EP1587649B1 - vorrichtung zur hochgenauen bearbeitung der oberfläche eines objektes, insbesondere zum polieren und läppen von halbleitersubstraten - Google Patents

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EP1587649B1
EP1587649B1 EP04704541A EP04704541A EP1587649B1 EP 1587649 B1 EP1587649 B1 EP 1587649B1 EP 04704541 A EP04704541 A EP 04704541A EP 04704541 A EP04704541 A EP 04704541A EP 1587649 B1 EP1587649 B1 EP 1587649B1
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EP
European Patent Office
Prior art keywords
actuator
sensor elements
accordance
plate
receiving surface
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
EP04704541A
Other languages
English (en)
French (fr)
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EP1587649A1 (de
Inventor
Volker Herold
Christian-Toralf Weber
Jürgen WEISER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IGAM Ingenieurgesellschaft fur angewandte Mechanik mbH
Original Assignee
IGAM Ingenieurgesellschaft fur angewandte Mechanik mbH
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load

Definitions

  • the invention relates to a device for high-precision machining of the surface of an object, in particular for polishing and lapping semiconductor substrates, according to the preamble of claim 1.
  • a device for high-precision machining of the surface of an object is made US 6,325,696 B known.
  • Typical applications are the processing of wafers, mask blanks as well as lenses, mirrors and other optical components.
  • the processing pressure acting on the surface is, in addition to the relative speed between the surface to be processed and the polishing or lapping agent carrier, the processing pressure acting on the surface.
  • the local separation height ⁇ h for ablation processes eg lapping, polishing, CMP
  • ⁇ ⁇ H k ⁇ p ⁇ v t d t .
  • the DE 693 22 491 T2 discloses a passive shape adaptation by elastic body with convex and concave areas.
  • the polish carrier can deform macroscopically depending on the workpiece surface, so that microscopically the convex portions of the workpiece are selectively polished.
  • the shape adaptation is achieved by a soft polishing pad.
  • a chuck which has under the tool surface a pressure chamber which serves by means of air for sucking the wafer or for pressing the wafer to the Poliescharna (polishing pad).
  • the chuck surface can be deformed either convexly or concavely with a certain invariant basic geometry globally, convective-concave deformations or targeted influencing of local areas, for example the edge, are not possible.
  • the invention is based on the object to process the surface of objects with a universally applicable device and with the least possible effort and in a relatively short time even with process fluctuations, material inhomogeneities, etc. with high reproducible accuracy.
  • the object is solved by the features of claim 1.
  • the object to be processed in its surface is adhered to a sandwich-like structure of two mechanically strained plates by adhesion, adhesion, suction, or the like.
  • a pressure distribution in the working surface which is decisive for the machining process is determined before the beginning of the machining process when the object is held in the working position.
  • the device with the recorded object to be processed with defined force against a specially trained, very flat counter surface or on the machine directly against a polishing plate, polish carrier, pad or similar. pressed.
  • Another possibility is to distribute the pressure even during the machining process without its interruption (eg by stopping and / or lifting) determine.
  • the already in working position, already acted upon by the normal contact pressure device is briefly loaded or relieved with an additional normal force acting on the working surface force.
  • the local compressive stress distribution in the processing surface changes, and the amount of change (pressure increase or decrease) in turn depends on the surface geometry of the object and the mating surface.
  • Both the pressure distribution generated by the force application before the machining process and the change in the pressure distribution in the machining surface brought about by an additional force during the machining process are detected as forces by the actuator sensor elements belonging to the respective surface region and an evaluation unit for the determination of the abovementioned Pressure distribution supplied.
  • manipulated variables for local deformation of the receiving surface of the sandwich-like structure are then generated for the actuator-sensor elements for the purpose of a defined surface processing of the object with site-specific influence.
  • These local deformations serve as presetting values or controlled variables for the generation of defined spatially acting machining forces (pressings) on the surface of the object.
  • the surface treatment directly with a preset and specifically adapted to the intended processing task and the given processing conditions pressure distribution.
  • the presetting of the local deformations of the receiving surface can be done once prior to or during the machining process, for example in a continuous control process.
  • FIG. 1 The current state of the art for lapping the surface 1 of a semiconductor substrate 2 exemplifies FIG. 1
  • the semiconductor substrate 2 is attached to the underside of a receptacle 3 by adhesion, adhesion or suction.
  • the surface 1 of the substrate 2 to be processed is placed on a lapping or polishing medium carrier 4 (also referred to as a pad), which is fastened on a lapping or polishing disk 5 which rotates horizontally.
  • the lapping or polishing wheel 5 is rotated by a drive shaft 6 (symbolized by a rotary arrow 7 ).
  • a lapping or polishing suspension 12 (slurry) is applied to the lapping or polishing medium carrier 4 via a corresponding metering device 13 .
  • a lapping or polishing suspension 12 is used, which contains active chemical components in addition to abrasive components. Important for the result of the machining process is the exact matching / agreement of the action times of mechanical and chemical components of the lapping or polishing suspension 12 .
  • FIG. 2 shows a sandwich-like arrangement for receiving the processing object, which consists of a concentric base plate 14 and a concentric receiving plate 15 .
  • the base plate 14 is fixed to a shaft 16 . This can be connected to a drive shaft (not shown for reasons of clarity) stand.
  • the receiving plate 15 with its receiving surface 17 serves to hold the (in FIG. 2 also not shown) processing object.
  • piezo stack 18 are arranged as discrete actuator sensor elements, which are embedded in compensating material 19 . For the processing operation of, for example, by gluing, adhesion, suction on the receiving plate 15 attached to the processing object, the pressure distribution over the receiving surface 17 is determined.
  • the machining object is acted upon by a force, for example, by placing it on the polishing plate / polish carrier / pad or the like.
  • a force for example, by placing it on the polishing plate / polish carrier / pad or the like.
  • the piezoelectric stacks 18 detect the force acting on them as a measure of the pressure distribution acting in the receiving surface 17 .
  • the piezo stack 18 are electrically connected to an evaluation and control stage (not shown).
  • the transmission of energy and information to a frame-fixed analysis or control system can be done either via conventional rotary transformer (slip rings) or wirelessly.
  • the surface treatment sets directly with a preset and specially adapted to the intended machining task and the given processing conditions pressure distribution, which despite manufacturing tolerances, process fluctuations, material inhomogeneities, etc., a high reproducible accuracy can be achieved in the machining process.
  • the compensating material 19, in which the piezo stack 18 are embedded, has a lower rigidity than the piezo stack 18 and is used for flexible compensation between same. At the same time, the compensation material 19 for the piezo stack 18 is electrically insulating.
  • FIG. 3 is one with FIG. 2 comparable sandwich-like structure of the concentric base plate 14 and the concentric receiving plate 15 shown, with the difference that here as actuator sensor elements not discrete piezostack, but a segmented piezoceramic 20 is provided, the segments queried individually in their sensor function and separately in their actuator function can be controlled.
  • actuator sensor elements not discrete piezostack
  • a segmented piezoceramic 20 is provided, the segments queried individually in their sensor function and separately in their actuator function can be controlled.
  • For isolation is located between the base plate 14 and the receiving plate 15 to the piezoceramic 20 around an insulation layer 21st
  • the mode of operation for adjusting the receiving surface 17 from the previously determined pressure distribution is basically the same as in the exemplary embodiment FIG. 2 described.
  • FIG. 4 A special adjusting device for concentric deformations of the receiving surface, to which the processing object is attached, is in FIG. 4 shown in two views.
  • the concentric base plate 14 (again as a counter-plate for the actuator-sensor elements) and a concentric receiving plate 22. This has, in contrast to the receiving plate 15 in the FIG.
  • the piezo-stacks 25 and the springs 26 each form staggered three-staggered arrangements with lines which are pronounced in the axial angle of 120 ° (see upper illustration in FIG. 4 ). Each of these lines is formed by in each case three piezostacks 25 or springs 26 acting on the rings 24 .
  • a further piezo stack 25 can be located in the center of this arrangement. With this arrangement, a statically determined system is given.
  • the invention is However, neither on the described constructive shape still limited to the number of piezoelectric stack 25 shown on the circumference and the number of grooves 23, rings 24 and springs 26 .
  • the base plate 14 must be designed and dimensioned such that the forces introduced with the support of the piezo stack 25 can only cause minimal deformations.
  • the greatest possible rigidity of the rings 24 is desirable, because in this way a small waviness of the deformed receiving plate 22 is achieved even in the case of a small number of piezo stacks 25 in the circumferential direction of the receiving plate 22 .
  • the determination of the pressure distribution on the outer surface of the receiving plate 22 (and thus on the surface of the attached processing object) and the local surface deformation of the receiving plate 22 determined therefrom by the piezo stack 25 is in principle again as in the exemplary embodiment FIG. 2 described.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur hochgenauen Bearbeitung der Oberfläche eines Objektes, insbesondere zum Polieren und Läppen von Halbleitersubstraten, gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine solche Vorrichtung ist aus US 6 325 696 B bekannt. Typische Anwendungen sind die Bearbeitung von Wafern, mask blanks sowie Linsen, Spiegeln und anderen optischen Bauelementen.
    Von besonderer Bedeutung bei der hochgenauen Bearbeitung von Oberflächen ist neben der relativen Geschwindigkeit zwischen zu bearbeitender Oberfläche und Polier- bzw. Läppmittelträger, der auf die Oberfläche einwirkende Bearbeitungsdruck. Nach der PRESTON-Hypothese ergibt sich die lokale Abtrennhöhe Δh für abtragende Verfahren (z.B. Läppen, Polieren, CMP) nach der Beziehung Δ ⁢ h = k ⋅ p ∫ v t ⅆ t ,
    Figure imgb0001
     mit k = Konstante, v(t) = Geschwindigkeit, p = lokaler Druck und t = Bearbeitungszeit. Hieraus wird ersichtlich, dass eine Beeinflussung der lokalen Abtrennhöhe Δh nur über eine lokale Änderung des Druckes p möglich ist, während die Geschwindigkeiten verfahrensbedingt durch die Bewegung (Drehzahlverhältnisse) vorgegeben sind und keine lokale Einflussnahme gestatten.
  • Es ist allgemein bekannt, dass Werkzeuge zum Bearbeiten von Objekten, beispielsweise Substraten, verformt werden, um definierte Formgebungen und/oder Bearbeitungsbedingungen zu bewirken. Dabei wird zwischen aktiver und passiver Formanpassung unterschieden.
  • Die DE 693 22 491 T2 offenbart eine passive Formanpassung durch elastische Grundkörper mit konvexen und konkaven Bereichen. Der Poliermittelträger kann sich dabei makroskopisch in Abhängigkeit der Werkstückoberfläche verformen, so dass mikroskopisch die konvexen Bereiche des Werkstückes selektiv poliert werden.
    Bei der DE 43 02 067 C2 wird die Formanpassung durch ein weiches Polierkissen erreicht.
  • In beiden Fällen handelt es sich um ein rein passives Verfahren, ohne gezielte Beeinflussung der Oberflächenform des zu bearbeitenden Objektes.
  • Die US-Patente 5.635.083 und 6.083.089 beschreiben aktive pneumatische Formanpassungen durch Druck auf die Rückseite des Wafers. Dabei liegt der Wafer nicht am sog. Chuck an, sondern dieser wird seitlich durch einen Retaining-Ring geführt. Nachteilig ist, dass nur eine bestimmte invariante Grundgeometrie in Abhängigkeit vom Druck skaliert verformt werden kann.
  • In der US 6.210.260 B 1 wird ein Chuck beschrieben, welcher unter der Werkzeugoberfläche eine Druckkammer aufweist, die mittels Luft zum Ansaugen des Wafers bzw. zum Anpressen des Wafers an den Poliemittelträger (Polierpad) dient. Hierbei lässt sich die Chuckoberfläche je nach Druckbeaufschlagung entweder konvex oder konkav mit einer bestimmten invarianten Grundgeometrie global verformen, konvev-konkave Verformungen oder eine gezielte Beeinflussung lokaler Bereiche, beispielsweise des Randes, sind nicht möglich.
  • Die Verwendung piezoelektrischer Elemente zur Verformung einer Oberfläche an CMP-Werkzeugen wird in US 5.888.120 und EP 0 904 895 beschrieben.
    Der Einsatz piezoelektrischer Aktoren an sich ist auch aus den US-Patentschriften 4.934.803 und 4.923.302 im Zusammenhang mit einer Spiegelverstellung bekannt. Im Patent US 5.094.536 wird ein aktiv verformbarer Wafer-Chuck für die Lithographie beschrieben. Lokal kann die Oberfläche dabei durch Aktoren verformt werden, wobei die notwendige Vorspannung durch eine Vakuumkammer erzeugt wird. Die Vermessung der Geometrie erfolgt über eine Bildverarbeitungseinrichtung.
    Hierbei wird direkt das zu bearbeitende Werkstück und nicht der Werkstückträger verformt, was besonders bei dünnwandigen Werkstücken zu unerwünschten lokalen Unebenheiten führt.
  • In US 5.888.120 und EP 0 904 395 A2 ist für die Vermessung der Filmdicke eine Einrichtung beschrieben, welche auf einem Laserinterferometer basiert. Dabei wird durch ein Fenster im Polierwerkzeug die Unterseite des Wafers optisch abgetastet. Die Ermittlung der Gleichförmigkeit des Wafers erfolgt über die Messung der Abtragsrate in definierten Bereichen. Im Ergebnis werden Steuersignale für die Aktoren erzeugt, welche die erforderliche Geometrie des Wafers einstellen. Die beschriebene Vorrichtung gestattet jedoch nur die lokale Filmdickenmessung im Bereich des Fensters, auch ist ein Einfluss des Fensters selbst auf den Prozess kaum zu vermeiden.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, die Oberfläche von Objekten mit einer universell anwendbaren Vorrichtung sowie mit einem möglichst geringen Aufwand und in vergleichsweise kurzer Zeit auch bei Prozessschwankungen, Materialinhomogenitäten etc. mit hoher reproduzierbarer Genauigkeit zu bearbeiten.
    Die Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruch 1 gelöst.
  • Das in seiner Oberfläche zu bearbeitende Objekt, wie beispielsweise ein Halbleitersubstrat, wird durch Kleben, Adhäsion, Saugkraft o. ä. an einem sandwichartigen Aufbau zweier mechanisch gegeneinander verspannter Platten aufgenommen. Zwischen den gegeneinander verspannten Platten, von denen eine als Aufnahmefläche zur besagten Halterung des Objektes dient, sind an sich bekannte Aktuator-Sensor-Elemente angeordnet, welche, je nach Ausführung, form- und/oder kraftschlüssig mit der Aufnahmefläche verbunden sind und diese lokal und/oder global verformen können.
    Erfindungsgemäß wird vor Beginn des Bearbeitungsvorganges bei in Arbeitsposition gehaltenem Objekt eine für den Bearbeitungsvorgang maßgebliche Druckverteilung in der Bearbeitungsfläche ermittelt. Zu diesem Zweck wird die Vorrichtung mit dem aufgenommenen zu bearbeitenden Objekt mit definierter Kraft gegen eine speziell abgerichtete, sehr ebene Gegenfläche oder auf der Maschine direkt gegen einen Polierteller, Poliermittelträger, Pad o.ä. gedrückt.
    Dabei entsteht in der Bearbeitungsfläche eine charakteristische örtliche Druckspannungsverteilung, deren Größe und Verteilung von der Oberflächengeometrie (des Objektes und der Gegenfläche) abhängt.
  • Eine weitere Möglichkeit besteht darin, auch während des Bearbeitungsvorganges ohne dessen Unterbrechung (z. B. durch Anhalten und/oder Anheben) die Druckverteilung zu bestimmen. Dazu wird die bereits in Arbeitsposition befindliche, bereits mit der normalen Anpresskraft beaufschlagte Vorrichtung kurzzeitig mit einer zusätzlichen normal zur Bearbeitungsfläche wirkenden Kraft belastet oder entlastet.
    Durch diesen Vorgang ändert sich die örtliche Druckspannungsverteilung in der Bearbeitungsfläche, wobei der Betrag der Änderung (Druckanstieg oder -abfall) wiederum von der Oberflächengeometrie des Objektes und der Gegenfläche abhängt. Sowohl die durch die Kraftaufbringung vor dem Bearbeitungsprozess generierte Druckverteilung als auch die durch eine zusätzliche Kraft während des Bearbeitungsprozesses herbeigeführte Änderung der Druckverteilung in der Bearbeitungsfläche werden als Kräfte durch die dem jeweiligen Oberflächenbereich zugehörigen Aktuator-Sensor-Elemente erfasst und einer Auswerteeinheit für die Ermittlung der genannten Druckverteilung zugeführt.
    Aus der berechneten Druckverteilung werden dann für die Aktuator-Sensor-Elemente zum Zweck einer definierten Oberflächenbearbeitung des Objektes mit ortsspezifischer Einflussnahme Stellgrößen zur lokalen Verformung der Aufnahmefläche des sandwichartigen Aufbaus generiert. Diese lokalen Verformungen dienen als Voreinstellwerte bzw. Regelgrößen für die Erzeugung definierter örtlich wirkender Bearbeitungskräfte (Pressungen) auf die Oberfläche des Objektes. Damit setzt die Oberflächenbearbeitung unmittelbar mit einer voreingestellten und spezifisch auf die vorgesehene Bearbeitungsaufgabe sowie die gegebenen Bearbeitungsbedingungen angepassten Druckverteilung ein. Die Voreinstellung der lokalen Verformungen der Aufnahmefläche kann einmalig vor dem Bearbeitungsvorgang oder auch während dessen, beispielsweise in einem kontinuierlichen Regelprozess, erfolgen. Auf diese Weise kann nicht nur auf eine spezielle Formgebung bzw. auf eine sehr hohe Präzision bei deren Realisierung hingewirkt werden, sondern es können auch unmittelbar auftretende Prozessschwankungen, wie Materialinhomogenitäten, Temperaturänderungen etc, berücksichtigt werden, insbesondere ohne dass bisher noch erforderliche zusätzliche Kontrollen und Prüfungen durchgeführt werden müssen, welche den Bearbeitungsprozess im erheblichen Maß unterbrechen, verzögern, verkomplizieren und im Aufwand erhöhen. Hierdurch werden Fehler und Ungenauigkeiten resultierend aus Abmessungsschwankungen bzw. (beispielsweise thermischen) Deformationen des Bearbeitungsobjektes, der Aufnahmefläche, des Läpp- bzw. Poliermittelträgers und der maschinenseitigen Führung (z. B. Winkelabweichungen) erfasst, die eine individuelle Korrektur bzw. Einstellung für das jeweils zu bearbeitende Werkstück gestatten.
    Von besonderer Bedeutung für die erzielbare Genauigkeit des Prozesses ist, dass durch die erfindungsgemäße Ermittlung der Druckverteilung keine zusätzlichen Elemente zur Messung erforderlich sind. So ergeben sich z. B. bei Verwendung bekannter Druckmessfolien zur Ermittlung der Druckverteilung (Tekscan Inc. / USA, Fuji / Japan, Pressure Profile Systems / USA) allein aus deren Geometriefehlern (z. B. Dickenschwankungen) veränderte Druckverteilungen, wie sie im eigentlichen Bearbeitungsprozess nicht auftreten. Somit ist die Integration derartiger Mess-Systeme in übliche Chucks nicht möglich bzw. sehr aufwendig. Weiterhin sind diese Systeme relativ empfindlich, so dass der Einsatz nur unter Laborbedingungen und nicht unter Fertigungsbedingungen möglich ist.
    Von großem Vorteil ist ferner die Möglichkeit, nicht nur vor Beginn, sondern auch während des Bearbeitungsvorganges, ggf. sogar ohne dessen Unterbrechung Kontrollmessungen der Druckverteilung durchzuführen und ggf. ermittelte Prozessschwankungen durch entsprechende Ansteuerung der Aktuator-Sensor-Elemente auszugleichen.
    Durch die einfache Vorgehensweise mit einer Kraftaufbringung ergeben sich erhebliche Zeiteinsparungen gegenüber teilweise sehr aufwändigen Vermessungen der Oberflächengeometrie, bei denen die o. g. Fehlerquellen nur teilweise berücksichtigt werden.
  • Die Erfindung soll nachstehend anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
  • Es zeigen:
    • Figur 1:
    Vorrichtung nach dem bekannten Stand der Technik zum Läppen bzw. Polieren der Oberfläche eines Halbleitersubstrates
    Figur 2:
    sandwichartige Anordnung zur Aufnahme des Bearbeitungsobjektes, bestehend aus zwei Platten mit dazwischenliegenden und in Ausgleichsmaterial eingebetteten diskreten Aktuator-Sensor-Elementen
    Figur 3:
    sandwichartige Anordnung zur Aufnahme des Bearbeitungsobjektes, bestehend aus zwei Platten und dazwischenliegender Piezokeramik mit segmentierten Metallisierungsschichten
    Figur 4:
    Stelleinrichtung in zwei Ansichten für konzentrische Verformungen der Aufnahmefläche für das Bearbeitungsobjekt
  • Den gegenwärtigen Stand der Technik zum Läppen bzw. Polieren der Oberfläche 1 eines Halbleitersubstrates 2 stellt beispielhaft Figur 1 dar. Das Halbleitersubstrat 2 ist an der Unterseite einer Aufnahme 3 durch Kleben, Adhäsion bzw. Saugkraft befestigt. Die zu bearbeitende Oberfläche 1 des Substrates 2 wird auf einen Läpp- oder Poliermittelträger 4 (auch als sog. Pad bezeichnet) aufgesetzt, der auf einer sich horizontal drehenden Läpp- oder Polierscheibe 5 befestigt ist. Die Läpp- oder Polierscheibe 5 wird durch eine Antriebswelle 6 in Rotation versetzt (symbolisiert durch einen Drehpfeil 7). Über eine weitere Antriebswelle 8 wird auch die Aufnahme 3 in Drehung versetzt (angedeutet durch einen Drehpfeil 9), so dass das Halbleitersubstrat 2, welches mit einer definierten Kraft F (siehe Pfeil 10) auf den Läpp- oder Poliermittelträger 4 gedrückt wird, auf diesem mit einer Relativgeschwindigkeit zu demselben rotiert. Zusätzlich kann das Halbleitersubstrat 2 oszillierend radial über den Läpp- oder Poliermittelträger 4 bewegt werden (siehe Pfeil 11).
    Für den Bearbeitungsvorgang wird eine Läpp- oder Poliersuspension 12 (Slurry) über eine entsprechende Dosiereinrichtung 13 auf den Läpp- oder Poliermittelträger 4 gegeben.
    Zum chemisch-mechanischen Planarisieren wird solch eine Läpp- oder Poliersuspension 12 verwendet, die neben abrasiven Bestandteilen aktive chemische Komponenten enthält. Wichtig für das Ergebnis des Bearbeitungsprozesses ist die exakte Abstimmung/ Übereinstimmung der Wirkzeiten von mechanischen und chemischen Bestandteilen der Läpp- oder Poliersuspension 12.
  • Figur 2 zeigt eine sandwichartige Anordnung zur Aufnahme des Bearbeitungsobjektes, welche aus einer konzentrischen Grundplatte 14 und einer konzentrischen Aufnahmeplatte 15 besteht. Die Grundplatte 14 ist an einem Schaft 16 befestigt. Dieser kann mit einer Antriebswelle (aus Übersichtsgründen nicht dargestellt) in Verbindung stehen. Die Aufnahmeplatte 15 mit ihrer Aufnahmefläche 17 dient zur Halterung des (in Figur 2 ebenfalls nicht dargestellten) Bearbeitungsobjektes. Zwischen der Grundplatte 14 und der Aufnahmeplatte 15 sind Piezostapel 18 als diskrete Aktuator-Sensor-Elemente angeordnet, die in Ausgleichsmaterial 19 eingebettet sind. Für den Bearbeitungsvorgang des beispielsweise durch Kleben, Adhäsion, Saugkraft an der Aufnahmeplatte 15 befestigten Bearbeitungsobjektes wird die Druckverteilung über der Aufnahmefläche 17 ermittelt.
    Dazu wird das Bearbeitungsobjekt beispielsweise durch Aufsetzen auf den Polierteller/Poliermittelträger/Pad o. ä. mit einer Kraft beaufschlagt. Dabei ergibt sich in der Aufnahmefläche 17 eine charakteristische örtliche Druckspannungsverteilung, die über die Aufnahmeplatte 15 als Kräfte auf die Piezostapel 18 wirken, welche kraft- und/oder formschlüssig zwischen der Grundplatte 14 und der Halteplatte 15 angeordnet sind. Die Piezostapel 18 erfassen mittels ihrer Sensorfunktion die auf sie wirkende Kraft als Maß für die in der Aufnahmefläche 17 wirkende Druckverteilung. Zu diesem Zweck stehen die Piezostapel 18 elektrisch mit einer (nicht dargestellten) Auswerte- und Steuerstufe in Verbindung.
    Die Übertragung von Energie und Informationen zu einem gestellfesten Auswerte- bzw. Steuerungs- / Regelungssystem kann dabei entweder über herkömmliche Drehübertrager (Schleifringe) oder drahtlos erfolgen.
    Aus der wie beschrieben ermittelten Druckverteilung in der Aufnahmefläche 17 (und damit auf der Oberfläche des Bearbeitungsobjekts), werden dann in der besagten Auswerte- und Steuerstufe für die einzelnen Piezostapel 18 Stellgrößen ermittelt, mit denen die Aufnahmeplatte 15 in ihrer Aufnahmefläche 17 ortsspezifisch definiert verformt wird (Aktuatorfunktion der Piezoelemente). Damit setzt die Oberflächenbearbeitung unmittelbar mit einer voreingestellten und speziell auf die vorgesehene Bearbeitungsaufgabe sowie die gegebenen Bearbeitungsbedingungen angepassten Druckverteilung ein, wodurch trotz Fertigungstoleranzen, Prozessschwankungen, Materialinhomogenitäten etc. eine hohe reproduzierbare Genauigkeit im Bearbeitungsvorgang erreicht werden kann.
    Das Ausgleichsmaterial 19, in welches die Piezostapel 18 eingebettet sind, besitzt eine geringere Steifigkeit als die Piezostapel 18 und dient zum flexiblen Ausgleich zwischen denselben. Gleichzeitig wirkt das Ausgleichsmaterial 19 für die Piezostapel 18 elektrisch isolierend.
  • In Figur 3 ist ein mit Figur 2 vergleichbarer sandwichartiger Aufbau der konzentrischen Grundplatte 14 und der konzentrischen Aufnahmeplatte 15 gezeigt, mit dem Unterschied, dass hier als Aktuator-Sensor-Elemente nicht diskrete Piezostapel, sondern eine segmentierte Piezokeramik 20 vorgesehen ist, deren Segmente in ihrer Sensorfunktion einzeln abgefragt sowie in ihrer Aktuatorfunktion separat angesteuert werden können. Zur Isolation befindet sich zwischen der Grundplatte 14 und der Aufnahmeplatte 15 um die Piezokeramik 20 herum eine Isolationsschicht 21.
    Die Funktionsweise zur Verstellung der Aufnahmefläche 17 aus der vorher ermittelten Druckverteilung ist prinzipiell wie im Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2 beschrieben.
  • Eine spezielle Stelleinrichtung für konzentrische Verformungen der Aufnahmefläche, an welcher das Bearbeitungsobjekt befestigt wird, ist in Figur 4 in zwei Ansichten dargestellt. Es besteht ein sandwichartiger Aufbau der konzentrischen Grundplatte 14 (wiederum als Gegenplatte für die Aktuator-Sensor-Elemente) und einer konzentrischen Aufnahmeplatte 22. Diese besitzt im Unterschied zur Aufnahmeplatte 15 in der Figur 2 und 3 an ihrer Innenseite konzentrische Rillen 23. Durch die lokale Schwächung des Querschnittes der Aufnahmeplatte 22 entstehen konzentrische Feststoffgelenke 27, durch welche die Aufnahmeplatte 22 im Verstellbereich der besagten Aktuator-Sensor-Elemente radial zu einem nahezu beliebigen konkaven, konvexen oder konkav/konvexen Flächenprofil verformbar ist. Zwischen den konzentrischen Rillen 23 bilden sich an der Innenfläche der Aufnahmeplatte 22 in axialer Richtung sehr steife Ringe 24 heraus, an welche gegen die Grundplatte 14 abgestützten Piezostapel 25 als Aktuator-Sensor-Elemente angreifen. Die Grundplatte 14 und die Aufnahmeplatte 15 sind mit Federn 26 vorgespannt. Die Piezostapel 25 und die Federn 26 bilden jeweils gegeneinander versetzte dreisternförmig ausgebildete Anordnungen mit im Achswinkel von 120° ausgeprägten Linien (siehe obere Abbildung in Figur 4 ). Jede dieser Linien wird durch jeweils drei an den Ringen 24 angreifende Piezostapel 25 bzw. Federn 26 gebildet. Zusätzlich kann sich im Zentrum dieser Anordnung ein weiterer Piezostapel 25 befinden. Mit dieser Anordnung ist ein statisch bestimmtes System gegeben. Die Erfindung ist allerdings weder auf die beschriebene konstruktive Form noch auf die dargestellte Anzahl der Piezostapel 25 noch auf dem Umfang und die Anzahl der Rillen 23 , Ringe 24 und Federn 26 beschränkt.
    Die Grundplatte 14 muss so ausgestaltet und dimensioniert sein, dass die mit Abstützung der Piezostapel 25 eingeleiteten Kräfte lediglich minimale Verformungen hervorrufen können. Eine möglichst große Steifigkeit der Ringe 24 ist anzustreben, weil hierdurch eine geringe Welligkeit der verformten Aufnahmeplatte 22 auch bei geringer Zahl von Piezostapeln 25 in Umfangsrichtung der Aufnahmeplatte 22 erreicht wird.
    Die Ermittlung der Druckverteilung auf der Außenfläche der Aufnahmeplatte 22 (und damit auf der Oberfläche des befestigten Bearbeitungsobjektes) sowie die daraus bestimmte lokale Oberflächenverformung der Aufnahmeplatte 22 durch die Piezostapel 25 ist prinzipiell wiederum so wie im Ausführungsbeispiel zu Figur 2 beschrieben.
    • Aufstellung der verwendeten Bezugszeichen
    • 1 -
    zu bearbeitende Oberfläche
    2 -
    Halbleitersubstrat
    3 -
    Aufnahme
    4 -
    Läpp- oder Poliermittelträger
    5 -
    Läpp- oder Polierscheibe
    6, 8 -
    Antriebswelle
    7, 9 -
    Drehpfeil
    10, 11 -
    Pfeil
    12 -
    Läpp- oder Poliersuspension
    13 -
    Dosiereinrichtung
    14 -
    Grundplatte
    15, 22 -
    Aufnahmeplatte
    16 -
    Schaft
    17 -
    Aufnahmefläche
    18, 25 -
    Piezostapel
    19 -
    Ausgleichsmaterial
    20 -
    Piezokeramik
    21 -
    Isolationsschicht
    23 -
    Rillen
    24 -
    Ringe
    26 -
    Federn
    27 -
    Feststoffgelenk

Claims (8)

  1. Vorrichtung zur hochgenauen Bearbeitung der Oberfläche eines Objektes (2), insbesondere zum Polieren und Läppen von Halbleitersubstraten, bei welcher das Objekt (2) zu dessen Bearbeitung an einer Aufnahmefläche (17) gehalten wird, welche durch eine Anzahl form- und/oder kraftschlüssig mit dieser verbundener Aktuatoren (18, 20, 25) verformbar ist, und die Aktuatoren zwischen zwei gegeneinander mechanisch vorgespannter Platten, der Grundplatte und der Aufnahmeplatte, vorgesehen sind, wobei zur Halterung des Objektes (2) ein sandwichartiger Aufbau zweier gegeneinander mechanisch vorgespannter Platten (14, 15 bzw. 14, 22) vorgesehen ist, von denen eine die besagte Aufnahmefläche (17) bildet und zwischen denen an sich bekannte Aktuator-Sensor-Elemente (18, 20, 25) angeordnet sind, und wobei die Aktuator-Sensor-Elemente (18, 20, 25) mit einer Auswerte- und Steuereinheit in Verbindung stehen, durch welche jeweils die durch eine Kraftbeaufschlagung des gehaltenen Objektes (2) in der Aufnahmefläche (17) entstehende örtliche Druckspannungen durch die auf die Aktuator-Sensor-Elemente (18, 20, 25) wirkenden Kräfte erfasst werden, daraus eine für die zu bearbeitende Oberfläche des Objektes (2) relevante Druckverteilung berechnet und aus dieser wiederum für jedes Aktuator-Sensor-Element (18, 20, 25) eine in Hinsicht auf die vorgesehene Bearbeitung der Oberfläche des Objektes (2) wirksame Stellgröße zur örtlichen Verformung der Aufnahmefläche (17) als Voreinstell- oder Regelgröße für den lokalen Bearbeitungsdruck auf die Oberfläche gewonnen wird, dadurch gekennzeichnet, dass
    die Aufnahmeplatte (22) in ihrer Innenseite mit konzentrischen Rillen (23) in axialer Richtung steife Ringe (24) herausbildend, ausgebildet ist, dass die einzelnen Ringe (24) über Feststoffgelenke (27) verbunden sind und dass zwischen den Stirnflächen der Ringe (24) und der Grundplatte (14) jeweils um 120° zueinander versetzt, als Aktuator-Sensor-Elemente (18, 20, 25) ausgebildete Piezostapel (25) sowie Federn (26) angeordnet sind.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
    als Aktuator-Sensor-Elemente an sich bekannte Piezostapel (18, 25) vorgesehen sind.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
    als Aktuator-Sensor-Elemente eine an sich bekannte Anordnung aus segmentierter Piezokeramik (20) vorgesehen ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
    die Platte (22) mit der Aufnahmefläche (17) zur Erzielung definierter Verformungen Strukturelemente, beispielsweise konzentrische Rillen (23) für eine Verformung mit einem konkaven, konvexen oder konkav/konvexen Flächenprofil, aufweist.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, dass
    die Platten (14, 22) des sandwichartigen Aufbaus durch Federn (26) gegenseitig vorgespannt sind.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, dass
    die Aktuator-Sensor-Elemente (18, 20, 25) in einer sternförmigen Anordnung an die Innenseite der Platte (22) mit der Aufnahmefläche (17) für das Objekt (2) angreifen.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
    die Platten (14, 22) durch eine sternförmige Anordnung der Federn (26) gegenseitig vorgespannt sind.
  8. Vorrichtung nach Ansprüchen 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, dass
    die sternförmigen Anordnungen der Aktuator-Sensor-Elemente (18, 20, 25) und der Federn (26) in einem axialen Winkel zueinander versetzt sind.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014109654A1 (de) 2014-07-10 2016-01-14 Carl Zeiss Jena Gmbh Vorrichtungen zum Bearbeiten von optischen Werkstücken

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7131891B2 (en) * 2003-04-28 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Systems and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces
DE102005016411B4 (de) * 2005-04-08 2007-03-29 IGAM Ingenieurgesellschaft für angewandte Mechanik mbH Vorrichtung zur hochgenauen Oberflächenbearbeitung eines Werkstückes
JP2007054944A (ja) * 2005-07-25 2007-03-08 Hoya Corp マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法
KR101334012B1 (ko) * 2005-07-25 2013-12-02 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판의 제조방법, 마스크 블랭크의제조방법 및 마스크의 제조방법
DE102006057075A1 (de) * 2006-11-30 2008-06-05 Friedrich-Schiller-Universität Jena Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Form eines Wafer-Chucks
DE102008029931A1 (de) 2008-06-26 2009-12-31 Veikko Galazky Vorrichtung zur Oberflächenbearbeitung eines Werkstückes
US20120122373A1 (en) * 2010-11-15 2012-05-17 Stmicroelectronics, Inc. Precise real time and position low pressure control of chemical mechanical polish (cmp) head
JP6148532B2 (ja) * 2013-05-08 2017-06-14 東京応化工業株式会社 貼付装置及び貼付方法
JP2014223684A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 株式会社東芝 研磨装置および研磨方法
CN103398673B (zh) * 2013-08-06 2016-03-30 中国科学院光电技术研究所 一种基于fpga的能动磨盘动态面形采集系统及方法
DE102016214568A1 (de) * 2016-08-05 2018-02-08 Weeke Bohrsysteme Gmbh Bearbeitungsvorrichtung und Bearbeitungsverfahren
CN108145586B (zh) * 2018-01-03 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 抛光设备及抛光方法
US11731231B2 (en) * 2019-01-28 2023-08-22 Micron Technology, Inc. Polishing system, polishing pad, and related methods
FI130973B1 (en) * 2019-11-18 2024-06-25 Turun Yliopisto Apparatus and method for polishing a piece
JP7365282B2 (ja) * 2020-03-26 2023-10-19 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置
WO2021262755A1 (en) 2020-06-24 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Polishing carrier head with piezoelectric pressure control
CN112518500A (zh) * 2020-12-05 2021-03-19 江苏全真光学科技股份有限公司 一种变色镜片生产用抛光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4923302A (en) 1989-02-02 1990-05-08 Litton Systems, Inc. Method and apparatus for calibrating deformable mirrors having replaceable actuators
US4934803A (en) 1989-10-12 1990-06-19 Litton Systems, Inc. Differential pressure deformable mirror
US5094536A (en) 1990-11-05 1992-03-10 Litel Instruments Deformable wafer chuck
JP2789153B2 (ja) 1992-01-27 1998-08-20 マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド マイクロスクラッチのない平滑面を形成するための半導体ウェハの化学機械的平坦化方法
EP0607441B1 (de) 1992-02-12 1998-12-09 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Schleifvorrichtung und verfahren zur verwendung desselben
US5635083A (en) 1993-08-06 1997-06-03 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate
US5720845A (en) * 1996-01-17 1998-02-24 Liu; Keh-Shium Wafer polisher head used for chemical-mechanical polishing and endpoint detection
US5868896A (en) * 1996-11-06 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical planarization machine and method for uniformly planarizing semiconductor wafers
US5888120A (en) 1997-09-29 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for chemical mechanical polishing
DE19802302A1 (de) * 1998-01-22 1999-07-29 Bosch Gmbh Robert Piezoelektrischer Aktor
JPH11285966A (ja) 1998-04-02 1999-10-19 Speedfam-Ipec Co Ltd キャリア及びｃｍｐ装置
US6325696B1 (en) * 1999-09-13 2001-12-04 International Business Machines Corporation Piezo-actuated CMP carrier
US6579151B2 (en) * 2001-08-02 2003-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Retaining ring with active edge-profile control by piezoelectric actuator/sensors
US20030211811A1 (en) * 2002-05-10 2003-11-13 Berman Michael J. Adaptable multi zone carrier

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014109654A1 (de) 2014-07-10 2016-01-14 Carl Zeiss Jena Gmbh Vorrichtungen zum Bearbeiten von optischen Werkstücken
DE102014109654B4 (de) 2014-07-10 2022-05-12 Carl Zeiss Jena Gmbh Vorrichtungen zum Bearbeiten von optischen Werkstücken

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