EP0992182A1 - Dispositif de protection d'un circuit electrique contre les microdecharges d'interface - Google Patents

Dispositif de protection d'un circuit electrique contre les microdecharges d'interface

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Publication number
EP0992182A1
EP0992182A1 EP97913237A EP97913237A EP0992182A1 EP 0992182 A1 EP0992182 A1 EP 0992182A1 EP 97913237 A EP97913237 A EP 97913237A EP 97913237 A EP97913237 A EP 97913237A EP 0992182 A1 EP0992182 A1 EP 0992182A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
discharges
semiconductor material
electrical
micro
circuit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP97913237A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Pierre Johannet
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Electricite de France SA
Original Assignee
Electricite de France SA
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Filing date
Publication date
Application filed by Electricite de France SA filed Critical Electricite de France SA
Publication of EP0992182A1 publication Critical patent/EP0992182A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/33—Arrangements for noise damping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/288—Shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0066—Constructional details of transient suppressor

Definitions

  • the invention relates to a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and the application of this device to specific electrical circuits.
  • C x denotes the electrical capacity of the insulating layers immediately in contact with the electrical conductor
  • C 2 the conductor capacity - reference voltage or ground
  • e designates a spark gap "causing" the phenomenon of micro-discharge.
  • Micro-discharges therefore have an origin, behavior and primary effect which directly relate them to partial discharges (DP) well known in High Voltage insulation, or even to the corona effect which manifests itself in a gas around conductors brought to high potentials. .
  • DP partial discharges
  • micro-discharges appear for very low electrical voltages in the medium, less than one millivolt. They do not seem to be subject to a threshold effect.
  • micro-discharges necessarily locally generate an electromagnetic wave which constitutes, in particular for electrical or electronic audio-frequency circuits, a major disturbing element.
  • discharges of the same type may appear on the external surface of the insulator covering the conductor, in fact at the insulator-air interface.
  • This phenomenon is in particular justified by the Maxwell-Wagner effect according to which concentrations of electric charges at the interface between two layers of insulating materials can occur. Additional investigations have shown that these micro-discharges are eminently sensitive to the vibratory state, in the mechanical sense of the term, of their support. This phenomenon therefore appears, moreover, the phenomenon of electrical micro-discharges to known triboelectric phenomena, with however the additional existence of one or more harmful electromagnetic waves, due to their direct effect on the electronic audio-frequency signals generated, transmitted or processed by these circuits.
  • Direct confirmation of the aforementioned phenomena and characteristics could be obtained, on the one hand, by highlighting the transmission of such an electromagnetic wave, by the insulating interval, of a few millimeters, existing between the output terminal d 'a power supply and the housing of this power supply, itself connected to earth, and, on the other hand, by the attenuation likely to be made to this electromagnetic wave according to one of the very objects of the present invention.
  • the wave associated with the interface micro-discharges reaches an electronic circuit, part of this is picked up by the elements of the circuit, which, because of their nonlinear transfer characteristic at the frequencies considered - this is in particular the welds and contacts - proceed to a detection phenomenon generating parasitic voltages.
  • the discrete electrical components are likely to serve at the same time of transmitters and receivers. As receivers, they can receive their own emission, and thus amplify it, or that of external components; - the influence of the electromagnetic wave associated with the interface micro-discharges on the useful signal occurs by intermodulation and detection, taking into account the transfer non-linearities existing at such radio frequencies;
  • - a seemingly harmless component, such as a bypass or a plug socket, can be disastrous;
  • electrical insulators or other absorbent screens exhibit very variable behavior at the aforementioned frequencies and can for example focus, reflect or diffract the waves giving totally unexpected results;
  • the wave associated with the interface micro-discharges can be guided outside the conductors and is therefore perfectly able to pass through a socket, a transformer or other component such as winding;
  • the electromagnetic wave resulting from micro-discharges can itself trigger other micro-discharges on the insulating - conductive or insulating - insulating interfaces where there are electric fields of the electrostatic type associated with the audio signal, by an effect of the avalanche effect type ;
  • the present invention relates to the implementation of a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges.
  • Another object of the present invention relates more particularly to the implementation of means for attenuation of the electromagnetic wave associated with the interface micro-discharges of any electrical circuit. Another object of the present invention also relates, more specifically, to the use of means for absorbing the electromagnetic wave associated with the interface micro-discharges of any electrical circuit.
  • Another object of the present invention is also, more specifically, the use of means for absorbing mechanical vibrations capable of affecting the electrical circuit in order to reduce the triboelectric contribution to the electromagnetic wave. associated with interface micro-downloads.
  • the device for protecting an electrical circuit against interface microdecharges and radio interference generated by these interface microdischarges, object of the present invention, incorporating such means, will be better understood on reading the description and observation of the drawings below, in which, in addition to FIGS. 0a to Od relating to technical elements known to the inventor, Mr. P.JOHANNET:
  • FIG. la shows a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, according to the object of the present invention, in a first embodiment
  • FIG. 2 represents a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the electrical circuit consists of a loudspeaker
  • FIGS. 3a, 3b and 3c represent a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the electrical circuit is constituted by the reading and electrical connection conductors of a phonosensor;
  • Figures 4a and 4b show a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, according to the object of the present invention, in the case where the electrical circuit is constituted by a transformer and a transformer isolation respectively;
  • Figures 5a and 5b show, in a first and a second alternative embodiment, a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the electrical circuit consists of a circuit of discrete components wired on a printed circuit board;
  • FIG. 6a, 6b, 6c and 6d show a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the electrical circuit is constituted by a particular electrical or electronic outlet;
  • FIG. 7a and 7b show a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the electrical circuit is constituted by discrete elements wired on a board printed circuit board;
  • FIG. 8 shows a device for protecting an electrical circuit against interface microdecharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the electrical circuit consists of a stabilized supply.
  • the device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and the radio interference generated by these interface micro-discharges object of the present invention, is intended for an application of all types electric circuit, the concept of electric circuit covering a field as wide as that relating to electric conductors, or simple electric cables, much more elaborate electric circuits such as transformers, electric circuits with discrete components or in the form of components with integrated circuit wired on a printed circuit board, electrical and / or electronic sockets, electrodyna- mics such as loudspeakers or phonosensor reading cells for example.
  • the device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and radio interference generated by these interface micro-discharges is remarkable in that it comprises, in the vicinity of this electrical circuit, an element for attenuating the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges.
  • the electrical circuit in this figure, is deemed to be constituted by a plurality of electrical conductors such as enameled wires of 5 / 10ths of a mm in diameter, these conductors bearing the reference 1 in FIG.
  • the attenuation element of the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges normally present at the interface between the above-mentioned electrical conductors 1 and the surrounding space, or even the insulating constituent enamel covering these wires or electrical conductors, bears the reference 2 in Figure la.
  • the attenuation element 2 of the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges advantageously comprises a coating of semiconductor material applied to the external surface of the electrical conductor 1.
  • the element 2, in accordance with a particularly advantageous aspect of the present invention consists of this semiconductor material whose linear resistivity is chosen within a suitable range of values, so as to allow both the maintenance of the external surface of the electrical conductor at a static electrical potential of constant local value, close to that of the electrical conductor 1, and of absorbing all of the erratic electrical discharge currents caused by micro-discharges interface, and thus attenuate the electromagnetic wave generated by them.
  • the semiconductor coating constituting the element 2 for attenuation of the electromagnetic wave has a linear resistivity of value ⁇ between 0.1 ⁇ m and 10 ⁇ .
  • the element 2 absorbing the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges can consist of a liquid saline solution or a gel thereof having a resistivity close to 0.7 ⁇ m corresponding to that of physiological saline for example, this solution s 'being shown to be particularly effective.
  • a heat-shrinkable sheath 2 3 can be provided at each end of the enclosure or plastic tube 2 0 to thus constitute a cable protected in accordance with the object of the present invention and bearing the reference CP later in the description.
  • the passage of conduc- electrical sensors 1 through the sealing sleeve 2 X can be sealed with an epoxy resin for example, referenced 2 4 in FIG.
  • the attenuation element 2 can for example consist of a 0.9% sodium chloride solution NaCl or else physiological saline.
  • the attenuation element 2 of the electromagnetic wave generated by the interface micro-discharges comprises an element absorbing this electromagnetic wave generated by these micro-discharges interface.
  • this same element of attenuation 2 of the electromagnetic wave also made it possible to ensure absorption of the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges by an attenuation of the electric field propagated by radiation due to the semiconductor property of the aforementioned attenuation element 2.
  • the boundary conditions of the electrically conductive walls of the waveguide impose a field value substantially zero in the vicinity of these walls.
  • the attenuation element because of its semiconductor properties, has the effect of reducing the value of the electromagnetic field thus radiated due to the appearance of the phenomenon of interface micro-discharges.
  • the electrical circuit can for example consist of an electrical transformer.
  • the element 2 for attenuation of the electromagnetic wave generated by the interface micro-discharges in the form of an element absorbing mechanical vibrations liable to affect the electrical circuit considered.
  • an electrical transformer bearing the reference 1 in FIG. 1b, is the seat of electromechanical vibrations, these electromechanical vibrations being capable of causing the appearance of electrical micro-discharges and, consequently, the appearance of radio interference consecutive to the existence of these micro-charges.
  • the reference 2 thus designates the element for attenuating the electromagnetic wave generated by the micro-discharges, this element constituting an element absorbing the above-mentioned mechanical vibrations.
  • this element can then consist of a pulverulent element having semiconductor properties as mentioned above.
  • the reference 20 designates a housing in which the electrical circuit 1, constituted by a transformer, immersed in the powdery element 2, and this powdery element, are contained, as shown in the aforementioned figure 1b.
  • the box 20 can be made up of any suitable plastic material case that is sufficiently rigid.
  • the pulverulent element 2 was constituted by silica sand to which 0.1% by mass of powdered graphite had been added.
  • interface micro - discharges are similar to electromagnetic interference. However, it stands out most clearly because of its particularly complex mode of action, which requires corresponding specific protection. This mode of action is in fact linked to the various sources of interface micro-discharges. Among these, there are:
  • transformers transformers, motors
  • the effectiveness of the device for protecting against micro-discharges, object of the present invention indirectly confirms their existence.
  • the capacitors themselves produce micro-discharges. Only air (or vacuum) capacitors can have a certain efficiency. - the protection of transformers against the emission of micro-discharges consists in coating them in a mechanical absorbent allowing at the same time to dissipate the electromagnetic wave.
  • R non-inductive resistance, preferably carbon, with a value close to the characteristic impedance of the conductors considered, • C: air or vacuum capacity.
  • the loudspeaker shown in the aforementioned figure comprises a magnetic yoke, denoted CU, provided with a gap housing LE and an electric coil secured to a loudspeaker membrane, the the membrane being denoted X in the above-mentioned FIG. 2.
  • the membrane M is secured at its periphery to the frame A, the frame A having substantially the shape of a bowl itself secured to the magnetic yoke CU.
  • An electric coil distributed at the base of the membrane M is engaged in the air gap housing LE, the coil being connected to output terminals BS1 and BS2 and to cables connecting these terminals to the output terminals of a electric amplifier.
  • the coil placed at the base of the membrane M may be provided with a coating of a thin layer of graphite, the coil for this reason bearing the reference 1 0 in FIG. 2.
  • the device, object of the present invention comprises a foam lining of semiconductor material, bearing the reference 2 C , this lining being placed at the bottom of the LE air gap housing.
  • the walls of the air gap housing also have a coating of semiconductor material, for this reason bearing the same reference 20 .
  • a protective coating of the terminals BS1 and BS2 can be provided, this coating ensuring protection of the terminals and of the connection cables of these terminals, this protective coating possibly consisting of a semiconductor material covering the latter on at least part of their length.
  • the coil coated with a layer of graphite l c is thus provided with a coating of semiconductor material and that the protective coating of the terminals BS1 and BS2 and of the connection cables of these terminals can be produced by means of the same conductive foam as that is used and placed at the bottom of the LE air gap housing.
  • connection cables between the terminals BS1 and BS1 are indicated that the connection cables between the terminals BS1 and BS1 and
  • BS2 and the terminals of the aforementioned electric amplifier can be produced in the form of protected cables CP as described above in connection with FIG.
  • connection cables that is to say protected cables CP for example, a rejector filter of very high radio frequencies can be provided, this rejector filter being connected to the end of the cables. or the part of the connecting cables covered by the semiconductor material.
  • the rejector filter can be constituted by a resistance of low value in series with the central core of the cables, the resistors designated by R in FIG. 2 being connected by a capacitance C of low value. It is indicated that, in a nonlimiting exemplary embodiment, the resistors R had a value between 0.1 and 2.5 ⁇ , while the capacitance C had a value between 30 and 100 pF and the resistance R ' a value between 10 and 50 ⁇ .
  • the speaker coils are constituted for example by one or two layers of electrically conductive wires enamelled on an insulating tube, integral with the membrane M and which, because of their position in the air-gap housing LE, thus bathe in a uniform magnetic field.
  • the coils are therefore subjected to intense vibrations due to their essential function and thus generate a large amount of micro-discharges which can disturb the output amplifier by means of diary of the aforementioned connecting cables.
  • the device which is the subject of the present invention, as described in connection with FIG. 2, makes it possible to substantially reduce the micro-discharges created at the source of the circuit formed by the speaker coils by absorbing in particular the electromagnetic wave emitted by these micro-discharges.
  • the emission level of the micro-discharges is reduced by means of a controlled application of a semiconductor material such as graphite on the coil itself, the coil being thus graphitized to constitute the graphitized coil 1 0 previously mentioned in the description.
  • the application of graphite can be carried out by spraying a graphite film on a support separate from the coil, the graphite used being for example Graph ⁇ t 33, or Blindotub commercially available.
  • a dry graphite is removed using a tool such as a pad, so as to blacken the aforementioned pad.
  • the graphite is thus regularly applied to the loudspeaker coil by means of the buffer over the entire surface of the aforementioned coil.
  • a polishing can be carried out with a graphite-free pad, the polishing appearing suitably carried out when the loudspeaker coil takes on a slightly gray glossy appearance.
  • this semi-conductive foam can for example be constituted by the high density Vermason and Vi tec foam with resistivity less than or equal to 15 ⁇ m, such foam having the particularity of being constituted by open cells .
  • a foam suitable for carrying out the above operation may consist of Vermason and Vitec foam bearing the reference 167-848 from the FARNELL catalog. However, a more conductive foam whose resistivity is substantially equal to 1 ⁇ m may be preferred.
  • the coating thus formed forms, in accordance with the object of the present invention, a semiconductor coating making it possible to create a local equipotentity and a regularization of the field. surface, this coating however being sufficiently resistant to avoid enclosing the micro-discharges in a resonant cavity. In other words, it is indicated that the excess graphite layer on the coil is likely to degrade the results obtained.
  • the wavelengths brought into play by the phenomenon of interface micro-discharges are centimetric wavelengths. Consequently, the semiconductor foams intended to absorb the electromagnetic wave generated by the interface micro-discharges at these wavelengths can advantageously have irregularities or indentations of this order of magnitude of length, so as to be efficient from the point view of absorption and avoid any phenomenon of reflection of this electromagnetic wave.
  • these capacities can preferably be constituted by air capacities, in which the phenomenon of micro-charges is weak, or, preferably by capacities encapsulated under vacuum or in a neutral gas, if applicable in the air.
  • encapsulated capacities are particularly advantageous, since encapsulation under vacuum, under an atmosphere constituted by a neutral gas or even in air, constitutes protection against variations in the surrounding atmosphere, the filters rejectors thus formed thereby retaining very high frequency stability, in particular in the cutoff frequencies of the very high frequencies transmitted.
  • the device, object of the present invention can then also consist of incorporate 0.1 to 1% by mass of colloidal graphite in the ferrofluid, in order to absorb the electromagnetic wave generated by the phenomenon of micro-discharges.
  • FIGS. 3a to 3c A more detailed description of the device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and radio interference generated by these interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, will now be described in conjunction with FIGS. 3a to 3c when the circuit consists of cells for reading discs or phonograms still designated by microgrooves.
  • a phonosensor usually comprises a read tip electrically connected to two moving coils, the two moving coils being at 90 ° to constitute in fact a stereophonic reading cell.
  • the moving coils are movable around a pivot axis in a magnetic field, noted H.
  • the device, object of the present invention comprises a coating of semiconductor material covering the wires constituting the voice coils as well as the electric cables.
  • the coating of semiconductor material covering the wires making up the voice coils can be produced by graphitizing these coils according to the process previously described in connection with the speaker coils.
  • such an operation requires special care due to the fineness of the conductive wire used to make these moving coils.
  • an absorbent foam of semiconductor material is introduced at the level of any circuit and of any housing or gap when this introduction is not liable to hinder the movement of the above-mentioned moving coils.
  • FIGS. 3a and 3b there is thus shown, in addition to the graphitation of the moving coils, the presence of a cap m of semiconductor foam surrounding the read head itself, and of a sleeve surrounding the cables connecting the coils mobile amplifiers of the signal delivered by the mobile coils.
  • the graphitated moving coils are given the reference l c
  • the conducting wires connecting the moving coils to the amplifier are given the reference 1 :
  • the wiring can be carried out, either inside the tonearm, as shown in FIG. 3a, the sleeve being inserted inside this arm, or, on the contrary, as shown in FIG. 3b, outside the tonearm, the sleeve + electrical conductor assembly can then be held by means of ligatures or cable ties in polytetrafluoroethylene ribbons. These tightening tapes bear the reference 2 in FIG. 3b.
  • a filter for rejection of high radio frequencies is provided, this filter being constituted by a resistance R and a capacitance C of value comparable to that previously mentioned in the description relative to the loudspeakers.
  • a rejection filter is provided for each left and right channel, as shown in FIG. 3c.
  • the rejector filter can be placed under the reading table itself TL, as shown schematically in FIG. 3c.
  • the resistors and capacitors R, C used are resistors of the same nature and of the same value as those indicated previously in the description relative to the constitution of the rejector filter for the loudspeaker.
  • the supply voltage transformer comprises a primary winding, noted 1, and a secondary winding, noted 1 2 .
  • the device, object of the present invention comprises, in a manner similar to the device shown in FIG. 1b, a housing 2 "constituting a sealed enclosure provided with sealed bushings, as shown schematically in FIG. 4a. Sealed bushings are marked with the reference 2.
  • the sealed enclosure formed by the housing 2 comprises and contains the primary winding 11 and the secondary winding l t and is also filled, as in the case of FIG. 1b, with a semiconductor material absorbing vibrations. mechanics of the transformer.
  • the primary windings l x and secondary 1 2 are interconnected to the sealed bushings by means of connecting cables bearing in the references 1, and 1 4 .
  • the electrical wires constituting the primary and secondary windings l x and l z as well as the electrical wires making it possible to ensure the connection of the primary and secondary windings to the watertight bushings 1., and 1 4 advantageously comprise a coating of semiconductor material.
  • This semiconductor material may consist of a graphite film deposited and polished in accordance with the indications given previously in the description.
  • the sealed enclosure formed by the housing 20 is filled with semiconductor material, an element absorbing mechanical vibrations, the aforementioned primary and secondary windings 1_ and 1 ⁇ thus being embedded in the aforementioned semiconductor material 2.
  • the semiconductor material element absorbing mechanical vibrations consists of a pulverulent material such as graphite sand under the conditions which will be given below in the description.
  • the measures making it possible to attenuate or substantially eliminate the phenomenon of interface micro-charges at the level of a circuit such as a transformer consist of: - creating local equipotentiality at the level of the external windings;
  • the creation of a local equipotential layer at the level of the external windings of the transformer can be carried out by spraying graphite Bllndotub or Graphit 33 on the outside surface of the transformer under the conditions described above in the description.
  • the primary windings 1 and 1 2 of the transformer are placed in the sealed housing 2 0 previously mentioned, the space transformer - housing being preferably does never less than 1 cm, in order to allow the insertion of an adequate layer of powdery semiconductor material of sufficient thickness, in order to allow the absorption of the abovementioned mechanical vibrations.
  • the free space is then filled by means of a damping powder mixture, containing a suitable proportion of graphite powder or, for example of colloidal graphite used for the lubrication of mechanical parts. in the proportion of 0.1 to 0.8% by mass.
  • the substantially homogeneous mixture thus formed must have an electrical resistivity of between 0.1 and 10 ⁇ m as mentioned previously in the description.
  • the base of pulverulent material used it is indicated that this can be constituted by siliceous sand to which is added powdered graphite or colloidal graphite in the proportions indicated above. It is indicated in particular that the percentage by mass of graphite depends on the resistivity of the silica sand or of the pulverulent material used, due to the fact that when silica sand is used, this material is naturally semiconductor.
  • the filling is carried out by means of the mixture constituted by silica sand and graphite in the absence of compaction, the mixture thus introduced slightly covering the upper part of the transformer proper.
  • connection can be produced by connection by means of protected cables CP, as described previously in the description relative to FIG.
  • the ferrite cores which are particularly suitable for this purpose, can consist of ferrite cores sold under the reference 3E25 of the SELECTRONIC catalog and manufactured by the company PHILIPS.
  • the aforementioned ferrite toroids make it possible, due to the electromagnetic stress imposed by the latter on the connection cables, to fight by attenuation against parasites originating from micro-discharges in common mode liable to propagate on the aforementioned connection cables.
  • Other materials, constituting an element absorbing mechanical vibrations can be used if necessary, insofar as these prove to be more efficient or more practical to implement depending on the applications considered.
  • insulating oils containing from 1 to a few% by mass of colloidal graphite in suspension
  • insulating oils which may be included in the group of paraffin oil, vaseline oil, DIALA insulating oil sold by the SHELL
  • the graphitized lubricating oils normally used in mechanics - a mixture of silica sand / physiological saline, pouring a coating of molten paraffin containing a suitable percentage of graphite, cooling the paraffin thus bringing the whole to a homogeneous block maintaining the transformer, - low melting point waxes,
  • the box 2 Q can be constituted by an insulating material, such as a conventional ABS or other material, or if necessary a metallic conductor according to the desired protection and the conditions of use.
  • an insulating material such as a conventional ABS or other material
  • a metallic conductor according to the desired protection and the conditions of use.
  • the housing 20 it is indicated that it can advantageously be constituted by a double-walled enclosure, the gap formed between the double wall then being filled with a semiconductor material such as a semi-material - liquid conductor.
  • a semiconductor material such as a semi-material - liquid conductor.
  • the saline solution previously mentioned in the description or the physiological saline previously cited will be preferred as the liquid semiconductor material.
  • the gap can then have a dimension in the direction orthogonal to the surface of the housing of the order of approximately 2 cm, in order to ensure sufficient protection.
  • the isolation transformer consists of a first and a second transformer interconnected by their secondary windings, the primary winding of one of the transformers being connected to the supply network, for example transformer Tl , and the primary winding of the second transformer, transformer T2, being connected to output terminals and delivering a supply voltage substantially equal to the mains supply voltage, in the absence of direct galvanic connection with the aforementioned mains network .
  • the device which is the subject of the present invention comprises, in a sealed case 2, the first Tl and the second T2 transformer interconnected by their secondary windings, the primary winding of each transformer being interconnected to input / output terminals by means of watertight bushings, marked 2 X.
  • the primary and / or secondary windings of the transformers Tl and T2 can be subjected to a deposition of semiconductor material such as graphite deposition, as mentioned previously in the description relative to the winding of the loudspeaker or to the moving coils phonosensor head for example. It is the same for the connection wires connecting the primary windings of the first and second transformers to the sealed bushings 2 : above. As regards the interconnection wires of the primary windings of the transformers, these connection wires bearing the reference 2, in FIG. 4b, these can also be provided with a coating of semiconductor material such as a deposit of graphite film, as mentioned previously in the description.
  • a capacitance resistance attenuation circuit bearing the reference 2 3 in FIG. 4b, is provided, this attenuation circuit being interconnected in parallel between the interconnected secondary windings of the transformers T1 and T2 .
  • the transformers T1 and T2 and the attenuation circuit 2 3 are buried in a semiconductor material 2 contained in the housing 20 .
  • this may include at least one matching resistor, denoted R, and, connected with this resistor, in series with it, at least one electrical capacity encapsulated under vacuum , in air or in a neutral gas, this encapsulated capacity, denoted C, which can be doubled in parallel by a capacity C of higher value.
  • the transformers T1 and T2 were toroidal transformers, primary voltage 110 V or 240 V, secondary voltage 2x40 V, 250 VA, sold under the reference 432-453 in the FARNELL catalog.
  • Capacity C was an air capacity of value between 60 to 100 pF and capacity C a polypropylene capacity of value between 0.47 to 2.2 ⁇ F.
  • Resistor R was an adaptation resistance 3, 22 to 50 ⁇ , carbon resistance.
  • the semiconductor material 2 constituting an attenuation element of the electromagnetic wave generated by phenomena of interface micro-discharges was graphite sand, as mentioned previously in the description.
  • the device, object of the present invention will now be described in conjunction with FIGS. 5a, 5b in the case where the electrical circuit protected against the phenomena of interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, is a discrete or integrated multicomponent electrical or electronic circuit, mounted on a printed circuit board for example.
  • the symbolic representation of the profile of discrete components such as transistor, resistor, capacitor or the like can be recognized on one of the faces of the printed circuit board, the printed circuit naturally being drawn in the conventional manner. and engraved on the other side.
  • the device, object of the present invention comprises at least one box 20 open at one of its ends, this box containing a semiconductor material in liquid form for example, this semi-material -conductor bearing the reference 2 in Figure 5a and constituting the element absorbing the electromagnetic wave generated by the phenomenon of interface micro-discharges.
  • a protective envelope of flexible plastic material, bearing the reference 2 is provided in order to allow protection of the electronic circuit from the medium or semiconductor material 2 under liquid form. The assembly formed by the electronic circuit CE and the protective casing 2 above is then immersed in the liquid semiconductor material 2 contained in the housing 2 0 open at its upper end according to the embodiment of Figure 5a.
  • a closure seal bearing the reference 2 ⁇ , is provided, this seal making it possible to seal the envelope 2 : on the periphery of the open housing, as shown in FIG. 5a above.
  • the embodiment as shown in FIG. 5a is not limiting.
  • the plastic envelope 2 at least in the upper part thereof may be stiffened so as to ensure mechanical retention of the EC electronic circuit in a substantially vertical position as represented ted in Figure 5a.
  • the upper part of the electronic circuit CE that which is exposed beyond the free surface of the liquid semiconductor material in the open air, can advantageously be provided with a radiator R making it possible to dissipate the thermal release generated by the operation of the CE electrical or electronic circuit.
  • connection cables of the entire electronic circuit CE can then be connected to connection terminals of the electronic circuit CE and protected in the same way as mentioned above with respect to the speaker connection cables. , transformers or moving coils of phonosensors. It is of course understood that the connecting cables as well as the electric or electronic circuit CE are further protected from contact with the liquid semiconductor material by means of the plastic casing 2 ..
  • the embodiment shown in FIG. 5a gives satisfaction. It is particularly simple to make and inexpensive.
  • the liquid semiconductor material 2 can for example consist of the saline solution or physiological serum previously mentioned in the description.
  • the liquid semiconductor material by the static pressure exerted by the latter on the protective plastic envelope 2 :, presses it against the electronic circuit CE, which is then particularly well protected against the phenomenon of interface micro-discharges.
  • the saline solution, or physiological saline can of course be replaced by a semiconductor gel of equivalent properties, or, if necessary, by graphite sand impregnated with physiological saline for example.
  • the embodiment of the protection device, in accordance with the object of the present invention, such as shown in Figure 5a, is satisfactory.
  • FIG. 5b a simplified variant is shown in FIG. 5b, this simplified variant being able to be of interest insofar as it is particularly quick and simple to implement, and where, on the other hand, the concept of size and portability of the assembly is improved taking into account the fact that the liquid semiconductor element is added in the form of an independent discrete element, and therefore much easier to implement and / or to handle.
  • the device which is the subject of the present invention comprises, in addition to the box open at one of its ends, bearing the reference 20 , the multi-component electronic circuit CE as well as a plurality of wedging cushions of this CE circuit, each cushion consisting of an envelope formed of plastic material filled with the semiconductor material as described above in connection with FIG. 5a.
  • each cushion with reference to FIG. 5a, bears the reference 2 ,,, 2 12 , and where appropriate, higher indices when more than two cushions are used.
  • the electronic circuit CE is placed in the open housing 2 C as shown in the initial state in FIG. 5b, while the empty cushions 2 X and 2 2 are introduced, as shown in the above-mentioned figure, from so as to carry out the protection of the electronic circuit CE and the setting of the latter in the plane of the sheet in which FIG. 5b is represented.
  • the two cushions 2 X and 2 2 are empty.
  • the final state shown in FIG. 5b is then obtained by filling each cushion 2 X1 and 2 12 with absorbent liquid semiconductor material, such as physiological saline, then sealing the cushions by heat-sealing for example, bearing the reference 2 2 in FIG. 5b.
  • absorbent liquid semiconductor material such as physiological saline
  • the device, object of the present invention can be applied to any type of electrical circuit, as mentioned previously in the description.
  • the device which is the subject of the present invention can of course be applied to all electrical or electronic sockets, which constitute a privileged passage for the electromagnetic waves generated by the interface micro-discharges. Indeed, investigations carried out within the laboratories of ELECTRICITE DE FRANCE clearly showed that the parasites thus generated, radioelectric parasites, passed through the interval insulating / mass of the chassis / - socket.
  • a first exemplary embodiment of a device for protection against interface micro-discharges and against radio interference generated by the latter, will first be given in connection with FIG. 6a in the case where the electrical outlet is constituted by a RCA socket for chassis for example.
  • the socket comprises an RCA socket head comprising a coaxial type conductor whose central core constitutes the hot spot, the whole of the socket head being mounted through the chassis and fixed to the latter by 1 ' through an EC nut in a conventional manner.
  • the central core AC is surrounded by a dielectric material ensuring a coaxial type transmission with the external metallic envelope.
  • the device which is the subject of the present invention comprises a sleeve of semiconductor foam surrounding the whole of the external envelope.
  • the sleeve of semiconductor foam has the reference 20 in Figure 6a.
  • the sleeve 20 made of semiconductor foam can be held at its ends and in particular in the vicinity of the chassis CH by means of a ferrite ring 2 lr sold under the reference 3E25 by the company PHILIPS, this ferrite ring having, as mentioned previously in the description, a function for suppressing parasites in common mode.
  • this ferrite ring having, as mentioned previously in the description, a function for suppressing parasites in common mode.
  • a semi-conductive foam cover is provided, which is intended to cover the whole of the superstructure emerging from the chassis CH, superstructure formed by the male end of the RCA socket shown in FIG. 6a, the EC nut and the means of conventional fixing such as metal washer or other.
  • the cover shown in FIG. 6a bears the reference 2 3 .
  • FIG. 6b it may be advantageous, as shown in FIG. 6b, to move the sockets outside the CH chassis in order to provide better protection, in particular when it is desirable to provide connection to the electrical or electronic circuits. internal by means of CP protected cables previously mentioned in the description.
  • FIG. 6b Such an embodiment is shown in the aforementioned FIG. 6b in which the connection being made at the level of an electrical or electronic circuit CE by means of a protected cable CP as described above, the external part of the chassis CH, therefore located in the left part of the plane materializing the chassis CH in FIG. 6b, can advantageously include for this purpose a section of tube welded to the substantially metallic chassis, bearing the reference TU, this section of tube comprising a filling of semi-foam conductive, bearing the reference 20 in Figure 6b.
  • the assembly constitutes a particularly efficient and rigid sleeve in which the protected cable CP, connected to the circuit CE, is then traversing with respect to the aforementioned sleeve.
  • a ferrite toroid bearing the reference 2 X can also be placed inside the chassis CH so as to provide additional protection from parasites in common mode, as mentioned previously in the description.
  • the length of the protected cable CP can a priori be arbitrary.
  • the device, object of the invention can consist of placing a sleeve on the protected cable CP itself in the vicinity of this socket.
  • a ferrite torus bearing the reference 2 X , this ferrite torus possibly corresponding to that already mentioned in the description, marketed by the company PHILIPS, the torus ferrite 2.
  • aforementioned being itself protected by means of a semiconductor foam coating bearing the reference 2, this coating covering not only the ferrite core 2, but also the sleeve 20 previously mentioned.
  • the coating 2 2 can be maintained by means of links 2 3 such as clamps or the like as shown in Figure 6c.
  • This protection can, for example, be associated with, or supplemented by laying, on the power cord 1 corresponding to the devices to be supplied and as close as possible to their power outlet, a sleeve 20 of semiconductor foam. suitably tightened around the cord by 2 X collars made of copper adhesive metallic tape, for example 3M ref. 1181 9.5 to 12.7 mm wide, spaced 15 to 25 mm apart, as shown in Figure 6d.
  • One or two copper rings 2 : ends can be replaced by a ferrite toroid 2 2 , as shown previously in FIG. 6c.
  • the implementation of the device, object of the present invention involves some modifications of the circuits subject to the protection of this device.
  • modifications necessary for existing devices cannot be easily introduced, in particular with regard to electrical circuits or electronic components with discrete components such as represented for example in FIG. 5a or 5b
  • a non-limiting preferential embodiment of the device, object of the present invention making it possible to introduce a minimum of modifications at the level of the circuit itself, will be now described in connection with Figures 7a and 7b.
  • the device, object of the present invention comprises at least one housing open at one of its ends, said housing comprising a frame having at least an upper portion, denoted by CH: and part lower, denoted CH 2 , metallic parts electrically insulated from each other.
  • the housing comprises at least one chassis subdivided between the two upper CH : and lower CH 2 parts , the multicomponent electronic circuit CE, the printed circuit face of the latter, that is to say the underside thereof in FIG. 7b, comprising a covering of insulating dielectric material, bearing the reference 2 C.
  • This protective insulator may consist of the varnish of the printed circuit itself or an added varnish.
  • the device which is the subject of the present invention comprises an internal lining made of material of the "semiconductor foam type, bearing the reference 2 X , placed on the internal face of the case, that is to say on the face internal of the upper part CH X and of the lower part CH 2.
  • the printed circuit face comprising the covering 20 made of insulating dielectric material is placed in the vicinity of the internal lining made of material of the semiconductor foam type.
  • the two opposite faces forming the upper part CH : and CH 2 of the chassis comprising the internal lining of semiconductor foam constitute in fact internal linings with corrugated face, as shown in the above-mentioned figure.
  • the corrugations introduced have a depth h in the direction perpendicular to the upper CH X and lower CH : parts and a spacing d in a second direction perpendicular to this first direction.
  • various embodiments of the corrugations capable of being used to produce the internal linings are shown by means of the semiconductor foams 2 : previously mentioned.
  • corrugations of the accordion type it is indicated that a sheet of foam of sufficient thickness can be subjected to an accordion folding, as shown in FIG. 7a, the accordion structure then being maintained by means of insulating holding rods, marked 2 2 .
  • the spring can be produced by means of preformed elements of foam of semiconductor material, these preformed elements being successively assembled in head to tail arrangement symmetrically with respect to a vertical plane and subjected to a suitable bonding, the assembly being held in place by holding rods 2 2 .
  • the spacing d is then taken to be substantially equal to the value h / 2.
  • the pointed side of the corrugations is directed towards the circuit to be protected a short distance from this one, that is to say a few centimeters.
  • the upper and lower plates CH : and CH : electrically isolated can then, in a particularly advantageous manner, be used so as to create an electrostatic field making it possible to block the micro-discharges.
  • the two aforementioned external faces CH X and CH 2 opposite the aforementioned corrugated internal faces play the role with respect to the latter of an electrically conductive coating, this electrically conductive coating being brought to a difference in electrical potential.
  • static determined by means of a DC voltage generator E, as shown in FIG. 7b.
  • the voltage applied to create the electrostatic field is of the order of 80 to 100 V, this voltage being applied to the plates CH : and CH 2 via a resistor R of value 100 K ⁇ to 1 M ⁇ in order to limit the residual intensity in the event of accidental contact.
  • the corrugated foams must have teeth of length at least equal to the shortest wavelength to be absorbed which can reach, or even exceed, 30 cm.
  • the 2 X coating of corrugated semiconductor foam sees its improved efficiency in the case where it adheres to the conductive surfaces of the chassis, that is to say the CH : and CH 2 plates.
  • the absorption appears more complete due to the fact that the wave is subjected to reflection on the corresponding metal wall.
  • the coating 2 - was constituted by several plates of semiconductor foam, glued together with the interposition of graphite cardboard, only the internal face turned towards the electronic circuit CE presenting of course the corrugations.
  • the graphite cardboard can be replaced by a copper plate 0.1 to 0.2 mm thick.
  • the phenomenon of guiding the electromagnetic wave generated by the phenomenon of interface micro-discharges is particularly troublesome when a device not protected against the phenomenon of interface micro-discharges is connected to the system, although this device also has qualities of perfect performance at low frequencies. In such a case, the wave associated with the micro-charges propagates on the connection conductors and thus disturbs the connected device.
  • the device, object of the present invention comprises, as shown in FIG. 8, a set of protected cables CP, each cable being used to ensure the connection with respect to one of the positive terminals, negative or mass of the stabilized power supply proper, and the protected cables CP being united in a bundle, the bundle itself being surrounded by a foam sleeve made of semiconductor material, bearing the reference 2 0 in the figure 8.
  • the sleeve is itself clamped at its ends by ferromagnetic material rings or toroids bearing the reference 2 X in FIG. 8.
  • a ferrite toroid 2 X can also be inserted on the connection cord of the stabilized power supply to the mains network. In a preferred embodiment, it is indicated that this cord may have a ground conductor connected to the ground of the power outlet by an appropriate impedance, shock inductance or carbon resistance of 270 ⁇ .
  • each protected cable CP is connected by means of an attenuation circuit RC to the constituent cable of the earth connection of the device to be supplied with the stabilized supply.
  • the attenuation circuit RC can be constituted by an air capacitor or vacuum-encapsulated with a value of the order of 100 pF, while the terminals themselves of the stabilized supply can advantageously be connected by capacitors air or vacuum encapsulated, of greater value between 100 and 500 pF.
  • the ground conductor of the stabilized supply at the level of the connection to the device to be supplied, can be connected to earth via a resistor R of the same value, substantially.
  • the attenuation circuits R, C constitute an impedance adaptation for the micro-discharges in differential mode, while the resistance R plays the same role for the common mode.
  • each device finds the correct direction of connection of the mains socket, in particular so that the sector neutral connection is connected to the appropriate terminal of the supply voltage, to isolate the earths from the sources and to connect the earth alone of the amplifier to the local earth by a resistor, the resistor R with the value mentioned above, between 50 and 270 ⁇ .
  • the audio signal transmitted and processed for example in a high fidelity chain generally consists, when it is a musical signal, of an attack, of the body of the signal itself and of a trail or extinction of the note. , this drag can be at a noise level of the order of -20 to -40 dB relative to the signal body.

Abstract

L'invention concerne un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques correspondants. Le dispositif comprend, au voisinage du circuit électrique (10), un élément (2, 20) d'atténuation/absorption de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges et des vibrations susceptibles d'affecter le circuit électrique. Application aux circuits électriques de tout type, en particulier dans le domaine de la HiFi.

Description

DISPOSITIF DE PROTECTION D'UN CIRCUIT ELECTRIQUE CONTRE LES MICRODECHARGES D'INTERFACE.
L'invention concerne un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et l'application de ce dispositif à des circuits électriques spécifiques.
Le phénomène de microdécharges électriques a été mis en évidence dans le cadre de la dégradation avérée de la qualité de restitution sonore de la musicalité des chaînes haute fidélité.
Lorsque, dans ce type d'appareil, une interface conducteur électrique -isolant est soumise à un champ électrique variable, des décharges électriques se produisent au niveau de cette interface, même dans le cas où ces champs électriques sont engendrés à partir de tensions de faible valeur, de l'ordre du millivolt, valeurs de tensions très courantes lors de la mise en oeuvre de signaux audiofréquences. Ces décharges, bien que très rapides, 0,1 μs, et à des niveaux relatifs de -80 dB par rapport au signal audiof équences, sont toutefois susceptibles d'engendrer des champs électriques variables rayonnes non négligeables. Elles sont plus particulièrement désignées par l'expression micro-décharges d'interface. En particulier, elles présentent des fréquences de récurrence appartenant au domaine de fréquences du spectre audible et sont corrélées avec le signal audiofréquences, ce qui rend ces dernières particulièrement nocives quant à la qualité de restitution sonore et à la musicalité de ce type d'appareil. Des éléments techniques relatifs à leur mode de production, en vue d'une meilleure musicalité, ont été décrits notamment dans la demande de brevet français n° 96 12369 déposée le 10 octobre 1996 et incorporée dans la présente demande de brevet à titre de référence. Ainsi, lorsqu'un conducteur électrique isolé est soumis à un champ électrique variable, des décharges se produisent à 1 ' interface conducteur électrique diélectrique/ isolant, suivant un processus de relaxation selon l'hypothèse la plus vraisemblable, confer figure Oa . Les champs électriques rayonnes par rapport à la masse ou tension de référence de l'appareil peuvent toutefois être importants, en tout cas non négligeables.
Dans le cadre d'une modélisation du phénomène tel que représenté en figure Ob, basée sur l'hypothèse de la décharge disruptive ou claquage d'une couche isolante immédiatement en contact avec le conducteur électrique, Cx désigne la capacité électrique des couches isolantes immédiatement en contact avec le conducteur électrique, C2 la capacité conducteur - tension de référence ou masse, e désigne un éclateur "provoquant" le phénomène de micro- décharge.
La tension variable relevée aux bornes de la capacité électrique C: des couches immédiatement en contact avec le conducteur électrique est représentée en figure Oc. Cette tension témoigne de l'existence d'oscillations de relaxation très rapides dont la fréquence de récurrence perturbe le signal audiofréquences.
Les microdécharges ont donc une origine, un comportement et un effet premier qui les apparentent directement aux décharges partielles (DP) bien connues en isolation Haute Tension, voire à l'effet couronne qui se manifeste dans un gaz autour de conducteurs portés à des potentiels élevés.
Des travaux et investigations menés relativement au phénomène des microdécharges, au sein des laboratoires d' ELECTRICITE DE FRANCE par Monsieur P.JOHANNET, ont permis toutefois d'en préciser certaines caractéristiques.
• les microdécharges apparaissent pour des tensions électriques de milieu très faibles, inférieures au millivolt. Elles ne semblent pas soumises à un effet de seuil.
• la tension de claquage de ces microdécharges est très faible, probablement comprise entre 1 μV et 1 mV.
• les fronts de décharge sont très rapides, inférieurs à 1 ns .
• les microdécharges engendrent nécessairement locale- ment une onde électromagnétique qui constitue, notamment pour les circuits électriques ou électroniques audiofréquences, un élément perturbateur majeur.
En outre, des décharges de même type peuvent apparaître à la surface externe de 1 ' isolant recouvrant le conducteur, en fait à l'interface isolant - air. Ce phénomène est en particulier justifié par l'effet Maxwell-Wagner selon lequel des concentrations de charges électriques à 1 ' interface entre deux couches de matériaux isolants peuvent se produire. Des investigations supplémentaires ont montré que ces microdécharges étaient éminemment sensibles à l'état vibratoire, au sens mécanique du terme, de leur support. Ce phénomène apparente donc, en outre, le phénomène des microdécharges électriques aux phénomènes tribo-électriques connus, avec toutefois l'existence supplémentaire d'une ou plusieurs ondes électromagnétiques néfastes, en raison de leur effet direct sur les signaux électroniques audiofréquences engendrés, transmis ou traités par ces circuits.
Leur mode d'action vis-à-vis du conducteur électri- que support peut, en référence à la figure Od, être établi de la manière ci-après.
Correspondant en fait à un phénomène de microclaquage conducteur - isolant, elles perturbent le courant électrique transitant dans le conducteur électrique support en y prélevant de l'énergie électrique. L'importance de cette perturbation dépend bien entendu des conditions locales du milieu conducteur support. Compte tenu des valeurs de capacités électriques très réduites mises en jeu, quelques picofarads, leur mode d'action local est faible. Toutefois, leur mode d'action global ne peut être négligé. En effet, le phénomène de microdécharges se traduit globale- ment par une onde électromagnétique, comme toute décharge, laquelle peut être guidée par les parties conductrices. La longueur d'onde associée au phénomène de microdécharges est comprise dans le vide entre 1 et 30 cm, ce qui correspond à des fréquences radioélectriques comprises entre 3 et 30 GHz. Une confirmation directe des phénomènes et caractéristiques précités a pu être obtenue, d'une part, par la mise en évidence de la transmission d'une telle onde électromagnétique, par l'intervalle isolant, de quelques millimètres, existant entre la borne de sortie d'une alimentation et le boîtier de cette alimentation, lui-même connecté à la terre, et, d'autre part, par l'atténuation susceptible d'être apportée à cette onde électromagnétique selon l'un des objets mêmes de la présente invention. Lorsque l'onde associée aux microdécharges d'interface atteint un circuit électronique, une partie de celle-ci est captée par les éléments du circuit, lesquels, en raison de leur caractéristique de transfert non linéaires aux fréquences considérées - c'est en particulier le cas des soudures et des contacts - procèdent à un phénomène de détection générateur de tensions parasites.
Ce phénomène est d'ailleurs aggravé par le fait que les microdécharges sont fréquemment corrélées avec le signal électronique BF transmis ou même avec les vibrations mécaniques engendrées ou introduites par ce dernier, lequel peut alors être fortement perturbé.
Ainsi, compte tenu du phénomène précité et plus particulièrement du caractère micro-ondes, de type SHF, de l'onde électromagnétique parasite, car associée aux microdé- charges d'interface, ainsi engendrée, l'action paradoxale de celle-ci sur les circuits peut être résumée ci-après :
- les composants électriques discrets sont susceptibles de servir à la fois d'émetteurs et de récepteurs. En qualité de récepteurs, ils peuvent capter leur propre émission, et ainsi l'amplifier, ou celle de composants extérieurs ; - l'influence de l'onde électromagnétique associée aux microdécharges d ' interface sur le signal utile se produit par intermodulation et détection, compte tenu des non linéarités de transfert existant à de telles fréquences radioélectriques ;
- la disposition des composants est très importante car elle conditionne l'aptitude de ces derniers à capter ou non cette onde électromagnétique. Ainsi, il peut paraître plus avantageux de disposer ces composants suivant des directions quelconques ... ;
- la câblage, pour cette même raison, est critique ainsi que la composition et la structure des circuits imprimés, car chaque conducteur constitue, aux fréquences précitées, une antenne émettrice réceptrice. La présence d'isolant sur les fils de câblage favorise d'ailleurs le processus générateur de cette onde électromagnétique ;
- un composant d'apparence anodine, tel qu'un by- pass ou un socle de fiche de connexion, peut se révéler désastreux ; - les isolants électriques ou autres écrans absorbants présentent un comportement très variable aux fréquences précitées et peuvent par exemple focaliser, réfléchir ou diffracter les ondes en donnant des résultats totalement inattendus ; - l'onde associée aux microdécharges d'interface peut être guidée à 1 ' extérieur des conducteurs et est donc parfaitement en mesure de franchir une prise, un transformateur ou autre composant tel que bobinage ;
- le conditionnement en rack ou autre de maquettes, fonctionnant parfaitement sur table d'étude, peut s'avérer catastrophique pour la musicalité des appareils audiofréquences, alors que les mesures électroniques classiques, telles que le rapport signal à bruit, n'ont pas été sensiblement modifiées, voire apparaissent meilleures. En fait, un tel conditionnement a eu pour effet inattendu la création d'un résonateur ou même un "four à micro-ondes" pour l'onde électromagnétique associée aux microdécharges d'interface ;
- l'onde électromagnétique issue de microdécharges peut elle-même déclencher d'autres microdécharges sur les interfaces isolant - conducteur ou isolants - isolants où se trouvent des champs électriques de type électrostatique associés au signal audio, par un effet de type effet d'avalanche ;
- l'alimentation secteur apparaît comme une source majeure de microdécharges : - tension élevée, 230 V ;
- propagation de microdécharges engendrées par 1 ' ensemble des récepteurs raccordés dans le voisinage.
La présente invention a pour objet la mise en oeuvre d'un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface.
Un autre objet de la présente invention concerne plus particulièrement la mise en oeuvre de moyens d'atténuation de l'onde électromagnétique associée aux microdécharges d'interface de tout circuit électrique. Un autre objet de la présente invention concerne également, de manière plus spécifique, la mise en oeuvre de moyens d ' absorption de 1 ' onde électromagnétique associée aux microdécharges d'interface de tout circuit électrique.
Un autre objet de la présente invention est égale- ment, de manière plus spécifique, la mise en oeuvre de moyens d'absorption des vibrations mécaniques susceptibles d'affecter le circuit électrique aux fins de réduire la contribution tribo-électrique à l'onde électromagnétique associée aux microdécharges d'interface. Le dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdecharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, objet de la présente invention, incorporant de tels moyens, sera mieux compris à la lecture de la description et à l'observation des dessins ci-après, dans lesquels, outre les figures 0a à Od relatives à des éléments techniques connus de l'inventeur, Monsieur P.JOHANNET :
- la figure la représente un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans un premier mode de réalisation ;
- la figure lb représente un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans un deuxième mode de réalisation ; - la figure 2 représente un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par un haut-parleur,
- les figures 3a, 3b et 3c représentent un disposi- tif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par la cellule de lecture et les conducteurs de raccordement électrique d'un phonocapteur ; - les figures 4a et 4b représentent un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par un transformateur et un transformateur d'isolement respective- ment ; les figures 5a et 5b représentent, dans une première et une deuxième variante de réalisation, un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par un circuit de composants discrets câblés sur une plaquette de circuit imprimé ;
- les figures 6a, 6b, 6c et 6d représentent un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par une prise électrique ou électronique particulière ;
- les figures 7a et 7b représentent un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par des éléments discrets câblés sur une plaquette de circuit imprimé ;
- la figure 8 représente un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdecharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par une alimentation stabilisée.
Les différentes figures sont représentées en coupe, au moins partielle, afin de mieux mettre en évidence les différents constituants.
Une description plus détaillée d'un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, sera maintenant donnée dans un premier puis dans un deuxième mode de réalisation en relation avec les figures la et lb.
D'une manière générale, on indique que le dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, objet de la présente invention, a vocation à une application à tout type de circuit électrique, la notion de circuit électrique couvrant un domaine aussi large que celui relatif à des conducteurs électriques, ou simples câbles électriques, des circuits électriques beaucoup plus élaborés tels que des transformateurs, des circuits électriques à composants discrets ou sous forme de composants à circuit intégré câblés sur une plaquette de circuit imprimé, des prises électriques et/ou électroniques, des appareils électrodyna- miques tels que les hauts-parleurs ou les cellules de lecture de phonocapteurs par exemple.
D'une manière générale, le dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d ' inter- face et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, objet de la présente invention, est remarquable en ce qu'il comprend, au voisinage de ce circuit électrique, un élément d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'inter- face.
En référence à la figure la et à titre d'exemple non limitatif, le circuit électrique, sur cette figure, est réputé constitué par une pluralité de conducteurs électriques tels que des fils émaillés de 5/10ème de mm de diamè- tre, ces conducteurs portant la référence 1 sur la figure la.
L'élément d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface, normalement présentes à 1 ' interface entre les conducteurs électriques 1 précités et l'espace environnant, voire l'émail constituant isolant recouvrant ces fils ou conducteurs électrique, porte la référence 2 sur la figure la.
Dans le mode de réalisation tel que représenté en figure la, l'élément d'atténuation 2 de l'onde électromagné- tique engendrée par ces microdécharges d ' interface comprend avantageusement un revêtement de matériau semi-conducteur appliqué sur la surface externe du conducteur électrique 1. Ainsi, l'élément 2, conformément à un aspect particulièrement avantageux de la présente invention, est constitué par ce matériau semi-conducteur dont la résistivité linéique est choisie dans une plage de valeurs adaptée, de façon à permettre à la fois le maintien de la surface externe du conducteur électrique à un potentiel électrique statique de valeur locale constante, voisine de celle du conducteur électrique 1, et d'absorber l'ensemble des courants électriques erratiques de décharge provoqués par les microdécharges d'interface, et ainsi atténuer l'onde électromagnétique engendrée par celles-ci.
D'une manière plus spécifique, on indique que le revêtement semi-conducteur constituant l'élément 2 d'atté- nuation de l'onde électromagnétique présente une résistivité linéique de valeur μ comprise entre 0,1 Ωm et 10 Ω .
Dans un mode de réalisation non limitatif du dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, on indique que l'élément 2 absorbant de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d ' interface peut être constitué par une solution saline liquide ou un gel de celle-ci présentant une résistivité voisine de 0,7 Ωm correspondant à celle du sérum physiologique par exemple, cette solution s ' étant montrée particulièrement performante.
Bien entendu, ainsi que représenté sur la figure la précitée, il est alors nécessaire, afin de constituer cet élément absorbant en un manchon enrobant les conducteurs 1 électriques, de prévoir une enceinte formée par exemple par un tube plastique en polyéthylène ou en polytétrafluoréthy- lène par exemple, portant la référence 2D sur la même figure la. L'enceinte ainsi réalisée peut être fermée de manière étanche au moyen de manchons d ' étanchéité d'extrémité, notés 2 sur la figure la, l' étanchéité pouvant en outre être parfaite au moyen d'un joint silicone, portant la référence 22 sur la même figure la, l'ensemble joint silicone / manchon d' étanchéité précité, 22, 2X , permettant la traversée étanche des conducteurs électriques 1 par exemple. Enfin, une gaine thermorétractable 23 peut être prévue à chaque extrémité de l'enceinte ou tube plastique 20 pour constituer ainsi un câble protégé conformément à l'objet de la présente invention et portant la référence CP ultérieurement dans la description. Le passage des conduc- teurs électriques 1 au travers du manchon d ' étanchéité 2X peut être colmaté au moyen d'une résine époxy par exemple, référencée 24 sur la figure la.
Enfin, dans un mode de réalisation préférentiel, on indique que l'élément d'atténuation 2 peut par exemple être constitué par une solution de chlorure de sodium NaCl à 0,9% ou encore par le sérum physiologique.
Selon un aspect particulièrement avantageux du dispositif de protection, objet de la présente invention, on indique que l'élément d'atténuation 2 de l'onde électromagnétique engendrée par les microdécharges d'interface comprend un élément absorbant de cette onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface.
Ainsi, il s'est avéré, ainsi qu'il sera décrit de manière plus détaillée ultérieurement dans la description, que, outre l'atténuation et l'absorption de l'ensemble des courants électriques erratiques de décharges provoqués par les microdécharges d'interface, cette atténuation ayant pour effet selon les lois de Maxwell d'atténuer en conséquence l'amplitude du champ électromagnétique ainsi rayonné, ce même élément d'atténuation 2 de l'onde électromagnétique permettait également d'assurer une absorption de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface par une atténuation du champ électrique propagé par rayonnement en raison de la propriété semi-conductrice de l'élément d'atténuation 2 précité.
On rappelle en effet que pour une propagation guidée d'une onde électromagnétique dans un guide d'onde, les conditions aux limites des parois électriquement conductri- ces du guide d'onde imposent une valeur de champ sensiblement nulle au voisinage de ces parois. De la même manière, l'élément d'atténuation 2, en raison de ses propriétés semi- conductrices, a pour effet de réduire la valeur du champ électromagnétique ainsi rayonné en raison de l'apparition du phénomène de microdécharges d'interface.
Une deuxième variante de réalisation du dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, sera maintenant décrite en liaison avec la figure lb.
Dans le cas de la figure lb, on indique que, à titre d'exemple non limitatif, le circuit électrique peut par exemple être constitué par un transformateur électrique. Dans un tel cas, il s'est avéré particulièrement avantageux de constituer l'élément 2 d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par les microdécharges d'interface sous forme d'élément absorbant des vibrations mécaniques susceptibles d'affecter le circuit électrique considéré. On comprend en effet qu'un transformateur électrique, portant la référence 1 sur la figure lb, est le siège de vibrations électromécaniques, ces vibrations électromécaniques étant susceptibles de provoquer l'apparition de microdécharges électriques et, en conséquence, l'apparition de parasites radioélectriques consécutifs à l'existence de ces microdé- charges.
Sur la figure lb, la référence 2 désigne ainsi l'élément d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par les microdécharges, cet élément constituant un élément absorbant des vibrations mécaniques précitées. De préférence, il peut alors consister en un élément pulvérulent présentant des propriétés semi-conductrices telles que mentionnées précédemment .
Sur la même figure lb, la référence 20 désigne un boîtier dans lequel le circuit électrique 1, constitué par un transformateur, immergé dans l'élément 2 pulvérulent, et cet élément pulvérulent, sont contenus, ainsi que représenté sur la figure lb précitée.
Bien entendu, d'autres mesures peuvent être prévues afin de diminuer au maximum 1 ' influence des microdécharges d'interface, mesures telles que par exemple graphitage des bobinages du transformateur au moyen d'une couche de graphite très mince et graphitage des conducteurs électriques destinés à assurer la liaison avec l'extérieur entre le transformateur, constituant le circuit électrique 1, et les circuits extérieurs. Le boîtier 20 peut être constitué par tout boîtier en matériau plastique adapté suffisamment rigide.
Dans un mode de réalisation préférentiel, on indique que l'élément pulvérulent 2 était constitué par du sable siliceux auquel avait été ajouté 0,1% en masse de graphite en poudre.
Le phénomène des microdécharges d ' interface se rapproche, par ses effets, des parasites électromagnétiques. Toutefois, il s'en distingue de la manière la plus nette en raison de son mode d'action particulièrement complexe, lequel nécessite une protection spécifique correspondante. Ce mode d'action est lié en fait aux différentes sources de microdécharges d ' interface . Parmi celles-ci, on distingue :
- les sources puissantes, mais non corrélées avec le signal audio perturbé : essentiellement le secteur à 50 Hz
(et ses harmoniques ...) et ses organes de transformation : transformateurs, moteurs ;
- les sources puissantes corrélées avec le signal audio perturbé : les hauts-parleurs et les câbles ampli-HP ; - les sources faibles non corrélées avec le signal audio perturbé : conducteurs voisins de la chaîne, ils sont généralement négligeables vis-à-vis des autres sources ;
- les sources faibles corrélées avec le signal audio perturbé : essentiellement l'électronique et le câblage associé, supposé à l'abri des vibrations, ce qui n'est pas toujours le cas et explique l'intérêt des pointes et autres supports antivibratoires ...
Les modes d'action sur le signal audio des microdécharges et de leur onde associée peuvent consister, sans exclusion :
- En une action directe sur le courant du signal utile au moment où les microdécharges se produisent. Les modélisation montrent que cet effet est vraisemblablement négligeable, compte tenu des très faibles valeurs de capacités mises en jeu. - En la détection par des élémenrs non linéaires du circuit de l'onde électromagnétique émise par les microdécharges : ce mode d'action est plus vraisemblable, la détection pouvant être réalisée par des éléments partiellement redresseurs tels que soudures ou contacts bi-métalli- ques : le problème des soudures a été maintes fois soulevé par les Audiophiles. A noter qu'aux fréquences envisagées, tous les éléments conducteurs sont plus ou moins redresseurs. Il est concevable qu'une onde fortement corrélée avec le signal audio, redressée et réinjectée dans les circuits, puisse effectivement dégrader la musicalité ...
- En 1 ' action des sources externes non corrélées avec le signal utile (secteur), bien que plus difficile à appréhender. Néanmoins, l'efficacité des filtres secteur conçus en supposant l'existence des microdécharges - et en cherchant à les éliminer - fournit un mode d'action probable :
• le secteur à 50 Hz et les transformateurs associés fournissent une onde de microdécharges non corrélée avec le signal audio mais d'amplitude importante, • cette onde est susceptible de favoriser voire déclencher des microdécharges sur les circuits audio qui, eux, sont polarisés par le signal lui-même,
• on se trouve alors en présence d'un phénomène d'avalanche ou l'élément déclenchant est le secteur à 50 Hz et où le signal déclenché va être une onde de microdécharges sur le signal utile, avec tout un ensemble d'intermodulations entre celui-ci et le signal à 50 Hz et ses harmoniques.
L'efficacité du dispositif de protection vis-à-vis des microdécharges, objet de la présente invention, confirme indirectement leur existence.
- La protection de base consiste à entourer les conducteurs supposés isolés par un matériau semi-conducteur
• suffisamment conducteur pour favoriser un équipotentialité locale,
• suffisemment résistant pour dissiper et absorber l'onde associée aux microdécharges.
- les microdécharges étant engendrées aux interfaces conducteurs - iolants, les condensateurs produisent eux- mêmes des microdécharges. Seuls les condensateurs à air (ou à vide) pourront présenter une certaine efficacité. - la protection des transformateurs contre l'émission de microdécharges consiste à les enrober dans un absorbant mécanique permettant en même temps de dissiper l'onde électromagnétique.
- En mode différentiel, l'absorption des microdé- charges peut être effectuée préférentiellement par circuits
RC :
• R : résistance non-inductive, de préférence carbone, de valeur proche de 1 ' impédance caractéristique des conducteurs considérés, • C : capacité à air ou à vide.
- En mode commun, l'absorption de l'onde électromagnétique associée aux microdécharges est délicate et implique l'enrobage des circuits dans un milieu semi-conducteur, absorbant également les vibrations dans le cas d'éléments vibrants (moteurs, transformateurs).
Une description plus détaillée d'un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente inven- tion, lorsque ce circuit électrique est constitué par un haut-parleur, sera maintenant donnée en liaison avec la figure 2.
De manière classique, le haut-parleur représenté sur la figure précitée comprend une culasse magnétique, notée CU, munie d'un logement d'entrefer LE et d'une bobine électrique solidaire d'une membrane de haut-parleur, la l ό membrane étant notée X sur la figure 2 précitée. De manière classique, la membrane M est solidaire à sa périphérie de l'armature A, l'armature A ayant sensiblement la forme d'un saladier lui-même solidaire de la culasse magnétique CU. Une bobine électrique répartie à la base de la membrane M est engagée dans le logement d'entrefer LE, la bobine étant reliée à des bornes de sortie BS1 et BS2 et à des câbles de liaison de ces bornes vers les bornes de sortie d'un amplificateur électrique. D'une manière générale, et afin d'assurer la protection de l'ensemble du haut-parleur représenté en figure 2 contre le phénomène de microdecharges d'interface, on indique que, d'une première part, la bobine placée à la base de la membrane M peut être munie d'un revêtement d'une mince couche de graphite, la bobine pour cette raison portant la référence 10 sur la figure 2.
Outre le graphitage de la bobine de haut-parleur précédemment mentionné, on indique que le dispositif, objet de la présente invention, représenté en figure 2, comprend une garniture en mousse de matériau semi-conducteur, portant la référence 2C, cette garniture étant placée en fond du logement d'entrefer LE. En outre, les parois du logement d'entrefer comportent également un revêtement en matériau semi-conducteur, portant pour cette raison la même référence 20.
Enfin, on indique qu'un revêtement protecteur des bornes BS1 et BS2 peut être prévu, ce revêtement assurant une protection des bornes et des câbles de liaison de ces bornes, ce revêtement protecteur pouvant être constitué par un matériau semi-conducteur recouvrant ces derniers sur au moins une partie de leur longueur.
On comprend ainsi que la bobine revêtue d'une couche de graphite lc est ainsi munie d'un revêtement en matériau semi-conducteur et que le revêtement protecteur des bornes BS1 et BS2 et des câbles de liaison de ces bornes peut être réalisé au moyen de la même mousse conductrice que celle qui est utilisée et placée en fond du logement d'entrefer LE.
Dans un mode de réalisation non limitatif, on indique que les câbles de liaison entre les bornes BS1 et
BS2 et les bornes de l'amplificateur électrique précité peuvent être réalisés sous forme de câbles protégés CP tel que décrit précédemment en liaison avec la figure la.
En outre, en extrémité des câbles de liaison précités, c'est-à-dire des câbles protégés CP par exemple, un filtre rejecteur des très hautes fréquences radioélectri- ques peut être prévu, ce filtre rejecteur étant connecté à l'extrémité des câbles ou de la partie des câbles de liaison recouverte par le matériau semi-conducteur.
Dans un mode de réalisation non limitatif, on indique que le filtre rejecteur peut être constitué par une résistance de faible valeur en série avec l'âme centrale des câbles, les résistances désignées par R sur la figure 2 étant reliées par une capacité C de faible valeur. On indique que, dans un exemple de réalisation non limitatif, les résistances R avaient une valeur comprise entre 0,1 et 2,5 Ω, alors que la capacité C avait pour valeur une valeur comprise entre 30 et 100 pF et la résistance R' une valeur comprise entre 10 et 50 Ω.
D'une manière plus spécifique, on indique que dans le cadre du dispositif, objet de la présente invention, un justificatif de la mise en oeuvre de ce dispositif tel que décrit en liaison avec la figure 2 sera donné ci-après.
Les bobines de haut-parleur sont constituées par exemple par une ou deux couches de fils conducteurs électriques émaillés sur un tube isolant, solidaire de la membrane M et qui, en raison de leur position dans le logement d'entrefer LE, baignent ainsi dans un champ magnétique uniforme.
Les bobines sont de ce fait soumises à des vibrations intenses en raison de leur fonction essentielle et engendrent ainsi une grande quantité de microdécharges qui peuvent perturber 1 ' amplificateur de sortie par 1 ' intermé- diaire des câbles de liaison précédemment cités.
Le dispositif objet de la présente invention, tel que décrit en liaison avec la figure 2, permet de diminuer sensiblement les microdécharges créées à la source du circuit constitué par les bobines de haut-parleur en absorbant notamment l'onde électromagnétique émise par ces microdécharges .
Le niveau d'émission des microdécharges est diminué au moyen d'une application contrôlée d'un matériau semi- conducteur tel que le graphite sur la bobine elle-même, la bobine étant ainsi graphitée pour constituer la bobine graphitée 10 précédemment mentionnée dans la description.
L'application de graphite peut être réalisée par pulvérisation d'un film de graphite sur un support distinct de la bobine, le graphite utilisé étant par exemple le Graph±t 33 , ou le Blindotub disponibles dans le commerce.
Après séchage complet du film de graphite sur le support précité, un prélèvement du graphite sec est réalisé au moyen d'un outil tel qu'un tampon, de façon à noircir le tampon précité.
Le graphite est ainsi régulièrement appliqué sur la bobine du haut-parleur au moyen du tampon sur toute la surface de la bobine précitée.
Un polissage peut être réalisé avec un tampon exempt de graphite, le polissage apparaissant convenablement réalisé lorsque la bobine de haut-parleur prend un aspect brillant légèrement grisé.
L'absorption de l'onde électromagnétique émise par les microdécharges est réalisée par 1 ' intermédiaire de la mousse semi-conductrice 20 placée en fond de logement d'entrefer LE, au voisinage de la bobine, et, en tout état de cause, dans les parties de la culasse CU ne gênant pas le déplacement de la membrane, c'est-à-dire fond de culasse, cache-noyau constitué par un dôme par exemple, lequel, sur la figure 2, porte également la référence 20 pour cette raison. En ce qui concerne la mousse utilisée, cette mousse semi-conductrice peut par exemple être constituée par la mousse haute densité Vermason e t Vi tec de résistivité inférieure ou égale à 15 Ωm, une telle mousse présentant la particularité d'être constituée par des cellules ouvertes. Une mousse adéquate pour réaliser l'opération précitée peut être constituée par la mousse Vermason et Vitec portant la référence 167-848 du catalogue FARNELL. Toutefois, une mousse plus conductrice dont la résistivité est sensiblement égale à 1 Ωm peut être préférée.
En ce qui concerne l'opération de graphitage de la bobine, on indique que le revêtement ainsi constitué forme, conformément à l'objet de la présente invention, un revêtement semi-conducteur permettant de créer une équipotentia- lité locale et une régularisation du champ superficiel, ce revêtement étant toutefois suffisamment résistant pour éviter d'enfermer les microdécharges dans une cavité résonante. En d'autres termes, on indique que l'excédent de couche de graphite sur la bobine est susceptible de dégrader les résultats obtenus.
Les longueurs d'onde mises en jeu par le phénomène des microdécharges d'interface sont des longueurs d'onde centimétriques . En conséquence, les mousses semi-conductrices destinées à absorber 1 ' onde électromagnétique engendrée par les microdécharges d'interface à ces longueurs d'onde peuvent présenter avantageusement des irrégularités ou indentations de cet ordre de grandeur de longueur, de façon à être efficaces du point de vue de 1 ' absorption et éviter tout phénomène de réflexion de cette onde électromagnétique. En ce qui concerne toutefois les capacités C utilisées pour constituer le filtre rejecteur des très hautes fréquences radioélectriques, on indique que ces capacités peuvent de préférence être constituées par des capacités à air, dans lesquelles le phénomène de microdé- charges est faible, ou, de préférence, par des capacités encapsulées sous vide ou dans un gaz neutre, le cas échéant dans l'air. Le fait d'utiliser des capacités encapsulées est particulièrement avantageux, dans la mesure où l'encapsula- tion sous vide, sous atmosphère constituée par un gaz neutre voire dans l'air, constitue une protection aux variations de l'atmosphère environnante, les filtres réjecteurs ainsi constitués conservant de ce fait une très grande stabilité en fréquences, en particulier en fréquences de coupure des très hautes fréquences transmises.
Enfin, dans le cas de hauts-parleurs utilisant du ferrofluide dans l'entrefer, en particulier dans le cas des hauts-parleurs connus sous le nom de "tweeters", le dispositif, objet de la présente invention, peut alors consister en outre à incorporer de 0,1 à 1% en masse de graphite colloïdal dans le ferrofluide, afin d'absorber l'onde électroma- gnétique engendrée par le phénomène des microdécharges.
Une description plus détaillée du dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, sera maintenant décrit en liaison avec les figures 3a à 3c lorsque le circuit est constitué par les cellules de lecture des disques ou phonogrammes encore désignés par microsillons.
Un rappel succinct du fonctionnement d'une cellule de lecture d'un phonocapteur classique sera donné de manière ci-après.
Un phonocapteur comporte habituellement une pointe de lecture reliée électriquement à deux bobines mobiles, les deux bobines mobiles étant à 90° pour constituer en fait une cellule de lecture stéréophonique. Les bobines mobiles sont mobiles autour d'un axe de pivotement dans un champ magnétique, noté H.
Dans un tel cas, ainsi que représenté notamment en figures 3a et 3b, le dispositif, objet de la présente invention, comporte un revêtement en matériau semi-conducteur couvrant les fils constitutifs des bobines mobiles ainsi que les câbles électriques.
Ainsi que représenté sur les figures précitées, le revêtement en matériau semi-conducteur recouvrant les fils constitutifs des bobines mobiles peur être réalisé par un graphitage de ces bobines suivant le processus précédemment décrit en liaison avec les bobines de hauts-parleurs. Une telle opération demande toutefois un soin particulier en raison de la finesse du fil conducteur utilisé pour réaliser ces bobines mobiles. En outre, une mousse absorbante en matériau semiconducteur est introduite au niveau de tout circuit et de tout logement ou interstice lorsque cette introduction n'est pas susceptible de gêner le mouvement des bobines mobiles précitées. Sur les figures 3a et 3b, on a ainsi représenté, outre le graphitage des bobines mobiles, la présence d'un capuchon m de mousse semi-conductrice entourant la tête de lecture proprement dite, et d'un manchon entourant les câbles reliant les bobines mobiles à l'amplificateur du signal délivré par les bobines mobiles. Pour cette raison, et dans la même manière que dans le cas des figures précédentes, sur les figures 3a et 3b, les bobines mobiles graphitées portent la référence lc, les fils conducteurs reliant les bobines mobiles à l'amplificateur portent la référence 1: et le capuchon m et le manchon en mousse semi- conductrice rapportés sur la tête de lecture proprement dite et sur les câbles 1, graphités portent la référence 20.
Des précautions particulières doivent être prises en ce qui concerne la protection des conducteurs reliés à la cellule de lecture, c'est-à-dire aux bobines mobiles précitées et passant dans le bras de lecture ainsi que représenté en figure 3a ou en figure 3b.
D'une manière générale, il est avantageux de procéder au recâblage du bras de la manière ci-après :
- choix des conducteurs 1. : fil émaillé de l/10ème à 2/10ème de mm de diamètre, double émaillage polyuréthane haute température par exemple ; - remplacement des conducteurs existants par ce conducteur graphité ainsi que décrit précédemment dans la description relativement aux bobines de hauts-parleurs ;
- enrobage des conducteurs électriques lλ graphités précités dans de la mousse semi-conductrice 20, de façon à constituer un manchon protecteur tout le long du bras de lecture.
On indique en particulier que le câblage peut être effectué, soit à l'intérieur du bras de lecture, ainsi que représenté en figure 3a, le manchon étant introduit à l'intérieur de ce bras, soit, au contraire, ainsi que représenté en figure 3b, à l'extérieur du bras de lecture, l'ensemble manchon + conducteurs électriques pouvant alors être maintenu au moyen de ligatures ou colliers de serrage en rubans de polytetrafluorethylene . Ces rubans de serrage portent la référence 2 sur la figure 3b.
Bien entendu, en sortie des câbles de liaison 1: précités, c'est-à-dire en fait à l'entrée de l'amplificateur de lecture, un filtre de réjection des hautes fréquences radioélectriques est prévu, ce filtre étant constitué par une résistance R et une capacité C de valeur comparable à celle précédemment mentionnée dans la description relativement aux hauts-parleurs. On comprend bien sur que dans le cadre d'une tête de lecture stéréophonique, laquelle comporte une voie gauche G et une voie droite D, un filtre de réjection est prévu pour chaque voie gauche et droite, ainsi que représenté en figure 3c. Dans ce cas, le filtre rejecteur peut être placé sous la table de lecture elle-même TL, ainsi que représenté de manière schématique sur la figure 3c. Les résistances et capacités R, C utilisées sont des résistances de même nature et de même valeur que celles indiquées précédemment dans la description relativement à la constitution du filtre rejecteur pour le haut-parleur.
Une description plus détaillée d'un dispositif conforme à l'objet de la présente invention, mis en oeuvre lorsque le circuit électrique est celui d'un transformateur de tension d'alimentation, sera maintenant donnée en liaison avec les figures 4a et 4b.
Ainsi que représente sur la figure 4a, le transformateur de tension d'alimentation comprend un bobinage primaire, noté 1 , et un bobinage secondaire, noté 12.
Le dispositif, objet de la présente invention, comporte, de manière analogue au dispositif représenté en figure lb, un boîtier 2„ constituant une enceinte étanche munie de traversées étanches, ainsi que représenté de manière schématique sur la figure 4a. Les traversées étanches portent la référence 2 . L'enceinte étanche formée par le boîtier 2 comprend et contient le bobinage primaire 11 et le bobinage secondaire lt et est en outre remplie, de même que dans le cas de la figure lb, d'un matériau semi- conducteur absorbant les vibrations mécaniques du transformateur. En outre, les bobinages primaire lx et secondaire 12 sont interconnectés aux traversées étanches par 1 ' intermédiaire de câbles de liaison portant sur la figure les références 1., et 14. De préférence, et de manière analogue aux circuits électriques précédemment décrits dans la description relativement, d'une part, a la bobine de haut-parleur, et, d'autre part, aux bobines mobiles de tête de lecture, les fils électriques constitutifs des bobinages primaire et secondaire lx et lz ainsi que les fils électriques permettant d'assurer la liaison des bobinages primaire et secondaire aux traversées étanches 1., et 14 comportent avantageusement un revêtement en matériau semi-conducteur. Ce matériau semiconducteur peut être constitué par un film de graphite déposé et poli conformément aux indications données précédemment dans la description.
En outre, l'enceinte étanche formée par le boîtier 20 est remplie de matériau semi-conducteur, élément absorbant des vibrations mécaniques, les bobinages primaire et secondaire 1_ et 1^ précités étant ainsi noyés dans le matériau semi-conducteur 2 précité. De la même manière que dans le cas de la figure lb, le matériau semi-conducteur élément absorbant des vibrations mécaniques est constitué par un matériau pulvérulent tel qu'un sable graphité dans les conditions qui seront données ci-après dans la description.
Un justificatif de la mise en oeuvre d'un tel dispositif relativement à la protection des circuits transformateurs contre les phénomènes de microdécharges d'interface sera maintenant introduit. D'une manière générale, après les hauts-parleurs et les cellules phonocaptrices, les transformateurs constituent une source majeure de microdécharges d'interface :
- des bobinages isolés sous tension sont généralement accessibles en surface externe de ces transformateurs, la surface externe des transformateurs toriques étant d'ailleurs entièrement constituée d'enroulements ;
- les efforts électrodynamiques et les contraintes de magnétostriction induisent un niveau de vibration élevé, multipliant les microdécharges, et ce, d'autant plus que l'enroulement externe est raccordé à la phase plutôt qu'au neutre du réseau d'alimentation alternatif.
Ainsi, les mesures permettant d'atténuer ou sensiblement supprimer le phénomène de microdecharges d'interface au niveau d'un circuit tel qu'un transformateur consistent : - à créer une équipotentialité locale au niveau des bobinages externes ;
- à empêcher ou absorber au maximum les vibrations mécaniques ;
- à absorber l'onde électromagnétique émise par les microdécharges et les courants engendrés par celle-ci.
De la même manière que dans le cas des bobines de haut-parleur par exemple, ou des bobines mobiles de cellule de phonocapteur, la création d'une couche équipotentielle locale au niveau des enroulements externes du transformateur peut être réalisée par pulvérisation de graphite Bllndotub ou Graphit 33 sur la surface extérieure du transformateur dans les conditions décrites précédemment dans la description.
Afin de réaliser l'atténuation et l'absorption des vibrations mécaniques, les enroulements primaires 1. et 12 du transformateur sont placés dans le boîtier étanche 20 précédemment mentionné, l'espace transformateur - boîtier n'étant de préférence jamais inférieur à 1 cm, afin de permettre l'insertion d'une couche adéquate de matériau semi-conducteur pulvérulent d'épaisseur suffisante, afin de permettre l'absorption des vibrations mécaniques précitées.
Lorsque les bobinages du transformateur ont été placés dans le boîtier, on remplit alors l'espace libre au moyen d'un mélange pulvérulent amortisseur, contenant une proportion convenable de poudre de graphite ou, par exemple de graphite colloïdal utilisé pour la lubrification de parties mécaniques dans la proportion de 0,1 à 0,8% en masse.
On indique en particulier qu'en ce qui concerne le pourcentage de graphite ou de graphite colloïdal ajouté à l'élément pulvérulent, le mélange sensiblement homogène ainsi constitué doit présenter une résistivité électrique comprise entre 0,1 et 10 Ωm ainsi que mentionné précédemment dans la description.
En ce qui concerne la base de matériau pulvérulent utilisée, on indique que celle-ci peut être constituée par le sable siliceux auquel est ajouté le graphite en poudre ou le graphite colloïdal dans les proportions précédemment indiquées. On indique en particulier que le pourcentage en masse de graphite dépend de la résistivité du sable siliceux ou du matériau pulvérulent utilisé, en raison du fait que lorsque le sable siliceux est utilisé, ce matériau est naturellement semi-conducteur.
En ce qui concerne le remplissage de l'ensemble de l'enceinte contenant les bobinages primaire et secondaire, on indique que le remplissage est réalisé au moyen du mélange constitué par le sable siliceux et le graphite en l'absence de tassement, le mélange ainsi introduit recouvrant légèrement la partie supérieure du transformateur proprement dit.
En ce qui concerne la sortie des traversées étanches 2X , on indique que la liaison peut être réalisée par connexion au moyen de câbles protégés CP, ainsi que décrit précédemment dans la description relativement à la figure la.
Dans le cas où des câbles protégés CP ne sont pas utilisés pour réaliser ces connexions, conformément au dispositif objet de la présente invention, il est avantageux de prévoir un manchon de mousse conductrice, ainsi que représenté pour la connexion du bobinage secondaire 14, ce manchon entourant le câble de connexion précité sur une majeure partie de la longueur de celui-ci. En outre, dans tous les cas, il est également avantageux de maintenir, tant le manchon de mousse conductrice portant la référence 22 sur la figure 4a, que les câbles protégés CP au moyen de tores de ferrite, portant la référence 23, ainsi que représenté pour la connexion du bobinage primaire sur la figure 4a. Les tores de ferrite, particulièrement adaptés à cet effet, peuvent consister en des tores de ferrite commercialisés sous la référence 3E25 du catalogue SELECTRONIC et fabriqués par la Société PHILIPS. Les tores de ferrite précités permettent, en raison de la contrainte électromagnétique imposée par ces derniers aux câbles de connexion, de lutter par atténuation contre les parasites issus de microdécharges en mode commun susceptibles de se propager sur les câbles de connexion précités. D'autres matériaux, constituant élément absorbant des vibrations mécaniques, peuvent être le cas échéant utilisés dans le mesure où ceux-ci s ' avèrent plus performants ou plus pratiques à mettre en oeuvre en fonction des applications considérées. Ainsi, il est possible de remplir l'enceinte étanche formée par le boîtier 2- au moyen d'un liquide ou d'un gel, c'est-à-dire d'un liquide visqueux, tel que :
- le sérum physiologique,
- un mélange d'huiles isolantes contenant de 1 à quelques % en masse de graphite colloïdal en suspension, huiles isolantes pouvant être comprises dans le groupe de l'huile de paraffine, l'huile de vaseline, l'huile isolante DIALA commercialisée par la société SHELL, les huiles graphitées de lubrification utilisées normalement en mécanique, - un mélange sable siliceux/ sérum physiologique, le coulage d'un enrobage de paraffine fondue contenant un pourcentage convenable de graphite, le refroidissement de la paraffine amenant ainsi l'ensemble à un bloc homogène maintenant le transformateur, - les cires à bas point de fusion,
- les résines d'enrobage polyuréthane, époxy ou de composés silicones, ces différents produits pouvant être chargés en graphite et pouvant être utilisés lorsque le démontage intérieur du transformateur n'est pas nécessaire. D'une manière générale, on indique que le boîtier 2Q peut être constitué par un matériau isolant, tel qu'un matériau classique ABS ou autre, ou le cas échéant un conducteur métallique suivant la protection souhaitée et les conditions d'utilisation. Lorsque le boîtier est métallique, l'expérience a montré que la mise à la terre ultérieure de ce boîtier n'apportait pas d'amélioration, ou même était susceptible d'introduire une dégradation de la protection du circuit contre le phénomène de microdécharges d'interface.
En ce qui concerne le boîtier 20, on indique que celui-ci peut avantageusement être constitué par une enceinte à double paroi, l'interstice ménagé entre la double paroi étant alors rempli d'un matériau semi-conducteur tel qu'un matériau semi-conducteur liquide. Dans un tel cas, on préférera comme matériau semi-conducteur liquide la solution saline précédemment mentionnée dans la description ou le sérum physiologique précédemment cité. L'interstice peut alors présenter une dimension dans la direction orthogonale à la surface du boîtier de l'ordre de 2 cm environ, afin d'assurer une protection suffisante.
Un mode de réalisation particulièrement avantageux d'un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et parasites engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, sera donné en liaison avec la figure 4b, dans le cas où ce circuit électrique est constitué par un transformateur d'isolement.
On rappelle en premier lieu que le transformateur d'isolement est constitué d'un premier et d'un deuxième transformateur interconnectés par leurs bobinages secondaires, le bobinage primaire de l'un des transformateurs étant relié au réseau d'alimentation, par exemple transformateur Tl, et le bobinage primaire du deuxième transformateur, transformateur T2, étant relié à des bornes de sortie et délivrant une tension d'alimentation sensiblement égale à la tension d'alimentation du secteur, en l'absence de connexion galvanique directe avec le réseau secteur précité.
Dans un tel cas, ainsi que représenté en figure 4b, le dispositif objet de la présente invention comprend, dans un boîtier étanche 2 , le premier Tl et le deuxième T2 transformateur interconnectés par leurs bobinages secondai- res, le bobinage primaire de chaque transformateur étant interconnecté à des bornes d'entrée/sortie par l'intermédiaire de traversées étanches, notées 2X .
Bien entendu, les bobinages primaires et/ou secondaires des transformateurs Tl et T2 peuvent être soumis à un dépôt de matériau semi-conducteur tel que le dépôt graphite, ainsi que mentionné précédemment dans la description relativement au bobinage du haut-parleur ou aux bobines mobiles de tête de phonocapteur par exemple. Il en est de même pour les fils de connexion reliant les bobinages primaires des premier et deuxième transformateurs aux traversées étanches 2: précités. En ce qui concerne les fils d'interconnexion des bobinages primaires des transformateurs, ces fils de connexion portant la référence 2, sur la figure 4b, ceux-ci peuvent également être munis d'un revêtement de matériau semi-conducteur tel qu'un dépôt de film graphite, ainsi que mentionné précédemment dans la description. En outre, et de manière particulièrement avantageuse, un circuit d'atténuation à résistance capacité, portant la référence 23 sur la figure 4b, est prévu, ce circuit d'atténuation étant interconnecté en parallèle entre les bobinages secondaires interconnectés des transformateurs Tl et T2. Enfin, les transformateurs Tl et T2 et le circuit d'atténuation 23 sont ensevelis dans un matériau semi-conducteur 2 contenu dans le boîtier 20. En ce qui concerne le circuit d'atténuation 23, celui-ci peut comporter au moins une résistance d'adaptation, notée R, et, connectée avec cette résistance, en série avec celle-ci, au moins une capacité électrique encapsulée sous vide, dans l'air ou dans un gaz neutre, cette capacité encapsulée, notée C, pouvant être doublée en parallèle par une capacité C de plus forte valeur.
Dans un mode de réalisation effectif, on indique que les transformateurs Tl et T2 étaient des transformateurs toriques, tension primaire 110 V ou 240 V, tension secon- daire 2x40 V, 250 VA, commercialisés sous la référence 432- 453 au catalogue FARNELL. La capacité C était une capacité à air de valeur comprise entre 60 à 100 pF et la capacité C une capacité polypropylène de valeur comprise entre 0,47 à 2,2 μF. La résistance R était une résistance d'adaptation 3 , 22 à 50 Ω, résistance au carbone. Le matériau semiconducteur 2 constituant élément d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par des phénomènes de microdécharges d'interface était du sable graphité, ainsi que mentionné précédemment dans la description. Le dispositif, objet de la présente invention, sera maintenant décrit en liaison avec les figures 5a, 5b dans le cas où le circuit électrique protégé contre les phénomènes des microdécharges d'interface, conformément à l'objet de la présente invention, est un circuit électrique ou électronique multicomposants discrets ou intégrés, monté sur une plaquette à circuit imprimé par exemple.
Sur les figures 5a et 5b, on reconnaît la représentation symbolique du profil de composants discrets tels que transistor, résistance, condensateur ou analogue sur l'une des faces de la plaquette de circuit imprimé, le circuit imprimé se trouvant bien entendu de manière classique dessiné et gravé sur l'autre face.
Ainsi que représenté sur la figure 5a, le dispositif, objet de la présente invention, comporte au moins un boîtier 20 ouvert à l'une de ses extrémités, ce boîtier contenant un matériau semi-conducteur sous forme liquide par exemple, ce matériau semi-conducteur portant la référence 2 sur la figure 5a et constituant l'élément absorbant de l'onde électromagnétique engendrée par le phénomène des microdécharges d'interface. En outre, ainsi que représenté sur la figure 5a précitée, une enveloppe de protection en matériau plastique souple, portant la référence 2 , est prévue afin de permettre la protection du circuit électronique vis-à-vis du milieu ou matériau semi-conducteur 2 sous forme liquide. L'ensemble constitué par le circuit électronique CE et l'enveloppe de protection 2: précitée est alors immergé dans le matériau semi-conducteur liquide 2 contenu dans le boîtier 20 ouvert à son extrémité supérieure selon le mode de réalisation de la figure 5a. Bien entendu, un joint d' étanchéité de fermeture, portant la référence 2^, est prévu, ce joint permettant de sceller de manière étanche l'enveloppe 2: à la périphérie du boîtier ouvert, ainsi que représenté sur la figure 5a précitée. Bien entendu, le mode de réalisation tel que représenté en figure 5a n'est pas limitatif. En particulier, on indique que l'enveloppe plastique 2:, au moins dans la partie supérieure de celle-ci, peut être rigidifiee de façon à assurer le maintien mécanique du circuit électronique CE dans une position sensiblement verticale telle que représen- tée en figure 5a. En outre, la partie supérieure du circuit électronique CE, celle qui affleure au-delà de la surface libre du matériau semi-conducteur liquide à l'air libre, peut avantageusement être munie d'un radiateur R permettant de dissiper le dégagement thermique engendré par le fonc- tionnement du circuit électrique ou électronique CE. Bien entendu, les câbles de liaison de l'ensemble du circuit électronique CE peuvent alors être connectés à des bornes de connexion du circuit électronique CE et protégés de la même façon que mentionné précédemment vis-à-vis des câbles de liaison des hauts-parleurs, transformateurs ou bobines mobiles de phonocapteurs. On comprend bien sûr que les câbles de liaison ainsi que le circuit électrique ou électronique CE sont en outre protégés du contact avec le matériau semi-conducteur liquide par 1 ' intermédiaire de l'enveloppe plastique 2..
Le mode de réalisation représenté en figure 5a donne satisfaction. Il est particulièrement simple à réaliser et peu onéreux. Le matériau semi-conducteur liquide 2 peut par exemple être constitué par la solution saline ou sérum physiologique précédemment mentionnés dans la description. Dans un tel cas, le matériau semi-conducteur liquide, par la pression statique exercée par ce dernier sur 1 ' enveloppe plastique de protection 2:, presse celle-ci contre le circuit électronique CE, lequel se trouve alors particuliè- rement bien protégé contre le phénomène de microdécharges d'interface. La solution saline, ou sérum physiologique, peut bien entendu être remplacée par un gel semi-conducteur de propriétés équivalentes, ou, le cas échéant, par du sable graphité imprégné de sérum physiologique par exemple. Le mode de réalisation du dispositif de protection, conforme à l'objet de la présente invention, tel que représenté en figure 5a, donne satisfaction.
Toutefois, une variante simplifiée en est représentée en figure 5b, cette variante simplifiée pouvant présenter un intérêt dans la mesure où celle-ci est particulière- ment rapide et simple à mettre en oeuvre, et où, d'autre part, la notion d'encombrement et de portabilité de l'ensemble est améliorée compte tenu du fait que l'élément semiconducteur liquide est rapporté sous forme d'élément discret indépendant, et de ce fait beaucoup plus facile à mettre en oeuvre et/ou à manipuler.
Dans un tel cas, ainsi que représenté en figure 5b, le dispositif objet de la présente invention comporte, outre le boîtier ouvert à l'une de ses extrémités, portant la référence 20, le circuit électronique multi-composants CE ainsi qu'une pluralité de coussins de calage de ce circuit CE, chaque coussin consistant en une enveloppe formée en matériau plastique remplie du matériau semi-conducteur tel que décrit précédemment en liaison avec la figure 5a. Sur la figure 5b, chaque coussin, en référence à la figure 5a, porte la référence 2,,, 212, et le cas échéant des indices supérieurs lorsque plus de deux coussins sont utilisés. On comprend en particulier qu'il est possible d'utiliser quatre coussins, deux coussins permettant d'assurer la protection du circuit électronique CE et le calage de ce dernier afin d'empêcher tout mouvement dans le plan de la feuille dans laquelle est représentée la figure 5b, et deux coussins, non représentés, étant utilisés pour assurer la protection du circuit électronique CE et le calage de ce dernier dans un plan orthogonal au plan de la feuille dans laquelle est représentée la figure 5b.
En ce qui concerne la mise en oeuvre des différents coussins précités, on indique que, dans un mode de réalisation avantageux, le circuit électronique CE est placé dans le boîtier ouvert 2C ainsi que représenté à l'état initial en figure 5b, alors que les coussins vides 2X et 22 sont introduits, ainsi que représenté sur la figure précitée, de façon à réaliser la protection du circuit électronique CE et le calage de ce dernier dans le plan de la feuille dans laquelle la figure 5b est représentée. A l'état initial, les deux coussins 2X et 22 sont vides. L'état final représenté en figure 5b est alors obtenu par remplissage de chaque coussin 2X1 et 212 au moyen du matériau absorbant semi-conducteur liquide, tel que le sérum physiologique, puis scellement des coussins par thermo-scellage par exemple, portant la référence 22 sur la figure 5b. Bien entendu, les deux coussins latéraux permettant la protection et le calage dans un plan perpendiculaire au plan de la feuille dans laquelle est représentée la figure 5b peuvent être réalisés de façon analogue.
On comprend bien sûr qu'en lieu et place de la solution saline ou sérum physiologique 2 utilisé, il est également possible de remplir les coussins précités au moyen d'huile graphitée, de sable siliceux graphité, de sable siliceux imprégné de sérum, particulièrement efficace dans la lutte contre les vibrations. Dans ce dernier cas, on remplit en premier les différents coussins au moyen du sable siliceux, puis on verse ensuite le sérum jusqu'à imprégnation complète du sable.
D'autres matériaux, tels que des gels conducteurs de résistivité adaptée, des matières spongieuses permettant de stabiliser le sérum physiologique ou des mousses telles que les mousses polyuréthane rendues semi-conductrices par adjonction de graphite, peuvent également être utilisés.
Le dispositif, objet de la présente invention, peut s'appliquer à tout type de circuit électrique, ainsi que mentionné précédemment dans la description. Outre les différents circuits électriques déjà mentionnés, le dispositif, objet de la présente invention, peut bien entendu être appliqué à toutes prises électriques ou électroniques, lesquelles constituent un passage privilégié pour les ondes électromagnétiques engendrées par les microdécharges d ' interface. En effet, des investigations menées au sein des laboratoires d ' ELECTRICITE DE FRANCE ont montré clairement que les parasites ainsi engendrés, parasites radioélectriques, passaient par l'intervalle isolant/masse du châssis/- prise.
Un premier exemple de réalisation d'un dispositif de protection contre les microdécharges d'interface et contre les parasites radioélectriques engendrés par ces derniers, sera tout d'abord donné en liaison avec la figure 6a dans le cas où la prise électrique est constituée par une prise RCA pour châssis par exemple.
Sur la figure 6a, on a représenté en coupe une prise de type RCA montée sur un châssis CH . De manière classique, la prise comprend une tête de prise RCA comportant un conducteur de type coaxial dont l'âme centrale constitue le point chaud, l'ensemble de la tête de prise étant monté à travers le châssis et fixé à ce dernier par 1 ' intermédiaire d'un écrou EC de manière classique. L'âme centrale AC est entourée d'un matériau diélectrique assurant avec l'enve- loppe métallique externe une transmission de type coaxial.
Ainsi que représenté sur la figure 6a, le dispositif objet de la présente invention comprend un manchon en mousse semi-conductrice entourant l'ensemble de l'enveloppe externe
Ee de la prise RCA sur une longueur déterminée de celle-ci. Le manchon de mousse semi-conductrice porte la référence 20 sur la figure 6a.
Ainsi que représenté en outre sur la figure précitée, le manchon 20 en mousse semi-conductrice peut être maintenu à ses extrémités et en particulier au voisinage du châssis CH par l'intermédiaire d'une bague en ferrite 2l r commercialisée sous la référence 3E25 par la Société PHILIPS, cette bague de ferrite ayant, ainsi que mentionné précédemment dans la description, une fonction de suppression des parasites en mode commun. De la même manière et placé à l'extérieur du châssis
CH, c'est-à-dire sur la partie droite de la figure 6a, un capot en mousse semi-conductrice est prévu, lequel est destiné à couvrir l'ensemble de la superstructure émergeant du châssis CH, superstructure formée par l'extrémité mâle de la prise RCA représentée sur la figure 6a, 1 ' écrou EC et les moyens de fixation classiques tels que rondelle métallique ou autre. Le capot représenté sur la figure 6a porte la référence 23.
Dans certains cas, il peut être avantageux, ainsi que représenté en figure 6b, de déplacer les prises en dehors du châssis CH afin d'assurer une meilleure protection, en particulier lorsqu'il est souhaitable d'assurer la connexion aux circuits électriques ou électroniques internes par 1 ' intermédiaire de câbles protégés CP précédemment cités dans la description. Un tel mode de réalisation est représenté sur la figure 6b précitée dans laquelle la connexion étant réalisée au niveau d'un circuit électrique ou électronique CE au moyen d'un câble protégé CP tel que décrit précédemment, la partie externe du châssis CH, située donc en partie gauche du plan matérialisant le châssis CH sur la figure 6b, peut comporter à cet effet, de manière avantageuse, un tronçon de tube soudé au châssis sensiblement métallique, portant la référence TU, ce tronçon de tube comportant un remplissage de mousse semi -conductrice, portant la référence 20 sur la figure 6b. L'ensemble constitue un manchon particulièrement efficace et rigide dans lequel le câble protégé CP, connecté au circuit CE, est alors traversant vis-à-vis du manchon précité. Un tore de ferrite portant la référence 2X peut également être placé à 1 ' intérieur du châssis CH de façon à assurer une protection supplémentaire des parasites en mode commun, ainsi que mentionné précédemment dans la description.
Bien entendu, la longueur du câble protégé CP peut a priori être quelconque. Toutefois, dans le cas de câbles de grande longueur, il est préférable, ainsi que représenté en figure 6c, de prévoir une protection au voisinage de la prise elle-même telle que représentée en figure 6b, laquelle correspond, sur la figure précitée, à une prise femelle RCA par exemple.
Ainsi que représenté sur la figure 6c et dans un tel cas, au voisinage de la prise femelle précitée, le dispositif, objet de l'invention, peut consister à placer sur le câble protégé CP lui-même au voisinage de cette prise, un manchon de mousse semi-conductrice, portant la référence 20, et sur ce manchon, un tore de ferrite, portant la référence 2X , ce tore de ferrite pouvant correspondre à celui déjà mentionné dans la description, commercialisé par la Société PHILIPS, le tore de ferrite 2. précité étant lui-même protégé par l'intermédiaire d'un revêtement en mousse semi- conductrice portant la référence 2 , ce revêtement couvrant, non seulement le tore de ferrite 2, mais également le manchon 20 précédemment mentionné. Ainsi, le revêtement 22 peut être maintenu au moyen de liens 23 tels que des colliers de serrage ou analogue tels que représentés sur la figure 6c. Cette protection peut, par exemple, être associée à, ou complétée par la pose, sur le cordon secteur 1 correspondant aux appareils à alimenter et le plus près possible de leur prise d'alimentation, d'un manchon 20 de mousse semi- conductrice convenablement serré autour du cordon par des colliers 2X réalisés en ruban métallique adhésif cuivre, par exemple 3M réf. 1181 en 9,5 à 12,7 mm de large, espacés de 15 à 25 mm, ainsi que représenté sur la figure 6d. Une ou deux bagues cuivre 2: des extrémités peuvent être remplacées par un tore de ferrite 22, ainsi que représenté précédemment sur la figure 6c.
Bien entendu, la mise en oeuvre du dispositif, objet de la présente invention, implique quelques modifications des circuits soumis à la protection de ce dispositif. Lorsque les modifications nécessaires pour des appareils existants ne peuvent être facilement introduites, en particulier pour ce qui concerne les circuits électriques ou électroniques à composants discrets tels que représentés par exemple en figure 5a ou 5b, un mode de réalisation préférentiel non limitatif du dispositif, objet de la présente invention, permettant d'introduire un minimum de modifica- tions au niveau du circuit lui-même, sera maintenant décrit en liaison avec les figures 7a et 7b.
Ainsi que représenté sur les figures précitées, le dispositif, objet de la présente invention, comporte au moins un boîtier ouvert à l'une de ses extrémités, ce boîtier constituant un châssis comportant au moins une partie supérieure, notée CH:, et une partie inférieure, notée CH2, parties métalliques isolées électriquement l'une de l'autre.
Ainsi que représenté sur la figure précitée, le boîtier comprend au moins un châssis subdivisé entre les deux parties supérieure CH: et inférieure CH2, le circuit électronique multicomposants CE, la face circuit imprimé de ce dernier, c'est-à-dire la face inférieure de celui-ci sur la figure 7b, comportant un revêtement en matériau diélec- trique isolant, portant la référence 2C. Cet isolant de protection peut être constitué par le vernis du circuit imprimé lui-même ou un vernis rapporté.
En outre, le dispositif, objet de la présente invention, comprend une garniture interne en matériau du "type mousse semi-conductrice, portant la référence 2X , placée sur la face interne du boîtier, c'est-à-dire sur la face interne de la partie supérieure CHX et de la partie inférieure CH2. La face circuit imprimé comportant le revêtement 20 en matériau diélectrique isolant est placée au voisinage de la garniture interne en matériau de type mousse semi-conductrice .
Ainsi que représenté sur la figure 7b notamment, les deux faces opposées formant partie supérieure CH: et CH2 du châssis comportant la garniture interne en mousse semi- conductrice constituent en fait des garnitures internes à face corruguée, ainsi que représenté sur la figure précitée. Les corrugations introduites présentent une profondeur h dans la direction perpendiculaire aux parties supérieure CHX et inférieure CH: et un espacement d dans une deuxième direction perpendiculaire à cette première direction. Sur la figure 7a, on a représenté différents modes de réalisation des corrugations susceptibles d'être utilisées pour réaliser les garnitures internes au moyen des mousses semi-conductrices 2: précédemment mentionnées. Différentes formes de corrugations peuvent être utilisées, des corrugations pyramidales au point A de la figure 7a, dièdres au point B de cette même figure 7a, et enfin de type accordéon et ressort respectivement, ainsi que représenté aux points C et D de la même figure 7a précitée. Dans le cas de corrugations de type accordéon, on indique qu'une feuille de mousse d'épaisseur suffisante peut être soumise à un pliage accordéon, ainsi que représenté en figure 7a, la structure accordéon étant alors maintenue au moyen de tiges de maintien isolantes, portant la référence 22.
Dans le cas du point D de la figure 7a, le ressort peut être réalisé au moyen d'éléments préformés de mousse de matériau semi-conducteur, ces éléments préformés étant successivement assemblés en tète-bêche symétriquement par rapport à un plan vertical et soumis à un collage adapté, l'ensemble étant maintenu par l'intermédiaire de tiges de maintien 22.
En ce qui concerne le di ensionnement des corrugations précitées, on indique que les plaques ou garnitures de mousse de matériau semi-conducteur peuvent être réalisées de manière analogue à celle utilisée dans les chambres anéchoï- ques, la hauteur moyenne des indentations ou corrugations étant de l'ordre de h = 5 cm _t 3 cm.
En règle générale, pour une hauteur h égale à 5 cm
± 3 cm ainsi que cité précédemment, l'espacement d est alors pris égal sensiblement à la valeur h/2. Bien entendu, la face pointue des corrugations est dirigée vers le circuit à protéger à courte distance de celui-ci, c'est-à-dire quelques centimètres.
En outre, on indique que les plaques supérieure et inférieure CH: et CH: électriquement isolées peuvent alors, de manière particulièrement avantageuse, être utilisées de façon à créer un champ électrostatique permettant de bloquer les microdécharges.
Dans ce but, les deux faces externes précitées CHX et CH2 opposées aux faces internes corruguées précitées jouent le rôle vis-à-vis de ces dernières d'un revêtement électriquement conducteur, ce revêtement électriquement conducteur étant porté à une différence de potentiel électrique statique déterminée par l'intermédiaire d'un générateur de tension continue E, tel que représenté sur la figure 7b. La tension appliquée pour créer le champ élec- trostatique est de l'ordre de 80 à 100 V, cette tension étant appliquée aux plaques CH: et CH2 par l'intermédiaire d'une résistance R de valeur 100 KΩ à 1 MΩ afin de limiter l'intensité résiduelle en cas de contact accidentel.
D'une manière générale, on indique que les mousses corruguées doivent présenter des dents de longueur au moins égales à la plus faible longueur d ' onde à absorber qui peut atteindre, voire dépasser, 30 cm.
De manière préférentielle, le revêtement 2X de mousse semi-conductrice corruguée voit son efficacité améliorée dans le cas où celui-ci adhère aux surfaces conductrices du châssis, c'est-à-dire les plaques CH: et CH2. Dans un tel cas, l'absorption apparaît plus complète en raison du fait que l'onde est soumise à réflection sur la paroi métallique correspondante . Dans un mode de réalisation préférentiel, on indique que le revêtement 2 - était constitué par plusieurs plaques de mousse semi-conductrice, collées entre elles avec interposition de cartons graphités, seule la face interne tournée vers le circuit électronique CE présentant bien entendu les corrugations. Le carton graphité peut être remplacé par une plaque de cuivre d'épaisseur 0,1 à 0,2 mm. Enfin, un mode de réalisation particulier du dispositif, objet de la présente invention, plus particulièrement destiné à la protection contre les perturbations radioélectriques engendrées par le phénomène de microdéchar- ges d'interface lorsque ces perturbations radioélectriques sont guidées, sera maintenant décrit dans le cas où le circuit protégé est une alimentation électrique.
Le phénomène de guidage de l'onde électromagnétique engendrée par le phénomène de microdécharges d'interface est particulièrement gênant lorsqu ' un appareil non protégé contre le phénomène de microdécharges d'interface est raccordé au système, bien que cet appareil présente par ailleurs des qualités de performances parfaites en basses fréquences. Dans un tel cas, l'onde associée aux microdé- charges se propage sur les conducteurs de raccordement et perturbe ainsi l'appareil connecté.
Dans un tel cas, le dispositif, objet de la présente invention, comprend, ainsi que représenté en figure 8, un ensemble de câbles protégés CP, chaque câble étant utilisé pour assurer la connexion vis-à-vis d'une des bornes positive, négative ou de masse de l'alimentation stabilisée proprement dite, et les câbles protégés CP étant réunis en un faisceau, le faisceau étant lui-même entouré d'un manchon de mousse en matériau semi-conducteur, portant la référence 20 sur la figure 8. Le manchon est lui-même enserré à ses extrémités par des bagues ou tores en matériau ferromagnétique portant la référence 2X sur la figure 8. Un tore de ferrite 2X peut également être inséré sur le cordon de connexion de l'alimentation stabilisée au réseau secteur. Dans un mode de réalisation préférentiel, on indique que ce cordon pourra présenter un conducteur de masse raccordé à la masse de la prise secteur par une impédance appropriée, inductance de choc ou résistance carbone de 270 Ω.
En outre, ainsi que représenté schématiquement sur la figure 8, chaque câble protégé CP est relié par l'intermédiaire d'un circuit d'atténuation RC au câble constitutif de la liaison de masse du dispositif à alimenter avec l'alimentation stabilisée. On rappelle que le circuit d'atténuation RC peut être constitué par un condensateur à air ou encapsulé sous vide de valeur de l'ordre de 100 pF, alors que les bornes elles-mêmes de l'alimentation stabilisée peuvent avantageusement être reliées par des capacités à air ou encapsulées sous vide, de valeur plus importante comprise entre 100 et 500 pF. Enfin, le conducteur de masse de l'alimentation stabilisée, au niveau de la connexion à l'appareil à alimenter, peut être relié à la terre par l'intermédiaire d'une résistance R de même valeur, sensiblement.
Ainsi, les circuits d'atténuation R, C constituent une adaptation d'impédance pour les microdécharges en mode différentiel, alors que la résistance R joue le même rôle pour le mode commun.
Afin de diminuer les perturbations dues aux microdécharges d'interface en mode commun, il est avantageux, sur chaque appareil, de trouver le bon sens de connexion de la prise secteur afin notamment que la connexion de neutre du secteur soit reliée à la borne adaptée de la tension d'alimentation, d'isoler les masses des sources et de relier la masse seule de l'amplificateur à la terre locale par une résistance, la résistance R de valeur précédemment mention- née, comprise entre 50 et 270 Ω.
Afin de trouver le bon sens de connexion de la prise secteur, sens selon lequel la surface externe du transformateur est reliée au neutre, ce qui permet de réduire le niveau de parasitage secteur, il est alors possible de procéder selon les manières classiques connues de l'homme de l'art.
Des essais de mise en oeuvre des dispositifs conformes à l'objet de la présente invention ont été réalisés au sein des laboratoires d ' ELECTRICITE DE FRANCE. Ces essais ont permis de mettre en évidence que le rendu subjectif d'une chaîne haute fidélité par exemple pouvait être considérablement modifié par le simple déplacement des écrans^ destinés à protéger les circuits électroniques à composants discrets, tel que représenté en figures 7a et 7b. Lors des déplacements de ces écrans, il a été successivement obtenu :
- un son particulièrement mat, voire éteint, avec des extinctions de notes rapides et un aspect global feutré dans le mauvais sens du terme, - un son de grande qualité avec des extinctions de notes prolongées et une excellente séparation des signaux avec un sentiment global d'espace particulièrement agréable,
- un son que l'on peut qualifier d'agressif lorsque les extinctions de notes sont bien prolongées et semblent alors difficiles à séparer. L'expérience globale de l'auditeur est alors un sentiment de distorsion vite insupportable qui incite alors ce dernier à baisser le volume rapidement. Une interprétation globale du phénomène sera donnée ci-après. Le signal audio transmis et traité par exemple dans une chaîne haute fidélité est généralement constitué, lorsqu'il s'agit d'un signal musical, d'une attaque, du corps du signal proprement dit et d'une traînée ou extinction de la note, cette traînée pouvant être à un niveau sonore de l'ordre de -20 à -40 dB par rapport au corps du signal.
Cette traînée, fondamentale pour la qualité de musicalité du signal perçu par l'auditeur, voit sa perception gravement perturbée par les parasites radioélectriques engendrés par les microdécharges d'interface. En effet, le reste du signal, voire des causes extérieures, engendre une onde électromagnétique due aux microdécharges, laquelle est redressée ou démodulée par les éléments non linéaires du circuit, éléments non linéaires tels que les soudures et autres contacts bimétalliques, ce qui conduit à la création d'un bruit de fond à large spectre qui n'existe qu'en présence du signal audio.
La protection contre les phénomènes de microdécharges d'interface mise en oeuvre grâce au dispositif, objet la présente invention dans les différentes situations précéde - ment décrites dans la présente description, permet d'assurer une telle protection en atténuant ou en supprimant les effets de l'onde électromagnétique engendrée par le phénomène de microdécharges précité.
Les solutions préconisées et précédemment décrites permettent alors : d'empêcher la production des microdécharges lorsque cette production peut être empêchée sans nuire au fonctionnement du circuit précité,
- d'interdire l'accès de l'onde électromagnétique engendrée par les microdécharges d'interface aux circuits sensibles,
- d'absorber l'onde électromagnétique précitée au niveau de l'ensemble des circuits.

Claims

REVENDICATIONS
1. Dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interfa- ce, caractérisé en ce que ledit dispositif comprend, au voisinage dudit circuit électrique, des moyens d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d' interface.
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits moyens d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface comprennent des moyens absorbants de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface.
3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que lesdits moyens d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface comprennent des moyens absorbants des vibrations mécaniques susceptibles d'affecter ledit circuit électrique, ce qui permet de réduire la contribution tribo-électrique à ladite onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges.
4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que lesdits moyens d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d ' inter- face comprennent un revêtement de matériau semi-conducteur appliqué sur la surface externe du conducteur électrique, la résistivité linéique dudit matériau semi-conducteur étant choisie dans une plage de valeurs adaptée de façon à permettre à la fois le maintien de la surface externe du conducteur électrique à un potentiel électrique statique de valeur locale constante voisine de celle du conducteur électrique et d'absorber l'ensemble des courants électriques erratiques de décharge provoqués par les microdécharges d'interface et, ainsi, d'atténuer l'onde électromagnétique engendrée par celles-ci.
5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit revêtement semi-conducteur présente une résistivité linéique de valeur μ comprise entre 0,1 Ω x m et 10 Ω x m.
6. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que, lorsque ledit circuit électrique est celui d'un haut-parleur, ce haut-parleur comprenant une culasse magnétique munie d'un logement d'entrefer, une bobine électrique solidaire d'une membrane de haut-parleur, cette bobine électrique étant engagée dans le logement d'entrefer, et des bornes et câbles de liaison de ces bornes vers les bornes de sortie d'un amplificateur électrique, ce dispositif comprend au moins :
- une garniture en mousse de matériau semi-conducteur placée en fond dudit logement d'entrefer, les parois dudit logement d'entrefer comportant en outre un revêtement en matériau semi-conducteur ;
- un revêtement en matériau semi-conducteur recouvrant les conducteurs formant ladite bobine électrique ;
- un revêtement protecteur desdites bornes et câbles de liaison de ces bornes, ledit revêtement protecteur étant constitué par un matériau semi-conducteur recouvrant ces bornes et ces câbles de liaison sur au moins une partie de ces derniers ;
- un filtre rejecteur des très hautes fréquences radioélectriques connecté à l'extrémité des câbles ou de la partie des câbles de liaison recouverte par le matériau semi-conducteur .
7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, lorsque ledit circuit électrique est celui d'une cellule de lecture d'un phonocapteur, comprenant un bras de lecture équipé d'une tête de lecture à bobines mobiles, reliée par des câbles électriques à un connecteur de sortie, ledit dispositif comporte au moins :
- un revêtement en matériau semi-conducteur recou- vrant les fils constitutifs desdites bobines mobiles et les câbles électriques ; - une garniture en mousse de matériau semi-conducteur enrobant l'ensemble de la tête de lecture sensiblement et lesdits câbles électriques sur la longueur du bras de lecture ; - un filtre rejecteur des très hautes fréquences radioélectriques assurant la liaison entre l'extrémité libre desdits câbles électriques et ledit connecteur de sortie.
8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, lorsque ledit circuit électrique est celui d'un transformateur de tension d'alimentation, comprenant un bobinage primaire et un bobinage secondaire, ledit dispositif comporte au moins une enceinte étanche munie de traversées étanches, ladite enceinte étanche contenant ledit bobinage primaire et ledit bobinage secon- daire étant remplie d'un matériau semi-conducteur, absorbant des vibrations mécaniques, les bobinages primaire et secondaire étant interconnectés auxdites traversées étanches.
9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que les fils électriques constitutifs des bobinages primaire et secondaire comportent un revêtement en matériau semi-conducteur .
10. Dispositif selon l'une des revendications 8 ou
9, caractérisé en ce que ledit matériau semi-conducteur, absorbant des vibrations mécaniques, est un matériau pulvérulent comportant de 0,2 à 0,8% en masse de graphite.
11. Dispositif selon l'une des revendications 8 à
10, caractérisé en ce que lesdites traversées étanches sont formées par des conducteurs électriques munis d'un revête- ment de matériau semi-conducteur s ' étendant à l'extérieur de l'enceinte étanche, chaque conducteur comportant en outre à l'extérieur de l'enceinte étanche un tore en ferrite entourant le conducteur et le revêtement.
12. Dispositif selon l'une des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que ladite enceinte étanche est une enceinte à double paroi, l'interstice ménagé entre la double paroi étant rempli d'un matériau semi-conducteur liquide.
13. Dispositif selon l'une des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que, lorsque le circuit électrique est celui d'un transformateur d'isolement constitué d'un premier et d'un deuxième transformateur interconnectés par leur bobinage secondaire, celui-ci comprend, dans un boîtier étanche : lesdits premier et deuxième transformateurs interconnectés par leur bobinage secondaire, le bobinage primaire de chaque transformateur étant interconnecté à des bornes d'entrée-sortie par l'intermédiaire de traversées étanches ;
- un circuit d'atténuation à résistance capacité interconnecté en parallèle entre les bobinages secondaires interconnectés desdits transformateurs ;
- un matériau semi-conducteur ensevelissant lesdits premier et deuxième transformateurs et ledit circuit d ' atténuation .
14. Dispositif selon la revendication 13, caracté- risé en ce que ledit circuit d'atténuation comporte au moins : une résistance d'adaptation, et, connectée en série avec cette résistance,
- au moins une capacité électrique encapsulée sous vide, dans l'air ou dans un gaz neutre.
15. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, ledit circuit électrique étant un circuit électronique multicomposants discrets ou intégrés montés sur une plaquette à circuit imprimé, ledit dispositif comporte au moins :
- un boîtier ouvert à une de ses extrémités contenant ledit matériau semi-conducteur sous forme liquide ;
- une enveloppe de protection du circuit électronique, en matériau plastique, l'ensemble constitué par le circuit électronique et l'enveloppe de protection étant immergé dans le matériau semi-conducteur liquide, ladite enveloppe assurant l' étanchéité dudit récipient audit matériau semi-conducteur liquide.
16. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit circuit électrique étant un circuit électronique multi-composants discrets ou intégrés montés sur une plaquette à circuit imprimé, ledit dispositif comporte au moins un boîtier ouvert à l'une de ses extrémités, ce boîtier contenant :
- ledit circuit électronique multi-composants ; - une pluralité de coussins de calage de ce circuit, chaque coussin consistant en une enveloppe formée en matériau plastique remplie d'un matériau semi-conducteur.
17. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit circuit électrique étant un circuit électronique multicomposants discrets ou intégrés montés sur une plaquette à circuit imprimé, ledit dispositif comporte au moins un boîtier ouvert à au moins l'une de ses extrémités, ce boîtier contenant :
- ledit circuit électronique multicomposants, la face circuit imprimé comportant un revêtement en matériau diélectrique isolant ;
- une garniture interne en matériau du type mousse semi-conductrice placée sur la face interne du boîtier, ladite face circuit imprimé comportant le revêtement en matériau diélectrique isolant étant placée au voisinage de ladite garniture interne en matériau de type mousse semi- conductrice.
18. Dispositif selon la revendication 17, caractérisé en ce que deux faces opposées au moins de la garniture interne sont des faces corruguées.
19. Dispositif selon l'une des revendications 17 ou 18, caractérisé en ce que deux faces externes du boîtier opposées aux faces internes corruguées de la garniture interne comportent un revêtement électriquement conducteur, lesdits revêtements électriquement conducteurs étant portés à une différence de potentiel électrique statique détermi- née .
20. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit circuit électrique étant constitué par une prise comportant au moins une fiche de connexion de masse ou par un câble électrique, ledit dispositif comprend au moins :
- un manchon formant anneau de garde placé autour de la fiche de connexion ou du câble électrique, ce manchon étant constitué en une mousse semi -conductrice ; - au moins un tore ou bague en ferrite au voisinage de ce manchon.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001080616A2 (fr) * 2000-04-17 2001-10-25 Tokin Corporation Dispositif de suppression de courant haute frequence se fixant facilement sur un cable ou analogue et systeme d'ecouteur equipe d'un tel dispositif
FR2811510B1 (fr) * 2000-07-06 2002-10-11 Electricite De France Dispositif de protection d'un circuit electronique contre les parasites engendres dans ce circuit par le phenomene de micro-decharges d'interface
JP2002094281A (ja) * 2000-09-11 2002-03-29 Kitagawa Ind Co Ltd シールド構造
FR2823634B1 (fr) * 2001-04-13 2003-05-30 Pierre Henri Raymond Johannet Dispositif de protection des conducteurs electriques contre les microdecharges d'interface (mdi)
FR2827116A1 (fr) * 2001-07-03 2003-01-10 Pierre Johannet Dispositif de protection des conducteurs et haut-parleurs contre les microdecharges d'interface (mdi)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4327349A (en) * 1980-03-19 1982-04-27 General Electric Company Transformer core having charge dissipation facility
US4441038A (en) * 1980-06-30 1984-04-03 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Electret device
FR2607954B1 (fr) * 1986-12-04 1995-02-24 Noel Gerard Procede de protection d'un element d'installation plonge dans un milieu environnant et sensible aux influences electriques, magnetiques et/ou electromagnetiques presentes dans ce milieu
US5331606A (en) * 1992-05-29 1994-07-19 Western Atlas International, Inc. Static dissipating data cable and seismic apparatus
IT1283058B1 (it) * 1996-05-22 1998-04-07 Edgardo Bianchi Cavo elettrico, particolarmente ma non esclusivamente per impianti stereofonici ad alta fedelta'

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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