EP0359336A2 - Device for microwave transmission - Google Patents
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- EP0359336A2 EP0359336A2 EP89202301A EP89202301A EP0359336A2 EP 0359336 A2 EP0359336 A2 EP 0359336A2 EP 89202301 A EP89202301 A EP 89202301A EP 89202301 A EP89202301 A EP 89202301A EP 0359336 A2 EP0359336 A2 EP 0359336A2
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- pump stage
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- H01P1/30—Auxiliary devices for compensation of, or protection against, temperature or moisture effects ; for improving power handling capability
Definitions
- microwave powers of the order of 0.1 to 1 MW the thermal load on the known materials used for microwave windows becomes too great, as a result of which the output power is limited.
- powers of at most 0.3 MW one helps to widen the waveguide and to additionally cool the window, which consists, for example, of A1 2 0 3 .
- the pump stages are preferably pressure-controllable, the flow resistances of the waveguide sections between the pump stages, the suction powers of the pumps and the pressure controls being dimensioned or adjustable in such a way that a predetermined pressure difference between the waveguide regions is generated and maintained - in other words: the suction power of the respective pump is in the target pressure range greater than or equal to the flow resistance of the waveguide section between the inlet or the pump stage with higher pressure and the pump-down point and the pressure control is set for the target pressure range at the pump-off point (at which there is also a pressure sensor or a pressure gauge).
- This embodiment is based on the basic idea of differential pumping.
- the waveguide is pumped out through the slots in successive pump stages, so that the microwave is either guided from a region of high internal gas pressure (e.g. air under atmospheric pressure) to a region of low internal gas pressure (e.g. 10 hpa) in the waveguide or in the opposite direction from a region low is led into an area of high internal gas pressure.
- a region of high internal gas pressure e.g. air under atmospheric pressure
- a region of low internal gas pressure e.g. 10 hpa
- the waveguide in the region of the first pump stage is filled with a gas with a high dielectric strength.
- the waveguide is filled with a purge gas, an extinguishing gas or reactive gases. This is explained in more detail below.
- a waveguide area with high pressure (e.g. air, 1000 hpa) is designated with a and a waveguide area with low pressure with b.
- a TE 10 microwave is guided either from a to b or from b to a in a multiply coiled curved rectangular waveguide line 1.
- Pump nozzles 6, 7, 8, 9 are attached to the outside of these slots, via which the line in direction b is successively evacuated to lower pressure using various vacuum pumps (not shown).
- the pressure difference Ap p a - p b to be set between a and b is determined by the suction power and the final pressure of the pumps, the number of pump stages, the spacing of the slots and the cross section of the respective waveguide type.
- a large pressure difference for example, is easier to achieve for the E-band (60 to 90 GHz) than for the X-band (8 to 12 GHz), due to the large cross-sectional area reduction of the E-band waveguide compared to the X-band - waveguide.
- the device according to FIG. 1 is used for the microwave plasma-activated CVD of electrically conductive substances.
- the spatial extent of this arrangement for the X-band is still quite compact with an outer diameter of approximately 37 cm and a height of approximately 30 cm.
- the arrangement shown in FIG. 3 relates to use with a microwave plasma reactor.
- the microwave transmission takes place through a waveguide 1, which is sealed airtight at one point with a microwave window 11 made of dielectric material, for example glass, quartz, PTFE, against the vacuum side 12.
- a gas prevents a plasma from forming in the waveguide in spite of the low gas pressure and thus almost no microwave power reaching the reaction chamber.
- the pump connection 13 is omitted and, for example, WFs or SF 6 is introduced at this point.
- WFs which serves for the tungsten deposition in the reaction chamber
- the pump connection 14 and the slots 4 and 5 are also omitted, and the gas is removed at an outlet opening from the reaction chamber.
- a further possibility is the use of one or more low-damping directional couplers with rectangular waveguides arranged in parallel, which are pumped or gas-purged separately and in which the coupling holes represent an additional flow resistance ("orifice plate").
- an additional flow resistance orifice plate
- a third embodiment of the invention is the jet microwave window.
- Fig. 4 shows such an arrangement.
- the microwaves (arrow 16) are radiated through a double-walled resonance diaphragm 17, which is designed as a nozzle 18 for a large-area liquid jet (arrows 19 and 20), again from an inner waveguide area of approximately atmospheric pressure into a low-pressure area.
- nozzle jet microwave window is, among other things, that no additional window cooling is required and that there is no longer any limitation at high microwave powers.
- pumping effect of the nozzle jet can also be exploited here, such as that e.g. is used in water jet pumps or in diffusion pumps. There is a microwave transmission through a pump.
- a steam jet nozzle can then be used instead of a liquid jet nozzle.
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Mikrowellenübertragung zwischen Hohlleiterbereichen verschiedenen Innengasdrucks und/oder unterschiedlicher Füllgaszusammensetzung, d.h. zur Ein- oder Auskopplung von Mikrowellen von einem derartigen Hohlleiterbereich in einen anderen.The invention relates to a device for microwave transmission between waveguide areas of different internal gas pressure and / or different filling gas composition, i.e. for coupling or decoupling microwaves from such a waveguide region into another.
Aus der DE-OS 36 22 614 ist ein Verfahren zur Herstellung von elektrisch leitenden Formkörpern durch eine reaktive Abscheidung aus einer Gasphase, die durch ein Mikrowellenplasma aktiviert wird, bekannt. Bei derartigen Verfahren erfolgt die Einkopplung von Mikrowellen hoher Leistung über ein gasdicht isolierendes Mikrowellenfenster aus dielektrischem Material in einen als Reaktionskammer dienenden Mikrowellenresonator, in dem sich ein Plasma ausbildet und elektrisch leitende Schichten abgeschieden werden. Dabei tritt das Problem auf, daß das an der Einkoppelstelle angeordnete Mikrowellenfenster an seiner der Reaktionskammer zugewandten Oberfläche, d.h. an seiner Innenseite, in der Regel mit einer elektrisch leitenden Schicht überzogen wird, wodurch die Einkopplung unterbunden wird. Dieses Problem wird gemäß der DE-OS 36 22 614 entweder dadurch gelöst, daß die Innenseite des Mikrowellenfensters durch ein Inertgas gespült wird, oder dadurch, daß für das Mikrowellenfenster ein dielektrisches Material gewählt wird, das durch eine Ätzreaktion mit einem der Reaktionspartner von elektrisch leitendem Schichtbewuchs freigehalten wird.DE-OS 36 22 614 discloses a method for producing electrically conductive shaped bodies by reactive deposition from a gas phase, which is activated by a microwave plasma. In such methods, high-power microwaves are coupled in via a gastightly insulating microwave window made of dielectric material into a microwave resonator serving as a reaction chamber, in which a plasma is formed and electrically conductive layers are deposited. The problem arises here that the microwave window arranged at the coupling-in point on its surface facing the reaction chamber, i.e. on the inside, is usually coated with an electrically conductive layer, whereby the coupling is prevented. According to DE-OS 36 22 614, this problem is solved either by flushing the inside of the microwave window with an inert gas or by choosing a dielectric material for the microwave window which is electrically conductive due to an etching reaction with one of the reactants Layer growth is kept free.
Ein verwandtes Problem tritt bei der Auskopplung von Mikrowellen hoher Leistung aus Gyrotrons beim Übergang von Hochvakuum in Luft auf. Bei Mikrowellenleistungen in der Größenordnung von 0,1 bis 1 MW wird die thermische Belastung der bekannten für Mikrowellenfenster verwendeten Materialien zu groß, wodurch die Ausgangsleistung begrenzt wird. Man behilft sich bei Leistungen von höchstens 0,3 MW damit, den Hohlleiter aufzuweiten und das Fenster, das z.B. aus A1203 besteht, zusätzlich zu kühlen.A related problem arises in the extraction of high power microwaves from gyrotrons during the transition from high vacuum to air. With microwave powers of the order of 0.1 to 1 MW, the thermal load on the known materials used for microwave windows becomes too great, as a result of which the output power is limited. With powers of at most 0.3 MW, one helps to widen the waveguide and to additionally cool the window, which consists, for example, of A1 2 0 3 .
Ein Auspumpen eines Hohlleiters über nicht abstrahlende bzw. nicht koppelnde Schlitze ist aus der GB-PS 644 749 bekannt.Pumping out a waveguide via non-radiating or non-coupling slots is known from GB-PS 644 749.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Mikrowellenübertragung zwischen Hohlleiterbereichen verschiedenen Innengasdrucks und/oder unterschiedlicher Füllgaszusammensetzung zu verbessern.The invention has for its object to improve the microwave transmission between waveguide areas of different internal gas pressure and / or different filling gas composition.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zwischen den Hohlleiterbereichen mindestens eine Pumpstufe angeordnet ist.This object is achieved in that at least one pump stage is arranged between the waveguide regions.
Unter einer Pumpstufe ist ein Pumpanschluß mit Pumpe und Druckregelung zu verstehen, wobei die Pumpe sich stets außerhalb des Hohlleiters befindet.A pump stage is to be understood as a pump connection with a pump and pressure control, the pump always being outside the waveguide.
Beim Betreiben der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird zwischen den Hohlleiterbereichen an mindestens einer Stelle Gas abgepumpt.When operating the device according to the invention, gas is pumped out at least at one point between the waveguide regions.
Vorzugsweise sind die Pumpstufen druckregelbar, wobei die Strömungswiderstände der Hohlleiterstrecken zwischen den Pumpstufen, die Saugleistungen der Pumpen und die Druckregelungen derart dimensioniert bzw. einstellbar sind, daß eine vorgegebene Druckdifferenz zwischen den Hohlleiterbereichen erzeugt und aufrechterhalten wird -mit anderen Worten: Die Saugleistung der jeweiligen Pumpe ist im Zieldruckbereich größer als der oder gleich dem Strömungswiderstand der Hohlleiterstrecke zwischen dem Eingang bzw. der Pumpstufe mit höherem Druck und der Abpumpstelle und die Druckregelung ist für den Zieldruckbereich an der Abpumpstelle (an welcher sich auch ein Drucksensor oder ein Manometer befindet) eingestellt.The pump stages are preferably pressure-controllable, the flow resistances of the waveguide sections between the pump stages, the suction powers of the pumps and the pressure controls being dimensioned or adjustable in such a way that a predetermined pressure difference between the waveguide regions is generated and maintained - in other words: the suction power of the respective pump is in the target pressure range greater than or equal to the flow resistance of the waveguide section between the inlet or the pump stage with higher pressure and the pump-down point and the pressure control is set for the target pressure range at the pump-off point (at which there is also a pressure sensor or a pressure gauge).
Vorzugsweise befindet die jeweilige Pumpstufe sich in nächster Nachbarschaft der Niederdruckseite.The respective pump stage is preferably in the immediate vicinity of the low-pressure side.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der einen bestimmten Mikrowellenmode führende Hohlleiter mit einem Schlitz oder an aufeinanderfolgenden Stellen mit Schlitzen versehen, wobei der Schlitz oder die Schlitze eine sehr schwache oder vernachlässigbare Auskopplung des Mikrowellenmodes aufweisen und wobei der Hohlleiter über den Schlitz mit der Pumpstufe oder über die Schlitze mit aufeinanderfolgenden Pumpstufen mit angepaßter Pumpleistung verbunden ist.In a preferred embodiment of the invention, the waveguide guiding a particular microwave mode is provided with a slot or with slots at successive locations, the slot or slots having a very weak or negligible coupling-out of the microwave mode and the waveguide via the slot with the pump stage or is connected via the slots to successive pump stages with adapted pumping power.
Diese Ausführungsform beruht auf dem Grundgedanken des differentiellen Pumpens. Dabei wird der Hohlleiter über die Schlitze in aufeinanderfolgenden Pumpstufen ausgepumpt, so daß die Mikrowelle entweder aus einem Bereich hohen Innengasdrucks (z.B. Luft unter Atmosphärendruck) in einen Bereich niedrigen Innengasdrucks (z.B. 10 hpa) im Hohlleiter geführt wird oder in umgekehrter Richtung aus einem Bereich niedrigen in einen Bereich hohen Innengasdrucks geführt wird.This embodiment is based on the basic idea of differential pumping. The waveguide is pumped out through the slots in successive pump stages, so that the microwave is either guided from a region of high internal gas pressure (e.g. air under atmospheric pressure) to a region of low internal gas pressure (e.g. 10 hpa) in the waveguide or in the opposite direction from a region low is led into an area of high internal gas pressure.
Bei dieser Ausführungsform der Erfindung weist der Hohlleiter vorzugsweise einen rechteckigen Querschnitt auf und ist mehrfach gewendelt.In this embodiment of the invention, the waveguide preferably has a rectangular cross section and is coiled several times.
Die Schlitze sind vorzugsweise in den Hohlleiterseitenwänden, und zwar in den Schmalseiten, angebracht und haben die Form vertikaler Rechtekke.The slots are preferably made in the waveguide side walls, namely in the narrow sides, and have the shape of vertical rectangles.
Die Abstände zwischen den Schlitzen betragen vorzugsweise ganzzahlige Vielfache der halben Hohlleiterwellenlänge.The distances between the slots are preferably integer multiples of half the waveguide wavelength.
Ferner ist es von Vorteil, insbesondere für niedrigere Mikrowellenfrequenzen, z.B. für Frequenzen unterhalb 40 GHz, daß im Hohlleiter Resonanzblenden angeordnet sind.It is also advantageous, especially for lower microwave frequencies, for example for frequencies below 40 GHz, that Reso in the waveguide are arranged.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, die sich auf die Anwendung im Zusammenhang mit einem Mikrowellenplasma-Reaktor z.B. gemäß DE-OS 36 22 614 bezieht, ist zwischen dem an einen Mikrowellenoszillator angeschlossenen Hohlleiterbereich und dem von der (ersten) Pumpstufe erzeugten Unterdruckbereich ein Mikrowellenfenster angeordnet, wobei die erste Pumpstufe derart ausgelegt ist, daß sie imstande ist, einen so niedrigen Enddruck zu erzeugen, daß keine Entladung gezündet wird.In a further preferred embodiment of the invention, which relates to the use in connection with a microwave plasma reactor e.g. according to DE-OS 36 22 614, a microwave window is arranged between the waveguide region connected to a microwave oscillator and the vacuum region generated by the (first) pump stage, the first pump stage being designed in such a way that it is able to generate such a low final pressure that no discharge is ignited.
Dabei wird bevorzugt, daß zwischen der ersten Pumpstufe und einer als Mikrowellenresonator ausgebildeten Reaktionskammer eine zweite Pumpstufe zur Entlastung der ersten Pumpstufe und zur Gasentsorgung der Reaktionskammer angeordnet ist.It is preferred that a second pump stage is arranged between the first pump stage and a reaction chamber designed as a microwave resonator to relieve the first pump stage and to dispose of the gas from the reaction chamber.
Ferner ist es vorteilhaft, zwischen der ersten Pumpstufe und der zweiten Pumpstufe mindestens eine Resonanzblende anzuordnen.It is also advantageous to arrange at least one resonance diaphragm between the first pump stage and the second pump stage.
Bei einer Abwandlung der zuvor beschriebenen Ausführungsform der Erfindung ist der Hohlleiter im Bereich der ersten Pumpstufe mit einem Gas mit hoher Durchschlagsfestigkeit gefüllt.In a modification of the previously described embodiment of the invention, the waveguide in the region of the first pump stage is filled with a gas with a high dielectric strength.
Bei einer Abwandlung der Erfindung besteht die Pumpstufe aus einer doppelwandigen Resonanzblende, die als Düse für einen flächenhaften Flüssigkeitsstrahl hoher Geschwindigkeit ausgebildet ist.In a modification of the invention, the pump stage consists of a double-walled resonance diaphragm, which is designed as a nozzle for a flat liquid jet of high speed.
Bei einer weiteren Abwandlung der Erfindung ist der Hohlleiter mit einem Spülgas, einem Löschgas oder reaktiven Gasen gefüllt. Dies wird weiter unten näher erläutert.In a further modification of the invention, the waveguide is filled with a purge gas, an extinguishing gas or reactive gases. This is explained in more detail below.
Bei allen obengenannten erfindungsgemäßen Mikrowellenübertragungsvorrichtungen ist es zweckmäßig, außerdem mindestens einen EH-Tuner und/oder einen Stifttransformator im Hohlleiter vorzusehen, um eine Phasen- bzw. Längenanpassung vorzunehmen und auf optimale Leistungsübertragung abzustimmen.In all of the above-mentioned microwave transmission devices according to the invention, it is expedient to also provide at least one EH tuner and / or a pin transformer in the waveguide in order to carry out a phase or length adjustment and to tune for optimal power transmission.
Ferner ist es zweckmäßig, daß zwischen den Hohlleiterbereichen mehrere aneinandergesetzte Richtkoppler geringer Dämpfung angeordnet sind, die mit jeweils einer Pumpe zur Einstellung eines bestimmten vorgegebenen Drucks verbunden sind, wobei die zwischen den Hohlleiterbereichen liegenden Richtkopplerbereiche jeweils mit Kurzschlußschiebern an den Enden und je einem EH-Tuner zur Abstimmung der Übertragungsstrecke versehe i sind. Dies wird weiter unten näher erläutert.Furthermore, it is expedient that a plurality of directional couplers of low attenuation are placed between the waveguide regions, each of which is connected to a pump for setting a specific predetermined pressure, the directional coupler regions lying between the waveguide regions each having short-circuit slides at the ends and one EH tuner for the coordination of the transmission link I see. This is explained in more detail below.
Einige Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in einer Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. In der Zeichnung zeigen in perspektivischer Darstellung
- Fig. 1 eine Vorrichtung zur Mikrowellenübertragung mit mehrfach gewendeltem Hohlleiter,
- Fig. 2 eine Resonanzblende,
- Fig. 3 eine Vorrichtung zur Mikrowellenübertragung mit einem Mikrowellenfenster und Pumpansätzen und
- Fig. 4 ein Düsenstrahl-Mikrowellenfenster.
- 1 shows a device for microwave transmission with a multi-spiral waveguide,
- 2 shows a resonance diaphragm,
- Fig. 3 shows a device for microwave transmission with a microwave window and pump approaches and
- Fig. 4 shows a jet microwave window.
In Fig. 1 ist ein Hohlleiterbereich mit hohem Druck (z.B. Luft, 1000 hpa) mit a und ein Hohlleiterbereich mit niedrigem Druck mit b bezeichnet.In Fig. 1, a waveguide area with high pressure (e.g. air, 1000 hpa) is designated with a and a waveguide area with low pressure with b.
Eine Mikrowelle des Typs TE10 wird je nach Anwendung entweder von a nach b oder von b nach a in einer mehrfach gewendelten gekrümmten Rechteck-Hohlleiterleitung 1 geführt. In Abständen di von ganzzahligen Vielfachen p; der halben Hohlleiterwellenlänge , wobei also di = ρi/2 (mit p; = 1,2 usw.) sind in den Hohlleiterseitenwänden, und zwar in den Schmalseiten, vertikale Rechteckschlitze 2, 3, 4, 5 angebracht, die sich durch eine sehr geringe Auskopplung des TElo-Modes auszeichnen, also nur eine relativ geringe Dämpfung dieses Wellentyps bewirken. Auf der Außenseite dieser Schlitze sind Pumpstutzen 6, 7, 8, 9 angebracht, über die mit verschiedenen Vakuumpumpen (nicht dargestellt) die Leitung in Richtung b sukzessive auf niedrigeren Druck evakuiert wird.Depending on the application, a TE 10 microwave is guided either from a to b or from b to a in a multiply coiled curved
Die einzustellende Druckdifferenz Ap = pa - pb zwischen a und b wird bestimmt durch die Saugleistung und den Enddruck der Pumpen, von der Anzahl der Pumpstufen, dem Abstand der Schlitze und dem Querschnitt des jeweiligen Hohlleitertyps. Eine große Druckdifferenz ist z.B. für das E-Band (60 bis 90 GHz) einfacher zu erreichen als für das X-Band (8 bis 12 GHz), und zwar wegen der starken Querschnittsverringerung des E-Band-Hohlleiters im Vergleich zum X-Band-Hohlleiter.The pressure difference Ap = p a - p b to be set between a and b is determined by the suction power and the final pressure of the pumps, the number of pump stages, the spacing of the slots and the cross section of the respective waveguide type. A large pressure difference, for example, is easier to achieve for the E-band (60 to 90 GHz) than for the X-band (8 to 12 GHz), due to the large cross-sectional area reduction of the E-band waveguide compared to the X-band - waveguide.
Im folgenden Beispiel wird die Vorrichtung nach Fig. 1 für die Mikrowellenplasma-aktivierte CVD von elektrisch leitenden Substanzen verwendet.In the following example, the device according to FIG. 1 is used for the microwave plasma-activated CVD of electrically conductive substances.
Im Bereich a ist ein X-Band-Hohlleiter 1 mit Luft unter pa ≤ Normaldruck gefüllt und an einen X-Band-Mikrowellensender der CW-Leistung 300 W angeschlossen. Die Schlitze 2 bis 4 sind in diesem Beispiel nicht vorgesehen und es wird über nur eine Drehschieberpumpe mit der Saugleistung Sp = 580 m3/h kurz vor a gepumpt (Schlitz 5), da der Druckabfall im wesentlichen durch den Strömungswiderstand (für Luft) des Hohlleiters bestimmt wird. Nach A. Roth "Vacuum technology" S. 75/76 ist der Strömungswiderstand 1/C für Luft in einem rechteckigen Rohr der Länge L und mit der Querschnittsfläche A.B (für laminare Strömung) gegeben durch
C = 260 . Y . (A2B2/L) . (pa + p b)/2 (1)
wobei Y = 0,82 für A = 2 B (A und B siehe Fig. 2) und [C] = 1/sec, [A] = [B] = [L] = cm, pa = Torr = 1,33 hPa gelten. Die Druckdifferenz ρa - pb zwischen Rohranfang und Rohrende kann nun aus der Durchflußleistung Q und dem Strömungs-Leitwert C bestimmt werden:
- Pa - Pb =Q/C = pb.Sp/[Co(pa + pb)] wobei C = Co-(pa + pb) (2)
C = 260 . Y. (A 2 B 2 / L). ( p a + p b ) / 2 (1)
where Y = 0 , 82 for A = 2 B (A and B see Fig. 2) and [C] = 1 / sec, [A] = [B] = [L] = cm, p a = Torr = 1.33 hPa apply. The pressure difference ρ a - p b between the pipe start and pipe end can now be determined from the flow rate Q and the flow conductance C:
- Pa - P b = Q / C = p b .S p / [C o (p a + p b )] where C = C o - (p a + p b ) (2)
Die Auflösung von (2) nach pb ergibt pb = p + (Sp/2 Co)2 - SP 2 Co (3) Setzt man in (3) pa = 760 Torr = 1013 hPa, Sp = 580 m3 h. A = 2,29 cm, B = 1,02 cm und L = 2600 cm ein, so erhält man pa - pb = 375 Torr = 500-hpa.The resolution from (2) to p b gives p b = p + (Sp / 2 Co) 2 - S P 2 C o (3) If (3) p a = 760 Torr = 1013 hPa, Sp = 580 m 3 h. A = 2.29 cm, B = 1.02 cm and L = 2600 cm, you get p a - p b = 375 Torr = 500-hpa.
Die Verdopplung auf pa - pb = 750 Torr = 1000 hPa wird durch den Einbau von Resonanzblenden (siehe Fig. 2) in den Rechteckhohlleiter im Abstand n. Λ2 erreicht, die abgestimmt auf 10 GHz diese Frequenz ungedämpft übertragen und zugleich den Strömungswiderstand wie gewünscht erhöhen.The doubling to p a - p b = 750 Torr = 1000 hPa is achieved by installing resonance diaphragms (see Fig. 2) in the rectangular waveguide at a distance n. Λ2, which transmit this frequency undamped at 10 GHz and at the same time the flow resistance as increase desired.
Dazu genügt etwa jeweils eine Resonanzblende im Abstand von 28 Λ(Λ- = 3,97 cm für TE01 und ν o = 10 GHz) oder etwa alle 110 cm längs der Wendel (also einmal pro Windung mit etwa 35 cm Mittendurchmesser), insgesamt also 24 Stück. Die räumliche Ausdehnung dieser Anordnung für das X-Band ist mit etwa 37 cm Außendurchmesser und etwa 30 cm Höhe noch ziemlich kompakt.A resonance aperture at a distance of 28 Λ (Λ- = 3.97 cm for TE 01 and ν o = 10 GHz) or about every 110 cm along the helix (i.e. once per turn with a center diameter of about 35 cm) is sufficient so 24 pieces. The spatial extent of this arrangement for the X-band is still quite compact with an outer diameter of approximately 37 cm and a height of approximately 30 cm.
Die Abschätzung der Dämpfung für einen Rechteckhohlleiter mit Kupfer-Innenwänden ergibt bei νo = 10 GHz und L = 26 m einen Wert von 26 m . 0,026 dB/m = 0,676 dB, beträgt also weniger als 20 %.The estimation of the attenuation for a rectangular waveguide with copper inner walls gives a value of 26 m at ν o = 10 GHz and L = 26 m. 0.026 dB / m = 0.676 dB, is less than 20%.
Fig. 2 zeigt eine solche Resonanzblende 10 für 10 GHz im X-Band. Es gilt A' = 1,4 cm und B' = 0,28 cm. Der Strömungsleitwert einer solchen Blende kann aus den in A. Roth, S. 70, angegebenen Formeln für laminare Strömung bestimmt werden.2 shows such a
Ferner ist es bei der in Beispiel 1 verwendeten Anordnung zweckmäßig, vor der Pumpe noch ein Drosselventil bzw. eine Druckregelung zur Einstellung von pb einzusetzen, um pb auf den jeweiligen Sollwert einstellen zu können. Außerdem kann eine weitere Pumpe zur Gasentsorgung aus der Reaktionskammer eingesetzt werden, die die Drehschieberpumpe bei b entlastet. Schließlich ist es wegen des quadratischen Zusammenhangs in (3) auch für die in Beispiel 1 verwendete Anordnung günstiger, in etwa 2 m L-Abstand von der ersten Pumpstufe eine zweite Pumpstufe vorzusehen.Furthermore, in the arrangement used in example 1, it is expedient to use a throttle valve or a pressure control for setting p b in front of the pump in order to be able to set p b to the respective desired value. In addition, another pump can be used for gas disposal from the reaction chamber, which relieves the rotary vane pump at b. Finally, because of the square relationship in (3), it is also more favorable for the arrangement used in Example 1 to provide a second pumping stage at a distance of approximately 2 m L from the first pumping stage.
Wesentlich günstiger sieht eine Mikrowelleneinkopplungs-Druckschleuse nach Fig. 1 für das E-Band (60 bis 90 GHz) aus. Sie eignet sich bei einer Mikrowellenübertragungsrichtung von b nach a auch vorzüglich zur fensterlosen Auskopplung von Mikrowellen hoher Leistung, z.B. 200 kW, aus einem 70 GHz-Gyrotron. Wegen der schon relativ kleinen erforderlichen Hohlleiterquerabmessungen sind in einer solchen Anordnung keine Resonanzblenden erforderlich. Bis zur 1. Pumpstufe (Pumpstutzen 6) mit einer Drehschieberpumpe der Saugleistung SP (1) = 580 m3h, wobei zwei Pumpschlitze 2 im Abstand L = 20 m vom "Eingang" a der Rechteckhohlleiterwendel auf beiden Schmalseiten angeordnet sind, bleibt der E-Band-Wendelhohlleiter schlitzfrei. Aus (3) folgt, mit A = 0,31 cm = 28, dann p, = 38 Torr = 50,5 hPa. Eine weitere Drehschieberpumpe (Pumpstutzen 7) im Abstand 1,5 m von den Pumpschlitzen 2 mit der Saugleistung SP (2) = 76 m3ih ergibt dann am Ausgang b einen Druck von etwa 10 Torr = 1,33 hPa. Diese zweite Pumpstufe ist wegen der quadratischen Abhängigkeit in (3) erforderlich und bewirkt eine wesentlich geringere Gesamtlänge L als nur bei einer Pumpstufe allein.A microwave coupling pressure lock according to FIG. 1 for the E band (60 to 90 GHz) looks much cheaper. With a microwave transmission direction from b to a, it is also excellently suitable for windowless coupling of microwaves of high power, for example 200 kW, from a 70 GHz gyrotron. Because of the already relatively small required waveguide transverse dimensions, no resonance diaphragms are required in such an arrangement. Up to the 1st pump stage (pump nozzle 6) with a rotary vane pump with suction power S P (1) = 580 m 3 h, with two
Die Leistungsdämpfung der E-Band-Welle mit νo = 70 GHz beträgt damit 0,027 dB/m . 21,5 m = 0,58 dB oder etwa 13 %.The power attenuation of the E-band wave with ν o = 70 GHz is thus 0.027 dB / m. 21.5 m = 0.58 dB or about 13%.
Die in Fig. 3 dargestellte Anordnung bezieht sich auf die Anwendung mit einem Mikrowellenplasma-Reaktor. Hierbei erfolgt die Mikrowellenübertragung durch einen Hohlleiter 1, der an einer Stelle mit einem Mikrowellenfenster 11 aus dielektrischem Material, z.B. Glas, Quarz, PTFE, gegen die Unterdruckseite 12 luftdicht abgeschlossen ist. Die Unterdruckseite wird über zwei Schlitze 2 und 3 in den Schmalseiten des Hohlleiters auf einen so niedrigen Enddruck, z.B. 10-4 Torr = 10-2 hPa, evakuiert (Pumpanschluß 13), daß auch bei hohen Mikrowellenleistungsdichten keine Mikrowellengasentladung gezündet wird und das Fenster immer freibleibt. Im weiteren Verlauf des Hohlleiters erfolgt wiederum ein Druckanstieg bis zu einem Arbeitsdruck von z.B. 10 hPa in der als Mikrowellenresonator ausgebildeten Reaktionskammer. Eine weitere Drehschieberpumpe (Pumpanschluß 14) pumpt an zwei weiteren gegenüberliegenden Schlitzen 4 und 5 im Abstand L zwischen dem Pumpanschluß 13 und der Einkopplungsstelle in die Reaktionskammer (Pfeil 15) und dient sowohl zur Entlastung der Pumpe bei 13 als auch zur Gasentsorgung, d.h. zur Entfernung der gasförmigen PCVD-Endprodukte. Zur besseren Entkopplung der beiden Pumpbereiche können in den (z.B. X-Band-) Hohlleiter eine oder mehrere Resonanzblenden 10 eingesetzt werden.The arrangement shown in FIG. 3 relates to use with a microwave plasma reactor. Here, the microwave transmission takes place through a
Eine Abwandlung dieser Ausführungsform erhält man dadurch, daß der Vakuumbereich im Hohlleiter zwischen dem Fenster 11 und den Pumpanschlüssen 13 bzw. 14 mit einem Gas mit hoher Durchschlagsfestigkeit, d.h. mit einem Löschgas, z.B. SF6, gefüllt wird und ein Druck von etwa 10 Torr = 13,3 hPa am Fenster und in der Reaktionskammer ebenfalls über die Pumpanschlüsse 13 und 14 hergestellt wird, wobei wiederum durch eine Reihe von Resonanzblenden zwischen den Pumpanschlüssen 13 und 14 sichergestellt wird, daß keine Vermischung der reaktiven Gase mit dem Gas hoher Durchschlagsfestigkeit in der Reaktionskammer stattfindet. Durch ein derartiges Gas wird verhindert, daß sich trotz des niedrigen Gasdrucks schon im Hohlleiter ein Plasma ausbildet und damit fast keine Mikrowellenleistung mehr in die Reaktionskammer gelangt.A modification of this embodiment is obtained in that the vacuum region in the waveguide between the
Im Falle einer Mehrkomponenten-PCVD-Abscheidung von metallischen Schichten, wobei z.B. auch Wolfram aus WFs + H2 abgeschieden wird, ergibt sich eine noch elegantere Lösung: Statt SFs wird WF6 auf dem Wege durch die Mikrowellenzuführung in die Reaktionskammer eingeleitet, da WF6 ebenfalls eine hohe Durchschlagsfestigkeit aufweist.In the case of multi-component PCVD deposition of metallic layers, for example tungsten also being deposited from WFs + H 2 , there is an even more elegant solution: instead of SFs, WF 6 is introduced into the reaction chamber through the microwave feed, since WF 6 also has a high dielectric strength.
Erst in der Reaktionskammer werden dann Wasserstoff und Argon und gegebenenfalls weitere gasförmige Komponenten beigemischt, wobei Argon dafür sorgt, daß die Durchschlagsspannung heruntergesetzt wird und sich ein Mikrowellenplasma bei nicht allzu hohen Mikrowellenleistungen zwar nicht im Hohlleiter, aber in der Reaktionskammer, d.h. im Hohlraumresonator, ausbildet.Only in the reaction chamber are hydrogen and argon and possibly other gaseous components mixed in, whereby argon ensures that the breakdown voltage is reduced and a microwave plasma does not build up in the waveguide if the microwave power is not too high, but in the reaction chamber, i.e. in the cavity resonator.
Zur Reaktionskammer erfolgt die Einkopplung der Mikrowellen je nach Wellentyp über ein Koppelloch oder über einen Antennenstift durch ein Koppelloch. Mit 16 ist die Einkopplung vom Mikrowellenoszillator (z.B. Klystron, RWO = Rückwärtswellenoszillator = Karzinotron, Gyrotron) bezeichnet.Depending on the wave type, the microwaves are coupled into the reaction chamber via a coupling hole or via an antenna pin through a coupling hole. 16 denotes the coupling from the microwave oscillator (e.g. klystron, RWO = reverse wave oscillator = carcinotron, gyrotron).
Im Falle dieser Abwandlung entfällt der Pumpanschluß 13 und es wird an eben dieser Stelle z.B. WFs oder SF6 eingeleitet. Bei der Zuführung von SFs wird durch den Pumpanschluß 14 weiter gepumpt, und es befinden sich nach den Schlitzen 4 und 5 in Richtung des Pfeils 15 weitere Resonanzblenden im Rechteckhohlleiter. Bei der Einleitung von WF6, das in der Reaktionskammer zur Wolfram-Abscheidung dient, entfallen auch der Pumpanschluß 14 sowie die Schlitze 4 und 5, und es erfolgt die Gasentsorgung an einer Austrittsöffnung aus der Reaktionskammer.In the case of this modification, the
Eine weitere Möglichkeit ist die Anwendung eines oder mehrerer niedrig dämpfender Richtkopple- mit parallel angeordneten Rechteckhohlleitern, die getrennt gepumpt oder gasgespült werden und bei denen die Koppellöcher einen zusätzlichen Strömungswiderstand ("Blenden") darstellen. Allerdings ist eine solche Anordnung nur bei nicht allzu großen Druckdifferenzen wirksam.A further possibility is the use of one or more low-damping directional couplers with rectangular waveguides arranged in parallel, which are pumped or gas-purged separately and in which the coupling holes represent an additional flow resistance ("orifice plate"). However, such an arrangement is only effective when the pressure differences are not too great.
Eine dritte Ausführungsform der Erfindung ist das Düsenstrahl-Mikrowellenfenster. Fig. 4 zeigt eine solche Anordnung. Hierbei werden die Mikrowellen (Pfeil 16) durch eine doppelwandige Resonanzblende 17, die als Düse 18 für einen flächenhaften Flüssigkeitsstrahl (Pfeile 19 und 20) hoher Geschwindigkeit ausgebildet ist, hindurchgestrahlt, und zwar wiederum aus einem Hohlleiterinnenbereich von etwa Atmosphärendruck in einen Niedrigdruckbereich.A third embodiment of the invention is the jet microwave window. Fig. 4 shows such an arrangement. Here, the microwaves (arrow 16) are radiated through a double-
Der Vorteil eines solchen Düsenstrahl-Mikrowellenfensters ist u.a., daß keine zusätzliche Fensterkühlung erforderlich ist und bei hohen Mikrowellenleistungen auch keine Limitierung mehr darstellt. Außerdem kann hier zusätzlich die Pumpwirkung des Düsenstrahls ausgenutzt werden, wie sie z.B. in Wasserstrahlpumpen oder in Diffusionspumpen ausgenutzt wird. Es erfolgt eine Mikrowellenübertragung durch eine Pumpe hindurch. In einer weiteren Stufe beim Übergang zum Hochvakuum kann dann statt einer Flüssigkeitsstrahldüse eine Dampfstrahldüse benutzt werden.The advantage of such a nozzle jet microwave window is, among other things, that no additional window cooling is required and that there is no longer any limitation at high microwave powers. In addition, the pumping effect of the nozzle jet can also be exploited here, such as that e.g. is used in water jet pumps or in diffusion pumps. There is a microwave transmission through a pump. In a further stage in the transition to high vacuum, a steam jet nozzle can then be used instead of a liquid jet nozzle.
Claims (16)
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Hohlleiterbereichen (a, b) mindestens eine Pumpstufe (6, 7, 8, 9) angeordnet ist.1. Device for microwave transmission between waveguide areas of different internal gas pressure and / or different filling gas composition,
characterized in that at least one pump stage (6, 7, 8, 9) is arranged between the waveguide regions (a, b).
dadurch gekennzeichnet, daß die Pumpstufen (6, 7, 8, 9) druckregelbar sind, wobei die Strömungswiderstände der Hohlleiterstrecken zwischen den Pumpstufen, die Saugleistungen der Pumpen und die Druckregelungen derart dimensioniert bzw. einstellbar sind, daß eine vorgegebene Druckdifferenz zwischen den Hohlleiterbereichen (a, b) erzeugt und aufrechterhalten wird.2. Device according to claim 1,
characterized in that the pump stages (6, 7, 8, 9) are pressure-controllable, the flow resistances of the waveguide sections between the pump stages, the suction powers of the pumps and the pressure controls being dimensioned or adjustable such that a predetermined pressure difference between the waveguide regions (a , b) is generated and maintained.
dadurch gekennzeichnet, daß die jeweilige Pumpstufe (6, 7, 8, 9) sich in nächster Nachbarschaft der Niederdruckseite befindet.3. Device according to claim 1 or 2,
characterized in that the respective pump stage (6, 7, 8, 9) is in the immediate vicinity of the low-pressure side.
dadurch gekennzeichnet, daß der einen bestimmten Mikrowellenmode führende Hohlleiter (1) mit einem Schlitz oder an aufeinanderfolgenden Stellen mit Schlitzen (2, 3, 4, 5) versehen ist, wobei der Schlitz oder die Schlitze eine sehr schwache oder vernachlässigbare Auskopplung des Mikrowellenmodes aufweisen und wobei der Hohlleiter über den Schlitz mit der Pumpstufe oder über die Schlitze mit aufeinanderfolgenden Pumpstufen (6, 7, 8, 9) mit angepaßter Pumpleistung verbunden ist.4. Apparatus according to claim 1, 2 or 3,
characterized in that the waveguide (1) carrying a specific microwave mode is provided with a slot or at successive locations with slots (2, 3, 4, 5), the slot or slots having a very weak or negligible coupling-out of the microwave mode and wherein the waveguide is connected via the slot to the pump stage or via the slots to successive pump stages (6, 7, 8, 9) with adapted pumping power.
dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlleiter (1) einen rechteckigen Querschnitt aufweist und mehrfach gewendelt ist.5. The device according to claim 4,
characterized in that the waveguide (1) has a rectangular cross section and is coiled several times.
dadurch gekennzeichnet, daß die Schlitze (2, 3. 4, 5) in den Hohlleiterseitenwänden, und zwar in den Schmalseiten, angebracht sind und die Form vertikaler Rechtecke haben.6. The device according to claim 4 or 5.
characterized in that the slots (2, 3. 4, 5) are made in the waveguide side walls, namely in the narrow sides, and have the shape of vertical rectangles.
dadurch gekennzeichnet, daß die Abstände zwischen den Schlitzen (2, 3, 4, 5) ganzzahlige Vielfache der halben Hohlleiterwellenlänge betragen.7. The device according to claim 4, 5 or 6,
characterized in that the distances between the slots (2, 3, 4, 5) are integer multiples of half the waveguide wavelength.
dadurch gekennzeichnet, daß im Hohlleiter (i) Resonanzblenden (10) angeordnet sind.8. The device according to claim 4, 5, 6 or 7,
characterized in that resonance diaphragms (10) are arranged in the waveguide (i).
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem an einen Mikrowellenoszillator angeschlossenen Hohlleiterbereich (16) und dem von der (ersten) Pumpstufe (13) erzeugten Unterdruckbereich (12) ein Mikrowellenfenster (11) angeordnet ist, wobei die erste Pumpstufe derart ausgelegt ist, daß sie imstande ist, einen so niedrigen Enddruck zu erzeugen, daß keine Entladung gezündet wird.9. The device according to claim 1 or 2,
characterized in that a microwave window (11) is arranged between the waveguide region (16) connected to a microwave oscillator and the vacuum region (12) generated by the (first) pump stage (13), the first pump stage being designed such that it is capable of to produce a final pressure so low that no discharge is ignited.
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der ersten Pumpstufe (13) und einer als Mikrowellenresonator ausgebildeten Reaktionskammer eine zweite Pumpstufe (14) zur Entlastung der ersten Pumpstufe und zur Gasentsorgung der Reaktionskammer angeordnet ist.10. The device according to claim 9,
characterized in that between the first pump stage (13) and a reaction chamber designed as a microwave resonator, a second pump stage (14) is arranged to relieve the first pump stage and to remove gas from the reaction chamber.
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der ersten Pumpstufe (13) und der zweiten Pumpstufe (14) mindestens eine Resonanzblende (10) angeordnet ist.11. The device according to claim 10,
characterized in that at least one resonance diaphragm (10) is arranged between the first pump stage (13) and the second pump stage (14).
dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlleiter (1) im Bereich der ersten Pumpstufe (13) mit einem Gas mit hoher Durchschlagsfestigkeit gefüllt ist.12. modification of the device according to claim 9, 10 or 11,
characterized in that the waveguide (1) is filled with a gas with a high dielectric strength in the region of the first pump stage (13).
dadurch gekennzeichnet, daß die Pumpstufe aus einer doppelwandigen Resonanzblende (17) besteht, die als Düse für einen flächenhaften Flüssigkeitsstrahl (19, 20) hoher Geschwindigkeit ausgebildet ist.13. The apparatus of claim 1,
characterized in that the pump stage consists of a double-walled resonance diaphragm (17) which is designed as a nozzle for a flat liquid jet (19, 20) of high speed.
dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlleiter (1) mit einem Spülgas, einem Löschgas oder reaktiven Gasen gefüllt ist.14. The apparatus of claim 1, 2, 3 and / or 10,
characterized in that the waveguide (1) is filled with a purge gas, an extinguishing gas or reactive gases.
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Hohlleiterbereichen (a, b) mehrere aneinandergesetzte Richtkoppler geringer Dämpfung angeordnet sind, die mit jeweils einer Pumpe zur Einstellung eines bestimmten vorgegebenen Drucks verbunden sind, wobei die zwischen den Hohlleiterbereichen (a, b) liegenden Richtkopplerbereiche jeweils mit Kurzschlußschiebern an den Enden und je einem EH-Tuner zur Abstimmung der Übertragungsstrecke versehen sind.16. The apparatus of claim 1 or 2,
characterized in that between the waveguide areas (a, b) a plurality of directional couplers of low damping are arranged, which are each connected to a pump for setting a certain predetermined pressure, the directional coupler areas lying between the waveguide areas (a, b) each having short-circuit slides the ends and an EH tuner for tuning the transmission link.
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1087458A2 (en) * | 1999-09-17 | 2001-03-28 | Spinner GmbH Elektrotechnische Fabrik | Bandpass filter |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19529760C1 (en) * | 1995-08-12 | 1996-11-14 | Alcatel Kabel Ag | High frequency signal communication mast |
JP4636663B2 (en) * | 2000-10-11 | 2011-02-23 | 四国計測工業株式会社 | Microwave supply device for chemical reaction promotion to high temperature and high pressure vessel |
DE102011111884B3 (en) * | 2011-08-31 | 2012-08-30 | Martin Weisgerber | Device for generating thermodynamic cold plasma by microwaves, has resonance chambers distributed in evacuated, electrically conductive anode, where plasma is generated by microwaves under standard atmospheric conditions |
DE102012204447B4 (en) | 2012-03-20 | 2013-10-31 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Apparatus and method for generating a plasma |
US9928993B2 (en) | 2015-01-07 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Workpiece processing chamber having a rotary microwave plasma antenna with slotted spiral waveguide |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2407069A (en) * | 1942-09-15 | 1946-09-03 | Gen Electric | Dielectric wave guide system |
GB644749A (en) * | 1948-09-08 | 1950-10-18 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to electromagnetic wave guides |
DE1031383B (en) * | 1956-04-19 | 1958-06-04 | Philips Nv | Device for ventilating a waveguide system |
JPS60244102A (en) * | 1984-05-18 | 1985-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | Waveguide pressing device |
US4688007A (en) * | 1985-09-03 | 1987-08-18 | The Johns Hopkins University | Air inlet for internal cooling of overmoded waveguide |
EP0252548A1 (en) * | 1986-07-05 | 1988-01-13 | Philips Patentverwaltung GmbH | Process for the production of electrically conductive moulded articles by the plasma-activated chemical gas phase precipitation |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3287674A (en) * | 1964-07-16 | 1966-11-22 | Jr George H Stiegler | Pressurized waveguide shut-off |
US3778799A (en) * | 1972-03-28 | 1973-12-11 | Cables De Lyon Geoffroy Delore | Safety device for pipe lines under gas pressure |
US4286240A (en) * | 1979-12-03 | 1981-08-25 | Varian Associates, Inc. | Circular electric mode microwave window |
-
1988
- 1988-09-16 DE DE3831453A patent/DE3831453A1/en not_active Withdrawn
-
1989
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- 1989-09-15 US US07/407,518 patent/US5028897A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2407069A (en) * | 1942-09-15 | 1946-09-03 | Gen Electric | Dielectric wave guide system |
GB644749A (en) * | 1948-09-08 | 1950-10-18 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to electromagnetic wave guides |
DE1031383B (en) * | 1956-04-19 | 1958-06-04 | Philips Nv | Device for ventilating a waveguide system |
JPS60244102A (en) * | 1984-05-18 | 1985-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | Waveguide pressing device |
US4688007A (en) * | 1985-09-03 | 1987-08-18 | The Johns Hopkins University | Air inlet for internal cooling of overmoded waveguide |
EP0252548A1 (en) * | 1986-07-05 | 1988-01-13 | Philips Patentverwaltung GmbH | Process for the production of electrically conductive moulded articles by the plasma-activated chemical gas phase precipitation |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
INSTRUMENTS AND CONTROL SYSTEMS. vol. 38, no. 9, September 1965, RADNOR US Seiten 135 - 139; H.D.BAUMANN: "Why limit outlet velocities in reducing valves? " * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 10, no. 104 (E-397)(2161) 19 April 1986, & JP-A-60 244102 (MITSUBISHI DENKI K.K.) 04 Dezember 1985, * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1087458A2 (en) * | 1999-09-17 | 2001-03-28 | Spinner GmbH Elektrotechnische Fabrik | Bandpass filter |
EP1087458A3 (en) * | 1999-09-17 | 2002-08-07 | Spinner GmbH Elektrotechnische Fabrik | Bandpass filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0359336B1 (en) | 1995-12-06 |
EP0359336A3 (en) | 1991-03-27 |
JPH02147847A (en) | 1990-06-06 |
US5028897A (en) | 1991-07-02 |
DE3831453A1 (en) | 1990-03-22 |
DE58909526D1 (en) | 1996-01-18 |
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