EP1346433A1 - Anordnung mit abstimmbarer kapazität und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Anordnung mit abstimmbarer kapazität und verfahren zu deren herstellung

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Publication number
EP1346433A1
EP1346433A1 EP01270921A EP01270921A EP1346433A1 EP 1346433 A1 EP1346433 A1 EP 1346433A1 EP 01270921 A EP01270921 A EP 01270921A EP 01270921 A EP01270921 A EP 01270921A EP 1346433 A1 EP1346433 A1 EP 1346433A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
electrically conductive
ferroelectric material
ferroelectric
layer
arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP01270921A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Roger WÖRDENWEBER
Roland Ott
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Forschungszentrum Juelich GmbH
Original Assignee
Forschungszentrum Juelich GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Forschungszentrum Juelich GmbH filed Critical Forschungszentrum Juelich GmbH
Publication of EP1346433A1 publication Critical patent/EP1346433A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00—Resonators of the waveguide type
    • H01P7/08—Strip line resonators
    • H01P7/082—Microstripline resonators

Definitions

  • the invention relates to an arrangement with tunable capacitance with an electrical conductor and a ferroelectric material having a changeable dielectric constant ⁇ , the capacitance being tunable by changing the dielectric constant ⁇ .
  • the invention further relates to a method for producing an arrangement with a tunable capacitance with an electrical conductor and a ferroelectric material having a changeable dielectric constant ⁇ , the capacitance being tunable by changing the dielectric constant ⁇ .
  • RF components high-frequency components
  • penetrable filters come as HF components and resonators, phase shifters and super-directional antennas in question.
  • base stations for wireless communication are currently based on the principle of frequency division into several frequency ranges (channels) in multiplex mode.
  • tunable filters which are designed as miniaturized HF components.
  • interference signals for example intermodulation products
  • Changes in the frequency ranges can also be made without replacing filters.
  • Another disadvantage is that all suitable ferroelectrics are associated with high RF losses.
  • the invention has for its object to eliminate the disadvantages mentioned and in particular to provide an arrangement with tunable capacity and with a layer structure,
  • the invention is based on the generic arrangement in that the electrical conductor is an electrically conductive layer that is supported by a substrate, that the electrically conductive layer has an interruption - also called a gap - and that only ferroelectric material is arranged in the gap of the capacitance.
  • a buffer layer can be arranged between the electrically conductive layer and the substrate.
  • Such a buffer layer can bring advantages with regard to special deposition processes as well as with regard to the structuring of the layers. In principle, however, the advantage of the invention is retained, namely that an opposite side degradation of the layers during the manufacturing process is avoided.
  • the ferroelectric material is SrTi0 3 . It is a ferroelectric which can be arranged according to the invention.
  • the ferroelectric material preferably has a greater layer thickness than the electrically conductive layer.
  • the electrically conductive material is thus reliably divided into two areas that are electrically insulated from one another, so that a capacitance is achieved.
  • the dielectric constant ⁇ can be changed by changing an electric field strength.
  • the adjustment can thus be achieved by a physical quantity which can be handled in a simple manner.
  • a further electrode is arranged on the electrically conductive material arranged on the ferroelectric material.
  • an electrical field can be generated in an advantageous manner, which is concentrated in the ferroelectric and can be used to adjust the capacitance.
  • the invention builds on methods of the prior art in that a ferroelectric layer is applied to a substrate structure, that a region is structured out of the ferroelectric layer and that an electrically conductive layer is applied to the substrate structure with an interruption.
  • a ferroelectric layer is applied to a substrate structure, that a region is structured out of the ferroelectric layer and that an electrically conductive layer is applied to the substrate structure with an interruption.
  • the method is particularly advantageous if a uniform substrate is used as the substrate structure. This is a particularly simple solution, which leads to an equally simple arrangement.
  • SrTi0 3 is preferably used as the ferroelectric material in the method. This material is suitable in terms of both application and structuring.
  • Ba j .Sri_ j .TiO 3 or other ferroelectrics can be used as the ferroelectric material.
  • the ferroelectric material has a layer thickness in the range of about 0.3
  • a region is structured out of the ferroelectric material that has a lateral extent in the region of approximately 0.5 - 10 ⁇ m. This ensures a high capacity with simultaneous insulation between the electrodes.
  • the method is also advantageous in that the electrically conductive layer is applied in a smaller layer thickness than the ferroelectric layer.
  • an “interruption” and thus a capacitor effect is provided “automatically” when the electrically conductive layer is applied by the ferroelectric layer.
  • the method is particularly advantageous in that electrically conductive material is arranged on the ferroelectric material and in that a third electrode is arranged on the electrically conductive material arranged on the ferroelectric material.
  • three electrodes can be provided in one method step, which electrodes can be used to apply a voltage.
  • the structuring is carried out by lithography and dry etching. These are proven methods with which a ferroelectric can also be used
  • the layer can be structured, with particularly precise structures with clearly defined edges being able to be produced, particularly in ion beam etching (IBE).
  • the interruption of the electrically conductive layer is generated either by etching or by lift-off methods.
  • the invention is based on the surprising finding that RF losses can be greatly reduced due to the structure specified. This is due in particular to the fact that the ferroelectric, which is subject to high losses, is arranged only in the gap in the capacitance. Likewise, the possibility of a degradation of the layers becomes less likely since both the ferroelectric and the electrodes of the capacitance are deposited directly on the substrate or on the substrate provided with the buffer layer. This is particularly important with regard to a combination of a ferroelectric with a high-temperature superconductor. Overall, improved tunability, lower losses and higher puncture resistance are achieved.
  • the invention will now be explained by way of example with reference to the accompanying drawings using preferred embodiments.
  • Figure 1 schematically shows a circuit diagram of a receiving system for the mobile radio area
  • FIG. 2 schematically shows a circuit diagram of a further reception system for the mobile radio area
  • FIG. 3a shows a first embodiment of a high-frequency band stop resonator
  • FIG. 3b shows a second embodiment of a high-frequency band stop resonator
  • Figure 4 is a diagram for explaining the invention.
  • FIG. 5a shows a first layer structure for realizing a capacitance with a ferroelectric
  • FIG. 5b shows a second layer structure for realizing a capacitance with a ferroelectric
  • FIG. 6a shows a layer arrangement after a first method step
  • FIG. 6b shows a layer arrangement after a second method step
  • FIG. 6c shows a layer arrangement after a third method step
  • Figure 7 is a diagram for explaining the advantages of the invention.
  • FIG. 1 schematically shows an arrangement in which high-frequency components (HF components) are used. It is a reception system that can be used, for example, in the mobile radio area.
  • the arrangement consists of an antenna 120, which is connected to the input of a bandpass filter 122.
  • the output signal of this bandpass filter is passed on to an amplifier 124, which is preferably designed as an LNA ("low noise a plifier").
  • the output signal of this amplifier 124 becomes a multiplexer 126 entered, with the multiplexer 126 providing several channels on the output side.
  • Each of these channels has a mixer 128, a further band-pass filter 130 following the mixer, a further amplifier 132 following the band-pass filter 130, which in turn is preferably designed as an LNA, and an analog-to-digital converter (ADC), which is used by converted analog signals output to amplifiers 132.
  • ADC analog-to-digital converter
  • the arrangement according to FIG. 1 works on the principle of frequency division into many frequency ranges (channels) in multiplex mode.
  • the filter 136 can be tuned, the multiplexer 126 according to FIG. 1, which is disadvantageous in terms of hardware expenditure, is unnecessary; A variable frequency range can be covered by the tunable bandpass filter 136. Furthermore, the arrangement according to FIG. 2 the advantage that interference signals can be filtered out.
  • FIG. 3a and FIG. 3b show two basic sketches of high-frequency band stop resonators.
  • FIG. 3a shows a band stop resonator with a single capacitance.
  • a microstrip line 138 transports an RF signal in the direction indicated by arrow 140 as an example.
  • An LC resonator 142 is arranged in the area of the microstrip line 138 and provides a capacitance C and an inductance L.
  • the frequency to which the arrangement according to FIG. 3a is tuned depends on the inductance and the capacitance of the resonators via the relationship
  • FIG. 3b shows an arrangement similar to that in FIG. 3a, the same reference numerals indicating comparable components.
  • a band stop resonator with double capacity and additional feed lines 144 is provided here for the application of an electrical direct voltage.
  • direct voltages for example, the dielectric constant ⁇ of a ferroelectric can be influenced, which is introduced into the gap of the capacitance and thus has an influence on the capacitance and thus the frequency of the band stop resonator.
  • efforts are made to tune to high frequencies, with mobile radio frequencies in the GHz range, so that it is necessary to set high capacities.
  • 5a and 5b show two possibilities for realizing a capacitance with a ferroelectric.
  • a ferroelectric 112 is arranged on a substrate 114 in FIG. 5a.
  • An electrically conductive layer 110 which has an interruption 116, is applied to the ferroelectric 112.
  • This interruption 116 provides a capacitance which can be changed by changing the dielectric constant of the ferroelectric 112.
  • FIG. 5b Another arrangement is shown in FIG. 5b.
  • An electrically conductive layer 110 with an interruption is located on the substrate 114.
  • a ferroelectric is now applied to the overall arrangement of substrate 114 and electrically conductive layer 110.
  • the capacitance which is realized by the elements of the electrically conductive layer 110 can be influenced by changing the dielectric constant of the ferroelectric 112. 6 shows method steps for producing an arrangement according to the invention.
  • FIG. 6a shows the result of a first method step in which a ferroelectric material 12 is applied as a layer to a substrate 14.
  • This ferroelectric material can be, for example, SrTi0 3 or Ba x Sr-_ x Ti0 3 in a layer thickness of 0.3-5 ⁇ m.
  • the described manufacturing process provides a structure which has an electrical conductor 10 with an interruption. A capacity is made available by this interruption 16.
  • Ferro-electrical material 12, which influences the capacitance, is located in the interruption 16.
  • the conductive layer can consist of normal conductive material or high-temperature superconductor material.
  • the flatter curves show the tunability of a conventional planar thin-film component made of SrTi0 3 and Cu, with the interruption in the electrically conductive layer being 6 ⁇ m.
  • the two upper curves show the tunability of an inventive

Landscapes

  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit abstimmbarer Kapazität mit einem elektrischen Leiter (10) und einem eine veränderbare Dielektrizitätskonstante epsilon aufweisenden ferroelektrischen Material (12), wobei die Kapazität durch Veränderung der Dielektrizitätskonstante epsilon abstimmbar ist, wobei der elektrische Leiter eine elektrisch leitende Schicht (10) ist, die von einem Substrat (14) getragen wird, die elektrisch leitende Schicht (10) eine Unterbrechung (16) aufweist und in der Unterbrechung (16) ferroelektrisches Material (12) angeordnet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit abstimmbarer Kapazität.

Description

Anordnung mit abstimmbarer Kapazität und Verfahren zu deren Herstellung
Beschreibung:
Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit abstimmbarer Kapazität mit einem elektrischen Leiter und einem eine veränderbare Dielektrizitätskonstante ε aufweisenden fer- roelektrischen Material, wobei die Kapazität durch Veränderung der Dielektrizitätskonstante ε abstimmbar ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit abstimmbarer Kapazität mit einem elektrischen Leiter und einem eine veränderbare Dielektrizitätskonstante ε aufweisenden ferroelektrischen Material, wobei die Kapazität durch Veränderung der Dielektrizitätskonstante ε abstimmbar ist.
Die Entwicklung von miniaturisierten Hochfrequenzbauelementen (HF-Bauelementen) ist für unterschiedlichste Anwendungen von hohem Interesse. Beispielsweise können derartige Bauelemente in idealer Weise im Bereich der drahtlosen Kommunikationstechnik, der Radartechnik und vergleichbaren Anwendungen eingesetzt werden. Als HF- Bauelemente kommen beispielsweise durchsti mbare Filter und Resonatoren, Phasenschieber und superdirektive Antennen in Frage.
Beispielsweise basieren Basisstationen für eine drahtlose Kommunikation derzeit auf dem Prinzip der Frequenzaufteilung in mehrere Frequenzbereiche (Kanäle) im Multiplexbetrieb. Es ist möglich, anstelle des Multiplexbetriebs durchstimmbare Filter zu verwenden, welche als miniaturisiertes HF-Bauelement ausgelegt sind. Auf diese Weise kann eine flexiblere Aufteilung der unterschiedlichen Frequenzbereiche gewährleistet werden, und es können Störsignale, beispielsweise Intermodulationsprodukte, ausgeblendet werden. Ebenso können Veränderungen der Frequenzbereiche ohne Austausch von Filtern erfolgen.
Zur Herstellung von abstimmbaren Filtern, welche beispielsweise in Basisstationen für die drahtlose Kommunikation verwendet werden können, existieren unterschiedliche Konzepte. Für die Miniaturisierung derartiger Bauelemente bietet sich die Dünnschichttechnologie an. Ein bekanntes Verfahren, mit dem eine Frequenzabstimmung von Resonatoren erreicht werden kann, beruht auf der Verwendung von Ferroelektrika, deren dielektrische Eigenschaften vom angelegten elektrischen Feld abhängen. Verwendet man ein Ferroelektrikum daher als Dielektrikum in einem Kondensator, so lässt sich ein solcher Kondensator durch das Anlegen unterschiedlicher elektrischen Feldstärken abstimmen, wodurch eine Frequenzanpassung erreicht werden kann. Problematisch bei Anordnungen des Standes der Technik ist jedoch, dass bei einem Betrieb mit hohen Frequenzen sehr hohe Kapazitäten erreicht werden müssen. Folglich müssen größere Bereiche einer Anordnung mit kapazitiven Strukturen versehen werden. Um dies zu erreichen kennt man beispielsweise eine Mäanderlösung.
Weiterhin ist nachteilig, dass alle geeigneten Ferroelektrika mit hohen HF-Verlusten behaftet sind.
Ebenfalls ist zu beachten, dass die Herstellung von mehrschichtigen Anordnungen, welche aus einem Ferroelektrikum und einem verlustarmen keramischen Hochtemperatur- Supraleiter bestehen, bislang üblicherweise zur Schädigung entweder des Supraleiters oder des Ferroelektrikums führen.
Es ist weiterhin zu beachten, dass das Anlegen einer Gleichspannung zum Verändern der Feldstärke und entsprechenden Verändern der Dielektrizitätskonstante des Ferroelektrikums eine spezielle Auslegung der Bauelemente verlangt, da beide Kontakte galvanisch getrennt sein müssen. Dies führt zu ernsthaften Designbeschränkungen.
Des weiteren ist für eine ausreichende Frequenzabstimmung eine ausreichende Variation der dielektrischen Konstante nötig. Bei den bestehenden Designs der Kapazität sind hierzu meist sehr hohe Spannungen notwendig, die eine Anwendung unmöglich machen. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die genannten Nachteile zu beseitigen und insbesondere eine Anordnung mit abstimmbarer Kapazität und mit einem Schichtaufbau zur Verfügung zu stellen,
(i) bei der sich die Schichten gegenseitig nicht schädigen, wobei HF-Verluste im Ferroelektrikum vermindert werden,
(ii) mit der sich kleine Spaltbreiten zum Erreichen hoher Kapazitäten realisieren lassen, und
(iii) bei der kleine Spaltbreiten in Kombination mit hohen Füllfaktoren, die den elektrischen Feldanteil in Dielektroden beschreiben, zu realistischen Spannungen zur Kapazitätsabstimmung der Bauelemente führen.
Des weiteren soll ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung angegeben werden.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche 1 und 15 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen werden in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Die Erfindung baut auf der gattungsgemäßen Anordnung dadurch auf, dass der elektrische Leiter eine elektrisch leitende Schicht ist, die von einem Substrat getragen wird, dass die elektrisch leitende Schicht eine Unterbrechung - auch Spalt genannt - aufweist und dass lediglich im Spalt der Kapazität ferroelektrisches Material angeordnet ist. Durch eine derartige Anordnung wird
(i) die Materialmenge von ferroelektrischem Material verringert, wodurch HF-Verluste begrenzt werden,
(ii) der Füllfaktor des elektrischen Feldes im Dielektrikum gegenüber üblichen Ausführungen erhöht, und
(iii) die Gefahr von Überschlägen zwischen den Elektroden minimiert.
Ebenfalls ist vorteilhaft, dass durch die Anordnung von ferroelektrischem Material in der Unterbrechung der elektrischen Schicht, eine gegenseitige Degradation der Materialien verhindert wird.
Vorzugsweise ist die elektrisch leitende Schicht direkt auf dem Substrat angeordnet. Die elektrisch leitende Schicht wird daher insbesondere nicht auf einem Ferroelektrikum angeordnet, so dass keine Verschlechterung der Schichten beim Herstellungsprozess bewirkt wird.
Es kann auch vorteilhaft sein, dass zwischen der elektrisch leitenden Schicht und dem Substrat eine Pufferschicht angeordnet ist. Eine solche Pufferschicht kann Vorteile im Hinblick auf spezielle Abscheidungsprozesse als auch im Hinblick auf die Strukturierung der Schichten mit sich bringen. Grundsätzlich bleibt dabei jedoch der Vorteil der Erfindung erhalten, dass nämlich eine gegen- seitige Degradation der Schichten während des Herstellungsprozesses vermieden wird.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist das ferroelektrische Material SrTi03. Dabei handelt es sich um ein Ferroelektrikum, welches sich erfindungsgemäß anordnen lässt.
Aus demselben Grund kann es vorteilhaft sein, dass das ferroelektrische Material Ba^r^TiC^ ist. Generell sind nahezu alle Ferroelektrika zu verwenden, wobei sich optimale Konditionen durch hohe Abstimmbarkeit und niedrige Verluste auszeichnen.
Von besonderem Vorteil ist es, dass das ferroelektrische Material eine größere Schichtdicke als die Elektrode aufweist und somit typischerweise im Bereich von etwa 0,3 -
5 μm liegt. Mit derartigen Schichtdicken lassen sich Dielektrizitätskonstanten realisieren, welche in einem geeigneten Bereich zur Abstimmung des Kondensators liegen. Des weiteren ist es dann möglich, die Elektroden im Liftoff-Verfahren zu deponieren.
Ebenfalls ist vorteilhaft, dass das ferroelektrische Material eine möglichst kleine aber ausreichende laterale
Ausdehnung im Bereich von etwa 0,5 - 10 μm aufweist. Mit derartigen lateralen Ausdehnungen, welche mit der Unterbrechung (dem Spalt) in der elektrisch leitenden Schicht korrespondieren, sind Kapazitäts- und Fre'quenzabgleiche möglich, welche für viele Anwendungen von Vorteil sind. Vorzugsweise hat das ferroelektrische Material eine größere Schichtdicke als die elektrisch leitende Schicht. Somit ist das elektrisch leitende Material zuverlässig in zwei elektrisch voneinander isolierte Bereiche unterteilt, so dass eine Kapazität zustande kommt.
Bevorzugt ist die elektrisch leitende Schicht ein Hochtemperatur-Supraleiter . Hochtemperatur-Supraleiter werden immer häufiger aufgrund sehr niedriger HF-Verluste im Rahmen von Dünnschichtanordnungen verwendet. Die Erfindung ist in diesem Zusammenhang von besonderem Vorteil, da die geringen Verluste des Hochtemperatur- Supraleiters nun nicht von Verlusten einer großen Menge an ferroelektrischem Material wieder zunichte gemacht werden.
Es kann allerdings auch vorteilhaft sein, dass die elektrisch leitende Schicht ein konventioneller elektrischer Leiter ist. Je nach Anwendung kann die Anordnung auch auf diese Weise ihre vorteilhaften Eigenschaften entfalten.
Es ist bevorzugt, dass die Dielektrizitätskonstante ε durch Veränderung einer elektrischen Feldstärke veränderbar ist. Somit lässt sich die Abstimmung durch eine physikalische Größe erreichen, welche in einfacher Weise gehandhabt werden kann.
Es ist vorteilhaft, dass an der elektrisch leitenden Schicht Elektroden angeordnet sind, über Elektroden lässt sich eine Spannung zuführen, so dass die elektrische
Feldstärke und somit die Dielektrizitätskonstante ε veränderbar sind.
Es kann vorteilhaft sein, wenn auf dem ferroelektrischen Material elektrisch leitendes Material angeordnet ist. Das elektrisch leitende Material kann somit in einem einstufigen Prozess auf das Substrat und das strukturierte Ferroelektrikum aufgebracht werden.
In diesem Zusammenhang ist es ebenfalls vorteilhaft, wenn an dem auf dem ferroelektrischen Material angeordneten elektrisch leitenden Material eine weitere Elektrode angeordnet ist. Somit lässt sich in vorteilhafter Weise ein elektrisches Feld erzeugen, welches in dem Ferroelektrikum konzentriert ist und zur Abstimmung der Kapazität eingesetzt werden kann.
Die Erfindung baut auf Verfahren des Standes der Technik dadurch auf, dass eine ferroelektrische Schicht auf eine Substratstruktur aufgebracht wird, dass ein Bereich aus der ferroelektrischen Schicht herausstrukturiert wird und dass auf die Substratstruktur eine elektrisch leitende Schicht mit einer Unterbrechung aufgebracht wird. Im Zusammenhang mit dem Verfahren ist als besonders vorteilhaft hervorzuheben, dass keine Degradation der ferroelektrischen Schicht und der elektrisch leitenden Schicht stattfindet, da beide Schichten auf lateral getrennten Bereichen einer Substratstruktur aufgebracht werden. Das Verfahren ist besonders dann vorteilhaft, wenn als Substratstruktur ein einheitliches Substrat verwendet wird. Dies ist eine besonders einfache Lösung, welche zu einer gleichermaßen einfachen Anordnung führt.
Es kann aber auch im Sinne des Herstellungsverfahrens als auch im Sinne der Funktionstüchtigkeit der Anordnung sein, dass als Substratstruktur ein Substrat mit einer auf dem Substrat angeordneten Pufferschicht verwendet wird.
Bevorzugt wird bei dem Verfahren als ferroelektrisches Material SrTi03 verwendet. Dieses Material ist sowohl im Hinblick auf das Aufbringen als auch auf das Strukturieren geeignet.
Gleichermaßen kann als ferroelektrisches Material Baj.Sri_j.TiO3 oder andere Ferroelektrika verwendet werden.
Besonders bevorzugt ist es, dass das ferroelektrische Material in einer Schichtdicke im Bereich von etwa 0,3 -
5 μm aufgebracht wird. Eine solche Schichtdicke ist im Hinblick auf die endgültige Dicke der Elektroden nützlich. Ferner bietet sie gute Voraussetzungen für eine Weiterverarbeitung z.B. im Lift-off-Verfahren.
Aus ähnlichen Gründen ist es von Vorteil, dass aus dem ferroelektrischen Material ein Bereich herausstrukturiert wird, der eine laterale Ausdehnung im Bereich von etwa 0,5 - 10 μm aufweist. So ist eine hohe Kapazität bei gleichzeitiger Isolation zwischen den Elektroden gewährleistet.
Das Verfahren ist ebenfalls dadurch vorteilhaft, dass die elektrisch leitende Schicht in einer geringeren Schichtdicke aufgebracht wird als die ferroelektrische Schicht. Somit wird "automatisch" beim Aufbringen der elektrisch leitenden Schicht durch die ferroelektrische Schicht eine Unterbrechung und somit eine Kondensatorwirkung zur Verfügung gestellt.
Das Verfahren ist besonders dadurch vorteilhaft, dass auf dem ferroelektrischen Material elektrisch leitendes Material angeordnet wird und dass an dem auf dem ferroelektrischen Material angeordneten elektrisch leitenden Material eine dritte Elektrode angeordnet wird. Somit können in einem Verfahrensschritt drei Elektroden bereitgestellt werden, welche zum Anlegen einer Spannung verwendet werden können.
Es kann aber auch vorteilhaft sein, dass auf dem ferroelektrischen Material angeordnetes elektrisch leitendes Material entfernt wird. Somit lässt sich eine Anordnung herstellen, welche nur auf der Substratstruktur elektrisch leitendes Material aufweist.
Es ist vorteilhaft, dass das Herausstrukturieren durch Lithographie und Trockenätzen erfolgt. Dies sind bewährte Verfahren, mit welchen sich auch eine ferroelektrische Schicht strukturieren lässt, wobei sich insbesondere beim Ionenstrahlätzen (IBE) besonders genaue Strukturen mit klar definierten Kanten fertigen lassen.
In diesem Zusammenhang ist es auch vorteilhaft, dass die Unterbrechung der elektrisch leitenden Schicht entweder durch Ätzen oder durch Lift-off-Verfahren erzeugt wird.
Weitere Verbesserungen der erfindungsgemäßen Anordnung lassen sich im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens dadurch erreichen, dass eine Grenzschicht zwischen dem ferroelektrischen Material und dem elektrisch leitenden Material nachbehandelt wird. Eine solche Nachbehandlung kann beispielsweise mit Sauerstoff erfolgen, insbesondere da die Grenzfläche normal zum Substrat ausgerichtet ist.
Der Erfindung liegt die überraschende Erkenntnis zugrunde, dass aufgrund der angegebenen Struktur HF-Verluste stark vermindert werden können. Dies liegt insbesondere daran, dass nur im Spalt der Kapazität das mit starken Verlusten behaftete Ferroelektrikum angeordnet ist. Ebenfalls wird die Möglichkeit einer Degradation der Schichten unwahrscheinlicher, da sowohl das Ferroelektrikum als auch die Elektroden der Kapazität direkt auf das Substrat beziehungsweise auf das mit der Pufferschicht versehene Substrat abgeschieden werden. Dies ist insbesondere im Hinblick auf eine Kombination eines Ferroelektrikums mit einem Hochtemperatur-Supraleiter zu beachten. Insgesamt erreicht man eine verbesserte Abstimmbarkeit, geringere Verluste und eine höhere Durchschlagsicherheit. Die Erfindung wird nun mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen anhand bevorzugter Ausführungsformen beispielhaft erläutert.
Dabei zeigt:
Figur 1 schematisch ein Schaltbild eines Empfangssystems für den Mobilfunkbereich;
Figur 2 schematisch ein Schaltbild eines weiteren Empfangssystems für den Mobilfunkbereich;
Figur 3a eine erste Ausführungsform eines Hochfrequenz-Bandstoppresonators;
Figur 3b eine zweite Ausführungsform eines Hochfrequenz-Bandstoppresonators ;
Figur 4 ein Diagramm zur Erläuterung der Erfindung;
Figur 5a eine erste Schichtstruktur zur Realisierung einer Kapazität mit einem Ferroelektrikum;
Figur 5b eine zweite Schichtstruktur zur Realisierung einer Kapazität mit einem Ferroelektrikum;
Figur 6a eine Schichtanordnung nach einem ersten Verfahrensschritt;
Figur 6b eine Schichtanordnung nach einem zweiten Verfahrensschritt;
Figur 6c eine Schichtanordnung nach einem dritten Verfahrensschritt;
Figur 7 ein Diagramm zur Erläuterung der Vorteile der Erfindung.
In Figur 1 ist schematisch eine Anordnung dargestellt, in welcher Hochfrequenzbauelemente (HF-Bauelemente) zum Einsatz kommen. Es handelt sich um ein Empfangssystem, welches beispielsweise im Mobilfunkbereich verwendet werden kann. Die Anordnung besteht aus einer Antenne 120, welche mit dem Eingang eines Bandpassfilters 122 verbunden ist. Das Ausgangssignal dieses Bandpassfilters wird an einen Verstärker 124 weitergegeben, welcher vorzugsweise als LNA ("low noise a plifier" ) ausgelegt ist. Das Ausgangssignal dieses Verstärkers 124 wird einem Multiplexer 126 eingegeben, wobei ausgangsseitig von dem Multiplexer 126 mehrere Kanäle zur Verfügung gestellt werden. Jeder dieser Kanäle weist einen Mischer 128, einen auf den Mischer folgenden weiteren Bandpassfilter 130, einen auf den Bandpassfilter 130 folgenden weiteren Verstärker 132, welcher wiederum vorzugsweise als LNA ausgelegt ist, und einen Analog-Digital-Konverter (ADC) auf, welcher die von den Verstärkern 132 ausgegebenen analogen Signale konvertiert.
Die Anordnung nach Figur 1 arbeitet nach dem Prinzip der Frequenzaufteilung in viele Frequenzbereiche (Kanäle) im Multiplexbetrieb.
In Figur 2 ist ein alternatives Konzept dargestellt. Wiederum ist als erstes Glied in der Empfangskette eine Antenne 120 vorgesehen. Das Ausgangssignal dieser Antenne wird auf einen frequenzabstimmbaren Bandpassfilter 136 gegeben. Das frequenzabgestimmte Signal wird nun auf einen Verstärker 124, vorzugsweise einen LNA geführt und von dort aus an einen Mischer 128 weitergeleitet. Auf diesen Mischer folgen, ähnlich wie in jedem Kanal der Anordnung gemäß Figur 1, ein Bandpassfilter 130, ein Verstärker 132 und ein Analog-Digital-Konverter 134.
Aufgrund der Abstimmbarkeit des Filters 136 ist der bezüglich des Hardware-Aufwandes nachteilige Multiplexer 126 gemäß Figur 1 entbehrlich; durch den abstimmbaren Bandpassfilter 136 kann ein variabler Frequenzbereich abgedeckt werden. Weiterhin hat die Anordnung gemäß Figur 2 den Vorteil, dass Störsignale herausgefiltert werden können.
Zur Realisierung abstimmbarer Filter, die beispielsweise bei einer Anordnung gemäß Figur 2 als Bauelement 136 verwendet werden können, existieren unterschiedliche Konzepte. Will man derartige Bauelemente miniaturisiert herstellen, so bietet sich die Dünnschichttechnologie an, wobei eine Veränderung von dielektrischen Eigenschaften von Ferroelektrika zur Beeinflussung einer Kapazität verwendet werden, was wiederum Einfluss auf den eingestellten Frequenzbereich hat.
Figur 3a und Figur 3b zeigen zwei prinzipielle Skizzen von Hochfrequenz-Bandstoppresonatoren. In Figur 3a ist ein Bandstoppresonator mit einfacher Kapazität dargestellt. Eine Mikrostreifenleitung 138 transportiert ein HF-Signal in die beispielhaft durch den Pfeil 140 gekennzeichnete Richtung. Im Bereich der Mikrostreifenleitung 138 ist ein LC-Resonator 142 angeordnet, welcher eine Kapazität C und eine Induktivität L zur Verfügung stellt. Die Frequenz, auf welche die Anordnung gemäß Figur 3a abgestimmt ist, hängt von der Induktivität und der Kapazität der Resonatoren über die Beziehung
ab. In Figur 3b ist eine ähnliche Anordnung wie in Figur 3a dargestellt, wobei gleiche Bezugszeichen auf vergleichbare Komponenten deuten. Allerdings ist hier ein Bandstoppresonator mit doppelter Kapazität und zusätzlichen Zuleitungen 144 für das Anlegen einer elektrischen Gleichspannung vorgesehen. Durch das Anlegen von Gleichspannungen kann beispielsweise die Dielektrizitätskonstante ε eines Ferroelektrikums beeinflusst werden, das in den Spalt der Kapazität eingebracht wird und so einen Ein- fluss auf die Kapazität und somit die Frequenz des Bandstoppresonators hat. Grundsätzlich ist man bestrebt, eine Abstimmung auf hohe Frequenzen vorzunehmen, wobei beim Mobilfunk die Frequenzen im GHz-Bereich liegen, so dass es erforderlich ist, hohe Kapazitäten einzustellen. Hingegen ist es im Allgemeinen nicht erwünscht, die Induktivitäten zur Erhöhung der Frequenzen zu vergrößern, da große Induktivitäten große Flächen und Verluste zur Folge haben.
In Figur 4 ist die Abhängigkeit der Dielektrizitätskonstante ε von SrTi03 vom angelegten elektrischen Feld und von der Temperatur dargestellt.
Die obere gestrichelte Linie zeigt den Verlauf der Dielektrizitätskonstante in Abhängigkeit der Temperatur ohne angelegtes elektrisches Feld. Die gepunktete Linie zeigt den Verlauf der Dielektrizitätskonstante in Abhängigkeit der Temperatur mit einem elektrischen Feld von 10 kV/cm. Die Strich-Punkt-Linie zeigt den Verlauf der Dielektrizitätskonstante für ein elektrisches Feld von 30 kv/cm. Die untere Strich-Punkt-Punkt-Kurve zeigt das Verhalten der Dielektrizitätskonstante in Abhängigkeit der Temperatur bei einem elektrischen Feld von 100 kv/cm. Bringt man eine derartige von einer angelegten Spannung abhängige Dielektrizitätskonstante in den Spalt der Kapazität, so lässt sich die Frequenz, auf welche der Filter abgestimmt ist, durch Veränderung des elektrischen Feldes beeinflussen.
In Figur 5a und Figur 5b sind zwei Möglichkeiten zur Realisierung einer Kapazität mit einem Ferroelektrikum dargestellt.
In Figur 5a ist auf einem Substrat 114 ein Ferroelektrikum 112 angeordnet. Auf das Ferroelektrikum 112 ist eine elektrisch leitende Schicht 110 aufgebracht, welche eine Unterbrechung 116 aufweist. Durch diese Unterbrechung 116 wird eine Kapazität zur Verfügung gestellt, welche sich durch Änderung der Dielektrizitätskonstante des Ferro- elektrikums 112 verändern lässt.
In Figur 5b ist eine andere Anordnung dargestellt. Auf dem Substrat 114 befindet sich eine elektrisch leitende Schicht 110 mit einer Unterbrechung. Auf die Gesamtanordnung aus Substrat 114 und elektrisch leitender Schicht 110 wird nun ein Ferroelektrikum aufgebracht. Wiederum lässt sich die Kapazität, welche durch die Elemente der elektrisch leitenden Schicht 110 realisiert wird, durch Verändern der Dielektrizitätskonstante des Ferroelektri- kums 112 beeinflussen. In Figur 6 sind Verfahrensschritte zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Anordnung dargestellt.
In Figur 6a ist das Ergebnis eines ersten Verfahrensschrittes gezeigt, bei dem auf ein Substrat 14 ein ferroelektrisches Material 12 als Schicht aufgebracht wird. Dieses ferroelektrische Material kann beispielsweise SrTi03 oder BaxSr-_xTi03 in einer Schichtdicke von 0,3 - 5 μm sein.
Figur 6b zeigt das Ergebnis einer Weiterverarbeitung, wobei aus der ferroelektrischen Schicht 12 durch Lithographie und Trockenätzen (Ionenstrahlätzen (IBE)) ein kleiner Bereich mit einer lateralen Abmessung von 0,5 - 10 μm herausstrukturiert wird. Dabei ist besonders darauf zu achten, dass eine steile Flanke in der verbleibenden Struktur 12 realisiert wird, was beispielsweise durch Ionenstrahlätzen unter 45° entlang den Kanten erreicht werden kann.
Figur 6c zeigt das Ergebnis eines weiteren Verarbeitungsschrittes, in welchem auf die Struktur gemäß Figur 6b ein Leiter 10, 18 aufgebracht wurde. Dieser Leiter 10, 18 kann beim Aufbringen direkt an den Kanten abreißen, so dass auf diese Weise eine Kapazität zur Verfügung gestellt werden kann. Sollte ein direktes Abreißen nicht erfolgen, so kann die elektrische Isolierung durch zusätzliches Ätzen unter extrem flachem Winkel am Ferroelektrikum 12 erfolgen. Bei der in Figur 6c dargestellten Anordnung können durch die elektrisch leitenden Bereiche 10 und 18 zwei Elektroden zum Zuführen einer Gleichspannung und somit zum Bereitstellen und Verändern einer im Bereich des ferroelektrischen Materials 12 wirkenden Feldstärke vorgesehen sein.
Durch den geschilderten Herstellungsprozess wird eine Struktur zur Verfügung gestellt, welche einen elektrischen Leiter 10 mit einer Unterbrechung aufweist. Durch diese Unterbrechung 16 wird eine Kapazität zur Verfügung gestellt. In der Unterbrechung 16 befindet sich ferro elektrisches Material 12, welches die Kapazität beein- flusst. Die leitende Schicht kann dabei aus normal leitendem Material oder um Hochtemperatur-Supraleiter- Material bestehen.
In Figur 7 ist die Abstimmbarkeit n = C(0)/C(Udc) in Abhängigkeit der angelegten Gleichspannung Udc dargestellt. Die flacher verlaufenden Kurven zeigen die Abstimmbarkeit eines herkömmlichen planaren Dünnschichtbauelementes aus SrTi03 und Cu, wobei hier die Unterbrechung in der elektrisch leitenden Schicht 6 μm beträgt. Die beiden oberen Kurven zeigen die Abstimmbarkeit einer erfindungsgemäßen
Anordnung, wobei Werte für eine Unterbrechung mit 2 μm und für eine Unterbrechung mit 6 μm dargestellt sind. Man erkennt, dass mit erfindungsgemäßen Strukturen eine Abstimmbarkeit über größere Bereiche und mit kleineren Spannungen realisiert werden kann. Die in Figur 7 darge- stellten Messpunkte sind bei einer Temperatur T = 70 K aufgenommen worden.
Die in der vorstehenden Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein.

Claims

Ansprüche:
1. Anordnung mit abstimmbarer Kapazität mit einem elektrischen Leiter (10) und einem eine veränderbare Dielektrizitätskonstante ε aufweisenden ferroelektrischen Material (12), wobei die Kapazität durch Veränderung der Dielektrizitätskonstante ε abstimmbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Leiter eine elektrisch leitende Schicht (10) ist, die von einem Substrat (14) getragen wird, dass die elektrisch leitende Schicht (10) eine Unterbrechung (16) aufweist und dass in der Unterbrechung (16) ferroelektrisches Material (12) angeordnet ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Schicht (10) direkt auf dem Substrat (14) angeordnet ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der elektrischen Schicht und dem Substrat eine Pufferschicht angeordnet ist.
4. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das ferroelektrische Material (12) SrTiθ3 ist.
5. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das ferroelektrische Material (12) Baj.Sri_-. iO3 ist.
6. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das ferroelektrische Material (12) eine Schichtdicke im Bereich von etwa 0,3 - 5 μm aufweist.
7. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das ferroelektrische Material (12) eine laterale
Ausdehnung im Bereich von etwa 0,5 - 10 μm aufweist.
8. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das ferroelektrische Material (12) eine größere Schichtdicke als die elektrisch leitende Schicht (10) hat.
9. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Schicht (10) ein Hochtemperatur-Supraleiter ist.
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Schicht (10) ein konventioneller elektrischer Leiter ist.
11. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dielektrizitätskonstante ε durch Veränderung einer elektrischen Feldstärke veränderbar ist.
12. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an der elektrisch leitenden Schicht (10) Elektroden angeordnet sind.
13. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem ferroelektrischen Material (12) elektrisch leitendes Material (18) angeordnet ist.
14. Anordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass an dem auf dem ferroelektrischen Material (12) angeordneten elektrisch leitenden Material (18) eine Elektrode angeordnet ist.
15. Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit abstimmbarer Kapazität mit einem elektrischen Leiter (10) und einem eine veränderbare Dielektrizitätskonstante ε aufweisenden ferroelektrischen Material (12), wobei die Kapazität durch Veränderung der Dielektrizitätskonstante ε abstimmbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine ferroelektrische Schicht (12) auf eine Substratstruktur (14) aufgebracht wird, dass ein Bereich aus der ferroelektrischen Schicht (12) herausstrukturiert wird und dass auf die Substratstruktur (14) eine elektrisch leitende Schicht (10) mit einer Unterbrechung aufgebracht wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass als Substratstruktur ein einheitliches Substrat (14) verwendet wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass als Substratstruktur ein Substrat mit einer auf dem Substrat angeordneten Pufferschicht verwendet wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass als ferroelektrisches Material (12) SrTi03 verwendet wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass als ferroelektrisches Material (12) BaxSri_x i03 verwendet wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das ferroelektrische Material (12) in einer
Schichtdicke im Bereich von etwa 0,3 - 5 μm aufgebracht wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass aus dem ferroelektrischen Material (12) ein Bereich herausstrukturiert wird, der eine laterale Ausdehnung im Bereich von etwa 0,5 - 10 μm aufweist.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Schicht (10) in einer geringeren Schichtdicke aufgebracht wird als die ferroelektrische Schicht (12).
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem ferroelektrischen Material (12) elektrisch leitendes Material (18) angeordnet wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem ferroelektrischen Material (12) angeordnetes elektrisch leitendes Material (18) entfernt wird.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Herausstrukturieren durch Lithographie und Trockenätzen erfolgt.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterbrechung (16) der elektrisch leitenden Schicht (10) durch Ätzen erzeugt wird.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass eine Grenzschicht zwischen dem ferroelektrischen Material (12) und dem elektrisch leitenden Material (10) nachbehandelt wird.
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5472935A (en) * 1992-12-01 1995-12-05 Yandrofski; Robert M. Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films
AU680866B2 (en) * 1992-12-01 1997-08-14 Superconducting Core Technologies, Inc. Tunable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films
US5965494A (en) * 1995-05-25 1999-10-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Tunable resonance device controlled by separate permittivity adjusting electrodes
EP1135825B1 (de) * 1998-11-09 2005-04-27 Paratek Microwave, Inc. Ferroelektrischer varaktor mit eingebauter gleichstromblockierung
DE19915247A1 (de) * 1999-04-03 2000-10-05 Philips Corp Intellectual Pty Spannungsabhängiger Dünnschichtkondensator
SE513809C2 (sv) * 1999-04-13 2000-11-06 Ericsson Telefon Ab L M Avstämbara mikrovågsanordningar

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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