EP1349232B1 - Mikrowellenresonator - Google Patents
Mikrowellenresonator Download PDFInfo
- Publication number
- EP1349232B1 EP1349232B1 EP03006616A EP03006616A EP1349232B1 EP 1349232 B1 EP1349232 B1 EP 1349232B1 EP 03006616 A EP03006616 A EP 03006616A EP 03006616 A EP03006616 A EP 03006616A EP 1349232 B1 EP1349232 B1 EP 1349232B1
- Authority
- EP
- European Patent Office
- Prior art keywords
- substrate
- resonator
- coating
- microwave resonator
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 22
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 22
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 9
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims 1
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/06—Cavity resonators
- H01P7/065—Cavity resonators integrated in a substrate
Definitions
- the invention relates to a microwave resonator according to the preamble of the main claim.
- FIG. 3 shows a microwave resonator designed as a circular resonator 1, which has the shape of a circular disk in plan view.
- the radius of the circular disk is 1 ⁇ 4 of the length of the electromagnetic resonant in the circular resonator 1 Wave.
- FIG. 4 shows a section which is not to scale through the circular resonator 1 along the line IV-IV in FIG.
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
- Die Erfindung geht aus von einem Mikrowellenresonator nach der Gattung des Hauptanspruches.
- Bei der Herstellung von HF-Oszillatoren hoher Güte, d.h., mit geringem Phasenrauschen, sind Resonatoren erforderlich, die ebenfalls eine hohe Güte aufweisen. Derartige Resonatoren müssen durch niedrige ohmsche Leitungsverluste, durch geringe dielektrische Verluste und durch niedrige Abstrahlverluste gekennzeichnet sein.
- Aus dem Stand der Technik sind vielfache Versuche bekannt, diese Bedingungen zu erfüllen. So wird in der Literaturquelle, D. K. Paul und P. Gardner, "Microwave Oscillator and Filters based on Microstrip Ring Resonator", IEEE MTT-S 1995, ein Ringresonator hoher Güte beschrieben, der jedoch die Nachteile aufweist, dass die Ankopplung problematisch ist, und dass Störmoden auftreten, die unterdrückt werden müssen, wenn ein größerer Abstimmbereich benötigt wird. Durch derartige Maßnahmen nimmt die Güte des Resonators wieder ab.
- Bekannt ist auch ein aus einem Keramiksubstrat bestehender planarer Resonator, das beidseitig metallisiert ist und in beiden Metallisierungsflächen kreisrunde Aussparungen aufweist. Dieser Resonator weist eine hohe Güte auf, hat aber den Nachteil, dass für dessen Montage beidseitig des Substrates ein größeres Luftvolumen vorliegen muss. Dies erfordert größere Kammern für den Resonator, was sich dann als nachteilig erweist, wenn der Resonator in "MIC"-Technik realisiert werden soll.
- Aus der JP 10303618 ist ein rechteckiger Resonator mit drei oder vier leitenden Schichten bekannt. Am äußeren Rand des Resonators sind Bohrungen angebracht, die ein Rechteck bilden. Die Innenseiten der Bohrungen sind leitend beschichtet.
- Aus der Literaturquelle, Elektronik Industrie 4-1190: Dr. Gundolf Kuchler: Koaxiale Keramikresonatoren für 400 MHz bis 4,5 GHz, und aus der Quelle, UKW-Bericht 2/1989: Dr. J. Jirmann: Koaxiale Keramikresonatoren, interessante Bauelemente für den Frequenzbereich zwischen 1 und 2,4 GHz, sind koaxiale Keramikresonatoren bekannt, die je nach Frequenzbereich und Keramikmaterial eine Güte zwischen Q= 400 bis Q=800 aufweisen. Deren Nachteile bestehen darin, dass hierbei extra Bauelemente erforderlich sind, und dass der Übergang zwischen IC und Resonator kritisch ist.
- Bekannt sind zudem aus der Literaturquelle, Artech House: Kajfez/Guillon: Dielectric Resonators, dielektrische Resonatoren, die je nach Frequenzbereich und Resonatormaterial bei Raumtemperatur und im Grundmode TE01δ eine Güte zwischen Q=1000 und Q= 10000 aufweisen. Nachteilig ist, dass diese Resonatoren relativ groß sind, und dass hierbei eine Resonatorkammer erforderlich ist, in der sich das elektrische Feld ausbreitet. Zudem stellt der Resonator ein zusätzliches Bauteil dar. Und im Rahmen der Verwendung dieses Resonators ist eventuell eine Nachbearbeitung (Abschleifen) erforderlich. Als weitere Nachteile weist er eine überdurchschnittliche Gehäuse- und Deckelempfindlichkeit (Mikrophonie) auf, ist die elektrische Abstimmbandbreite aufgrund der hohen Güte sehr gering, d.h., nur ca. 10 MHz, und ist die Montage und der Abgleich eines mit diesem Resonator aufgestatteten Oszillators sehr kompliziert.
- Letztlich sind aus den Literaturquellen E. Belohoubek, E. Denlinger, Loss Considerations for Microstrip Resonators", IEEE MTT, Juni 1975, und A. Gopinath, Maximum Q-Factor of Microstrip Resonators, IEEE MTT Feb. 1981, MIC-Streifenleitungs-Resonatoren bekannt, bei denen für jede Frequenz und für jedes Substratmaterial eine optimale Konfiguration, d.h., Leiterbreite und Substratdicke, realisierbar ist. Der Nachteil dieser bekannten Resonatoren besteht in der relativ niedrigen Güte von nur Q=50 bis Q=200.
- Ein Beispiel eines solchen Resonators ist in den Figuren 1 und 2 dargestellt. Er besteht aus einem streifenförmigen Substrat 12, das beidseitig mit einer leitfähigen Schicht 3 belegt ist, und das nahe der rechten Stirnseite Bohrungen 2 aufweist. Die Innenflächen der Bohrungen 2 sind ebenfalls mit der Schicht 3 belegt, sodass die Schicht 3 der Oberseite 4 und die Schicht 3 der Unterseite 5 elektrisch miteinander verbunden sind. Hierbei bestimmen der ohmsche Widerstand der Schicht 3 am über die Bohrungen 2 kurzgeschlossenen, relativ schmalen Ende die großen ohmschen Leitungsverluste und die ziemlich großen geometrischen Abmessungen des als Signaleingang 13 dienenden linken offenen Endes die großen Abstrahlverluste des bekannten Streifenleitungs-Resonators. Da die Güte des Resonators abhängig ist von der Größe der Leitungsverluste und der Abstrahlverluste, ergibt sich hieraus die relativ niedrige Güte des bekannten Resonators.
- Der erfindungsgemäße Mikrowellenresonator mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruches hat demgegenüber den Vorteil verringerter ohmscher Leitungsverluste und verringerter Abstrahlverluste, sodass er eine sehr hohe Güte aufweist und gut dazu geeignet ist, in HF-Oszillatoren mit hoher Güte eingebaut zu werden.
- Die leitfähige Schicht, bzw. die Anordnung der Löcher, weist die Form einer Kreisscheibe auf, deren Oberseite und deren Unterseite mit der Schicht belegt sind, sind die Bohrungen am Rand der Kreisscheibe angeordnet. Die hierdurch minimierten Abmessungen des offenen Endes reduzieren die Abstrahlverluste des Mikrowellenresonators, und dessen sehr weit aufgespreiztes kurzgeschlossenes Ende verringern dessen ohmsche Leitungsverluste erheblich, sodass hierdurch die Güte des erfindungsgemäßen Resonators sehr erhöht wird.
- Die Kreisscheibe weist als Signaleingang eine von derem zentralen Bereich radial nach außen gerichtete Ankopplungszunge mit der Länge L auf, die seitlich über einen Spalt mit der Breite S von der Kreisscheibe beabstandet ist. Hierdurch ergibt sich die Möglichkeit, über die Spaltbreite S die Abstimmbandbreite und über die Länge L die Kopplung des Mikrowellenresonators einzustellen.
- Der Spalt zwischen Ankoppelzunge und Kreisscheibe ist kreissektor förmig ausgebildet. Durch diese weitgehende Vergrößerung der Spaltbreite ergibt sich eine besonders breitbandige Version des Mikrowellenresonators gemäß der Erfindung.
- Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist der Mikrowellenresonator mehr als eine Ankoppelzunge auf. Dies ermöglicht die Ankopplung einer der Anzahl der Ankoppelzungen entsprechender Anzahl von Leitungen und Bauelementen.
- Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung besteht das Substrat aus verlustarmen dielektrischen Material, welches Material in Keramikform hervorragende Isolationseigenschaften aufweist.
- Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung besteht das Substrat aus Aluminiumoxid, Saphir, Quarzglas, Teflon oder dergleichen.
- Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung besteht die Schicht aus hochleitfähigen Metall, sodass es sich für den vorliegenden Zweck besonders gut eignet.
- Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung besteht die Schicht aus Gold, Silber, Kupfer, Aluminium, Supraleiter oder dergleichen. Dieses Material weist eine hohe elektrische Leitfähigkeit auf und ist sehr korrosionsbeständig, sodass es sich für den vorliegenden Zweck besonders gut eignet.
- Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung, den Zeichnungen und den Ansprüchen entnehmbar.
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Figur 6 dargestellt und wird im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen
- Fig. 1
- Resonator aus einem streifenförmigen Substrat, das beidseitig mit einer leitfähigen Schicht belegt ist,
- Fig. 2
- Resonator gemäß Fig. 1
- Fig. 3
- einen Kreisresonator in Draufsicht,
- Fig. 4
- den Kreisresonator gemäß Fig. 3 im Schnitt entlang der Linie IV-IV,
- Fig. 5
- einen Kreisresonator in Draufsicht mit einer separaten Ankopplungszunge und
- Fig. 6
- einen Kreisresonator in Draufsicht mit einer separaten Ankopplungszunge und einem Spalt zwischen Ankopplungszunge und Kreisresonator in Form eines Kreissektors.
- Ein Beispiel eines solchen Resonators ist in den Figuren 1 und 2 dargestellt. Er besteht aus einem streifenförmigen Substrat 12, das beidseitig mit einer leitfähigen Schicht 3 belegt ist, und das nahe der rechten Stirnseite Bohrungen 2 aufweist. Die Innenflächen der Bohrungen 2 sind ebenfalls mit der Schicht 3 belegt, sodass die Schicht 3 der Oberseite 4 und die Schicht 3 der Unterseite 5 elektrisch miteinander verbunden sind. Hierbei bestimmen der ohmsche Widerstand der Schicht 3 am über die Bohrungen 2 kurzgeschlossenen, relativ schmalen Ende die großen ohmschen Leitungsverluste und die ziemlich großen geometrischen Abmessungen des als Signaleingang 13 dienenden linken offenen Endes die großen Abstrahlverluste des bekannten Streifenleitungs-Resonators. Da die Güte des Resonators abhängig ist von der Größe der Leitungsverluste und der Abstrahlverluste, ergibt sich hieraus die relativ niedrige Güte des bekannten Resonators.
- Figur 3 zeigt einen als Kreisresonator 1 ausgebildeten Mikrowellenresonator, der in Draufsicht die Form einer Kreisscheibe aufweist. Der Radius der Kreisscheibe beträgt ¼ der Länge der im Kreisresonator 1 in Resonanz befindlichen elektromagnetischen Welle. Figur 4 stellt einen nicht maßstabsgerechten Schnitt durch den Kreisresonator 1 entlang der Linie IV-IV in Figur 3 dar.
- Der Kreisresonator 1 besteht aus einer Scheibe aus Aluminiumoxid (Al2O3), d.h., aus einem elektrisch gut isolierenden Substrat 12, welche Scheibe an ihrem Rand durchgehende Bohrungen 2 aufweist und, wie insb. Figur 4 zeigt, beidseitig mit einer Schicht 3 belegt ist, die aus einem hochleitfähigen und nicht korrodierenden Material besteht, wozu sich besonders gut Gold eignet. Auch die Innenflächen der Bohrungen 2 sind mit der leitfähigen Schicht 3 belegt, sodass hierdurch die auf der Oberseite 4 und der Unterseite 5 sich befindlichen Schichten 3 kurzgeschlossen werden. In der Mitte weist die Schicht 3 der Oberseite 4 eine runde Öffnung 6 auf, die als Signaleingang 13 verwendet wird.
- Der in den Figuren 3 und 4 dargestellte Kreisresonator 1 kann bis zu einer Frequenz von 20 GHz betrieben werden. Die Form des Kreisresonator 1 bewirkt, dass dessen ohmsche Leitungsverluste und dessen Abstrahlverluste sehr gering sind, sodass er eine Güte von Q= 700 aufweist. Dies hat insbesondere den Vorteil, dass auch ein mit dem Kreisresonator 1 gemäß der Erfindung ausgestatteter Oszillator eine hohe Güte, d.h., ein geringes Phasenrauschen aufweist. Hierbei erfolgt die Ankopplung der elektrischen Oszillatorbauelemente über den Signaleingang 13 dadurch, dass diese in der Mitte der Oberseite 4 durch die Öffnung 6 und durch das Aluminiumoxid-Substrat durchkontaktiert werden.
- In Figur 5 ist ein Beispiel eines Kreisresonators 7 dargestellt, die anstelle einer zentralen Öffnung 6 auf einer Seite eine Ankopplungszunge 8 als Signaleingang 13 mit der Länge L aufweist.
- Deren Zweck besteht darin, Oszillatorbauelemente mit dem Kreisresonator 7 elektrisch zu verbinden. Der Kreisresonator 7 besteht ebenfalls aus einer Aluminiumoxidscheibe, die beidseitig mit Gold beschichtet ist. Beide Seiten der Goldschicht weisen die in Figur 5 dargestellt Form auf. Auch diese Ausgestaltung eines Kreisresonators hat eine Güte von Q=700. Hierbei besteht nun die Möglichkeit, die Kopplung des Resonators 7 durch eine Variation der Länge L der Ankopplungszunge einzustellen. Wird beidseitig der Ankopplungszunge 8 zwischen dieser und dem Kreisresonator 7 ein Spalt 9 von der Breite S gelassen, besteht die Möglichkeit, die Abstimmbandbreite des Kreisresonators 7 über die Spaltbreite S einzustellen.
- Hieraus folgt eine in Figur 6 dargestellte Ausgestaltung eines Kreisresonators 10, dessen Aufbau bis auf den kreissektorförmigen Spalt 11 identisch ist mit demjenigen des Kreisresonators 7 gemäß Figur 5. Hierbei schließen die Seiten des Spaltes 11 einen Winkel von einer derartigen Größe ein, dass der Kreisresonator 10 eine Abstimmbandbreite von bis zu 15% aufweist.
- Bei der erfindungsgemäßen Ausgestaltung des Kreisresonators 10 besteht nun die Möglichkeit, Oszillatorbauelemente kapazitiv, d.h., über einen Kondensator oder über eine durch einen Koppelschlitz getrennte Leitung auf der Oberseite oder der Unterseite des Aluminiumoxid-Substrates anzukoppeln.
- Zur Abstimmung kann eine Varaktordiode mittels einer weiteren Leitung angekoppelt werden. Diese Diode kann sowohl außerhalb als auch innerhalb der Struktur des Kreisresonators angeordnet sein.
- Hierbei hat die vorliegende Erfindung insb. Den Vorteil, in "MIC"-Technik realisierbar zu sein, wobei die Breite S des Spaltes 9 bzw. der Öffnungswinkel des kreissektorförmigen Spaltes 11 beliebig variiert werden können. Der Kreisresonator 7 bzw. 10 kann zur Ankopplung mehrerer Leitungen auch mit mehr als einer Ankopplungszunge 8 versehen sein, wobei dann die Breite S des Spaltes 9 bzw. die Größe des Öffnungswinkels des kreissektorförmigen Spaltes 11 von der Anzahl der Ankopplungszungen 8 und von der gewünschten Abstimmbandbreite des erfindungsgemäßen Kreisresonators 7 bzw. 10 abhängt.
- Als weiterer Vorteil ist zu nennen, dass der erfindungsgemäße Kreisresonator sehr unempfindlich ist gegenüber solchen Einflüssen der Umgebung, die den Effekt der Mikrophonie auslösen. Dies wird dadurch bewirkt, dass die elektromagnetischen Felder fast vollständig zwischen der Oberseite 4 und der Unterseite 5 der hochleitfähigen Schicht 3 einschließbar sind, und dass die auf der Oberseite 4 und auf der Unterseite 5 befindlichen Schichten 3 über die Bohrungen 2 elektrisch miteinander verbunden sind.
-
- 1
- Kreisresonator
- 2
- Bohrung
- 3
- leitfähige Schicht
- 4
- Oberseite
- 5
- Unterseite
- 6
- Öffnung
- 7
- Kreisresonator
- 8
- Ankopplungszunge
- 9
- Spalt
- 10
- Kreisresonator
- 11
- Spalt
- 12
- Substrat
- 13
- Signaleingang
Claims (6)
- Mikrowellenresonator, bestehend aus einem plattenförmig ausgebildeten und elektrisch isolierenden Substrat (12),- das beidseitig mit einer elektrisch leitfähigen Schicht (3) belegt ist,- das nahe einer Stirnseite der leitfähigen Schicht (3), Bohrungen (2) aufweist,- wobei die Schicht (3) die Innenflächen der Bohrungen (2) bedeckt und damit die auf den beiden Seiten des Substrates (12) aufgetragenen Schichten (3) elektrisch miteinander verbindet, und- wobei derjenige Bereich des Substrates (12) als Signaleingang (13) verwendbar ist, an dem der Randbereich eines Teiles der Schicht (3) vom Substrat (12) isoliert einem anderen Teil der Schicht (3) gegenüberliegt,- wobei der als Signaleingang (13) dienende Bereich des Substrates (12) geringere Abmessungen aufweist, als die mit den Bohrungen (2) versehene Stirnseite des Substrates (12),
dadurch gekennzeichnet,
dass die leitfähige Schicht (3), und die Anordnung der Bohrungen (2) die Form einer Kreisscheibe aufweist,- dass die Bohrungen (2) am Rand der Kreisscheibe angeordnet sind; und- dass die obere leitfähige Schicht der Kreisscheibe als Signaleingang (13) eine von deren zentralen Bereich radial nach außen gerichtete Ankopplungszunge (8) mit der Länge L aufweist, die seitlich über Spalte (9) von der oberen leitfähigen Schicht der Kreisscheibe beabstandet ist;- dass jeder Spalt (11) kreissektorförmig ausgebildet ist. - Mikrowellenresonator nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch mehr als eine Ankoppelzunge (8).
- Mikrowellenresonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (12) aus verlustarmen dielektrischen Material besteht.
- Mikrowellenresonator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (12) aus Aluminiumoxid, Saphir, Quarzglas, Teflon oder dergleichen besteht.
- Mikrowellenresonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (3) aus leitfähigem Material besteht.
- Mikrowellenresonator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (3) aus Gold, Silber, Kupfer, Aluminium, Supraleiter oder dergleichen besteht.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10213766 | 2002-03-27 | ||
DE10213766.8A DE10213766B4 (de) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | Mikrowellenresonator |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP1349232A2 EP1349232A2 (de) | 2003-10-01 |
EP1349232A3 EP1349232A3 (de) | 2003-11-12 |
EP1349232B1 true EP1349232B1 (de) | 2007-04-18 |
Family
ID=27798207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP03006616A Expired - Lifetime EP1349232B1 (de) | 2002-03-27 | 2003-03-25 | Mikrowellenresonator |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1349232B1 (de) |
AT (1) | ATE360267T1 (de) |
DE (2) | DE10213766B4 (de) |
ES (1) | ES2286346T3 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017122809B3 (de) * | 2017-09-29 | 2019-01-10 | Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel | Filtereinrichtung mit Mikrowellenresonator |
US20240322417A1 (en) * | 2023-03-24 | 2024-09-26 | Qualcomm Incorporated | Radio frequency oscillator with ceramic resonator and surface-mounted integrated circuit package |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4771291A (en) * | 1985-08-30 | 1988-09-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Dual frequency microstrip antenna |
JPS6271305A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-02 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体共振器 |
FR2669476A1 (fr) * | 1990-11-21 | 1992-05-22 | Valtronic France | Filtre passif passe-bande. |
FR2671232B1 (fr) * | 1990-12-27 | 1993-07-30 | Thomson Csf | Charge pour ligne triplaque hyperfrequences a substrat dielectrique. |
JP3464117B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2003-11-05 | 京セラ株式会社 | 積層型共振器および積層型フィルタ |
US6181225B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-01-30 | Itron, Inc. | Laser tunable thick film microwave resonator for printed circuit boards |
JP2000174501A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Nec Corp | マイクロストリップラインフィルタ |
JP2001237620A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Ngk Insulators Ltd | 積層型誘電体共振器 |
JP4249376B2 (ja) * | 2000-06-23 | 2009-04-02 | 京セラ株式会社 | 高周波フィルタ |
JP3804407B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2006-08-02 | 日本電気株式会社 | フィルタ |
JP2002026611A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Nec Corp | フィルタ |
-
2002
- 2002-03-27 DE DE10213766.8A patent/DE10213766B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-25 AT AT03006616T patent/ATE360267T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-03-25 EP EP03006616A patent/EP1349232B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-25 ES ES03006616T patent/ES2286346T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-25 DE DE50307048T patent/DE50307048D1/de not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10213766A1 (de) | 2003-10-16 |
DE10213766B4 (de) | 2017-01-12 |
DE50307048D1 (de) | 2007-05-31 |
EP1349232A2 (de) | 2003-10-01 |
ES2286346T3 (es) | 2007-12-01 |
EP1349232A3 (de) | 2003-11-12 |
ATE360267T1 (de) | 2007-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60026388T2 (de) | Spannungsgesteuerte koplanare Phasenschieber | |
DE112016004868B4 (de) | Millimeterwellenantenne und diese verwendender Millimeterwellensensor | |
DE2941826C2 (de) | Mikrowellen-Oszillator | |
DE69405886T2 (de) | Phasenverschiebungsvorrichtung mit spannungssteuerbaren Dielektrika | |
EP0982799B1 (de) | Dielektrische Resonatorantenne | |
DE69802467T2 (de) | Leiterplatte mit einer Übertragungsleitung für hohe Frequenzen | |
DE69113116T2 (de) | Langsam-Wellen-Mikrostreifenübertragungsleitung und Anordnung mit einer solchen Leitung. | |
DE60211069T2 (de) | Dielektrische Resonatorantenne | |
DE10239796B4 (de) | Hochfrequenz-Leitungswandler, -Komponente, -Modul und Kommunikationsvorrichtung | |
DE602006000444T2 (de) | Aus dielektrischem material hergestellter, mit diskreten spannungen abstimmbarer resonator | |
WO1998038694A1 (de) | Resonanzantenne | |
DE2415284A1 (de) | Resonanzfilter fuer ebene uebertragungsleitungen | |
DE10008018A1 (de) | Dielektrischer Resonator, Induktor, Kondensator, Dielektrisches Filter, Oszillator und Kommunikationsvorrichtung | |
DE69620526T2 (de) | In Resonanzfrequenz variierbarer dielektrischer Resonator | |
DE69805095T2 (de) | Mit verschiedenen oberflächen gekoppelter resonator | |
DE4120521A1 (de) | Mikrowellen-planarantenne fuer zwei orthogonale polarisationen mit einem paar von orthogonalen strahlerschlitzen | |
DE69934749T2 (de) | Wandler für elektrisch transversale oder quasi-transversale Moden in Hohlleitermoden | |
DE69430615T2 (de) | Hochfrequenzschaltungselement mit einem Resonator | |
DE69931729T2 (de) | Funkgerät mit einem dielektrischen Filter | |
DE102007046351B4 (de) | Hochfrequenzplatine, die einen Übertragungsmodus von Hochfrequenzsignalen wandelt | |
DE60038079T2 (de) | Dielektrische Resonanzvorrichtung, dielektrisches Filter, zusammengestellte dielektrische Filtervorrichtung, dielektrischer Duplexer und Kommunikationsgerät | |
EP1349232B1 (de) | Mikrowellenresonator | |
DE102004045006B4 (de) | Hochfrequenzfilter | |
EP0752171B1 (de) | Hochfrequenzoszillator in planarbauweise | |
JP2000252704A (ja) | 誘電体フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PUAI | Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
PUAL | Search report despatched |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A2 Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR |
|
AX | Request for extension of the european patent |
Extension state: AL LT LV MK |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A3 Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR |
|
AX | Request for extension of the european patent |
Extension state: AL LT LV MK |
|
RIC1 | Information provided on ipc code assigned before grant |
Ipc: 7H 01P 7/06 A Ipc: 7H 01P 7/08 B |
|
17P | Request for examination filed |
Effective date: 20040511 |
|
17Q | First examination report despatched |
Effective date: 20040617 |
|
AKX | Designation fees paid |
Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR |
|
GRAP | Despatch of communication of intention to grant a patent |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1 |
|
GRAS | Grant fee paid |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3 |
|
GRAA | (expected) grant |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: B1 Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: SI Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 Ref country code: FI Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: CH Ref legal event code: EP |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: IE Ref legal event code: FG4D Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: GERMAN |
|
REF | Corresponds to: |
Ref document number: 50307048 Country of ref document: DE Date of ref document: 20070531 Kind code of ref document: P |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: SE Ref legal event code: TRGR |
|
GBT | Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977) |
Effective date: 20070723 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: PT Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070918 |
|
ET | Fr: translation filed | ||
NLV1 | Nl: lapsed or annulled due to failure to fulfill the requirements of art. 29p and 29m of the patents act | ||
REG | Reference to a national code |
Ref country code: IE Ref legal event code: FD4D |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: ES Ref legal event code: FG2A Ref document number: 2286346 Country of ref document: ES Kind code of ref document: T3 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: IE Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 Ref country code: DK Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 Ref country code: NL Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 Ref country code: BG Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070718 Ref country code: CZ Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 |
|
PLBE | No opposition filed within time limit |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261 |
|
STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: SK Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 |
|
26N | No opposition filed |
Effective date: 20080121 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: GR Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070719 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: RO Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 |
|
BERE | Be: lapsed |
Owner name: TESAT SPACECOM G.M.B.H. & CO. KG Effective date: 20080331 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: MC Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20080331 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: CH Ref legal event code: PL |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: EE Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 Ref country code: LI Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20080331 Ref country code: CH Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20080331 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: BE Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20080331 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: CY Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: AT Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20080325 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: HU Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20071019 Ref country code: LU Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20080325 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: TR Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20070418 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: R082 Ref document number: 50307048 Country of ref document: DE Representative=s name: LKGLOBAL | LORENZ & KOPF PARTG MBB PATENTANWAE, DE Ref country code: DE Ref legal event code: R082 Ref document number: 50307048 Country of ref document: DE Representative=s name: BEATE AVENHAUS, DE Ref country code: DE Ref legal event code: R082 Ref document number: 50307048 Country of ref document: DE Representative=s name: AVENHAUS, BEATE, DIPL.-PHYS. UNIV. DR.(UNIV. B, DE Ref country code: DE Ref legal event code: R082 Ref document number: 50307048 Country of ref document: DE Representative=s name: KOPF WESTENBERGER WACHENHAUSEN PATENTANWAELTE , DE |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: R084 Ref document number: 50307048 Country of ref document: DE |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: FR Ref legal event code: PLFP Year of fee payment: 14 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: R082 Ref document number: 50307048 Country of ref document: DE Representative=s name: LKGLOBAL | LORENZ & KOPF PARTG MBB PATENTANWAE, DE Ref country code: DE Ref legal event code: R082 Ref document number: 50307048 Country of ref document: DE Representative=s name: KOPF WESTENBERGER WACHENHAUSEN PATENTANWAELTE , DE |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: FR Ref legal event code: PLFP Year of fee payment: 15 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: FR Ref legal event code: PLFP Year of fee payment: 16 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: DE Payment date: 20180322 Year of fee payment: 16 Ref country code: GB Payment date: 20180321 Year of fee payment: 16 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: FR Payment date: 20180323 Year of fee payment: 16 Ref country code: SE Payment date: 20180321 Year of fee payment: 16 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: ES Payment date: 20180427 Year of fee payment: 16 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: IT Payment date: 20180327 Year of fee payment: 16 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: R119 Ref document number: 50307048 Country of ref document: DE |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: SE Ref legal event code: EUG |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: SE Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20190326 |
|
GBPC | Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee |
Effective date: 20190325 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: DE Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20191001 Ref country code: GB Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20190325 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: IT Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20190325 Ref country code: FR Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20190331 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: ES Ref legal event code: FD2A Effective date: 20200728 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: ES Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20190326 |