EP0856868A3 - Procédé de réalisation de sources d'électrons à micropointes et source d'électrons à micropointes obtenue par ce procédé - Google Patents

Procédé de réalisation de sources d'électrons à micropointes et source d'électrons à micropointes obtenue par ce procédé Download PDF

Info

Publication number
EP0856868A3
EP0856868A3 EP98201095A EP98201095A EP0856868A3 EP 0856868 A3 EP0856868 A3 EP 0856868A3 EP 98201095 A EP98201095 A EP 98201095A EP 98201095 A EP98201095 A EP 98201095A EP 0856868 A3 EP0856868 A3 EP 0856868A3
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
matériau
field emission
une
grids
premier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP98201095A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0856868B1 (fr
EP0856868A2 (fr
Inventor
Robert Meyer
Pierre Vaudaine
Philippe Rambaud
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR9404948A external-priority patent/FR2719155B1/fr
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of EP0856868A2 publication Critical patent/EP0856868A2/fr
Publication of EP0856868A3 publication Critical patent/EP0856868A3/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP0856868B1 publication Critical patent/EP0856868B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type

Abstract

Source d'électrons à micropointes comportant un système de conducteurs cathodiques (8), de grilles (10a) superposées avec un isolant intermédiaire (23) et de micropointes (18) déposées dans des trous (16) pratiqués dans les grilles et l'isolant, les grilles étant géométriquement comprises entre un plan inférieur (I) et un plan supérieur (S), les micropointes comportant respectivement au moins deux parties :
  • une première partie (20) de forme tronconique, de hauteur H, et constituée d'un premier matériau conducteur,
  • une deuxième partie (22), constituant une pointe conique déposée sur la première partie et étant constituée d'un second matériau conducteur,
le premier et le second matériau étant choisis de façon à ce que le second matériau soit apte à être affiné par une gravure sélective par rapport au premier matériau.
EP98201095A 1994-04-25 1995-04-24 Source d'électrons à micropointes et dispositif de visualisation avec telle source Expired - Lifetime EP0856868B1 (fr)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9404948A FR2719155B1 (fr) 1994-04-25 1994-04-25 Procédé de réalisation de sources d'électrons à micropointes et source d'électrons à micropointes obtenue par ce procédé.
FR9404948 1994-04-25
FR9413972A FR2719156B1 (fr) 1994-04-25 1994-11-22 Source d'électrons à micropointes, les micropointes comportant deux parties.
FR9413972 1994-11-22
EP95400910A EP0689222B1 (fr) 1994-04-25 1995-04-24 Procédé de réalisation de sources d'électrons à micropointes

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP95400910A Division EP0689222B1 (fr) 1994-04-25 1995-04-24 Procédé de réalisation de sources d'électrons à micropointes

Publications (3)

Publication Number Publication Date
EP0856868A2 EP0856868A2 (fr) 1998-08-05
EP0856868A3 true EP0856868A3 (fr) 1998-09-30
EP0856868B1 EP0856868B1 (fr) 2003-07-02

Family

ID=26231113

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP95400910A Expired - Lifetime EP0689222B1 (fr) 1994-04-25 1995-04-24 Procédé de réalisation de sources d'électrons à micropointes
EP98201095A Expired - Lifetime EP0856868B1 (fr) 1994-04-25 1995-04-24 Source d'électrons à micropointes et dispositif de visualisation avec telle source

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP95400910A Expired - Lifetime EP0689222B1 (fr) 1994-04-25 1995-04-24 Procédé de réalisation de sources d'électrons à micropointes

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5635790A (fr)
EP (2) EP0689222B1 (fr)
CA (1) CA2146528A1 (fr)
DE (2) DE69531220T2 (fr)
FR (1) FR2719156B1 (fr)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5702281A (en) * 1995-04-20 1997-12-30 Industrial Technology Research Institute Fabrication of two-part emitter for gated field emission device
US6356014B2 (en) * 1997-03-27 2002-03-12 Candescent Technologies Corporation Electron emitters coated with carbon containing layer
US6004180A (en) * 1997-09-30 1999-12-21 Candescent Technologies Corporation Cleaning of electron-emissive elements
JP2002083555A (ja) * 2000-07-17 2002-03-22 Hewlett Packard Co <Hp> セルフアライメント型電子源デバイス
US6873097B2 (en) * 2001-06-28 2005-03-29 Candescent Technologies Corporation Cleaning of cathode-ray tube display
CN1300818C (zh) * 2003-08-06 2007-02-14 北京大学 一种场发射针尖及其制备方法与应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0434330A2 (fr) * 1989-12-18 1991-06-26 Seiko Epson Corporation Dispositif à émission de champ et son procédé de fabrication
EP0443920A1 (fr) * 1990-02-23 1991-08-28 Thomson-Csf Procédé de croissance controlée de cristaux aciculaires, et application à la réalisation de microcathodes à pointes
EP0535953A2 (fr) * 1991-10-02 1993-04-07 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif électronique du type à emission de champ
EP0570211A1 (fr) * 1992-05-15 1993-11-18 Gec-Marconi Limited Structure cathodiques

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2593953B1 (fr) * 1986-01-24 1988-04-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ
FR2623013A1 (fr) * 1987-11-06 1989-05-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source
US5225820A (en) * 1988-06-29 1993-07-06 Commissariat A L'energie Atomique Microtip trichromatic fluorescent screen
FR2663462B1 (fr) * 1990-06-13 1992-09-11 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes.
US5203731A (en) * 1990-07-18 1993-04-20 International Business Machines Corporation Process and structure of an integrated vacuum microelectronic device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0434330A2 (fr) * 1989-12-18 1991-06-26 Seiko Epson Corporation Dispositif à émission de champ et son procédé de fabrication
EP0443920A1 (fr) * 1990-02-23 1991-08-28 Thomson-Csf Procédé de croissance controlée de cristaux aciculaires, et application à la réalisation de microcathodes à pointes
EP0535953A2 (fr) * 1991-10-02 1993-04-07 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif électronique du type à emission de champ
EP0570211A1 (fr) * 1992-05-15 1993-11-18 Gec-Marconi Limited Structure cathodiques

Also Published As

Publication number Publication date
CA2146528A1 (fr) 1995-10-26
DE69514576T2 (de) 2000-08-10
DE69514576D1 (de) 2000-02-24
DE69531220T2 (de) 2004-05-27
EP0689222A2 (fr) 1995-12-27
EP0689222B1 (fr) 2000-01-19
EP0856868B1 (fr) 2003-07-02
US5635790A (en) 1997-06-03
EP0689222A3 (fr) 1996-02-07
EP0856868A2 (fr) 1998-08-05
FR2719156A1 (fr) 1995-10-27
DE69531220D1 (de) 2003-08-07
FR2719156B1 (fr) 1996-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69435336D1 (de) Herstellungsverfahren einer Elektronen emittierenden Einrichtung
EP1020887A3 (fr) Dispositif à décharge
DE3563577D1 (en) Semiconductor device for producing an electron beam
EP1111647A3 (fr) Dispositif d&#39;émission d&#39;électrons, dispositif d&#39;émission de champ a cathode froide et procédé de fabrication, dispositif d&#39;affichage a émetteur de champ a cathode froide et procede de fabrication
EP0886294A3 (fr) Appareil à faisceau d&#39;électrons
EP1032020A3 (fr) Dispositif émetteur d&#39;électrons et appareil de formation d&#39;images
EP0948027A3 (fr) Dispositif de formation d&#39;image utilisant un dispositif générateur de faisceau d&#39;électrons
EP0999559A3 (fr) Structure de borne hermétique
EP0856868A3 (fr) Procédé de réalisation de sources d&#39;électrons à micropointes et source d&#39;électrons à micropointes obtenue par ce procédé
KR910013438A (ko) 필드 전자 방출 장치 및 그 생산 공정
CA2075698A1 (fr) Dispositif de visualisation plat
EP0784354A3 (fr) Serre-câble de courant fort pour un assemblage de plaque à circuit
EP1073085A3 (fr) Procédé de fabrication d&#39;un émetteur de champ à cathode froide et d&#39;un dispositif d&#39;affichage
CA2377364A1 (fr) Plaque de cathode
MY106537A (en) Structures and processes for fabricating field emission cathodes.
EP0434370A3 (fr) Dispositif électronique à émission de champs
EP1030338A3 (fr) Cathode à émission de champ, appareil avec une telle cathode et procédé de fabrication de l&#39;appareil
EP0837487A3 (fr) Electrode de focalisation dans un canon à électrons pour un tube à rayons cathodiques couleur
WO2002080215A3 (fr) Nouvelles structures et procedes simplifies de formation d&#39;emetteurs d&#39;electrons a micropointe a emission de champ
JPH0221540A (ja) マイクロ波管用電子銃
EP0270876A3 (fr) Surfaces pour décharges électriques
MY104888A (en) Manufacturing method for electrode of electron gun of cathode ray tube
KR880008391A (ko) 음극선관용 전자총의 비드유리
EP1094489A3 (fr) Tube à rayons cathodiques et procédé de fabrication de celui-ci
EP0389233A3 (fr) Canon à électrons pour CRT

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AC Divisional application: reference to earlier application

Ref document number: 689222

Country of ref document: EP

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): DE GB IT

PUAL Search report despatched

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): DE GB IT

RHK1 Main classification (correction)

Ipc: H01J 1/30

17P Request for examination filed

Effective date: 19990308

17Q First examination report despatched

Effective date: 20010712

RTI1 Title (correction)

Free format text: FIELD EMISSION ELECTRON SOURCE AND DISPLAY DEVICE WITH SUCH A SOURCE

RTI1 Title (correction)

Free format text: FIELD EMISSION ELECTRON SOURCE AND DISPLAY DEVICE WITH SUCH A SOURCE

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AC Divisional application: reference to earlier application

Ref document number: 0689222

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: P

AK Designated contracting states

Designated state(s): DE GB IT

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REF Corresponds to:

Ref document number: 69531220

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20030807

Kind code of ref document: P

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 20031018

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20040405

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20140422

Year of fee payment: 20

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Payment date: 20140417

Year of fee payment: 20

Ref country code: DE

Payment date: 20140411

Year of fee payment: 20

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R071

Ref document number: 69531220

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: PE20

Expiry date: 20150423

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF EXPIRATION OF PROTECTION

Effective date: 20150423