EP1157418A1 - Verfahren zur herstellung eines integrierten schaltkreises - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines integrierten schaltkreises

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EP1157418A1
EP1157418A1 EP00909049A EP00909049A EP1157418A1 EP 1157418 A1 EP1157418 A1 EP 1157418A1 EP 00909049 A EP00909049 A EP 00909049A EP 00909049 A EP00909049 A EP 00909049A EP 1157418 A1 EP1157418 A1 EP 1157418A1
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EP
European Patent Office
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area
mold
cavity
casting
plastic housing
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP00909049A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Christian Hauser
Ulrich Vidal
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Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
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Filing date
Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01Manufacture or treatment
    • H10W74/016Manufacture or treatment using moulds

Definitions

  • the invention relates to a method for producing an integrated circuit, which has a plastic housing and a metallic leadframe.
  • the invention further relates to a mold for producing an integrated circuit and an integrated circuit itself.
  • the invention relates to a method for testing the function of an integrated circuit.
  • a mold according to the invention is divided into a first mold area with a first cavity area and at least a second mold area with a second cavity area.
  • the first cavity area and the second cavity area form a cavity for receiving a metallic leadframe.
  • the cavity is filled with plastic compound when the lead frame is inserted.
  • the casting mold has at least one edge area for forming a centering edge.
  • the edge region has at least one first contact region in the first cavity region, which in the assembled state of the first mold region and the second mold region with lead frame inserted therebetween bears against a second contact region provided in the second cavity region.
  • the mold according to the invention enables the production of a burr-free plastic housing.
  • the plastic housing is then formed exclusively by the casting mold, which can be designed in a simple manner in such a way that no burr is present in the plastic housing.
  • the integrated circuits incorrectly identified as inoperable due to the presence of an undesirable burr on the plastic housing show poor results in the function test.
  • the integrated circuits are first inserted into a test base and then electrically contacted. Precise centering of the integrated circuit in the base is required, particularly with very small leadframe dimensions.
  • the alignment of the integrated circuit is done via stops, which use the corners of the integrated circuit as a basis. at
  • the design of the mold according to the invention has shown that it is possible to manufacture integrated circuits with plastic housings which can be centered particularly precisely in a test base, even if, owing to the production process, there is an offset between the so-called "package" and the lead frame is given.
  • a mold is first provided, which is divided into a first mold region with a first cavity region and at least a second mold region with a second cavity region.
  • a metallic lead frame is then inserted between the first mold area and the second mold area.
  • the first casting area is then moved together with the second casting area in such a way that between the first casting area and the second casting area the first cavity area and the second cavity area are formed to accommodate the metallic leadframe.
  • the cavity formed is intended to hold plastic mass.
  • the moving together of the first mold area and the second mold area takes place in such a way that at least one first contact area in the first mold area lies against a second contact area provided in the second cavity area.
  • the cavity in the region between the first mold region and the second mold region is not only sealed via a region of the leadframe. Rather, it is provided that the first casting area and the second casting area only partially touch the leadframe from the top and from the bottom. In addition, the first mold area and the second mold area touch directly, it being precisely at these contact points, at which a first contact area in the first cavity area bears against a second contact area in the second cavity area, that ensures a burr-free surface of the plastic housing produced with the mold.
  • the integrated circuit of the invention has a metallic leadframe and a plastic housing, the plastic housing having at least one centering section which can be arranged in the main plane of the leadframe. In the integrated circuit according to the invention, the plastic housing covers the leadframe essentially completely, at least in the region of the centering section, so that a smooth, burr-free surface is formed on the plastic housing.
  • the casting mold can also have a plurality of edge regions which are used to produce a plurality of centering sections on the housing of the integrated circuit.
  • the first contact area in the first cavity area can have a first contact area which, in the assembled state of the first casting area and the second casting area, rests on a second contact area provided on the second contact area.
  • the two contact surfaces are preferably in a parting plane of the mold, so that undercuts in the mold can be avoided.
  • At least one side edge of the first contact area coincides with a side edge of the second contact area in the assembled state of the first casting area and the second casting area.
  • the plastic housing of an integrated circuit often has a burr when during the manufacture of the plastic housing, a leadframe is held between a first mold region and a second mold region, so that the resulting cavity is sealed by pressing the mold regions onto the leadframe.
  • the size of the resulting burr is determined by the leadframe opening and the pressing process.
  • a longitudinal centering of the integrated circuit is provided in the functional test, specifically at those points on the plastic housing which are produced without burrs.
  • a modified leadframe is used which has recesses for shaping the areas of the mold, the mold used for producing the plastic housing, at certain points.
  • the sealing of the cavity is then no longer accomplished entirely via the lead frame, but in some areas by pressing the mold area areas together. In these areas there is no burr on the plastic housing.
  • the size of the package to be produced preferably corresponds to the size and the tolerances of the cavity of the casting mold, taking into account the shrinkage resulting from the method. This creates an exact outer contour that can be used for centering in a test base.
  • FIG. 1 shows a top view of an integrated circuit according to the invention with a plastic housing
  • FIG. 2 shows an enlarged section of the integrated circuit from FIG. 1,
  • FIG. 3 shows a cross section through a mold according to the invention in the manufacture of the integrated circuit from FIG. 1, specifically along a first sectional plane A-A,
  • FIG. 4 shows an enlarged section from FIG. 3
  • FIG. 5 shows a cross section through the casting mold from FIG. 3, specifically along a second sectional plane BB
  • FIG. 6 shows an enlarged detail from FIG. 5.
  • FIG. 1 shows a plan view of an integrated circuit 1 according to the invention.
  • the integrated circuit 1 has a metallic leadframe 2 with conductor tracks 3, of which only one is designated with a reference number in this view.
  • the Leadframe 2 is with a plastic housing
  • each corner is designed as a burr-free centering section 5, while regions adjacent to the centering sections 5 have a housing burr 6 on the circumferential side wall of the plastic housing 4.
  • FIG. 2 shows an enlarged section from FIG. 1. As can be seen particularly well in this view, there is at the transition point between the housing ridge 6 and the centering section
  • the housing ridge 6 interrupted so that the side surface of the plastic housing 4 in the centering section 5 is smooth and burr-free.
  • FIG. 3 shows a cross section along a sectional plane AA through a mold according to the invention at a point in time during the manufacture of the circuit 1 according to the invention.
  • the mold 7 is divided into a first mold region 8 and a second mold region 9, between which in the assembled state of the first Mold area 8 and second mold area 9, the lead frame 2 is clamped.
  • handling areas 10 of the leadframe 2 are shown, which are clamped between the first mold area 8 and the second mold area 9 and which have a cavity 11 formed in the mold 7 against the escape of
  • FIG. 4 shows an enlarged section of the illustration from FIG. 3, on the basis of which the formation of the housing burr 6 from FIG. 1 and FIG. 2 can be illustrated.
  • the handling areas 10 of the leadframe 2 clamped between the first casting area 8 and the second casting area 9 are arranged such that an additional cavity is located in a transition area of the cavity 11 between the first casting area 8 and the second casting area 9 arises, which is filled up by the plastic mass used to manufacture the plastic housing 4.
  • FIG. 5 shows a cross section through the casting mold 7 from FIG. 3, specifically along a sectional plane B-B through the integrated circuit 1 from FIG. 1.
  • FIG. 5 illustrates the production of the plastic housing 4 in the region of a centering section 5, which is designed without a housing burr 6.
  • a second contact area 13 formed on the second mold area 9 lies flat.
  • the inner wall of the cavity in the area of the first contact area 12 and in the area of the second contact area 13 has smooth transitions, so that the plastic housing 4 formed at this point has a smooth and essentially burr-free surface.
  • the first contact area 12 and the second contact area 13 lie in the parting plane of the mold 7, so that no undercut occurs in the manufacture of the plastic housing 4.

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Ein erster Gussformbereich (8) und ein zweiter Gussformbereich (9) werden zusammengefahren, so dass eine Kavität (11) zur Aufnahme eines Leadframes (2) gebildet wird, die mit Kunststoffmasse auffüllbar ist. Das Zusammenfahren erfolgt derart, dass wenigstens ein erster Kontaktbereich (12) des ersten Gussformbereichs (8) an einem zweiten Kontaktbereich (13) des zweiten Gussformbereichs (9) anliegt. Das Kunststoffgehäuse (4) des so hergestellten integrierten Schaltkreises (1) hat zumindest im Bereich eines Zentrierungsabschnitts (5) eine glatte, gratfreie Oberfläche.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, der ein Kunststoffgehäuse und ein metallisches Leadframe aufweist. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Gußform zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises sowie einen integrierten Schaltkreis selbst. Schließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Funktionsprüfung eines integrierten Schaltkreises.
Im Stand der Technik ist es bekannt, integrierte Schaltkreise mit einem Kunststoffgehäuse herzustellen und diese nach der Herstellung einem elektrischen Funktionstest zu unterwerfen. Bei einem solchen Funktionstest wird ein integrierter Schaltkreis in einem Testsockel eingebracht und dann elektrisch kontaktiert und geprüft.
Bei den dem Stand der Technik bekannten integrierten Schaltkreisen kommt es häufig vor, daß ein elektrischer Funktionstest negativ ausfällt, obwohl der integrierte Schaltkreis funktionsfähig ist. Dadurch entsteht ein erhöhter Ausschuß.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen integrierten
Schaltkreis bereitzustellen, bei dessen Herstellung ein vermindertes Maß an Ausschuß anfällt. Es ist weiterhin Aufgabe der Erfindung, eine Gußform zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises mit einem Kunststoffgehäuse sowie ein Ver- fahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises bereitzustellen, durch die ein verminderter Ausschuß ermöglicht wird. Schließlich soll ein verbessertes Verfahren zur Funktionsprüfung bereitgestellt werden.
Diese Aufgabe wird durch die Gegenstände der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen abhängigen Ansprüchen. Eine erfindungsgemäße Gußform gliedert sich in einen ersten Gußformbereich mit einem ersten Kavitätsbereich und in wenigstens einen zweiten Gußformbereich mit einem zweiten Kavi- tätsbereich. In zusammengesetztem Zustand von erstem Gußformbereich und zweitem Gußformbereich bilden der erste Kavitätsbereich und der zweite Kavitätsbereich eine Kavität zur Aufnahme eines metallischen Leadframes . Zur Ausbildung des Kunststoffgehäuses wird die Kavität bei eingesetztem Lead- frame mit Kunststoffmasse gefüllt. Gemäß der Erfindung weist die Gußform wenigsten einen Kantenbereich zur Ausbildung einer Zentrierungskante auf. Der Kantenbereich hat im ersten Kavitätsbereich mindestens einen ersten Kontaktbereich, der in zusammengesetztem Zustand von erstem Gußformbereich und zweitem Gußformbereich mit dazwischen eingebrachtem Leadframe an einem im zweiten Kavitätsbereich vorgesehenen zweiten Kontaktbereich anliegt.
Gemäß einem der Erfindung zugrundeliegenden Gedanken wird mit der erfindungsgemäß ausgebildeten Gußform die Herstellung eines gratfreien Kunststoffgehäuses ermöglicht. Gerade im Kantenbereich wird dann das Kunststoffgehäuse nämlich ausschließlich von der Gußform geformt, die sich auf einfache Weise so ausbilden läßt, daß im Kunststoffgehäuse kein Grat vorhanden ist.
Es hat sich nämlich herausgestellt, daß die unzutreffend als funktionsuntüchtig erkannten integrierten Schaltkreise aufgrund des Vorhandenseins eines unerwünschten Grats am Kunst- stoffgehäuse mangelhafte Ergebnisse beim Funktionstest zeigen. Bei dem Funktionstest werden die integrierten Schaltkreise zunächst in einen Testsockel eingebracht und dann elektrisch kontaktiert. Gerade bei sehr kleinen Leadframe- Abmessungen ist eine genaue Zentrierung des integrierten Schaltkreises im Sockel erforderlich. Die Ausrichtung des integrierten Schaltkreises erfolgt über Anschläge, die die Ek- ken des integrierten Schaltkreises als Basis benutzen. Bei der erfindungsgemäßen Ausbildung der Gußform hat sich herausgestellt, daß sich integrierte Schaltkreise mit Kunststoffge- häusen fertigen lassen, die sich besonders genau in einem Testsockel zentrieren lassen, und zwar auch dann, wenn auf- grund des Fertigungsverfahrens ein Versatz zwischen dem sogenannten "Package" und dem Leadframe gegeben ist.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird zunächst eine Gußform bereitgestellt, die sich in einem ersten Gußformbereich mit einem ersten Kavitätsbereich und wenigsten einem zweiten Gußformbereich mit einem zweiten Kavitätsbereich gliedert. Danach wird ein metallisches Leadframe zwischen den ersten Gußformbereich und zweiten Gußformbereich eingesetzt. Daraufhin wird der erste Gußformbereich derart mit dem zweiten Guß- formbereich zusammengefahren, daß zwischen dem ersten Gußformbereich und dem zweiten Gußformbereich der erste Kavitätsbereich und der zweite Kavitätsbereich eine Kavität zur Aufnahme des metallischen Leadframes ausgebildet wird. Die dabei ausgebildete Kavität ist zur Aufnahme von Kunststoff- masse bestimmt. Gemäß der Erfindung erfolgt das Zusammenfahren von erstem Gußformbereich und zweitem Gußformbereich derart, daß wenigstens ein erster Kontaktbereich im ersten Gußformbereich an einem im zweiten Kavitätsbereich vorgesehenen zweiten Kontaktbereich anliegt. Bei dem erfindungsge- mäßen Verfahren wird anders als bei den im Stand der Technik bekannten Verfahren die Kavität im Bereich zwischen dem ersten Gußformbereich und zweitem Gußformbereich nicht allein über einen Bereich des Leadframes abgedichtet. Vielmehr ist vorgesehen, daß der erste Gußformbereich und der zweite Guß- formbereich das Leadframe nur teilweise von der Oberseite bzw. von der Unterseite berühren. Zusätzlich berühren sich der erste Gußformbereich und der zweite Gußformbereich unmittelbar, wobei gerade an diesen Berührungsstellen, an dem ein erster Kontaktbereich im ersten Kavitätsbereich an einem zweiten Kontaktbereich im zweiten Kavitätsbereich anliegt, eine gratfreie Oberfläche des mit der Gußform hergestellten Kunststoffgehäuses sicherstellt. Der integrierte Schaltkreis der Erfindung weist ein metallisches Leadframe und ein Kunststoffgehäuse auf, wobei das Kunststoffgehäuse wenigstens einen Zentrierungsabschnitt hat, der in der Hauptdurchstreckungsebene des Leadframes angeordnet sein kann. Bei dem erfindungsgemäßen integrierten Schaltkreis bedeckt das Kunststoffgehäuse das Leadframe zumindest im Bereich des Zentrierungsabschnitts im wesentlichen vollständig, so daß eine glatte, gratfreie Oberfläche am Kunst- stoffgehäuse ausgebildet ist.
Gemäß der Erfindung kann die Gußform auch mehrere Kantenbereiche aufweisen, die zur Herstellung von mehreren Zentrierungsabschnitten am Gehäuse des integrierten Schaltkreises dienen. Dabei kann der erste Kontaktbereich im ersten Kavitätsbereich eine erste Kontaktfläche aufweisen, die im zusammengesetzten Zustand von ersten Gußformbereich und zweiten Gußformbereich auf einer an dem zweiten Kontaktbereich vorgesehenen, zweiten Kontaktfläche anliegt. Vorzugsweise liegen in zusammengesetztem Zustand von erstem Gußformbereich und zweitem Gußformbereich die beiden Kontaktflächen in einer Teilungsebene der Gußform, so daß sich Hinterschneidungen in der Gußform vermeiden lassen. Durch das Vorsehen einer ersten Kontaktfläche und einer zweiten Kontaktfläche wird die Her- Stellung eines gratfreien Kunststoffgehäuses gerade im Bereich des Zentrierungsabschnitts ermöglicht. Dabei fällt wenigstens eine Seitenkante der ersten Kontaktfläche in zusammengesetztem Zustand von erstem Gußformbereich und zweitem Gußformbereich mit einer Seitenkante der zweiten Kontaktflä- ehe zusammen. Auf diese Weise kann ein Kunststoffgehäuse hergestellt werden, daß einen Zentrierungsabschnitts aufweist, der sich aus dem Bereich der Seitenkanten der Kontaktflächen ergibt.
Bei Versuchen mit der erfindungsgemäßen Gußform hat sich herausgestellt, daß das Kunststoffgehäuse eines integrierten Schaltkreises häufig dann einen Grat aufweist, wenn während der Herstellung des Kunststoffgehäuses ein Leadframe zwischen einem ersten Gußformbereich und zweiten Gußformbereich gehalten wird, so daß die entstehende Kavität durch das Anpressen der Gußformbereiche an das Leadframe abgedichtet wird. Die Größe des entstehenden Grats wird durch die Leadframe-Öffnung und durch den Andrückvorgang bestimmt. Gemäß der Erfindung ist eine Längszentrierung des integrierten Schaltkreises bei dem Funktionstest vorgesehen, und zwar an denjenigen Stellen des Kunststoffgehäuses, deren Herstellung gratfrei erfolgt. Dazu wird gegenüber dem im Stand der Technik bekannten Leadframes ein modifiziertes Leadframe verwendet, das an bestimmten Stellen Ausnehmungen für Ausformungen der Gußformberei- che, der zur Herstellung des Kunststoffgehäuses verwendeten Gußform aufweist. Die Abdichtung der Kavität wird dann nicht mehr gänzlich über das Leadframe bewerkstelligt, sondern in Teilbereichen durch Aufeinanderpressen von Ausformungen der Gußformbereiche. In diesen Teilbereichen entsteht kein Grat am Kunststoffgehäuse. Vorzugsweise entspricht die Größe des herzustellenden Packages gleich der Größe und der Toleranzen der Kavität der Gußform unter Berücksichtigung der sich aus dem Verfahren ergebenden Schrumpfung. Dadurch entsteht eine genaue Außenkontur, die zur Zentrierung in einem Testsockel verwendet werden kann.
Die Erfindung ist in der Zeichnung anhand eines Ausführungsbeispiels veranschaulicht.
Figur 1 zeigt eine Draufsicht auf einen erfindungsgemäßen integrierten Schaltkreis mit einem Kunststoffge- häuse,
Figur 2 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt des integrierten Schaltkreises aus Figur 1,
Figur 3 zeigt einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Gußform bei der Herstellung des integrierten Schaltkreises aus Figur 1, und zwar entlang einer ersten Schnittebene A-A,
Figur 4 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt aus Figur 3, Figur 5 zeigt einen Querschnitt durch die Gußform aus Figur 3, und zwar entlang einer zweiten Schnittebene B-B, und Figur 6 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt aus Figur 5.
Figur 1 zeigt eine Draufsicht auf einen erfindungsgemäßen integrierten Schaltkreis 1. Der integrierte Schaltkreis 1 weist ein metallisches Leadframe 2 mit Leiterbahnen 3 auf, von denen in dieser Ansicht nur eine mit einer Bezugsziffer be- zeichnet ist. Das Leadframe 2 ist mit einen Kunststoffgehäuse
4 umhüllt, das in der Draufsicht einen im wesentlichen rechteckigen Grundriß mit abgerundeten Ecken aufweist. Dabei ist jede Ecke als gratfreier Zentrierungsabschnitt 5 ausgebildet, während zu den Zentrierungsabschnitten 5 benachbarte Bereiche an der umlaufenden Seitenwand des Kunststoffgehäuses 4 einen Gehäusegrat 6 aufweisen.
Figur 2 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt aus Figur 1. Wie man in dieser Ansicht besonders gut sieht, ist an der Über- gangsstelle zwischen Gehäusegrat 6 und Zentrierungsabschnitt
5 der Gehäusegrat 6 so unterbrochen, daß die Seitenfläche des Kunststoffgehäuses 4 im Zentrierungsabschnitt 5 glatt und gratfrei ausgebildet ist.
Figur 3 zeigt einen Querschnitt entlang einer Schnittebene A-A durch eine erfindungsgemäße Gußform zu einem Zeitpunkt während der Herstellung des erfindungsgemäßen Schaltkreises 1. Die Gußform 7 gliedert sich in einen ersten Gußformbereich 8 und in einen zweiten Gußformbereich 9, zwischen die in zu- sammengesetztem Zustand von erstem Gußformbereich 8 und zweitem Gußformbereich 9 das Leadframe 2 eingeklemmt ist. In dieser Ansicht sind Handhabungsbereiche 10 des Leadframes 2 gezeigt, die zwischen dem ersten Gußformbereich 8 und dem zweiten Gußformbereich 9 eingeklemmt sind und die eine in der Gußform 7 ausgeformte Kavität 11 gegen den Austritt von
Kunststoffmasse auf die Außenseite der Gußform 7 abdichten. Figur 4 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt der Darstellung aus Figur 3, anhand der das Entstehen des Gehäusegrats 6 aus Figur 1 und Figur 2 veranschaulichbar ist. Wie man in Figur 4 besonders gut sieht, sind die zwischen dem ersten Gußformbe- reich 8 und dem zweiten Gußformbereich 9 eingeklemmten Handhabungsbereiche 10 des Leadframes 2 so angeordnet, daß in einem Übergangsbereich der Kavität 11 zwischen erstem Gußformbereich 8 und zweitem Gußformbereich 9 ein zusätzlicher Hohlraum entsteht, der durch die zur Herstellung des Kunststoff- gehäuses 4 verwendete Kunststoffmasse aufgefüllt wird.
Figur 5 zeigt einen Querschnitt durch die Gußform 7 aus Figur 3, und zwar entlang einer Schnittebene B-B durch den integrierten Schaltkreis 1 aus Figur 1.
Figur 5 veranschaulicht die Herstellung des Kunststoffgehäuses 4 im Bereich eines Zentrierungsabschnitts 5, der ohne Gehäusegrat 6 ausgebildet ist. Wie man in dem in Figur 6 gezeigten, gegenüber Figur 5 vergrößerten Ausschnitt der Guß- form 7 sieht, weist der erste Gußformbereich 8 im Bereich des Zentrierungsabschnitts 5 einen ersten Kontaktbereich 12 auf, der in zusammengefahrenem Zustand von erstem Gußformbereich 8 und zweitem Gußformbereich 9 an einem am zweiten Gußformbereich 9 ausgeformtem zweiten Kontaktbereich 13 plan aufliegt. Die Innenwandung der Kavität im Bereich des ersten Kontaktbereichs 12 und im Bereich des zweiten Kontaktbereichs 13 weist glatte Übergänge auf, so daß das an dieser Stelle geformte Kunststoffgehäuse 4 eine glatte und im wesentlichen gratfreie Oberfläche aufweist. Vorteilhafterweise liegen der erste Kon- taktbereich 12 und der zweite Kontaktbereich 13 in der Teilungsebene der Gußform 7, so daß bei der Herstellung des Kunststoffgehäuses 4 keine Hinterschneidung auftritt.

Claims

Patentansprüche
1. Gußform (7) zur Herstellung eines integrierten Bausteins (1) mit einem Kunststoffgehäuse (4), wobei sich die Gußform (7) in einen ersten Gußformbereich (8) mit einem ersten Kavitätsbereich und in wenigstens einen zweiten Gußformbereich (9) mit einem zweiten Kavitätsbereich gliedert, wobei in zusammengesetztem Zustand von erstem Guß- formbereich (8) und zweitem Gußformbereich (9) der erste Kavitätsbereich und der zweite Kavitätsbereich eine Kavität (11) zur Aufnahme eines metallischen Leadframes (2) bilden, die mit Kunststoffmasse auffüllbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Gußform (7) wenigstens einen Kantenbereich zur Ausbildung einer Zentrierungskante (5) am Kunststoffgehäuse (4) aufweist, wobei der Kantenbereich im ersten Kavitätsbereich mindestens einen erster Kontaktbereich (12) aufweist, der in zusammengesetztem Zustand von erstem Guß- formbereich (8) und zweitem Gußformbereich (9) an einem im zweiten Kavitätsbereich vorgesehenen zweiten Kontaktbereich (13) anliegt.
2. Gußform nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gußform mehrere Kantenbereiche aufweist.
3. Gußform nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Kontaktbereich (12) eine erste Kontaktfläche aufweist, die in zusammengesetztem Zustand von erstem Gußformbereich (8) und zweitem Gußformbereich (9) auf einer an dem zweiten Kontaktbereich (13) vorgesehenen, zweiten Kontaktfläche aufliegt.
Gußform nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine Seitenkante der ersten Kontaktfläche in zusammengesetztem Zustand von erstem Gußformbereich (8) und zweitem Gußformbereich (9) mit einer Seitenkante der zweiten Kontaktfläche zusammenfällt.
5. Gußform nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kontaktfläche in zusammengesetztem Zustand von erstem Gußformbereich (8) und zweitem Gußformbereich (9) im wesentlichen plan auf der zweiten Kontaktfläche aufliegt .
6. Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises (1) mit einem Kunststoffgehäuse (4), das die folgen- den Schritte aufweist:
Bereitstellen einer Gußform (7) , die sich in einen ersten Gußformbereich (8) mit einem ersten Kavitätsbereich und in wenigstens einen zweiten Gußformbereich (9) mit einem zweiten Kavitätsbereich gliedert, - Einsetzen eines metallischen Leadframes (2) zwischen den ersten Gußformbereich (8) und den zweiten Gußformbereich (9) ,
Zusammenfahren von erstem Gußformbereich (8) und zweiten Gußformbereich (9) derart, daß zwischen erstem Gußformbereich (8) und zweitem Gußformbereich (9) der erste Kavitätsbereich und der zweite Kavitätsbereich eine Kavität (11) zur Aufnahme des metallischen Leadframes (2) bilden, die mit Kunststoffmasse auffüllbar ist, wobei das Zusammenfahren von erstem Gußformbereich (8) und zweitem Gußformbereich (9) derart erfolgt, daß wenigstens ein erster Kontaktbereich (12) im ersten Kavitätsbereich an einem im zweiten Kavitätsbereich vorgesehenen zweiten Kontaktbereich (13) anliegt.
Integrierter Schaltkreis (1) mit einem metallischem Leadframe (2) und einem Kunststoffgehäuse (4), wobei das Kunststoffgehäuse (4) wenigstens einen Zentrierungsabschnitt (5) aufweist, der im Bereich der Haupterstrek- kungsebene des Leadframes (2) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunststoffgehäuse (4) das Leadframe zumindest im Bereich des Zentrierungsabschnitts (5) im wesentlichen vollständig derart bedeckt, daß eine glatte, gratfreie Oberfläche am Kunststoffgehäuse (4) ausgebildet ist.
Verfahren zur Funktionsprüfung eines integrierten Schaltkreises mit einem Kunststoffgehäuse, das den Schritt des Einsetzens eines integrierten Schaltkreises in eine Test- fassung aufweist, und zwar derart, daß wenigstens ein Zentrierungsabschnitt des Kunststoffgehäuses an einem Zentrierungsanschlag in der Testfassung anliegt, wobei ein integrierter Schaltkreis nach Anspruch 7 und/oder ein mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6 hergestellter integrierter Schaltkreis verwendet wird.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6969918B1 (en) * 2001-08-30 2005-11-29 Micron Technology, Inc. System for fabricating semiconductor components using mold cavities having runners configured to minimize venting
AT502391B1 (de) * 2005-09-20 2007-03-15 Univ Innsbruck Inst Fuer Umwel Verfahren zur behandlung von ammoniumhaltigem abwasser
SI2163524T1 (sl) * 2008-09-12 2012-07-31 Cyklar Stulz Gmbh Postopek obdelave odpadnih voda ki vsebujejo amonij

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4588950A (en) * 1983-11-15 1986-05-13 Data Probe Corporation Test system for VLSI digital circuit and method of testing
US4946633A (en) * 1987-04-27 1990-08-07 Hitachi, Ltd. Method of producing semiconductor devices
JPH01268036A (ja) * 1988-04-19 1989-10-25 Matsushita Electron Corp モールド金型
JP2505051B2 (ja) * 1990-02-01 1996-06-05 三菱電機株式会社 半導体素子用樹脂封止装置及び半導体装置の製造方法
US5521427A (en) * 1992-12-18 1996-05-28 Lsi Logic Corporation Printed wiring board mounted semiconductor device having leadframe with alignment feature
JPH1164441A (ja) * 1997-08-21 1999-03-05 Toshiba Corp 集積回路のテストボード
JPH11204712A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Toshiba Microelectronics Corp リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
EP1068640A1 (de) * 1998-04-06 2001-01-17 Infineon Technologies AG Verwendung der baulichen beschaffenheit eines elektronischen bauteils als referenz bei der positionierung des bauteils

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO0051176A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE19908186A1 (de) 2000-09-07
US20020024126A1 (en) 2002-02-28
DE19908186C2 (de) 2001-08-09
WO2000051176A1 (de) 2000-08-31

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