EP1145298A2 - Verfahren zur herstellung von schottky-dioden - Google Patents
Verfahren zur herstellung von schottky-diodenInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005475 siliconizing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical group [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRZCZVQJHOCRCR-UHFFFAOYSA-N [Si].[Pt] Chemical compound [Si].[Pt] XRZCZVQJHOCRCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66143—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Definitions
- the invention relates to a method for producing Schottky diodes which have a protective ring in the edge region of the Schottky contact.
- the invention further relates to a Schottky diode.
- the invention is based on the object of specifying a method for producing Schottky diodes or a Schottky diode which has typical diameters of 5 to 10 ⁇ m and can be used in high-frequency ranges of typically 77 GHz and above.
- the protective ring is produced by depositing a protective ring material onto the surface of the semiconductor layer previously provided with a structured masking layer and then siliconizing the protective ring material.
- the protective ring material is a metal, in particular a high-barrier metal, which in particular has platinum.
- the protective ring material is expediently applied by vapor deposition or sputtering.
- FIG. 1 shows a semiconductor wafer with a structured oxide layer mask and deposited protective ring material
- FIG. 2 shows a semiconductor wafer according to FIG. 1 after the protective ring material has been siliconized
- FIG 3 shows the semiconductor wafer after the deposition and structuring of the contact metallizations.
- FIG. 1 shows a substrate 1, which usually consists of semiconductor material, with a semiconductor layer 2, which is epitaxially deposited thereon.
- a structured masking layer 3 is deposited on the epitaxially deposited semiconductor layer 2, which represents an approximately 0.5 ⁇ m thick silicon oxide layer and the active surface of the Schottky Diode defined.
- a protective ring material layer 4 is deposited isotropically with a thickness of approximately 0.1 ⁇ m with good edge coverage, which layer 4 consists of a high-barrier metal such as preferably platinum.
- the reference number 5 denotes the axis of symmetry of the rotationally symmetrical Schottky diode.
- the substrate 1 can consist, for example, of n + -doped silicon, while the semiconductor layer 2 can consist of n-doped silicon. However, this choice of material is not mandatory. Substrate 1 and semiconductor layer 2 can also have the mirror-image p-doping or consist of other semiconductor material such as germanium, gallium arsenide or indium phosphide.
- the masking layer 3 can consist of any insulator, in particular of silicon oxide.
- FIG. 2 shows a semiconductor wafer according to FIG. 1, in which the regions of the layer 4 within the epi layer 2 are siliconized, so that platinum silicon sections 6 and 7 are formed.
- a Schottky and contact metallization 12 containing, for example, platinum is deposited and structured.
- An electrode layer 13 deposited on the back of the substrate 1 forms the second connection of the Schottky contact.
- the platinum silicide ring 10 fulfills the requirement of a protective ring for a Schottky diode of the desired application.
- the outer ring 11 has no further function.
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schottky-Dioden, die im Randbereich des Schottky-Kontaktes einen Schutzring (10) aufweisen. Der Schutzring (10) wird mittels Abscheiden eines Schutzringmateriales (4) auf die vorher mit einer strukturierten Maskierungsschicht (3) versehene Oberfläche (8) der Halbleiterschicht (2) und anschliessendem Silizieren des Schutzringmateriales (4) hergestellt. Hierbei stellt das Schutzringmaterial ein Metall, insbesondere ein Hoch-Barrieren-Metall dar, welches insbesondere Platin aufweist.
Description
Beschreibung
Bezeichnung der Erfindung:
Verfahren zur Herstellung von Schottky-Dioden
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schottky-Dioden, die im Randbereich des Schottky-Kontaktes einen Schutzring aufweisen. Die Erfindung betrifft ferner eine Schottky-Diode.
Bei der Herstellung von sehr kleinflächigen Schottky-Dioden, das heißt von Schottky-Dioden mit einem Durchmesser der Größenordnung 5 bis 10 μm, bereitet die Beseitigung der Randeffekte erhebliche Schwierigkeiten. Es ist bekannt, diese Randeffekte mittels einem in Implantationstechnologie im Halbleitersubstrat bzw. in der zuobersten Epitaxieschicht eingebrachten Schutzring zu verringern. Bei sehr kleinflächigen Schottky-Dioden stellt jedoch ein mittels Fotomasken hergestellter dotierter Schutzring eine so erhebliche zusätzli- ehe Kapazität dar, dass solchermaßen hergestellte Schottky- Dioden jedenfalls in höheren Frequenzbereichen nicht verwendet werden können. Für Anwendungen im 77 GHz-Frequenzbereich wird eine Gesamtkapazität der Schottky-Diode von etwa 40 fF gefordert, welche eine parasitäre Kapazität von höchstens 10 fF zulässt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Schottky-Dioden bzw. eine Schottky-Diode anzugeben, welche typische Durchmesser von 5 bis 10 μm besitzt und in Hochfrequenzbereichen von typischerweise 77 GHz und darüber eingesetzt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 bzw. eine Schottky-Diode nach Anspruch 6 gelöst.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass der Schutzring mittels Abscheiden eines Schutzringmateriales auf die vorher mit einer strukturierten Maskierungsschicht versehene Oberfläche der Halbleiterschicht und anschließendem Silizieren des Schutzringmateriales hergestellt wird.
Dem Prinzip der Erfindung folgend stellt das Schutzringmaterial ein Metall, insbesondere ein Hoch-Barrieren-Metall dar, welches insbesondere Platin aufweist.
Zweckmäßigerweise wird das Schutzringmaterial durch Aufdampfen oder Aufsputtern aufgetragen.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 eine Halbleiterscheibe mit strukturierter Oxidschichtmaske und abgeschiedenem Schutzringmaterial;
Figur 2 eine Halbleiterscheibe nach Figur 1 nach dem Silizie- ren des Schutzringmaterials; und
Figur 3 die Halbleiterscheibe nach Abscheiden und Strukturieren der Kontaktmetallisierungen.
Figur 1 zeigt ein Substrat 1, das gewöhnlich aus Halbleitermaterial besteht, mit einer Halbleiterschicht 2, die epitaktisch darauf abgeschieden ist. Auf der epitaktisch abgeschiedenen Halbleiterschicht 2 ist eine strukturierte Maskierungsschicht 3 abgeschieden, welche eine etwa 0,5 μm starke Sili- ziumoxidschicht darstellt und die aktive Fläche der Schottky-
Diode definiert. Auf dieser Anordnung wird eine Schutzringmaterialschicht 4 bei guter Kantenbedeckung isotrop mit einer Stärke von etwa 0,1 μm abgeschieden, welche Schicht 4 aus einem Hoch-Barrieren-Metall wie vorzugsweise Platin besteht. Die Bezugsziffer 5 bezeichnet die Symmetrieachse der rotationssymmetrisch ausgebildeten Schottky-Diode. Das Substrat 1 kann beispielsweise aus n+-dotiertem Silizium bestehen, während die Halbleiterschicht 2 aus n-dotiertem Silizium bestehen kann. Diese Materialwahl ist jedoch nicht zwingend. Substrat 1 und Halbleiterschicht 2 können auch die spiegelbildliche p-Dotierung aufweisen oder aus anderem Halbleitermaterial wie beispielsweise Germanium, Gallium-Arsenid oder Indiumphosphid bestehen. Die Maskierungschicht 3 kann aus einem beliebigen Isolator, insbesondere aus Siliziumoxid beste- hen.
In den folgenden Figuren sind gleiche Gegenstände wie in Figur 1 beschrieben, mit gleichen Bezugszeichen belegt und werden deshalb nicht nochmals erläutert.
Figur 2 zeigt eine Halbleiterscheibe nach Figur 1, bei der die Bereiche der Schicht 4 innerhalb der Epi-Schicht 2 sili- ziert sind, so dass Platinsiliziumabschnitte 6 und 7 entstehen.
Es folgt gemäß Figur 3 ein anisotropes Sputterätzen der Platinschicht 4 vorzugsweise senkrecht zur Oberfläche 8 der Halbleiterscheibe, wobei unter den Oxidkanten 9 ein Schutzring 10 aus Platinsilizid stehen bleibt.
Abschließend wird nach Figur 3 eine beispielsweise Platin enthaltende Schottky- und zugleich Kontaktmetallisierung 12 abgeschieden und strukturiert. Eine auf der Rückseite des Substrates 1 abgeschiedene Elektrodenschicht 13 bildet den zweiten Anschluss des Schottky-Kontaktes .
Der Platinsilizidring 10 erfüllt die Anforderung eines Schutzringes für eine Schottky-Diode der gewünschten Anwendung. Die parasitäre Kapazität liegt für einen Diodendurch- messer von etwa 5 μm bei etwa 5 fF (gemessen bei der Spannung U = 0 V) . Der äußere Ring 11 hat keine weitere Funktion.
Claims
1. Verfahren zur Herstellung von Schottky-Dioden, die im Randbereich des Schottky-Kontaktes einen Schutzring (10) auf- weisen, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass der Schutzring (10) mittels Abscheiden eines Schutzringmateriales (4) auf die vorher mit einer strukturierten Maskierungsschicht (3) versehene Oberfläche (8) der Halbleiter- schicht (2) und anschließendem Silizieren des Schutzringmateriales (4) hergestellt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass das Schutzringmaterial (4) ein Metall, insbesondere ein Hoch-Barrieren-Metall darstellt, welches insbesondere Platin aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass das Schutzringmaterial (4) in einer Stärke von etwa 0,1 μm abgeschieden wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass das Schutzringmaterial (4) durch Aufdampfen bzw. Auf- sputtern aufgetragen wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass die strukturierte Maskierungsschicht (3) eine Siliziumoxid-Schicht mit einer Stärke von etwa 0,5 μm aufweist.
6. Schottky-Diode mit einem am Randbereich des Schottky- Kontaktes angeordneten Schutzring (10), dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass der Schutzring (10) durch ein am Randbereich einer auf der Oberfläche (8) der Halbleiterschicht (2) versehenen strukturierten Maskierungsschicht (3) abgeschiedenes sili- ziertes Schutzringmaterial (4) ausgebildet ist.
7. Schottky-Diode nach Anspruch 6, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass das Schutzringmaterial (4) ein Metall, insbesondere ein Hoch-Barrieren-Metall aufweist.
8. Schottky-Diode nach Anspruch 7, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass das Hoch-Barrieren-Metall des Schutzringes (10) Platin aufweist.
9. Schottky-Diode nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass der Schutzring (10) eine Stärke von etwa 0,1 μm besitzt.
10. Schottky-Diode nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass die strukturierte Maskierungsschicht (3) eine Siliziumoxidschicht, insbesondere mit einer Stärke von etwa 0,2 μm, aufweist.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19823482 | 1998-05-26 | ||
| DE19823482 | 1998-05-26 | ||
| PCT/DE1999/001429 WO1999062113A2 (de) | 1998-05-26 | 1999-05-11 | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EP1145298A2 true EP1145298A2 (de) | 2001-10-17 |
| EP1145298A3 EP1145298A3 (de) | 2002-11-20 |
Family
ID=7868961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EP99934481A Withdrawn EP1145298A3 (de) | 1998-05-26 | 1999-05-11 | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6551911B1 (de) |
| EP (1) | EP1145298A3 (de) |
| JP (1) | JP2003514371A (de) |
| WO (1) | WO1999062113A2 (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8338906B2 (en) * | 2008-01-30 | 2012-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Schottky device |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4107719A (en) * | 1975-02-19 | 1978-08-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Inverse planar transistor |
| US4414737A (en) | 1981-01-30 | 1983-11-15 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Production of Schottky barrier diode |
| US4796069A (en) * | 1981-05-13 | 1989-01-03 | International Business Machines Corporation | Schottky diode having limited area self-aligned guard ring and method for making same |
| US4691435A (en) * | 1981-05-13 | 1987-09-08 | International Business Machines Corporation | Method for making Schottky diode having limited area self-aligned guard ring |
| JPS60157268A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-17 | Rohm Co Ltd | シヨツトキバリアダイオ−ド |
| US4835580A (en) * | 1987-04-30 | 1989-05-30 | Texas Instruments Incorporated | Schottky barrier diode and method |
| JPH0618276B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1994-03-09 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
| CA2008176A1 (en) | 1989-01-25 | 1990-07-25 | John W. Palmour | Silicon carbide schottky diode and method of making same |
| WO1991004581A1 (en) * | 1989-09-21 | 1991-04-04 | Unisearch Limited | Guard barrier for schottky barrier devices |
| JP2809826B2 (ja) * | 1990-06-29 | 1998-10-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| EP1090418B1 (de) * | 1998-05-26 | 2008-07-09 | Infineon Technologies AG | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden |
| US6066884A (en) * | 1999-03-19 | 2000-05-23 | Lucent Technologies Inc. | Schottky diode guard ring structures |
-
1999
- 1999-05-11 EP EP99934481A patent/EP1145298A3/de not_active Withdrawn
- 1999-05-11 JP JP2000551431A patent/JP2003514371A/ja active Pending
- 1999-05-11 WO PCT/DE1999/001429 patent/WO1999062113A2/de not_active Application Discontinuation
-
2000
- 2000-01-26 US US09/491,767 patent/US6551911B1/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| See references of WO9962113A2 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1145298A3 (de) | 2002-11-20 |
| WO1999062113A2 (de) | 1999-12-02 |
| JP2003514371A (ja) | 2003-04-15 |
| WO1999062113A3 (de) | 2002-10-03 |
| US6551911B1 (en) | 2003-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PUAI | Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
| 17P | Request for examination filed |
Effective date: 20000121 |
|
| AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A2 Designated state(s): DE FI FR GB IT NL |
|
| XX | Miscellaneous (additional remarks) |
Free format text: DERZEIT SIND DIE WIPO-PUBLIKATIONSDATEN A3 NICHT VERFUEGBAR. |
|
| PUAK | Availability of information related to the publication of the international search report |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009015 |
|
| AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A3 Designated state(s): DE FI FR GB IT NL |
|
| STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
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|
| 18W | Application withdrawn |
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