EP0578562B1 - Procédé de détermination de la mise au point d'une machine d'exposition photolithographique - Google Patents

Procédé de détermination de la mise au point d'une machine d'exposition photolithographique Download PDF

Info

Publication number
EP0578562B1
EP0578562B1 EP93401751A EP93401751A EP0578562B1 EP 0578562 B1 EP0578562 B1 EP 0578562B1 EP 93401751 A EP93401751 A EP 93401751A EP 93401751 A EP93401751 A EP 93401751A EP 0578562 B1 EP0578562 B1 EP 0578562B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
reflectivity
test patterns
sharp focus
resin
coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP93401751A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0578562A1 (fr
Inventor
Blandine Minghetti
Annie Tissier
Alain Prola
Eric Schwartz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orange SA
Original Assignee
France Telecom SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by France Telecom SA filed Critical France Telecom SA
Publication of EP0578562A1 publication Critical patent/EP0578562A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP0578562B1 publication Critical patent/EP0578562B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026—Focusing

Definitions

  • the invention relates to an adjustment method a photolithographic exposure machine and associated device.
  • the abovementioned improvement processes have the disadvantage of degrading the depth of field, DOF, proportional to ⁇ / NA 2 , the resolution, R, being proportional to ⁇ / NA, where ⁇ denotes the wavelength of light exposure, and NA the numerical aperture of the lens used.
  • the object of the present invention is to remedy the disadvantages of the above-mentioned prior methods.
  • It relates to a method and a device for determination of the development of an exposure machine photolithographic used to expose structures on a substrate coated with a mask-forming resin, from a control plate with identical test patterns in different locations.
  • the method and the device which are the subject of the invention are remarkable in that they consist of, respectively allow to successively illuminate the test patterns in white light at each location, using of an illumination beam, preferably oblique, measure the reflectivity coefficient of each test pattern, then, establish the law of correspondence of the coefficient of reflectivity as a function, for each location, of the value of the defocusing or focusing parameter of the beam of illumination and determine by threshold criterion of the value of the reflectivity coefficient, a range of corresponding defocus values for the pattern of test considered, to establish the focus value optimal point.
  • the process adjustment object of the present invention in fact allows determine the optimal focus of a machine photolithographic exhibition used to expose the structures on a resin-coated substrate board forming photosensitive mask.
  • the process which is the subject of the present invention is implemented from a control plate, marked Pt, with identical test patterns in different locations and arranged according to a suite test patterns.
  • FIG. 1a there is shown so schematic the different stages of the process object of the present invention.
  • the method according to the invention can be subdivided in two main stages, a first stage, noted I, consisting in the production of a control plate, Pt, and consisting, as shown in the above figure, in three successive stages A, B, C, this stage of realization of a witness plate not being considered, strictly speaking speak, as part of the process which is the subject of the invention.
  • step I of making a brochure witness is indicated for illustrative purposes, the plate control, Pt, obtained following the implementation of steps A, B, C, constituting stage I of realization of a witness plate, then being used for setting work of the process itself.
  • stage I of producing a control plate can consist of a first step A, consisting in filing a resin layer on a silicon wafer, followed by a step B of insulating test patterns into different locations, these test patterns being arranged according to a series of test patterns, and the insolation being carried out for each test pattern with a focus of the image of the pattern, on the resin, different for each test pattern.
  • the focusing of the image of the pattern on the surface of the resin that is to say on the air-resin interface, is a relative focus, which must be understood as regulated by a parameter of defocus D with respect to the aforementioned air-resin interface.
  • Step B previously mentioned is then followed by a development step, noted C, which allows, after development of the photosensitive resin, to obtain the control plate Pt provided with its series of test patterns.
  • the witness plate Pt is thus represented, provided with its various test patterns, denoted Mt ij .
  • the indices i, j make it possible to locate the successive addresses of each test pattern, and in particular, their position, as will be described later in the description.
  • the method which is the subject of the present invention then consists of a step 1000 of successively illuminating the test patterns MT ij in white light at each address location i, j , by means of an illumination beam.
  • step 1000 is followed by a step 2000 consisting in measuring the reflectivity coefficient of each test pattern MT ij .
  • the illumination step 1000 being carried out, for a test pattern of address i, j given, the step 2000 of measuring the reflectivity coefficient is carried out immediately for this test pattern considered and the succession of steps 1000 and 2000 previously mentioned is repeated for each test pattern, the repetition being symbolized in FIG. 1a by the feedback loop upstream of step 1000.
  • the data relating to the measurement of the reflectivity coefficient R obtained in step 2000 are stored and the succession of steps 1000 and 2000 repeated for each test pattern thus constitutes a step of acquiring the data, denoted IIa, in FIG. 1a.
  • the step of acquiring the data IIa previously mentioned is then followed by a step IIb of processing this data.
  • the data processing step comprises, as shown in FIG. 1a, a first step 3000 consisting in establishing the law of correspondence of the reflectivity coefficient R for each location or test pattern MT ij as a function of the value of the parameter of defocus D or focusing of the illumination beam.
  • the illumination beam in white light is focused at constant value relative to the surface of the resin of the control plate Pt, that is to say of the air-resin interface, and, that '', as a result, due to the defocusing of the exposure beam of the test patterns of step B, this results, during the scanning of each test pattern, MT ij by the illumination beam, of a defocusing D corresponding.
  • the illumination beam used in step 1000 can initially be adjusted with relative focus, the best possible given the conventional measurement means available in the laboratory or on an industrial site, which of course allows to apply the corresponding defocusing values of each successive test pattern MT ij under analogous conditions of precision of adjustment of the exposure beam which will be used subsequently by the exposure machine to produce particular structures, on one or more plates integrated circuit substrate. It is understood, of course, that the determination of the optimal focusing or focusing of the illumination beam is worth determining the optimal focusing or focusing of the above-mentioned exposure beam.
  • step 3000 is then followed by a step 4000 consisting in determining, by criterion of threshold of the value of the coefficient of reflectivity R, a range of corresponding defocus or focus values to the point for the test pattern considered to establish the optimal focus value.
  • steps 3000 and 4000 previously mentioned constitute stage IIb of processing of previously acquired data in one step IIa of acquisition of this data and it includes a step end, noted 5000. All steps 1000 to 4000 constitutes in fact stage II of development, in accordance to the process which is the subject of the present invention.
  • steps IIa data acquisition and data processing IIb will be given in connection with FIG. 1b.
  • the step 1000 of successive illumination of each location can be subdivided into sub-steps 1001 of reading a file representing the position of the test patterns exposed on the control plate, Pt, of a sub- step 1002 of alignment on reference patterns in order to determine the precise position of all the patterns MT ij .
  • the reference patterns can consist of preferential patterns, such as for example, when the test patterns are arranged in a two-dimensional rectangle network, the test patterns located at the ends of the rectangle delimiting this network.
  • the positioning of the illumination beam is in fact carried out by means of a table X, Y and a microscope making it possible to ensure aiming on the test pattern considered, c that is, the previously mentioned rank test pattern 1.
  • this rank 1 test pattern corresponds to a test pattern MT ij of address i, j arbitrary data, for example that of a reference test pattern.
  • step 1003 is followed by a step 1004 for adjusting, in manual or automatic mode, the light intensity of illumination to a chosen determined value.
  • This step 1004 also includes for example the substep of constant illumination of the test pattern of rank k considered.
  • Step 1004 is then followed by a sub-step 2001 for acquiring the reflectivity values of the given test pattern MT ij of corresponding rank k and by a step for saving the data of the corresponding reflectivity parameter R, this step being denoted 2002, steps 2001 and 2002 forming, in fact, step 2000 for measuring the reflectivity coefficient R represented in FIG. 1a.
  • step 2002 is followed by a test step 2003 of the rank k of the test pattern considered, this test consisting of an equality test of the rank k at a value N representative of the number of test patterns used on the wafer and actually present on this control plate Pt.
  • step 2003 the value of the parameter k of rank of the test pattern subjected to data acquisition is incremented by one in order to go to step 1003, as symbolized by the return arrow in FIG. 1b, in order to submit the following test pattern of rank k + 1 to the same sub-steps 1003, 1004, 2001, 2002, 2003, as mentioned previously.
  • the method which is the subject of the present invention then consists in implementing the step Data processing IIb.
  • this may include, by way of nonlimiting example, a sub-step 3001 for reading the data, i.e. reflectivity coefficient values R for each pattern test considered, this step 3001 being followed by a step 3002 consisting in establishing the law of correspondence of reflectivity coefficient R for each location, in depending on the value of the defocus parameter or development of the illumination beam.
  • This step actually consists in drawing the curve of the reflectivity R in function of the defocus applied to each pattern of test, when creating the latter on the brochure witness Pt, as already mentioned previously.
  • Sub-step 3002 is then followed by a sub-step of determining the nominal value of the focus or optimal development by a threshold method, this step can constitute step 4000 previously mentioned in connection with Figure 1a.
  • the display of the nominal focus value or of the optimal focus found can then be displayed, for example on a computer screen.
  • each test pattern MT ij consists of a network of holes, formed in the resin layer covering the control plate Pt.
  • each test pattern is identical in the X, Y plane of the surface of the resin, that is to say of the air-resin interface, and that consequently, both the dimension of the holes , that is to say their diameter d that the pitch of the network, a square or retangular network, is identical.
  • the holes for a test pattern MT ij considered are identical, but have differences in profile, and in particular in slope, from one test pattern to the next depending on the defocus applied, as will be described later in the description.
  • each test reason being formed by a network of holes, and as we have represented in FIG. 1c in a diagram representing, in abscissa the defocus parameter D in micrometers, and on the ordinate, the reflectivity coefficient R measured for each test pattern under the conditions previously mentioned, the optimal focus corresponds to a range of values of the reflectivity coefficient R substantially stationary corresponding to the depth of field of the exposure machine, these values being framed by two maxima corresponding to a defocus in the resin, respectively out of the resin.
  • the optimal defocus value can then be arbitrarily defined as zero, since it expresses the defocus value relative to the air-resin interface.
  • this measurement for each test pattern, is preferably performed in black background.
  • the black background allows you to be more sensitive to defocusing, because it allows the highlighting of small variations in the resin slope, function of defocus itself applied at the time of sunshine.
  • FIG. 1c also shows, for the different characteristic focal areas of the illumination beam, on the one hand, sectional views of the holes forming the network of the witness plate in corresponding vignettes and, on the other hand , profile views of train paths taken under comparable conditions.
  • the most regular profile of the holes and correspondingly of the corresponding grooves is obtained when the defocus corresponds to range 3 of the aforementioned reflectivity curve and, in particular, to the value of defocus of optimal focusing.
  • a hole is said to constitute a through hole, insofar as all the holes formed with the corresponding defocus of the illumination beam and finally of the exposure beam, makes it possible to reach the surface of the substrate with a slope of the side walls of the hole greater than 85 degrees.
  • zone 3 of FIG. 1c can only be used effectively to determine an zone where the holes are open onto the surface of the substrate, the fact that the flanks of the corresponding maxima are substantially equal and symmetrical allows, thanks to the aforementioned threshold method, for a given exposure machine, a reproducibility of the method proposed for two different plates, the maximum variation of optimal defocusing being of the order of 0.2 micrometer.
  • the optimal defocusing measured on the same control plate ten times in succession in accordance with the process covered by the present invention, allows to determine a variation maximum between the different measurements not exceeding 0.1 micrometers.
  • the process which is the subject of the present invention also allows to control the tilt or slope of the engraving side, from the setting optimal point or C position.
  • the method according to the invention consists in performing a focal shift of the exposure beam on the substrate wafer provided with the resin layer, on which the structures must be generated.
  • the focus shift is carried out in a range of values included in the range of values corresponding to the relative minimum comprised between the two maxima of the law of correspondence of the reflectivity coefficient and of the defocusing.
  • the offset is produced for the defocusing values included in zone 3 of FIG. 1c, relative to the optimal focali-s-ation value Do.
  • Figure 2a there is shown, in section, photographic samples of hole engraving sides for defocus values between -2.4 micrometers, and 2.4 micrometers in 0.3 increments micrometers.
  • the defocus offset is carried out, according to the direction of the exposure beam, beyond the air-resin interface for the realization of concave oblique engraving flanks, that is to say in particular for defocus values included between -2.4 micrometers and -0.6 micrometers substantially.
  • the defocus shift is performed with a value substantially zero or zero for the realization of flanks of rectilinear engraving substantially orthogonal to the interface resin-wafer-substrate, values substantially zero corresponding in FIG. 2a to the offset values of focusing between -0.6 micrometer and +0.6 micrometer noticeably.
  • the defocus shift is on the contrary realized below the air-resin interface for the realization of engraving sides known as pedestals for the values focus shift between 1.2 micrometers and 2.4 micrometers. Note, however, that the shape pedestal only appears significantly for offset values greater than 1.8 micrometers.
  • the device according to the invention comprises an illumination block by means of a white light beam of a control plate Pt, the plate being provided with test patterns MT ij arranged according to a suite of test patterns.
  • a support 2 is provided, this making it possible to support the control plate Pt and to ensure a positioning of the latter according to a three-dimensional reference x, y, z of this plate relative to the focal point of the beam of white light.
  • the support 2 can be constituted by a table x, y for example, the positioning in z can be carried out by focusing the beam and defocusing it.
  • a positioning control circuit 3 of the Pt control plate is provided so as to ensure sequential scanning of the test pattern suite of the aforementioned witness plate, and a relative defocus different for each test pattern in the pattern suite test cards printed on the witness plate in relation to the interface air-resin.
  • a collector element 4 of the light beam diffused by the corresponding test pattern, MT ij , and by the surface of the control plate illuminated by the white light beam is provided. This can be achieved by an optical objective comprising, in particular, an observation binocular, the assembly forming a microscope allowing visual observation.
  • a measurement and storage circuit 5 reflectivity coefficient is provided, this coefficient being defined by the ratio of the beam intensity scattered at the intensity of the illumination beam in light white.
  • This circuit 5 can advantageously include a scattered beam receiving photodiode, noted 50, and a analog-to-digital converter 51, for example.
  • the device includes different deflection mirrors, marked MR, formed for example by semi-transparent mirrors, allowing on the one hand the transmission of the beam illumination F in white light towards the control plate Pt, and on the other hand, the retransmission of the light beam diffused collected by the collector element 4, on the one hand towards the aforementioned photodiode 50, or to other circuits, which will be described in more detail below.
  • a device 6 for calculating and displaying the law of correspondence of the reflectivity coefficient and the relative defocus of the illumination beam and of the witness plate is provided, this calculation device and display to display the focus optimal and a focus shift at this focus optimal point, in order, if necessary, to obtain the effects slope previously described in the description.
  • the illumination element 1 has an intensity control loop illumination beam F for obtaining an intensity of the beam scattered by each test pattern and by the substantially constant surface of the control plate Pt.
  • the aforementioned servo-screwing loop can be made from an MR deflection mirror reflecting a fraction of the scattered light beam, of a receiver circuit 40 directly connected for example by a link by optical fiber 41 and by a converter analog-digital 42 to the computing device 6.
  • the calculation device 6 can also be connected to the element 1 of illumination by a BUS connection and through a digital-analog converter 10 allowing thus ensuring the aforementioned servo loop.
  • the device object of the invention thus allows to work with a constant diffused intensity, which can be chosen to correspond to the maximum sensitivity of the reception photodiode 50.
  • element 1 illumination and the collecting element 4 of the scattered beam can consist of an illumination objective in black background.
  • the element collector 4 of the scattered light beam was produced at using an MS 09 microscope marketed in France by NACHET company.
  • This microscope is a modular microscope can accommodate many accessories, thus making the use of the latter very flexible in many areas.
  • the turret of the microscope used can receive 5 Union type objectives with black background.
  • This microscope is also equipped with a system infrared LED self-focusing system allowing to guarantee the conservation of the development when moving the object.
  • the aforementioned microscope allows a passage brightfield / darkfield lighting, controlled by a manual selector on the front of the microscope.
  • a field diaphgrag and a aperture diaphragm optimize the quality of lighting.
  • Figure 4 a detail of the microscope and the assembly comprising the illumination element 1 as well as the collecting element 4.
  • the illumination element is powered by a 12 volt 50 halogen bulb watts, mounted on a center support.
  • the fiber optical intensity sampling of the scattered beam provides a signal for controlling the lighting signal by through the calculation device 6.
  • the aforementioned microscope is equipped with a binocular observation to select the observation binocular visual or video observation and measurement in auxiliary output.
  • the observation switch is made up by a pull tab located on the body of the binocular.
  • the aforementioned binocular can receive observation eyepieces, 10 X, one of which is equipped with a reticle in order to perform visual alignment. Note, however, that the embodiment presently described is not limiting, and that in particular, a video camera, as shown in Figure 4, bearing the reference 61, can be placed in the field of objective 4 of the microscope.
  • the video camera 61 may have the function either, through a software program shape recognition, automatic centering by aiming and shape recognition on each motif test considered, or also to allow a display of the test pattern targeted by a monitor, 62, at high resolution.
  • the video camera 61 can be constituted by a standard black and white CCD camera by example.
  • the video channel has a mount for the camera 61 above, while the measurement channel is provided with a photo interface, and a photographic projection eyepiece type 10 X M.
  • the photodiode cell 50 collects the flow delivered by the photo projection eyepiece in the exit pupil on a field limited by a diaphragm, 1 mm diaphragm as standard, 4 mm diaphragm as standard option.
  • the measurement signals are transmitted directly to the calculation device 6 via a converter analog-digital 51 previously mentioned.
  • the converter used was a 0 to 10 volt converter out of 1096 points.
  • the support 2 of the wafer witness 2 consisting of an XY mobile table
  • it can be constituted by a large displacement table equipped an integrated circuit board support, noted 20, with vacuum suction.
  • the support and the table large displacement support the microscope and the whole shown in Figure 4.
  • the table is controlled by an RS 232 type link via the calculation device 6.
  • circuit 3 of control of the positioning of the witness plate includes, on the one hand, a control lever, denoted 14, allowing the moving the table in X and Y, as well as keys control, denoted 16, one of which, denoted IEE, allows the control of the mobile table via the RS 232 link.
  • this calculator is provided with programs of the process of determining the release optimal point and the offset of this focus optimal, according to an interactive dialogue with an operator.
  • steps 1001, 1002, 1003, 1004, 2001, 2002, 2003, 3001, 3002 and 4000 represented in figure 1b correspond to programs and subprograms of the corresponding process.
  • the key 15 of the mobile table makes it possible to restart the conduct of the process in automatic mode, the scanning of the different patterns MT ij of the control plate Pt being carried out automatically by displacement of the support 2 of the mobile table, according to a determined sequential law.
  • the defocusing as a function of the position of the test pattern considered is also carried out automatically.
  • each control plate Pt is formed by a substrate, such as a silicon substrate for example, bearing the reference 101, and a resin layer 100 in which is formed a plurality of identical and arranged test patterns MT ij ij in a series of test patterns.
  • a substrate such as a silicon substrate for example, bearing the reference 101
  • a resin layer 100 in which is formed a plurality of identical and arranged test patterns MT ij ij in a series of test patterns.
  • identical test patterns it is indicated that the dimension in i, j of each test pattern is identical, while the plate varies from one test pattern to another.
  • the test patterns are formed by a network of holes of pitch p and of dimension d determined relative to the surface condition or average roughness r of the substrate forming the plate. witness, depending on the relationship: d ⁇ ⁇ r p ⁇ 2d.
  • d represents the diameter of holes forming the network, p forming the step of the aforementioned network.
  • Parameter a can be understood between the values 2 and 5 for example.
  • FIG. 5b there is shown a sectional view along the cutting planes A 1 A 1 , A 2 A 2 , A 3 A 3 of FIG. 5a, of a series of test patterns considered, each test pattern MT ij actually corresponds to a different defocus value. It can be seen from the abovementioned sectional views that the profiles of the holes forming the network of each test pattern are therefore different, the slope of the holes of the network being substantially symmetrical with respect to the defocus value 0 corresponding to the value Do previously mentioned on Figure 1c.
  • the size of the holes forming the aforementioned network it should be noted that this must be close to the resolution limit of the photolithographic exposure machine, the adjustment of which must be carried out by implementing the process which is the subject of present invention.
  • the illumination dose used that is to say the luminous intensity of illumination of each test pattern MT ij , must also be minimal, in order to obtain for the high defocus values of the holes practically completely blocked. See Figure 1c, zones 5 and 6.
  • the network pitch p is not a critical parameter, since it essentially influences the level of reflectivity of the network.
  • each network constituting a test pattern MT ij considered is at least 50 x 50 square micrometers.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

L'invention est relative à un procédé de réglage d'une machine d'exposition photolithographique et au dispositif associé.
Lors de l'utilisation des machines d'exposition photolithographiques actuelles, plus communément appelées photorépéteurs, un souci constant est l'amélioration ou le maintien de la qualité du réglage de la résolution optique, afin d'obtenir des motifs exposés sur la surface d'une plaquette de circuit intégré revêtu d'une résine d'une qualité correspondante. De manière classique, l'amélioration de la résolution des photorépéteurs peut être effectuée soit en utilisant des lentilles à plus forte ouverture numérique, soit en réduisant la longueur d'onde de la lumière d'exposition.
Toutefois, les processus d'amélioration précités ont pour inconvénient de dégrader la profondeur de champ, DOF, proportionnelle à λ/NA2, la résolution, R, étant proportionnelle à λ/NA, où λ désigne la longueur d'onde de la lumière d'exposition, et NA l'ouverture numérique de la lentille utilisée.
En outre, le réglage du système optique de focalisation de la lumière sur la surface de la résine dépend de la température ambiante et de la pression atmosphérique. Des corrections automatiques ou conduites par logiciel peuvent être envisagées. Toutefois, ce type de correction est insuffisamment précis pour des profondeurs de champ de l'ordre du micromètre.
Un règlage au moins journalier s'avère donc nécessaire. Les méthodes couramment utilisées afin d'effectuer de tels réglages, très délicats, sont basées, soit sur des observations visuelles au microscope, soit sur des mesures dimensionnelles, avec ou sans clivage, permettant l'obtention du profil du trait de résine.
De telles méthodes présentent cependant des inconvénients majeurs tels que la forte dépendance de l'observation visuelle vis-à-vis de l'opérateur et le caractère particulièrement long et souvent destructeur en ce qui concerne les méthodes dimensionnelles.
Une autre méthode a été récemment proposée par la demande de brevet EP-A- 0 378 033. Cette méthode consiste à insoler la résine par un motif de test successivement en différents emplacements, une mise au point différente étant effectuée pour chaque insolation. Après développement, un fluage de la résine est effectué, puis la plaquette est examinée pour déterminer l'insolation optimale et adopter le réglage correspondant pour la machine. Cette méthode, bien que donnant satisfaction, présente l'inconvénient de nécessiter une étape de fluage dont la précision des effets reste peu précise. Les effets du fluage étant difficiles à optimiser.
La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients des méthodes antérieures précitées.
Elle a pour objet un procédé et un dispositif de détermination de la mise au point d'une machine d'exposition photolithographique utilisée pour insoler des structures sur un substrat revêtu d'une résine formant masque, à partir d'une plaquette témoin munie de motifs de test identiques en différents emplacements.
Le procédé et le dispositif objets de l'invention sont remarquables en ce qu'ils consistent à, respectivement permettent de, illuminer successivement les motifs de test en lumière blanche au niveau de chaque emplacement, au moyen d'un faisceau d'illumination, oblique de préférence, mesurer le coefficient de réflectivité de chaque motif de test, puis, établir la loi de correspondance du coefficient de réflectivité en fonction, pour chaque emplacement, de la valeur du paramètre de défocalisation ou de mise au point du faisceau d'illumina-tion et déterminer par critère de seuil de la valeur du coefficient de réflectivité, une plage de valeurs correspondantes de défocalisation pour le motif de test considéré, permettant d'établir la valeur de mise au point optimale.
Le procédé et le dispositif objets de la présente invention trouvent application à l'industrie de la production des circuits intégrés. Ils seront mieux compris à la lecture de la description et à l'observation des dessins ci-après dans lesquels :
  • la figure 1a représente, sous forme d'un schéma synoptique, les différentes étapes de mise en oeuvre du procédé objet de la présente invention,
  • la figure 1b représente également sous forme d'un schéma synoptique, un mode de réalisation avantageux d'étapes particulières du procédé selon l'invention tel que représenté en figure 1a,
  • la figure 1c représente, d'une part, la loi de correspondance du coefficient de réflectivité d'une plaquette témoin spécialement conçue pour la mise en oeuvre du procédé objet de l'invention en fonction de la défocalisation relative du faisceau d'illumination et/ou d'insolation, et, d'autre part, des profils de gravure remarquable pour différentes zones de valeurs de défocalisation,
  • la figure 2a représente, en coupe, un échantillonnage photograhique du profil de trous formés dans une couche de résine d'une plaquette témoin pour des valeurs successives discrètes de défocalisation du faisceau d'insolation,
  • la figure 2b représente, en coupe, le profil de sillons formés dans une couche de résine d'une plaquette substrat pour des valeurs différentes de défocalisation du faisceau d'insolation,
  • la figure 3 représente, sous forme de schéma synoptique, un dispositif permettant la mise en oeuvre du procédé objet de la présente invention,
  • la figure 4 représente un détail de certains éléments constitutifs du dispositif représenté en figure 3,
  • la figure 5a représente en perspective une plaquette témoin spécialement adaptée pour la mise en oeuvre du procédé objet de l'invention,
  • la figure 5b représente en coupe selon les plans A1 A1, A2 A2, A3 A3 de la figure 5a, un échantillonnage photographique du profil des trous au niveau de chaque motif de test constituant la plaquette témoin.
Une description plus détaillée du procédé de réglage d'une machine d'exposition photolithographique et du dispositif associé correspondant sera donnée en liaison avec les figures 1a, 1b, 1c et suivantes.
D'une manière générale, on considère que le procédé de réglage objet de la présente invention permet en fait de déterminer la mise au point optimale d'une machine d'exposition photolithographique utilisée pour insoler les structures sur une plaquette substrat revêtue d'une résine formant masque photosensible.
On comprend en effet que ce type de machine est utilisé pour la fabrication de circuits intégrés, et, en particulier l'insolation, des couches successives de ces derniers.
D'une manière plus spécifique, le procédé objet de la présente invention est mis en oeuvre à partir d'une plaquette témoin, notée Pt, munie de motifs de test identiques en différents emplacements et arrangés selon une suite de motifs de test.
Une description plus détaillée de la plaquette témoin Pt permettant la mise en oeuvre du procédé objet de l'invention sera donnée ultérieurement dans la description, le caractère d'identité des motifs de test étant en particulier précisé.
Sur la figure 1a, on a représenté de manière schématique les différentes étapes du procédé objet de la présente invention. Ainsi que représenté sur la figure précitée, le procédé selon l'invention peut être subdivisé en deux grandes étapes, une première étape, notée I, consistant en la réalisation d'une plaquette témoin, Pt, et consistant, ainsi que représenté sur la figure précitée, en trois étapes successives A, B, C, cette étape de réalisation d'une plaquette témoin n'étant pas considérée, à proprement parler, comme faisant partie du procédé objet de l'invention. En effet, l'étape I de réalisation d'une plaquette témoin est indiquée à titre illustratif, la plaquette témoin, Pt, obtenue suite à la mise en oeuvre des étapes A, B, C, constitutives de l'étape I de réalisation d'une plaquette témoin, étant ensuite utilisée pour la mise en oeuvre du procédé proprement dit.
Ainsi qu'on l'observera sur la figure 1a précitée, l'étape I de réalisation d'une plaquette témoin peut consister en une première étape A, consistant à déposer une couche de résine sur une plaquette de silicium, suivie d'une étape B d'insolation de motifs de test en différents emplacements, ces motifs de test étant arrangés selon une suite de motifs de test, et l'insolation étant réalisée pour chaque motif de test avec une focalisation de l'image du motif, sur la résine, différente pour chaque motif de test. On comprendra en particulier que la focalisation de l'image du motif sur la surface de la résine, c'est-à-dire sur l'interface air-résine, est une focalisation relative, laquelle doit être comprise comme réglée par un paramètre de défocalisation D par rapport à l'interface air-résine précitée.
L'étape B précédemment mentionnée est alors suivie d'une étape de développement, notée C, laquelle permet, après développement de la résine photosensible, d'obtenir la plaquette témoin Pt munie de sa suite de motifs de test. Sur la figure la, on a ainsi représenté la plaquette témoin Pt, munie de ses différents motifs de test, notés Mtij. On notera que les indices i, j permettent de repérer les adresses successives de chaque motif de test, et en particulier, leur position, ainsi qu'il sera décrit ultérieurement dans la description.
Ainsi qu'on l'observera en outre sur la figure la, le procédé objet de la présente invention consiste alors en une étape 1000 à illuminer successivement les motifs de test MTij en lumière blanche au niveau de chaque emplacement d'adresse i,j, au moyen d'un faisceau d'illumination.
L'étape 1000 précitée est suivie d'une étape 2000 consistant à mesurer le coefficient de réflectivité de chaque motif de test MTij. On comprend bien sûr que l'étape 1000 d'illumination étant effectuée, pour un motif de test d'adresse i,j donnée, l'étape 2000 de mesure du coefficient de réflectivité est effectuée immédiatement pour ce motif de test considéré et la succession des étapes 1000 et 2000 précédemment mentionnée est répétée pour chaque motif de test, la répétition étant symbolisée sur la figure 1a par la boucle de retour en amont de l'étape 1000. Bien entendu, les données relatives à la mesure du coefficient de réflectivité R obtenues à l'étape 2000 sont mémorisées et la succession des étapes 1000 et 2000 répétées pour chaque motif de test constitue ainsi une étape d'acquisition des données, notée IIa, sur la figure 1a. L'étape d'acquisition des données IIa précédemment mentionnée est alors suivie d'une étape IIb de traitement de ces données. L'étape de traitement des données comprend, ainsi que représenté sur la figure 1a, une première étape 3000 consistant à établir la loi de correspondance du coefficient de réflectivité R pour chaque emplacement ou motif de test MTij en fonction de la valeur du paramètre de défocalisation D ou de mise au point du faisceau d'illumination.
On comprend bien sûr que le faisceau d'illumination en lumière blanche est focalisé à valeur constante par rapport à la surface de la résine de la plaquette témoin Pt, c'est-à-dire de l'interface air-résine, et, qu'en conséquence, en raison de la défocalisation du faisceau d'insolation des motifs de test de l'étape B, il en résulte, au cours du balayage de chaque motif de test, MTij par le faisceau d'illumination, une défocalisation D correspondante. On comprend également que le faisceau d'illumination utilisé à l'étape 1000 peut au départ être réglé avec une focalisation relative, la meilleure possible compte tenu des moyens de mesure classique dont on dispose en laboratoire ou sur site industriel, ce qui permet bien entendu d'appliquer les valeurs de défocalisation correspondantes de chaque motif de test successif MTij dans des conditions analogues de précision de réglage du faisceau d'insolation qui sera utilisé ultérieurement par la machine d'exposition pour réaliser des structures particulières, sur une ou plusieurs plaquettes substrat de circuit intégré. On comprend, bien entendu, que la détermination de la focalisation ou mise au point optimale du faisceau d'illumination vaut détermination de la focalisation ou mise au point optimale du faisceau d'insolation précité.
L'étape 3000 précédemment mentionnée est alors suivie d'une étape 4000 consistant à déterminer, par critère de seuil de la valeur du coefficient de réflectivié R, une plage de valeurs correspondantes de défocalisation ou mise au point pour le motif de test considéré permettant d'établir la valeur de mise au point optimale. Les étapes 3000 et 4000 précédemment mentionnées constituent l'étape IIb de traitement des données précédemment acquises en une étape IIa d'acquisition de ces données et elle comprend une étape de fin, notée 5000. L'ensemble des étapes 1000 à 4000 constitue en fait l'étape II de mise au point, conformément au procédé objet de la présente invention.
Une description plus détaillée des étapes IIa d'acquisition des données et IIb de traitement des données sera donnée en liaison avec la figure 1b.
Sur la figure précitée, l'étape 1000 d'illumination successive de chaque emplacement peut être subdivisée en sous-étapes 1001 de lecture d'un fichier représentant la position des motifs de test insolés sur la plaquette témoin, Pt, d'une sous-étape 1002 d'alignement sur des motifs de référence afin de déterminer la position précise de tous les motifs MTij. On notera que les motifs de référence peuvent être constitués par des motifs préférentiels, tels que par exemple, lorsque les motifs de test sont disposés en un réseau bidimensionnel rectangle, les motifs de test situés aux extrémités du rectangle délimitant ce réseau.
L'étape 1002 précitée est alors suivie d'une étape de positionnement du faisceau d'illumination sur le motif de test de rang k et en particulier sur le motif de test initial pour lequel, par convention, k = 1. On notera, ainsi qu'il sera décrit ultérieurement dans la description, que le positionnement du faisceau d'illumination est en fait réalisé au moyen d'une table X,Y et d'un microscope permettant d'assurer une visée sur le motif de test considéré, c'est-à-dire le motif de test de rang 1 précédemment mentionné. On comprend bien entendu que ce motif de test de rang 1 correspond à un motif de test MTij d'adresse i,j donnée arbitraire, par exemple celle d'un motif de test de référence.
L'étape 1003 précédemment mentionnée est suivie d'une étape 1004 d'ajustement en mode manuel ou automatique de l'intensité lumineuse d'illumination à une valeur déterminée choisie. Cette étape 1004 comprend également par exemple la sous-étape d'éclairement constant du motif de test de rang k considéré. L'étape 1004 est alors suivie d'une sous-étape 2001 d'acquisition des valeurs de réflectivité du motif de test MTij donné de rang k correspondant et d'une étape de sauvegarde des données du paramètre de réflectivité R correspondant, cette étape étant notée 2002, les étapes 2001 et 2002 formant, en fait, l'étape 2000 de mesure du coefficient de réflectivité R représenté en figure 1a. L'étape 2002 précitée est suivie d'une étape de test 2003 du rang k du motif de test considéré, ce test consistant en un test d'égalité du rang k à une valeur N représentative du nombre de motifs de test utilisé sur la plaquette et effectivement présents sur cette plaquette témoin Pt. Sur réponse négative au test 2003, la valeur du paramètre k de rang du motif de test soumis à acquisition des données est incrémentée d'une unité afin de passer à l'étape 1003, ainsi que symbolisé par la flèche de retour sur la figure 1b, afin de soumettre le motif de test suivant de rang k+1 aux mêmes sous-étapes 1003, 1004, 2001, 2002, 2003, que mentionné précédemment.
Sur réponse positive au test 2003, c'est-à-dire lorsque tous les motifs de test MTij ont été soumis au processus IIa d'acquisition des données, le procédé objet de la présente invention consiste alors à mettre en oeuvre l'étape IIb de traitement des données.
Ainsi que représenté sur la figure 1b précitée, celle-ci peut comporter, à titre d'exemple non limitatif, une sous-étape 3001 de lecture des données, c'est-à-dire des valeurs de coefficient de réflectivité R pour chaque motif de test considéré, cette étape 3001 étant suivie d'une étape 3002 consistant à établir la loi de correspondance du coefficient de réflectivité R pour chaque emplacement, en fonction de la valeur du paramètre de défocalisation ou de mise au point du faisceau d'illumination. Cette étape consiste en fait à tracer la courbe de la réflectivité R en fonction de la défocalisation appliquée à chaque motif de test, lors de la création de ce dernier sur la plaquette témoin Pt, ainsi que déjà mentionné précédemment.
La sous-étape 3002 est alors suivie d'une sous-étape consistant à déterminer la valeur nominale de la focalisation ou mise au point optimale par une méthode à seuil, cette étape pouvant constituer l'étape 4000 précédemment mentionnée en relation avec la figure 1a.
L'affichage de la valeur de focalisation nominale ou de la mise au point optimale trouvée peut alors être affichée, par exemple sur un écran d'ordinateur.
Selon un aspect particulièrement avantageux du procédé objet de la présente invention, chaque motif de test MTij est constitué par un réseau de trous, formé dans la couche de résine recouvrant la plaquette témoin Pt.
On notera en particulier que chaque motif de test est identique dans le plan X,Y de la surface de la résine, c'est-à-dire de l'interface air-résine, et qu'en conséquence, tant la dimension des trous, c'est-à-dire leur diamètre d que le pas du réseau, un réseau carré ou retangulaire, est identique. Toutefois, en raison de la défocalisation opérée au moment de l'insolation des motifs de test, c'est-à-dire lors de l'étape B de la figure la, les trous pour un motif de test MTij considéré sont identiques, mais présentent des différences de profil, et en particulier de pente, d'un motif de test au suivant en fonction de la défocalisation appliquée, ainsi qu'il sera décrit ultérieurement dans la description.
Dans le cas précité, chaque motif de test étant constitué par un réseau de trous, et ainsi qu'on l'a représenté en figure 1c dans un diagramme représentant, en abcisses le paramètre de défocalisation D en micromètres, et en ordonnées le coefficient de réflectivité R mesuré pour chaque motif de test dans les conditions précédemment mentionnées, la mise au point optimale correspond à une plage de valeurs du coefficient de réflectivité R sensiblement stationnaire correspondant à la profondeur de champ de la machine d'exposition, ces valeurs étant encadrées par deux maxima correspondant à une défocalisation dans la résine, respectivement hors de la résine.
Sur la figure 1c, on comprend bien sûr que la plage de valeurs sensiblement stationnaires correspond à la référence 3, le maximum correspondant à une défocalisation dans la résine correspondant à la référence 2 alors que le maximum correspondant à une défocalisation hors de la résine correspond à la référence 4.
Conformément à un aspect particulièrement avantageux du procédé objet de la présente invention, la détermination précise de la mise au point optimale peut être effectuée de la façon ci-après : la plage de valeurs encadrant la valeur de mise au point optimale, cette mise au point optimale étant définie comme la défocalisation relative égale à 0, lorsque la focalisation du faisceau d'illumination, et par conséquent du faisceau d'insolation, correspond à une focalisation sur l'interface air-résine, cette plage de valeurs est obtenue par comparaison à une valeur de seuil. Cette plage de valeurs est alors validée comme plage de valeurs correspondante de mise au point optimale encadrant la valeur de mise au point optimale, ainsi que représenté sur la figure 1c. Cette valeur de seuil peut être égale à une fraction de la valeur minimale du coefficient de réflectivité, R, comprise entre les deux maxima précédemment mentionnés. On comprend alors que la valeur de seuil, notée VSS, est prise égale à:
VSS =
βRmm, où Rmm représente la valeur minimum minimorum de la zone 3 située entre les deux maxima 2, 4 de la figure 1c, avec β < 1.
Ainsi, pour une valeur de seuil, VSS, déterminée, la loi de correspondance du coefficient de réflectivité R, en fonction de la valeur de défocalisation du faisceau d'illumination, permet-elle alors de définir deux valeurs d'abcisse correspondantes, δ- et δ+, intersection de la valeur de seuil avec la loi de correspondance précitée, et la valeur de défocalisation de mise au point optimale peut alors être définie pour la machine d'exposition comme l'abcisse de la moyenne arithmétique des valeurs d'extrémité de la plage de valeurs correspondantes de mise au point optimale, c'est-à-dire définie par les valeurs d'abcisse δ-,δ+ précédemment mentionnées, la valeur de mise au point optimale en défocalisation vérifiant alors la relation : Do = 1/2 . (δ- + δ+).
Bien entendu, la valeur de défocalisation optimale peut alors être arbitrairement définie comme valeur zéro, puisqu'elle celle-ci exprime la valeur de défocalisation relative par rapport à l'interface air-résine.
On notera que le procédé objet de la présente invention tel que précédemment décrit permet d'obtenir une valeur stable du paramètre de défocalisation de mise au point optimale, en raison de la quasi-symétrie de la loi de correspondance du coefficient de réflectivité dans les zones de pente 2 et 5 de celle-ci, ces zones encadrant la plage de valeur de mise au point optimale.
D'une manière générale, on notera que, afin d'assurer une bonne précision de la mesure des valeurs du coefficient de réflectivité R, cette mesure, pour chaque motif de test, est de préférence réalisée en fond noir. Le fond noir permet d'être plus sensible à la défocalisation, car il permet la mise en relief de faibles variations de la pente de la résine, fonction elle-même de la défocalisation appliquée au moment de l'insolation.
Sur la figure 1c, on a également représenté pour les différentes zones caractéristiques de focalisation du faisceau d'illumination, d'une part, des vues en coupe des trous formant le réseau de la plaque témoin dans des vignettes correspondantes et, d'autre part, des vues de profil de sillons réalisés dans des conditions comparables. On notera en particulier que le profil le plus régulier des trous et corrélativement des sillons correspondant est obtenu lorsque la défocalisation correspond à la plage 3 de la courbe de réflectivité précitée et, en particulier, à la valeur de défocalisation de mise au point optimale. Dans ce cas, un trou est dit constituer un trou débouchant, dans la mesure où tous les trous formés avec la défocalisation correspondante du faisceau d'illumination et finalement du faisceau d'insolation, permet d'atteindre la surface du substrat avec une pente des parois latérales du trou supérieure à 85 degrés.
Un justificatif de la mise en oeuvre du procédé objet de la présente invention sera donné ci-après.
A la suite d'expérimentations successives, on a pu dégager l'ensemble des éléments ci-après :
la loi de correspondance du coefficient de réflectivité R en fonction de la valeur du paramètre de défocalisation, tel que représenté en figure 1c, correspond sensiblement à la somme de deux enveloppes :
  • une première enveloppe correspondant à la réflectivité due au substrat, cette première enveloppe présentant une courbe en cloche en fonction du paramètre de défocalisation D, et qui dépend à la fois de la taille des trous, c'est-à-dire du diamètre des trous, pour un réseau de trous donné, et de la nature du substrat,
  • une deuxième enveloppe correspondant à la réflectivité due aux pentes des parois des trous formés dans la résine, cette réflectivité diminuant très fortement lorsqu'on est en zone extrême de défocalisation et présentant deux extrêma sensiblement symétriques séparés par une zone de faible réflectivité, cette zone de faible réflectivité correspondant bien sûr au maximum de la courbe en cloche de réflectivité du substrat, c'est-à-dire lorsque les trous formés pour constituer le motif de test par exemple sont des trous débouchants pour une pente des parois de résine maximale, le coefficient de réflectivité dû alors à la pente de la résine étant minimum, entre les deux maxima précités, l'ensemble des deux courbes de réflectivité, A et B, correspondant alors à la zone 3 de la figure 1c.
Ainsi, bien que la zone 3 de la figure 1c ne puisse être utilisée de manière efficace que pour déterminer une zone où les trous sont débouchants sur la surface du substrat, le fait que les flancs des maxima correspondants sont sensiblement égaux et symétriques permet, grâce à la méthode de seuil précédemment mentionnée, pour une machine d'exposition déterminée, une reproductibilité de la méthode proposée pour deux plaques différentes, dont la variation maximale de défocalisation optimale est de l'ordre de 0,2 micromètre.
Dans le même ordre d'idées, on notera que la défocalisation optimale mesurée sur une même plaque témoin, dix fois de suite conformément au procédé objet de la présente invention, permet de déterminer une variation maximale entre les différentes mesures n'excédant pas 0,1 micromètres.
Bien entendu, le traitement des valeurs ou données peut être plus sophistiqué, en particulier lorsqu'il apparaít des pics de réflectivité parasites sur les flancs des courbes correspondant aux zones 2 et 5 précitées. Ces pics parasites sont pour la plupart dûs à des problèmes inhérents à des défauts des plaquettes utilisées, tels que mauvaise qualité de la plaquette témoin, ou contamination de la face arrière entraínant une défocalisation locale importante. Dans ces conditions, il peut être approprié de procéder à un lissage des valeurs de la courbe sur plusieurs valeurs successives de réflectivité par exemple.
Enfin, on indiquera en ce qui concerne le procédé objet de la présente invention, que celui-ci est particulièrement avantageux dans la mesure où l'on a pu constater au cours d'essais que la mesure du coefficient de réflectivité R n'est pas sensible à une variation de la dose ou intensité d'énergie utilisée pour l'illumination des trous constituant les motifs de test MTij. Les essais précités ont ainsi montré que pour une énergie irradiée pour chaque illumination comprise entre 50 à 170 mJ (millijoules), la variation de défocalisation optimale pour un type de plaquette témoin déterminée n'excédait pas 0,1 micromètre.
En outre, on indiquera que le procédé objet de la présente invention, tel que décrit précédemment, peut être mis en oeuvre sur tout type de substrat, que ce soit un substrat silicium ou un substrat plus rugueux comme l'aluminium ou le tungstène ou même des substrats en silicium polycristallin, en nitrure de silicium, ou en oxyde de silicium.
Compte tenu des observations précitées, et en particulier des différences de réflectivité constatées pour les différentes valeurs de défocalisation, ainsi que représenté précédemment en figure 1c, le procédé objet de la présente invention permet également de contrôler l'inclinaison ou pente du flanc de gravure, à partir de la mise au point optimale ou position Do.
Dans ce but, le procédé selon l'invention consiste à effectuer un décalage de focalisation du faisceau d'insolation sur la plaquette substrat munie de la couche de résine, sur laquelle les structures doivent être engendrées. Bien entendu, le décalage de focalisation est réalisé dans une plage de valeurs incluses dans la plage de valeurs correspondant au minimum relatif compris entre les deux maxima de la loi de correspondance du coefficient de réflectivité et de la défocalisation. Ainsi, le décalage est réalisé pour les valeurs de défocalisation comprises dans la zone 3 de la figure 1c, par rapport à la valeur de focali-s-ation optimale Do.
Sur la figure 2a, on a représenté, en coupe, des échantillons photographiques de flancs de gravure de trous pour des valeurs de défocalisation comprises entre -2,4 micromètres, et 2,4 micromètres par incréments de 0,3 micromètres.
On constate ainsi que pour différentes inclinaisons ou pentes du profil de gravure, le décalage de défocalisation est réalisé, selon la direction du faisceau d'insolation, au-delà de l'interface air-résine pour la réalisation de flancs de gravure obliques concaves, c'est-à-dire en particulier pour les valeurs de défocalisation comprises entre -2,4 micromètres et -0,6 micromètres sensiblement. Le décalage de défocalisation est réalisé avec une valeur sensiblement nulle ou nulle pour la réalisation de flancs de gravure rectilignes sensiblement orthogonaux à l'interface résine-plaquette-substrat, les valeurs sensiblement nulles correspondant sur la figure 2a aux valeurs de décalage de focalisation comprises entre -0,6 micromètre et +0,6 micromètre sensiblement.
Le décalage de défocalisation est au contraire réalisé en-deçà de l'interface air-résine pour la réalisation de flancs de gravure dits à piédestal pour les valeurs de décalage de focalisation comprises entre 1,2 micromètres et 2,4 micromètres. On notera toutefois que la forme piédestal n'apparaít de manière significative que pour des valeurs de décalage supérieures à 1,8 micromètres.
Sur la figure 2b, on a représenté, en coupe, des profils de gravure de sillons correspondant sensiblement aux trois zones précédemment mentionnées en relation avec la figure 2a.
Une description plus détaillée du dispositif de réglage d'une machine d'exposition photolithographique objet de la présente invention sera maintenant donnée en liaison avec les figures 3 et 4.
Sur la figure 3, on peut constater que le dispositif selon l'invention comprend un bloc d'illumination au moyen d'un faisceau en lumière blanche d'une plaquette témoin Pt, la plaquette étant munie des motifs de test MTij arrangés selon une suite de motifs de test. Un support 2 est prévu, celui-ci permettant de supporter la plaquette témoin Pt et d'assurer un positionnement de celle-ci selon un repère tridimensionnel x,y,z de cette plaquette par rapport au point de focalisation du faisceau de lumière blanche. On comprend bien sûr que le support 2 peut être constitué par une table x,y par exemple, le positionnement en z pouvant être effectué par la focalisation du faisceau et la défocalisation de celui-ci.
En outre, un circuit 3 de commande du positionnement de la plaquette témoin Pt est prévu de façon à assurer un balayage séquentiel de la suite de motifs de test de la plaque témoin précitée, et une défocalisation relative différente pour chaque motif de test de la suite de motifs de test imprimés sur la plaque témoin par rapport à l'interface air-résine.
Un élément 4 collecteur du faisceau lumineux diffusé par le motif de test corresondant, MTij, et par la surface de la plaquette témoin illuminée par le faisceau de lumière blanche est prévu. Celui-ci peut être réalisé par un objectif optique comportant, notamment, un binoculaire d'observation, l'ensemble formant un microscope permettant une observation visuelle.
En outre, un circuit 5 de mesure et de mémorisation du coefficient de réflectivité est prévu, ce coefficient étant défini par le rapport de l'intensité du faisceau diffusé à l'intensité du faisceau d'illumination en lumière blanche. Ce circuit 5 peut comporter, avantageusement, une photodiode de réception du faisceau diffusé, notée 50, et un convertisseur analogique-numérique 51, par exemple. En outre, le dispositif comprend différents miroirs de renvoi, notés MR, formés par exemple par des miroirs semi-transparents, permettant d'une part la transmission du faisceau d'illumination F en lumière blanche vers la plaquette témoin Pt, et d'autre part, la retransmission du faisceau lumineux diffusé collecté par l'élément collecteur 4, d'une part vers la photodiode 50 précitée, ou vers d'autres circuits, lesquels seront décrits plus en détails ci-après.
Enfin, un dispositif 6 de calcul et d'affichage de la loi de correspondance du coefficient de réflectivité et de la défocalisation relative du faisceau d'illumination et de la plaquette témoin est prévu, ce dispositif de calcul et d'affichage permettant également d'afficher la mise au point optimale et un décalage de focalisation à cette mise au point optimale, afin, le cas échéant, d'obtenir les effets de pente précédemment décrits dans la description.
En outre, selon un aspect avantageux du dispositif objet de la présente invention, l'élément d'illumination 1 comporte une boucle d'asservissement de l'intensité du faisceau d'illumination F pour l'obtention d'une intensité du faisceau diffusé par chaque motif de test et par la surface de la plaquette témoin Pt sensiblement constante. De manière avantageuse, la boucle d'asser-vissement précitée peut être constituée à partir d'un miroir de renvoi MR renvoyant une fraction du faisceau lumineux diffusé, d'un circuit récepteur 40 directement relié par exemple par une liaison par fibre optique 41 et par un convertisseur analogique-numérique 42 au dispositif de calcul 6. Le dispositif de calcul 6 peut également être relié à l'élément 1 d'illumination par une liaison par BUS et par l'intermédiaire d'un convertisseur numérique-analogique 10 permettant d'assurer ainsi la boucle d'asservissement précitée. Le dispositif objet de l'invention permet ainsi de travailler avec une intensité diffusée constante, laquelle peut être choisie de façon à correspondre au maximum de sensibilité de la photodiode de réception 50.
Selon un aspect particulièrement avantageux du dispositif objet de la présente invention, l'élément 1 d'illumination et l'élément collecteur 4 du faisceau diffusé peuvent être constitués par un objectif d'illumination en fond noir.
Dans un mode de réalisation pratique, l'élément collecteur 4 du faisceau lumineux diffusé était réalisé au moyen d'un microscope MS 09 commercialisé en France par la société NACHET. Ce microscope est un microscope modulaire pouvant recevoir de nombreux accessoires, rendant de ce fait l'utilisation de ce dernier très souple dans de nombreux domaines. Ainsi, la tourelle du microscope utilisée peut recevoir 5 objectifs de type Union fond noir.
Ce microscope est en outre équipé d'un système d'autofocalisation dynamique à diode infrarouge, système permettant de garantir la conservation de la mise au point lors du déplacement de l'objet.
En outre, le microscope précité permet un passage d'un éclairage fond clair/fond noir, commandé par un sélecteur manuel, en face avant du microscope.
En mode fond clair, un diaphgragme de champ et un diaphragme d'ouverture permettent d'optimiser la qualité de l'éclairage. Sur la figure 4, on a représenté un détail du microscope et de l'ensemble comportant l'élément d'illumination 1 ainsi que l'élément collecteur 4. L'élément d'illumination est alimenté par une ampoule halogène 12 volts 50 watts, montée sur un support centrable. Enfin, la fibre optique de prélèvement d'intensité du faisceau diffusé fournit un signal d'asservissement du signal d'éclairage par l'intermédiaire du dispositif de calcul 6.
Le microscope précité est équipé d'un binoculaire d'observation permettant de sélectionner l'observation visuelle binoculaire ou l'observation vidéo et la mesure en sortie auxiliaire. Le commutateur d'observation est constitué par une tirette située sur le corps du binoculaire. Le binoculaire précité peut recevoir des oculaires d'observation, 10 X, dont l'un est équipé d'un réticule afin d'effectuer un alignement visuel. On notera cependant que le mode de réalisation présentement décrit n'est pas limitatif, et qu'en particulier, une caméra vidéo, ainsi que représenté en figure 4, portant la référence 61, peut être placée dans le champ de l'objectif 4 du microscope. La caméra vidéo 61 peut avoir pour fonction soit, grâce à un programme logiciel de reconnaissance de forme, d'effectuer un centrage automatique par visée et reconnaissance de forme sur chaque motif de test considéré, soit également de permettre un affichage du motif de test visé par l'intermédiaire d'un moniteur, 62, à grande résolution. La caméra vidéo 61 peut être constituée par une caméra standard de type CCD noir et blanc par exemple.
La voie vidéo est munie d'une monture pour la caméra 61 précitée, alors que la voie mesure est munie d'une interface photo, et d'un oculaire de projection photographique de type 10 X M. La cellule photodiode 50 collecte le flux délivré par l'oculaire de projection photo dans la pupille de sortie sur un champ limité par un diaphragme, diaphragme de 1 mm en standard, diaphragme de 4 mm en option. Les signaux de mesure sont directement transmis au dispositif de calcul 6 par l'intermédiaire d'un convertisseur analogique-numérique 51 précédemment mentionné. Le convertisseur utilisé était un convertisseur de 0 à 10 volts sur 1096 points.
En ce qui concerne le support 2 de la plaquette témoin 2, constitué par une table mobile XY, celui-ci peut être constitué par une table à grand déplacement équipée d'un support de plaquette de circuit intégré, notée 20, avec aspiration par vide. Bien entendu, le support et la table à grand déplacement supportent le microscope et l'ensemble représenté en figure 4. La table est pilotée par l'intermédiaire d'une liaison de type RS 232 par l'intermédiaire du dispositif de calcul 6. On notera que le circuit 3 de commande du positionnement de la plaquette témoin comporte, d'une part, une manette de commande, notée 14, permettant le déplacement de la table en X et en Y, ainsi que des touches de commande, notées 16, dont l'une, notée IEE, permet le pilotage de la table mobile par la liaison RS 232.
En ce qui concerne le dispositif de calcul 6, on notera que celui-ci comprend avantageusement un calculateur 60 muni de ses ressources périphériques telles que mémoire de programme, mémoire morte et mémoire d'affichage, ce calculateur 60 pouvant être constitué par un micro-ordinateur de type PC AT ou compatible.
On notera que ce calculateur est muni de programmes de conduite du processus de détermination de la mise au point optimale et du décalage de cette mise au point optimale, selon un dialogue interactif avec un opérateur.
On comprend ainsi que l'ensemble des étapes du procédé objet de la présente invention tel que défini en liaison avec les figures 1a, partie II mise au point, et 1b, sont conduites par l'intermédiaire d'un logiciel de conduite du procédé. Ainsi, en particulier, les étapes 1001, 1002, 1003, 1004, 2001, 2002, 2003, 3001, 3002 et 4000 représentées en figure 1b correspondent à des programmes et sous-programmes de conduite du procédé correspondant.
En ce qui concerne l'étape 1003 de la figure 1b, dans laquelle un positionnement de la table mobile 2 du microscope sur le motif de rang k est réalisé, ou à tout le moins en ce qui concerne l'alignement sur les motifs de référence afin de déterminer la position précise de tous les motifs à l'étape 1002 précédente, le logiciel correspondant demande pour l'exécution de cette étape 1002 un alignement visuel ou éventuellement un alignement effectué par l'intermédiaire d'une caméra et d'un logiciel de reconnaissance de forme. Dans un tel cas, l'opérateur prend la conduite du procédé en main par l'intermédiaire de la manette 14 ou levier de commande, lequel permet de déplacer la table mobile sous le microscope en X ou en Y. La vitesse de déplacement peut alors être modifiée en tournant le levier autour de son axe. Le levier 14 peut être muni d'un bouton permettant d'obtenir la fonction suivante, lorsque ce bouton est maintenu pressé:
  • en index → index,
  • en pas à pas → pas rapide,
  • en vitesse lente → vitesse moyenne,
  • en vitesse rapide → vitesse rapide.
Lorsque l'alignement est effectué, la touche 15 de la table mobile permet de relancer la conduite du processus en mode automatique, le balayage des différents motifs MTij de la plaquette témoin Pt étant effectué automatiquement par déplacement du support 2 de la table mobile, selon une loi séquentielle déterminée. Bien entendu, la défocalisation en fonction de la position du motif de test considéré est également effectuée de manière automatique.
Une description plus détaillée d'une plaquette témoin Pt sera donnée en liaison avec les figures 5a et 5b.
Selon la figure 5a, chaque plaquette témoin Pt est formée par un substrat, tel qu'un substrat silicium par exemple, portant la référence 101, et une couche de résine 100 dans laquelle est formée une pluralité de motifs de test MTij identiques et arrangés en une suite de motifs de test. Par motifs de test identiques, on indique que la dimension en i,j de chaque motif de test est identique, alors que la plaquette varie d'un motif de test à l'autre.
Selon une caractéristique avantageuse de la plaquette témoin objet de la présente invention, les motifs de test sont formés par un réseau de trous de pas p et de dimension d déterminés par rapport à l'état de surface ou rugosité moyenne r du substrat formant la plaquette témoin, selon la relation : d ≤ αr p ≥ 2d.
On notera que dans les relations précitées, d représente le diamètre de trous formant le réseau, p formant le pas du réseau précité. Le paramètre a peut être compris entre les valeurs 2 et 5 par exemple.
Sur la figure 5b, on a représenté une vue en coupe selon les plans de coupe A1 A1, A2 A2, A3 A3 de la figure 5a, d'une suite de motifs de tests considérée, chaque motif de test MTij correspondant en fait à une valeur de défocalisation différente. On constate sur les vues en coupe précitées que les profils des trous formant le réseau de chaque motif de test sont donc différents, la pente des trous du réseau étant sensiblement symétrique par rapport à la valeur de défocalisation 0 correspondant à la valeur Do précédemment mentionnée sur la figure 1c.
En ce qui concerne la dimension des trous formant le réseau précité, on notera que celle-ci doit être proche de la limite de résolution de la machine d'exposition photolithographique dont le réglage doit être effectué par la mise en oeuvre du procédé objet de la présente invention. En outre, la dose d'illumination utilisée, c'est-à-dire l'intensité lumineuse d'illumination de chaque motif de test MTij, doit être également minimale, afin d'obtenir pour les fortes valeurs de défocalisation des trous pratiquement complètement bouchés. Confer figure 1c, zones 5 et 6. On indiquera en outre que le pas p du réseau n'est pas un paramètre critique, car il influe essentiellement sur le niveau de réflectivité du réseau.
Les essais précédemment mentionnés ont été réalisés avec un trou de 0,6 micromètres et un pas de 2,4 micromètres, sur un photorépéteur d'ouverture numérique 0,40. Enfin, la dimension de chaque réseau constituant un motif de test MTij considéré est au minimum de 50 x 50 micromètres carrés.
On a ainsi décrit un procédé de réglage d'une machine d'exposition photolithographique et un dispositif permettant la mise en oeuvre de celui-ci particulièrement performants, car ils permettent le contrôle de la stabilité de la focalisation de ces machines d'exposition avec, vis-à-vis des procédés ou des dispositifs de l'art antérieur, les avantages ci-après : excellente reproductibilité d'une mise en oeuvre du procédé, insensibilité au changement de réticule ou au niveau d'éclairement dans les limites précédemment indiquées dans la description, facilité du motif du réseau à réaliser, indépendance de la valeur de focalisation nominale vis-à-vis de l'opérateur conduisant les mesures et rapidité de l'exposition comme de la lecture des résultats.

Claims (12)

  1. Procédé de détermination de la mise au point d'une machine d'exposition photolithographique utilisée pour insoler des structures sur une plaquette substrat revêtue d'une résine formant masque, à partir d'une plaquette témoin munie de motifs de test identiques en différents emplacements arrangés selon une suite de motifs de test, caractérisé en ce qu'il consiste :
    à illuminer successivement lesdits motifs de test en lumière blanche au niveau de chaque emplacement, au moyen d'un faisceau d'illumination,
    à mesurer le coefficient de réflectivité de chaque motif de test, et
    à établir la loi de correspondance dudit coefficient de réflectivité en fonction, pour chaque emplacement, de la valeur du paramètre de défocalisation ou de mise au point du faisceau d'illumination,
    à déterminer, par critère de seuil de la valeur dudit coefficient de réflectivité, une plage de valeurs correspondantes de défocalisation ou mise au point pour le motif de test considéré, permettant d'établir la valeur de mise au point optimale.
  2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, pour un motif de test constitué par un réseau de trous, ladite mise au point optimale correspond à une plage de valeurs sensiblement stationnaires du coefficient de réflectivité, correspondant à la profondeur de champ de la machine d'exposition, encadrées par deux maxima correspondant à une défocalisation dans la résine respectivement hors de la résine.
  3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite plage de valeurs est obtenue par comparaison à une valeur de seuil, ladite plage étant validée comme plage de valeurs correspondantes de mise au point optimale, ladite valeur de seuil étant égale à une fraction de la valeur minimale du coefficient de réflectivité comprise entre les deux maxima.
  4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite mesure du coefficient de réflectivité de chaque motif est réalisée en fond noir, ce qui permet d'augmenter la sensibilité de la mesure de la défocalisation et une amélioration de la mise au point.
  5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la mise au point optimale de ladite machine d'exposition est définie comme l'abscisse de la moyenne arithmétique des valeurs d'extrémité de ladite plage de valeurs correspondantes de mise au point optimale.
  6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que, afin de contrôler l'inclinaison ou pente du flanc de gravure, celui-ci consiste, à partir de ladite mise au point optimale, à effectuer un décalage de focalisation dudit faisceau d'insolation, ledit décalage étant réalisé dans une plage de valeurs incluses dans la plage de valeurs correspondant au minimum relatif compris entre les deux maxima de la loi de correspondance du coefficient de réflectivité et de la défocalisation.
  7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que, pour différentes inclinaisons ou pentes du profil de gravure, ledit décalage de défocalisation est réalisé, selon la direction du faisceau d'insolation,
    au-delà de l'interface air-résine pour la réalisation de flancs de gravure obliques concaves,
    avec une valeur nulle pour la réalisation de flancs de gravure rectilignes sensiblement orthogonaux à l'interface air-résine,
    en deça de l'interface air-résine pour la réalisation de flancs de gravure à piédestal.
  8. Dispositif de réglage de la mise au point d'une machine d'exposition photolithographique utilisée pour exposer des structures sur une plaquette substrat revêtue d'une résine formant masque, à partir d'une plaquette témoin munie de motifs de test identiques en différents emplacements arrangés selon une suite de motifs de test, caractérisé en ce qu'il comporte :
    des moyens d'illumination, au moyen d'un faisceau en lumière blanche, d'une plaquette témoin, munie de motifs de test, arrangés selon une suite de motifs de test,
    des moyens support de ladite plaquette témoin permettant d'assurer un positionnement selon un repère tri-dimensionnel (x, y, z) de ladite plaquette témoin par rapport au point de focalisation dudit faisceau de lumière blanche,
    des moyens de commande du positionnement de ladite plaquette témoin de façon à assurer un balayage séquentiel de la suite de motifs de test et une défocalisation relative différente pour chaque motif de test de la suite de motifs de test par rapport à l'interface résine-plaquette témoin,
    des moyens collecteurs du faisceau lumineux diffusé par le motif de test correspondant et par la surface de la plaquette témoin illuminée par ledit faisceau de lumière blanche,
    des moyens de mesure et de mémorisation du coefficient de réflectivité, rapport de l'intensité du faisceau diffusé à l'intensité du faisceau d'illumination,
    des moyens de calcul et d'affichage de la loi de correspondance dudit coefficient de réflectivité et de la défocalisation relative du faisceau d'illumination et de la plaquette témoin, de la mise au point optimale et d'un décalage de focalisation à cette mise au point optimale.
  9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que lesdits moyens d'illumination comportent une boucle d'asservissement de l'intensité dudit faisceau d'illumination pour l'obtention d'une intensité du faisceau diffusé par chaque motif de test et par la surface de ladite plaquette témoin sensiblement constante.
  10. Dispositif selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce que lesdits moyens d'illumination et lesdits moyens collecteurs du faisceau diffusé sont constitués par un objectif d'illumination en fond noir.
  11. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que lesdits moyens de calcul et d'affichage comprennent :
    un calculateur muni de ses ressources périphériques telles que mémoire de programme, mémoire morte et moniteur d'affichage,
    des programmes de conduite du processus de détermination de la mise au point optimale et d'un décalage de cette mise au moint optimale, selon un dialogue interactif avec un opérateur.
  12. Plaquette témoin pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisée en ce que celle-ci comporte une pluralité de motifs de test identiques arrangés en une suite de motifs de test, ces motifs de test étant ménagés dans une couche de résine déposée sur une plaquette substrat, lesdits motifs de test étant formés par un réseau de trous de pas p et de dimension d déterminés par rapport à l'état de la surface ou rugosité moyenne r du substrat formant la plaquette témoin selon la relation : d ≤ αr α étant compris entre 2 et 5, p ≥ 2d.
EP93401751A 1992-07-10 1993-07-06 Procédé de détermination de la mise au point d'une machine d'exposition photolithographique Expired - Lifetime EP0578562B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9208610 1992-07-10
FR9208610A FR2693565B1 (fr) 1992-07-10 1992-07-10 Procédé de réglage d'une machine d'exposition photolithographique et dispositif associé.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0578562A1 EP0578562A1 (fr) 1994-01-12
EP0578562B1 true EP0578562B1 (fr) 1998-04-29

Family

ID=9431808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP93401751A Expired - Lifetime EP0578562B1 (fr) 1992-07-10 1993-07-06 Procédé de détermination de la mise au point d'une machine d'exposition photolithographique

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5437948A (fr)
EP (1) EP0578562B1 (fr)
JP (1) JPH07183185A (fr)
DE (1) DE69318220T2 (fr)
FR (1) FR2693565B1 (fr)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970006931B1 (ko) * 1993-11-25 1997-04-30 현대전자산업 주식회사 포토레지스트 패턴 형성방법
US5898479A (en) * 1997-07-10 1999-04-27 Vlsi Technology, Inc. System for monitoring optical properties of photolithography equipment
KR100500939B1 (ko) * 1997-12-27 2005-10-14 주식회사 하이닉스반도체 레티클 위치에서의 자동 초점 조정/편평도 조정
JPH11354421A (ja) * 1998-06-03 1999-12-24 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置
US6430464B1 (en) * 1999-03-09 2002-08-06 International Business Machines Corporation Stepper alignment process
TW527526B (en) * 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7561270B2 (en) 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2012063321A (ja) 2010-09-17 2012-03-29 Hamamatsu Photonics Kk 反射率測定装置、反射率測定方法、膜厚測定装置及び膜厚測定方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4759626A (en) * 1986-11-10 1988-07-26 Hewlett-Packard Company Determination of best focus for step and repeat projection aligners
US5077464A (en) * 1988-07-20 1991-12-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for endpoint detection in a semiconductor wafer etching system
FR2642188B1 (fr) 1988-12-30 1991-08-30 Tissier Annie Procede de determination de la mise au point d'une machine d'exposition de photolithographie
JPH0458250A (ja) * 1990-06-28 1992-02-25 Miyazaki Oki Electric Co Ltd オートフォーカス方法
US5674652A (en) * 1991-02-28 1997-10-07 University Of New Mexico Diffracted light from latent images in photoresist for exposure control
US5303002A (en) * 1993-03-31 1994-04-12 Intel Corporation Method and apparatus for enhancing the focus latitude in lithography

Also Published As

Publication number Publication date
EP0578562A1 (fr) 1994-01-12
DE69318220T2 (de) 1998-11-19
DE69318220D1 (de) 1998-06-04
FR2693565A1 (fr) 1994-01-14
US5437948A (en) 1995-08-01
JPH07183185A (ja) 1995-07-21
FR2693565B1 (fr) 1994-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0401351B1 (fr) Procede et dispositif de mesure optique
CN103283002B (zh) 检查装置、检查方法、曝光方法、以及半导体元件的制造方法
EP1749237B1 (fr) Dispositif de positionnement d&#39;un utilisateur par affichage de son image en miroir, dispositif de capture d&#39;images et procéde de positionnement correspondants
EP0063980B1 (fr) Appareil de projection à dispositif de mise au point
FR2574180A1 (fr) Procede et dispositif pour determiner l&#39;angle de contact d&#39;une goutte de liquide posee sur un substrat horizontal solide ou liquide
EP0010998A1 (fr) Procédé d&#39;alignement optique de motifs dans deux plans rapprochés et dispositif d&#39;alignement mettant en oeuvre un tel procédé
EP0578562B1 (fr) Procédé de détermination de la mise au point d&#39;une machine d&#39;exposition photolithographique
FR2553529A1 (fr) Dispositif photographique et procede de mesure des conditions d&#39;exposition
FR2749388A1 (fr) Appareil de mesure des caracteristiques photometriques et colorimetriques d&#39;un objet
FR2800565A1 (fr) Dispositif de mesure d&#39;erreur de position relative
EP0402191B1 (fr) Procédé et dispositif de mesure de largeur de traits à balayage optique
EP1910797B1 (fr) Procédé et dispositif de mesure de concentricité d&#39;un c ur de fibre optique.
EP0327416B1 (fr) Procédé d&#39;optimisation du contraste dans une image d&#39;un échantillon
FR2737779A1 (fr) Dispositif ellipsometre a haute resolution spatiale
FR2738670A1 (fr) Procede et appareil de formation d&#39;un motif sur un substrat de circuit integre
FR2606522A1 (fr) Dispositif et procede optique de mise au point photoelectrique, notamment pour microscopes d&#39;operations chirurgicales
FR2542878A1 (fr) Dispositif de balayage
EP0101375B1 (fr) Procédé et dispositif de détermination sans contact de la rugosité d&#39;une surface
EP0908986A2 (fr) Disque amplificateur laser et procédé de contrÔle du collage du disque
EP0088691B1 (fr) Dispositif d&#39;alignement pour machines de fabrication de circuits intégrés
WO1999008066A1 (fr) Methodes et systemes d&#39;interference destines a mesurer l&#39;epaisseur d&#39;une couche mince a transmission optique formee sur une surface a reflexion optique relativement plane
FR2776067A1 (fr) Systeme de determination et de quantification de l&#39;alignement d&#39;un objet avec une optique de couplage et un dispositif de prise de vues
FR2632723A1 (fr) Systeme de detection pour photometre
EP0070446A2 (fr) Dispositif de détection incrémental-optique des déplacements relatifs de deux objets matériels
FR3076911A1 (fr) Dispositif d’eclairage de microscope permettant de mesurer un defaut de mise au point

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE GB NL

17P Request for examination filed

Effective date: 19931120

17Q First examination report despatched

Effective date: 19970128

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE GB NL

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 19980430

REF Corresponds to:

Ref document number: 69318220

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19980604

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed
REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: IF02

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Payment date: 20080711

Year of fee payment: 16

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: 732E

Free format text: REGISTERED BETWEEN 20090924 AND 20090930

NLV4 Nl: lapsed or anulled due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20100201

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20110729

Year of fee payment: 19

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20120625

Year of fee payment: 20

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20100201

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20130201

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R119

Ref document number: 69318220

Country of ref document: DE

Effective date: 20130201

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: PE20

Expiry date: 20130705

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF EXPIRATION OF PROTECTION

Effective date: 20130705