EP1814818A2 - Particle network and method for realizing such a network - Google Patents

Particle network and method for realizing such a network

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EP1814818A2
EP1814818A2 EP05814928A EP05814928A EP1814818A2 EP 1814818 A2 EP1814818 A2 EP 1814818A2 EP 05814928 A EP05814928 A EP 05814928A EP 05814928 A EP05814928 A EP 05814928A EP 1814818 A2 EP1814818 A2 EP 1814818A2
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EP
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particles
substrate
particle
network
interaction
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EP05814928A
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Yves Samson
Franck Fournel
Joël EYMERY
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
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Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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Publication date
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    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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    • H01F1/0036Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
    • H01F1/009Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity bidimensional, e.g. nanoscale period nanomagnet arrays
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    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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Definitions

  • the invention relates to a network of particles, for example nanoparticles, and a method for producing such a network.
  • the organization of particles on a periodic network is sought in many applications, such as for example ultra-high density magnetic information carriers (ferromagnetic nanoparticles), memories based on semiconductor nanoparticles, networks of luminescent nanoparticles or the formation of catalytic or reaction sites of very small dimensions.
  • ultra-high density magnetic information carriers ferromagnetic nanoparticles
  • memories based on semiconductor nanoparticles
  • networks of luminescent nanoparticles or the formation of catalytic or reaction sites of very small dimensions.
  • each lithographed structure By choosing dimensions of the lithographed structures smaller than the distance separating conventionally two defects of the network of particles, one obtains within each lithographed structure an assembly of particles in the form of a network which presents no defect if the average distance between defects, which is a statistical data, is respected in this assembly.
  • the invention therefore aims in particular at a solution for the organization of a particle network that ensures the best regularity of the network, and also over great distances.
  • the invention thus proposes an array of particles arranged on a substrate having a property allowing interaction of the substrate and particles, characterized in that said property is periodically modulated in a first direction by allowing a substantial interaction between each of the particles and its particles. neighbors in the first direction.
  • a second property allowing an interaction of the substrate and particles, possibly identical to said property, can also be modulated in a second direction by allowing a substantial interaction between each of the particles and its neighboring particles in the second direction.
  • the great regularity of the aforementioned network is thus ensured in both directions of the face of the substrate.
  • the network can in this case be square or hexagonal. Alternatively, it can be hexagonal.
  • said property can be modulated according to the first direction with a period adapted to said step, that is, that is, for example, said period is substantially equal to said step or a multiple of said step.
  • the particle network can be organized in correspondence with the modulation of the property presented by the substrate.
  • At least some particles are formed by a central core covered by a shell.
  • the shell participates in the substrate - particle interaction and / or the particle - particle interaction.
  • the shell then makes it possible to facilitate the networking of the central cores.
  • the shell can be deformed to allow the adaptation of the period of organization of the network. Said property is for example linked to the topography of the substrate.
  • the interaction of the substrate and the particles may also be a remote interaction, for example of the magnetic or electrical type.
  • the particle array may not be limited to two dimensions, but may also extend in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate.
  • L L ⁇ ijkernént invention provides a " ⁇ method for producing an array of particles, characterized in that it comprises a step of deposition of particles, capable of self-organization with a given pitch along a first direction, on a substrate having a property allowing interaction of the substrate and particles and modulated according to the first direction with a period adapted to said step.
  • the particles may be formed prior to their deposition on the substrate. Thanks to this method, a substantial interaction remains between each of the particles and its neighboring particles and thus the effect mentioned above is obtained.
  • the substrate may also have a second property allowing an interaction of the substrate and the particles (possibly identical to said property) modulated according to the second direction with a period adapted to the second step.
  • the method may comprise a patterning step on the substrate. Substrate - particle interactions are thus performed, related to the topography of the substrate.
  • the patterning step may comprise a step of revealing a dislocation network.
  • the patterning step may be performed by lithography or nanoimprint technique.
  • the method may also include a material deposition step for developing said modulated property or determining the amplitude of the modulations of said modulated property.
  • the substrate - particle interactions are thus generated, or refined, by the deposited material.
  • FIG. 1 shows a top view of a substrate in a first embodiment of the invention
  • FIG. 3 represents a network of particles arranged on the substrate of FIG. 1 according to the first embodiment of the invention
  • FIG. 4 shows a section according to section B-B of Figure 3;
  • Figure 5 shows the particle array of Figure 3 at a defect in the substrate
  • Fig. 6 shows the particle array of Fig. 3 at a defect therein
  • FIG. 7 represents a sectional view of a substrate according to a second embodiment of the invention
  • FIG. 8 represents an array of particles arranged on the substrate of FIG. 7;
  • FIG. 9 represents a network composed of particles of two different types on the substrate of FIG. 7;
  • FIG. 10 represents a section of a substrate in a third embodiment of the invention.
  • FIG. 11 represents an array of particles arranged on the substrate of FIG. 10;
  • FIG. 12 represents an alternative embodiment of the substrate of FIG. 3;
  • FIG. 13 represents an array of particles deposited on the substrate of FIG. 12;
  • FIG. 14 represents an alternative embodiment of the network represented in FIG. 9;
  • FIG. 15 represents a view from above of the network of particles represented in FIG. 14.
  • monodisperse FePt alloy nanoparticles which each have a diameter of 6.3 nm and form a network of contiguous particles are used as particles. as detailed in the following. Alternatively, it could be a network of non-iointive particles
  • Figure la-i ⁇ represents "sdiêmatiqu ⁇ rnent a substrate for receiving the particles.
  • the surface of the substrate 2 has a network of grooves (or grooves) formed by a first set of parallel grooves 4 between them according to a first direction and a second set of grooves 6 parallel to each other in a second direction and perpendicular to the grooves 4 of the first set.
  • the distance between the grooves 4 of the first set is identical to the distance between the grooves 6 of the second set and the grooves 4, 6 thus form a square network.
  • the grooves may form a rectangular network.
  • the distance separating two adjacent parallel grooves 4, 6 is set at 18.9 nm (according to a technique described below), which corresponds to three times the pitch of the joined network formed. by FePt particles with a diameter of 6.3 nm.
  • distances between adjacent parallel grooves could be used, for example a distance of 6.3 nm equal to the pitch of the particle network in the case studied here, or a distance of 31.5 nm corresponding to five times the pitch of the network of these same particles.
  • a substrate 2 having grooves in the form of a square lattice of this type can be obtained for example by bonding a silicon-on-insulator (or SOI) substrate exhibiting a silicon-on-insulat ion substrate.
  • silicon layer about 10 nm thick on a solid silicon substrate having a thickness of the order of 500 microns, with relative rotation of the crystalline axes of the two silicon surfaces (1, 0,0) to be assembled, then for example by revealing the dislocation network thus formed at the interface of the substrates by means of chemical etching.
  • the pitch ⁇ of the groove network (that is to say the distance between adjacent parallel grooves) is connected to the angular rotation ⁇ between
  • the angle ⁇ of the disorientation is used between the SOI and solid silicon of 1, 164 °.
  • an angle of 3.493 ° is used to obtain a pitch or groove grating period of 6.3 nm, and an angle of 0.698 ° to obtain a period of 31.5 nm.
  • the distance between parallel parallel grooves obtained is valid to within 0.25 nm in the last case evoked and with a precision less than 0.1 nm in the first two cases.
  • the SOI substrate is removed for example by chemical-mechanical polishing using the silicon oxide layer as a coating layer. 'stop.
  • the silicon oxide layer is then removed, for example, with a solution of hydrofluoric acid (HF).
  • HF hydrofluoric acid
  • the thin silicon layer of about 10 nm is then thinned by means of a chemical attack sensitive to the stresses induced by the dislocations, such as, for example, a modified version of the Yang type attack (HF / Cr ⁇ 3 / H 2 ⁇ ). ) or a modified version of the Dash-type attack (HF / HNO 3 / H 2 O) as indicated in the second-mentioned article above.
  • a metal for example gold
  • a metal for example gold
  • the network of protuberances 34 is then revealed, for example by ionic abrasion.
  • a network of grooves is produced as described previously with reference to FIGS. 1 and 2, and then deposited in these grooves a material whose abrasion speed under ion beam is smaller than that of the substrate (using example a metal like gold on a silicon substrate).
  • the protuberances are then formed by ionic abrasion.
  • the FePt nanoparticles 8 are deposited on the substrate where they form a square lattice whose structure is determined by the combination of the self-organization of the particles (due to the interactions between particles, here in joined contact between these) and the location of at least a portion of the particles 8 at a preferred site of the substrate 2 (substrate-particle interaction) formed here by the grooves 4, 6 (or furrows) of the substrate 2 as illustrated in the figures 3 and 4 (or by the protuberances 34 in the variant envisaged in FIGS. 12 and 13, where the substrate-particle interaction under consideration generates a preferential localization of part of the particles 38 on the protuberances 34).
  • Such a structure is for example obtained by pre-dispersion of nanoparticles-8 "" FePt "in” ⁇ ne hexane solution, deposit on the substrate 2 of this solution and then slow evaporation of hexane.
  • the pitch of the square network of grooves 4, 6 present on the surface of the substrate 2 is substantially equal to the pitch of the self-organized network of nanoparticles 8, or to an integer multiple thereof, such that the combined action of self-organization between particles 8 and the tendency to locate a portion of the particles 8 on the grooves 4, 6 leads to the organization of a network of particles with a structure substantially identical to the structure of the network that these particles would have adopted naturally locally on a substrate without modulation.
  • the grooves 4, 6 of the substrate 2 (or the protuberances 34 if any) thus make it possible to ensure the regularity of the self-organized structure on a large scale.
  • FIG. 5 shows a network of nanoparticles 8 having the structure just described and represented in FIG. 4, in which the substrate 2 has a defect 3, in this case the absence of a groove 4 .
  • the particle 7 located the right of the fault 3 of the substrate 2 is correctly located in the network despite the groove fault.
  • FIG. 6 shows a network of nanoparticles of the type shown in FIG. 4, in which certain particles 9 have a position slightly offset with respect to their theoretical position in the network (which is shown schematically in Figure 6 by a slightly smaller size for these particles 9), which would have led in the absence of the substrate 2 to a phase shift in the particle network.
  • the neighboring particle of the particles 9 introducing the offset is located precisely at the location determined by this groove 4, without phase shift relative to the particle located in line with the neighboring groove.
  • FIGS. 7 to 9 represent a second embodiment of embodiment of the invention which will now be described.
  • the raw substrate 12 comprises a square network of grooves obtained in a similar manner to the substrate described in the first embodiment.
  • This substrate 12 is deposited in the grooves or between them of a material 4 having a particular affinity with first particles 18 to be organized (as described in detail below).
  • the surface of the substrate intended to receive the particles thus has a square network of regions formed of this material, for example strips 14; it may be noted that the surface of the substrate thus obtained may possibly in this case be generally flat, as shown in FIG. 7.
  • a set of particles 18 of a first type which have a particular affinity with the material 14 deposited in the grooves of the raw substrate 12 is deposited on the substrate which has just been described.
  • the pitch of the self-organized network of particles is such that that the pitch of the square network of strips of material 14 is adapted to it, that is to say that the pitch of the square network of strips of material 14 is approximately equal to the pitch of the particle network of the first type 18 auto ⁇ organized, or an integer multiple of it.
  • the affinity of the material 14 and the particles of the first type 18 are placed at the preferential location determined by the strips of material 14.
  • the substrate interaction - particle (here matter 14 - particle 18) is however of an amplitude such that it does not call into question the location of the rest of the particles at the locations determined by the self-organization of the particle network, that is to say say by the interactions between particles.
  • the structure shown in FIG. 8 is thus obtained.
  • the material t4 " may for example be platinum having an affinity for particles having an amine function at the surface.
  • the particle network of the first type 18 as a substrate for the deposition and networking of particles of a second type optionally in accordance with the invention, as is schematically shown in FIG. 9.
  • the particle network of the first type 18 may be used as an etching mask (or deposition mask according to another variant), in order to obtain a second modulation of the substrate for the deposition of another network of particles.
  • the network of particles of the first type 18 makes it possible to locate particles of a second type 17 in a network whose pitch is fixed by the size of the particles of the first type 18.
  • a third embodiment is shown in Figures 10 and 11.
  • a material deposit 23 is produced on a substrate 22 having a pattern of grooves having a crenellated shape in section.
  • the deposition of material 23 is here carried out in order to reduce the amplitude of the periodic variations of the topography of the substrate.
  • the substrate-particle interaction is carried out by other properties of the latter than its topography
  • the period of the patterns (that is to say of the topography of the raw substrate), which is not modified by the deposition of material 23, is adapted to the pitch of the particle network which it must to receive.
  • the particles consist of a core 28 coated with a shell 29.
  • the core 28 is for example the active element whose network structure is desired, whereas the shell 29 is intended to facilitate the formation of the network, for example by generating a particle interaction - specific particle and / or a specific substrate-particle interaction (Le., according to the schematic representation of FIG. 11, an adaptation of the size of the particle network to the grounds of the substrate 22, 23), or the generation of a certain elasticity in the particle network allowing a slight disagreement between the period of the pattern presented by the substrate and the period of self-organization of the particle network.
  • the substrate-particle interaction may be a remote interaction.
  • the embodiments which have just been described are only possible examples of embodiment of the invention. The various characteristics of these embodiments as well as those given as an alternative may in particular be combined differently from the examples given above.

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Abstract

The invention relates to a method for realizing a particle network comprising a particle depositing step, capable of self-organizing with a determined increment along a first direction, onto a substrate exhibiting a property that permits an interaction between the substrate and the particles and modulated along the first direction with a period adapted to said increment. A substantial interaction thus subsists between each of the particles and its neighboring particles along the first direction.

Description

Réseau de particules et procédé de réalisation d'un tel réseau Particle network and method for producing such a network
L'invention concerne un réseau de particules, par exemple de nanoparticules, et un procédé de réalisation d'un tel réseau.The invention relates to a network of particles, for example nanoparticles, and a method for producing such a network.
L'étude de la matière à des dimensions de plus en plus réduites dans différents domaines de la science conduit de nos jours à des ordres de grandeur auxquels on ne peut plus la considérer comme une structure continue, mais comme un ensemble discret de particules, dénommées de manière générale nanoparticules.The study of matter with smaller and smaller dimensions in different fields of science nowadays leads to orders of magnitude to which we can no longer consider it as a continuous structure, but as a discrete set of particles, called generally nanoparticles.
Dans ce cadre, l'organisation des particules sur un réseau périodique est recherchée dans de nombreuses applications, tels que par exemple les supports d'information magnétiques à ultra-haute densité (nanoparticules ferromagnétiques), les mémoires à base de nanoparticules semi-conductrices, les réseaux de nanoparticules luminescentes ou la formation de sites catalytiques ou réactionnels de très petites dimensions.In this context, the organization of particles on a periodic network is sought in many applications, such as for example ultra-high density magnetic information carriers (ferromagnetic nanoparticles), memories based on semiconductor nanoparticles, networks of luminescent nanoparticles or the formation of catalytic or reaction sites of very small dimensions.
Dans ces applications comme naturellement dans d'autres, l'organisation des particules en un réseau aussi parfait que possible est souhaitable, mais très difficile à obtenir en pratique, notamment sur des distances suffisamment importantes.In these applications as naturally in others, the organization of particles in a network as perfect as possible is desirable, but very difficult to obtain in practice, especially over sufficiently large distances.
Pour essayer de répondre à ce souhait, il a par exemple été proposé de former des réseaux grâce à l'auto-organisation des particules, c'est-à-dire grâce aux interactions qu'ont les particules entre-elles, comme décrit par exemple dans l'article "Monodisperse FePt Nanoparticles and Ferromagnetic FePt Nanocrystal Superlattices" de S. Sun ef a/, dans le magazine Science du 17 mars 2000 (volume 287, pages 1989-1992).To try to answer this wish, it was for example proposed to form networks thanks to the self-organization of the particles, that is to say thanks to the interactions that the particles between them, as described by for example in the article "Monodisperse FePt Nanoparticles and Ferromagnetic FePt Nanocrystal Superlattices" by S. Sun ef a /, in the Science magazine of March 17, 2000 (volume 287, pages 1989-1992).
Toutefois, on ne peut généralement pas éviter la présence de défautsHowever, one can not usually avoid the presence of defects
(par exemple des lacunes du réseau - défauts ponctuels - ou des écarts en translation ou en orientation entre régions du réseau - défauts étendus), ce qui rend impossible en pratique la formation de réseaux sur de grandes distances par la simple auto-organisatfoîT des'pârtîcûTêsT(eg lattice deficiencies - point defects - or translation or orientation deviations between network regions - extended defects), which makes it impossible in practice to form networks over long distances simply by means of self-organization . pârtîcûTêsT
Afin d'essayer de contrôler l'organisation des particules sur de plus grandes distances, il a été proposé de disposer des assemblées de particules constituant une partie d'un réseau dans des structures lithographiées formées à la surface d'un substrat. L'article "Templated Self-Assembly of Block Copolymers: Effect of Substrate Topogaphf de J. Y. Chen et al. in Adv. Mater. 2003 15, No. 19, October 2, Wiley-VCH Verlag est relatif à des solutions de ce type.In order to try to control the organization of particles over greater distances, it has been proposed to have assemblies of particles constituting a part of a network in lithographic structures formed at the surface of a substrate. The article "Templated Self-Assembly of Block Copolymers: Effect of Substrate Topogaphf by JY Chen et al., In Advance Materials 2003, 15, No. 19, October 2, Wiley-VCH Verlag, relates to such solutions.
En choisissant des dimensions des structures lithographiées inférieures à la distance séparant classiquement deux défauts du réseau de particules, on obtient au sein de chaque structure lithographiée une assemblée de particules sous forme de réseau qui ne présente pas de défaut si la distance moyenne entre défauts, qui est une donnée statistique, est respectée dans cette assemblée.By choosing dimensions of the lithographed structures smaller than the distance separating conventionally two defects of the network of particles, one obtains within each lithographed structure an assembly of particles in the form of a network which presents no defect if the average distance between defects, which is a statistical data, is respected in this assembly.
Même si cette technique réduit le nombre de défauts, elle ne peut empêcher leur apparition dans certains cas. Par ailleurs, l'extension à proprement parler du réseau est limitée aux dimensions de la structure lithographiée, dont la présence empêche, de plus, l'utilisation de la totalité de la surface disponible.Although this technique reduces the number of defects, it can not prevent their occurrence in some cases. In addition, the actual extension of the network is limited to the dimensions of the lithographed structure, the presence of which further prevents the use of the entire available surface.
Il a par ailleurs été proposé d'utiliser un substrat dont les motifs lithographies présentent une forte interaction avec les particules, à tel point que cette interaction substrat - particule gouverne de manière prédominante la localisation des particules. Dans cette solution, ce sont donc les défauts du substrat, qu'il est naturellement impossible de réaliser de manière parfaite, qui provoqueront les défauts d'organisation du réseau (ce qui pouvait d'ailleurs déjà être le cas dans la solution évoquée précédemment). L'invention vise donc notamment une solution pour l'organisation d'un réseau de particules qui permette d'assurer au mieux la régularité du réseau, et ce également sur de grandes distances.It has also been proposed to use a substrate whose lithographic patterns exhibit a strong interaction with the particles, to the extent that this substrate-particle interaction predominantly governs the location of the particles. In this solution, it is therefore the defects of the substrate, which it is naturally impossible to achieve in a perfect manner, which will cause the network organization defects (which could already be the case in the solution mentioned above) . The invention therefore aims in particular at a solution for the organization of a particle network that ensures the best regularity of the network, and also over great distances.
L'invention propose ainsi un réseau de particules disposées sur un substrat présentant une propriété permettant une interaction du substrat et des particules, caractérisé en ce que ladite propriété est modulée périodiquement selon une première direction en permettant une interaction substantielle entre chacune des particules et ses particules voisines selon la première direction.The invention thus proposes an array of particles arranged on a substrate having a property allowing interaction of the substrate and particles, characterized in that said property is periodically modulated in a first direction by allowing a substantial interaction between each of the particles and its particles. neighbors in the first direction.
La tendance des particules à l'auto-organisation (grâce à leurs interactions) est ainsi combinée à l'effet d'organisation fourni par le substrat, et non dominée par celui-ci, ce qui permet d'assurer une plus grande régularité dans Porganisatiomdu réseaαrThe tendency of particles to self-organization (thanks to their interactions) is thus combined with the organizational effect provided by the substrate, and not dominated by it, which makes it possible to ensure a greater regularity in The organization of the network
Ainsi, en l'absence de modulation de ladite propriété, l'interaction entre chacune des particules et ses particules voisines aurait permis Pauto-organisation locale des particules dans cette première direction. Pour obtenir ces effets de manière particulièrement efficace, on peut prévoir que l'intensité de l'interaction particule - substrat ne soit pas localement prépondérante devant les interactions particule - particule.Thus, in the absence of modulation of said property, the interaction between each of the particles and its neighboring particles would have allowed the local self-organization of the particles in this first direction. To obtain these effects in a particularly efficient manner, it can be predicted that the intensity of the particle - substrate interaction is not locally predominant in the particle - particle interactions.
Une seconde propriété permettant une interaction du substrat et des particules, éventuellement identique à ladite propriété, peut en outre être modulée selon une seconde direction en permettant une interaction substantielle entre chacune des particules et ses particules voisines selon la seconde direction.A second property allowing an interaction of the substrate and particles, possibly identical to said property, can also be modulated in a second direction by allowing a substantial interaction between each of the particles and its neighboring particles in the second direction.
La grande régularité du réseau précédemment évoquée est ainsi assurée dans les deux directions de la face du substrat. Le réseau peut dans ce cas être carré ou hexagonal. En variante, il peut être hexagonal.The great regularity of the aforementioned network is thus ensured in both directions of the face of the substrate. The network can in this case be square or hexagonal. Alternatively, it can be hexagonal.
Lorsque les particules sont aptes à s'auto-organiser localement en l'absence de modulation de la propriété avec un pas déterminé selon la première direction, ladite propriété peut être modulée selon la première direction avec une période adaptée audit pas, c'est-à-dire par exemple que ladite période est essentiellement égale audit pas ou à un multiple dudit pas.When the particles are able to self-organize locally in the absence of modulation of the property with a determined pitch in the first direction, said property can be modulated according to the first direction with a period adapted to said step, that is, that is, for example, said period is substantially equal to said step or a multiple of said step.
Ainsi le réseau de particules peut s'organiser en correspondance avec la modulation de la propriété présentée par le substrat.Thus the particle network can be organized in correspondence with the modulation of the property presented by the substrate.
Selon une possibilité de mise en œuvre, certaines particules au moins sont formées par un noyau central recouvert par une coquille. Dans ce cas, la coquille participe à l'interaction substrat - particule et/ou à l'interaction particule - particule. La coquille permet alors de faciliter la mise en réseau des noyaux centraux. La coquille peut se déformer pour permettre l'adaptation de la période d'organisation du réseau. Ladite propriété est par exemple liée à la topographie du substrat.According to one possibility of implementation, at least some particles are formed by a central core covered by a shell. In this case, the shell participates in the substrate - particle interaction and / or the particle - particle interaction. The shell then makes it possible to facilitate the networking of the central cores. The shell can be deformed to allow the adaptation of the period of organization of the network. Said property is for example linked to the topography of the substrate.
L'interaction du substrat et des particules peut également être une interaction à distance, par exemple du type magnétique ou électrique.The interaction of the substrate and the particles may also be a remote interaction, for example of the magnetic or electrical type.
Le réseau de particules peut ne pas être limité à deux dimensions, mais s'étendre également selon une direction essentiellement perpendiculaire à la surface du substrat.The particle array may not be limited to two dimensions, but may also extend in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate.
LLinvention propose~égalernént"ûn ι procédé de réalisation d'un réseau de particules, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de dépôt de particules, aptes à s'auto-organiser avec un pas déterminé selon une première direction, sur un substrat présentant une propriété permettant une interaction du substrat et des particules et modulée selon la première direction avec une période adaptée audit pas.L L ~ égalernént invention provides a method for producing an array of particles, characterized in that it comprises a step of deposition of particles, capable of self-organization with a given pitch along a first direction, on a substrate having a property allowing interaction of the substrate and particles and modulated according to the first direction with a period adapted to said step.
Les particules peuvent être formées préalablement à leur dépôt sur le substrat. Grâce à ce procédé, une interaction substantielle subsiste entre chacune des particules et ses particules voisines et on obtient donc l'effet évoqué plus haut.The particles may be formed prior to their deposition on the substrate. Thanks to this method, a substantial interaction remains between each of the particles and its neighboring particles and thus the effect mentioned above is obtained.
Lorsque les particules sont aptes à s'auto-organiser en réseau avec un second pas selon une seconde direction, le substrat peut en outre présenter une seconde propriété permettant une interaction du substrat et des particules (éventuellement identique à ladite propriété) modulée selon la seconde direction avec une période adaptée au second pas.When the particles are able to self-organize in a network with a second pitch in a second direction, the substrate may also have a second property allowing an interaction of the substrate and the particles (possibly identical to said property) modulated according to the second direction with a period adapted to the second step.
On obtient ainsi un réseau de particules d'une grande régularité selon deux directions, c'est-à-dire en deux dimensions.This gives a network of particles of great regularity in two directions, that is to say in two dimensions.
Selon un mode de réalisation envisageable, le procédé peut comprendre une étape de formation de motifs sur le substrat. On réalise ainsi des interactions substrat - particule liées à la topographie du substrat.According to one conceivable embodiment, the method may comprise a patterning step on the substrate. Substrate - particle interactions are thus performed, related to the topography of the substrate.
En pratique, l'étape de formation de motifs peut comprendre une étape de révélation d'un réseau de dislocations.In practice, the patterning step may comprise a step of revealing a dislocation network.
En variante, l'étape de formation de motifs peut être réalisée par lithographie ou par une technique de nanoimprint.Alternatively, the patterning step may be performed by lithography or nanoimprint technique.
Le procédé peut aussi comprendre une étape de dépôt de matière permettant l'élaboration de ladite propriété modulée ou déterminant l'amplitude des modulations de ladite propriété modulée.The method may also include a material deposition step for developing said modulated property or determining the amplitude of the modulations of said modulated property.
Les interactions substrat - particule sont ainsi générées, ou affinées, grâce à la matière déposée.The substrate - particle interactions are thus generated, or refined, by the deposited material.
Les caractéristiques du réseau de particules évoquées plus haut, et les avantages qui en découlent, peuvent aussi être appliquées au procédé de réalisation du réseau qui vient d'être mentionné.The characteristics of the particle network mentioned above, and the advantages that derive therefrom, can also be applied to the method of producing the network that has just been mentioned.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lumière de la description qui suit, faite en référence aux dessins annexés, dans lesquels -:-Other characteristics and advantages of the invention will emerge in the light of the description which follows, made with reference to the appended drawings, in which -: -
- la figure 1 représente en vue de dessus un substrat dans un premier mode de réalisation de l'invention ;- Figure 1 shows a top view of a substrate in a first embodiment of the invention;
- la figure 2 représente une section selon la ligne A-A de la figure 1 ; - la figure 3 représente un réseau de particules disposé sur le substrat de la figure 1 selon le premier mode de réalisation de l'invention ;- Figure 2 shows a section along the line AA of Figure 1; FIG. 3 represents a network of particles arranged on the substrate of FIG. 1 according to the first embodiment of the invention;
- la figure 4 représente une section selon la coupe B-B de la figure 3 ;- Figure 4 shows a section according to section B-B of Figure 3;
- la figure 5 représente le réseau de particules de la figure 3 au niveau d'un défaut dans le substrat ;- Figure 5 shows the particle array of Figure 3 at a defect in the substrate;
- la figure 6 représente le réseau de particules de la figure 3 au niveau d'un défaut dans celui-ci ;Fig. 6 shows the particle array of Fig. 3 at a defect therein;
- la figure 7 représente une vue en section d'un substrat selon un second mode de réalisation de l'invention ; - la figure 8 représente un réseau de particules disposées sur le substrat de la figure 7 ;FIG. 7 represents a sectional view of a substrate according to a second embodiment of the invention; FIG. 8 represents an array of particles arranged on the substrate of FIG. 7;
- la figure 9 représente un réseau composé de particules de deux types différents sur le substrat de la figure 7 ;FIG. 9 represents a network composed of particles of two different types on the substrate of FIG. 7;
- la figure 10 représente une section d'un substrat dans un troisième mode de réalisation de l'invention ;FIG. 10 represents a section of a substrate in a third embodiment of the invention;
- la figure 11 représente un réseau de particules disposées sur le substrat de la figure 10 ;FIG. 11 represents an array of particles arranged on the substrate of FIG. 10;
- la figure 12 représente une variante de réalisation du substrat de la figure 3 ; - la figure 13 représente un réseau de particules déposées sur le substrat de la figure 12 ;FIG. 12 represents an alternative embodiment of the substrate of FIG. 3; FIG. 13 represents an array of particles deposited on the substrate of FIG. 12;
- la figure 14 représente une variante de réalisation du réseau représenté à la figure 9 ;FIG. 14 represents an alternative embodiment of the network represented in FIG. 9;
- la figure 15 représente une vue de dessus du réseau de particules représenté à la figure 14.FIG. 15 represents a view from above of the network of particles represented in FIG. 14.
Dans un premier mode de réalisation présenté à titre d'exemple non limitatif en référence aux figures 1 à 4, on utilise comme particules des nanoparticules d'alliage FePt monodisperses qui ont chacune un diamètre de 6,3 nm et forment un réseau de particules jointives comme détaillé dans la suite. En variante, il pourrait s'agir d'un réseau de particules non-iointivesIn a first embodiment given by way of non-limiting example with reference to FIGS. 1 to 4, monodisperse FePt alloy nanoparticles which each have a diameter of 6.3 nm and form a network of contiguous particles are used as particles. as detailed in the following. Alternatively, it could be a network of non-iointive particles
La-figure i~ représente "sdiêmatiquërnent un substrat destiné à recevoir les particules. La surface du substrat 2 présente un réseau de rainures (ou sillons) formé par un premier ensemble de rainures 4 parallèles entre elles selon une première direction et un second ensemble de rainures 6 parallèles entre elles selon une seconde direction et perpendiculaires aux rainures 4 du premier ensemble.Figure la-i ~ represents "sdiêmatiquërnent a substrate for receiving the particles. The surface of the substrate 2 has a network of grooves (or grooves) formed by a first set of parallel grooves 4 between them according to a first direction and a second set of grooves 6 parallel to each other in a second direction and perpendicular to the grooves 4 of the first set.
Dans chacun des premier et second ensembles de rainures, les rainuresIn each of the first and second sets of grooves, the grooves
4, 6 sont séparées d'une distance au moins substantiellement égale au pas du réseau de particules dans la direction concernée, ou à un multiple entier de celui-ci.4, 6 are separated by a distance at least substantially equal to the pitch of the particle array in the respective direction, or to an integer multiple thereof.
Par ailleurs, selon une possibilité de réalisation utilisée dans l'exemple décrit ici, la distance séparant les rainures 4 du premier ensemble est identique à la distance séparant les rainures 6 du second ensemble et les rainures 4, 6 forment donc un réseau carré. En variante, notamment lorsque le pas du réseau de particules n'est pas le même dans la première et la seconde direction, les rainures peuvent former un réseau rectangulaire. Selon une autre variante, on peut utiliser un réseau hexagonal.Furthermore, according to a possibility of embodiment used in the example described here, the distance between the grooves 4 of the first set is identical to the distance between the grooves 6 of the second set and the grooves 4, 6 thus form a square network. As a variant, especially when the pitch of the particle network is not the same in the first and second directions, the grooves may form a rectangular network. According to another variant, it is possible to use a hexagonal network.
Dans l'exemple représenté aux figures 1 à 4, la distance séparant deux rainures parallèles voisines 4, 6 est fixée à 18,9 nm (selon une technique décrite ci- dessous), ce qui correspond donc au triple du pas du réseau jointif formé par les particules de FePt de diamètre 6,3 nm.In the example shown in FIGS. 1 to 4, the distance separating two adjacent parallel grooves 4, 6 is set at 18.9 nm (according to a technique described below), which corresponds to three times the pitch of the joined network formed. by FePt particles with a diameter of 6.3 nm.
En variante, d'autres distances entre rainures parallèles voisines pourraient être utilisées, comme par exemple une distance de 6,3 nm égale au pas du réseau de particules dans le cas étudié ici, ou une distance de 31,5 nm correspondant à cinq fois le pas du réseau de ces mêmes particules.As a variant, other distances between adjacent parallel grooves could be used, for example a distance of 6.3 nm equal to the pitch of the particle network in the case studied here, or a distance of 31.5 nm corresponding to five times the pitch of the network of these same particles.
Un substrat 2 présentant des rainures sous forme de réseau carré de ce type peut être obtenu par exemple par le collage d'un substrat de type silicium sur isolant (ou SOI selon la dénomination anglo-saxonne "Silicon-On-Insulatoi") présentant une couche de silicium d'environ 10 nm d'épaisseur sur un substrat de silicium massif ayant une épaisseur de l'ordre de 500 micromètres, avec rotation relative des axes cristallins des deux surfaces de silicium (1 ,0,0) à assembler, puis par exemple par la révélation du réseau de dislocations ainsi formé à l'interface des substrats au moyen d'une attaque chimique. Selon la variante déjà mentionnée, on peut obtenir un réseau hexagonal par-Gθllage-selon le-même"procêdé"'surfàcesUe silicium (1 ,1 ,1).A substrate 2 having grooves in the form of a square lattice of this type can be obtained for example by bonding a silicon-on-insulator (or SOI) substrate exhibiting a silicon-on-insulat ion substrate. silicon layer about 10 nm thick on a solid silicon substrate having a thickness of the order of 500 microns, with relative rotation of the crystalline axes of the two silicon surfaces (1, 0,0) to be assembled, then for example by revealing the dislocation network thus formed at the interface of the substrates by means of chemical etching. According to the aforementioned embodiment can be obtained a hexagonal network-Gθllage-by-same "method" of 'surfàcesUe silicon (1, 1, 1).
De telles techniques sont par exemple décrites dans les articles "Ultra thin silicon films directly bonded onto silicon wafers", de F. Fournel et al., in Materials Science and Engineering B73 (2000) 42-46, Elsevier Science S.A, et "ControUed surface nanopatieming with buried dislocation arrays", de F. Leroy et al. in Surface Science 545 (2003) 221-219, Elsevier B.V.Such techniques are for example described in the articles "Ultra thin silicon films directly bonded to silicon wafers", F. Fournel et al., In Materials Science and Engineering B73 (2000) 42-46, Elsevier Science SA, and "ControUed surface nanopatieming with buried dislocation arrays", F. Leroy et al. in Surface Science 545 (2003) 221-219, Elsevier BV
Selon cette technique, le pas λ du réseau de rainures (c'est-à-dire la distance entre rainures parallèles voisines) est relié à la rotation angulaire Ψ entreAccording to this technique, the pitch λ of the groove network (that is to say the distance between adjacent parallel grooves) is connected to the angular rotation Ψ between
les deux substrats (ou désorientation) selon la formule λ = — η= — , où asi estthe two substrates (or disorientation) according to the formula λ = - η = -, where asi is
2V2.sin(y>72) le pas du réseau du substrat et vaut 0,5431 nm pour le silicium.2V2.sin (y> 72) the pitch of the substrate network and is 0.5431 nm for silicon.
On peut ainsi choisir l'angle Ψ de la désorientation de manière à obtenir la distance λ entre rainures parallèles voisines souhaitée, c'est-à-dire égale au pas du réseau de particules ou à un multiple entier de celui-ci. Par exemple, afin d'obtenir une distance séparant deux rainures parallèles voisines (ou pas du réseau de rainures) de 18,9 nm comme dans l'exemple représenté sur les figures 1 à 4, on utilise une désorientation entre les substrat de SOI et de silicium massif de 1 ,164°.One can thus choose the angle Ψ of the disorientation so as to obtain the distance λ between adjacent parallel grooves desired, that is to say equal to the pitch of the particle network or an integer multiple of it. For example, in order to obtain a distance separating two adjacent parallel grooves (or not of the groove array) of 18.9 nm as in the example shown in FIGS. 1 to 4, disorientation is used between the SOI and solid silicon of 1, 164 °.
Dans les variantes indiquées ci-dessus, on utilise un angle de 3,493° pour obtenir un pas ou période du réseau de rainures de 6,3 nm, et un angle de 0,698° pour obtenir une période de 31 ,5 nm.In the variants indicated above, an angle of 3.493 ° is used to obtain a pitch or groove grating period of 6.3 nm, and an angle of 0.698 ° to obtain a period of 31.5 nm.
On peut remarquer que, la résolution angulaire dans les dispositifs utilisés à l'heure actuelle étant de l'ordre de 5 millièmes de degré pour la désorientation entre substrats, la distance entre rainures voisines parallèles obtenue est valable à 0,25 nm près dans le dernier cas évoqué et avec une précision inférieure à 0,1 nm dans les deux premiers cas.It may be noted that since the angular resolution in the devices currently used is of the order of 5 thousandths of a degree for the disorientation between substrates, the distance between parallel parallel grooves obtained is valid to within 0.25 nm in the last case evoked and with a precision less than 0.1 nm in the first two cases.
Une fois les deux substrats assemblés par collage moléculaire avec une rotation relative définie en fonction du pas du réseau de rainures à obtenir, on élimine le substrat du SOI par exemple par polissage mécano-chimique en utilisant la couche d'oxyde de silicium comme couche d'arrêt. On élimine ensuite la couche d'oxyde de silicium par exemple avec une solution d'acide fluorhydrique (HF). On amincit ensuite la couche mince de silicium d'environ 10 nm au moyen d'une attaque chimique sensible aux contraintes induites par les dislocations, comme par exemole une version modifiée de l'attaque de type Yang (HF/Crθ3/H2θ) ou une version modifiée de l'attaque de type Dash (HF/HNO3/H2O) comme indiqué dans l'article mentionné en second lieu ci-dessus. En arrêtant l'attaque chimique au niveau de l'interface de collage (ou juste passée cette interface) grâce à la connaissance de la vitesse d'attaque de la solution utilisée, on révèle le réseau de dislocations créé à l'interface des substrats, ce qui permet d'obtenir le réseau carré de rainures 4, 6 (ou sillons) tel que représenté à la figure 1 , qui peut également être vu comme un réseau de protubérances 5.Once the two substrates assembled by molecular bonding with a relative rotation defined as a function of the pitch of the network of grooves to be obtained, the SOI substrate is removed for example by chemical-mechanical polishing using the silicon oxide layer as a coating layer. 'stop. The silicon oxide layer is then removed, for example, with a solution of hydrofluoric acid (HF). The thin silicon layer of about 10 nm is then thinned by means of a chemical attack sensitive to the stresses induced by the dislocations, such as, for example, a modified version of the Yang type attack (HF / Crθ 3 / H 2 θ). ) or a modified version of the Dash-type attack (HF / HNO 3 / H 2 O) as indicated in the second-mentioned article above. By stopping the chemical attack at the bonding interface (or just past this interface) thanks to the knowledge of the attack speed of the solution used, we reveal the network of dislocations created at the interface of the substrates, this makes it possible to obtain the square network of grooves 4, 6 (or furrows) as represented in FIG. 1, which can also be seen as a network of protuberances 5.
En variante, on peut se situer dans un cas où on souhaite utiliser une structure complémentaire de celle qui vient d'être décrite, c'est-à-dire avec des protubérances 34 au niveau des sillons précédemment obtenus, comme représenté à la figure 12.Alternatively, one may be in a case where it is desired to use a structure complementary to that just described, that is to say with protuberances 34 in the grooves previously obtained, as shown in Figure 12 .
Pour obtenir ce type de structure, on peut procéder comme suit.To obtain this type of structure, one can proceed as follows.
Selon une première solution, on fait diffuser un métal (par exemple de l'or) au niveau des dislocations avant l'étape de révélation chimique. On forme ainsi un réseau enterré de régions riches en métal. On procède ensuite à la révélation du réseau de protubérances 34 par exemple par abrasion ionique.According to a first solution, a metal (for example gold) is diffused at the level of the dislocations before the chemical revelation step. Thus, a buried network of metal-rich regions is formed. The network of protuberances 34 is then revealed, for example by ionic abrasion.
Selon une seconde solution, on réalise un réseau de sillons comme décrit précédemment en référence aux figures 1 et 2, puis on dépose dans ces sillons un matériau dont la vitesse d'abrasion sous faisceau ionique est plus faible que celle du substrat (en utilisant par exemple un métal comme de l'or sur un substrat de silicium). Les protubérances sont ensuite formées par abrasion ionique.According to a second solution, a network of grooves is produced as described previously with reference to FIGS. 1 and 2, and then deposited in these grooves a material whose abrasion speed under ion beam is smaller than that of the substrate (using example a metal like gold on a silicon substrate). The protuberances are then formed by ionic abrasion.
Une fois le substrat préparé, les nanoparticules 8 de FePt sont déposées sur le substrat où elles forment un réseau carré dont la structure est déterminée par la combinaison de l'auto-organisation des particules (due aux interactions entre particules, ici au contact jointif entre celles-ci) et de la localisation d'une partie au moins des particules 8 sur un site préférentiel du substrat 2 (interaction substrat - particules) formé ici par les rainures 4, 6 (ou sillons) du substrat 2 comme illustré sur les figures 3 et 4 (ou par les protubérances 34 dans la variante envisagée aux figures 12 et 13 où l'interaction substrat - particule considérée génère une localisation préférentielle d'une partie des particules 38 sur les protubérances 34). Une telle structure est par exemple obtenue par la dispersion préalable des-nanoparticules-8"de"FePt"dâns"ϋne sôlûtion d'hexane, le dépôt sur le substrat 2 de cette solution, puis l'évaporation lente de l'hexane.Once the substrate has been prepared, the FePt nanoparticles 8 are deposited on the substrate where they form a square lattice whose structure is determined by the combination of the self-organization of the particles (due to the interactions between particles, here in joined contact between these) and the location of at least a portion of the particles 8 at a preferred site of the substrate 2 (substrate-particle interaction) formed here by the grooves 4, 6 (or furrows) of the substrate 2 as illustrated in the figures 3 and 4 (or by the protuberances 34 in the variant envisaged in FIGS. 12 and 13, where the substrate-particle interaction under consideration generates a preferential localization of part of the particles 38 on the protuberances 34). Such a structure is for example obtained by pre-dispersion of nanoparticles-8 "" FePt "in" ϋne hexane solution, deposit on the substrate 2 of this solution and then slow evaporation of hexane.
Par construction, comme indiqué ci-dessus, le pas du réseau carré de rainures 4, 6 présentes à la surface du substrat 2 est sensiblement égal au pas du réseau auto-organisé des nanoparticules 8, ou à un multiple entier de celui-ci, de telle sorte que l'action combinée de l'auto-organisation entre particules 8 et la tendance à la localisation d'une partie des particules 8 sur les rainures 4, 6 conduit à l'organisation d'un réseau de particules avec une structure sensiblement identique à la structure du réseau que ces particules auraient adopté naturellement localement sur un substrat sans modulation. Les rainures 4, 6 du substrat 2 (ou les protubérances 34 le cas échéant) permettent ainsi d'assurer la régularité de la structure auto-organisée à grande échelle.By construction, as indicated above, the pitch of the square network of grooves 4, 6 present on the surface of the substrate 2 is substantially equal to the pitch of the self-organized network of nanoparticles 8, or to an integer multiple thereof, such that the combined action of self-organization between particles 8 and the tendency to locate a portion of the particles 8 on the grooves 4, 6 leads to the organization of a network of particles with a structure substantially identical to the structure of the network that these particles would have adopted naturally locally on a substrate without modulation. The grooves 4, 6 of the substrate 2 (or the protuberances 34 if any) thus make it possible to ensure the regularity of the self-organized structure on a large scale.
On a représenté à la figure 5 un réseau de nanoparticules 8 ayant la structure qui vient d'être décrite et représentée à la figure 4, dans lequel le substrat 2 présente un défaut 3, en l'occurrence l'absence d'une rainure 4.FIG. 5 shows a network of nanoparticles 8 having the structure just described and represented in FIG. 4, in which the substrate 2 has a defect 3, in this case the absence of a groove 4 .
Du fait que la localisation des particules 8 du réseau n'est pas déterminée uniquement par la présence des rainures 4, mais également par l'interaction avec les autres particules (interaction liée à l'auto-organisation des particules), la particule 7 située au droit du défaut 3 du substrat 2 est correctement située dans le réseau en dépit du défaut de rainure.Since the location of the particles 8 of the network is not determined solely by the presence of the grooves 4, but also by the interaction with the other particles (interaction related to the self-organization of the particles), the particle 7 located the right of the fault 3 of the substrate 2 is correctly located in the network despite the groove fault.
De manière analogue, on a représenté à la figure 6 un réseau de nanoparticules du type de celui représenté à la figure 4, dans lequel certaines particules 9 ont une position légèrement décalée par rapport à leur position théorique dans le réseau (ce qui est représenté schématiquement sur la figure 6 par une taille légèrement inférieure pour ces particules 9), qui auraient conduit en l'absence du substrat 2 à un décalage de phase dans le réseau de particules.Similarly, FIG. 6 shows a network of nanoparticles of the type shown in FIG. 4, in which certain particles 9 have a position slightly offset with respect to their theoretical position in the network (which is shown schematically in Figure 6 by a slightly smaller size for these particles 9), which would have led in the absence of the substrate 2 to a phase shift in the particle network.
Toutefois, grâce à la présence de la rainure 4, la particule voisine des particules 9 introduisant le décalage est située précisément à l'emplacement déterminé par cette rainure 4, sans décalage de phase par rapport à la particule située au droit de la rainure voisine.However, thanks to the presence of the groove 4, the neighboring particle of the particles 9 introducing the offset is located precisely at the location determined by this groove 4, without phase shift relative to the particle located in line with the neighboring groove.
Ainsi, si l'interaction entre particules reste importante pour l'ensemble des particules du réseau, la présence des rainures (et de manière générale l'interaction substrat - particule) permet de corriger un léger décalage de phase qui pourrait être introduit par un défaut dans le réseau de particules pris isolément.Thus, if the interaction between particles remains important for all the particles in the array, the presence of the grooves (and in general the substrate-particle interaction) makes it possible to correct a slight phase shift that could be introduced by a defect. in the particle network taken alone.
En -outrerdu -fait dei'adaptation" du" réseau de rainures 4, 6 au pas du réseau de particules auto-organisées dans la première et la seconde directions, l'effet qui vient d'être décrit existe dans les deux directions parallèles à la surface du substrat 2 et celui-ci permet donc d'assurer à grande échelle l'organisation du réseau de particules dans ces deux directions. La tendance à Pauto-organisation du réseau carré (ou en variante rectangulaire) de particules est donc confortée par la présence des rainures 4, 6 simultanément dans les deux directions de la surface du substrat 2. Les figures 7 à 9 représentent un second mode de réalisation de l'invention qui va à présent être décrit.In -outrerdu -made dei'adaptation "of the" array of grooves 4, 6 to pitch of the array of particles self-organized in the first and second directions, the effect just described exists in both directions parallel to the surface of the substrate 2 and it thus makes it possible to ensure on a large scale the organization of the particle network in these two directions. The self-organization tendency of the square (or rectangular variant) network of particles is thus reinforced by the presence of the grooves 4, 6 simultaneously in the two directions of the surface of the substrate 2. FIGS. 7 to 9 represent a second embodiment of embodiment of the invention which will now be described.
Selon ce second mode réalisation, le substrat brut 12 comporte un réseau carré de rainures obtenu de manière analogue au substrat décrit dans le premier mode de réalisation. On réalise sur ce substrat 12 un dépôt dans les rainures ou entre celles-ci d'une matière 4 ayant une affinité particulière avec de premières particules 18 à organiser (comme décrit en détail plus loin).According to this second embodiment, the raw substrate 12 comprises a square network of grooves obtained in a similar manner to the substrate described in the first embodiment. This substrate 12 is deposited in the grooves or between them of a material 4 having a particular affinity with first particles 18 to be organized (as described in detail below).
La surface du substrat destinée à recevoir les particules présente donc un réseau carré de régions formées de cette matière, par exemple des bandes 14 ; on peut remarquer que la surface du substrat ainsi obtenue peut éventuellement dans ce cas être globalement plane, comme représenté à la figure 7.The surface of the substrate intended to receive the particles thus has a square network of regions formed of this material, for example strips 14; it may be noted that the surface of the substrate thus obtained may possibly in this case be generally flat, as shown in FIG. 7.
On dépose sur le substrat qui vient d'être décrit un ensemble de particules 18 d'un premier type qui ont une affinité particulière avec la matière 14 déposée dans les rainures du substrat brut 12. Le pas du réseau auto-organisé de particules est tel que le pas du réseau carré de bandes de matière 14 lui soit adapté, c'est-à-dire que le pas du réseau carré de bandes de matière 14 est approximativement égal au pas du réseau des particules du premier type 18 auto¬ organisé, ou à un multiple entier de celui-ci.A set of particles 18 of a first type which have a particular affinity with the material 14 deposited in the grooves of the raw substrate 12 is deposited on the substrate which has just been described. The pitch of the self-organized network of particles is such that that the pitch of the square network of strips of material 14 is adapted to it, that is to say that the pitch of the square network of strips of material 14 is approximately equal to the pitch of the particle network of the first type 18 auto¬ organized, or an integer multiple of it.
Grâce à l'affinité de la matière 14 et des particules du premier type 18, certaines de ces particules (une sur deux sur l'exemple représenté) se placent à la localisation préférentielle déterminée par les bandes de matière 14. L'interaction substrat - particule (ici matière 14 - particule 18) est toutefois d'une amplitude telle qu'elle ne remet pas en cause la localisation du reste des particules aux emplacements déterminés par l'auto-organisation du réseau de particules, c'est-à- dire par les interactions entre particules. On obtient ainsi la structure représentée à la figure 8.Thanks to the affinity of the material 14 and the particles of the first type 18, some of these particles (one in two on the example shown) are placed at the preferential location determined by the strips of material 14. The substrate interaction - particle (here matter 14 - particle 18) is however of an amplitude such that it does not call into question the location of the rest of the particles at the locations determined by the self-organization of the particle network, that is to say say by the interactions between particles. The structure shown in FIG. 8 is thus obtained.
La - matière t4"peut par exemple être du platine présentant une affinité pour des particules présentant en surface une fonction aminé.The material t4 " may for example be platinum having an affinity for particles having an amine function at the surface.
Selon une possibilité de réalisation, lorsque l'on souhaite obtenir une structure de réseau en trois dimensions, on peut utiliser le réseau de particules du premier type 18 comme substrat pour le dépôt et l'organisation en réseau de particules d'un second type 19 éventuellement conformément à l'invention, comme cela est schématiquement représenté sur la figure 9.According to one possible embodiment, when it is desired to obtain a three-dimensional network structure, it is possible to use the particle network of the first type 18 as a substrate for the deposition and networking of particles of a second type optionally in accordance with the invention, as is schematically shown in FIG. 9.
En variante, le réseau de particules du premier type 18 peut être utilisé comme masque de gravure (ou masque de dépôt selon une autre variante), afin d'obtenir une deuxième modulation du substrat en vue du dépôt d'un autre réseau de particules.As a variant, the particle network of the first type 18 may be used as an etching mask (or deposition mask according to another variant), in order to obtain a second modulation of the substrate for the deposition of another network of particles.
Selon une autre variante illustrée sur les figures 14 et 15, le réseau de particules du premier type 18 permet la localisation de particules d'un second type 17 selon un réseau dont le pas est fixé par la taille des particules du premier type 18.According to another variant illustrated in FIGS. 14 and 15, the network of particles of the first type 18 makes it possible to locate particles of a second type 17 in a network whose pitch is fixed by the size of the particles of the first type 18.
Un troisième mode de réalisation est représenté sur les figures 10 et 11.A third embodiment is shown in Figures 10 and 11.
Selon ce troisième mode de réalisation, un dépôt de matière 23 est réalisé sur un substrat 22 présentant un motif de rainures ayant en coupe une allure crénelée. Le dépôt de matière 23 est ici réalisé dans le but de diminuer l'amplitude des variations périodiques de la topographie du substrat.According to this third embodiment, a material deposit 23 is produced on a substrate 22 having a pattern of grooves having a crenellated shape in section. The deposition of material 23 is here carried out in order to reduce the amplitude of the periodic variations of the topography of the substrate.
Selon d'autres modes de réalisation dans lesquels l'interaction substrat - particule est réalisée par d'autres propriétés de celui-ci que sa topographie, on pourrait envisager de manière analogue de diminuer l'amplitude des variations périodiques de cette propriété ; par exemple, lorsque la propriété utilisée est une interaction dont l'amplitude diminue avec la distance (du type interaction électrique ou magnétique), on pourrait ainsi procéder au dépôt d'une couche uniforme pour éloigner légèrement chacune des particules du substrat.According to other embodiments in which the substrate-particle interaction is carried out by other properties of the latter than its topography, it would be possible analogously to reduce the amplitude of the periodic variations of this property; for example, when the property used is an interaction whose amplitude decreases with the distance (of the electric or magnetic interaction type), it would be possible to proceed to the deposition of a uniform layer to slightly move each of the particles of the substrate.
On peut ainsi adapter l'amplitude de la modulation de la propriété du substrat utilisé pour interagir avec les particules afin que cette interaction permette une localisation préférentielle des particules sans toutefois rendre négligeable l'effet des interactions entre particules.It is thus possible to adapt the amplitude of the modulation of the property of the substrate used to interact with the particles so that this interaction allows a preferential localization of the particles without, however, neglecting the effect of the interactions between particles.
Comme dans les exemples précédents la période des motifs (c'est-à- dire de la topographie du substrat brut), qui n'est pas modifiée par le dépôt de matière 23, est adaptée au pas du réseau de particules qu'il doit recevoir.As in the preceding examples, the period of the patterns (that is to say of the topography of the raw substrate), which is not modified by the deposition of material 23, is adapted to the pitch of the particle network which it must to receive.
Dans l'exemple donne ici, les particules sont constituées par un cœur 28 revêtu d'une coquille 29. Le cœur 28 est par exemple l'élément actif dont on souhaite obtenir la structure en réseau, tandis que la coquille 29 est destinée à faciliter la formation du réseau, par exemple en générant une interaction particule - particule spécifique et/ou une interaction substrat - particule spécifique (Le., selon la représentation schématique de la figure 11 , une adaptation de la taille du réseau de particules aux motifs du substrat 22, 23), ou encore la génération d'une certaine élasticité dans le réseau de particules autorisant un léger désaccord entre la période du motif présenté par le substrat et la période d'auto-organisation du réseau de particules.In the example given here, the particles consist of a core 28 coated with a shell 29. The core 28 is for example the active element whose network structure is desired, whereas the shell 29 is intended to facilitate the formation of the network, for example by generating a particle interaction - specific particle and / or a specific substrate-particle interaction (Le., according to the schematic representation of FIG. 11, an adaptation of the size of the particle network to the grounds of the substrate 22, 23), or the generation of a certain elasticity in the particle network allowing a slight disagreement between the period of the pattern presented by the substrate and the period of self-organization of the particle network.
Selon un autre mode possible de réalisation (non représenté), l'interaction substrat - particule peut être une interaction à distance. Dans ce cadre, on peut prévoir de réaliser un réseau enterré d'un matériau conducteur, par exemple selon la solution déjà évoquée pour ce faire, qu'il est possible de charger électriquement afin d'obtenir une certaine polarisation. On peut ainsi obtenir en surface un champ électrique modulé venant agir sur les particules à organiser. La polarisation du réseau peut éventuellement être annulée une fois l'organisation effectuée. Les modes de réalisation qui viennent d'être décrits ne sont que des exemples possibles de réalisation de l'invention. Les différentes caractéristiques de ces modes de réalisation ainsi que celles données à titre de variante pourront notamment être combinées de manière différente des exemples donnés ci-dessus. According to another possible embodiment (not shown), the substrate-particle interaction may be a remote interaction. In this context, it is possible to provide a buried network of a conductive material, for example according to the solution already mentioned for this purpose, it is possible to electrically charge in order to obtain a certain polarization. It is thus possible to obtain at the surface a modulated electric field acting on the particles to be organized. The polarization of the network may possibly be canceled once the organization is done. The embodiments which have just been described are only possible examples of embodiment of the invention. The various characteristics of these embodiments as well as those given as an alternative may in particular be combined differently from the examples given above.

Claims

REVENDICATIONS
1. Réseau de particules (8 ; 18, 19 ; 28, 29) disposées sur un substrat (2 ; 12, 14 ; 22, 23) présentant une propriété permettant une interaction du substrat (2 ; 12, 14 ; 22, 23) et des particules (8 ; 18, 19 ; 28, 29), caractérisé en ce que ladite propriété est modulée périodiquement selon une première direction en permettant une interaction substantielle entre chacune des particules (8 ; 18, 19 ; 28, 29) et ses particules voisines selon la première direction.A network of particles (8,18,19,28,29) disposed on a substrate (2; 12,14; 22,23) having a property for interaction of the substrate (2; 12,14; 22,23). and particles (8; 18,19; 28,29), characterized in that said property is periodically modulated in a first direction by allowing substantial interaction between each of the particles (8; 18,19; 28,29) and its neighboring particles in the first direction.
2. Réseau de particules selon la revendication 1 , caractérisé en ce qu'une seconde propriété permettant une interaction du substrat (2) et des particules (8) est modulée selon une seconde direction en permettant une interaction substantielle entre chacune des particules (8) et ses particules voisines selon la seconde direction.Particle grating according to claim 1, characterized in that a second property allowing an interaction of the substrate (2) and particles (8) is modulated in a second direction by allowing a substantial interaction between each of the particles (8) and its neighboring particles in the second direction.
3. Réseau de particules selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les particules (8 ; 18, 19 ; 28, 29) sont aptes à s'auto-organiser localement en l'absence de modulation de ladite propriété avec un pas déterminé selon la première direction et en ce que ladite propriété est modulée selon la première direction avec une période adaptée audit pas.3. Particle network according to claim 1 or 2, characterized in that the particles (8; 18, 19; 28, 29) are able to self-organize locally in the absence of modulation of said property with a step determined according to the first direction and in that said property is modulated according to the first direction with a period adapted to said pitch.
4. Réseau de particules selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite période est essentiellement égale audit pas ou à un multiple dudit pas.4. Particle network according to claim 3, characterized in that said period is substantially equal to said step or to a multiple of said step.
5. Réseau de particules selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que certaines particules (28, 29) au moins sont formées par un noyau central (28) recouvert par une coquille (29).5. Particle network according to one of claims 1 to 4, characterized in that at least some particles (28, 29) are formed by a central core (28) covered by a shell (29).
6. Réseau de particules selon la revendication 5, caractérisé en ce que la coquille (29) est apte à se déformer pour permettre l'adaptation de la période d'organisation du rêsèâu. 6. Particle network according to claim 5, characterized in that the shell (29) is adapted to deform to allow the adaptation of the period of organization of the dream.
7. Réseau de particules selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que la coquille (29) participe à l'interaction substrat - particule et/ou à l'interaction particule - particule.7. A particle network according to claim 5 or 6, characterized in that the shell (29) participates in the substrate-particle interaction and / or the particle-particle interaction.
8. Réseau de particules selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que ladite propriété est liée à la topographie du substrat (2 ; 22, 23).8. Particle network according to one of claims 1 to 7, characterized in that said property is related to the topography of the substrate (2; 22, 23).
9. Réseau de particules selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'interaction du substrat (12, 14) et des particules (18, 19) est une interaction à distance.9. Particle network according to one of claims 1 to 7, characterized in that the interaction of the substrate (12, 14) and particles (18, 19) is a remote interaction.
10. Réseau de particules selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'interaction à distance est du type magnétique ou électrique.10. Particle network according to claim 9, characterized in that the remote interaction is magnetic or electrical type.
11. Réseau de particules selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'il s'étend selon une direction essentiellement perpendiculaire à la surface du substrat (12, 14).11. Particle network according to one of claims 1 to 10, characterized in that it extends in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate (12, 14).
12. Procédé de réalisation d'un réseau de particules, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de :12. A method for producing a network of particles, characterized in that it comprises a step of:
- dépôt de particules (8 ; 18, 19 ; 28, 29), aptes à s'auto-organiser avec un pas déterminé selon une première direction, sur un substrat (2 ; 12, 14 ; 22, 23) présentant une propriété permettant une interaction du substrat (2 ; 12, 14 ; 22, 23) et des particules (8 ; 18, 19 ; 28, 29) et modulée selon la première direction avec une période adaptée audit pas.- Deposition of particles (8; 18, 19; 28, 29), able to self-organize with a determined pitch in a first direction, on a substrate (2; 12, 14; 22, 23) having a property allowing an interaction of the substrate (2; 12,14; 22,23) and particles (8; 18,19; 28,29) and modulated in the first direction with a period matched to said pitch.
13. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon la revendication 12, caractérisé en ce que les particules (8) sont aptes à s'auto- organiser en réseau avec un second pas selon une seconde direction et en ce que le substrat (2) présente une seconde propriété permettant une interaction du substrat (2)- et des~particules" (8) modulée "selon la seconde direction avec une période adaptée au second pas. 13. A method of producing a network of particles according to claim 12, characterized in that the particles (8) are able to self-organize in a network with a second pitch in a second direction and in that the substrate ( 2) has a second property allowing an interaction of the substrate (2) - and ~ particles " (8) modulated " in the second direction with a period adapted to the second step.
14. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de formation de motifs (4, 6 ; 22, 23) sur le substrat.14. A method of producing a particle network according to claim 12 or 13, characterized in that it comprises a step of forming patterns (4, 6; 22, 23) on the substrate.
15. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'étape de formation de motifs comprend une étape de révélation d'un réseau de dislocations.15. A method of producing a particle network according to claim 14, characterized in that the patterning step comprises a step of revealing a dislocation network.
16. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'étape de formation de motifs est réalisée par lithographie.16. A method of producing a particle network according to claim 14, characterized in that the patterning step is carried out by lithography.
17. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'étape de formation de motifs est réalisée par nanoimprint.17. A method of producing a particle network according to claim 14, characterized in that the patterning step is carried out by nanoimprint.
18. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon l'une des revendications 12 à 17, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de dépôt de matière (14) permettant l'élaboration de ladite propriété modulée.18. A method of producing a particle network according to one of claims 12 to 17, characterized in that it comprises a material deposition step (14) for the development of said modulated property.
19. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon l'une des revendications 12 à 18, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de dépôt de matière (23) déterminant l'amplitude des modulations de ladite propriété modulée.19. A method of producing a network of particles according to one of claims 12 to 18, characterized in that it comprises a material deposition step (23) determining the amplitude of the modulations of said modulated property.
20. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon l'une des revendications 12 à 19, caractérisé en ce que ladite période est essentiellement égale audit pas ou à un multiple dudit pas.20. A method of producing a particle network according to one of claims 12 to 19, characterized in that said period is substantially equal to said step or a multiple of said step.
21. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon l'une des revendications 12 à 20, caractérisé en ce que certaines particules au moins sont formées-par un-noyau central (20) recouvert par une coquille (29). 21. A method of producing a network of particles according to one of claims 12 to 20, characterized in that at least some particles are formed by a central core (20) covered by a shell (29).
22. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon la revendication 21 , caractérisé en ce que la coquille (29) est apte à se déformer pour permettre l'adaptation de la période d'organisation du réseau.22. A method of producing a particle network according to claim 21, characterized in that the shell (29) is adapted to deform to allow the adaptation of the network organization period.
23. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon la revendication 21 ou 22, caractérisé en ce que la coquille (29) participe à l'interaction substrat - particule et/ou à l'interaction particule - particule.23. A method of producing a particle network according to claim 21 or 22, characterized in that the shell (29) participates in the substrate-particle interaction and / or the particle-particle interaction.
24. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon l'une des revendications 12 à 23, caractérisé en ce que ladite propriété est liée à la topographie du substrat (2 ; 22, 23).24. A method of producing a network of particles according to one of claims 12 to 23, characterized in that said property is related to the topography of the substrate (2; 22, 23).
25. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon l'une des revendications 12 à 23, caractérisé en ce que l'interaction du substrat (12, 14) et des particules est une interaction à distance.25. A method of producing a particle network according to one of claims 12 to 23, characterized in that the interaction of the substrate (12, 14) and particles is a remote interaction.
26. Procédé de réalisation d'un réseau de particules selon la revendication 25, caractérisé en ce que l'interaction à distance est du type magnétique ou électrique. 26. A method of producing a particle network according to claim 25, characterized in that the remote interaction is magnetic or electrical type.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5334089B2 (en) * 2008-01-31 2013-11-06 公益財団法人新産業創造研究機構 3D structure with 3D periodic structure of nano-order size
JP5334090B2 (en) * 2008-01-31 2013-11-06 公益財団法人新産業創造研究機構 3D structure with 3D periodic structure of nano-order size
FR2934179B1 (en) * 2008-07-24 2010-09-17 Commissariat Energie Atomique LABORATORY ON CHIP COMPRISING A MICRO-FLUIDIC NETWORK AND A COPLANAR ELECTRONEBULATING NOSE.
CN102300800A (en) * 2008-11-03 2011-12-28 曳达研究和发展有限公司 Magnetic Patterning Method And System
FR2950044B1 (en) 2009-09-11 2011-12-09 Commissariat Energie Atomique PROCESS FOR PREPARING A FUNCTIONAL STRUCTURED SURFACE AND SURFACE OBTAINED BY THE PROCESS
KR101161060B1 (en) * 2009-11-30 2012-06-29 서강대학교산학협력단 Arranging apparatus into columnar structure for nano particles and Method for arranging the same
US9252175B2 (en) 2011-03-23 2016-02-02 Nanohmics, Inc. Method for assembly of spectroscopic filter arrays using biomolecules
US9828696B2 (en) 2011-03-23 2017-11-28 Nanohmics, Inc. Method for assembly of analyte filter arrays using biomolecules
FR2981791A1 (en) * 2011-10-19 2013-04-26 Solarwell METHOD FOR GROWTH IN LAYER THICKNESS OF COLLOIDAL SHEETS AND MATERIALS COMPOSED OF SHEETS
JP2013188674A (en) * 2012-03-13 2013-09-26 Fuji Electric Co Ltd Particle structure and manufacturing method thereof
JP6710949B2 (en) * 2015-12-04 2020-06-17 東ソー株式会社 Fine particle array film and antireflection film

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3102444A (en) 1961-03-13 1963-09-03 Kent Mfg Co Conductor cable stripping tool
JP2828386B2 (en) * 1993-08-31 1998-11-25 科学技術振興事業団 Manufacturing method of fine particle thin film
US5609907A (en) * 1995-02-09 1997-03-11 The Penn State Research Foundation Self-assembled metal colloid monolayers
US6242264B1 (en) * 1996-09-04 2001-06-05 The Penn State Research Foundation Self-assembled metal colloid monolayers having size and density gradients
JPH10261244A (en) * 1997-03-17 1998-09-29 Ricoh Co Ltd Method for regularly arraying particulates and optical recording medium
FR2766620B1 (en) 1997-07-22 2000-12-01 Commissariat Energie Atomique PRODUCTION OF MICROSTRUCTURES OR NANOSTRUCTURES ON A SUPPORT
US6162532A (en) * 1998-07-31 2000-12-19 International Business Machines Corporation Magnetic storage medium formed of nanoparticles
AU5522300A (en) * 1999-06-28 2001-01-31 Mikroelektronik Centret (Mic) Nanometer-scale modulation
US6436187B1 (en) * 1999-09-01 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. Process for fabricating article having substantial three-dimensional order
WO2001042540A1 (en) * 1999-12-09 2001-06-14 Cornell Research Foundation, Inc. Fabrication of periodic surface structures with nanometer-scale spacings
KR100756211B1 (en) * 2000-05-04 2007-09-06 비티지 인터내셔널 리미티드 Nanostructures
FR2815121B1 (en) 2000-10-06 2002-12-13 Commissariat Energie Atomique PROCESS FOR REVELATION OF CRYSTALLINE DEFECTS AND / OR STRESS FIELDS AT THE MOLECULAR ADHESION INTERFACE OF TWO SOLID MATERIALS
WO2002033461A2 (en) * 2000-10-16 2002-04-25 Ozin Geoffrey A Method of self-assembly and optical applications of crystalline colloidal patterns on substrates
FR2819099B1 (en) 2000-12-28 2003-09-26 Commissariat Energie Atomique METHOD FOR PRODUCING A STACKED STRUCTURE
US7041394B2 (en) * 2001-03-15 2006-05-09 Seagate Technology Llc Magnetic recording media having self organized magnetic arrays
FR2826378B1 (en) * 2001-06-22 2004-10-15 Commissariat Energie Atomique UNIFORM CRYSTALLINE ORIENTATION COMPOSITE STRUCTURE AND METHOD FOR CONTROLLING THE CRYSTALLINE ORIENTATION OF SUCH A STRUCTURE
JP4170619B2 (en) * 2001-08-30 2008-10-22 株式会社リコー Method for producing fine particle structure
JP4024532B2 (en) * 2001-12-18 2007-12-19 株式会社リコー Fine particle array film forming method
JP3766360B2 (en) * 2002-08-20 2006-04-12 株式会社東芝 Recording medium, method for manufacturing recording medium, imprint master, and method for manufacturing imprint master
JP3720313B2 (en) * 2002-09-11 2005-11-24 独立行政法人科学技術振興機構 Manufacturing method of one-dimensional chain of gold nanoparticles using nanoscale Yamaya structure substrate
US7318962B2 (en) * 2005-01-28 2008-01-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Magnetically directed self-assembly of molecular electronic junctions comprising conductively coated ferromagnetic microparticles
JP5103712B2 (en) * 2005-06-16 2012-12-19 富士通株式会社 Method for producing nanohole structure

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2006051186A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006051186A3 (en) 2006-12-14
FR2877662A1 (en) 2006-05-12
WO2006051186A2 (en) 2006-05-18
US7985469B2 (en) 2011-07-26
FR2877662B1 (en) 2007-03-02
JP2008520444A (en) 2008-06-19
US20080160316A1 (en) 2008-07-03

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