EP2104006A1 - Double spiral monobloc et son procédé de fabrication - Google Patents

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EP2104006A1
EP2104006A1 EP08153094A EP08153094A EP2104006A1 EP 2104006 A1 EP2104006 A1 EP 2104006A1 EP 08153094 A EP08153094 A EP 08153094A EP 08153094 A EP08153094 A EP 08153094A EP 2104006 A1 EP2104006 A1 EP 2104006A1
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EP
European Patent Office
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spiral
double
silicon
double spiral
layer
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EP08153094A
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German (de)
English (en)
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EP2104006B1 (fr
Inventor
Pierre-André Bühler
Marco Verardo
Thierry Conus
Jean-Philippe Thiébaud
Jean-Bernard Peters
Pierre Cusin
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Nivarox Far SA
Nivarox SA
Original Assignee
Nivarox Far SA
Nivarox SA
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Publication date
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Priority to DE602008001778T priority patent/DE602008001778D1/de
Priority to SG200901887-0A priority patent/SG155864A1/en
Priority to CN2009101346805A priority patent/CN101539754B/zh
Priority to US12/408,130 priority patent/US9459589B2/en
Priority to TW098109210A priority patent/TWI463280B/zh
Priority to KR1020090023836A priority patent/KR20090101118A/ko
Priority to JP2009069979A priority patent/JP5280903B2/ja
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    • G04BMECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
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    • G04B17/04Oscillators acting by spring tension
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    • G04B17/066Manufacture of the spiral spring
    • GPHYSICS
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    • G04B17/00Mechanisms for stabilising frequency
    • G04B17/32Component parts or constructional details, e.g. collet, stud, virole or piton
    • G04B17/34Component parts or constructional details, e.g. collet, stud, virole or piton for fastening the hairspring onto the balance
    • GPHYSICS
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    • G04DAPPARATUS OR TOOLS SPECIALLY DESIGNED FOR MAKING OR MAINTAINING CLOCKS OR WATCHES
    • G04D3/00Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials
    • G04D3/0002Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials for mechanical working other than with a lathe
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    • G04D3/0041Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials for mechanical working other than with a lathe for components of the regulating mechanism for coil-springs
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49609Spring making

Definitions

  • the invention relates to a double spiral and its method of manufacture and, more particularly, to a double spiral formed in one piece.
  • the regulating member of a timepiece generally comprises an inertia flywheel called a balance wheel and a resonator called a spiral. These pieces are decisive for the running quality of the timepiece. Indeed, they regulate the movement, that is to say that they control the frequency of the movement.
  • the object of the present invention is to overcome all or part of the aforementioned drawbacks by proposing a double monoblock spiral whose thermo-elastic coefficient can be adjusted and which is obtained by means of a manufacturing process which minimizes the difficulties of 'assembly.
  • the invention relates to a double spiral comprising, made in a layer of silicon-based material, a first spiral spring mounted coaxially on a ferrule, the ferrule having an extension portion projecting from said spiral spring. and which is made in a second layer of silicon-based material characterized in said extending portion is extended in a third layer of silicon-based material coaxially with a second coil spring to form a double monoblock spiral made of silicon-based materials.
  • the invention relates to a timepiece characterized in that it comprises a double spiral according to one of the preceding variants.
  • Process 1 comprises successive steps intended to form at least one type of double monobloc spiral which can be integrally formed of silicon-based materials.
  • the first step 100 is to provide a substrate 3 of the silicon-on-insulator type (also known as the acronym English SOI).
  • the substrate 3 comprises an upper layer 5 and a lower layer 7 each composed of silicon-based material.
  • the substrate 3 is chosen so that the height of the lower layer 7 corresponds to the height of a portion of the final double spiral 21.
  • the upper layer 5 is used as spacing means with respect to the lower layer 7. Consequently, the height of the upper layer 5 will be adapted according to the configuration of the double spiral 21. According to said configuration, the thickness of the upper layer 5 can oscillate, for example, between 10 and 200 microns.
  • cavities 8 and 10 are selectively etched, for example by a deep reactive ion etching process (also known as DRIE), in the upper layer 5 of silicon-based material.
  • DRIE deep reactive ion etching process
  • these cavities 8 and 10 make it possible to form a pattern 9 defining the inner and outer contours of a portion of the ferrule made of silicon material of the double spiral.
  • the pattern 9 forms the middle part of the ferrule 27 of the double spiral 21.
  • the pattern 9 is substantially circular cylinder-shaped, however, advantageously according to the method 1, the etching on the upper layer 5 leaves no freedom as to the geometry of the pattern 9.
  • it may not necessarily be circular but, for example, elliptical and / or comprise a non-circular inner diameter.
  • a third step 102 an additional layer 11 of silicon-based material is added to the substrate 3.
  • the additional layer 11 is fixed on the upper layer 5 by means of fusion welding of the silicon-based material (also known as acronym SFB). So, step 102 advantageously allows to cover the upper layer 5 by bonding with a very strong adhesion including the upper face of the pattern 9 on the underside of the additional layer 11.
  • the additional layer 11 may, for example, have a thickness similar to that of the lower layer 7.
  • cavities 12 and 14 are selectively etched, for example, by a method of the DRIE type similar to that of step 101, in the additional silicon layer 11. These cavities 12 and 14 make it possible to form two patterns 13 and 15 defining the inner and outer contours of silicon parts of the double spiral 21.
  • the pattern 13 is substantially circular cylinder shaped and the pattern 15 substantially spiral.
  • the etching on the additional layer 11 leaves complete freedom on the geometry of the patterns 13 and 15.
  • the pattern 15 may, for example, have more turns or an open external curve.
  • the pattern 13 made in the additional layer 11 is of similar shape and substantially perpendicular to the pattern 9 made in the upper layer 5.
  • the cavities 10 and 12 respectively forming the inside diameter of the patterns 9 and 13 communicate together and are substantially one above the other.
  • the patterns 13 and 9 respectively form the upper and middle parts of the ferrule 27 of the double spiral 21.
  • At least one material bridge 16 is made in order to maintain the substrate 3 double spiral 21 during its manufacture.
  • a material bridge 16 is left between the outer curve of the pattern 15 and the remainder of the unetched layer 11.
  • the patterns 13 and 15 being etched at the same time, they therefore form a one-piece part in the additional layer 11.
  • the patterns 13 and 15 respectively form the upper part of the ferrule 27 and the first spiral spring 23 of the double spiral 21.
  • the patterns 13 and 15 etched in the additional layer 11 are connected from below the pattern 13, with a very strong adhesion, above the etched pattern 9 of the upper layer 5. and laterally by the outer curve of the pattern 15 to the additional layer 11.
  • the method 1 may comprise a fifth step 104 of oxidizing at least the pattern 15, that is to say the first spiral spring 23 of the double spiral in order to make it more mechanically resistant and to adjust its thermal coefficient. elastic.
  • a fifth step 104 of oxidizing at least the pattern 15, that is to say the first spiral spring 23 of the double spiral in order to make it more mechanically resistant and to adjust its thermal coefficient. elastic.
  • Such an oxidation step is explained in particular in the patent EP 1 422 436 which is incorporated by reference in the present description.
  • the method 1 can comprise three embodiments A, B and C as illustrated in FIG. figure 9 .
  • each of the three embodiments A, B and C ends with the same final step 106 of releasing the double spiral 21 manufactured from the substrate 3.
  • the release step 106 can be simply performed by providing a double spiral force 21 capable of breaking its material bridges 16.
  • This effort can, for example, be generated manually by an operator or by machining.
  • cavities 18 and 20 are selectively etched, for example, by a method of the DRIE type similar to that of the steps 101 and 103, in the lower layer 7 made of silicon-based material. These cavities 18 and 20 make it possible to form two patterns 17 and 19 defining the inner and outer contours of silicon parts of the double spiral 21.
  • the pattern 17 is substantially circular cylinder shaped and the pattern 19 substantially spiral.
  • the etching in the lower layer 7 leaves complete freedom on the geometry of the patterns 17 and 19.
  • the pattern 19 may, for example, have more turns or an open external curve.
  • the pattern 17 made in the lower layer 7 is of similar shape and substantially perpendicular to the pattern 9 made in the upper layer 5.
  • the cavities 18, 10 and 12 respectively forming the inner diameters of the patterns 17, 9 and 13 communicate together and are substantially one above the other.
  • the patterns 13, 9 and 17 form the ferrule 27 in one piece of the double spiral 21.
  • At least a second material bridge 16 is made in order to maintain the substrate 3 double spiral 21 during its manufacture.
  • a material bridge 16 is left between the outer curve of the pattern 19 and the remainder of the unetched layer 7.
  • the patterns 17 and 19 being etched at the same time, they therefore form a single piece in the lower layer 7.
  • the patterns 17 and 19 respectively form the lower part of the ferrule 27 and the second spiral spring 25 of the double spiral 21.
  • a double monoblock spiral 21 integrally formed of silicon-based materials is obtained, as can be seen in FIGS. Figures 10 and 11 . It is therefore understood that there is no longer any problem of assembly because it is directly carried out during the manufacture of the double hairspring 21.
  • the latter comprises a first hairspring 23, a second hairspring 25 which are coaxially connected to the hairspring. one with respect to the other with a single ferrule 27.
  • the ferrule 27 is formed by the three successive patterns 13, 9 and 17 by etching in the respective successive layers 11, 5 and 7. It is thus clear that the median pattern 9 is useful as a spacing means between the first spiral spring 23 and the second spiral spring 25 but also as guiding means of said spiral spring.
  • the thickness of the upper layer 5 it is thus possible, by choosing the thickness of the upper layer 5, to directly define the spacing between the two spiral springs 23 and 25 and the quality of their guidance.
  • the heights of the spiral springs 23, 25 and, incidentally, the upper 13 and lower 17 of the ferrule 27, which are not necessarily equal, can be directly defined by choosing the thicknesses of the additional layers 11 and lower respectively. 7.
  • each spiral spring 23 and 25 may comprise its own number. of turns, its own geometric characteristics close to the ferrule 27, its own winding direction of the turns but also its own curve geometry, especially at its external part.
  • one and / or the other spiral spring 23, 25 may thus comprise an open outer curve to cooperate with a racking system or comprise, on the end of the outer curve, a bead adapted to serve as a fixed attachment point.
  • the ferrule 27 may also comprise dimensions and / or geometries that are uniformly clean or different on at least one of the lower 17, median 9 and / or high 13 portions.
  • the inner diameter may have a complementary shape on all or part of the height of the shell 27.
  • the inner and / or outer diameters are not necessarily circular but, for example, elliptical and / or or polygonal.
  • the spiral springs 23 and 25 have the same height, that is to say are etched in layers 7 and 11 of the same thickness and have the same number of turns. They have their ends of external curve points which are angularly offset with respect to the shell of substantially 180 °. Finally, the winding directions of the turns of the spiral springs 23 and 25 are opposite.
  • the ferrule 27 is uniform over its entire height and is substantially shaped circular section cylinder.
  • each spiral spring 23, 25 could be plumb one of the other which would advantageously, the use of a single pitcher means for the two spiral springs 23 and 25.
  • the very good structural accuracy of a deep reactive ion etching makes it possible to reduce the starting radius of each of the spiral springs 23 and 25, ie the external diameter of the ferrule 27, which allows the miniaturization of the inner and outer diameters of the ferrule 27. It is therefore understood that the double spiral 21 is adapted to receive by its cavities 18, 10 and 12, advantageously, an axis of smaller diameter than is currently manufactured.
  • said axis may be fixed on the inner diameter 18 and / or 10 and / or 12 of the ferrule 27.
  • the clamping may for example be carried out using elastic means etched in the shell 27 of silicon.
  • Such elastic means may, for example, take the form of those disclosed in the Figures 10A to 10E patent EP 1 655 642 or those disclosed in the Figures 1, 3 and 5 patent EP 1 584 994 which patents are incorporated by reference in the present description.
  • the method 1 comprises, after the step 103 or 104, a sixth step 107, as visible in FIG. figure 6 , consisting in implementing a process of the LIGA type (well-known acronym from the German "Röntgenlithographie, Galvanoformung &Abformung").
  • LIGA well-known acronym from the German "Röntgenlithographie, Galvanoformung &Abformung”
  • Such a process comprises a succession of steps making it possible to electrodeposit in a particular form a metal on the lower layer 7 of the substrate 3 with the aid of a photostructured resin.
  • the deposited metal may be, for example, gold or nickel or one of their alloys.
  • step 107 may consist in depositing a cylinder 29.
  • the cylinder 29 is intended to receive, advantageously, by driving an axis.
  • a disadvantage of silicon lies in its very weak elastic and plastic zones which makes it very brittle.
  • the invention therefore proposes to perform the clamping of an axis, for example, balance not against the silicon of the shell 27 but on the inner diameter 28 of the metal cylinder 29 electrodeposited during step 107.
  • the cylinder 29 obtained by electroplating leaves full freedom as to its geometry.
  • the inside diameter 28 is not necessarily circular but, for example, example, polygonal which could improve the transmission of effort in rotation with a corresponding shape axis.
  • a seventh step 108 similar to the step 105 visible at the figure 5 cavities are selectively etched, for example, by a method of the DRIE type, in the lower layer 7 of silicon-based material. These cavities make it possible to form patterns of a second spiral spring and a ferrule similar to the patterns 19 and 17 of the first embodiment A.
  • a double monobloc spiral formed of silicon-based materials with the same advantages as the embodiment A with, in addition, a part 29 of metal. It is therefore understood that there is no problem of assembly because it is directly made during the manufacture of the double spiral.
  • an axis can be driven against the inside diameter 28 of the metal part 29. It is thus possible, preferentially, that the cavities 10 and 12 have sections of larger dimensions than the inside diameter 28 of the metal part. 29 to prevent the axis is in bold contact with the ferrule 27.
  • the method 1 comprises, after the step 103 or 104, in a sixth step 109, as visible at the figure 7 , selectively etching a cavity 30, for example, by a DRIE-type method, to a limited depth in the lower layer 7 of silicon-based material.
  • the cavity 30 makes it possible to form a recess able to serve as a container for a metal part.
  • the cavity 30 obtained may take the form of a disc.
  • the etching on the lower layer 7 leaves all freedom on the geometry of the cavity 30.
  • the method 1 comprises the implementation of a growth-type process galvanic or LIGA type to fill the cavity 30 in a particular metal form.
  • the deposited metal may be, for example, gold or nickel.
  • step 110 may consist in depositing a cylinder 31 in the cavity 30.
  • the cylinder 31 is intended to receive, advantageously, by driving an axis.
  • an advantageous characteristic according to the invention therefore consists in making the clamping of the axis, for example, balance not against the silicon-based material of the shell 27 but on the diameter inside 32 of the metal cylinder 31 electrodeposited during step 110.
  • the cylinder 31 obtained by electroplating leaves full freedom as to its geometry.
  • the inner diameter 32 is not necessarily circular but, for example, polygonal which could improve the transmission of force in rotation with a corresponding shape of the axis.
  • the method 1 may include, in an eighth step 111, polishing the metal deposit 31 made in step 110 to make it plane.
  • a ninth step 112 similar to the step 105 visible at the figure 5 cavities are selectively etched, for example, by a method of the DRIE type, in the lower layer 7 of silicon-based material. These cavities make it possible to form patterns of a second spiral spring and a ferrule similar to the patterns 19 and 17 of the first embodiment A.
  • final double spiral 21 is thus assembled before being structured, that is to say before being etched and / or modified by electroplating.
  • This advantageously makes it possible to minimize the dispersions generated by current assemblies of two spirals and, consequently, improves the accuracy of a regulator member improves the accuracy of a regulator member of which it would be dependent.
  • a metal deposits type of firing insert 29 and / or 31 also or only from the additional layers 11 and / or greater 5.
  • the two spiral springs 23 and 25 are oxidized to make them more mechanically resistant and to adjust their thermoelastic coefficient.
  • a conductive layer is deposited on at least a portion of the double spiral 21 in order to avoid problems of isochronism. Such a layer may be of the type disclosed in the document EP 1 837 722 incorporated by reference in the present description.
  • a polishing step of the type of step 111 can also be carried out between step 107 and step 108 as visible in dashed lines at the figure 9 .

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Abstract

L'invention se rapporte à un spiral double (21) comportant, réalisés dans une couche de matériau à base de silicium (11), un premier ressort-spiral (23) monté coaxialement sur une virole (13, 27), la virole (13, 27) comportant une partie (9) en prolongement faisant saillie dudit ressort-spiral et qui est réalisée dans une deuxième couche (5) de matériau à base de silicium. Selon l'invention, ladite partie en prolongement est prolongée (17) dans une troisième couche (7) de matériau à base de silicium de manière coaxiale avec un deuxième ressort-spiral (25) afin de former un spiral double (21) monobloc en matériaux à base de silicium. L'invention se rapporte également à une pièce d'horlogerie comportant un tel spiral et à son procédé de fabrication. L'invention concerne le domaine des mouvements horlogers.

Description

    DOMAINE DE L'INVENTION
  • L'invention se rapporte à un double spiral et son procédé de fabrication et, plus particulièrement, à un double spiral formé en une seule pièce.
  • ARRIERE PLAN DE L'INVENTION
  • L'organe régulateur d'une pièce d'horlogerie comporte généralement un volant d'inertie appelé balancier et un résonateur appelé spiral. Ces pièces sont déterminantes pour la qualité de marche de la pièce d'horlogerie. En effet, ils régulent le mouvement, c'est-à-dire qu'ils contrôlent la fréquence du mouvement.
  • Dans le cas d'un spiral double, des matériaux ont bien été testés notamment afin de limiter l'influence d'un changement de température sur l'organe régulateur dans lequel il est intégré sans que les difficultés d'assemblage ou de mise au point en résonance ne disparaissent.
  • RESUME DE L'INVENTION
  • Le but de la présente invention est de pallier tout ou partie les inconvénients cités précédemment en proposant un spiral double monobloc dont le coefficient thermo-élastique peut être ajusté et qui est obtenu à l'aide d'un procédé de fabrication qui minimise les difficultés d'assemblage.
  • A cet effet, l'invention se rapporte à un spiral double comportant, réalisés dans une couche de matériau à base de silicium, un premier ressort-spiral monté coaxialement sur une virole, la virole comportant une partie en prolongement faisant saillie dudit ressort-spiral et qui est réalisée dans une deuxième couche de matériau à base de silicium caractérisé en ce que ladite partie en prolongement est prolongée dans une troisième couche de matériau à base de silicium de manière coaxiale avec un deuxième ressort-spiral afin de former un spiral double monobloc en matériaux à base de silicium.
  • Conformément à d'autres caractéristiques avantageuses de l'invention :
    • la virole comporte sensiblement la même section dans chacune desdites couches afin de faciliter la mise au point dudit spiral double ;
    • la virole comporte sensiblement une section différente sur au moins une des couches ;
    • les ressort-spiraux comportent des spires s'enroulant selon le même sens ou pas ;
    • les extrémités des courbes externes de chacun des ressort-spiraux sont à l'aplomb l'une par rapport à l'autre afin d'autoriser l'utilisation d'un moyen de pitonnage unique dudit spiral double ;
    • les ressort-spiraux comportent une même raideur angulaire ou pas ;
    • au moins un des ressort-spiraux comporte au moins une partie en dioxyde de silicium afin de le rendre plus résistant mécaniquement et d'ajuster son coefficient thermo-élastique
    • la spire interne d'au moins un des ressort-spiraux comporte une courbe du type Grossmann afin d'améliorer la concentricité du développement dudit spiral
    • la virole comporte une partie en métal destinée à recevoir par chassage un axe.
  • Plus généralement, l'invention se rapporte à une pièce d'horlogerie caractérisée en ce qu'elle comporte un spiral double selon l'une des variantes précédentes.
  • Enfin l'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un spiral double d'un spiral double comportant les étapes suivantes :
    1. a) se munir d'un substrat comportant une couche supérieure et une couche inférieure en matériaux à base de silicium ;
    2. b) graver sélectivement au moins une cavité dans la couche supérieure pour définir le motif d'une première partie d'une virole en matériau à base de silicium dudit spiral double;
    3. c) solidariser, sur la couche supérieure gravée du substrat, une couche supplémentaire de matériau à base de silicium;
    4. d) graver sélectivement au moins une cavité dans la couche supplémentaire pour continuer le motif de la virole et définir le motif d'un premier ressort-spiral en matériau à base de silicium dudit spiral double ;
      caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes suivantes :
    5. e) graver sélectivement au moins une cavité dans la couche inférieure pour continuer le motif de la virole et définir le motif d'un deuxième ressort-spiral en matériau à base de silicium dudit spiral double ;
    6. f) libérer le spiral double du substrat..
  • Conformément à d'autres caractéristiques avantageuses de l'invention :
    • après l'étape d), il comporte l'étape g) : oxyder le premier ressort-spiral en matériau à base de silicium afin de le rendre plus résistant mécaniquement et d'ajuster son coefficient thermo-élastique ;
    • après l'étape e), il comporte l'étape g') : oxyder le deuxième ressort-spiral en matériau à base de silicium afin de le rendre plus résistant mécaniquement et d'ajuster son coefficient thermo-élastique ;
    • avant l'étape e), il comporte l'étape h) : déposer sélectivement au moins une couche de métal sur la couche inférieure pour définir le motif d'une partie métallique sur la virole ;
    • l'étape h) comporte l'étape i) : faire croître ledit dépôt par couches successives métalliques au moins partiellement sur la surface de la couche inférieure afin de former la partie métallique destinée à recevoir par chassage un axe ;
    • l'étape h) comporte les étapes j) : graver sélectivement au moins une cavité dans la couche inférieure destinée à recevoir la partie métallique et k) : faire croître ledit dépôt par couches successives métalliques au moins partiellement dans ladite au moins une cavité afin de former la partie métallique destinée à recevoir par chassage un axe ;
    • l'étape h) comporte une dernière étape I) : polir le dépôt métallique ;
    • plusieurs spiraux double sont réalisés sur un même substrat ce qui permet la fabrication en série.
    DESCRIPTION SOMMAIRE DES DESSINS
  • D'autres particularités et avantages ressortiront clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels :
    • les figures 1 à 5 représentent des vues successives du procédé de fabrication selon l'invention ;
    • les figures 6 à 8 représentent des vues des étapes successives de modes de réalisation alternatifs ;
    • la figure 9 représente un schéma fonctionnel du procédé selon l'invention ;
    • les figures 10 et 11 sont des représentations en perspective d'un spiral double monobloc selon un premier mode de réalisation.
    DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES
  • L'invention se rapporte à un procédé généralement annoté 1 destiné à fabriquer un spiral double 21 pour un mouvement de pièce d'horlogerie. Comme illustré aux figures 1 à 9, le procédé 1 comporte des étapes successives destinées à former au moins un type de spiral double monobloc qui peut être formé intégralement en matériaux à base de silicium.
  • En référence aux figures 1 et 9, la première étape 100 consiste à se munir d'un substrat 3 du type silicium sur isolant (également connu sous l'acronyme anglais SOI). Le substrat 3 comporte une couche supérieure 5 et une couche inférieure 7 composées chacune de matériau à base de silicium.
  • Préférentiellement dans cette étape 100, le substrat 3 est choisi afin que la hauteur de la couche inférieure 7 corresponde à la hauteur d'une partie du spiral double final 21.
  • Préférentiellement, la couche supérieure 5 est utilisée comme moyen d'espacement par rapport à la couche inférieure 7. Par conséquent, la hauteur de la couche supérieure 5 sera adaptée en fonction de la configuration du spiral double 21. Selon ladite configuration, l'épaisseur de la couche supérieure 5 peut ainsi osciller, par exemple, entre 10 et 200 µm.
  • Dans une deuxième étape 101, comme visible à la figure 2, des cavités 8 et 10 sont sélectivement gravées, par exemple par un procédé de gravure ionique réactive profonde (également connu sous l'acronyme anglais DRIE), dans la couche supérieure 5 en matériau à base de silicium. Préférentiellement, ces cavités 8 et 10 permettent de former un motif 9 définissants les contours intérieur et extérieur d'une partie de la virole en matériau à base de silicium du spiral double.
  • Dans l'exemple illustré aux figures 10 et 11, le motif 9 forme la partie médiane de la virole 27 du spiral double 21. Comme illustré à la figure 2, le motif 9 est sensiblement en forme de cylindre à section circulaire, cependant, avantageusement selon le procédé 1, la gravure sur la couche supérieure 5 laisse toute liberté quant à la géométrie du motif 9. Ainsi, notamment, il pourrait ne pas forcément être circulaire mais, par exemple, elliptique et/ou comporter un diamètre intérieur non circulaire.
  • Dans une troisième étape 102, comme visible à la figure 3, une couche supplémentaire 11 en matériau à base de silicium est ajoutée au substrat 3. Préférentiellement, la couche supplémentaire 11 est fixée sur la couche supérieure 5 au moyen d'un soudage par fusion du matériau à base de silicium (également connu sous l'acronyme anglais SFB). Ainsi, l'étape 102 permet avantageusement de recouvrir la couche supérieure 5 en liant avec une très forte adhérence notamment la face supérieure du motif 9 sur la face inférieure de la couche supplémentaire 11. La couche supplémentaire 11 peut, par exemple, comporter une épaisseur similaire à celle de la couche inférieure 7.
  • Dans une quatrième étape 103, comme visible à la figure 4, des cavités 12 et 14 sont sélectivement gravées, par exemple, par un procédé du type DRIE semblable à celui de l'étape 101, dans la couche supplémentaire 11 en silicium. Ces cavités 12 et 14 permettent de former deux motifs 13 et 15 définissants les contours intérieur et extérieur de parties en silicium du spiral double 21.
  • Dans l'exemple illustré à la figure 4, le motif 13 est sensiblement en forme de cylindre à section circulaire et, le motif 15, sensiblement en forme de spirale. Cependant, avantageusement selon le procédé 1, la gravure sur la couche supplémentaire 11 laisse toute liberté sur la géométrie des motifs 13 et 15. Ainsi, notamment, le motif 15 peut, par exemple, comporter plus de spires ou une courbe externe ouverte.
  • Préférentiellement, le motif 13 réalisé dans la couche supplémentaire 11 est de forme similaire et sensiblement à l'aplomb du motif 9 réalisé dans la couche supérieure 5. Cela signifie que les cavités 10 et 12 formant respectivement le diamètre intérieur des motifs 9 et 13 communiquent ensemble et sont sensiblement l'une au-dessus de l'autre. Dans l'exemple illustré aux figures 10 et 11, les motifs 13 et 9 forment respectivement les parties haute et médiane de la virole 27 du spiral double 21.
  • De manière préférée, au moins un pont de matière 16 est réalisé afin de maintenir au substrat 3 le spiral double 21 lors de sa fabrication. Dans l'exemple illustré à la figure 4, on peut voir qu'un pont de matières 16 est laissé entre la courbe externe du motif 15 et le reste de la couche 11 non gravée.
  • Avantageusement, les motifs 13 et 15 étant gravés en même temps, ils forment donc une pièce monobloc dans la couche supplémentaire 11. Dans l'exemple illustré aux figures 10 et 11, les motifs 13 et 15 forment respectivement la partie haute de la virole 27 et le premier ressort-spiral 23 du spiral double 21.
  • A la suite de cette quatrième étape 103, on comprend que les motifs 13 et 15 gravés dans la couche supplémentaire 11 sont reliés par le dessous du motif 13, avec une très forte adhérence, au-dessus du motif 9 gravé de la couche supérieure 5 et latéralement par la courbe externe du motif 15 à la couche supplémentaire 11.
  • Préférentiellement comme représenté en traits interrompus à la figure 9, le procédé 1 peut comporter une cinquième étape 104 consistant à oxyder au moins le motif 15, c'est-à-dire le premier ressort-spiral 23 du spiral double afin de le rendre plus résistant mécaniquement et d'ajuster son coefficient thermo-élastique. Une telle étape d'oxydation est expliquée notamment dans le brevet EP 1 422 436 qui est incorporé par référence à la présente description.
  • Avantageusement selon l'invention, après la quatrième étape 103 ou préférentiellement après la cinquième étape 104, le procédé 1 peut comporter trois modes de réalisations A, B et C comme illustré à la figure 9. Cependant, chacun des trois modes de réalisation A, B et C se termine par la même étape finale 106 consistant à libérer du substrat 3 le spiral double 21 fabriqué.
  • Avantageusement, l'étape 106 de libération peut être simplement réalisée en fournissant un effort au spiral double 21 apte à casser ses ponts de matière 16. Cet effort peut, par exemple, être généré manuellement par un opérateur ou par usinage.
  • Selon un premier mode de réalisation A, dans une sixième étape 105, comme visible à la figure 5, des cavités 18 et 20 sont sélectivement gravées, par exemple, par un procédé du type DRIE semblable à celui des étapes 101 et 103, dans la couche inférieure 7 en matériau à base de silicium. Ces cavités 18 et 20 permettent de former deux motifs 17 et 19 définissants les contours intérieur et extérieur de parties en silicium du spiral double 21.
  • Dans l'exemple illustré à la figure 5, le motif 17 est sensiblement en forme de cylindre à section circulaire et, le motif 19, sensiblement en forme de spirale. Cependant, avantageusement selon le procédé 1, la gravure dans la couche inférieure 7 laisse toute liberté sur la géométrie des motifs 17 et 19. Ainsi, notamment, le motif 19 peut, par exemple, comporter plus de spires ou une courbe externe ouverte.
  • Préférentiellement, le motif 17 réalisé dans la couche inférieure 7 est de forme similaire et sensiblement à l'aplomb du motif 9 réalisé dans la couche supérieure 5. Cela signifie que les cavités 18, 10 et 12 formant respectivement les diamètres intérieurs des motifs 17, 9 et 13 communiquent ensemble et sont sensiblement les unes au-dessus des autres. Dans l'exemple illustré aux figures 10 et 11, les motifs 13, 9 et 17 forment la virole 27 monobloc du spiral double 21.
  • De manière préférée, au moins un deuxième pont de matière 16 est réalisé afin de maintenir au substrat 3 le spiral double 21 lors de sa fabrication. Dans l'exemple illustré à la figure 5, on peut voir qu'un pont de matières 16 est laissé entre la courbe externe du motif 19 et le reste de la couche 7 non gravée.
  • Avantageusement, les motifs 17 et 19 étant gravés en même temps, ils forment donc une pièce monobloc dans la couche inférieure 7. Dans l'exemple illustré aux figures 10 et 11, les motifs 17 et 19 forment respectivement la partie basse de la virole 27 et le deuxième ressort-spiral 25 du spiral double 21.
  • A la suite de cette sixième étape 105, on comprend que les motifs 17 et 19 gravés dans la couche inférieure 7 sont reliés par le dessus du motif 17, avec une très forte adhérence, au-dessous du motif 9 gravé de la couche supérieure 5 et latéralement par la courbe externe du motif 19 à la couche inférieure 7.
  • A la suite de l'étape finale 106 expliquée ci-dessus, on obtient donc, à l'aide du premier mode de réalisation A, un spiral double 21 monobloc formé intégralement en matériaux à base de silicium comme visible aux figures 10 et 11. On comprend donc qu'il n'y a plus de problème d'assemblage car il est directement réalisé pendant la fabrication du spiral double 21. Ce dernier comprend un premier ressort-spiral 23, un deuxième ressort-spiral 25 qui sont raccordés coaxialement l'un par rapport à l'autre avec une virole unique 27.
  • Comme expliqué ci-dessus, la virole 27 est formée par les trois motifs successifs 13, 9 et 17 par gravage dans les couches successives respectives 11, 5 et 7. On comprend donc que le motif médian 9 est utile comme moyen d'espacement entre le premier ressort-spiral 23 et le deuxième ressort-spiral 25 mais également comme moyen de guidage desdits ressort-spiraux. Avantageusement selon le procédé 1, il est ainsi possible, en choisissant l'épaisseur de la couche supérieure 5, de directement définir l'espacement entre les deux ressort-spiraux 23 et 25 ainsi que la qualité de leur guidage.
  • De manière similaire, les hauteurs des ressort-spiraux 23, 25 et, incidemment celles des parties haute 13 et basse 17 de la virole 27, qui ne sont pas nécessairement égales peuvent être directement définie en choisissant respectivement les épaisseurs des couches supplémentaire 11 et inférieure 7.
  • De plus, les gravures réalisées selon les étapes 103 et 105 du procédé 1 laissent toute liberté sur la géométrie des ressort-spiraux 23, 25 et de la virole 27. Ainsi, notamment, chaque ressort-spiral 23 et 25 peut comporter son nombre propre de spires, ses caractéristiques géométriques propres à proximité de la virole 27, son sens propre d'enroulement des spires mais également sa propre géométrie de courbe propre notamment au niveau de sa partie externe. A titre d'exemple, l'un et/ou l'autre des ressort-spiraux 23, 25 peut ainsi comporter une courbe externe ouverte afin de coopérer avec un système de raquetterie ou comporter, sur l'extrémité de la courbe externe, un bourrelet apte à servir de point d'attache fixe.
  • Selon le même raisonnement, la virole 27 peut également comporter des dimensions et/ou géométries uniformément propres ou différentes sur au moins une des parties basse 17, médiane 9 et/ou haute 13. En effet, suivant l'axe avec lequel la virole 27 est prévue d'être montée, le diamètre intérieur peut posséder une forme complémentaire sur tout ou partie de la hauteur de la virole 27. De même, les diamètres intérieur et/ou extérieur ne sont pas forcément circulaires mais, par exemple, elliptiques et/ou polygonaux.
  • Dans l'exemple illustré aux figures 10 et 11, les ressort-spiraux 23 et 25 comportent la même hauteur, c'est-à-dire sont gravés dans des couches 7 et 11 de même épaisseur et comportent le même nombre de spires. Ils ont leurs extrémités de courbe externe points qui sont décalés angulairement par rapport à la virole de sensiblement 180°. Enfin, les sens d'enroulement des spires des ressort-spiraux 23 et 25 sont opposés. De plus, la virole 27 est uniforme sur toute sa hauteur et est sensiblement en forme de cylindre à section circulaire.
  • Comme expliqué ci-dessus, grâce aux libertés de fabrication autorisées par le procédé 1, il pourrait en être autrement, c'est-à-dire que les extrémités de courbe externe de chaque ressort-spiral 23, 25 pourraient être à l'aplomb l'une de l'autre ce qui permettrait, avantageusement, l'utilisation d'un unique moyen de pitonnage pour les deux ressort-spiraux 23 et 25.
  • Il faut également noter que la très bonne précision structurelle d'une gravure ionique réactive profonde permet de diminuer le rayon de départ de chacun des ressort-spiraux 23 et 25, c'est-à-dire le diamètre extérieur de la virole 27, ce qui autorise la miniaturisation des diamètres intérieurs et extérieurs de la virole 27. On comprend donc que le spiral double 21 est apte à recevoir par ses cavités 18, 10 et 12, avantageusement, un axe de diamètre plus petit que ce qui est communément fabriqué actuellement.
  • Préférentiellement, ledit axe peut être fixé sur le diamètre intérieur 18 et/ou 10 et/ou 12 de la virole 27. Le serrage peut par exemple être réalisé à l'aide de moyens élastiques gravés dans la virole 27 en silicium. De tels moyens élastiques peuvent, par exemple, prendre la forme de ceux divulgués dans les figures 10A à 10E du brevet EP 1 655 642 ou ceux divulgués dans les figures 1, 3 et 5 du brevet EP 1 584 994 , lesquels brevets sont incorporés par référence à la présente description.
  • Selon un second mode de réalisation B, le procédé 1 comporte, après l'étape 103 ou 104, une sixième étape 107, comme visible à la figure 6, consistant à mettre en oeuvre un processus du type LIGA (acronyme très connu provenant de l'allemand « Röntgenlithographie, Galvanoformung & Abformung »). Un tel processus comporte une succession d'étapes permettant d'électrodéposer selon une forme particulière un métal sur la couche inférieure 7 du substrat 3 à l'aide d'une résine photostructurée. Ce processus du type LIGA étant très connu, il ne sera pas d'avantage détaillé ci-après. Préférentiellement, le métal déposé peut être, par exemple, de l'or ou du nickel ou bien encore un de leurs alliages.
  • Dans l'exemple illustré à la figure 6, l'étape 107 peut consister à déposer un cylindre 29. Dans l'exemple illustré à la figure 6, le cylindre 29 est destiné à recevoir, avantageusement, par chassage un axe. En effet, un inconvénient du silicium réside dans ses très faibles zones élastique et plastique ce qui le rend très cassant. L'invention propose donc à réaliser le serrage d'un axe, par exemple, de balancier non pas contre le silicium de la virole 27 mais sur le diamètre intérieur 28 du cylindre métallique 29 électrodéposé lors de l'étape 107.
  • Avantageusement selon le procédé 1, le cylindre 29 obtenu par électrodéposition laisse toute liberté quant à sa géométrie. Ainsi, notamment, le diamètre intérieur 28 n'est pas forcément circulaire mais, par exemple, polygonal ce qui pourrait permettre d'améliorer la transmission d'effort en rotation avec un axe de forme correspondante.
  • Dans une septième étape 108, similaire à l'étape 105 visible à la figure 5, des cavités sont sélectivement gravées, par exemple, par un procédé du type DRIE, dans la couche inférieure 7 en matériau à base de silicium. Ces cavités permettent de former des motifs d'un deuxième ressort-spiral et d'une virole semblable aux motifs 19 et 17 du premier mode de réalisation A.
  • A la suite de l'étape finale 106 expliquée ci-dessus, on obtient donc, à l'aide du second mode de réalisation B, un spiral double monobloc formé en matériaux à base de silicium avec les mêmes avantages que le mode de réalisation A avec, en plus, une partie 29 en métal. On comprend donc qu'il n'y a pas non plus de problème d'assemblage car il est directement réalisé pendant la fabrication du spiral double. Enfin, avantageusement, un axe peut être chassé contre le diamètre intérieur 28 de la partie métallique 29. Il est ainsi envisageable, préférentiellement, que les cavités 10 et 12 comportent des sections de plus grandes dimensions que celle du diamètre intérieur 28 de la partie métallique 29 afin d'éviter que l'axe soit en contact gras avec la virole 27.
  • Selon un troisième mode de réalisation C, le procédé 1 comporte, après l'étape 103 ou 104, dans une sixième étape 109, comme visible à la figure 7, consistant à sélectivement graver une cavité 30, par exemple, par un procédé du type DRIE, selon une profondeur limitée dans la couche inférieure 7 en matériau à base de silicium. La cavité 30 permet de former un évidement apte à servir de contenant pour une partie métallique. Comme dans l'exemple illustré à la figure 7, la cavité 30 obtenue peut prendre la forme d'un disque. Cependant, avantageusement selon le procédé 1, la gravure sur la couche inférieure 7 laisse toute liberté sur la géométrie de la cavité 30.
  • Dans une septième étape 110, comme illustré à la figure 8, le procédé 1 comporte la mise en oeuvre d'un processus du type croissance galvanique ou du type LIGA permettant de combler la cavité 30 selon une forme métallique particulière. Préférentiellement, le métal déposé peut être, par exemple, de l'or ou du nickel.
  • Dans l'exemple illustré à la figure 8, l'étape 110 peut consister à déposer un cylindre 31 dans la cavité 30. Le cylindre 31 est destiné à recevoir, avantageusement, par chassage un axe. En effet, comme déjà expliqué ci-dessus, une caractéristique avantageuse selon l'invention consiste donc à réaliser le serrage de l'axe, par exemple, de balancier non pas contre le matériau à base de silicium de la virole 27 mais sur le diamètre intérieur 32 du cylindre métallique 31 électrodéposé lors de l'étape 110.
  • Avantageusement selon le procédé 1, le cylindre 31 obtenu par électrodéposition laisse toute liberté quant à sa géométrie. Ainsi, notamment, le diamètre intérieur 32 n'est pas forcément circulaire mais, par exemple, polygonal ce qui pourrait permettre d'améliorer la transmission d'effort en rotation avec un axe de forme correspondante.
  • Préférentiellement, le procédé 1 peut comporter, dans une huitième étape 111, consistant à polir le dépôt métallique 31 réalisé lors de l'étape 110 afin de le rendre plan.
  • Dans une neuvième étape 112, similaire à l'étape 105 visible à la figure 5, des cavités sont sélectivement gravées, par exemple, par un procédé du type DRIE, dans la couche inférieure 7 en matériau à base de silicium. Ces cavités permettent de former des motifs d'un deuxième ressort-spiral et d'une virole semblable aux motifs 19 et 17 du premier mode de réalisation A.
  • A la suite de l'étape finale 106 expliquée ci-dessus, on obtient donc, à l'aide du second mode de réalisation C, un spiral double monobloc formé en matériaux à base de silicium avec les mêmes avantages que le mode de réalisation A avec, en plus, une partie 31 en métal. On comprend donc qu'il n'y a pas non plus de problème d'assemblage car il est directement réalisé pendant la fabrication du spiral double. Enfin, avantageusement, un axe peut être chassé contre le diamètre intérieur 32 de la partie métallique. Il est ainsi envisageable, préférentiellement, que les cavités 10 et 12 comportent des sections de plus grandes dimensions que celle du diamètre intérieur 32 de la partie métallique 31 afin d'éviter que l'axe soit en contact gras avec la virole 27.
  • Selon les trois modes de réalisation A, B et C, il faut comprendre que spiral double final 21 est ainsi assemblé avant d'être structuré, c'est-à-dire avant d'être gravé et/ou modifié par électrodéposition. Cela permet avantageusement de minimiser les dispersions engendrées par les assemblages actuels de deux spiraux et, par conséquent, améliore la précision d'un organe régulateur améliore la précision d'un organe régulateur dont il serait dépendant.
  • Avantageusement selon l'invention, on comprend également qu'il est possible que plusieurs spiraux double 21 puissent être réalisés sur le même substrat 3 ce qui autorise une production en série.
  • De plus, il est possible de réaliser un insert de chassage du type des dépôts métalliques 29 et/ou 31 également ou seulement à partir des couches supplémentaire 11 et/ou supérieure 5. Il peut également être envisagé que les deux ressort-spiraux 23 et 25 soient oxydés afin de les rendre plus résistants mécaniquement et d'ajuster leur coefficient thermo-élastique. Il peut également être prévu qu'une couche conductrice soit déposée sur au moins une partie du spiral double 21 afin d'éviter des problèmes d'isochronisme. Une telle couche peut être du type divulgué dans le document EP 1 837 722 incorporé par référence dans la présente description. Enfin, une étape de polissage du type de l'étape 111 peut également être réalisée entre l'étape 107 et l'étape 108 comme visible en traits interrompus à la figure 9.

Claims (20)

  1. Spiral double (21) comportant, réalisés dans une couche de matériau à base de silicium (11), un premier ressort-spiral (23) monté coaxialement sur une virole (13, 27), la virole (13, 27) comportant une partie (9) en prolongement faisant saillie dudit ressort-spiral et qui est réalisée dans une deuxième couche (5) de matériau à base de silicium caractérisé en ce que ladite partie en prolongement est prolongée (17) dans une troisième couche (7) de matériau à base de silicium de manière coaxiale avec un deuxième ressort-spiral (25) afin de former un spiral double (21) monobloc en matériaux à base de silicium.
  2. Spiral double selon la revendication 1, caractérisé en ce que la virole (13, 9, 17, 27) comporte sensiblement la même section dans chacune desdites couches afin de faciliter la mise au point dudit spiral double.
  3. Spiral double selon la revendication 1, caractérisé en ce que la virole comporte sensiblement une section différente sur au moins une des couches (5, 7, 11).
  4. Spiral double selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les ressort-spiraux (23, 25) comportent des spires s'enroulant selon le même sens.
  5. Spiral double selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les ressort-spiraux (23, 25) comportent des spires s'enroulant selon des sens opposés.
  6. Spiral double selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les extrémités des courbes externes de chacun des ressort-spiraux (23, 25) sont à l'aplomb l'une par rapport à l'autre afin d'autoriser l'utilisation d'un moyen de pitonnage unique dudit spiral double.
  7. Spiral double selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les ressort-spiraux (23, 25) comportent une même raideur angulaire.
  8. Spiral double selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les ressort-spiraux (23, 25) comportent chacun une raideur angulaire distincte.
  9. Spiral double selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins un des ressort-spiraux (23, 25) comporte au moins une partie à base de dioxyde de silicium afin de le rendre plus résistant mécaniquement et d'ajuster son coefficient thermo-élastique.
  10. Spiral double selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la spire interne d'au moins un des ressort-spiraux (23, 25) comporte une courbe du type Grossmann afin d'améliorer la concentricité du développement dudit spiral double.
  11. Spiral double selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la virole (27) comporte une partie en métal (29, 31) destinée à recevoir par chassage un axe.
  12. Pièce d'horlogerie caractérisée en ce qu'elle comporte un spiral double (21) conforme à l'une des revendications précédentes.
  13. Procédé de fabrication (1) d'un spiral double (21) comportant les étapes suivantes :
    a) se munir (100) d'un substrat (3) comportant une couche supérieure (5) et une couche inférieure (7) en matériaux à base de silicium ;
    b) graver (101) sélectivement au moins une cavité (8, 10) dans la couche supérieure (5) pour définir le motif (9) d'une première partie d'une virole (27) en matériau à base de silicium dudit spiral double;
    c) solidariser (102), sur la couche supérieure (5) gravée du substrat (3), une couche supplémentaire (11) de matériau à base de silicium;
    d) graver (103) sélectivement au moins une cavité (12, 14) dans la couche supplémentaire (11) pour continuer le motif de la virole (27) et définir le motif (15) d'un premier ressort-spiral (23) en matériau à base de silicium dudit spiral double ;
    caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes suivantes :
    e) graver (105, 108, 112) sélectivement au moins une cavité (18, 20) dans la couche inférieure (7) pour continuer le motif de la virole (27) et définir le motif (19) d'un deuxième ressort-spiral (25) en matériau à base de silicium dudit spiral double ;
    f) libérer le spiral double (21) du substrat (3).
  14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comporte en outre après l'étape d) l'étape suivante :
    g) oxyder le premier ressort-spiral (23) en matériau à base de silicium afin de le rendre plus résistant mécaniquement et d'ajuster son coefficient thermo-élastique.
  15. Procédé selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce qu'il comporte en outre après l'étape e) l'étape suivante :
    g') oxyder le deuxième ressort-spiral (25) en matériau à base de silicium afin de le rendre plus résistant mécaniquement et d'ajuster son coefficient thermo-élastique.
  16. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 13 à 15, caractérisé en ce qu'il comporte en outre avant l'étape e) l'étape suivante :
    h) déposer (107, 110) sélectivement au moins une couche de métal sur la couche inférieure (7) pour définir le motif d'une partie métallique (29, 31) sur la virole (27).
  17. Procédé de fabrication selon la revendication 16 caractérisé en ce que l'étape h) comporte l'étape suivante :
    i) faire croître (107) ledit dépôt par couches successives métalliques au moins partiellement sur la surface de la couche inférieure (7) afin de former la partie métallique (29) destinée à recevoir par chassage un axe.
  18. Procédé de fabrication selon la revendication 16 caractérisé en ce que l'étape h) comporte les étapes suivantes :
    j) graver (109) sélectivement au moins une cavité (30) dans la couche inférieure (7) destinée à recevoir la partie métallique (31) ;
    k) faire croître (110) ledit dépôt par couches successives métalliques au moins partiellement dans ladite au moins une cavité afin de former la partie métallique (31) destinée à recevoir par chassage un axe.
  19. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 16 à 18, caractérisé en ce que l'étape h) comporte une dernière étape suivante :
    I) polir (111) le dépôt métallique (29, 31).
  20. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 13 à 19, caractérisé en ce que plusieurs spiraux double (21) sont réalisés sur un même substrat (3).
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