on the outside of the conductive wall through the contact points of the protective cage with the conductive wall.
  • the RF cavity can be an RF resonator, which can be used in particular to accelerate particles.
  • a plurality of such RF resonators can be connected in series and, in particular, controlled independently of one another.
  • HF cavities Because no HF currents flow on the outside of the HF cavity, several of these HF cavities can be connected one behind the other to form an accelerator unit.
  • the RF cavities are then decoupled from each other in the high frequency range despite coupling.
  • the coupling refers only to a direct current component (DC component). Due to the RF decoupling, it is then possible to control the individual RF cavities independently of each other, whereby the accelerator can be operated more flexibly and can be adapted more flexibly to the respective desired acceleration to be achieved.
  • the adaptation is more flexible than with an accelerator, in which the RF cavities are coupled together in the RF range, so that the control of one RF cavity simultaneously influences the RF fields in the adjacent RF cavity.
  • the structure according to the invention for coupling RF power and shielding with respect to the outside world can also be used with other RF cavities, for example, the RF cavity can be designed as a coaxial electrical line or arranged in a re-entrant resonator structure.
  • Fig. 1 shows a side view of an RF cavity 11.
  • a coupling device 13 arranged for coupling RF power, the RF cavity 11.
  • Fig. 2 shows a front view of in Fig. 1 shown RF cavity 11.
  • the coupling device 13 is based on the longitudinal section in Fig. 3 and the cross section in Fig. 4 through the in Fig. 1 and Fig. 2 shown RF cavity 11 shown in more detail.
  • Fig. 3 shows a longitudinal section through the RF cavity 11. Shown is only one wall side of the RF cavity 11 in the area in which the coupling device 13 is located. Shown is a conductive wall 15 having a first portion 21 and a second portion 23 which are isolated from each other. The annular insulation 27 simultaneously forms a vacuum seal.
  • the conductive wall 15 has an inner side 19, which is directed into the cavity of the RF cavity 11, and an outwardly directed outer side 17.
  • the coupling device 13 for RF power On the outside 17 is the coupling device 13 for RF power. This includes a plurality of solid-state transistors 29, which are in direct contact with a slot-like flange 25, which is formed by the first portion 21 and the second portion 23 of the conductive wall 15.
  • the solid-state transistors 29 are connected via leads 31 to a DC power source, not shown here.
  • the solid-state transistors 29 in the conductive wall 15 induce RF currents propagating along the conductive wall 15.
  • Wanted is a propagation along the inside 19 of the conductive wall.
  • a shielding device is provided, which is incorporated in the case shown here in a recess of the conductive wall 15.
  • the recesses are filled in the embodiment shown here with a ferrite ring 33.
  • the shielding device or the ferrite ring 33 is located both in the first portion 21 of the conductive wall 15 and in the second portion 23.
  • the ferrite ring 33 increases the impedance on the outer side 17 of the electrically conductive wall 15, whereby a spread of HF currents along the outside 17 is prevented and is directed to the inside 19.
  • the solid state transistors 29 and the coupling point on the flange 25 are protected by a metallic protective cage 35, for example made of copper, from external electromagnetic radiation.
  • the protective cage 35 contacts the electrically conductive wall 15 at a location on the outer side 17, which is already protected by the shielding device from propagating RF currents.
  • Fig. 4 shows a cross section along the line IV - IV in Fig. 3 , To see are the outer protective cage 35, some solid-state transistors 29 and the contact point with the flange 25 forming part of the conductive wall 15th
  • the shielding device is shown as a ferrite ring 33 that extends along the perimeter of the RF cavity.
  • the shielding device is shown as a ferrite ring 33 that extends along the perimeter of the RF cavity.
  • Other embodiments will be apparent from the following Fig. 5 to Fig. 9 shown.
  • Fig. 5 shows a longitudinal section of the conductive wall 15, at a location which in Fig. 3 corresponds to the point at which the ferrite ring 33 is located.
  • a recess 37 is incorporated, which is shaped so that it forms a ⁇ / 4 stub.
  • the ⁇ / 4 stub is tuned to the operating frequency of the RF cavity 11 such that propagation of RF currents along the outer side 17 of the wall 15 is prevented by the ⁇ / 4 stub.
  • the recess can according to Fig. 6 be filled with a dielectric 39, or according to Fig. 7 to be folded in itself (convolution 41). By both measures, the ⁇ / 4-stub can be accommodated space-saving.
  • Fig..8 shows a further embodiment of the shielding device.
  • the shielding device is realized in that the protective cage 35, the conductive Contacted wall 15 and the solid state transistors 29 surrounds, is formed in a special way.
  • the protective cage 35 has on its inside a plurality of ribs 43. On the basis of these ribs 43, the impedance of the path, which leads from the outside 17 of the conductive wall 15 along the inside of the protective cage 29, and thereby prevents HF currents along the outside 17 of the wall 15 from the injection site on the protective cage 29th would spread out.
  • Fig. 9 shows an RF cavity, which is designed as a coaxial conductive connection 47.
  • RF power can be fed into the coaxial connection via the coupling device 13 arranged on the outer conductor.
  • Fig. 10 shows an accelerator unit, along which a plurality of RF cavities 11 ... 11 ''', as for example in Fig. 1 in Fig. 2 are shown are arranged one behind the other. Since RF currents propagate only on the inside of the HF cavities 11... 11 ''', the HF cavities 11... 11''' are decoupled from one another in the high-frequency range and can therefore be controlled individually by a control device 45 , whereby a flexible tuning of the RF cavities 11... 11 '''to a desired acceleration can be achieved.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft eine HF-Kavität, in welcher HF-Leistung zur Erzeugung eines elektromagnetischen Feldes im Inneren der HF-Kavität eingekoppelt werden kann. Weiterhin betrifft die Erfindung einen Beschleuniger mit einer derartigen HF-Kavität. Derartige Beschleuniger bzw. derartige HF-Kavitäten werden üblicherweise zur Beschleunigung von geladenen Teilchen verwendet.
  • Es sind HF-Kavitäten bekannt, die zur HF-Resonanz angeregt werden können, indem HF-Leistung in die HF-Kavität eingekoppelt wird. Die HF-Leistung ihrerseits wird jedoch entfernt von der HF-Kavität erzeugt, beispielsweise mithilfe eines Klystrons, und zu der HF-Kavität mithilfe eines Wellenleiters transportiert. Alternativ ist es möglich, die HF-Leistung mithilfe einer Antenne oder eines induktiven Kopplers in die Kavität einzukoppeln.
  • Die US 5,497,050 offenbart einen anderen Aufbau um HF-Leistung in eine HF-Kavität einzukoppeln. Dies geschieht über eine Vielzahl von Festkörper-Leistungstransistoren, die in einer leitenden Wand der HF-Kavität integriert sind.
  • Es ist die Aufgabe der Erfindung eine HF-Kavität bereitzustellen, welche sicher betrieben werden kann und welche mit anderen Geräten auf sichere Weise zusammen eingesetzt werden kann. Weiterhin ist es die Aufgabe der Erfindung einen Beschleuniger mit einer derartigen HF-Kavität anzugeben, der eine flexible Ansteuerung erlaubt.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung finden sich in den Merkmalen der abhängigen Ansprüche.
  • Die erfindungsgemäße HF-Kavität umfasst
    eine Kammer,
    eine die Kammer umgebende leidende Wand, welche eine Innen= seite und eine Außenseite aufweist, und
    eine Schaltanordnung mit einer Vielzahl von Festkörperschaltern, welche entlang eines Umfanges der Wand um die Kammer angeordnet sind,
    wobei die Festkörperschalter mit der leitenden Wand derart in Verbindung stehen, dass bei Aktivierung der Schaltanordnung HF-Ströme in der leitenden Wand induziert werden, wodurch HF-Leistung in die Kammer der HF-Kavität eingekoppelt wird, wobei an der Außenseite der leitenden Wand entlang eines Umfangs der HF-Kavität eine Abschirmvorrichtung vorhanden ist, welche die Impedanz eines Ausbreitungspfades von HF-Strömen entlang der Außenseite der Wand erhöht, sodass die in die Wand eingekoppelten HF-Ströme an der Außenseite der Wand unterdrückt werden.
  • Der Erfindung liegt die Erkenntnis zu Grunde, dass ein Beschleunigeraufbau, wie er in der US 5,497,050 geschildert ist, vorteilhaft ist, um hohe HF-Leistungen in eine HF-Kavität einzukoppeln. Die Fläche, über die die HF-Leistung eingekoppelt werden kann, ist im Vergleich zu Aufbauten mit einer Einkopplung lediglich an einer Stelle größer, da sich die Transistoren über den gesamten Umfang erstrecken. Zudem geschieht die Erzeugung der einzukoppelnden HF-Leistung in unmittelbarer Nähe der HF-Kavität, wodurch Verluste vermieden werden.
  • Weiterhin wurde jedoch erkannt, dass dieser Aufbau problematisch sein kann. Insbesondere erzeugt die HF-Leistung, die in die Wand der HF-Kavität eingekoppelt wird, an der Außenseite der leitenden Wand starke HF-Ströme. Diese HF-Ströme stellen bei hoher Leistungsanforderung ein Problem während des Betriebs dar.
  • Dadurch, dass nun eine Abschirmvorrichtung vorgesehen ist, mit der die Impedanz an der Außenseite der leitenden Wand erhöht wird, reduzieren sich die HF-Ströme, die sich sonst entlang eines Ausbreitungspfades an der Außenwand ausbreiten würden, deutlich und werden bestenfalls sogar vollständig unterdrückt. Die Impedanzerhöhung an der Außenseite der leitenden Wand hat zur Folge, dass sich die HF-Ströme, die über die direkte Verbindung der Festkörperschalterm mit der leitenden Wand eingeleitet werden, vornehmlich oder zur Gänze an der Innenseite der leitenden Wand ausbreiten.
  • Hierdurch wird eine Reihe von Vorteilen erzielt. Da sich an der Außenseite der Wand und an einem eventuell vorhandenen Schutzkäfig um die Transistoren keine HF-Ströme ausbreiten, wird eine Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung von der Wand nach außen vermieden, die ansonsten die Verfügbarkeit der Leistung verringern würde und zum Beispiel aufgrund einer Unterbrechung von Hochfrequenz-Banden den Betrieb stören würde.
  • Die Außenseite der leitenden Wand kann nun auf Erdpotenzial gesetzt werden, so dass die HF-Kavität einfacher mit anderen Geräten verbunden bzw. gekoppelt und zusammen eingesetzt werden kann. Eine Außenseite der leitenden Wand auf Erdpotenzial erhöht die Sicherheit während des Betriebs.
  • Üblicherweise umfasst die leitende Wand einen ersten Abschnitt und einen von dem ersten Abschnitt isolierten zweiten Abschnitt. Die Abschirmvorrichtung umfasst einen ersten Teil und einen zweiten Teil, wobei der erste Teil dem ersten Abschnitt der leitenden Wand zugeordnet ist und der zweite Teil dem zweiten Teil der leitenden Wand. Die Schaltanordnungen mit den Festkörpertransistoren stellt die HF-Leistung über einen Schlitz zwischen den ersten Abschnitt mit den zweiten Abschnitt der leitenden Wand bereit. Die Isolierung zwischen dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt der leitenden Wand kann gleichzeitig die Funktion einer Vakuumdichtung übernehmen.
  • Die Abschirmvorrichtung kann auf verschiedene Weisen die Impedanzerhöhung realisieren. So kann die Abschirmvorrichtung eine gerippte leitende Struktur, einen Ferritring und/oder λ/4-Stichleitung umfassen.
  • In vorteilhafter Weise weist die leitende Wand an der Außenseite eine Aussparung auf, in welche die Abschirmvorrichtung zumindest teilweise versenkt ist.
  • Insbesondere kann durch die Aussparung in der leitenden Wand eine λ/4-Stichleitung gebildet werden. Auf diese Weise ist kein zusätzliches Material notwendig, um die Impedanzerhöhung zu erreichen. Eine Füllung der Aussparung mit einem Dielektrikum ermöglicht eine Anpassung der Stichleitung an die Frequenz der HF-Ströme. Die Stichleitung kann in Platz sparender Weise angeordnet werden, wenn die Stichleitung in sich gefaltet ist, zum Beispiel nach Art einer Spirale.
  • Die Festkörperschalter können zusätzlich von einem leitenden Schutzkäfig umgeben sein, der mit der Außenseite der leitenden Wand in Verbindung steht. Hierdurch gelingt es, die Festkörperschalter von elektromagnetischer Strahlung abzuschirmen. Die Stelle, an der der Schutzkäfig mit der leitenden Wand in Verbindung steht, kann derart gewählt sein, dass die Abschirmvorrichtung zwischen dieser Stelle und dem Ort, an dem die Einkopplung der HF-Ströme von den Festkörperschaltern in die leitende Wand erfolgt, liegt. Auf diese Weise befindet sich der Teil der leitenden Wand, an der HF-Ströme an der Außenseite fließen können, innerhalb des Schutzkäfigs.
  • Die Abschirmvorrichtung muss nicht zwangsläufig in einer Aussparung der leitenden Wand angeordnet werden. Sie kann auch ganz oder teilweise auf der Außenseite der leitenden Wand aufgebracht sein.
  • Die Abschirmvorrichtung kann auch durch den leitenden Schutzkäfig gebildet werden, der die Festkörperschalter umgibt und der mit der leitenden Wand in Verbindung steht. Der Schutzkäfig steht sowohl mit dem ersten als auch mit dem zweiten Abschnitt der leitenden Wand in Verbindung. Ohne Rippen zur Impedanzerhöhung an der Innenseite des Schutzkäfigs würde der Schutzkäfig ohne weitere Maßnahmen wie eine vom Schutzkäfig weitere Abschirmvorrichtung einen Kurzschluss zwischen dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt der leitenden Wand darstellen. Durch die Rippen wird allerdings eine Impedanzerhöhung im HF-Bereich erreicht, die dies verhindert. Zudem wird durch den leitenden Schutzkäfig eine Unterdrückung der HF-Ströme an der Außenseite der Wand erreicht, da eine Ausbereitung der HF-Ströme an der Außenseite der leitenden Wand durch die Kontaktstellen des Schutzkäfigs mit der leitenden Wand unterbunden wird.
  • Die HF-Kavität kann als HF-Resonator sein, welcher insbesondere zur Beschleunigung von Teilchen ausgebildet eingesetzt werden kann. Insbesondere können mehrere derartige HF-Resonatoren hintereinander geschaltet sein und insbesondere unabhängig voneinander angesteuert werden.
  • Dadurch, dass an der Außenseite der HF-Kavität keine HF-Ströme fließen, können mehrerer dieser HF-Kavitäten hintereinander zu einer Beschleunigereinheit geschaltet werden. Die HF-Kavitäten sind dann trotz Kopplung untereinander im Hochfrequenzbereich voneinander entkoppelt. Die Kopplung bezieht sich lediglich auf einen Gleichstromanteil (DC-Anteil). Aufgrund der HF-Entkopplung ist es dann aber möglich, die einzelnen HF-Kavitäten unabhängig voneinander anzusteuern, wodurch der Beschleuniger flexibler betrieben werden kann und flexibler an die jeweiligen zu erreichende gewünschte Beschleunigung angepasst werden kann. Die Anpassung ist flexibler als bei einem Beschleuniger, bei dem die HF-Kavitäten im HF-Bereich miteinander gekoppelt sind, so dass die Steuerung einer HF-Kavität gleichzeitig die HF-Felder in den benachbarten HF-Kavität beeinflusst.
  • Der erfindungsgemäße Aufbau zur Einkopplung von HF-Leistung und Abschirmung gegenüber der Außenwelt kann jedoch auch bei anderen HF-Kavitäten eingesetzt werden, zum Beispiel kann die HF-Kavität als koaxiale elektrische Leitung ausgebildet sein, oder in einer Re-Entrant-Resonatorstruktur angeordnet sein.
  • Ausführungsformen der Erfindung mit vorteilhaften Weiterbildungen gemäß den Merkmalen der abhängigen Ansprüche werden anhand der Folgendenzeichnung näher erläutert, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein. Es zeigen:
    • Fig. 1 und Fig. 2 einen schematischen Überblick über eine zylinderförmige HF-Kavität mit einer entlang ihres Umfangs angeordnete Einkoppelvorrichtung zur Einkopplung von HF-Leistung,
    • Fig. 3 einen Längsschnitt durch eine HF-Kavität mit detaillierterer Darstellung der Einkoppelvorrichtung, welche eine als Ferritring ausgebildete Abschirmvorrichtung umfasst,
    • Fig. 4 einen Querschnitt durch die in Fig. 3 gezeigte HF-Kavität entlang der Linie III-III,
    • Fig. 5 einen Vergrößerung eines Teils eines Längsschnitts durch eine Wand einer HF-Kavität zur Darstellung einer als λ/4-Stichleitung ausgebildeten Abschirmvorrichtung,
    • Fig. 6 und Fig. 7 jeweils eine andere Ausführung der in Fig. 5 gezeigten λ/4-Stichleitung,
    • Fig. 8 einen Längsschnitt durch eine HF-Kavität, in welcher der um die Leistungstransistoren angeordnete Schutzkäfig mit inneren Rippen als Abschirmvorrichtung dient,
    • Fig. 9 eine als koaxiale Leitung ausgebildete HF-Kavität.
  • Fig. 1 zeigt eine Seitansicht einer HF-Kavität 11. Um den äußeren Umfang der HF-Kavität 11 ist eine Einkoppelvorrichtung 13 zur Einkopplung von HF-Leistung die HF-Kavität 11 angeordnet. Fig. 2 zeigt eine Frontansicht der in Fig. 1 gezeigten HF-Kavität 11.
  • Die Einkoppelvorrichtung 13 wird anhand des Längsschnitts in Fig. 3 und des Querschnitts in Fig. 4 durch die in Fig. 1 und Fig. 2 gezeigte HF-Kavität 11 detaillierter dargestellt.
  • Fig. 3 zeigt einen Längsschnitt durch die HF-Kavität 11. Dargestellt ist lediglich eine Wandseite der HF-Kavität 11 in dem Bereich, in dem sich die Einkoppelvorrichtung 13 befindet. Zu sehen ist eine leitende Wand 15, welche einen ersten Abschnitt 21 und einen zweiten Abschnitt 23 aufweist, die voneinander isoliert sind. Die ringförmige Isolierung 27 bildet gleichzeitig eine Vakuumdichtung. Die leitende Wand 15 weist eine Innenseite 19 auf, welche in den Hohlraum der HF-Kavität 11 gerichtet ist, und eine nach außen gerichtete Außenseite 17 auf. An der Außenseite 17 befindet sich die Einkoppelvorrichtung 13 für HF-Leistung. Diese umfasst eine Vielzahl von Festkörper-Transistoren 29, welche in direktem Kontakt mit einem schlitzartigen Flansch 25 stehen, der von dem ersten Abschnitt 21 und dem zweiten Abschnitt 23 der leitenden Wand 15 gebildet wird. Die Festkörper-Transistoren 29 sind über Zuleitungen 31 mit einer hier nicht gezeigten DC-Stromquelle verbunden. Bei Aktivierung induzieren die Festkörper-Transistoren 29 in der leitenden Wand 15 HF-Ströme, die sich entlang der leitenden Wand 15 ausbreiten. Gewünscht ist eine Ausbreitung entlang der Innenseite 19 der leitenden Wand. Um dies zu erreichen, ist eine Abschirmvorrichtung vorgesehen, welche in dem hier gezeigten Fall in eine Aussparung der leitenden Wand 15 eingearbeitet ist. Die Aussparungen sind in dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel mit einem Ferritring 33 gefüllt. Die Abschirmvorrichtung bzw. der Ferritring 33 befindet sich sowohl in dem ersten Abschnitt 21 der leitenden Wand 15 als auch in dem zweiten Abschnitt 23. Der Ferritring 33 erhöht die Impedanz an der Außenseite 17 der elektrisch leitenden Wand 15, wodurch eine Ausbreitung von HF-Strömen entlang der Außenseite 17 unterbunden wird und auf die Innenseite 19 geleitet wird.
  • Zusätzlich sind die Festkörper-Transistoren 29 und die Einkoppelstelle am Flansch 25 durch einen metallischen Schutzkäfig 35, beispielsweise aus Kupfer, vor elektromagnetischer Strahlung von außen geschützt. Der Schutzkäfig 35 kontaktiert die elektrisch leitende Wand 15 an einer Stelle an der Außenseite 17, welche bereits durch die Abschirmvorrichtung vor von sich ausbreitenden HF-Strömen geschützt ist.
  • Fig. 4 zeigt einen Querschnitt gemäß der Linie IV -- IV in Fig. 3. Zu sehen sind der äußere Schutzkäfig 35, einige Festkörper-Transistoren 29 sowie die Kontaktstelle mit der den Flansch 25 bildenden Teil der leitenden Wand 15.
  • In Fig. 3 ist die Abschirmvorrichtung als ein Ferritring 33 gezeigt, der sich entlang des Umfangs der HF-Kavität erstreckt. Weitere Ausführungsformen werden anhand der folgenden Fig. 5 bis Fig. 9 gezeigt.
  • Fig. 5 zeigt einen Längsschnitt der leitenden Wand 15, an einer Stelle, welche in Fig. 3 derjenigen Stelle entspricht, an der sich der Ferritring 33 befindet. In die leitenden Wand 15 ist eine Aussparung 37 eingearbeitet, welche derart geformt ist, dass sie eine λ/4-Stichleitung bildet. Die λ/4-Stichleitung ist derart auf die Betriebsfrequenz der HF-Kavität 11 abgestimmt, dass durch die λ/4-Stichleitung eine Ausbreitung von HF-Strömen entlang der Außenseite 17 der Wand 15 unterbunden wird. Die Aussparung kann gemäß Fig. 6 mit einem Dielektrikum 39 gefüllt sein, oder aber auch gemäß Fig. 7 in sich gefaltet sein (Faltung 41). Durch beide Maßnahmen kann die λ/4-Stichleitung platzsparender untergebracht werden.
  • Fig..8 zeigt eine weitere Ausgestaltung der Abschirmvorrichtung. In dem hier gezeigten Fall wird die Abschirmvorrichtung dadurch realisiert, dass der Schutzkäfig 35, der die leitende Wand 15 kontaktiert und die Festkörper-Transistoren 29 umgibt, in spezieller Art und Weise ausgebildet ist. Der Schutzkäfig 35 weist an seiner Innenseite eine Vielzahl von Rippen 43 auf. Anhand dieser Rippen 43 vergrößert sich die Impedanz des Pfades, der von der Außenseite 17 der leitenden Wand 15 entlang der Innenseite des Schutzkäfigs 29 führt und verhindert dadurch, dass sich HF-Ströme entlang der Außenseite 17 der Wand 15 von der Injektionsstelle über den Schutzkäfig 29 hinaus ausbreiten würden.
  • Fig. 9 zeigt eine HF-Kavität, welche als koaxiale leitende Verbindung 47 ausgebildet ist. Über die am Außenleiter angeordnete Einkoppelvorrichtung 13 kann HF-Leistung in die koaxiale Verbindung eingespeist werden. Durch die Abschirmvorrichtung ist der Außenleiter der koaxialen Verbindung 47 bzw. dessen Außenseite von vor sich ausbreitenden HF-Strömen geschützt.
  • Fig. 10 zeigt eine Beschleunigereinheit, entlang derer eine Vielzahl von HF-Kavitäten 11 ... 11''', wie sie beispielsweise in Fig. 1 in Fig. 2 gezeigt sind, hintereinander angeordnet sind. Da sich HF-Ströme lediglich an der Innenseite der HF-Kavitäten 11 ... 11''' ausbreiten, sind die HF-Kavitäten 11 ... 11''' im Hochfrequenzbereich voneinander entkoppelt und können demzufolge von einer Steuervorrichtung 45 individuell angesteuert werden, wodurch sich eine flexible Abstimmung der HF-Kavitäten 11 ... 11''' auf eine gewünschte Beschleunigung erreichen lässt.
    • Bezugszeichenliste
    • 11
    HF-Kavität
    13
    Einkoppelvorrichtung
    15
    leitende Wand
    17
    Außenseite
    19
    Innenseite
    21
    erster Abschnitt
    23
    zweiter Abschnitt
    25
    Flansch
    27
    Isolierring
    29
    Festkörperschalter
    29
    Festkörper-Transistor
    31
    Zuleitung
    33
    Vertreterinnen
    35
    Schutzkäfig
    37
    Aussparung
    39
    Dielektrikum
    41
    Faltung
    43
    Rippe
    45
    Steuervorrichtung
    47
    koaxiale Verbindung

Claims (16)

  1. HF-Kavität umfassend
    eine Kammer
    eine die Kammer umgebende leitende Wand (15), welche eine Innenseite (19) und eine Außenseite (17) aufweist, und
    eine Schaltanordnung mit einer Vielzahl von Festkörperschaltern (29), welche entlang eines Umfanges der Wand (15) um die Kammer angeordnet sind,
    wobei die Festkörperschalter (29) mit der leitenden Wand (15) derart in Verbindung stehen, dass bei Aktivierung der Schaltanordnung HF-Ströme in der leitenden Wand (15) induziert werden, wodurch HF-Leistung in die Kammer der HF-Kavität (11) eingekoppelt wird,
    dadurch gekennzeichnet dass
    an der Außenseite (17) der leitenden Wand (15) entlang eines Umfangs der HF-Kavität (11) eine Abschirmvorrichtung (33, 37, 39, 41, 43) vorhanden ist, welche die Impedanz eines Ausbreitungspfades von HF-Strömen entlang der Außenseite (17) der Wand (15) erhöht, sodass die in die Wand (15) eingekoppelten HF-Ströme an der Außenseite (17) der Wand (15) unterdrückt werden,
    wobei zumindest ein Teil der Abschirmvorrichtung in eine Aussparung an der Außenseite (17) der leitenden Wand (15) versenkt ist.
  2. HF-Kavität nach Anspruch 1, wobei
    die leitende Wand (15) einen ersten Abschnitt (21) und einen von dem ersten Abschnitt (21) isolierten zweiten Abschnitt (23) umfasst, und wobei die Abschirmvorrichtung (33, 37, 39, 41, 43) einen ersten Teil und einen zweiten Teil umfasst, wobei der erste Teil an dem ersten Abschnitt (21) der leitenden Wand (15) angeordnet ist und der zweite Teil an dem zweiten Abschnitt (23) der leitenden Wand (15).
  3. HF-Kavität nach Anspruch 2, wobei
    die Isolierung (27) zwischen dem ersten Abschnitt (21) und dem zweiten Abschnitt (23) der leitenden Wand (15) eine Vakuumdichtung ist.
  4. HF-Kavität nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Abschirmvorrichtung eine gerippte leitende Struktur (43) umfasst.
  5. HF-Kavität nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Abschirmvorrichtung einen Ferritring (33) umfasst.
  6. HF-Kavität nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei durch die Aussparung in der leitenden Wand (15) eine λ/4-Stichleitung (37, 39, 41) gebildet wird.
  7. HF-Kavität nach Anspruch 6, wobei die Aussparung mit einem Dielektrikum (39) gefüllt ist,
  8. HF-Kavität nach Anspruch 6 oder 7, wobei die λ/4-Stichleitung gefaltet ist.
  9. HF-Kavität nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Festkörperschalter (29) von einem Schutzkäfig umgeben (35) sind, der mit Außenseite (17) der leitenden Wand (15) an einer Stelle in Verbindung steht, sodass die Abschirmvorrichtung (33, 37, 39, 41, 43) zwischen der Stelle und dem Ort, an dem die Einkopplung der HF-Ströme von den Festkörperschaltern (29) in die Wand (15) stattfindet, liegt.
  10. HF-Kavität nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die HF-Kavität als koaxiale elektrische Leitung (47) ausgebildet ist.
  11. HF-Kavität nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die HF-Kavität als HF-Resonator (11) insbesondere zur Beschleunigung von Teilchen ausgebildet ist.
  12. Beschleuniger mit mehreren HF-Kavitäten (11 ... 11''') nach Anspruch 11, welche unabhängig voneinander steuerbar sind.
  13. HF-Kavität umfassend
    eine Kammer
    eine die Kammer umgebende leidende Wand (15), welche eine Innenseite (19) und eine Außenseite (17) aufweist, und
    eine Schaltanordnung mit einer Vielzahl von Festkörperschaltern (29), welche entlang eines Umfanges der Wand (15) um die Kammer angeordnet sind,
    wobei die Festkörperschalter (29) mit der leitenden Wand (15) derart in Verbindung stehen, dass bei Aktivierung der Schaltanordnung HF-Ströme in der leitenden Wand (15) induziert werden, wodurch HF-Leistung in die Kammer der HF-Kavität (11) eingekoppelt wird,
    dadurch gekennzeichnet dass
    an der Außenseite (17) der leitenden Wand (15) entlang eines Umfangs der HF-Kavität (11) eine Abschirmvorrichtung (33, 37, 39, 41, 43) vorhanden ist, welche die Impedanz eines Ausbreitungspfades von HF-Strömen entlang der Außenseite (17) der Wand (15) erhöht, sodass die in die Wand (15) eingekoppelten HF-Ströme an der Außenseite (17) der Wand (15) unterdrückt werden,
    wobei die Abschirmvorrichtung von einem leitenden Schutzkäfig (35) gebildet wird, der die Festkörperschalter (29) umgibt und dessen Innenseite (43) gerippt ausgebildet ist.
  14. HF-Kavität nach Anspruch 13, wobei die HF-Kavität als koaxiale elektrische Leitung (47) ausgebildet ist.
  15. HF-Kavität nach Anspruch 13, wobei die HF-Kavität als HF-Resonator (11) insbesondere zur Beschleunigung von Teilchen ausgebildet ist.
  16. Beschleuniger mit mehreren HF-Kavitäten (11 ... 11''') nach Anspruch 13, welche unabhängig voneinander steuerbar sind.
EP10784723.8A 2009-11-17 2010-10-18 Hf-kavität sowie beschleuniger mit einer derartigen hf-kavität Not-in-force EP2502470B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009053624A DE102009053624A1 (de) 2009-11-17 2009-11-17 HF-Kavität sowie Beschleuniger mit einer derartigen HF-Kavität
PCT/EP2010/065595 WO2011061026A1 (de) 2009-11-17 2010-10-18 Hf-kavität sowie beschleuniger mit einer derartigen hf-kavität

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP2502470A1 EP2502470A1 (de) 2012-09-26
EP2502470B1 true EP2502470B1 (de) 2014-09-17

Family

ID=43759711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP10784723.8A Not-in-force EP2502470B1 (de) 2009-11-17 2010-10-18 Hf-kavität sowie beschleuniger mit einer derartigen hf-kavität

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8779697B2 (de)
EP (1) EP2502470B1 (de)
JP (1) JP5567143B2 (de)
CN (1) CN102612865B (de)
DE (1) DE102009053624A1 (de)
RU (1) RU2559031C2 (de)
WO (1) WO2011061026A1 (de)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010032216B4 (de) 2010-07-26 2012-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Gepulste Spallations-Neutronenquelle
DE102010032214A1 (de) 2010-07-26 2012-01-26 Siemens Aktiengesellschaft Methode und Anordnung zur Kontrolle von Schall- und Stoßwellen in einem Target eines Teilchenbeschleunigers
DE102010041758B4 (de) * 2010-09-30 2015-04-23 Siemens Aktiengesellschaft HF-Kavität mit Sender
DE102010042055A1 (de) * 2010-10-06 2012-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Ringbeschleuniger
WO2012045520A1 (de) * 2010-10-06 2012-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Koaxialer wellenleiter mit hf-sender
DE102010042149B4 (de) * 2010-10-07 2016-04-07 Siemens Aktiengesellschaft HF-Vorrichtung und Beschleuniger mit einer solchen HF-Vorrichtung
DE102010043774A1 (de) 2010-11-11 2012-05-16 Siemens Aktiengesellschaft Teilchenbeschleuniger und Verfahren zum Betreiben eines Teilchenbeschleunigers
DE102010044113A1 (de) * 2010-11-18 2012-05-24 Siemens Aktiengesellschaft HF-Kavität und Teilchenbeschleuniger mit HF-Kavität
DE102011004401A1 (de) * 2011-02-18 2012-08-23 Siemens Aktiengesellschaft HF-Vorrichtung
DE102011075219A1 (de) 2011-05-04 2012-11-08 Siemens Ag HF-Generator
DE102011082580A1 (de) * 2011-09-13 2013-03-14 Siemens Aktiengesellschaft HF-Resonator und Teilchenbeschleuniger mit HF-Resonator
DE102011083668A1 (de) * 2011-09-29 2013-04-04 Siemens Aktiengesellschaft HF-Resonator und Teilchenbeschleuniger mit HF-Resonator
US10448496B2 (en) 2015-09-28 2019-10-15 Fermi Research Alliance, Llc Superconducting cavity coupler
US10070509B2 (en) 2015-09-29 2018-09-04 Fermi Research Alliance, Llc Compact SRF based accelerator
CN106211538B (zh) * 2016-09-26 2018-02-09 合肥中科离子医学技术装备有限公司 一种回旋加速器谐振腔的自动调谐装置和方法
US10340600B2 (en) 2016-10-18 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via plural waveguide systems
EP3536132B1 (de) 2016-11-03 2022-03-16 Starfire Industries LLC Kompaktes system zur direkt einkopplung von hf-leistung in einen beschleuniger
CN106385758B (zh) * 2016-11-11 2018-02-09 合肥中科离子医学技术装备有限公司 超导回旋加速器谐振腔容性耦合匹配方法
DE102017123377A1 (de) * 2017-10-09 2019-04-11 Cryoelectra Gmbh Hochfrequenz-Verstärker-Einheit mit auf Außenleiter angeordneten Verstärkermodulen
CN107863597A (zh) * 2017-12-12 2018-03-30 合肥中科离子医学技术装备有限公司 一种用于将高频功率耦合输入到谐振腔中的装置
US11224918B2 (en) 2018-01-19 2022-01-18 Fermi Research Alliance, Llc SRF e-beam accelerator for metal additive manufacturing
US11123921B2 (en) 2018-11-02 2021-09-21 Fermi Research Alliance, Llc Method and system for in situ cross-linking of materials to produce three-dimensional features via electron beams from mobile accelerators
US11639010B2 (en) 2019-07-08 2023-05-02 Fermi Research Alliance, Llc Electron beam treatment for invasive pests
US11465920B2 (en) * 2019-07-09 2022-10-11 Fermi Research Alliance, Llc Water purification system

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2563585A (en) * 1945-10-08 1951-08-07 Dallenbach
US2860313A (en) * 1953-09-04 1958-11-11 Emerson Radio And Phonograph C Inductive tuning device
DE1739053U (de) * 1956-06-28 1957-02-07 Siemens Ag Anordnung zur abschirmung hochfrequenter stoerfelder in einem sondenschlitz.
US3495125A (en) * 1968-03-05 1970-02-10 Atomic Energy Commission Quarter-wave transmission line radio frequency voltage step-up transformer
JPH04268799A (ja) * 1991-02-25 1992-09-24 Nec Corp 電磁遮へい室
US5497050A (en) * 1993-01-11 1996-03-05 Polytechnic University Active RF cavity including a plurality of solid state transistors
US5661366A (en) * 1994-11-04 1997-08-26 Hitachi, Ltd. Ion beam accelerating device having separately excited magnetic cores
JP2867933B2 (ja) * 1995-12-14 1999-03-10 株式会社日立製作所 高周波加速装置及び環状加速器
JP3439901B2 (ja) * 1996-02-07 2003-08-25 日本電信電話株式会社 超伝導薄膜の作製方法
US6724261B2 (en) 2000-12-13 2004-04-20 Aria Microwave Systems, Inc. Active radio frequency cavity amplifier
JP4268799B2 (ja) 2002-12-26 2009-05-27 大和製罐株式会社 不良缶詰検出方法およびそれに用いられる示温インク印刷缶詰
JP4220316B2 (ja) * 2003-06-24 2009-02-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US20090224700A1 (en) * 2004-01-15 2009-09-10 Yu-Jiuan Chen Beam Transport System and Method for Linear Accelerators
US7710051B2 (en) * 2004-01-15 2010-05-04 Lawrence Livermore National Security, Llc Compact accelerator for medical therapy
CA2930748C (en) * 2005-12-14 2017-12-05 Stryker Corporation Medical/surgical waste collection portable rover capable of zero setting the float used to measure the volume of liquid in the rover waste container
US8325463B2 (en) * 2008-11-04 2012-12-04 William Mehrkam Peterson Dynamic capacitor energy system
US8232747B2 (en) * 2009-06-24 2012-07-31 Scandinova Systems Ab Particle accelerator and magnetic core arrangement for a particle accelerator

Also Published As

Publication number Publication date
US8779697B2 (en) 2014-07-15
CN102612865A (zh) 2012-07-25
US20120229054A1 (en) 2012-09-13
WO2011061026A1 (de) 2011-05-26
DE102009053624A1 (de) 2011-05-19
RU2559031C2 (ru) 2015-08-10
EP2502470A1 (de) 2012-09-26
JP5567143B2 (ja) 2014-08-06
RU2012103491A (ru) 2013-12-27
CN102612865B (zh) 2015-06-24
JP2013511133A (ja) 2013-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2502470B1 (de) Hf-kavität sowie beschleuniger mit einer derartigen hf-kavität
EP0267403A2 (de) Kapazitives Trennglied
EP1516390A1 (de) Störschutzfilter- und blitzstromableiter-einrichtung
DE69625054T2 (de) Antennenanordnung
DE2741385C2 (de) Magnetron-Einrichtung
DE69813623T2 (de) Antennen-abschirmung für mobil-telephone mit einziehbarer antenne
EP2684249B1 (de) Hf-generator
WO2005027258A1 (de) 90° hybrid
DE102010042149B4 (de) HF-Vorrichtung und Beschleuniger mit einer solchen HF-Vorrichtung
EP0590343B1 (de) Hochfrequenzangeregter Laser für hohe Eingangsleistungen, insbesondere CO2-Bandleiterlaser
DE69504168T2 (de) Resonanzhohlraum mit vereinfachter Kopplung
EP1495513A1 (de) Elektrisches anpassungsnetzwerk mit einer transformationsleitung
DE102010041758B4 (de) HF-Kavität mit Sender
EP3178128B1 (de) Anordnung zur galvanisch getrennten energieübertragung
DE102012200634B4 (de) Leistungskoppler und Schaltschrank mit Leistungskoppler
EP4104241A1 (de) Sendevorrichtung für ein kraftfahrzeug zum aussenden eines funksignals sowie funkschlüsselsystem und kraftfahrzeug
EP2863544B9 (de) Schaltungsanordnung und Vorrichtung zum Schutz eines elektronischen Bauteils
DE102011004401A1 (de) HF-Vorrichtung
DE102015003784A1 (de) Antenne für Nahbereichsanwendungen sowie Verwendung einer derartigen Antenne
DE102010041756B4 (de) Vorrichtung zum Erzeugen eines elektromagnetischen Pulses
DE102011006983A1 (de) HF-Generator
EP2676322A1 (de) Hf-generator
EP2885837A1 (de) Vorrichtung zum einkoppeln von hf-leistung in einen wellenleiter
WO2012045520A1 (de) Koaxialer wellenleiter mit hf-sender
WO2014154414A1 (de) Induktive spannungsadditionseinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20120416

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20140107

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20140606

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

Ref country code: CH

Ref legal event code: NV

Representative=s name: SIEMENS SCHWEIZ AG, CH

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: GERMAN

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: REF

Ref document number: 688185

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20141015

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R096

Ref document number: 502010007926

Country of ref document: DE

Effective date: 20141030

REG Reference to a national code

Ref country code: SE

Ref legal event code: TRGR

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20141218

Ref country code: LT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

REG Reference to a national code

Ref country code: NO

Ref legal event code: T2

Effective date: 20140917

REG Reference to a national code

Ref country code: NL

Ref legal event code: VDEP

Effective date: 20140917

REG Reference to a national code

Ref country code: LT

Ref legal event code: MG4D

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: HR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

Ref country code: RS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

Ref country code: LV

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: RO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150119

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20150117

Ref country code: SK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

Ref country code: CZ

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

Ref country code: EE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: PL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R097

Ref document number: 502010007926

Country of ref document: DE

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: MM4A

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

26N No opposition filed

Effective date: 20150618

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 6

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20141018

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SM

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BG

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20141018

Ref country code: TR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

Ref country code: HU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT; INVALID AB INITIO

Effective date: 20101018

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 7

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: MM01

Ref document number: 688185

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20151018

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: AT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20151018

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PCOW

Free format text: NEW ADDRESS: WERNER-VON-SIEMENS-STRASSE 1, 80333 MUENCHEN (DE)

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 8

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 9

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: AL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20140917

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Payment date: 20180924

Year of fee payment: 9

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20181217

Year of fee payment: 9

Ref country code: NO

Payment date: 20181025

Year of fee payment: 9

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20181018

Year of fee payment: 9

Ref country code: GB

Payment date: 20181005

Year of fee payment: 9

Ref country code: IT

Payment date: 20181029

Year of fee payment: 9

Ref country code: BE

Payment date: 20181019

Year of fee payment: 9

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Payment date: 20190116

Year of fee payment: 9

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R119

Ref document number: 502010007926

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: NO

Ref legal event code: MMEP

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191031

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191031

Ref country code: NO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191031

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20200501

REG Reference to a national code

Ref country code: BE

Ref legal event code: MM

Effective date: 20191031

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191019

Ref country code: BE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191031

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20191018

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191031

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191018

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191018