EP2317533B1 - Micro-commutateur capacitif comportant un drain de charges à base de nanotubes orientés sur l'électrode basse et procédé de fabrication - Google Patents
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- 239000002071 nanotube Substances 0.000 title claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 37
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 5
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000003421 catalytic decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
- H01P1/127—Strip line switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
- H01H2059/0018—Special provisions for avoiding charge trapping, e.g. insulation layer between actuating electrodes being permanently polarised by charge trapping so that actuating or release voltage is altered
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2300/00—Orthogonal indexing scheme relating to electric switches, relays, selectors or emergency protective devices covered by H01H
- H01H2300/036—Application nanoparticles, e.g. nanotubes, integrated in switch components, e.g. contacts, the switch itself being clearly of a different scale, e.g. greater than nanoscale
Definitions
- the field of the invention is that of micro-systems components also called MEMS (acronym for Micro Electro Mechanical Systems) and more particularly microswitches radiofrequency or microwave integrating a deformable membrane under the action of an electrostatic field.
- MEMS Micro Electro Mechanical Systems
- the main application areas are telecommunications systems and radars.
- Micro-system components have been developed for some decades from the technologies implemented for the realization of electronic circuits.
- They generally comprise a membrane or a thin metal beam, held suspended by supports above conductive surfaces insulated from each other.
- a control electrode placed under the conductive surfaces and optionally separated from said conductive surfaces by an insulating layer completes the device.
- the membrane-control electrode assembly is subjected to an electrical voltage by means of the control electrode. In the absence of applied voltage, the membrane is suspended above the conductive surfaces and there is no electrical contact therebetween.
- the microswitches MEMS radiofrequency or microwave in simple switch.
- the direct contact between the membrane and the conductive surfaces or the control electrode significantly reduces the service life of the device.
- a dielectric layer is interposed between the surfaces and the membrane. The simple function is thus transformed into a capacity variation of a capacitor whose armatures consist, on the one hand, of the membrane and, on the other hand, of the control electrode opposite each other. The capacity then varies from a C up value to a C down value.
- the deformable upper membrane is made by depositing one or more layers of materials, at least one of these layers being a conductive material. These materials are those usually used in microelectronics.
- the membrane 11 In the initial position, the membrane 11 is at a distance d with respect to an RF line 12, on which a nitride layer 13 is deposited as illustrated in FIG. figure 1 . Assuming that the RF line is also used as an electrode, both ends of the membrane are grounded as illustrated in FIG. figure 2 .
- the signal passes in the RF line and is short-circuited by the membrane which creates a reflection of the EM wave (microwave signal) on the membrane, the signal does not cross the RF MEMS switch.
- the actuation used for the RF MEMS switch of the figure 3 is an electrostatic actuation performed by applying a potential between the line (low electrode) and the membrane (high electrode).
- Other actuations are conceivable such as thermal, piezoelectric, magnetostatic or hybrid actuations (using two or more of the four aforementioned actuations).
- the type of contact between the membrane and the line is of the capacitive type on the RF MEMS switch of the figure 3 that is, a dielectric layer was deposited on the low electrode.
- the line, the dielectric layer, the air gap and the membrane form a variable capacitance making it possible to let the microwave signal pass or block.
- the second type of possible contact is the ohmic contact (metal-metal) between the membrane and the line.
- the center line is covered with a dielectric at the level of the membrane to prevent there being an ohmic contact and therefore a charge circulation when the membrane is in the low state. This gives the advantage of little or no power consumption to keep the membrane low by using the center line as an actuating electrode.
- the present invention proposes a new type of micro-switch comprising a drain of electrical charges inserted at the level of the dielectric layer covering the RF line.
- the subject of the present invention is a condenser-type electrostatic actuator microswitch composed of two armatures, the first of which is a flexible membrane and the second comprises at least one control electrode, the two armatures being separated by a vacuum thickness. or gas and at least one layer of at least one electrical insulating material located on the control electrode characterized in that it further comprises a charge drain consisting of conducting nanotubes oriented on the surface of said electrode, said drain being covered by said layer of electrical insulating material.
- the orientation of the nanotubes is perpendicular to the surface of said electrode.
- the nanotubes are carbon nanotubes.
- the electrical insulating material is a dielectric.
- the dielectric material is of the Si 3 N 4 or ZrO 2 or PZT type.
- the ratio of the height of the nanotubes to the thickness of the layer of electrical insulating material is close to 0.5.
- the nanotubes are separated from each other by a distance greater than their height, so as to avoid electrical breakdown phenomena.
- the growth of nanotubes oriented on the surface of the electrode comprises the growth of nanotubes oriented on the surface of the electrode by growth or catalytic decomposition of hydrocarbons from catalytic particles of the " CVD “for” Chemical Vapor Deposition “or” PECVD “for” Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ".
- FIG. figure 4 An example of a condenser-type electrostatic actuation microswitch according to the invention is illustrated in FIG. figure 4 .
- RF signal line 42 on the surface of which is developed the drain based on oriented carbon nanotubes 43 and covered with a layer of dielectric material 44.
- a metal membrane upper 45 rests on the surface of pillars 41.
- the membrane may be composed of one or two metal layers that may be, for example, a gold layer (Au) or a two-layer aluminum (Al) structure and a titanium-tungsten alloy (TiW) structure. suspended between the two lines of mass.
- Au gold layer
- Al two-layer aluminum
- TiW titanium-tungsten alloy
- the dielectric layer may be a layer of dielectric material, for example ferromagnetic material that can typically be PZT: Pb (Zr x Ti 1-x ) O 3 .
- the signal line is directly covered by the layer of dielectric material, the latter is subjected to electrical discharges when the membrane reaches its low state due to the high voltage required for actuation and the very small distance that results in the end when the membrane touches the dielectric. This causes a loading of the dielectric as it becomes critical when the accumulated charge is sufficient to permanently retain the membrane in the low state.
- the invention proposes a solution consisting in producing capacitive RF MEMS switches whose dielectric layer consists of two elements: a vertical oriented carbon nanotube forest on which the normally used dielectric layer is deposited for the realization capacitive MEMS switch.
- the mesh of nanotubes is transparent to the operation of the capacitive RF MEMS switch and therefore does not constitute a disruption to the performance of the latter.
- the dielectric layer thus separated in two by an intermediate deposition of nano-structured compounds makes it possible to obtain a conductive middle layer allowing the supply or the evacuation of charge carriers inside the dielectric to avoid that the latter does not charge during the operation of the RF MEMS switch.
- the figure 5 illustrates in more detail the assembly constituted by the drain of nanotubes and dielectric and schematized by arrows the mobility of the charges along the nanotubes.
- the figure 6 illustrates in more detail, the nanotube growth operation at the surface of the RF line consisting of a metal line. It may advantageously be a conventional operation of growth in an electric field from catalytic elements 43c distributed relative to each other on the surface of the lower electrode 42, and put under a hydrocarbon plasma generate the growth of oriented nanotubes 43.
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Contacts (AREA)
- Push-Button Switches (AREA)
Description
- Le domaine de l'invention est celui des composants micro-systèmes encore appelés MEMS (acronyme pour Micro Electro Mechanical Systems) et plus particulièrement des micro-commutateurs radiofréquence ou hyperfréquence intégrant une membrane déformable sous l'action d'un champ électrostatique. Les domaines d'applications principaux sont les systèmes de télécommunications et les radars.
- Les composants micro-systèmes se sont développés depuis quelques dizaines d'années à partir des technologies mises en oeuvre pour la réalisation des circuits électroniques.
- Ils comprennent généralement une membrane ou une poutre métallique de faible épaisseur, maintenue suspendue par des supports au-dessus de surfaces conductrices isolées entre elles. Une électrode de commande placée sous les surfaces conductrices et éventuellement séparée desdites surfaces conductrices par une couche isolante complète le dispositif.
- L'ensemble membrane - électrode de commande est soumis à une tension électrique au moyen de l'électrode de commande. En l'absence de tension appliquée, la membrane est suspendue au-dessus des surfaces conductrices et il n'y a aucun contact électrique entre celles-ci.
- En général, on n'utilise pas les micro-commutateurs MEMS radiofréquence ou hyperfréquence en interrupteur simple. En effet, le contact direct entre la membrane et les surfaces conductrices ou l'électrode de commande diminue notablement la durée de vie du dispositif. On interpose entre les surfaces et la membrane une couche de diélectrique. On transforme ainsi la fonction simple en variation de capacité d'un condensateur dont les armatures sont constituées d'une part de la membrane et d'autre part de l'électrode de commande en regard. La capacité varie alors d'une valeur Cup à une valeur Cdown.
- Les principaux avantages de ce type de dispositif sont essentiellement :
- les techniques de réalisation qui sont dérivées des technologies classiques de fabrication de circuits intégrés électroniques. Elles permettent de simplifier la réalisation et l'intégration et par conséquent, d'obtenir des coûts de fabrication faibles comparés à ceux d'autres technologies, tout en garantissant une fiabilité élevée ;
- les très faibles puissances électriques consommées, quelques microwatts étant nécessaires à l'activation ;
- l'encombrement. On réalise ainsi un micro-commutateur dans une surface de l'ordre du dixième de millimètre carré, permettant d'atteindre une forte capacité d'intégration ;
- les performances hyperfréquence. Ce type de micro-commutateur présente des pertes d'insertion très faibles, de l'ordre du dixième de déciBel, bien inférieures à celles de dispositifs assurant les mêmes fonctions.
- En général, la membrane supérieure déformable est réalisée par dépôt d'une ou plusieurs couches de matériaux, au moins l'une de ces couches étant un matériau conducteur. Ces matériaux sont ceux habituellement utilisés en micro-électronique.
- Il est notamment connu du brevet
US 2006/012940 un micro-commutateur à actuation électrostatique de type condensateur composé de deux armatures dont la première est une membrane flexible et la seconde comporte au moins une électrode de commande, les deux armatures étant séparées par une épaisseur de vide ou de gaz et au moins une couce d'au moins un matériau isolant électrique située sur l'électrode de commande. - Une application particulièrement intéressante de ces microsystèmes réside dans leur utilisation en tant que commutateurs hyperfréquences. Le fonctionnement de ce type de commutateur est notamment illustré en
figure 1, 2 et 3 . - Dans la position initiale, la membrane 11 se trouve à une distance d par rapport à une ligne RF 12, sur laquelle une couche de nitrure 13 est déposée comme illustré en
figure 1 . En supposant que la ligne RF soit également utilisée comme électrode, les deux extrémités de la membrane sont à la masse 14 comme illustré enfigure 2 . - Si on applique une différence de potentiel V entre l'électrode et la membrane, les deux parties sont rapprochées en attirant la membrane vers l'électrode inférieure (la piste RF).
- A une valeur V de la tension, le déplacement de la membrane dépasse le tiers du gap initial. Ainsi la membrane s'effondre sur l'électrode inférieure comme illustré en
figure 3 . Le switch est dit en position basse et cette valeur de tension est dénommée tension d'activation. - Quand la membrane est en position haute, illustrée en
figure 1 , le signal RF passe dans la ligne RF sans être perturbé. - Quand la membrane est en position basse le signal passe dans la ligne RF et est court-circuité par la membrane ce qui crée une réflexion de l'onde EM (signal hyperfréquence) sur la membrane, le signal ne traverse pas le switch MEMS RF.
- L'actionnement utilisé pour le switch MEMS RF de la
figure 3 est un actionnement électrostatique effectué par application d'un potentiel entre la ligne (électrode basse) et la membrane (électrode haute). D'autres actionnements sont envisageables tel que les actionnements thermiques, piézoélectriques, magnétostatiques ou hybrides (utilisant deux ou plus des quatre actionnements précités). - Le type de contact entre la membrane et la ligne est de type capacitif sur le switch MEMS RF de la
figure 3 , c'est à dire que l'on a déposé une couche de diélectrique sur l'électrode basse. La ligne, la couche de diélectrique, le gap d'air et la membrane forment une capacité variable permettant de laisser passer ou de bloquer le signal hyperfréquence. Le second type de contact possible est le contact ohmique (métal-métal) entre la membrane et la ligne. - La ligne centrale est recouverte d'un diélectrique au niveau de la membrane pour éviter qu'il n'y ait un contact ohmic et donc une circulation de charge lorsque la membrane est à l'état bas. Cela donne l'avantage d'une consommation nulle, ou presque, de puissance pour maintenir la membrane à l'état bas en se servant de la ligne centrale comme d'électrode d'actionnement.
- Cette utilisation n'est néanmoins pas sans conséquence sur la durée de vie utile du diélectrique qui au fur et à mesure des utilisations et des actionnements se charge électriquement.
- En effet, lorsque la membrane atteint l'état bas, il se produit un effet de charge capacitive classique dans le diélectrique entre la ligne et la membrane, provoquant un piégeage de charge dans le diélectrique (positive si les électrons sont arrachés du diélectrique, négative si les électrons sont emprisonné dans le diélectrique).
- Au fur et à mesure que le diélectrique se charge, les performances du switch sont altérées. Cela a pour effet final et irréversible de conduire à une membrane restant collée par force électrostatique au diélectrique, bloquant le Switch MEMS RF à l'état bas de manière définitive ce qui signifie la « mort » de ce switch MEMS RF.
- Pour résoudre ce problème la présente invention propose un nouveau type de micro-commutateur comprenant un drain de charges électriques inséré au niveau de la couche diélectrique recouvrant la ligne RF.
- Plus précisément la présente invention a pour objet un micro-commutateur à actuation électrostatique de type condensateur composé de deux armatures dont la première est une membrane flexible et la seconde comporte au moins une électrode de commande, les deux armatures étant séparées par une épaisseur de vide ou de gaz et au moins une couche d'au moins un matériau isolant électrique située sur l'électrode de commande caractérisé en ce qu'il comporte en outre un drain de charges constitué de nanotubes conducteurs orientés à la surface de ladite électrode, ledit drain étant recouvert par ladite couche de matériau isolant électrique.
- Avantageusement, l'orientation des nanotubes est perpendiculaire à la surface de ladite électrode.
- Selon une variante de l'invention, les nanotubes sont des nanotubes de carbone.
- Selon une variante de l'invention, le matériau isolant électrique est un diélectrique.
- Selon une variante de l'invention, le matériau diélectrique est de type Si3N4 ou ZrO2 ou PZT.
- Selon une variante de l'invention, le rapport de la hauteur des nanotubes sur l'épaisseur de la couche de matériau isolant électrique est voisin de à 0,5.
- Selon une variante de l'invention, les nanotubes sont séparés entre eux d'une distance supérieure à leur hauteur, de manière à éviter des phénomènes de claquage électrique.
- L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication d'un micro-commutateur selon l'invention, caractérisé en ce qu'il comporte
- la croissance de nanotubes orientés à la surface de l'électrode ;
- le dépôt d'une couche de matériau isolant électrique à la surface de l'électrode recouverte du drain constitué par les nanotubes.
- Selon une variante de l'invention, la croissance de nanotubes orientés à la surface de l'électrode comprend la croissance de nanotubes orientés à la surface de l'électrode par croissance ou décomposition catalytique d'hydrocarbures à partir de particules catalytiques de type méthode « CVD » pour « Chemical Vapor Deposition » ou de type « PECVD » pour « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ».
- L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de ma description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles :
- les
figures 1, 2 et 3 illustrent le fonctionnement et la structure d'un exemple de MEMS de type micro-commutateur RF selon l'art connu ; - la
figure 4 illustre une vue en coupe détaillée du switch MEMS RF capacitif de type shunt selon l'invention ; - la
figure 5 illustre une vue détaillée du diélectrique sous la membrane du switch MEMS RF comportant un drain de nanotubes de carbone ; - la
figure 6 illustre une étape d'élaboration de drain à partir de la croissance de nanotubes dans un procédé de fabrication d'un micro-commutateur selon l'invention. - Un exemple de micro-commutateur à actuation électrostatique de type condensateur selon l'invention est illustré en
figure 4 . - II comporte, élaborée à la surface d'un substrat 40, une ligne signal RF 42, à la surface de laquelle est élaboré le drain à base de nanotubes de carbone 43 orientés et recouvert d'une couche de matériau diélectrique 44. Une membrane métallique supérieure 45 repose à la surface de piliers 41.
- Typiquement, la membrane peut être composée d'une ou deux couches métalliques pouvant être par exemple une couche d'or (Au) ou une structure bi-couche d'aluminium (AI) et d'alliage de titane et de tungstène (TiW) suspendu entre les deux lignes de masse.
- Typiquement, la couche de diélectrique peut être une couche de matériau diélectrique par exemple en matériau ferromagnétique pouvant typiquement être en PZT : Pb(ZrxTi1-x)O3.
- Alors que selon l'art antérieur, la ligne signal est directement recouverte par la couche de matériau diélectrique, ce dernier est soumis à des décharges électriques lorsque la membrane atteint son état bas du fait de la forte tension nécessaire à l'actionnement et de la très petite distance qui résulte à la fin lorsque la membrane touche le diélectrique. Cela entraîne un chargement du diélectrique au fur et à mesure qui devient critique lorsque la charge accumulée est suffisante pour retenir la membrane à l'état bas de manière définitive.
- Ainsi, l'invention propose une solution consistant à réaliser des switchs MEMS RF capacitifs dont la couche de diélectrique est constituée de deux éléments : une forêt de nanotubes de carbones orientés, verticaux sur laquelle on vient déposer la couche de diélectrique normalement usitée pour la réalisation de switch MEMS capacitifs.
- Ceci permet une réduction conséquente du chargement du diélectrique en créant des chemins de conduction évacuant le surplus ou bien comblant les déficiences en électrons entraînant de manière directe, une augmentation de la durée de vie du switch MEMS RF capacitif, de manière significative.
- Par ailleurs, le maillage de nanotubes est transparent au fonctionnement du switch MEMS RF capacitif et donc ne constitue pas une perturbation pour les performances de ce dernier.
- Plus précisément, la couche de diélectrique ainsi séparée en deux par un dépôt intermédiaire de composés nano-structurés permet d'obtenir une couche médiane conductrice permettant l'apport ou bien l'évacuation de porteurs de charge à l'intérieur du diélectrique pour éviter que ce dernier ne se charge lors du fonctionnement du switch MEMS RF.
- Cela a pour effet d'augmenter la durée de vie en nombre de cycle de ces switchs MEMS RF.
- On sait de manière détaillée que les charges de la partie supérieure du diélectrique sont rapidement emprisonnées mais très lentement libérées contrairement à celle de la partie inférieure du diélectrique en contact avec une couche métallique.
- La
figure 5 illustre plus en détails l'ensemble constitué par le drain de nanotubes et de diélectrique et schématise par des flèches la mobilité des charges le long des nanotubes. - L'intérêt d'intégrer des nanotubes dans le diélectrique et de pouvoir « drainer » ces charges de la partie supérieure du diélectrique vers la partie inférieur en contact avec une surface métallique. Cela permet de libérer les charges ainsi emprisonnées plus facilement et donc augmenter la durée de vie des switchs.
- La conductivité induite par la présence de ces nanotubes reste négligeable et ne perturbe pas le fonctionnement des switchs MEMS RF.
- La
figure 6 illustre plus en détails, l'opération de croissance des nanotubes à la surface de la ligne RF constituée d'une ligne métallique. II peut avantageusement s'agir d'une opération classique de croissance sous champ électrique à partir d'éléments de catalyse 43c répartis les uns par rapport aux autres à la surface de l'électrode inférieure 42, et mis sous un plasma d'hydrocarbures génèrent la croissance de nanotubes orientés 43.
Claims (8)
- Micro-commutateur à actuation électrostatique de type condensateur composé de deux armatures dont la première est une membrane flexible (45) et la seconde comporte au moins une électrode de commande (42), les deux armatures étant séparées par une épaisseur de vide ou de gaz et au moins une couche d'au moins un matériau isolant électrique (44) située sur l'électrode de commande caractérisé en ce qu'il comporte en outre un drain de charges (43) constitué de nanotubes conducteurs orientés à la surface de ladite électrode, ledit drain étant enrobé par ladite couche de matériau isolant électrique.
- Micro-commutateur à actuation électrostatique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les nanotubes sont des nanotubes de carbone.
- Micro-commutateur à actuation électrostatique selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le matériau isolant électrique est un matériau diélectrique.
- Micro-commutateur à actuation électrostatique selon la revendication 3, caractérisé en ce que le matériau diélectrique est de type Si3N4 ou Zr02 ou PZT.
- Micro-commutateur selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le rapport de la hauteur des nanotubes sur l'épaisseur de la couche de matériau isolant électrique est voisin de à 0,5.
- Micro-commutateur à actuation électrostatique selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les nanotubes sont séparés entre eux d'une distance supérieure à leur hauteur, de manière à éviter des phénomènes de claquage électrique.
- Procédé de fabrication d'un micro-commutateur selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comporte- la croissance de nanotubes orientés à la surface de l'électrode ;- le dépôt d'une couche de matériau isolant électrique à la surface de l'électrode recouverte du drain constitué par les nanotubes.
- Procédé de fabrication d'un micro-commutateur selon la revendication 7, caractérisé en ce que la croissance de nanotubes orientés à la surface de l'électrode comprend la croissance par la décomposition catalytique d'hydrocarbures à partir de particules catalytiques.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0905260A FR2952048B1 (fr) | 2009-11-03 | 2009-11-03 | Micro-commutateur capacitif comportant un drain de charges a base de nanotubes orientes sur l'electrode basse et procede de fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP2317533A1 EP2317533A1 (fr) | 2011-05-04 |
EP2317533B1 true EP2317533B1 (fr) | 2014-01-22 |
Family
ID=42261868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP10189620.7A Active EP2317533B1 (fr) | 2009-11-03 | 2010-11-02 | Micro-commutateur capacitif comportant un drain de charges à base de nanotubes orientés sur l'électrode basse et procédé de fabrication |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8497751B2 (fr) |
EP (1) | EP2317533B1 (fr) |
FR (1) | FR2952048B1 (fr) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010144051A1 (fr) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | Agency For Science, Technology And Research | Dispositif à microsystème électromécanique (mems), procédé pour son utilisation et procédé pour sa formation |
FR2978135A1 (fr) * | 2011-07-20 | 2013-01-25 | Thales Sa | Composant mems-rf a materiau piezoelectrique electrostrictif |
WO2013033722A1 (fr) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Cavendish Kinetics, Inc | Pieds fusionnés et ancrage semi-flexible pour dispositif mems |
FR2986912B1 (fr) * | 2012-02-09 | 2014-03-28 | Thales Sa | Microcommutateur hyperfrequences et son procede de fabrication |
US11962214B2 (en) * | 2019-05-28 | 2024-04-16 | B&R Industrial Automation GmbH | Transport device |
FR3107372B1 (fr) * | 2020-02-14 | 2022-02-04 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif capacitif |
CN114019523B (zh) * | 2021-11-04 | 2022-05-17 | 中国水利水电第十二工程局有限公司 | 一种水利工程监理用测距装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2841389B1 (fr) * | 2002-06-21 | 2004-09-24 | Thales Sa | Cellule dephaseuse pour reseau reflecteur d'antenne |
FR2845075B1 (fr) * | 2002-09-27 | 2005-08-05 | Thales Sa | Microcommutateurs a actuation electrostatique a faible temps de reponse et commutation de puissance et procede de realisation associe |
KR100761476B1 (ko) * | 2004-07-13 | 2007-09-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체를 이용한 멤스 rf-스위치 |
KR100653083B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | Rf 스위치 |
JP4405427B2 (ja) * | 2005-05-10 | 2010-01-27 | 株式会社東芝 | スイッチング素子 |
FR2901917B1 (fr) * | 2006-05-31 | 2008-12-19 | Thales Sa | Circulateur radiofrequence ou hyperfrequence |
FR2901781B1 (fr) * | 2006-05-31 | 2008-07-04 | Thales Sa | Structure de micro-commutateurs radiofrequence ou hyperfrequence et procede de fabrication d'une telle structure |
FR2906062B1 (fr) * | 2006-09-15 | 2010-01-15 | Thales Sa | Systeme anti-intrusion pour la protection de composants electroniques. |
FR2930374B1 (fr) * | 2008-04-18 | 2011-08-26 | Thales Sa | Circulateur radiofrequence a base de mems. |
US8350160B2 (en) * | 2008-08-25 | 2013-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Structure, electronic device, and method for fabricating a structure |
JPWO2010050277A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | 日本電気株式会社 | 容量可変素子及びその製造方法 |
FR2940503B1 (fr) * | 2008-12-23 | 2011-03-04 | Thales Sa | Condensateur commute compact mems |
CN103026519A (zh) * | 2010-06-02 | 2013-04-03 | 印度科学院 | 使用基于碳纳米管(cnt)的电极的能量收集设备 |
-
2009
- 2009-11-03 FR FR0905260A patent/FR2952048B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-02 US US12/938,088 patent/US8497751B2/en active Active
- 2010-11-02 EP EP10189620.7A patent/EP2317533B1/fr active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110100793A1 (en) | 2011-05-05 |
US8497751B2 (en) | 2013-07-30 |
FR2952048B1 (fr) | 2011-11-18 |
EP2317533A1 (fr) | 2011-05-04 |
FR2952048A1 (fr) | 2011-05-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PUAI | Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR |
|
AX | Request for extension of the european patent |
Extension state: BA ME |
|
17P | Request for examination filed |
Effective date: 20111012 |
|
GRAP | Despatch of communication of intention to grant a patent |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1 |
|
INTG | Intention to grant announced |
Effective date: 20130829 |
|
GRAS | Grant fee paid |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3 |
|
GRAA | (expected) grant |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: B1 Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: GB Ref legal event code: FG4D Free format text: NOT ENGLISH |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: CH Ref legal event code: EP |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: AT Ref legal event code: REF Ref document number: 651120 Country of ref document: AT Kind code of ref document: T Effective date: 20140215 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: IE Ref legal event code: FG4D Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: FRENCH |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: R096 Ref document number: 602010013253 Country of ref document: DE Effective date: 20140306 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: NL Ref legal event code: T3 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: AT Ref legal event code: MK05 Ref document number: 651120 Country of ref document: AT Kind code of ref document: T Effective date: 20140122 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: LT Ref legal event code: MG4D |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: IS Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140522 Ref country code: LT Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: NO Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140422 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: SE Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: FI Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: AT Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: ES Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: PT Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140522 Ref country code: CY Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: LV Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: HR Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: RS Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: R097 Ref document number: 602010013253 Country of ref document: DE |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: CZ Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: RO Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: DK Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: EE Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: PL Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: SK Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 |
|
PLBE | No opposition filed within time limit |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261 |
|
STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT |
|
26N | No opposition filed |
Effective date: 20141023 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: R097 Ref document number: 602010013253 Country of ref document: DE Effective date: 20141023 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: SI Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: LU Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20141102 Ref country code: MC Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 Ref country code: BE Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20141130 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: CH Ref legal event code: PL |
|
GBPC | Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee |
Effective date: 20141102 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: LI Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20141130 Ref country code: CH Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20141130 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: IE Ref legal event code: MM4A |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: FR Ref legal event code: PLFP Year of fee payment: 6 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: IE Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20141102 Ref country code: GB Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20141102 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: SM Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: GR Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140423 Ref country code: BG Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20140122 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
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|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: FR Ref legal event code: PLFP Year of fee payment: 7 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: FR Ref legal event code: PLFP Year of fee payment: 8 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
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|
REG | Reference to a national code |
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PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
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PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
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PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
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