EP2467688A1 - Messsystem zur drahtlosen positionsunabhängigen messung der temperatur - Google Patents

Messsystem zur drahtlosen positionsunabhängigen messung der temperatur

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EP2467688A1
EP2467688A1 EP10752743A EP10752743A EP2467688A1 EP 2467688 A1 EP2467688 A1 EP 2467688A1 EP 10752743 A EP10752743 A EP 10752743A EP 10752743 A EP10752743 A EP 10752743A EP 2467688 A1 EP2467688 A1 EP 2467688A1
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EP
European Patent Office
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temperature
resonant element
dynamic
resonant
resonance
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP10752743A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Bert Wall
Richard Grünwald
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Microchip Frequency Technology GmbH
Original Assignee
Vectron International GmbH
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Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=43085957&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=EP2467688(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Vectron International GmbH filed Critical Vectron International GmbH
Publication of EP2467688A1 publication Critical patent/EP2467688A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
    • G01K11/22—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using measurement of acoustic effects
    • G01K11/26—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using measurement of acoustic effects of resonant frequencies
    • G01K11/265—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using measurement of acoustic effects of resonant frequencies using surface acoustic wave [SAW]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/32—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using change of resonant frequency of a crystal

Definitions

  • the invention relates to a measuring system for wireless position-independent measurement of the temperature of the loading of the furnace with high accuracy by means of passive temperature sensor.
  • the concept of loading the furnace can be very broad here. Areas of application are industrial processes in which workpieces have to be heated to specified minimum temperatures or have to pass through a specific temperature profile.
  • printed circuit boards can be used in a soldering oven.
  • the oven can also be, for example, a cooking appliance for cooking food.
  • the exact knowledge of the temperature of the load can be used to shorten the process times, saving energy, predicting the duration of the process, reducing the heat load and optimizing the temperature processes.
  • EP 1 882 169 B1 discloses a device for measuring a torque with resonance elements whose resonance frequency depends on both the torque and the temperature. In order to determine the torque with high accuracy, the influence of the temperature must be eliminated, whereby additional temperature measurement is necessary. For the temperature measurement by measuring the difference of the frequency of 3 resonances, the associated resonators must have a different temperature response. To achieve this, they must be different in their structure and not just in frequency. This is achieved by using a different cut of the substrate material or by varying the propagation direction within a cut. Thus, EP 1 882 169 B1 uses a 34 ° quartz cut and for the resonances 2 and 3 a propagation direction of -45 ° or 0 to 30 °. As a result, the ratio of the dynamic inductance and the dynamic capacitance of the resonators changes significantly at the same resonant frequency and unchanged resonator design.
  • DE 10 2007 020 176 A1 proposes a measuring system for measuring the temperature in continuous furnaces.
  • a plurality of polling antennas are used to secure the radio transmission in the oven room.
  • the temperature is determined from the temperature-dependent natural frequency of a surface acoustic wave device.
  • the disadvantage here is also the already mentioned above dependence of the accuracy of the measurement of the design of the transmission path.
  • a pressure sensor operating with surface wave components uses the difference frequency of three surface acoustic wave resonators for pressure determination.
  • the invention is based on the object to provide a measuring system that measures the temperature of the loading of a furnace within the oven chamber with little error wirelessly, position-independent and continuously. Description of the invention
  • the invention comprises a measuring system with an interrogation unit outside the furnace chamber, one or more interrogation antennas located in the furnace chamber and at least one passively operated freely movable temperature sensor with sensor antenna having at least one temperature sensor designed as a resonator for wireless measurement of the temperature of the loading of the furnace chamber.
  • the temperature sensor has at least two resonances with different temperature coefficients of the frequency and the resonant elements are to be designed such that their electrical equivalent circuit diagrams differ only slightly from each other.
  • the temperature is not determined by the frequency position of the individual resonances, but by the difference in the frequency of the resonances.
  • the frequency of the individual resonances can now be changed by influences of the transmission path of the radio interrogation (antenna near field effects) or by mismatches between sensor antenna and temperature sensor. However, the change is approximately identical because of the approximately identical electrical equivalent circuit diagram of the resonance elements. The difference frequency of the individual resonances is thus not affected. That measurement signal is stable.
  • the resonance elements are designed so that their resonant frequency in the working temperature range identifies a minimum distance, which allows the resonances to uniquely assign the resonance elements.
  • the temperature coefficients of the resonance frequency of the resonance elements must differ from one another. To one To obtain a clear assignment of the difference frequency to the temperature, the derivative of the difference frequency must not have a zero point after the temperature.
  • the difference between the resonance frequencies over the temperature is linearly increasing or linearly decreasing. This makes it possible to design the measuring system so that the measuring error in the working temperature range is as constant as possible.
  • the achievable measurement accuracy of the system is determined by the quality of the resonance elements. Therefore, it is particularly advantageous to design the resonance elements as surface wave resonators or bulk wave resonators. These working with acoustic waves resonators have a high quality with low heat capacity and low H first 11 costs.
  • a particularly advantageous solution is the design of the resonance elements as surface wave resonators.
  • the resonance elements can be designed to be particularly small and with particularly low heat capacity.
  • the size of the resonators generally decreases with increasing resonance frequency.
  • the demands on process stability increase with increasing frequency and the quality of the Resonance elements decreases.
  • the frequency range at 433.92 MHz represents a particularly favorable compromise.
  • a particularly advantageous solution is to integrate the sensor antenna in the temperature sensor. This allows the temperature sensor designed to be particularly small. Since this solution is generally associated with higher losses in the probe antenna, this solution is particularly advantageous for applications with particularly low range requirements.
  • a number of applications such as the measurement of the temperature profile of food to be cooked in a cooking appliance from the surface of the food to the interior of the food, in which at least two temperature sensors must be included in the temperature sensor for the measurement of the temperature profile. Furthermore, one can further increase the accuracy of the measurement with the integration of further temperature sensors in the temperature sensor and evaluation of the measurement result of all temperature sensors. Therefore, a temperature sensor with more than one temperature sensor is a particularly advantageous embodiment of the invention.
  • the resonance elements of the individual temperature sensors must be designed so that their resonance frequency in the working temperature range identifies a minimum distance, which allows the resonances to uniquely assign the resonance elements ,
  • a measuring system with more than one temperature sensor represents a particularly advantageous embodiment of the invention.
  • the inventive system for wireless measurement of the temperature of the load in an oven comprising: an interrogation unit, one or more interrogation antennas, which are positionable within the oven space, a passively operated temperature sensor with a sensor antenna and at least one designed as a resonator temperature sensor, wherein the temperature sensor is positionable within the furnace chamber, and an evaluation unit, wherein the temperature sensor has at least a first resonant element and a second resonant element, wherein the first resonant element and the second resonant element are formed such that at 20 ° C, the dynamic capacitance of the first resonant element to each differ less than 50% (more preferably 20%, more preferably 15%) from the dynamic capacity of the second resonant element.
  • the dynamic inductance of the first resonant element differs by less than 50% (more preferably 20%, more preferably 15%) from the dynamic inductance of the second resonant element. Furthermore, the dynamic resistance of the first resonant element differs by less than 50% (more preferably 20%, more preferably 15%) from the dynamic resistance of the second resonant element.
  • Dynamic resistance is often also referred to as dynamic loss resistance or as resonance resistance.
  • the evaluation unit is designed to determine the temperature of the loading of the furnace from the difference of the resonance frequency of the first resonance element and the resonance frequency of the second resonance element.
  • each of the dynamic capacity of the first resonant element differs by less than 10% (more preferably 7%, more preferably 4%) from the dynamic capacity of the second resonant element.
  • each of the dynamic inductance of the first resonant element differs by less than 10% (more preferably 7%, more preferably 4%) from the dynamic inductance of the second resonant element.
  • each of the dynamic resistance of the first resonant element differs by less than 10% (more preferably 7%, more preferably 4%) from the dynamic resistance of the second resonant element.
  • the dynamic resistance of the first resonant element differs from the dynamic resistance of the second resonant element.
  • the dynamic inductance of the first differs from the dynamic inductance of the first.
  • the dynamic capacity of the first resonant element differs from that of the dynamic capacitance of the second resonant element. At least one of the dynamic resistance, dynamic inductance, and dynamic capacity parameters of the first resonant element is different from the respective parameter of the second resonant element.
  • the product of the dynamic inductance and the dynamic capacity of the first resonant element in the temperature range between 0 0 C and 250 0 C by at least 0.01% (more preferably 0.05%, more preferably 0.1%) from the product of the dynamic inductance and the dynamic capacity of the second resonant element.
  • the resonant frequency of the first resonant element is different from the resonant frequency of the second resonant element in the (preferably total) range of 20 ° C to 200 ° C.
  • the difference of the resonance frequencies of the resonance elements in the range 20 ° C to 200 ° C is steadily increasing or steadily decreasing.
  • the difference of the resonance frequencies of the resonance elements in the range 20 ° C to 200 ° C is linearly increasing or decreasing linearly.
  • the amount of derivative of the resonant frequency after the temperature of the first resonant element in the entire range of 20 ° C to 200 ° C is greater than the amount of derivative of the resonant frequency after the temperature of the second resonant element.
  • the amount of derivative of the resonant frequency according to the temperature of the first resonant element is preferably in the entire range 20 ° C to 200 ° C less than the amount of derivative of the resonant frequency after the temperature of the second resonant element.
  • the resonance elements are designed as surface acoustic wave resonators or as bulk wave resonators.
  • the resonant elements are formed on a chip or on different chips.
  • the resonance frequencies of the resonance elements in the working temperature range are formed in an ISM band.
  • the resonance frequencies of the resonant elements in the ISM band are formed at 433.92 MHz or in the ISM band at 915 MHz.
  • the sensor antenna is integrated in the temperature sensor or executed separately.
  • more than one temperature sensor is disposed within the temperature sensor.
  • the system according to the invention preferably has more than one temperature sensor.
  • the temperature sensor is permanently fixed to the loading of the furnace.
  • the temperature sensor is reversibly fixed to the loading of the furnace.
  • Fig. 2 Electrical equivalent circuit diagram of the temperature sensor used
  • 3 shows an electrical equivalent circuit diagram of a surface acoustic wave sensor with two resonances for determining the temperature across the difference frequency of the resonances; 4: Frequency response of the surface acoustic wave resonator used as a temperature sensor of a conventional measuring system for wireless passive measurement of the temperature in household appliances, and
  • Fig. 5 Temperature response of two resonance elements with an acoustic
  • FIG. 1 an embodiment of the measuring system according to the invention for wireless position-independent measurement of the temperature of the loading of the furnace with high accuracy by means of passive temperature sensor is shown.
  • the furnace is designed here as an industrial furnace 1.
  • the furnace chamber 11 is closed in the oven operation with the door 12.
  • the interrogation antenna 14 and the wireless temperature sensor 15 of the measuring system are connected to the furnace chamber of the furnace.
  • the workpiece 2 is a load in the furnace chamber of the furnace.
  • the wireless temperature sensor is in thermal contact with the workpiece.
  • the interrogation unit of the measuring system is integrated in the control electronics of the furnace 13.
  • the furnace chamber of the furnace has a connection to a heating and air circulation module 16.
  • the heating and air circulation module is controlled by the control electronics of the furnace so that the temperature of the workpiece passes through a predetermined temperature profile.
  • the current temperature of the workpiece while the temperature profile is driven, as a controlled variable.
  • the current temperature of the workpiece is measured wirelessly using the measuring system according to the invention.
  • RF signals are generated by the interrogation unit and sent via the interrogation antenna 14 to the wireless passive temperature sensor 15.
  • the RF signals are passed on to the temperature sensor via the sensor antenna of the temperature sensor 15.
  • Temperature sensor includes at least 2 resonant elements, which are electrically connected to the antenna antenna. Parts of the interrogation signal are temporarily stored in the resonance elements and radiated again via the sensor antenna.
  • the resonant frequency of the resonant elements is determined.
  • the temperature is determined from the difference of the resonance frequencies of the resonance elements.
  • the resonance elements are designed so that their electrical equivalent circuit diagrams differ only slightly.
  • R m1 , L m i and C m i map the dynamic resistance, the dynamic inductance and the dynamic capacity.
  • C 0 stands for the static capacitance of the resonator.
  • Ro forms the ohmic resistance of the supply line of the resonator.
  • R m i, m i L i and C m are also dependent on temperature because of the dependence of the resonance frequency of the resonator on the temperature. In conventional wireless passive temperature sensors, these surface acoustic wave resonators are switched between antenna and ground.
  • the surface acoustic wave resonator is terminated with the impedance of the antenna.
  • the impedance of the antenna can be changed position-dependent by near-field effects.
  • the resonator is detuned.
  • the resonance frequency changes position-dependent. It creates a measurement error.
  • the electrical equivalent circuit diagram of a sensor operating with surface acoustic waves sensor with 2 resonances for determining the temperature across the difference frequency of the resonances is shown in Fig. 3. Both resonance elements are connected in parallel.
  • R m1 , L m i and C m i map the dynamic resistance, the dynamic inductance and the dynamic capacity of the first resonance element.
  • Rm2, Lm2 and C m 2 are the dynamic resistance, the dynamic inductance and the dynamic capacity of the second resonance element.
  • C 0 stands for the static Capacity of the parallel connection of both resonance elements.
  • Ro maps the ohmic resistance of the supply line to both resonance elements.
  • the resonance frequency of both resonance elements is temperature-dependent. However, the dependence of the resonance frequency on the temperature is different.
  • both R m1 , L m i and C m i and R m2 , L m2 and C m2 are temperature dependent, but with different degrees of temperature dependence.
  • the sensor is electrically connected between the sensor antenna and ground in a wireless passive temperature sensor.
  • Both resonant elements are terminated with the same impedance.
  • a change in the impedance of the antenna occurs in the furnace chamber as a function of the position due to near field effects.
  • Both resonant elements are pulled in frequency.
  • the resonance frequencies change.
  • the change of the resonance frequency depends on the values of the spare elements of the resonance elements.
  • the pulling of the frequency of both resonant elements occurs either towards higher or lower frequencies.
  • the resulting measurement error is generally lower compared to a temperature sensor with only one resonance element.
  • the measurement error tends to zero when the replacement elements R m i, L m i and C m i of the first resonant element and R m 2, L m 2 and C m 2 of the second substitute element differ only slightly according to the invention.
  • R m i, L m i and C m i with R m2 , L m2 and C m 2 can never be, since otherwise the resonance frequencies of resonance element 1 and resonance element 2 would not differ.
  • the different temperature response of the resonance elements 1 and 2 is achieved mainly by the use of different crystal sections, or different propagation directions of a crystal cut. The associated different material parameters of the crystals lead to an increased design effort to design resonance elements with approximately identical replacement elements.
  • fp $ i is the resonant frequency of a first resonant element of a temperature sensor used in the wireless passive temperature sensor in the operating temperature range of the temperature sensor and fR2 the resonant frequency of a second resonant element.
  • the temperature response and the frequency position of the two resonance elements is chosen so that the resonant frequencies of both resonant elements have a minimum distance from each other within all operating temperatures and an unambiguous assignment of the difference frequency of both resonant elements to the temperature of the temperature sensor is possible.
  • the resonance frequencies were chosen so that the resonance frequencies of both resonance elements in the entire operating temperature range within the ISM band at 433.92 MHz.

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Messsystem zur drahtlosen positionsunabhängigen Messung der Temperatur der Beladung des Ofens mit hoher Genauigkeit mittels passiver Temperaturfühler. Das Messsystem zur drahtlosen Messung der Temperatur von Lebensmitteln bzw. Werkstücken in Öfen weist eine außerhalb des Ofenraumes befindliche Abfrageeinheit, eine oder mehrere im Ofenraum befindliche Abfrageantennen und mindestens einen passiv betriebenen, innerhalb des Ofens frei beweglichen Temperaturfühler mit Fühlerantenne und mindestens einen als Resonator ausgebildeten Temperatursensor auf, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperatursensor mindestens 2 Resonanzen mit unterschiedlichem Temperaturkoeffizienten der Frequenz aufweist, wobei die elektrischen Ersatzschaltbilder der Resonanzelemente nur geringfügig voneinander abweichen.

Description

Messsystem zur drahtlosen positionsunabhängigen Messung der Temperatur
Beschreibung
Die Erfindung betrifft ein Messsystem zur drahtlosen positionsunabhängigen Messung der Temperatur der Beladung des Ofens mit hoher Genauigkeit mittels passiver Temperaturfühler. Der Begriff der Beladung des Ofens kann hier sehr weit gefasst werden. Anwendungsbereiche sind industrielle Prozesse, bei denen Werkstücke auf vorgegebene Mindesttemperaturen erwärmt werden müssen, oder ein bestimmtes Temperaturprofil durchlaufen müssen. Als Beispiel können hier Leiterplatten in einem Lötofen dienen. Bei dem Ofen kann es sich jedoch beispielsweise auch um ein Gargerät zum garen von Gargut handeln.
Die genaue Kenntnis der Temperatur der Beladung kann dabei zur Verkürzung der Prozesszeiten, Einsparung von Energie, Voraussage der Prozessdauer, Reduzierung der Wärmebelastung und Optimierung der Temperaturprozesse genutzt werden.
Die Verwendung drahtloser Temperaturfühler mit innerhalb des Ofenraumes positionsunabhängigem Messergebnis erlaubt es daher die Temperatur der Beladung des Ofens, die sich im Allgemeinen bei nicht statischen Wärmeprozessen durch hohe Wärmekapazität der Beladung, oder durch geringe Wärmeleitfähigkeit der Beladung von der Temperatur der Atmosphäre innerhalb des Prozessraumes des Ofens abweicht, zu messen.
Stand der Technik
Zu den bekannten technischen Lösungen zählen Temperaturmesssysteme bei denen die Temperaturfühler mit einem Kabel versehen sind, die mit der Auswerteelektronik des Ofens gekoppelt sind. Die Handhabung der Temperaturfühler mit Kabelanschluss für den Bediener sehr umständlich. Außerdem besteht die Gefahr, dass die Kabelanschlüsse bei höheren Temperaturen leicht beschädigt werden.
Weiterhin sind drahtlose Temperaturfühler bekannt, die über eine aktive Funkverbindung mit der Auswerteelektronik des Ofens kommunizieren. Diese Lösung ist für einen Temperaturbereich bis 125 °C gut geeignet. Bei höheren Temperaturen gibt es erhebliche Probleme mit der aktiven Elektronik des Temperaturfühlers und der Energiequelle. Nachteilig bei dieser Lösung ist weiterhin, dass bei der Verwendung einer Batterie als Energiequelle im Prozess der Ladezustand der Batterie überprüft werden muss. Bei Ofentemperaturen oberhalb 125 °C sind Lösungen bekannt, bei denen die aktive Elektronik und die Energiequelle thermisch isoliert werden. Damit kann jedoch nur für einen begrenzten Zeitraum die Funktion des Temperaturmesssystems garantiert werden. Sie sind nicht für einen kontinuierlichen Einsatz geeignet. Außerdem sind diese Lösungen wegen ihrer Größe in vielen Fällen nicht einsetzbar.
Eine weitere bekannte Lösung ist die Messung der Temperatur der Ladung des Ofens über Infrarotstrahlung. Hier ist eine verlässliche Messung in Abhängigkeit von der Oberflächenbeschaffenheit der Beladung des Ofens nicht immer gegeben. Außerdem lässt sich über Infrarotsensoren halt nur die Temperatur der Oberfläche der Beladung des Ofens messen. Messungen des Profils der Temperatur der Beladung des Ofens von der Oberfläche ins Innere der Beladung sind nicht möglich. Es sind auch Lösungen zur passiven drahtlosen Messung im Ofen bekannt. In der DE 10 2004 047 758 A1 wird eine Temperatursensorvorrichtung zur Messung der Innentemperatur in Gargut vorgeschlagen. Diese Lösung arbeitet mit der mit der Frequenzabhängigkeit der Speicherung von Schwingungsenergie von mindestens 2 Energiespeichern (Resonatoren). Die Differenz der Frequenzabhängigkeit der Speicherung der Schwingungsenergie wird jedoch nicht ausgewertet. Damit ist die Genauigkeit der Messung stark von der Ausgestaltung des Übertragungsweges des Abfragesignals abhängig. Das Messergebnis ist somit positionsabhängig. In der DE 10 2005 015 028 B4 wird ein Verfahren zur Messung der Temperatur in einem Haushaltsgerät vorgeschlagen. Bei dem darin beschriebenen Verfahren wird ebenfalls die Temperaturabhängigkeit der Frequenz eines Oberflachenwellenbauelement.es zur Temperaturmessung benutzt. Nachteilig bei dieser Lösung ist ebenfalls die bereits erwähnte Positionsabhängigkeit des Messergebnisses.
EP 1 882 169 B1 offenbart eine Vorrichtung zur Messung eines Drehmoments mit Resonanzelementen, deren Resonanzfrequenz sowohl vom Drehmoment als auch von der Temperatur abhängt. Um das Drehmoment mit hoher Genauigkeit zu bestimmen, muss der Einfluss der Temperatur eliminiert werden, wodurch zusätzliche eine Temperaturmessung notwendig ist. Für die Temperaturmessung durch Messung der Differenz der Frequenz von 3 Resonanzen müssen die zugehörigen Resonatoren einen unterschiedlichen Temperaturgang aufweisen. Um dies zu erreichen müssen sie sich in Ihrem Aufbau und nicht nur in der Frequenz unterscheiden. Dies wird durch die Verwendung eines anderen Schnittes des Substratmaterials bzw. durch Variation der Ausbreitungsrichtung innerhalb eines Schnittes erreicht. So wird in EP 1 882 169 B1 ein 34° Quarzschnitt und für die Resonanzen 2 und 3 eine Ausbreitungsrichtung von -45° bzw. 0 bis 30° verwendet. Dies führt dazu, dass sich das Verhältnis der dynamischen Induktivität und der dynamischen Kapazität der Resonatoren bei gleicher Resonanzfrequenz und unverändertem Resonatordesign signifikant ändert.
In der DE 10 2007 020 176 A1 wird ein Messsystem zur Messung der Temperatur in Durchlauföfen vorgeschlagen. Dabei werden zur Sicherung der Funkübertragung im Ofenraum mehrere Abfrageantennen verwendet. Auch bei dieser Lösung wird aus der temperaturabhängigen Eigenfrequenz eines Oberflächenwellenbauelementes die Temperatur bestimmt. Nachteilig ist hier ebenfalls die bereits oben erwähnte Abhängigkeit der Genauigkeit der Messung von der Ausgestaltung des Übertragungsweges.
In Buff et al., IEEE Ultasonics Symposiums, 1996, Seite 343 bis 346, wurde auf die Abhängigkeit des Messergebnisses bei der drahtlosen passiven Abfrage von mit Oberflächenwellen arbeitenden Temperaturfühlern vom Abstand der Abfrageantenne zur Sensorantenne hingewiesen. Als Lösung zur Erhöhung der Messgenauigkeit wurde die Messung der Differenzfrequenz zweier Oberflächenwellenbauelemente mit unterschiedlichem Temperaturgang vorgestellt. Ein Parameter wurde eingeführt, der die Verbesserung der Messgenauigkeit beschreibt. Auf die Eigenschaften, die Oberflächenwellenbauelemente haben müssen, um eine starke Verbesserung der Messgenauigkeit zu erreichen, wurde nicht eingegangen.
In WO 03/081195 A1 wird ein mit Oberflächenwellenbauelementen arbeitender Drucksensor vorgestellt. Der Sensor nutzt die Differenzfrequenz dreier Oberflächenwellenresonatoren zur Druckbestimmung. Auf die Parameter, die beim Entwurf der Oberflächenwellenresonatoren berücksichtigt werden müssen um eine möglichst geringe Fehler bei der drahtlosen Abfrage des Sensors bei variierenden Parametern der Übertragungsweges zu erreichen, wird nicht eingegangen.
Bei der drahtlosen Abfrage von passiven Temperaturfühlern im Ofenraum ist die Reduzierung der Messfehler durch Änderungen der Eigenschaften des Übertragungsweges des Abfragesignals besonders kritisch. Es existiert kein Freifeld, in dem sich das Abfragesignal ungestört zwischen Abfrageantenne und Fühlerantenne ausbreiten kann. Nahfeldeffekte, verursacht durch die Abfrageantenne, die Begrenzung des Ofenraumes und die Beladung des Ofens beeinflussen das System Fühlerantenne - Resonator. Die Resonanzfrequenz des Resonators, die nur von der Temperatur des Resonators abhängig sein sollte, wird verändert. Es entstehen Messfehler. Ein von der Position des Temperaturfühlers im Ofenraum unabhängiges Messergebnis wird nicht erreicht.
Aufgabenstellung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde ein Messsystem zu schaffen, das drahtlos, positionsunabhängig und kontinuierlich die Temperatur der Beladung eines Ofens innerhalb des Ofenraumes mit geringem Fehler misst. Beschreibung der Erfindung
Die Aufgabenstellung wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung können den Unteransprüchen entnommen werden.
Die Erfindung umfasst ein Messsystem mit einer Abfrageeinheit außerhalb des Ofenraumes, eine oder mehrere im Ofenraum befindliche Abfrageantennen und mindestens einem passiv betriebenen frei beweglichen Temperaturfühler mit Fühlerantenne mit mindestens einem als Resonator ausgebildeten Temperatursensor zur drahtlosen Messung der Temperatur des Beladung des Ofenraumes.
Es wird vorgeschlagen, dass der Temperatursensor mindestens 2 Resonanzen mit unterschiedlichem Temperaturkoeffizienten der Frequenz aufweist und die Resonanzelemente so auszulegen sind, dass sich deren elektrische Ersatzschaltbilder nur geringfügig voneinander unterscheiden. Dabei wird die Temperatur nicht über die Frequenzlage der einzelnen Resonanzen, sondern über die Differenz der Frequenz der Resonanzen bestimmt. Die Frequenz der einzelnen Resonanzen kann jetzt durch Einflüsse des Übertragungsweges der Funkabfrage (Antennennahfeldeffekte) oder durch Fehlanpassungen zwischen Fühlerantenne und Temperatursensor verändert werden. Die Änderung ist jedoch wegen des annähernd identischen elektrischen Ersatzschaltbildes der Resonanzelemente annähernd identisch. Die Differenzfrequenz der einzelnen Resonanzen wird damit nicht beeinflusst. Dass Messsignal ist stabil.
Die Resonanzelemente sind dabei so auszulegen, dass deren Resonanzfrequenz im Arbeitstemperaturbereich einen Mindestabstand ausweist, der es gestattet die Resonanzen den Resonanzelementen eineindeutig zuzuordnen. Um aus der Differenz der Resonanzfrequenz der Resonanzelemente die Temperatur eindeutig bestimmen zu können müssen sich die Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz der Resonanzelemente voneinander unterscheiden. Um eine eindeutige Zuordnung der Differenzfrequenz zur Temperatur zu erhalten darf die Ableitung der Differenzfrequenz nach der Temperatur keine Nullstelle aufweisen.
Besonders vorteilhaft ist es wenn die Differenz der Resonanzfrequenzen über der Temperatur linear steigend oder linear fallend ausgebildet ist. Dies ermöglicht es dass Messsystem so auszulegen, dass der Messfehler im Arbeitstemperaturbereich möglichst konstant ist.
Die erreichbare Messgenauigkeit des Systems wird von der Güte der Resonanzelemente mit bestimmt. Daher ist es besonders vorteilhaft die Resonanzelemente als Oberflächenwellenresonatoren oder Volumenwellen- Resonatoren auszulegen. Diese mit akustischen Wellen arbeitenden Resonatoren weisen eine hohe Güte bei geringer Wärmekapazität und geringen H erste 11 kosten auf.
Eine besonders vorteilhafte Lösung ist die Auslegung der Resonanzelemente als Oberflächenwellenresonatoren. Bei dieser Lösung können die Resonanzelemente besonders klein und mit besonders geringer Wärmekapazität ausgelegt werden. In diesem Fall kann es vorteilhaft sein, die Resonanzelemente auf einem gemeinsamen Chip auszulegen. Damit wird der Aufbau der Resonatoren vereinfacht. Es kann jedoch auch vorteilhaft sein, die Resonanzelemente auf unterschiedlichen Chips auszulegen. Damit wird der Einsatz unterschiedlicher Waferschnitte bzw. Wafermaterialien zur Prozessierung der Resonanzelemente ermöglicht. Dies kann Vorteile bei der Auslegung des Messsystems und bei den Anforderungen an die Prozessgenauigkeit bei der Prozessierung der Resonanzelemente haben.
Besonders vorteilhaft ist es die Resonanzelemente so auszulegen, dass sie innerhalb eines ISM-Bandes liegen. Dies macht es möglich das Messsystem in Öfen zu integrieren, die nur eine geringe Schirmung der zur Abfrage des Temperaturfühlers verwendeten Funkfrequenzen aufweisen.
Besonders vorteilhaft ist es das Messsystem für den Frequenzbereich des ISM- Bandes bei 433,92 MHz auszulegen. Die Größe der Resonatoren nimmt im Allgemeinen mit zunehmender Resonanzfrequenz ab. Andererseits steigen die Anforderungen an die Prozessstabilität mit steigender Frequenz und die Güte der Resonanzelemente nimmt ab. Der Frequenzbereich bei 433,92 MHz stellt einen besonders günstigen Kompromiss dar.
Besonders vorteilhaft ist ebenfalls das Messsystem für den Frequenzbereich des ISM-Bandes bei 915 MHz auszulegen. Hier sind noch relativ hohe Güten für die Resonanzelemente bei besonders kleiner Bauform der Resonatoren erreichbar.
Eine besonders vorteilhafte Lösung ist es die Fühlerantenne in den Temperatursensor zu integrieren. Dies erlaubt es den Temperaturfühler besonders klein auszulegen. Da diese Lösung im Allgemeinen mit höheren Verlusten in der Fühlerantenne verbunden ist, ist diese Lösung für Anwendungen mit besonders geringen Anforderungen an die Reichweite besonders vorteilhaft.
Eine Reihe von Anwendungsfällen, wie z.B. die Messung des Temperaturprofils von Gargut in einem Gargerät von der Oberfläche des Garguts ins innere des Garguts, bei denen für die Messung des Temperaturprofils mindestens zwei Temperatursensoren im Temperaturfühler enthalten sein müssen. Weiterhin kann man mit der Integration weiterer Temperatursensoren in den Temperaturfühler und Auswertung des Messergebnisses aller Temperatursensoren, die Genauigkeit der Messung weiter erhöhen. Daher stellt ein Temperaturfühler mit mehr als einem Temperatursensor eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung dar. Bei dieser Ausgestaltung der Erfindung müssen die Resonanzelemente der einzelnen Temperatursensoren so ausgelegt werden, dass deren Resonanzfrequenz im Arbeitstemperaturbereich einen Mindestabstand ausweist, der es gestattet die Resonanzen den Resonanzelementen eineindeutig zuzuordnen.
In anderen Anwendungsfällen, wie z.B. der Messung der Temperatur einer Leiterplatte in einem Durchlaufofen, kann es von Vorteil sein, die Temperatur an verschiedenen Stellen der Ladung des Ofens zu messen, oder die Temperatur verschiedener Teile der Ladung des Ofens zu messen. Ein Messsystem mit mehr als einem Temperaturfühler stellt eine besonders vorteilhafte Ausführung der Erfindung dar. Das erfindungsgemäße System zur drahtlosen Messung der Temperatur der Beladung in einem Ofen, weist auf: eine Abfrageeinheit, eine oder mehrere Abfrageantennen, die innerhalb des Ofenraums positionierbar sind, einen passiv betriebener Temperaturfühler mit einer Fühlerantenne und mit mindestens einem als Resonator ausgebildeten Temperatursensor auf, wobei der Temperaturfühler innerhalb des Ofenraums positionierbar ist, und eine Auswerteeinheit, wobei der Temperatursensor mindestens ein erstes Resonanzelement und ein zweites Resonanzelement aufweist, wobei das erste Resonanzelements und das zweite Resonanzelement derart ausgebildet sind, dass sich bei 20 °C die dynamische Kapazität des ersten Resonanzelements um jeweils weniger als 50 % (bevorzugter 20 %, noch bevorzugter 15 %) von der dynamischen Kapazität des zweiten Resonanzelements unterscheiden. Weiterhin unterscheidet sich die dynamische Induktivität des ersten Resonanzelements um jeweils weniger als 50 % (bevorzugter 20 %, noch bevorzugter 15 %) von der dynamischen Induktivität des zweiten Resonanzelements. Weiterhin unterscheidet sich der dynamische Widerstand des ersten Resonanzelements um jeweils weniger als 50 % (bevorzugter 20 %, noch bevorzugter 15 %) vom dynamischen Widerstand des zweiten Resonanzelements.
Die Parameter dynamische Kapazität, dynamischer Widerstand und dynamische Induktivität sind beispielsweise in Bernd Neubig und Wolfgang Briese,„Das Grosse Quarzkochbuch", Franzis-Verlag, 1997, näher definiert. Der dynamische Widerstand wird häufig auch als dynamischer Verlustwiderstand oder als Resonanzwiderstand bezeichnet.
Vorzugsweise ist die Auswerteeinheit ausgebildet, die Temperatur der Beladung des Ofens aus der Differenz der Resonanzfrequenz des ersten Resonanzelements und der Resonanzfrequenz des zweiten Resonanzelements zu bestimmen. Vorzugsweise unterscheidet sich die dynamische Kapazität des ersten Resonanzelements um jeweils weniger als 10 % (bevorzugter 7 %, noch bevorzugter 4 %) von der dynamischen Kapazität des zweiten Resonanzelements. Vorzugsweise unterscheidet sich die dynamische Induktivität des ersten Resonanzelements um jeweils weniger als 10 % (bevorzugter 7 %, noch bevorzugter 4 %) von der dynamischen Induktivität des zweiten Resonanzelements. Vorzugsweise unterscheidet sich der dynamische Widerstand des ersten Resonanzelements um jeweils weniger als 10 % (bevorzugter 7 %, noch bevorzugter 4 %) vom dynamischen Widerstand des zweiten Resonanzelements.
Vorzugsweise unterscheidet sich der dynamische Widerstand des ersten Resonanzelements vom dynamischen Widerstand des zweiten Resonanzelements.
Vorzugsweise unterscheidet sich die dynamische Induktivität des ersten
Resonanzelements von der die dynamische Induktivität des zweiten
Resonanzelements. Vorzugsweise unterscheidet sich die dynamische Kapazität des ersten Resonanzelements von der die dynamische Kapazität des zweiten Resonanzelements. Mindestens ein Parameter von dynamischem Widerstand, dynamischer Induktivität und dynamischer Kapazität des ersten Resonanzelements ist vom jeweiligen Parameter des zweiten Resonanzelements unterschiedlich.
Vorzugsweise unterscheidet sich das Produkt aus der dynamischen Induktivität und der dynamischen Kapazität des ersten Resonanzelements im Temperaturbereich zwischen 0 0C und 250 0C um mindestens 0,01 % (bevorzugter 0,05 %, noch bevorzugter 0,1 %) vom Produkt aus der dynamischen Induktivität und der dynamischen Kapazität des zweiten Resonanzelements.
Vorzugsweise unterscheidet sich die Resonanzfrequenz des ersten Resonanzelements von der Resonanzfrequenz des zweiten Resonanzelements im (vorzugsweise gesamten) Bereich 20 °C bis 200 °C. Vorzugsweise ist die Differenz der Resonanzfrequenzen der Resonanzelemente im Bereich 20 °C bis 200 °C stetig steigend oder stetig fallend. Vorzugsweise ist die Differenz der Resonanzfrequenzen der Resonanzelemente im Bereich 20 °C bis 200 °C linear steigend oder linear fallend. Vorzugsweise ist der Betrag der Ableitung der Resonanzfrequenz nach der Temperatur des ersten Resonanzelements im gesamten Bereich 20 °C bis 200 °C größer als der Betrag der Ableitung der Resonanzfrequenz nach der Temperatur des zweiten Resonanzelements ist. Alternativ ist der Betrag der Ableitung der Resonanzfrequenz nach der Temperatur des ersten Resonanzelements vorzugsweise im gesamten Bereich 20 °C bis 200 °C kleiner als der Betrag der Ableitung der Resonanzfrequenz nach der Temperatur des zweiten Resonanzelements.
Vorzugsweise sind die Resonanzelemente als Oberflächenwellen-Resonatoren oder als Volumenwellen-Resonatoren ausgebildet. Vorzugsweise sind die Resonanzelemente auf einem Chip oder auf unterschiedlichen Chips ausgebildet. Vorzugsweise sind die Resonanzfrequenzen der Resonanzelemente im Arbeitstemperaturbereich in einem ISM-Band ausgebildet. Vorzugsweise sind die Resonanzfrequenzen der Resonanzelemente im ISM-Band bei 433,92 MHz oder im ISM-Band bei 915 MHz ausgebildet. Vorzugsweise ist die Fühlerantenne in den Temperatursensor integriert oder separat ausgeführt. Vorzugsweise ist mehr als ein Temperatursensor innerhalb des Temperaturfühlers angeordnet. Vorzugsweise weist das erfindungsgemäße System mehr als einen Temperaturfühler auf. Vorzugsweise ist der Temperaturfühler an der Beladung des Ofens dauerhaft fixierbar. Vorzugsweise ist der Temperaturfühler an der Beladung des Ofens reversibel fixierbar.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 : Ofen mit Messsystem zur drahtlosen passiven Messung der Temperatur der Beladung des Ofens,
Fig. 2: Elektrisches Ersatzschaltbild des als Temperatursensor eingesetzten
Oberflächenwellen-Resonators eines herkömmlichen Messsystems zur drahtlosen passiven Messung der Temperatur in Haushaltsgeräten,
Fig. 3: Elektrisches Ersatzschaltbild eines mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Sensors mit 2 Resonanzen zur Bestimmung der Temperatur über die Differenzfrequenz der Resonanzen, Fig. 4: Frequenzgang des als Temperatursensor eingesetzten Oberflächenwellen- Resonators eines herkömmlichen Messsystems zur drahtlosen passiven Messung der Temperatur in Haushaltsgeräten, und
Fig. 5: Temperaturgang zweier Resonanzelemente eines mit akustischen
Oberflächenwellen arbeitenden Sensors zur Bestimmung der Temperatur über die Differenzfrequenz der Resonanzen.
In Fig. 1 ist ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Messsystems zur drahtlosen positionsunabhängigen Messung der Temperatur der Beladung des Ofens mit hoher Genauigkeit mittels passiver Temperaturfühler dargestellt. Der Ofen ist hier als Industrieofen 1 ausgebildet. Der Ofenraum 11 wird im Ofenbetrieb mit der Tür 12 verschlossen. Im Ofenraum des Ofens befinden sich die Abfrageantenne 14 und der drahtlose Temperaturfühler 15 des Messsystems. Weiterhin befindet sich ein Werkstück 2 als Beladung im Ofenraum des Ofens. Der drahtlose Temperaturfühler befindet sich in thermischen Kontakt mit dem Werkstück. Die Abfrageeinheit des Messsystems ist in die Steuerelektronik des Ofens 13 integriert. Der Ofenraum des Ofens hat eine Verbindung zu einem Heiz- und Luftumwälzmodul 16. Das Heiz- und Luftumwälzmodul wird über die Steuerelektronik des Ofens so gesteuert, dass die die Temperatur des Werkstücks ein vorgegebenes Temperaturprofil durchfährt. Dabei dient die aktuelle Temperatur des Werkstücks während das Temperaturprofil gefahren wird, als Regelgröße. Die aktuelle Temperatur des Werkstücks wird drahtlos mit Hilfe des erfindungsgemäßen Messsystems gemessen. Dazu werden von der Abfrageeinheit HF-Signale erzeugt und über die Abfrageantenne 14 an den drahtlosen passiven Temperaturfühler 15 gesendet. Die HF-Signale werden über die Fühlerantenne des Temperaturfühlers 15 an den Temperatursensor weiter geleitet. Temperatursensor enthält mindestens 2 Resonanzelemente, die mit der Fühlerantenne elektrisch verbunden sind. Teile des Abfragesignals werden in den Resonanzelementen zwischengespeichert und über die Fühlerantenne wieder abgestrahlt. Nach Abschalten des Abfragesignals können diese gespeicherten Teile mit Hilfe der Anfrageeinheit empfangen und in der Abfrageeinheit ausgewertet werden. Bei der Abfrageprozedur wird die Resonanzfrequenz der Resonanzelemente bestimmt. Die Temperatur wird dabei aus der Differenz der Resonanzfrequenzen der Resonanzelemente bestimmt. Die Resonanzelemente sind so ausgeführt, dass sich ihre elektrischen Ersatzschaltbilder nur geringfügig unterscheiden. Damit hat die Position der Fühlerantenne im Ofenraum über die durch das Werkstück, die Begrenzung des Ofenraums und die Abfrageantenne verursachten Nahfeldeffekte, die die Impedanz der Antenne gegenüber dem Temperatursensor beeinflussen, nur noch geringen Einfluss auf die Differenz der Resonanzfrequenzen der Resonanzelemente.
Das elektrische Ersatzschaltbild des als Temperatursensor eingesetzten Oberflächenwellen-Resonators eines herkömmlichen Messsystems zur drahtlosen passiven Messung der Temperatur in Haushaltsgeräten, ist in Fig. 2 detailliert dargestellt. Rm1, Lmi und Cmi bilden den dynamischen Widerstand, die dynamische Induktivität und die dynamische Kapazität ab. C0 steht für die statische Kapazität des Resonators. Ro bildet den ohmschen Widerstand der Zuleitung des Resonators ab. Rm-i, Lmi und Cmi sind wegen der Abhängigkeit der Resonanzfrequenz des Resonators von der Temperatur ebenfalls temperaturabhängig. In herkömmlichen drahtlosen passiven Temperaturfühlern werden diese Oberflächenwellen- Resonatoren zwischen Antenne und Masse geschaltet. Der Oberflächenwellen- Resonator wird mit der Impedanz der Antenne abgeschlossen. Im Ofenraum kann die Impedanz der Antenne durch Nahfeldeffekte positionsabhängig geändert werden. Der Resonator wird verstimmt. Damit ändert sich die Resonanzfrequenz positionsabhängig. Es entsteht ein Messfehler.
Das elektrische Ersatzschaltbild eines mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Sensors mit 2 Resonanzen zur Bestimmung der Temperatur über die Differenzfrequenz der Resonanzen ist in Fig. 3 dargestellt. Beide Resonanzelemente sind parallel geschaltet. Rm1, Lmi und Cmi bilden den dynamischen Widerstand, die dynamische Induktivität und die dynamische Kapazität des 1. Resonanzelementes ab. Rm2, Lm2 und Cm2 sind der dynamischen Widerstand, die dynamische Induktivität und die dynamische Kapazität des 2. Resonanzelementes. C0 steht für die statische Kapazität der Parallelschaltung beider Resonanzelemente. Ro bildet den ohmschen Widerstand der Zuleitung zu beiden Resonanzelementen ab. Die Resonanzfrequenz beider Resonanzelemente ist temperaturabhängig. Die Abhängigkeit der Resonanzfrequenz von der Temperatur ist jedoch unterschiedlich ausgeprägt. Daher sind sowohl Rm1, Lmi und Cmi als auch Rm2, Lm2 und Cm2 temperaturabhängig, jedoch mit unterschiedlich starker Ausprägung der Temperaturabhängigkeit. Der Sensor wird in einem drahtlosen passiven Temperaturfühler elektrisch zwischen Fühlerantenne und Masse geschaltet. Beide Resonanzelemente sind mit der gleichen Impedanz abgeschlossen. Auch hier tritt im Ofenraum durch Nahfeldeffekte positionsabhängig eine Änderung der Impedanz der Antenne auf. Beide Resonanzelemente werden in der Frequenz gezogen. Die Resonanzfrequenzen ändern sich. Die Änderung der Resonanzfrequenz hängt von den Werten der Ersatzelemente der Resonanzelemente ab. Das ziehen der Frequenz beider Resonanzelemente erfolgt entweder hin zu höheren oder hin zu geringeren Frequenzen. Wird die Temperatur aus der Differenz der Resonanzfrequenzen beider Resonanzelemente bestimmt, ist der entstehende Messfehler gegenüber einem Temperaturfühler mit nur einem Resonanzelement generell geringer. Der Messfehler tendiert gegen Null wenn sich die Ersatzelemente Rmi, Lmi und Cmi des ersten Resonanzelementes und Rm2, Lm2 und Cm2 des zweiten Ersatzelementes wie erfindungsgemäß nur geringfügig unterscheiden. Identisch können Rmi, Lmi und Cmi mit Rm2, Lm2 und Cm2 nie sein, da sich die Resonanzfrequenzen von Resonanzelement 1 und Resonanzelement 2 sonst nicht unterscheiden würden. Der unterschiedliche Temperaturgang der Resonanzelemente 1 und 2 wird hauptsächlich durch die Verwendung unterschiedlicher Kristallschnitte, oder unterschiedlicher Ausbreitungsrichtungen eines Kristallschnittes erreicht. Die damit verbundenen unterschiedlichen Materialparameter der Kristalle führen zu einem erhöhten Entwurfsaufwand um Resonanzelemente mit annähernd identischen Ersatzelementen zu entwerfen.
Der Temperaturgang zweier Resonanzelemente eines mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Sensors zur Bestimmung der Temperatur über die Differenzfrequenz der Resonanzen ist in Fig. 5 dargestellt. Hierbei ist fp$i die Resonanzfrequenz eines ersten Resonanzelementes eines im drahtlosen passiven Temperaturfühler verwendeten Temperatursensors im Arbeitstemperaturbereich des Temperaturfühlers und fR2 die Resonanzfrequenz eines zweiten Resonanzelementes. Der Temperaturgang und die Frequenzlage beider Resonanzelemente ist so gewählt, dass die Resonanzfrequenzen beider Resonanzelemente im bei allen Temperaturen innerhalb des Arbeitstemperaturbereiches einen Mindestabstand zueinander aufweisen und eine eindeutige Zuordnung der Differenzfrequenz beider Resonanzelemente zur Temperatur des Temperatursensors möglich ist. Weiterhin wurden die Resonanzfrequenzen so gewählt, dass die Resonanzfrequenzen beider Resonanzelemente im gesamten Arbeitstemperaturbereich innerhalb des ISM- Bandes bei 433,92 MHz liegen.
Bezugszeichenliste
1 Ofen / Industrieofen
2 Beladung / Werkstück 11 Innenraum / Ofenraum 12 Tür des Ofens
13 Steuerelektronik des Ofens
14 Abfrageantenne
15 Temperaturfühler
16 Heiz- und Luftumwälzmodul

Claims

Patentansprüche
1. System zur drahtlosen Messung der Temperatur der Beladung (2) in einem Ofen (1 ), aufweisend:
eine Abfrageeinheit,
- eine oder mehrere Abfrageantennen (14), die innerhalb des Ofenraums
(11 ) positionierbar sind,
ein passiv betriebener Temperaturfühler (15) mit einer Fühlerantenne und mit mindestens einem als Resonator ausgebildeten Temperatursensor, wobei der Temperaturfühler (15) innerhalb des Ofenraums (11 ) positionierbar ist,
eine Auswerteeinheit,
wobei der Temperatursensor mindestens ein erstes Resonanzelement und ein zweites Resonanzelement aufweist,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Auswerteeinheit ausgebildet ist, die Temperatur der Beladung (2) des
Ofens (1 ) aus der Differenz der Resonanzfrequenz des ersten
Resonanzelements und der Resonanzfrequenz des zweiten Resonanzelements zu bestimmen, wobei
das erste Resonanzelement und das zweite Resonanzelement derart ausgebildet sind, dass sich bei 20 °C der dynamische Widerstand, die dynamische Induktivität und die dynamische Kapazität des ersten Resonanzelements um jeweils weniger als 20 % vom dynamischen Widerstand, der dynamischen Induktivität und der dynamischen Kapazität des zweiten Resonanzelements unterscheiden.
2. System nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass sich die dynamische Kapazität des ersten Resonanzelements um jeweils weniger als 10 % von der dynamischen Kapazität des zweiten Resonanzelements unterscheiden.
3. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich die dynamische Kapazität des ersten Resonanzelements um jeweils weniger als 7% von der dynamischen Kapazität des zweiten Resonanzelements unterscheiden.
4. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich die dynamische Kapazität des ersten Resonanzelements um jeweils weniger als 4% von der dynamischen Kapazität des zweiten Resonanzelements unterscheiden.
5. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich der dynamische Widerstand des ersten Resonanzelements vom dynamischen Widerstand des zweiten Resonanzelements unterscheidet, und/oder sich die dynamische Induktivität des ersten Resonanzelements von der die dynamische Induktivität des zweiten Resonanzelements unterscheidet, und/oder sich die dynamische Kapazität des ersten Resonanzelements von der die dynamische Kapazität des zweiten Resonanzelements unterscheidet.
6. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich das Produkt aus der dynamischen Induktivität und der dynamischen Kapazität des ersten Resonanzelements im Temperaturbereich zwischen 0 °C und 250 °C um mindestens 0,05 % vom Produkt aus der dynamischen
Induktivität und der dynamischen Kapazität des zweiten Resonanzelements unterscheiden.
7. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Resonanzfrequenz des ersten Resonanzelements von der Resonanzfrequenz des zweiten Resonanzelements im gesamten
Temperaturbereich 20 °C bis 200 °C unterscheidet.
8. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Differenz der Resonanzfrequenzen der Resonanzelemente im Bereich 200C bis 2000C stetig steigend oder stetig fallend ist.
9. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Differenz der Resonanzfrequenzen der Resonanzelemente im Bereich 20 °C bis 200 °C linear steigend oder linear fallend ist.
10. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Betrag der Ableitung der Resonanzfrequenz nach der Temperatur des ersten Resonanzelements im gesamten Bereich 20 °C bis 200 °C größer der Betrag der Ableitung der Resonanzfrequenz nach der Temperatur des zweiten Resonanzelements ist.
11. System nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die der Betrag der Ableitung der Resonanzfrequenz nach der Temperatur des ersten Resonanzelements im gesamten Bereich 20 °C bis 200 °C kleiner der Betrag der Ableitung der Resonanzfrequenz nach der Temperatur des zweiten
Resonanzelements ist.
12. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Resonanzelemente als Oberflächenwellen-Resonatoren ausgebildet sind oder dass die Resonanzelemente als Volumenwellen-Resonatoren ausgebildet sind.
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